JP6735350B2 - 真空処理システムにおけるデバイスの非接触搬送用の装置及び方法 - Google Patents

Description

本開示は、真空処理システムにおけるデバイスの搬送用の装置及び方法に関する。具体的には、本開示は、基板、具体的には薄型平面基板を処理する真空処理システムにおける、非接触搬送用、具体的には磁気浮上による搬送用の、装置及び方法に関する。さらに具体的には、本開示は、有機発光ダイオード（ＯＬＥＤ）といった光電子デバイスの生産に用いられる真空処理システム内における、デバイス搬送用の装置及び方法に関する。

基板上に材料を堆積するための方法が、いくつか知られている。一例として、基板は、物理的気相堆積（ＰＶＤ）処理、化学気相堆積（ＣＶＤ）処理、スパッタリング処理、噴霧処理などといった蒸着処理を使用することによって、コーティングされ得る。処理は、コーティングされる基板が置かれる、堆積装置の処理チャンバ内で実施され得る。処置チャンバ内に、堆積材料が供給される。基板上への堆積には、低分子、金属、酸化物、窒化物、及び炭化物といった複数の材料が使用され得る。さらに、処理チャンバ内では、エッチング、構造化（ｓｔｒｕｃｔｕｒｉｎｇ）、アニール処理など、その他の処理を実施することができる。

コーティングされた基板は、いくつかの用途に、及びいくつかの技術分野において、使用され得る。例えば、一つの用途は、有機発光ダイオード（ＯＬＥＤ）パネルの分野に存在する。さらなる用途は、絶縁パネル、半導体デバイスといったマイクロエレクトロニクス、ＴＦＴ付き基板、カラーフィルタなどを含む。

ディスプレイ製造用の処理システムは、典型的には、基板キャリア、マスクキャリア及び、例えば堆積源といった処理デバイス用の、搬送システムを含む。例えば、基板キャリア及び／またはマスクキャリア用の搬送システムは、各キャリアの処理チャンバへの搬入、及び処理チャンバからの搬出に使用され得る。さらに、典型的には、例えば基板上に堆積する材料を放出することによって基板を処理している間に、処理デバイスを基板に沿って搬送するために、例えば堆積源といった処理デバイス用の搬送システムが使用される。

基板処理用のシステムにおける継続中の問題点は、より高品質の処理結果への、絶えず増大する需要である。この点に関して、デバイス（例えば基板キャリア、マスクキャリア、及び処理デバイス）が処理システム内で搬送される処理システムにおいては、多くの課題が発生している。

上記の観点から、基板処理用の処理システムにおいて使用されるデバイスの搬送の制御の向上を提供し得る、装置、処理システム、及び方法に対する必要性が存在している。

上記に鑑みて、真空処理システムにおけるデバイスの非接触搬送用の装置、真空処理システム、及び真空処理システムにおいてデバイスを非接触搬送するための方法が、提供される。本開示のさらなる態様、利点、及び特徴は、特許請求の範囲、明細書、及び添付の図面から明らかにされる。

本開示の一態様によると、真空処理システムにおいてデバイスを非接触搬送するための装置が提供される。装置は、デバイスを浮上させるための磁気浮上力を提供する、磁気式搬送設備を含む。磁気式搬送設備は、１つ以上のアクティブ磁気ユニットを含む。装置は、デバイスの動作をモニタリングするためのセンサをさらに含む。加えて、この装置は、センサが提供する信号に基づいて１つ以上のアクティブ磁気ユニットを制御するように構成された、コントローラを含む。

本開示の別の一態様によると、真空処理システムにおける処理デバイスの非接触搬送用の装置が提供される。装置は、処理デバイス用の支持体を含む。支持体は、１つ以上のアクティブ磁気ユニットを含む。装置は、処理デバイスの搬送方向に延びる、ガイド構造物をさらに含む。１つ以上のアクティブ磁気ユニット及びガイド構造物は、処理デバイスを浮上させるための磁気浮上力を提供するように構成されている。さらに、装置は、処理デバイスの動作をモニタリングするためのセンサを含む。加えて、装置は、センサに接続されたコントローラを含む。コントローラは、１つ以上のアクティブ磁気ユニットを、センサが提供する信号に基づいて、センサによって検出されるデバイスのクリティカルな動きを減少させるようにして制御するように、構成されている。

本開示のさらに別の態様によると、基板上に層を堆積するための真空処理システムが提供される。この真空処理システムは、内部で層を堆積するのに適合している処理チャンバを含む。さらに、システムは、本書に記載の任意の実施形態による非接触搬送用の装置を含む。

本開示のさらなる一態様によると、真空処理システムにおいてデバイスを非接触搬送するための方法が提供される。方法は、デバイスを浮上させるための、調整可能な磁場を生成することを含む。さらに、方法は、センサを用いてデバイスの動作をモニタリングすることを含む。さらに、方法は、センサが提供する信号に基づいて、調整可能な磁場を制御することを含む。

実施形態は、開示の方法を実施するための装置も対象としており、それぞれ記載されている方法態様を実行するための、装置の部品を含む。これらの方法態様は、ハードウェア構成要素を用いてか、適切なソフトウェアによってプログラミングされたコンピュータを用いてか、これら２つの任意の組合せによってか、またはそれ以外の任意の態様で、実行されてよい。さらに、本開示による実施形態は、記載の装置を操作するための方法もまた対象としている。記載の装置を操作するための方法は、装置のあらゆる機能を実施するための方法態様を含む。

本開示の上記の特徴を詳細に理解することができるように、実施形態を参照することによって、上で簡単に概説した本開示のより具体的な説明が得られてよい。添付の図面は本開示の実施形態に関連したものであり、以下で説明される。

