CN109699190B - 在真空处理系统中非接触地传输装置及方法 - Google Patents

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Abstract

描述一种设备(100)，其用于在真空处理系统中非接触地传输装置(120)。该设备(100)包含：磁传输排布(125)，用以提供磁悬浮力(FL)以悬浮该装置(120)，该磁传输排布包括一或多个主动式磁单元(150)；感测器(140)，用以监测该装置(120)的运动，及控制器(580)，配置成用于基于感测器(140)提供的信号控制该一或多个主动式磁单元(150)。

Description

在真空处理系统中非接触地传输装置及方法
技术领域
本公开是有关于在真空处理系统中传输装置的设备及方法。特别是，本公开是有关于在用于处理基板(特别是薄平的基板)的真空处理系统中的非接触式传输(特别是藉由磁悬浮)的设备及方法。进一步来说，本公开是有关于传输真空处理系统中的装置的设备及方法，此真空处理系统是用于生产光电装置，像是有机发光二极管(organic lightemitting diodes,OLEDs)。
背景技术
已知一些用于沉积材料至基板上的方法。举例来说，可藉由利用蒸镀工艺使基板被涂布，蒸镀工艺像是物理气相沉积(PVD)工艺、化学气相沉积(CVD)工艺、溅射(sputtering)工艺、喷涂(spraying)工艺等等。此工艺可在沉积设备的处理腔室中执行，其中待涂布的基板定位在处理腔室中。沉积材料被提供至处理腔室中。多种材料，像是小分子、金属、氧化物、氮化物及碳化物，可被用于沉积在基板上。进一步来说，其他工艺像是蚀刻、成型、退火、或其他类似工艺，可在处理腔室中实行。
被涂布的基板可被用于数种应用及数种技术领域中。举例来说，一种在有机发光二极管(OLED)面板领域中的应用。其他应用包括绝缘板、微电子像是半导体器件、具有TFT的基板、彩色滤光片或其类似物。
用于制造显示器的处理系统典型地包括用于基板载体、掩模载体及处理装置(例如是沉积源)的传输系统。举例来说，基板载体及/或掩模载体的传输系统可用于将各自的载体传输进和出处理腔室。此外，处理装置(例如是沉积源)的传输系统典型地用于沿着基板传输该处理装置，同时处理基板(例如是藉由发射待沉积的材料至基板上)。
一个在用于处理基板的系统的持续的课题，是对于更高质量的处理结果的不断增长的需求。在这方面，于在处理系统中传输装置(例如是基板载体、掩模载体及处理装置)的处理系统中出现了许多挑战。
考量到上述内容，需要一种设备、处理系统及方法，其可以提供改善用于处理基板的处理系统中所采用的装置的传输的控制。
发明内容
考量到上述内容，提供一种用于在真空处理系统中非接触地传输装置的设备、一种真空处理系统、及一种用于在真空处理系统中非接触地传输装置的方法。本公开的其他方面、优点及特征，由权利要求书、说明书及所附图式呈现。
根据本公开的一方面，提供一种用于在真空处理系统中非接触地传输装置的设备。此设备包括磁传输排布，其用于提供磁悬浮力以悬浮该装置。磁传输排布包括一或多个主动式磁单元。设备还包括感测器，其用于监测装置的运动。此外，设备包括控制器，其配置成用于基于感测器提供的信号控制该一或多个主动式磁单元。
根据本公开的另一方面，提供一种用于在真空处理系统中非接触地传输处理装置的设备。此设备包括用于处理装置的支撑件。此支撑件包括一或多个主动式磁单元。此设备还包括引导结构，其在处理装置的传输方向上延伸。该一或多个主动式磁单元及该引导结构被配置成用于提供磁悬浮力以悬浮该处理装置。进一步来说，此设备包括感测器，其用于监测处理装置的运动。此外，设备包括控制器，其连接至感测器。此控制器被配置成用于基于感测器提供的信号控制该一或多个主动式磁单元，使得装置由感测器侦测到的临界运动被减少。
根据本公开的又一方面，提供一种用于在基板上沉积层的真空处理系统。此真空处理系统包括适于层的沉积的处理腔室。进一步来说，此系统包括根据此处所述的任何实施例的用于非接触传输的设备。
根据本公开的再一方面，提供一种用于在真空处理系统中非接触传输装置的方法。此方法包括产生可调磁场以悬浮该装置。进一步来说，此方法包括利用感测器监测装置的运动。此外，此方法包括基于感测器提供的信号控制可调磁场。
实施例还有关于用以执行所公开的方法的设备，且包括用以执行各所述的方法方面的设备部件。此些方法方面可藉由硬件元件、由合适软件程式化的电脑、两者的任何结合或任何其他方式执行。再者，根据本公开的实施例还有关于用以操作所述设备的方法。用以操作所述设备的此些方法包括用以执行设备的每一功能的方法方面。
附图说明
为了能够理解本公开上述特征的细节，可参照实施例，得到对于简单总括于上的本公开更详细的叙述。所附图式是关于本公开的实施例，并叙述如下：
图1示出根据此处所述的实施例的用于非接触地传输装置的设备的前视示意图；
图2示出根据此处所述的另外的实施例的用于传输装置的设备的侧视示意图；
图3A及3B示出根据此处所述的又另外的实施例的用于非接触地传输装置的设备的前视示意图；
图4示出根据此处所述的一些实施例的用于待被非接触式传输设备传输的装置的支撑件的示例性实施例的示意图；
图5A及5B示出根据此处所述的另外的实施例的用于非接触式地传输装置的设备的侧视示意图；
图6示出根据此处所述的实施例的真空处理系统的示意图；及
图7示出绘示根据此处所述的实施例的用于在真空处理系统中非接触地传输装置的方法的流程图。
具体实施方式
现在将对于本公开的各种实施例进行详细说明，其一或多个例子绘示于图中。在以下对于图式的叙述中，使用相同的元件符号来指示相同的元件。只会对于各个实施例的不同处进行叙述。各个例子的提供只是用以解释本公开，而非欲用以限制本公开。另外，作为一个实施例的一部分而被绘示或叙述的特征，可用于或结合其他实施例，以产生又一实施例。所述内容意欲包含这样的调整及变化。
在更详细地描述本公开的各种实施例之前，解释关于此处使用的一些名词和表达的一些方面。
在本公开中，“用于非接触式传输装置的设备”应理解为，配置成用于以非接触式传输在真空处理系统中使用的可移动装置的设备。举例来说，此装置可以是处理装置(例如是沉积源)、用于乘载基板的载体、用于乘载掩模的载体、或是任何其他在真空处理系统中使用的可移动装置。本公开中通篇使用的“非接触”一词可理解为装置的重量并非由机械接触或机械力保持，而是由磁力保持。特别是，使用磁力取代机械力以使此装置被保持在悬浮或漂浮状态。举例来说，此处所述的设备可能没有在传输期间支撑装置的重量的机械元件(像是机械轨道)。在一些实施方式中，在装置的移动期间，装置及设备的其余部分之间可以完全没有机械接触。
根据此处所述的实施例的装置的非接触式传输是有利的，因为不会在装置的传输期间由于装置及设备部件(像是机械轨道)之间的机械接触而产生颗粒。因此，当利用非接触式传输时，颗粒的产生可以被最小化，使得可以实现更高质量的处理结果。
在本公开中，“磁传输排布”应理解为一种排布结构，其配置成用于使用磁力传输装置。特别是，此磁传输排布可包括一或多个主动式磁单元，其被配置成用于产生磁悬浮力。“主动式磁单元”应理解为一种磁性单元，其适于产生磁场，特别是可调磁场，以提供作用在待悬浮及/或待传输的装置上的各自的磁悬浮力。举例来说，在非接触式传输的设备操作中，可调磁场可以是动态可调的。磁传输排布可包括另一磁性元件，其被配置且布置成使得可以提供可调磁场及该另一磁性元件的磁性之间的相互作用。据此，可提供装置的非接触式悬浮及/或传输，例如是藉由可调磁场及该另一磁性元件的磁性之间的相互作用。
在本公开中，“用于监测运动的感测器”应理解为一种感测器，其被配置成用于监测可移动装置的运动。特别是，用于监测运动的感测器可以理解为，此感测器是配置成用于在可移动装置的一些或所有平移及/或旋转的自由度中，侦测可移动装置的运动。在本公开中，“用于监测运动的感测器”也可被称为“运动感测器”。举例来说，运动感测器可以是加速度感测器，其被配置成用于侦测一本体的速度变化率，此本体例如是如此处所述的装置。据此，加速度感测器可以是加速度计。
在本公开中，“配置成用于控制一或多个主动式磁单元的控制器”应理解为一种控制器，其被配置使得一或多个主动式磁单元的可调磁场可以被控制，也就是说被调整。特别是，控制器可以与运动感测器通讯(例如是藉由有线或无线连接)，以接收运动感测器的信号。此外，控制器可以与一或多个主动式磁单元通讯(例如是藉由有线或无线连接)。进一步来说，控制器可以包括一演算法(例如是电脑程序)，其被配置使得当侦测到装置的临界运动(critical motion)时，控制器计算适当的对策以减少临界运动。据此，当侦测到装置的临界运动时，控制器传送包含适当对策(也就是说可调磁场的适当调整)的指令至一或多个主动式磁单元。
通过示例性的参考图1，描述在真空处理系统中用于非接触地传输装置120的设备100。根据可与此处所述的任何其他实施例结合的实施例，此设备包含磁传输排布125，以提供磁悬浮力FL来悬浮该装置120。典型地，磁悬浮力FL可至少部分抵销装置120的重量G，如图1所示例性绘示。磁传输排布125包括一或多个主动式磁单元150。进一步来说，磁传输排布125可包括另一磁性结构170，例如是如此处所述的引导结构770。据此，可提供装置的非接触式悬浮及/或传输，例如是藉由一或多个主动式磁单元150及该另一磁性结构170的磁场以及磁性之间的相互作用。