本書に記載の実施形態による、デバイスの非接触搬送用の装置の概略前面図である。 本書に記載のさらなる実施形態による、デバイス搬送用の装置の概略側面図である。 図３Ａ及び図３Ｂは、本書に記載のさらなる実施形態による、デバイスの非接触搬送用の装置の前面図を示す。 本書に記載の実施形態による、非接触搬送用の装置によって搬送されるデバイス用の支持体の例示の実施形態の概略図を示す。 図５Ａ及び図５Ｂは、本書に記載のさらなる実施形態による、デバイスの非接触搬送用の装置の概略側面図を示す。 本明細書に記載の実施形態による、真空処理システムの概略図を示す。 本書に記載の実施形態による、真空処理システムにおけるデバイスの非接触搬送用の方法を表すフローチャートを示す。

ここで、本開示の様々な実施形態を詳細に参照する。その１つ以上の例を、図面で示す。図面に関する以下の説明の中で、同じ参照番号は同じ構成要素を指している。記載されているのは、個別の実施形態に関する相違のみである。各実施例は本開示の説明用に提示されているのであって、本開示を限定することが意図されているものではない。さらに、一実施形態の一部として図示または説明されている特徴は、他の実施形態で用いることが可能であり、または他の実施形態と併用してさらに別の実施形態を生み出すことも可能である。本明細書は、このような修正形態及び変形形態を含むことが意図されている。

本開示の様々な実施形態をさらに詳細に説明する前に、本書で使用されているいくつかの用語及び表現に関するいくつかの解釈について説明する。

本開示では、「デバイスの非接触搬送用の装置」とは、真空処理システムにおいて使用される移動可能なデバイスの非接触搬送用に構成された装置であるとして理解すべきである。例えば、デバイスは、処理デバイス（例えば堆積源）、基板を運ぶためのキャリア、マスクを運ぶためのキャリア、または真空処理システムにおいて使用される任意の他の移動可能なデバイスであることができる。本書を通じて使用される場合、「非接触」という用語は、デバイスの重量が機械的接触または機械力によって支えられるのではなく、磁力によって支えられるという意味として、理解することができる。具体的には、デバイスは、機械力の代わりに磁力を用いて、浮上状態または浮揚状態に保持される。例として、本書に記載の装置は、搬送中にデバイスの重量を支持する機械式レールといった、機械式の要素を一切有していなくてよい。ある実施形態では、デバイスの移動中、デバイスと装置の残りの部分との間に、機械的接触が一切存在していないということがあり得る。

本書に記載の実施形態によるデバイスの非接触搬送は、デバイスの搬送中に、デバイスと機械式レールといった装置の残りの部分との間の機械的接触によって粒子が生成されることが全くない、という点で有益である。したがって、非接触搬送を用いるときには粒子の生成を最小限に抑制することができ、それによって、より高品質の処理結果を達成することができる。

本開示において、「磁気式搬送設備」とは、磁力を用いてデバイスを搬送するように構成された設備として理解すべきである。具体的には、磁気式搬送設備は、磁気浮上力を生成するように構成された、１つ以上のアクティブ磁気ユニットを含んでいてよい。「アクティブ磁気ユニット」は、浮上及び／または搬送されるデバイスに作用する個別の磁気浮上力を提供するために、磁場、具体的には調整可能な磁場を生成するのに適合している、磁気ユニットとして理解するべきである。例えば、調整可能な磁場は、装置が非接触搬送のために動作している間、動的に調整可能であってよい。磁気式搬送設備は、調整可能な磁場とさらなる磁気要素の磁気特性との間で相互作用が提供され得るように構成及び配設された、さらなる磁気要素を含んでいてよい。その結果、例えば調整可能な磁場とさらなる磁気要素の磁気特性との間の相互作用によって、デバイスの非接触浮上及び／または非接触搬送が提供されてよい。

本開示では、「動作をモニタリングするためのセンサ」は、移動可能なデバイスの動作をモニタリングするように構成されたセンサとして、理解されるべきである。具体的には、動作をモニタリングするためのセンサは、このセンサが、移動可能なデバイスの並進運動及び／または回転に関する自由度のうちの一部または全部における、移動可能なデバイスの動作を検出するように構成されているというように理解することができる。本開示では、「動作をモニタリングするためのセンサ」はまた、「モーションセンサ」とも呼ばれ得る。例えば、モーションセンサは、本体、例えば本書に記載のデバイスの、速度の変化率を検出するように構成された、加速度センサであることができる。したがって、加速度センサは加速度計であり得る。

本開示では、「１つ以上のアクティブ磁気ユニットを制御するように構成されたコントローラ」は、１つ以上のアクティブ磁気ユニットの調整可能な磁場が制御可能である、即ち調整可能であるように構成された、コントローラであるとして理解されるべきである。具体的には、コントローラは、モーションセンサの信号を受信するため、（例えば有線接続または無線接続によって）モーションセンサと通信可能であることができる。さらに、コントローラは、（例えば有線接続または無線接続によって）１つ以上のアクティブ磁気ユニットと通信可能であることができる。さらに、コントローラは、デバイスのクリティカルな動作が検出されたときにコントローラがこのクリティカルな動作を低減させる適切な対策を算出するように構成された、アルゴリズム（例えばコンピュータプログラム）を含んでいることができる。こうして、デバイスのクリティカルな動作が検出されたときに、コントローラは、１つ以上のアクティブ磁気ユニットに対して適切な対策（即ち、調整可能な磁場の適切な調整）を含むコマンドを送信する。

例として図１を参照すると、真空処理システムにおける、デバイス１２０の非接触搬送用の装置１００が記載されている。本書に記載の任意の他の実施形態と組み合わされ得る実施形態によると、装置は、デバイス１２０を浮上させるための磁気浮上力Ｆ_Ｌを提供する、磁気式搬送設備１２５を含む。典型的には、磁気浮上力Ｆ_Ｌは、図１に例示的に示すとおり、デバイス１２０の重量Ｇと少なくとも部分的に反作用していてよい。磁気式搬送設備１２５は、１つ以上のアクティブ磁気ユニット１５０を含む。さらに、磁気式搬送設備１２５は、例えば本書に記載のガイド構造物７７０といった、さらなる磁性構造物１７０を含んでいてよい。その結果、例えば調整可能な磁場と、１つ以上のアクティブ磁気ユニット１５０及びさらなる磁性構造物１７０の磁気特性との間の相互作用によって、デバイスの非接触浮上及び／または非接触搬送がもたらされてよい。