进一步来说，设备包括感测器140用以监测装置120的运动。特别是，用以监测装置120的运动的感测器140可被配置成用于侦测装置120的震荡运动。举例来说，感测器140可以是加速度感测器。举例来说，感测器140可以被固定或连接至装置120。附加地或替代地，感测器可以被固定或连接至装置120的支撑件160，如图1所示例性绘示。此外，设备包括控制器580，其被配置成用于基于感测器140提供的信号S1控制一或多个主动式磁单元150。如图1由虚线箭头所示例性绘示，感测器140通常提供信号S1至控制器。信号S1包括有关装置120的运动的资讯。控制器580分析信号S1并发送适当的控制信号C1(参见图1中的虚线箭头)至一或多个主动式磁单元150。
据此，如此处所述的设备的实施例有利地提供了减少真空处理系统中的可移动装置的临界运动(例如是震荡(oscillation)或震动(vibration))的能力。如此处所述的设备的实施例可特别是有利于供应排布(例如是介质供应结构及/或电源供应结构)所连接的可移动装置，因为可减少，特别是抑制(damp)或遏止(suppress)，或甚至是避免供应结构的励磁(excitation)。减少、抑制或避免供应排布的励磁可以特别的有利，因为供应排布的励磁可能反过来引起对于供应排布所连接的装置的移动平滑性的干扰。据此，本公开的实施例具有优点，其为可以改善处理系统中所用的可移动装置的移动的平滑性。举例来说，在可移动装置是沉积源组件的情况下，减少或甚至消除沉积源组件的临界运动具有优点，其为可获得更均匀且均质的涂布结果。据此，举例来说是对于显示装置，如OLED，可以获得更好的处理结果及因而有更高的产品质量。进一步来说，藉由减少、抑制、遏止或甚至是避免供应结构的励磁，使形成供应排布的各元件的链接或连接上有较少的应力，使得供应结构的寿命，特别是密封件和轴承的寿命，可以延长。
根据可与此处所述的任何其他实施例结合的实施例，感测器140被配置成用于侦测至少一加速度，其选自下列组成的群组：x方向上的平移加速度、y方向上的平移加速度、z方向上的平移加速度、绕着x方向的旋转加速度、绕着y方向的旋转加速度、绕着z方向的旋转加速度、及其任何组合。
根据可与此处所述的任何其他实施例结合的实施例，可提供二或多个运动感测器(未绘示)，其根据如此处所述的感测器140配置。提供二或多个感测器，可特别是有利于以高精确度侦测装置的临界运动。举例来说，此二或多个运动感测器可被固定至装置及/或至装置的支撑件上。此二或多个运动感测器可以与控制器580通讯(例如是藉由有线或无线连接)，如关于根据此处所述的实施例的感测器140示例性地描述。
根据可与此处所述的任何其他实施例结合的实施例，控制器580被配置成用以控制一或多个主动式磁单元150，使得装置120的临界运动被减少，特别是抑制或遏止。据此，装置120的(举例来说是在共振频率的)临界运动，例如是临界震荡、震动峰，有利地可被减弱。如参考图3A、3B及4中更详细地描述，一或多个主动式磁单元150可包含：第一主动式磁单元741、第二主动式磁单元742、第三主动式磁单元747；第四主动式磁单元748；第五主动式磁单元749；第六主动式磁单元750；及另一主动式磁单元743中至少一者。
根据可与此处所述的任何其他实施例结合的实施例，一或多个主动式磁单元150包含选自下列组成的群组的至少一个元件：电磁装置；螺线管；线圈；超导磁铁；及其任何组合。
通过示例性的参考图2，根据可与此处所述的任何其他实施例结合的实施例，此设备还包含连接至装置120的供应排布180。举例来说，供应排布180可被配置成馈通件(feed-through)，用于将介质供应线从真空腔室外的环境引导至装置120，例如是经过真空腔室的墙壁。据此，供应排布180可以包含用于装置120的介质供应线的供应通路。举例来说，介质供应线可以是选自下列组成的群组的一或多者：用于电力供应的供应线、用于冷却液体的供应线、通讯线路(也就是说用于传输信号)、及其他用于供应可移动装置所需要的介质或能量的供应线。
如图2所示例性绘示，供应排布180可包含另一感测器145，用于监测供应排布的运动。特别是，该另一感测器145可与控制器580通讯(例如是藉由有线或无线连接)。可以理解的是，该另一感测器145可以是如此处所述的运动感测器。特别是，供应排布可包含二或多个其他感测器(未绘示)，以监测供应排布的运动。提供供应排布二或多个其他感测器，可特别是有利于以高精确度侦测供应排布的临界运动。
据此，控制器580可被配置成用于基于另一感测器145及/或该二或多个其他感测器提供的信号，控制一或多个主动式磁单元150。进一步来说，控制器580可被配置成用于基于感测器140所提供的信号S1及/或基于另一感测器145所提供的信号S2，控制一或多个主动式磁单元150，如图2由虚线箭头所示例性绘示。该另一感测器145所提供的信号S2包含关于供应排布180的运动的资讯。典型地，控制器580分析另一感测器145所提供的信号S2，并将适当的控制信号C1发送至一或多个主动式磁单元150。控制信号C1包含控制指令，以调整一或多个主动式磁单元150的磁场，使得可移动装置及/或供应排布的临界运动可以被减少，特别是抑制或遏止，或甚至是避免。据此，有利地可提供减少、抑制或避免供应结构的励磁，其可以特别的有利，因为供应结构的励磁可能反过来引起对于供应结构所连接的装置的移动平滑性的干扰。
根据可与此处所述的任何其他实施例结合的实施例，装置120是选自下列组成的群组的至少一装置：处理装置、沉积源组件、及载体组件(例如是包含基板载体或掩模载体)。通过示例性的参考图3A及3B，描述了用于非接触地传输装置120的设备100的实施例，其中此装置是沉积源组件730。通过示例性的参考图5A及5B，描述了用于非接触地传输装置120的设备100的实施例，其中此装置是载体组件880，例如是包含基板载体及/或掩模载体的载体组件。
通过示例性的参考图3A及3B，描述用于非接触地传输装置120的设备100，其中此装置是沉积源组件730，其包含沉积源520。特别是，如此处所述，此设备允许装置120的非接触运动控制。举例来说，非接触运动控制可包含相对于一、二或三个旋转轴控制装置(例如是如下所述的沉积源组件)的旋转，以在角度方面控制装置的位置或方位。特别是，设备可被配置成用以非接触地绕着第一旋转轴、第二旋转轴及/或第三旋转轴旋转装置，例如沉积源组件。第一旋转轴可在横向(例如是x方向或源传输方向)上延伸。第二旋转轴可在横向(例如是z方向)上延伸。第三旋转轴可在垂直方向(例如是y方向)上延伸。沉积源组件相对于任何旋转轴提供的旋转可在2°或更小的角度内，例如是从0.1度至2度或是从0.5度至2度。
此处所述的一些实施例涉及“垂直方向”的概念。垂直方向被认为是实质上与重力延伸的方向平行的方向。垂直方向可由精确的垂直(后者由重力定义)偏离一角度，例如是最多15度。实质上垂直的基板可与垂直方位具有±15°或更低的偏离。举例来说，此处所述的y方向(在图式中以“Y”表示)是垂直方向。特别是，图式中所示的y方向定义了重力的方向。
此处所述的实施例可进一步涉及“横向”的概念。横向应理解为用以与垂直方向区分。横向可以是垂直或实质上垂直于由重力定义的精确的垂直方向。举例来说，此处所述的x方向及z方向(在图式中以“X”及“Z”表示)是横向。特别是，图式中所示的x方向及z方向垂直于y方向(且彼此互相垂直)。在进一步的例子中，如此处所述的横向力或反向力被认为是沿着横向延伸。
如图3A所示例性绘示，装置120可以是沉积源组件730，其包含沉积源520。进一步来说，可提供用于支撑装置(特别是沉积源520)的支撑件160。特别是，支撑件160可以是源搬运车。装置，例如沉积源520，可被固定至支撑件160。如图3A中的箭头所示，沉积源520可以适于用于在基板101上的材料沉积的发光材料。进一步来说，如图3A所示例性绘示，掩模333可被配置在基板101及沉积源520之间。可提供掩模333以预防沉积源520发射的材料在基板101的一或多个区域上沉积。举例来说，掩模333可以是边缘排除掩模，其被配置成用于遮盖基板101的一或多个边缘区域，使得在基板101的涂布期间，不会有材料沉积在该一或多个边缘区域上。举另一个例子来说，此掩模可以是用以遮盖多个特征结构的阴影掩模(shadow mask)，此些特征结构利用来自沉积源组件的材料被沉积至基板上。
根据可与此处所述的任何其他实施例结合的实施例，一或多个主动式磁单元150包含设置于装置120的第一侧，特别是装置的支撑件160的第一侧的第一主动式磁单元741，以及设置于装置的第二侧，特别是装置的支撑件160的第二侧的第二主动式磁单元742，装置的第二侧相对于装置的第一侧，特别是相对于支撑件的第一侧。特别是，如下所述，第一主动式磁单元及第二主动式磁单元被配置成用于将装置绕着装置的第一旋转轴734旋转。
此外，通过示例性的参考图3A，此装置，特别是沉积源组件730，可包含第一主动磁单元741及第二主动式磁单元742。磁传输排布125可包含引导结构770，其在装置的传输方向(例如是沉积源的传输方向)上延伸。引导结构770可有线性形状，其沿着装置的传输方向延伸。引导结构770沿着传输方向的长度可以是1米(m)至6米。第一主动式磁单元741、第二主动式磁单元742及引导结构770被配置成用于提供第一磁悬浮力F1及第二磁悬浮力F2以悬浮装置120，例如沉积源组件730，如图3A所示例性绘示。
特别是，一或多个主动式磁单元150(例如是第一主动式磁单元741及/或第二主动式磁单元742)的磁场，在设备的操作期间可以是动态可调的，例如是藉由如此处所述的控制器580调节。举例来说，在由沉积源520发射材料以沉积材料在基板101上的期间，磁场可以是可调的，及/或在层的形成工艺的沉积循环之间，磁场可以是可调的。替代地或附加地，磁场可以基于装置120(例如是沉积源组件730)相对于引导结构的位置为可调的。