さらに、装置は、デバイス１２０の動作をモニタリングするためのセンサ１４０を含む。具体的には、デバイス１２０の動作をモニタリングするためのセンサ１４０は、デバイス１２０の振動を検出するように構成されていることができる。例えば、センサ１４０は、加速度センサであることができる。例えば、センサ１４０は、デバイス１２０に装着されているか、または取り付けられていることができる。さらにまたは代わりに、図１に例示的に示すように、センサはデバイス１２０の支持体１６０に装着されているかまたは取り付けられていることができる。加えて、この装置は、センサ１４０が提供する信号Ｓ１に基づいて１つ以上のアクティブ磁気ユニット１５０を制御するように構成された、コントローラ５８０を含む。図１に点線矢印で例示的に示すように、センサ１４０は、典型的にはコントローラに対して信号Ｓ１を提供する。信号Ｓ１は、デバイス１２０の動作に関する情報を含む。コントローラ５８０は、信号Ｓ１を分析して、１つ以上のアクティブ磁気ユニット１５０に対して適切な制御信号Ｃ１（図１の点線矢印を参照）を送信する。

その結果、本書に記載の装置の実施形態によって、有益なことに、真空処理システムにおける移動可能なデバイスのクリティカルな動作、例えば振動または震えを低減する機能が提供される。本書に記載の装置の実施形態は、具体的には、供給設備、例えば媒質供給構造物、及び／または電力供給構造物が接続されている、移動可能なデバイスにとって有益であり得る。なぜならば、供給構造物の励起（励振）が、低減される、具体的には減衰もしくは抑制されるか、または回避さえされることが可能だからである。供給設備の励起を低減、減衰、または回避することは、特に有益であり得る。なぜならば、供給設備が励起されることによって、供給設備が接続されているデバイスの動作の平滑さに乱れが生じ得るからである。このように、本開示の実施形態は、処理システムで使用される移動可能なデバイスの動作の平滑さが向上し得るという利点を有している。例えば、移動可能なデバイスが堆積源アセンブリである場合、堆積源アセンブリのクリティカルな動きの低減、あるいはさらには根絶によって、より均一で均質的なコーティング結果を得ることができるという利点を有している。その結果、例えばＯＬＥＤといったディスプレイ装置の、処理結果の改善、即ち製品品質の向上を達成することができる。さらに、供給構造物の励起を低減、減衰、抑制するか、または回避さえすることによって、供給設備を形成している要素間のリンク及び接続にかかる応力が少なくなり、それによって供給構造物、具体的にはシーリング及びベアリングの寿命を伸ばすことができる。

本書に記載の任意の他の実施形態と組み合わされ得る実施形態によると、センサ１４０は、ｘ方向の並進運動加速度、ｙ方向の並進運動加速度、ｚ方向の並進運動加速度、ｘ方向の回転加速度、ｙ方向の回転加速度、ｚ方向の回転加速度、及びこれらの任意の組み合わせからなる群から選択された、少なくとも１つの加速度を検出するように構成されている。

本書に記載の任意の他の実施形態と組み合わされ得る実施形態によると、本書に記載のセンサ１４０に従って構成された２つ以上のモーションセンサ（明示的には図示せず）を設けることができる。２つ以上のモーションセンサを設けることは、デバイスのクリティカルな動作を高精度で検出するために、特に有益であり得る。例えば、２つ以上のモーションセンサは、デバイスに、及び／またはデバイスの支持体に、装着されていてよい。本書に記載の実施形態に従ったセンサ１４０に関して例示的に記載されているとおり、この２つ以上のモーションセンサは、（例えば有線または無線の接続によって）コントローラ５８０と通信可能であることができる。

本書に記載の任意の他の実施形態と組み合わされ得る実施形態によると、コントローラ５８０は、デバイス１２０のクリティカルな動作が低減される、具体的には減衰されるか抑制されるようにして１つ以上のアクティブ磁気ユニット１５０を制御するように、構成されている。その結果、有益なことに、デバイス１２０のクリティカルな動作、例えば例えば共鳴周波数における、クリティカルな振動や震えのピークを減衰させることができる。図３Ａ、図３Ｂ、及び図４を参照してより詳細に記載されているとおり、１つ以上のアクティブ磁気ユニット１５０は、第１のアクティブ磁気ユニット７４１、第２のアクティブ磁気ユニット７４２、第３のアクティブ磁気ユニット７４７、第４のアクティブ磁気ユニット７４８、第５のアクティブ磁気ユニット７４９、第６のアクティブ磁気ユニット７５０、及びさらなるアクティブ磁気ユニット７４３のうちの、少なくとも１つを含んでいてよい。

本書に記載の任意の他の実施形態と組み合わされ得る実施形態によると、１つ以上のアクティブ磁気ユニット１５０は、電磁デバイス、ソレノイド、コイル、超電導磁石、及びこれらの任意の組み合わせからなる群から選択される、少なくとも１つの要素を含む。

例示的に図２を参照すると、本書に記載の他の任意の実施形態と組み合わされ得る実施形態によれば、装置は、デバイス１２０に接続された供給設備１８０をさらに含む。例えば、供給設備１８０は、真空チャンバの環境から、例えば真空チャンバの壁を通ってデバイス１２０まで媒質供給ラインを誘導するための、フィードスルーとして構成されていてよい。このように、供給設備１８０は、デバイス１２０向けの媒質供給ライン用の供給通路を含んでいることができる。例えば、媒質供給ラインは、電気供給用の供給ライン、冷却流体用の供給ライン、通信ライン（即ち信号送信用）、及び移動可能なデバイスに必要な媒質またはエネルギーを供給するための他の供給ラインからなる群から選択された、１つ以上であってよい。

図２に例示的に示すように、供給設備１８０は、供給設備の動作をモニタリングするためのさらなるセンサ１４５を含んでいてよい。具体的には、さらなるセンサ１４５は、（例えば有線または無線の接続によって）コントローラ５８０と通信可能であることができる。さらなるセンサ１４５が本書に記載のモーションセンサであり得ることは、理解されるべきである。具体的には、供給設備は、供給設備の動作をモニタリングするための、２つ以上のさらなるセンサ（明示的には図示せず）を含んでいてよい。供給設備に２つ以上のさらなるセンサを設けることは、供給設備のクリティカルな動作を高精度で検出するために、特に有益であり得る。

こうして、コントローラ５８０は、さらなるセンサ１４５及び／または２つ以上のさらなるセンサによって提供された信号に基づいて、１つ以上のアクティブ磁気ユニット１５０を制御するように構成されていることができる。さらに、コントローラ５８０は、図２に点線矢印で例示的に示すように、センサ１４０が提供する信号Ｓ１に基づいて、及び／またはさらなるセンサ１４５が提供する信号Ｓ２に基づいて、１つ以上のアクティブ磁気ユニット１５０を制御するように構成されていることができる。さらなるセンサ１４５によって提供される信号Ｓ２は、供給設備１８０の動作に関する情報を含む。典型的には、コントローラ５８０は、さらなるセンサ１４５が提供する信号Ｓ２を分析して、１つ以上のアクティブ磁気ユニット１５０に対して適切な制御信号Ｃ１を送信する。制御信号Ｃ１は、移動可能なデバイス及び／または供給設備のクリティカルな動作が低減されるか、具体的には減衰もしくは抑制されるか、または回避さえされるように１つ以上のアクティブ磁気ユニット１５０の磁場を調整する、制御コマンドを含む。こうして、有益なことに、供給構造物の励起が、低減、減衰、または回避され得る。このことが特に有益であるのは、供給構造物が励起されることによって、供給構造物が接続されているデバイスの動きの平滑さに乱れが生じ得るからである。

本書に記載の任意の他の実施形態と組み合わされ得る実施形態によると、デバイス１２０は、処理デバイス、堆積源アセンブリ、及びキャリアアセンブリ（例えば、基板キャリアまたはマスクキャリアを含む）からなる群から選択された少なくとも１つのデバイスである。例示的に図３Ａ及び図３Ｂを参照すると、デバイス１２０の非接触搬送用の装置１００の実施形態が記載されている。ここでは、デバイスは堆積源アセンブリ７３０である。例示的に図５Ａ及び図５Ｂを参照すると、デバイス１２０の非接触搬送用の装置１００の実施形態が記載されている。ここでは、デバイスはキャリアアセンブリ８８０、例えば基板キャリア及び／またはマスクキャリアを含むキャリアアセンブリである。

例示的に図３Ａ及び図３Ｂを参照すると、デバイス１２０の非接触搬送用の装置１００の実施形態が記載されている。ここではデバイスは、堆積源５２０を含む堆積源アセンブリ７３０である。具体的には、本書に記載されているとおり、この装置によってデバイス１２０の非接触動作制御が可能になっている。例えば、非接触動作制御は、以下に記載されるとおり、デバイスの位置または配向を角度的に制御するために、デバイス、例えば堆積源アセンブリの、１つ、２つ、または３つの回転軸に対する回転を制御することを含んでいてよい。具体的には、装置は、第１の回転軸、第２の回転軸、及び／または第３の回転軸を中心にして、デバイス、例えば堆積源アセンブリを非接触回転するように構成されていてよい。第１の回転軸は、横方向、例えばｘ方向または堆積源の搬送方向に延びていてよい。第２の回転軸は、横方向、例えばｚ方向に延びていてよい。第３の回転軸は、垂直方向、例えばｙ方向に延びていてよい。任意の回転軸に対する堆積源アセンブリの回転は、２°以下の角度、例えば０．１°から２°、または０．５°から２°の範囲内で与えられてよい。

本書に記載のある実施形態は、「垂直方向」という概念を伴う。垂直方向とは、重力が伸びる方向とほぼ平行な方向であると考えられている。垂直方向は、（重力によって規定される）厳密な垂直状態から、１５°までの角度の偏差を有していてよい。本質的に垂直な基板は、垂直方向から±１５°以下の偏差を有していてよい。例えば、本書に記載されるｙ方向（図面で「Ｙ」で示される）は、垂直方向である。具体的には、図面に示すｙ方向は、重力の方向を規定している。

本書に記載の実施形態は、「横方向」という概念をさらに伴っていてよい。横方向は、縦方向と区別して理解されるべきである。横方向は、重力によって規定される厳密な垂直方向に対して、垂直であるか、またはほぼ垂直であってよい。例えば、本書に示すｘ方向及びｚ方向（図面で「Ｘ」及び「Ｚ」で示される）は、横方向である。具体的には、図面に示されているｘ方向及びｚ方向は、ｙ方向に対して（及び互いに対して）垂直である。さらなる実施例では、本書に記載の横方向の力または対向する力は、横方向に沿って延びていると考えられている。

図３Ａに例示的に示すとおり、デバイス１２０は、堆積源５２０を含む堆積源アセンブリ７３０であってよい。さらに、デバイス、具体的には堆積源５２０を支持する支持体１６０が、設けられていてよい。具体的には、支持体１６０は、堆積源カートであってよい。デバイス、例えば堆積源５２０は、支持体１６０に装着されていてよい。図３Ａに矢印で示されているように、堆積源５２０は、基板１０１上に材料を堆積するため、材料を放出するのに適合していることができる。さらに、図３Ａに例示的に示すとおり、基板１０１と堆積源５２０との間に、マスク３３３が配設されていてよい。マスク３３３は、基板１０１の１つ以上の領域上において、堆積源５２０によって放出された材料の堆積を防止するために、設けられていることができる。例えば、マスク３３３は、基板１０１の１つ以上のエッジ領域をマスクし、それによって、基板１０１のコーティング中にこの１つ以上のエッジ領域に材料を一切堆積させないように構成された、エッジ除外シールドであってよい。別の例として、マスクは、堆積源アセンブリからの材料で基板上に堆積した複数の特徴を、マスクするためのシャドウマスクであってよい。