根据可与此处所述的其他实施例结合的实施例，一或多个主动式磁单元150可被配置成用于产生用于提供沿着垂直方向延伸的磁悬浮力的磁场。附加地或替代地，一或多个主动式磁单元150可被配置成用于提供沿着横向延伸的磁力，例如是如下所述的反磁力。举例来说，一或多个主动式磁单元可以是或包含选自下列组成的群组的至少一个元件：电磁装置；螺线管；线圈；超导磁铁；及其任何组合。
如图3A所示例性绘示，在设备100的操作期间，至少一部分的引导结构770可面对第一主动式磁单元741。引导结构770及/或第一主动式磁单元741可至少部分地被配置在装置120下方，特别是沉积源520下方。在操作中，装置120(例如是沉积源组件730)是可相对于引导结构，沿着x方向移动的。进一步来说，可沿着y方向、沿着z方向、及/或沿着任意空间方向，例如是藉由控制器580，提供位置调整或运动控制。引导结构被配置成用于非接触地引导装置(例如是沉积源组件)的移动。引导结构770可以是静态引导结构，其可被静态地设置在真空处理腔室中。特别是，引导结构770可具有磁性。举例来说，引导结构770可由磁性材料制成，磁性材料例如是铁磁，特别是铁磁钢。据此，引导结构可以是或包含被动式磁单元。
“被动式磁单元”一词在此是用于区别于“主动式”磁性单元或元件的概念。被动式磁单元或元件可以指具有不受制于主动控制或调整的磁性的单元或元件。举例来说，被动式磁单元或元件可适于产生磁场，例如是静态磁场。被动式磁单元或元件可以不配置用于产生可调磁场。典型地，被动式磁单元或元件可以是永久磁铁或是具有永久磁性。
根据可与此处所述的其他实施例结合的实施例，设备100可包含驱动系统，其被配置成用于沿着引导结构770驱动装置120，例如是沉积源组件730。驱动系统可以是磁性驱动系统，其被配置成用于在传输方向上非接触地沿着引导结构770传输装置，特别是沉积源组件730。驱动系统可以是线性马达。驱动系统可以被配置成用于开始及/或停止装置120沿着引导结构的移动。根据可与此处所述的其他实施例结合的一些实施例，非接触驱动系统可以是被动式磁单元及主动式磁单元的结合，被动式磁单元特别是提供在引导结构的被动式磁单元，主动式磁单元特别是提供于装置(例如是沉积源组件)内或提供在装置(例如是沉积源组件)的主动式磁单元。
根据可与此处所述的任何其他实施例结合的实施例，装置(例如是沉积源组件)的运动控制，可以在控制器580的控制下即时的实行。特别是，可以实行运动控制，使得可移动装置的临界运动(例如是震荡或震动)减少，特别是抑制或遏止或甚至是避免。
根据可与此处所述的其他实施例结合的实施例，可以在没有机械接触的情况下实行装置的运动控制。举例来说，运动控制可包含垂直运动控制及/或角度运动控制及/或平移运动控制，同时装置是沿着传输方向移动。
通过示例性的参考图3A，装置120，特别是沉积源组件730，可包含第一平面733，其包含装置120的第一旋转轴734。装置，例如是沉积源组件730，可包含配置在第一平面733的第一侧733A的第一主动式磁单元741，以及配置在第一平面733的第二侧733B的第二主动式磁单元742。第一主动式磁单元741及第二主动式磁单元742被配置成用于磁性地悬浮装置，例如是沉积源组件730。特别是，第一主动式磁单元741及第二主动式磁单元742各自适于产生磁场，例如是可调磁场，以提供个别的磁悬浮力作用于装置120。据此，第一主动式磁单元741及第二主动式磁单元742被配置成用于绕着第一旋转轴734旋转装置，特别是沉积源组件730，以控制装置120的旋转运动。
如图3A所示例性绘示，第一平面733可延伸通过装置120，特别是通过沉积源组件730的本体部分。第一平面733可包含装置120的第一旋转轴734。根据典型的实施例，第一旋转轴734可延伸通过装置(例如是沉积源组件730)的质心。在操作中，第一平面733可在垂直方向上延伸。第一平面733可以是实质上平行或实质上垂直于基板接收区域或基板。在操作中，第一旋转轴734可沿着横向延伸。
在本公开中，“实质上平行”的方向一词可包含多个方向，其彼此形成最多10度的小角度，或甚至最多15度。进一步来说，“实质上垂直”的方向一词可包含多个方向，其彼此形成小于90度的角度，例如是至少80度或至少75度。类似的考量，适用于实质上平行或垂直的轴、平面、区域或其他类似物的概念。
如图3A所示例性绘示，由第一主动式磁单元741产生的磁场与引导结构770的磁性相互作用，以提供作用于装置120(特别是沉积源组件730)的第一磁悬浮力F1。特别是，第一磁悬浮力F1作用于装置120位在第一平面733的第一侧733A的部分上。在图3A中，第一磁悬浮力F1是由第一平面733的左手边上提供的向量表示。根据可与此处所述的其他实施例结合的实施例，第一磁悬浮力F1可至少部分抵销沉积源组件730的重量G。
如此处所述的磁悬浮力“部分”抵销重量G的概念，限定磁悬浮力在装置上(例如是沉积源组件)提供悬浮作用，也就是上升力，但只有该悬浮力可能不足以悬浮装置。据此，部分抵销重量的磁悬浮力的大小是小于重量G的大小。
通过示例性的参考图3A，由第二主动式磁单元742产生的磁场与引导结构770的磁性可相互作用，以提供作用于装置120(例如是沉积源组件730)的第二磁悬浮力F2。特别是，第二磁悬浮力F2可作用于装置120位在第一平面733的第二侧733B的部分上。在图3A中，第二磁悬浮力F2是由第一平面733的右手边上提供的向量表示。第二磁悬浮力F2可至少部分抵销沉积源组件的重量G。
第一磁悬浮力F1及第二磁悬浮力F2的迭加提供作用于装置(例如是沉积源组件730)的迭加的磁悬浮力。迭加的磁悬浮力可完全抵销装置的重量G。迭加的磁悬浮力可足够于提供装置(例如是沉积源组件730)的非接触式悬浮，如图3A所绘示。然而，可提供其他非接触力，使得第一磁悬浮力F1及第二磁悬浮力F2提供迭加的磁悬浮力，其可以部分抵销重量G，且第一磁悬浮力F1、第二磁悬浮力F2及该些其他非接触力提供迭加的磁悬浮力以完全抵销重量G。
根据可与此处所述的其他实施例结合的实施例，第一主动式磁单元可被配置成用于产生第一可调磁场以提供第一磁悬浮力F1。第二主动式磁单元可被配置成用于产生第二可调磁场以提供第二磁悬浮力F2。如图3A所示例性绘示，设备可包含控制器580，其被配置成用于个别的控制第一主动式磁单元741及/或第二主动式磁单元742，以控制第一可调磁场及/或第二可调磁场，以提供如此处所述的装置(例如是沉积源组件)的运动控制。更具体地，控制器580可被配置成用于控制第一主动式磁单元及第二主动式磁单元，以在垂直方向上控制装置的平移运动。藉由以如此处所述的控制器控制第一主动式磁单元及第二主动式磁单元，装置的运动可以被控制，使得装置的位置可以被维持在目标垂直位置。
第一主动式磁单元及/或第二主动式磁单元的个别控制可提供关于装置(特别是沉积源)的运动控制的额外好处。个别控制允许装置(例如是沉积源组件730)绕着第一旋转轴734的旋转，以提供角度运动控制。举例来说，参考图3A，以使得第一磁悬浮力F1大于第二磁悬浮力F2的方式个别控制第一主动式磁单元741及/或第二主动式磁单元742，造成扭矩，其可提供装置120(例如是沉积源组件730)绕着第一旋转轴734的顺时针旋转。类似地，大于第一磁悬浮力F1的第二磁悬浮力F2可致使装置120绕着第一旋转轴734的逆时针旋转。
第一主动式磁单元741及第二主动式磁单元742的个别的可控性所提供的旋转角度的自由度，允许控制装置120相对于第一旋转轴734的角定位(angular orientation)。在控制器580的控制下，可提供目标角定位及/或角度运动控制。举例来说，装置(特别是沉积源组件)的目标角定位可以是垂直方位，例如是使得第一平面733平行于y方向的方位，如图3A所绘示。或者，目标方位可能是倾斜的或稍微倾斜的方位，根据此方位，第一平面733相对于y方向以目标角度被倾斜。
通过示例性的参考图3A，根据可与此处所述的任何其他实施例结合的实施例，设备100可包含第一被动式磁单元745，例如是永久磁铁，及另一主动式磁单元743。第一被动式磁单元745可被设置在第一平面733的第二侧733B。在操作中，第一被动式磁单元745可面对引导结构770的第二部分772及/或可被提供至第一平面733及第二部分772之间。
另一主动式磁单元743可被设置在第一平面733的第一侧733A。在操作中，该另一主动式磁单元743可面对引导结构770的第一部分771及/或至少部分可被提供至第一平面733及第一部份771之间。典型地，该另一主动式磁单元743可以与第一主动式磁单元741、第二主动式磁单元742是同一类型。举例来说，该另一主动式磁单元743、第一主动式磁单元741、及/或第二主动式磁单元742可以是同类型的电磁铁。相较于第一主动式磁单元741及第二主动式磁单元742，另一主动式磁单元743可具有不同的空间方位。特别是，相对于例如是第一主动式磁单元741，另一主动式磁单元743可以绕着垂直于图3A的绘图平面的横轴被旋转例如大约90度。
另一主动式磁单元743可被配置成用于产生磁场，特别是可调磁场。如图3A所示例性绘示，由另一主动式磁单元743所产生的磁场与引导结构770的磁性相互作用，以提供作用于装置(特别是沉积源组件730)上的第一反横向力O1。第一反横向力O1是磁力。据此，该另一主动式磁单元743及引导结构770被配置成用于提供第一反横向力O1。第一反横向力是抵销第一横向力的可调的力。此外，通过示例性的参考图3A，控制器580可以被配置成用于控制该另一主动式磁单元743，以提供横向运动控制，也就是说在横向上的运动的控制。
通过示例性的参考图3A，根据可与此处所述的任何其他实施例结合的实施例，第一被动式磁单元745及引导结构770被配置成用于提供第一横向力T1。特别是，第一被动式磁单元745可以被配置成用于产生磁场。由第一被动式磁单元745所产生的磁场可与引导结构770的磁性相互作用，以提供作用于装置(例如是沉积源组件730)上的第一横向力T1。第一横向力T1是磁力。第一横向力T1沿着横向延伸，如此处所述。第一横向力T1可沿着实质上垂直于装置的传输方向的方向延伸。举例来说，第一横向力T1可以是实质上平行于z方向，如图3A所绘示。