本書に記載の任意の他の実施形態と組み合わされ得る実施形態によると、１つ以上のアクティブ磁気ユニット１５０は、デバイス１２０の第１の面、具体的にはデバイスの支持体１６０の第１の面に配設された、第１のアクティブ磁気ユニット７４１と、デバイスの第２の面、具体的にはデバイスの第１の面と反対、具体的には支持体の第１の面と反対の、支持体１６０の第２の面に配設された、第２のアクティブ磁気ユニット７４２とを含む。具体的には、以下に記載するとおり、第１のアクティブ磁気ユニット及び第２のアクティブ磁気ユニットは、デバイスの第１の回転軸７３４を中心にしてデバイスを回転するように構成されている。

さらに、例示的に図３Ａを参照すると、デバイス、具体的には堆積源アセンブリ７３０は、第１のアクティブ磁気ユニット７４１及び第２のアクティブ磁気ユニット７４２を含んでいてよい。磁気式搬送設備１２５は、デバイスの搬送方向、例えば堆積源の搬送方向に延びるガイド構造物７７０を含んでいてよい。ガイド構造物７７０は、デバイスの搬送方向に沿って延びる直線形状を有していてよい。搬送方向に沿ったガイド構造物７７０の長さは、１ｍから６ｍであってよい。第１のアクティブ磁気ユニット７４１、第２のアクティブ磁気ユニット７４２、及びガイド構造物７７０は、図３Ａに例示的に示すように、デバイス１２０、例えば堆積源アセンブリ７３０を浮上させるための、第１の磁気浮上力Ｆ１及び第２の磁気浮上力Ｆ２を提供するように構成されている。

具体的には、１つ以上のアクティブ磁気ユニット１５０、例えば第１のアクティブ磁気ユニット７４１及び／または第２のアクティブ磁気ユニット７４２の磁場は、装置の動作中、例えば本書に記載のコントローラ５８０によって、動的に調整可能であってよい。例えば、磁場は、基板１０１上に材料を堆積するための堆積源５２０からの材料の放出中に調整可能であってよく、及び／または、層形成処理の堆積サイクルと堆積サイクルの間に調整可能であってよい。代わりにまたはさらに、磁場は、デバイス１２０、例えば堆積源アセンブリ７３０の、ガイド構造物に対する位置に基づいて、調整可能であってよい。

本書に記載の他の実施形態と組み合わせ得る実施形態によると、１つ以上のアクティブ磁気ユニット１５０は、垂直方向に延びる磁気浮上力を提供するための磁場を生成するように構成されていることができる。さらにまたは代わりに、１つ以上のアクティブ磁気ユニット１５０は、横方向に沿って延びる磁力、例えば以下で記載される対向する磁力を提供するように構成されていてよい。例えば、１つ以上のアクティブ磁気ユニットは、電磁デバイス、ソレノイド、コイル、超電導磁石、及びこれらの任意の組み合わせからなる群から選択される１つの要素であるか、またはそれを含んでいてよい。

図３Ａに例示的に示すように、装置１００の動作中、ガイド構造物７７０の少なくとも一部分は、第１のアクティブ磁気ユニット７４１に面していてよい。ガイド構造物７７０及び／または第１のアクティブ磁気ユニット７４１は、少なくとも部分的に、デバイス１２０、具体的には堆積源５２０の下方に配設されていてよい。実施の際、デバイス１２０、例えば堆積源アセンブリ７３０は、ｘ方向に沿って、ガイド構造物に対して移動可能である。さらに、例えばコントローラ５８０によって、ｙ方向に沿った、ｚ方向に沿った、及び／または任意の空間方向に沿った、位置調整及び／または動作制御が与えられてよい。ガイド構造物は、デバイス、例えば堆積源アセンブリの動作を非接触誘導するように構成されている。ガイド構造物７７０は、真空処理チャンバ内に静的に配設され得る、静的ガイド構造物であってよい。具体的には、ガイド構造物７７０は、磁気特性を有していてよい。例えば、ガイド構造物７７０は、磁性材料、例えば強磁性体、具体的には強磁性鋼から作られていてよい。その結果、ガイド構造物は、パッシブ磁気ユニットであるか、またはパッシブ磁気ユニットを含んでいてよい。

本書では、「パッシブ磁気ユニット」という用語は、「アクティブ」な磁気ユニットまたは磁気要素とは区別して用いられている。パッシブ磁気ユニットまたはパッシブ磁気要素とは、アクティブな制御または調整の影響を受けない磁気特性を有する、ユニットまたは要素を指していてよい。例えば、パッシブ磁気ユニットまたはパッシブ磁気要素は、磁場、例えば静磁場を生成するのに適合していてよい。パッシブ磁気ユニットまたはパッシブ磁気要素は、調整可能な磁場を生成するように構成されていなくてよい。典型的には、パッシブ磁気ユニットまたはパッシブ磁気要素は、永久磁石であってよいか、永久磁気特性を有していてよい。

本書に記載の他の実施形態と組み合わされ得る実施形態によると、装置１００は、ガイド構造物７７０に沿ってデバイス１２０、例えば堆積源アセンブリ７３０を駆動するように構成された、駆動システムを含んでいてよい。駆動システムは、搬送方向にガイド構造物７７０に沿って接触なしで、デバイス、具体的には堆積源アセンブリ７３０を搬送するように構成された、磁気式駆動システムであってよい。駆動システムは、リニアモータであってよい。駆動システムは、ガイド構造物に沿ったデバイス１２０の動作を、開始及び／または停止するように構成されていてよい。本書に記載の他の実施形態と組み合わされ得る実施携帯によると、非接触駆動システムは、パッシブ磁気ユニット、具体的にはガイド構造物に設けられたパッシブ磁気ユニットと、アクティブ磁気ユニット、具体的にはデバイス、例えば堆積源アセンブリのところにまたはその中に設けられた、アクティブ磁気ユニットとの組み合わせであることができる。

本書に記載の任意の他の実施形態と組み合わされ得る実施形態によると、デバイス、例えば堆積源アセンブリの動作制御は、コントローラ５８０の制御下で、リアルタイムで行うことができる。具体的には、動作制御は、例えば移動可能なデバイスの振動または震えが低減、具体的には減衰または抑制され、または回避さえされるようにして行うことができる。

本書に記載の他の実施形態と組み合わされ得る実施形態によると、デバイスの動作制御は、機械的接触なしに行われてよい。例えば、動作制御は、デバイスの搬送方向に沿った移動中の、垂直動作制御、及び／または角度動作制御、及び／または横方向動作制御を含むことができる。

例示的に図３Ａを参照すると、デバイス１２０、具体的には堆積源アセンブリ７３０は、デバイス１２０の第１の回転軸７３４を含む第１の平面７３３を含んでいてよい。デバイス、例えば堆積源アセンブリ７３０は、第１の平面７３３の第１の面７３３Ａに配設された第１のアクティブ磁気ユニット７４１と、第１の平面７３３の第２の面７３３Ｂに配設された第２のアクティブ磁気ユニット７４２とを含んでいてよい。第１のアクティブ磁気ユニット７４１及び第２のアクティブ磁気ユニット７４２は、デバイス、例えば堆積源アセンブリ７３０を、磁気的に浮上させるように構成されている。具体的には、第１のアクティブ磁気ユニット７４１及び第２のアクティブ磁気ユニット７４２は、デバイス１２０に作用するそれぞれの磁気浮上力を提供するため、それぞれ磁場、例えば調整可能な磁場を生成するのに適合している。その結果、第１のアクティブ磁気ユニット７４１及び第２のアクティブ磁気ユニット７４２は、デバイス１２０の回転動作を制御するため、第１の回転軸７３４に沿って、デバイス、具体的には堆積源アセンブリ７３０を回転するように構成されている。

図３Ａに例示的に示すように、第１の平面７３３は、デバイス１２０を通って、具体的には堆積源アセンブリ７３０の本体部分を通って、延びていてよい。第１の平面７３３は、デバイス１２０の第１の回転軸７３４を含んでいてよい。典型的な実施形態によると、第１の回転軸７３４は、デバイス、例えば堆積源アセンブリ７３０の重心を通って延びていてよい。実施の際、第１の平面７３３は、垂直方向に延びていてよい。第１の平面７３３は、基板受容エリアまたは基板に対して、ほぼ平行またはほぼ垂直であってよい。実施の際、第１の回転軸７３４は、横方向に沿って延びていてよい。

本開示では、「ほぼ平行」な方向という用語は、互いに１０°まで、または１５°まででさえある小さい角度をなす方向を含み得る。さらに、「ほぼ垂直」な方向という用語は、互いに対して９０°未満、例えば少なくとも８０°または少なくとも７５°である角度をなす方向を含み得る。同様の考察は、ほぼ平行または垂直な軸、平面、エリアなどの概念にも当てはまる。

図３Ａに例示的に示すように、第１のアクティブ磁気ユニット７４１によって生成された磁場は、ガイド構造物７７０の磁気特性と相互作用し、デバイス１２０、具体的には堆積源アセンブリ７３０に作用する第１の磁気浮上力Ｆ１を提供する。具体的には、第１の磁気浮上力Ｆ１は、第１の平面７３３の第１の面７３３Ａ上のデバイス１２０の一部分に対して作用する。図３Ａでは、第１の磁気浮上力Ｆ１は、第１の平面７３３の左側の面上に設けられたベクトルによって表わされている。本書に記載の他の実施形態と組み合わされ得る実施形態によると、第１の磁気浮上力Ｆ１は、堆積源アセンブリ７３０の重量Ｇと少なくとも部分的に反作用し得る。

本書に記載されている、磁気浮上力が「部分的に」重量Ｇと反作用するという概念は、磁気浮上力がデバイス、例えば堆積源アセンブリに浮上作用、即ち上向きの力を与えるが、その磁気浮上力だけではデバイスを浮上させるのに十分ではないかもしれないということを伴う。したがって、重量と部分的に反作用する磁気浮上力の大きさは、重量Ｇの大きさよりも小さいものである。

例示的に図３Ａを参照すると、第２のアクティブ磁気ユニット７４２によって生成された磁場は、ガイド構造物７７０の磁気特性と相互作用して、デバイス１２０、例えば堆積源アセンブリ７３０に作用する第２の磁気浮上力Ｆ２を提供することができる。具体的には、第２の磁気浮上力Ｆ２は、第１の平面７３３の第２の面７３３Ｂ上のデバイス１２０の一部分に対して作用し得る。図３Ａでは、第２の磁気浮上力Ｆ２は、第１の平面７３３の右側の面上に設けられたベクトルによって表されている。第２の磁気浮上力Ｆ２は、堆積源アセンブリの重力Ｇ対して、少なくとも部分的に反作用していてよい。

第１の磁気浮上力Ｆ１と第２の磁気浮上力Ｆ２とが重畳することによって、デバイス、例えば堆積源アセンブリ７３０に作用する重畳磁気浮上力が提供される。重畳磁気浮上力は、デバイスの重力Ｇ対して、完全に反作用していてよい。重畳磁気浮上力は、図３Ａに示すように、デバイス、例えば堆積源アセンブリ７３０の非接触浮上を提供するのに十分であってよい。しかし、さらなる非接触力が提供され、それによって、第１の磁気浮上力Ｆ１及び第２の磁気浮上力Ｆ２が、重量Ｇと部分的に反作用し得る重畳浮上力を提供し、第１の磁気浮上力Ｆ１、第２の磁気浮上力Ｆ２、及びさらなる非接触力が、重量Ｇと完全に反作用し得る重畳磁気浮上力を提供してもよい。