通过示例性的参考图3A，应理解的是第一反横向力O1沿着横向延伸。此横向可以是相同于或是实质上平行于第一横向力T1延伸的横向。举例来说，绘示于图3A的第一横向力T1及第一反横向力O1皆沿着z方向延伸。特别是，第一反横向力O1及第一横向力T1是相反或抵销的力。第一横向力T1及第一反横向力O1是由沿着z方向、指向相反方向的相同长度的向量表示，据此将其外观绘示于图3A。第一反横向力O1及第一横向力T1可具有相同大小。第一反横向力O1及第一横向力T1可沿着横向在相反方向上延伸。第一横向力T1及第一反横向力O1可以，举例来说，实质上垂直于基板接收区域或基板或装置传输方向，特别是沉积源传输方向。
举例来说，如图3A所绘示，第一横向力T1可以是由第一被动式磁单元745及引导结构770之间的磁吸引致使。此磁吸引促使第一被动式磁单元745朝向引导结构770，特别是朝向引导结构770的第二部分772。第一反横向力O1可以是由另一主动式磁单元743及引导结构770之间的磁吸引致使。此磁吸引促使该另一主动式磁单元743朝向引导结构770，特别是朝向引导结构770的第一部分771。
或者，第一横向力T1可以是由第一被动式磁单元745及引导结构770之间的磁排斥致使。第一反横向力O1可以是由另一主动式磁单元743及引导结构770之间的磁排斥致使。在这种情况下，第一横向力T1及第一反横向力O1是抵销的力。据此，第一反横向力O1可以完全抵销第一横向力T1。第一反横向力O1可以抵销第一横向力T1，使得沿着横向(例如是z方向)作用于装置(例如是沉积源组件730)上的净力是零。据此，装置沿着横向的运动可以在没有机械接触的情况下被控制器控制。
如图3A所绘示，控制器580可被配置成用于控制另一主动式磁单元743。控制另一主动式磁单元743可包含控制该另一主动式磁单元743产生的可调磁场，以控制第一反横向力O1。控制另一主动式磁单元743可允许装置(例如是沉积源520)在横向(例如是z方向)上的运动控制。
通过示例性的参考图3A，根据可与此处所述的其他实施例结合的实施例，引导结构770的第一部分771及第二部分772可以是引导结构770的分离的部分。在操作中，引导结构770的第一部分771可以被配置在第一平面733的第一侧733A。引导结构770的第二部分772可以被配置在第一平面733的第二侧733B。
根据可与此处所述的其他实施例结合的实施例，一或多个主动式磁单元150被提供在装置，特别是在装置120的支撑件160。举例来说，一或多个、或全部的磁性单元可被固定至装置，特别是装置120的支撑件160。举例来说，如图3A及3B所示，如此处所述的第一主动式磁单元741、第二主动式磁单元742、第一被动式磁单元745、及/或另一主动式磁单元743可被固定至支撑件160。
通过示例性的参考图3A，根据可与此处所述的任何其他实施例结合的实施例，控制器580可被配置成用于控制第一主动式磁单元741及/或第二主动式磁单元742及/或另一主动式磁单元743，以提供装置120的运动控制。控制器580传输至第一主动式磁单元741及/或第二主动式磁单元742及/或另一主动式磁单元743的控制信号，是由控制信号C1、控制信号C2、及控制信号C3示例性的表示。据此，控制器580可被配置用以分析感测器140提供的信号S1，并传送适当的控制信号至一或多个主动式磁单元150，例如是第一主动式磁单元741及/或第二主动式磁单元742及/或另一主动式磁单元743。
引导结构770的第一部分771及第二部分772可以分别是被动式磁单元及/或可包含一或多个被动式磁铁组件。举例来说，第一部分771及第二部分772可以分别由铁磁材料，例如是铁磁钢制成。第一部分771可包含第一凹部773及第二凹部774。在操作中，磁性单元，例如是如图3B所示的第一主动式磁单元741，可被至少部分地配置在第一凹部773中。在操作中，另一磁性单元，例如是该另一主动式磁单元743，可被至少部分地配置在第二凹部774中。引导结构770的第一部分771在垂直于源传输方向(例如是x方向)的截面中，可具有E形轮廓。实质上沿着第一部分771的长度的E形轮廓可定义第一凹部773及第二凹部774。类似地，第二部分772可包含第三凹部775及第四凹部776。在操作中，磁性单元，例如是如图3B所示的第二主动式磁单元742，可被至少部分地配置在第三凹部775中，且第一被动式磁单元745可被至少部分地提供在第四凹部776中。第一被动式磁单元745可与提供在引导结构770的另一被动式磁单元746相互作用。第二部分772在垂直于源传输方向的截面中可具有E形轮廓。实质上沿着第二部分772的长度的E形轮廓可定义第三凹部775及第四凹部776。
藉由将沉积源组件730的磁性单元至少部分地配置至引导结构770各自的凹部中，获得在引导结构及于各自的凹部中的磁性单元之间的改善的磁性的相互作用，以提供如此处所述的第一磁悬浮力F1、第二磁悬浮力F2、第一横向力T1及/或第一反横向力O1。据此，可提供装置改善的运动控制。
通过示例性的参考图3B，根据一些传输设备的实施例，被动式磁驱动单元780可被提供在引导结构。举例来说，被动式磁驱动单元780可包含多个永久磁铁，特别是形成具有变化的极向的被动式磁铁组件的多个永久磁铁。该些磁铁可具有交替的极向，以形成该被动式磁铁组件。主动式磁驱动单元781可被提供在支撑件160或提供于支撑件160中。当源组件被悬浮时，被动式磁驱动单元780及主动式磁驱动单元781可提供对于沿着引导结构移动的驱动，例如是非接触的驱动。
图4示出用于装置的支撑件160(例如是用于沉积源的源搬运车)的示例性的实施例。根据可与此处所述的任何其他实施例结合的实施例，一或多个主动式磁单元150还包括位于支撑件160的第一侧的第三主动式磁单元747，及配置在支撑件160的第二侧的第四主动式磁单元748。第一主动式磁单元741、第二主动式磁单元742、第三主动式磁单元747及第四主动式磁单元748可被配置成用于绕着第一旋转轴734及绕着垂直于第一旋转轴734的第二旋转轴767旋转装置120。根据可与此处所述的其他实施例结合的其他例子，下述的单元可以被固定至支撑件160：第一主动式磁单元741；第二主动式磁单元742；第三主动式磁单元747；第四主动式磁单元748；第五主动式磁单元749；第六主动式磁单元750；第一被动式磁单元751；第二被动式磁单元752；或其任何结合。第五主动式磁单元749可以是如参照图3A所描述的另一主动式磁单元743。
图4示出第一平面733，如此处所述的，第一平面733延伸通过装置的支撑件160。第一平面733包括第一旋转轴734，如此处所述的。如图4所示，在操作中，第一旋转轴734可以是实质上平行于x方向。在操作中，第一旋转轴可沿着一横向(例如是实质上平行于x方向)延伸。第一主动式磁单元741、第三主动式磁单元747、第五主动式磁单元749及/或第六主动式磁单元750可以被配置在第一平面733的第一侧。第二主动式磁单元742、第四主动式磁单元748、第一被动式磁单元751及第二被动式磁单元752可以被配置在第一平面733的第二侧。
进一步来说，图4示出第二平面766延伸通过支撑件160。第二平面766可以是垂直于第一平面。在设备100的操作过程中，第二平面可在垂直方向上延伸。在操作过程中，第一平面733可以是实质上平行于基板接收区域或基板。第二平面766可以是实质上垂直于基板接收区域。第二平面766包括装置(例如是沉积源组件)的第二旋转轴767。第二旋转轴767可以是实质上垂直于第一旋转轴。在操作中，第二旋转轴767可沿着一横向(例如是实质上平行于z方向)延伸，如图4所示。
如图4所示例性绘示，第一主动式磁单元741、第二主动式磁单元742、第五主动式磁单元749及/或第一被动式磁单元751可被配置在第二平面766的第一侧。第三主动式磁单元747、第四主动式磁单元748、第六主动式磁单元750及第二被动式磁单元752可被配置在第二平面766的第二侧。
在操作中，图4示出的具有八个磁性单元固定于其上的支撑件160，可相对于引导结构进行配置，此引导结构包括具有E形轮廓定义出的凹部的第一部分和第二部分，如图3B所示。第一主动式磁单元741及第三主动式磁单元747可被至少部分地配置在第一凹部773中。第五主动式磁单元749及第六主动式磁单元750可被至少部分地配置在第二凹部774中。第二主动式磁单元742及第四主动式磁单元748可被至少部分地配置在第三凹部775中。第一被动式磁单元751及第二被动式磁单元752可被至少部分地配置在第四凹部776中。
各个第一主动式磁单元、第二主动式磁单元、第三主动式磁单元及第四主动式磁单元可被配置成用于提供作用于沉积源组件的磁悬浮力。此四个磁悬浮力的各者可部分抵销沉积源组件的重量。此四个磁悬浮力的迭加可提供迭加的磁悬浮力，其完全抵销待传输的装置的重量，使得可提供非接触的悬浮。
藉由利用如此处所述的控制器580控制第一主动式磁单元、第二主动式磁单元、第三主动式磁单元及第四主动式磁单元，装置的运动可在垂直方向(例如是y方向)上被控制。
藉由利用如此处所述的控制器580控制，特别是单独控制第一主动式磁单元、第二主动式磁单元、第三主动式磁单元及第四主动式磁单元，装置可绕着第一旋转轴旋转，且可提供绕着第一旋转轴的旋转运动控制。类似地，藉由如此处所述的利用控制器580适当的控制第一主动式磁单元、第二主动式磁单元、第三主动式磁单元及第四主动式磁单元，装置可绕着第二旋转轴旋转，且可提供绕着第二旋转轴的旋转运动控制。据此，主动式磁单元的控制允许控制沉积源组件相对于第一旋转轴的角定位及相对于第二旋转轴的角定位，以控制装置的运动。据此，可提供用于装置的角度运动控制的两个旋转角自由度。