本書に記載の他の実施形態と組み合わされ得る実施形態によると、第１のアクティブ磁気ユニットは、第１の磁気浮上力Ｆ１を提供するための、第１の調整可能な磁場を生成するように構成されていてよい。第２のアクティブ磁気ユニットは、第２の磁気浮上力Ｆ２を提供するための、第２の調整可能な磁場を生成するように構成されていてよい。図３Ａに例示的に示すように、装置は、デバイス、例えば本書に記載の堆積源アセンブリの動作制御を提供するため、第１の調整可能な磁場及び／または第２の調整可能な磁場を制御すべく、第１のアクティブ磁気ユニット７４１及び／または第２のアクティブ磁気ユニット７４２を個別に制御するように構成されたコントローラ５８０を含んでいてよい。具体的には、コントローラ５８０は、垂直方向へのデバイスの並進運動を制御するため、第１のアクティブ磁気ユニットと第２のアクティブ磁気ユニットを制御するように構成されていてよい。本書に記載のコントローラで第１のアクティブ磁気ユニット及び第２のアクティブ磁気ユニットを制御することによって、デバイスの動作は、デバイスの位置が目標とする垂直位置で維持され得るように制御されてよい。

第１のアクティブ磁気ユニット及び／または第２のアクティブ磁気ユニットを個別に制御することによって、デバイス、具体的には堆積源の動作制御に関して、さらなる便益が提示され得る。個別の制御によって、角度動作制御を提供するために、デバイス、例えば堆積源アセンブリ７３０を第１の回転軸７３４を中心にして回転することが可能になる。例えば、図３Ａを参照すると、第１の磁気浮上力Ｆ１が第２の磁気浮上力Ｆ２よりも大きくなるようにして、第１のアクティブ磁気ユニット７４１及び／または第２のアクティブ磁気ユニット７４２を個別に制御する結果、第１の回転軸７３４を中心にして、デバイス１２０、例えば堆積源アセンブリ７３０が時計回りに回転し得るためのトルクが生じる。同様に、第１の磁気浮上力Ｆ１よりも大きい第２の磁気浮上力Ｆ２であれば、デバイス１２０が第１の回転軸７３４を中心にして反時計回りに回転する結果となってよい。

第１のアクティブ磁気ユニット７４１と第２のアクティブ磁気ユニット７４２が個別に制御可能であることによって与えられる回転自由度が、第１の回転軸７３４に対するデバイス１２０の角度配向の制御を可能にする。コントローラ５８０の制御下で、目標とする角度配向及び／または角度動作の制御が与えられ得る。例えば、デバイス、具体的には堆積源アセンブリの、目標とする角度配向は、垂直の配向、例えば図３Ａに示すように、第１の平面７３３がｙ方向と平行になるような配向であってよい。代わりに、目標とする配向が、第１の平面７３３がｙ方向に対して目標の角度で傾いているような、傾斜またはわずかに傾斜した配向であってもよい。

例示的に図３Ａを参照すると、本書に記載の任意の他の実施形態と組み合わされ得る実施形態によれば、装置１００は、第１のパッシブ磁気ユニット７４５、例えば永久磁石、及びさらなるアクティブ磁気ユニット７４３を含んでいてよい。第１のパッシブ磁気ユニット７４５は、第１の平面７３３の第２の面７３３Ｂに配設されていてよい。実施の際、第１のパッシブ磁気ユニット７４５は、ガイド構造物７７０の第２の部分７７２に面していてよく、及び／または、第１の平面７３３と第２の部分７７２との間に設けられていてよい。

さらなるアクティブ磁気ユニット７４３は、第１の平面７３３の第１の面７３３Ａに配設されていてよい。実施の際、さらなるアクティブ磁気ユニット７４３は、ガイド構造物７７０の第１の部分７７１に面していてよく、及び／または、少なくとも部分的に、第１の平面７３３と第１の部分７７１との間に設けられていてよい。典型的には、さらなるアクティブ磁気ユニット７４３は、第１のアクティブ磁気ユニット７４１、第２のアクティブ磁気ユニット７４２と同じタイプのものであってよい。例えば、さらなるアクティブ磁気ユニット７４３、第１のアクティブ磁気ユニット７４１、及び／または第２のアクティブ磁気ユニット７４２は、同一のタイプの電磁石であってよい。第１のアクティブ磁気ユニット７４１及び第２のアクティブ磁気ユニットと比べて、さらなるアクティブ磁気ユニット７４３は、異なる空間的配向を有していてよい。具体的には、さらなるアクティブ磁気ユニット７４３は、例えば第１のアクティブ磁気ユニット７４１に対して、例えば約９０°で、図３Ａの描画面に対して垂直な横方向軸を中心にして回転されていてよい。

さらなるアクティブ磁気ユニット７４３は、磁場、具体的には調整可能な磁場を生成するように構成されていてよい。図３Ａに例示的に示すように、さらなるアクティブ磁気ユニット７４３によって生成された磁場は、ガイド構造物７７０の磁気特性と相互作用し、デバイス、具体的には堆積源アセンブリ７３０に作用する第１の対向する横方向の力Ｏ１を提供する。第１の対向する横方向の力Ｏ１は、磁力である。こうして、さらなるアクティブ磁気ユニット７４３及びガイド構造物７７０は、第１の対向する横方向の力Ｏ１を提供するように構成されている。第１の対向する横方向の力は、第１の横方向の力と反作用する、調整可能な力である。さらに、例示的に図３Ａを参照すると、コントローラ５８０は、さらなるアクティブ磁気ユニット７４３を制御して、横方向の動作制御、即ち横方向における動作の制御を提供するように構成されていてよい。

例示的に図３Ａを参照すると、本書に記載の任意の他の実施形態と組み合わされ得る実施形態によれば、第１のパッシブ磁気ユニット７４５及びガイド構造物７７０は、第１の横方向の力Ｔ１を提供するように構成されている。具体的には、第１のパッシブ磁気ユニット７４５は、磁場を生成するように構成されていてよい。第１のパッシブ磁気ユニット７４５によって生成された磁場は、ガイド構造物７７０の磁気特性と相互作用し、デバイス、例えば堆積源アセンブリ７３０に作用する第１の横方向の力Ｔ１を提供し得る。第１の横方向の力Ｔ１は、磁力である。第１の横方向の力Ｔ１は、本書に記載のとおり、横方向に沿って延びている。第１の横方向の力Ｔ１は、デバイスの搬送方向に対してほぼ垂直な方向に沿って延びていてよい。例えば、第１の横方向の力Ｔ１は、図３Ａに示すとおり、ｚ方向にほぼ平行であってよい。