通过示例性的参考图4，第一被动式磁单元751及第二被动式磁单元752可被配置成用于分别提供第一横向力T1及第二横向力T2。第五主动式磁单元749及第六主动式磁单元750可被配置成用于分别提供第一反横向力O1及第二反横向力O2。类似于关于图3A提供的讨论，第一反横向力O1及第二反横向力O2抵销第一横向力T1及第二横向力T2。
藉由控制第五主动式磁单元749及第六主动式磁单元750，例如是藉由如此处所述的控制器580进行控制，第一横向力T1及第二横向力T2可被控制，且装置沿着一横向(例如是z方向)的运动可被控制。藉由个别控制第五主动式磁单元749及第六主动式磁单元750，装置可绕着第三旋转轴768旋转，如图4所示。第三旋转轴768可以是垂直于第一旋转轴734及/或可以是垂直于第二旋转轴767。在操作中，第三旋转轴768可沿着垂直方向延伸。第五主动式磁单元749及第六主动式磁单元750的个别控制允许控制装置相对于第三旋转轴768的角定位，以提供装置的角度运动控制。
考量到上述内容，根据可与此处所述的任何其他实施例结合的实施例，提供用于在真空处理系统中非接触地传输处理装置(例如是沉积源520)的设备。此设备包括用于处理装置的支撑件160。此支撑件包括如此处所述的一或多个主动式磁单元150。进一步来说，设备包括在处理装置的传输方向上延伸的引导结构770。一或多个主动式磁单元150及引导结构770是配置成用于提供磁悬浮力FL以悬浮处理装置。此外，设备包括感测器140以监测处理装置的运动。进一步来说，设备包括连接至感测器的控制器580。控制器是配置成用于基于感测器140提供的信号控制一或多个主动式磁单元150，使得由感测器侦测到的装置的临界运动减少。
通过示例性的参考图5A及5B，描述用于非接触地传输装置120的设备100的实施例，其中装置是载体组件880。在本公开中，“载体组件”可包含由以下组成的群组中的一或多个元件：支撑基板的载体、没有基板的载体、基板、或由支撑件支撑的基板。此外，“载体组件”可包含由以下组成的群组中的一或多个元件：支撑掩模的掩模载体、没有掩模的载体、掩模、或由支撑件支撑的掩模。更具体地，载体组件可被配置成用以利用磁力取代机械力而被保持在悬浮或漂浮状态。举例来说，用于非接触地传输载体组件880的设备100可以没有支撑载体组件的重量的机械元件，像是机械轨道。在一些实施例中，在系统中的载体组件悬浮(例如是移动)的期间，载体组件和设备的其余部分之间可以完全没有机械接触。
根据本公开的实施例，悬浮(levitating or levitation)是指物件的一种状态，其中物件漂浮而没有机械接触或支撑。进一步来说，移动物件是指提供驱动力，例如是与悬浮力不同的方向的力，其中物件由一个位置移动至另一不同的位置，例如是不同的横向位置。举例来说，物件像是载体组件可被悬浮，也就是说藉由抵销重力的力，物件被悬浮，且当被悬浮时，可在不同于平行于重力方向的方向上被移动。
根据此处所述的实施例的载体组件的非接触悬浮、传输及/或运动控制，有利于使得没有因为载体组件和设备的部件之间的机械接触而产生的颗粒。据此，用于非接触地传输载体组件880的设备100提供改善的沉积在基板上的层的纯度及均匀度，特别是由于当利用载体组件的非接触悬浮、传输及/或运动控制时，颗粒的产生被最小化。
特别是，通过示例性的参考图5A及5B，用于非接触传输的设备100可被配置成用于沿着垂直方向(例如是y方向)、及/或沿着一或多个横向(例如是x方向)非接触地平移载体组件。进一步来说，设备可被配置成用于相对于至少一旋转轴非接触地旋转载体组件，以提供载体组件的角度运动控制。载体组件相对于旋转轴的旋转可被提供在0.003度至3度的角度范围内。
图5A示出用于非接触地传输装置(特别是载体组件880)的设备100的示例性实施例的前视图。如图5A及5B所示例性绘示，设备100可包含载体组件880，其可包含待传输的基板101，例如是在基板载体中的基板101。或者，载体组件880可包含待传输的掩模(未明确绘示)，例如是在掩模载体中的掩模。载体组件880典型地包含第一被动式磁元件851。如图5A所示例性绘示，设备100可包含在载体组件的传输方向(例如是x方向)上延伸的另一引导结构870。通过示例性的参考图5A及5B，设备100可包含一或多个主动式磁单元150，该一或多个主动式磁单元150被提供在磁传输排布的另一磁性结构170，例如是在该另一引导结构870，如图5A及5B所示例性绘示。另一引导结构870可包含该一或多个主动式磁单元150。
载体组件880可被配置成用以可沿着该另一引导结构870移动，如图5A中的水平箭头888所示例性表示。第一被动式磁元件851及另一引导结构870的一或多个主动式磁单元150是配置成用于提供第一磁悬浮力，以悬浮载体组件880。进一步来说，如图5A所示例性绘示，设备100可包含驱动结构890。驱动结构可包含多个其他主动式磁元件895。载体组件可包含第二被动式磁元件852，例如是铁磁材料棒，以与驱动结构890的其他主动式磁元件895相互作用。典型地，该一或多个主动式磁单元150的复数者的主动式磁单元提供与载体组件880的第一被动式磁元件851相互作用的磁力。举例来说，第一被动式磁元件851可以是铁磁材料棒或杆，其可以是载体组件880的一部份。或者，第一被动式磁元件可以是与载体一体的形成。进一步来说，如图5A及5B所示例性绘示，典型地，载体组件880包含第二被动式磁元件852，例如是另一铁磁材料棒或另一铁磁材料杆，其可被连接至载体组件880或是与基板支撑件一体的形成。
根据此处所述的实施例，一或多个主动式磁单元150提供磁力至第一被动式磁元件851上，且从而至载体组件880上。据此，此一或多个主动式磁单元150悬浮载体组件880。典型地，其他主动式磁元件895被配置成用以沿着载体传输方向(例如是沿着图5A及5B绘示的x方向)驱动载体。据此，当载体组件880藉由一或多个主动式磁单元150被悬浮时，该些其他主动式磁元件895形成驱动结构以移动载体组件880。其他主动式磁元件895与第二被动式磁元件852相互作用以提供沿着载体传输方向的力。举例来说，第二被动式磁元件852可包含多个永久磁铁，其被配置成具有交替的极向。第二被动式磁元件852造成的磁场可与该些其他主动式磁元件895相互作用，以在载体组件880被悬浮时移动载体组件880。
为了利用一或多个主动式磁单元150悬浮载体组件880及/或利用多个其他主动式磁元件895移动载体组件880，主动式磁元件可被控制以提供可调磁场。可调磁场可以是静态或动态磁场。根据可与此处所述的其他实施例结合的实施例，主动式磁单元或元件可被配置成用于产生磁场，以提供在垂直方向延伸的磁悬浮力。根据可与此处所述的其他实施例结合的其他实施例，主动式磁单元或元件可被配置成用于提供沿着一横向延伸的磁力。如此处所述的主动式磁元件，可以是或包含选自下列组成的群组的元件：电磁装置；螺线管；线圈；超导磁铁；及其任何组合。
进一步来说，如图5A及5B所示例性绘示，用于非接触传输的设备100包含感测器140，用于监测载体组件880的运动。特别是，感测器140可以是如此处所述的运动感测器。根据可与此处所述的任何其他实施例结合的实施例，可提供二或多个运动感测器(未绘示)，其用于监测载体组件880的运动。此二或多个运动感测器可根据此处所述的感测器140而被配置。进一步来说，设备包含控制器580，其配置成用于基于感测器140及/或该二或多个运动感测器所提供的信号，控制一或多个主动式磁单元150。在图5A及5B中，从控制器提供至一或多个主动式磁单元150的控制信号由控制信号C1示例性地表示。
据此，控制器580可被配置成用于控制载体组件的运动，使得载体组件的临界运动(例如是震动或震荡)减少，特别是抑制或遏止，或甚至是避免。应理解的是，有关如此处所述的图1至图4的实施例的运动控制的相关技术原理，加以必要的修正，可被应用于参照图5A及5B叙述的实施例中。
图5A及5B示出用于非接触地传输装置120的设备100的操作状态的侧视图，特别是装置是载体组件880时。如图所示，另一引导结构870可沿着载体组件的传输方向，也就是图5A及5B中的X方向延伸。载体组件的传输方向可以是如此处所述的横向。该另一引导结构870可具有沿着传输方向延伸的线性形状。该另一引导结构870沿着源传输方向的长度可以是1至30米。载体，例如是用于承载基板或掩模的载体，可以被配置至实质上平行于绘图平面，例如是具有15度的偏差。举例来说，在基板处理过程，例如是层沉积工艺中，基板可被提供至基板接收区域。基板接收区域可具有尺寸，例如是长度及宽度，其二者与基板的对应尺寸相同，或是稍微(例如是5-20％)大于基板的对应尺寸。
在用于非接触式传输的设备100的操作过程中，载体组件880可以是可沿着另一引导结构870在传输方向(例如是x方向)上平移。图5A及5B示出沿着x方向相对于另一引导结构870位于不同位置处的载体组件880。水平箭头888指出驱动结构890的驱动力。结果，提供了载体组件880沿着另一引导结构870从左至右的平移。垂直箭头指出作用于载体组件的悬浮力。
第一被动式磁元件851可具有实质上沿着第一被动式磁元件851的长度在传输方向上的磁性。由主动式磁单元150’产生的磁场与第一被动式磁元件851的磁性相互作用，以提供第一磁悬浮力F1及第二磁悬浮力F2。据此，载体组件880的非接触地悬浮、传输、对准及运动控制可被提供，特别是藉由从控制器580传送适当的控制指令至主动式磁单元。
如图5A所示，载体组件880被提供在第一位置。根据可与此处所述的任何其他实施例结合的实施例，藉由控制器580启动二或多个主动式磁单元150’，例如是二或三个主动式磁单元150’，以产生用于悬浮载体组件880及/或用于控制载体组件的运动的磁场。如图5A及5B所示例性绘示，载体组件典型地在没有机械接触的情况下挂在另一引导结构870的下方。
在图5A中，两个主动式磁单元150’提供磁力(例如，第一磁悬浮力F1及第二磁悬浮力F2)，其由垂直箭头指出。磁力抵销重力以悬浮载体组件。控制器580可个别控制两个主动式磁单元150’以维持载体组件于悬浮状态以及控制载体组件的运动，例如是在垂直方向(y方向)上及/或绕着平行于z方向的旋转轴的运动。进一步来说，一或多个其他主动式磁元件895’可由控制器580控制，以维持载体组件于悬浮状态及/或控制载体组件的运动，例如是在垂直方向(y方向)上及/或绕着平行于z方向的旋转轴的运动。在图5A及5B中，由控制器580提供至一或多个其他主动式磁元件895’的控制信号是由C2示例性的指出。其他主动式磁元件895’与第二被动式磁元件852(例如是一组交替的永久磁铁)相互作用，以产生驱动力，其由水平箭头888指出。驱动力在传输方向上移动载体组件。如图5A所示，传输方向可以是x方向。根据可与此处所述的其他实施例结合的本公开的一些实施例，同时被控制以提供驱动力的其他主动式磁元件895’的数量是1至3。
根据可与此处所述的任何其他实施例结合的实施例，载体组件880可被提供有二或多个运动感测器(未明确绘示)，其根据如此处所述的感测器140被配置。提供二或多个运动感测器可以特别是有利于以高精确度侦测载体组件880的临界运动。
由图5A及5B，应理解的是在第一位置，载体组件位于第一组主动式磁单元下方，并且在其他不同的位置，载体组件位于在其他不同组的主动式磁单元下方。控制器控制对于个别位置，哪一个主动式磁元件提供悬浮力，并控制个别主动式磁元件以悬浮载体组件及/或控制载体组件的运动。
图5B示出在第二位置的载体组件。在第二位置，两个主动式磁单元150’提供第一磁悬浮力F1及第二磁悬浮力F2，第一磁悬浮力F1由左边的垂直箭头指出，第二磁悬浮力F2由右边的垂直箭头指出。控制器580控制两个主动式磁单元150’，以提供在平移方向上，特别是垂直方向上，例如是图5B的Y方向上的对准及/或运动控制。进一步来说，附加地或替代地，控制器580可控制两个主动式磁单元150’以提供对准或运动控制，其中载体组件在X-Y平面上旋转，例如是绕着平行于z方向的旋转轴。这两个运动，也就是说旋转及平移，藉由比较虚线的载体组件的位置及用实线绘制的载体组件位置，可在图5B中示例性的看到。
据此，控制器580可被配置成用于控制主动式磁单元150’以提供载体组件的平移运动控制，例如是在垂直方向上。进一步来说，控制器可被配置成用于控制主动式磁单元150’以提供角度运动控制，例如是绕着平行于z方向延伸的旋转轴。
根据可与此处所述的任何其他实施例结合的实施例，用于非接触传输的设备100可被配置成用于提供载体组件在平移方向，例如是垂直方向(y方向)上的运动控制，特别是非接触运动控制，其具有50μm或更低的精确度，例如是1μm至10μm，像是5μm。根据本公开的实施例，旋转对准精确度，特别是非接触的对准精确度，可以是3度(°)或更低，特别是1度或更低。进一步来说，设备100可被配置成用于提供载体组件在传输方向，例如是水平方向(x方向)上的运动控制，特别是非接触的运动控制，其具有50μm或更低的精确度，例如是1μm至10μm，像是5μm。
据此，本公开的实施例具有可改善处理系统中采用的可移动装置的移动的平滑性的优点。举例来说，在可移动装置是载体组件的情况下，载体组件的临界运动的减少或甚至消除具有的优点是可获得更均匀且均质的涂布结果。据此，可获得更佳的处理结果，并因此可获得更高质量的产品质量，例如是对于显示装置，像是OLED。
通过示例性的参考图6，描述用于处理基板的真空处理系统200。根据可与此处所述的任何其他实施例结合的实施例，真空处理系统包括适于在其中处理基板的处理腔室201。进一步来说，真空处理系统包括根据此处所述的任何实施例的用于非接触传输的设备100。据此，藉由提供具有根据此处所述的任何实施例的用于非接触传输的设备100的真空处理系统200，提供一种改善的真空处理系统，利用此系统可以获得改善的处理结果，例如是在显示装置，像是OLED的生产中。
在如图6所示的示例性的实施例中，真空处理系统200包括三个如此处所述的用于非接触传输的设备。特别是，提供用于非接触传输沉积源组件730的第一设备100A。此外，可提供用于非接触传输载体组件的第二设备100B及第三设备100C。
根据可与此处所述的任何其他实施例结合的实施例，真空处理系统200还包括基板载体220以承载如此处所述的基板。在一些实施方式中，提供第一轨道排布210，其被配置成用于传输基板载体220。进一步来说，可提供第二轨道排布230，其被配置成用于传输掩模载体240。
根据可与此处所述的任何其他实施例结合的一些实施例，处理腔室201是真空腔室，例如是真空处理腔室，特别是真空沉积腔室。如此处所使用的“真空”一词，可理解为技术性真空，具有少于例如10毫巴(mbar)的真空压力。典型地，如此处所述的真空腔室中的压力可以是在10-5mbar至大约10-8mbar之间，更典型地是在10-5mbar至10-7mbar之间，甚至更典型地是在大约10-6mbar至大约10-7mbar之间。根据一些实施例，真空腔室中的压力可以被认为是真空腔室内的蒸发的材料的部分压力或总压力(当在真空腔室中，只有蒸发的材料存在作为待沉积的组成时，部分压力及总压力可以大致相同)。在一些实施例中，真空腔室中的总压力可以在约10-4mbar至约10-7mbar的范围内，特别是在真空腔室中存在除蒸发的材料之外的第二组成的情况下(像是气体或其他类似物)。
进一步来说，如图6所示例性绘示，设备可包括至少另一腔室202，其具有传输排布。至少另一腔室202可以是旋转模组、传输模组、或其结合。如图6所示例性绘示，沉积源组件730可被提供在处理腔室201中。沉积源组件730可被提供在轨道或线性导轨222上。线性导轨222可被配置成用于平移沉积源组件730。进一步来说，可提供驱动件，以提供沉积源组件730的平移。特别是，可提供用于非接触地传输沉积源组件730的设备。
通过示例性的参考图6，根据可与此处所述的任何其他实施例结合的实施例，沉积源组件730可包括支撑件160，例如是源搬运车，其支撑具有分布组件的蒸发坩埚221及沉积源520。支撑件160可被配置成用于沿着线性导轨222平移沉积源组件730。源搬运车可支撑蒸发坩埚221及蒸发坩埚221上提供的分布组件。据此，蒸发坩埚221中产生的蒸汽可向上移动并从分布组件的一或多个出口离开。因此，分布组件是配置成用于将来自分布组件的蒸发的有机材料，特别是蒸发的源材料的羽流(plume)提供至基板上。
如图6所示例性绘示，处理腔室201可具有闸阀215，真空处理腔室可以通过闸阀215连接至相邻的另一腔室202，例如是途程模组(routing module)或相邻的服务模组(service module)。特别是，该些闸阀215允许对相邻的其他腔室进行真空密封，且闸阀215可被开启及关闭以移动基板及/或掩模进或出真空处理腔室。
通过示例性的参考图6，根据可与此处所述的任何其他实施例结合的实施例，两个基板，例如是第一基板10A及第二基板10B，可被支撑在各自的传输轨道上，像是如此处所述的各自的第一轨道排布210上。进一步来说，可提供用于提供载体的两个轨道，例如是如此处所述的两个第二轨道排布230。特别是，用于传输基板载体及/或掩模载体的轨道可被配置成用于通过示例性的参考图5A及5B如此处所述的非接触传输。
根据可与此处所述的任何其他实施例结合的实施例，基板的涂布可包括藉由各自的掩模，例如是藉由边缘排除掩模或是藉由阴影掩模，遮盖基板。根据一些实施例，掩模，例如是对应第一基板10A的第一掩模20A及对应第二基板10B的第二掩模20B，被提供至各自的掩模排布以将掩模，例如是第一掩模20A及第二掩模20B维持在预定的位置上，如图6所示例性绘示。
根据可与此处所述的其他实施例结合的一些实施例，基板被基板载体220所支撑，基板载体220可被连接至如此处所述的对准系统(未绘示于图6)。对准系统可被配置成用于调整基板相对于掩模的位置。应理解的是，基板可相对于掩模被移动，以在沉积有机材料的期间提供基板及掩模之间合适的对准。根据可与此处所述的其他实施例结合的其他实施例，替代地或附加地，固持掩模框架的掩模载体可被连接至对准系统。根据可与此处所述的其他实施例结合的又一实施例，替代地或附加地，固持掩模的掩模框架可被连接至对准系统。据此，掩模可被相对于基板放置，或是掩模及基板二者可被相对于彼此放置。如此处所述的对准系统，在沉积工艺期间可允许掩模的合适的对准，其有利于高质量的OLED显示器的制造。
根据可与此处所述的任何其他实施例结合的实施例，真空处理系统是配置成用于处理大面积基板。举例来说，如此处所述的“大面积基板”可具有至少0.01m2，具体地是至少0.1m2，更具体地是至少0.5m2的尺寸。举例来说，大面积基板或载体可以是对应于大约0.67m2(0.73m x 0.92m)基板的第4.5代，对应于大约1.4m2(1.1m x 1.3m)基板的第5代，对应于大约4.29m2(1.95m x 2.2m)基板的第7.5代，对应于大约5.7m2(2.2m x 2.5m)基板的第8.5代，对应于大约8.7m2(2.85m x 3.05m)基板的第10代。可类似地实施于甚至更高世代，像是第11代及第12代基板，与对应的基板面积。据此，基板可选自下列组成的群组：第1代、第2代、第3代、第3.5代、第4代、第4.5代、第5代、第6代、第7代、第7.5代、第8代、第8.5代、第10代、第11代、及第12代。特别是，基板可选自下列组成的群组：第4.5代、第5代、第7.5代、第8.5代、第10代、第11代、及第12代、或更高世代基板。进一步来说，基板厚度可以是0.1至1.8mm，特别是大约0.9mm或更少，像是0.7mm或0.5mm。
在本公开中，如此处使用的“基板”或“大面积基板”一词应特别是囊括不可挠基板，例如是玻璃板及金属板。然而，本公开不限于此，且“基板”一词也可囊括可挠基板，像是网(web)或箔(foil)。根据一些实施例，基板可以由任何适合进行材料沉积的材料制成。举例来说，基板可以是由选自下列组成的群组的材料制成：玻璃(例如是钠钙玻璃、硼硅玻璃等等)、金属、聚合物、陶瓷、化合物材料、碳纤维材料、云母、或是可藉由沉积工艺被涂布的其他材料或材料组合。
根据可与此处所述的任何其他实施例结合的实施例，真空处理系统是配置成用于垂直基板处理。“垂直基板处理”的表示法可理解为设备被配置成用于在实质上垂直方位(实质上垂直＝垂直+-15度)上处理基板。如本公开中所使用的“垂直方向”或“垂直方位”一词应理解为与“水平方向”或“水平方位”区分。
通过示例性的参考图7，描述一种用于在真空处理系统中非接触地传输装置的方法300。此方法包括：产生(方块310)可调磁场以悬浮装置；利用感测器监测(方块320)装置的运动；以及基于感测器提供的信号控制(方块330)可调磁场。特别是，用于非接触地传输装置的方法300包括根据此处所述的实施例，采用用于非接触式传输的设备100。
根据可与此处所述的任何其他实施例结合的实施例，方法300还包括利用另一感测器监测(方块340)连接至装置的供应排布的运动。
根据可与此处所述的任何其他实施例结合的实施例，控制(方块330)可调磁场包括调节可调磁场，使装置的侦测到的临界运动减少，特别是抑制或遏止。
应理解的是，关于用于非接触传输的设备100的实施例所描述的特征，如图1至5B所示例性描述，也可被应用于方法300以非接触地传输如此处所述的装置。此处所述的方法的实施例可利用任何此处所述的设备的实施例执行。反之，此处所述的设备的实施例适于执行任何此处所述的方法的实施例。
有鉴于上述内容，应理解的是此处所述的实施例有利于提供改善的设备、处理系统及方法，其可提供改善的对于在用于基板处理的处理系统中采用的装置的传输的控制。
特别是，此处所述的实施例有利地提供了减少真空处理系统中的可移动装置的临界运动(例如是震荡或震动)的能力。举例来说，此处所述的实施例可特别是有利于供应排布(例如是介质供应结构及/或电源供应结构)所连接的可移动装置，因为可减少，特别是抑制或遏止，或甚至是避免供应结构的励磁。减少、抑制或避免供应结构的励磁可以特别的有利，因为供应排布的励磁可能反过来引起对于供应排布所连接的装置的移动平滑性的干扰。据此，本公开的实施例具有优点，其为可以改善处理系统中所用的可移动装置的移动的平滑性。举例来说，在可移动装置是沉积源组件的情况下，减少或甚至消除沉积源组件的临界运动具有优点，其为可获得更均匀且均质的涂布结果。据此，举例来说，对于显示装置，像是OLED，可以获得更好的处理结果及因而有更高的产品质量。进一步来说，藉由减少、抑制、或甚至是避免供应结构的励磁，使形成供应结构的元件的链接或连接有较少的应力，使得供应结构的寿命，特别是密封件和轴承的寿命，可以延长。
虽然上述内容是关于本公开的实施例，但可在不背离本公开的基本范围的情况下，设计出本公开其他和更进一步的实施例，本公开的范围系由下列的权利要求书而定。
特别是，此书面叙述使用示例以对于本公开，包含其最佳模式进行公开，并且也使得本公开所属技术领域中任何具有通常知识者能够实行所述题材，包含制造和使用任何装置或系统、及执行任何被纳入的方法。尽管前述内容已公开各种不同的特定实施例，上述实施例中不互相违背的技术特征可彼此结合。可专利范围系由权利要求书所决定，且如果权利要求书具有不异于权利要求书的字面语言的结构元件、或如果权利要求书包含与权利要求书的字面语言无实质上差异的等价结构元件，则其他的示例也意欲被包括在权利要求书的范围之中。

Claims (16)

1.一种用于在真空处理系统中非接触地传输装置(120)的设备(100)，所述设备包括：
磁传输排布(125)，用于提供磁悬浮力(FL)以悬浮所述装置(120)，所述磁传输排布包括一或多个主动式磁单元(150)；
感测器(140)，用于监测所述装置(120)的运动；
供应排布(180)，连接至所述装置(120)，所述供应排布提供介质供应或电源供应至所述装置(120)；
另一感测器(145)，用于监测所述供应排布(180)的运动；及
控制器(580)，配置成用于基于所述感测器(140)提供的信号(S1)及/或基于所述另一感测器(145)提供的信号(S2)，控制所述一或多个主动式磁单元(150)。
2.如权利要求1所述的设备(100)，其中所述感测器(140)是加速度感测器。
3.如权利要求1所述的设备(100)，其中所述感测器(140)被固定至所述装置(120)。
4.如权利要求1所述的设备(100)，其中所述感测器(140)被固定至所述装置(120)的支撑件。
5.如权利要求1至4中任一项所述的设备(100)，其中所述控制器(580)被配置成用于控制所述一或多个主动式磁单元(150)，使得所述装置(120)的临界运动被减少。
6.如权利要求1至4中任一项所述的设备(100)，其中所述装置(120)是选自下列组成的群组的至少一装置：处理装置、沉积源组件、及载体组件。
7.如权利要求1至4中任一项所述的设备，其中所述一或多个主动式磁单元(150)包括选自下列组成的群组的至少一元件：电磁装置；螺线管；线圈；超导磁铁；及其任何组合。
8.如权利要求1至4中任一项所述的设备，其中所述一或多个主动式磁单元(150)被提供在所述磁传输排布的引导结构。
9.如权利要求1至3中任一项所述的设备，其中所述一或多个主动式磁单元(150)被提供在所述装置。
10.如权利要求1至3中任一项所述的设备，其中所述一或多个主动式磁单元(150)被提供在所述装置的支撑件。
11.如权利要求9所述的设备(100)，其中所述一或多个主动式磁单元(150)包括：
第一主动式磁单元(741)，配置于所述装置的支撑件的第一侧；及
第二主动式磁单元(742)，配置于所述装置的所述支撑件的第二侧，所述第二侧与支撑件的第一侧相对；
其中所述第一主动式磁单元及所述第二主动式磁单元被配置成用于绕着所述装置的第一旋转轴(734)旋转所述装置。
12.如权利要求11所述的设备(100)，其中所述一或多个主动式磁单元(150)还包括：
第三主动式磁单元(747)，位于所述支撑件(160)的所述第一侧；及
第四主动式磁单元(748)，配置于所述支撑件(160)的所述第二侧；
其中所述第一主动式磁单元(741)、所述第二主动式磁单元(742)、所述第三主动式磁单元(747)、及所述第四主动式磁单元(748)被配置成用于绕着所述第一旋转轴(734)及绕着垂直于所述第一旋转轴(734)的第二旋转轴(767)旋转所述装置。
13.一种用于在真空处理系统中非接触地传输处理装置的设备(100)，所述设备包括：
支撑件(160)，用于所述处理装置，所述支撑件包括一或多个主动式磁单元(150)；
引导结构(770)，在所述处理装置的传输方向上延伸，其中所述一或多个主动式磁单元(150)及所述引导结构(770)被配置成用于提供磁悬浮力(FL)以悬浮所述处理装置；
感测器(140)，用于监测所述处理装置的运动；
供应排布(180)，连接至所述处理装置，所述供应排布提供介质供应或电源供应至所述处理装置；
另一感测器(145)，用于监测所述供应排布(180)的运动；及
控制器(580)，连接至所述感测器，其中所述控制器被配置成用于基于所述感测器(140)提供的信号(S1)及/或基于所述另一感测器(145)提供的信号(S2)，控制所述一或多个主动式磁单元(150)，使得所述处理装置由所述感测器侦测到的临界运动被减少。
14.一种用于处理基板的真空处理系统(200)，所述真空处理系统包括：
处理腔室(201)，其适于处理所述处理腔室中的基板；及
如权利要求1至13中任一项所述的设备(100)。
15.一种用于在真空处理系统中非接触地传输装置的方法，所述方法包括：
产生可调磁场以悬浮所述装置，所述装置被连接至供应排布，所述供应排布提供介质供应或电源供应至所述装置；
利用感测器监测所述装置的运动；
利用另一感测器监测连接至所述装置的所述供应排布的运动；及
基于所述感测器提供的信号及/或基于所述另一感测器提供的信号控制所述可调磁场。
16.如权利要求15所述的方法，其中控制所述可调磁场包括调节所述可调磁场，使得所述装置的侦测到的临界运动被减少。
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Families Citing this family (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US11574830B2 (en) * 2018-03-16 2023-02-07 Brooks Automation Us, Llc Substrate transport apparatus
WO2020221414A1 (en) * 2019-04-29 2020-11-05 Applied Materials, Inc. Magnetic levitation system, base and carrier of a magnetic levitation system, and method of levitating a carrier
CN111334756B (zh) * 2020-04-09 2021-12-03 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 金属蒸镀设备
US20230055201A1 (en) 2020-05-13 2023-02-23 Christian Wolfgang Ehmann Carrier transport system, vacuum processing apparatus, and method of transportation of a carrier in a vacuum chamber
WO2022084712A1 (en) * 2020-10-19 2022-04-28 Applied Materials, Inc. Supply arrangement, vacuum processing system and method of supplying a moving device in a vacuum processing system
CN116490697A (zh) * 2020-11-13 2023-07-25 应用材料公司 载体运输系统、磁稳定单元、载体和用于非接触式运输载体的方法
WO2023118929A1 (en) * 2021-12-21 2023-06-29 Applied Materials, Inc. Method of inspecting a carrier transport system, vacuum processing apparatus, computer program, and computer-readable storage medium

Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2004079740A (ja) * 2002-08-16 2004-03-11 Dainippon Screen Mfg Co Ltd 基板回転処理装置
TW200509504A (en) * 2003-03-07 2005-03-01 Yaskawa Denki Seisakusho Kk In-vacuum drive device, and substrate transporting equipment using the same
TW200630287A (en) * 2005-01-05 2006-09-01 Samsung Sdi Co Ltd Apparatus for transferring a tray

Family Cites Families (26)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS6115557A (ja) 1984-06-30 1986-01-23 Toshiba Corp 浮上式搬送装置
JPH0750999B2 (ja) * 1985-03-12 1995-05-31 四国電力株式会社 電力系統安定化装置
JPH0638427Y2 (ja) * 1987-06-16 1994-10-05 東京エレクトロン東北株式会社 磁気浮上型ウエハ搬送装置
JP2569374Y2 (ja) * 1992-04-28 1998-04-22 エヌティエヌ株式会社 磁気浮上スライダ
WO1994000868A1 (en) * 1992-06-26 1994-01-06 Materials Research Corporation Transport system for wafer processing line
JPH0678413A (ja) 1992-07-06 1994-03-18 Fujitsu Ltd 磁気浮上搬送装置
WO1994001354A1 (en) * 1992-07-07 1994-01-20 Ebara Corporation Magnetically levitated carrying apparatus
JPH0779507A (ja) * 1993-07-13 1995-03-20 Seiko Seiki Co Ltd 搬送装置
JP4619594B2 (ja) * 1999-06-21 2011-01-26 エスアールアイ インターナショナル 摩擦のない輸送装置および方法
JP4301694B2 (ja) * 2000-05-02 2009-07-22 東京応化工業株式会社 塗布装置
JP4543181B2 (ja) * 2004-12-20 2010-09-15 国立大学法人九州工業大学 超電導磁気浮上による非接触搬送装置
KR101316768B1 (ko) * 2006-11-29 2013-10-10 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 기판의 처리 장치
US10410890B2 (en) * 2013-06-21 2019-09-10 Applied Materials, Inc. Light pipe window structure for thermal chamber applications and processes
KR20150052996A (ko) * 2013-11-07 2015-05-15 삼성디스플레이 주식회사 기판 이송 장치 및 이를 포함하는 박막 증착 장치
KR102192244B1 (ko) * 2013-12-30 2020-12-17 삼성디스플레이 주식회사 기판 이송장치
JP2015132281A (ja) 2014-01-09 2015-07-23 不二ラテックス株式会社 電磁制御ダンパー
KR20240046638A (ko) * 2014-01-21 2024-04-09 퍼시몬 테크놀로지스 코포레이션 기판 이송 진공 플랫폼
DE102014005547B4 (de) * 2014-04-16 2016-09-15 Mecatronix Ag Vorrichtung und Verfahren zum Halten, Positionieren und/oder Bewegen eines Objekts
KR101932943B1 (ko) 2014-12-05 2018-12-27 어플라이드 머티어리얼스, 인코포레이티드 재료 증착 시스템 및 재료 증착 시스템에서 재료를 증착하기 위한 방법
TWI676227B (zh) * 2015-01-23 2019-11-01 美商應用材料股份有限公司 半導體工藝設備
CN107924859A (zh) * 2015-08-21 2018-04-17 应用材料公司 用于基板的运输的设备、用于基板的真空处理的设备、和用于磁悬浮系统的维护的方法
WO2017125123A1 (en) * 2016-01-18 2017-07-27 Applied Materials, Inc. Apparatus for transportation of a substrate carrier in a vacuum chamber, system for vacuum processing of a substrate, and method for transportation of a substrate carrier in a vacuum chamber
WO2018048842A1 (en) * 2016-09-12 2018-03-15 Applied Materials, Inc. Semiconductor process equipment
CN108966661B (zh) * 2017-03-17 2021-01-15 应用材料公司 用于基板的真空处理的设备、用于具有有机材料的装置的制造的系统、和用以密封连接两个压力区域的开口的方法
US20200251691A1 (en) * 2017-03-17 2020-08-06 Applied Materials, Inc. Apparatus for vacuum processing of a substrate, system for vacuum processing of a substrate, and method for transportation of a substrate carrier and a mask carrier in a vacuum chamber
US20200243768A1 (en) * 2017-03-17 2020-07-30 Applied Materials, Inc. Methods of operating a vacuum processing system

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2004079740A (ja) * 2002-08-16 2004-03-11 Dainippon Screen Mfg Co Ltd 基板回転処理装置
TW200509504A (en) * 2003-03-07 2005-03-01 Yaskawa Denki Seisakusho Kk In-vacuum drive device, and substrate transporting equipment using the same
TW200630287A (en) * 2005-01-05 2006-09-01 Samsung Sdi Co Ltd Apparatus for transferring a tray

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