例示的に図３Ａを参照すると、第１の対向する横方向の力Ｏ１が、横方向に沿って延びていることが理解されるべきである。この横方向は、第１の横方向の力Ｔ１が沿って延びる横方向と、同一であるか、またはほぼ平行であってよい。例えば、図３Ａに示す力Ｔ１及びＯ１は、どちらもｚ方向に沿って延びる。具体的には、第１の対向する横方向の力Ｏ１と、第１の横方向の力Ｔ１は、対向し合う力、即ち反作用し合う力である。これは、力Ｔ１と力Ｏ１とが、ｚ方向に沿って反対方向を指す同じ長さのベクトルで表されている態様によって、図３Ａに示されている。第１の対向する横方向の力Ｏ１と、第１の横方向の力Ｔ１は、同じ大きさを有していてよい。第１の対向する横方向の力Ｏ１と、第１の横方向の力Ｔ１は、横方向に沿って、反対の方向に延びていてよい。第１の横方向の力Ｔ１と第１の対向する横方向の力Ｏ１は、例えば、基板受容エリアもしくは基板、またはデバイスの搬送方向、具体的には堆積源の搬送方向に対して、ほぼ垂直であってよい。

例えば、図３Ａに示すように、第１の横方向の力Ｔ１は、第１のパッシブ磁気ユニット７４５とガイド構造物７７０との間の磁気吸引力に起因し得る。磁気吸引力によって、第１のパッシブ磁気ユニット７４５が、ガイド構造物７７０に向かって、具体的にはガイド構造物７７０の第２の部分７７２に向かって、駆り立てられる。第１の対向する横方向の力Ｏ１は、さらなるアクティブ磁気ユニット７４３とガイド構造物７７０との間の磁気吸引力に起因し得る。磁気吸引力によって、さらなるアクティブ磁気ユニット７４３が、ガイド構造物７７０に向かって、具体的にはガイド構造物７７０の第１の部分７７１に向かって、駆り立てられる。

代わりに、第１の横方向の力Ｔ１は、第１のパッシブ磁気ユニット７４５とガイド構造物７７０との間の磁気反発力に起因していてもよい。第１の対向する横方向の力Ｏ１は、さらなるアクティブ磁気ユニット７４３とガイド構造物７７０との間の磁気反発力に起因し得る。この場合にもまた、力Ｔ１とＯ１とは、反作用する力同士である。その結果、第１の対向する横方向の力Ｏ１は、第１の横方向の力Ｔ１と完全に反作用していてよい。第１の対向する力Ｏ１は、第１の横方向の力Ｔ１と反作用していてよく、それによって、横方向、例えばｚ方向に沿ってデバイス、例えば堆積源アセンブリ７３０に作用する合力が、ゼロになっていてよい。その結果、横方向に沿ったデバイスの動作は、コントローラの機械的接触によって制御されてよい。

図３Ａに示すように、コントローラ５８０は、さらなるアクティブ磁気ユニット７４３を制御するように構成されていてよい。さらなるアクティブ磁気ユニット７４３の制御は、第１の対向する横方向の力Ｏ１を制御するためにさらなるアクティブ磁気ユニット７４３によって生成された、調整可能な磁場の制御を含んでいてよい。さらなるアクティブ磁気ユニット７４３を制御することによって、横方向、例えばｚ方向における、デバイス、例えば堆積源５２０の動作制御が可能になってよい。

例示的に図３Ａを参照すると、本書に記載の他の実施形態と組み合わされ得る実施形態によれば、ガイド構造物７７０の第１の部分７７１及び第２の部分７７２は、別々の、ガイド構造物７７０の部分であってよい。実施の際、ガイド構造物７７０の第１の部分７７１は、第１の平面７３３の第１の面７３３Ａに配設されていてよい。ガイド構造物７７０第２の部分７７２は、第１の平面７３３の第２の面７３３Ｂに配設されていてよい。

本書に記載の他の実施形態と組み合わされ得る実施形態によると、１つ以上のアクティブ磁気ユニット１５０は、デバイスに、具体的にはデバイス１２０の支持体１６０に設けられている。例えば、磁気ユニットのうちの１つ以上、または全てが、デバイス、具体的にはデバイス１２０の支持体１６０に装着されている。例えば、図３Ａ及び図３Ｂに示すように、本書に記載の第１のアクティブ磁気ユニット７４１、第２のアクティブ磁気ユニット７４２、第１のパッシブ磁気ユニット７４５、及び／またはさらなるアクティブ磁気ユニット７４３が、支持体１６０に装着されていてよい。

例示的に図３Ａを参照すると、本書に記載の任意の他の実施形態と組み合わされ得る実施形態によれば、コントローラ５８０は、デバイス１２０の動作制御を提供するために、第１のアクティブ磁気ユニット７４１、及び／または第２のアクティブ磁気ユニット７４２、及び／またはさらなるアクティブ磁気ユニット７４３を制御するように構成されていることができる。第１のアクティブ磁気ユニット７４１及び／または第２のアクティブ磁気ユニット７４２、及び／またはさらなるアクティブ磁気ユニット７４３に伝達されるコントローラ５８０の制御信号は、制御矢印Ｃ１、Ｃ２、及びＣ３によって例示的に示されている。このように、コントローラ５８０は、センサ１４０が提供する信号Ｓ１を分析し、１つ以上のアクティブ磁気ユニット１５０、例えば第１のアクティブ磁気ユニット７４１、及び／または第２のアクティブ磁気ユニット７４２、及び／またはさらなるアクティブ磁気ユニット７４３に対して、適切な制御信号を送信するように構成されていることができる。

ガイド構造物７７０の第１の部分７７１及び第２の部分７７２は、それぞれパッシブ磁気ユニットであるか、及び／または１つ以上のパッシブ磁気アセンブリを含んでいてよい。例えば、第１の部分７７１及び第２の部分７７２は、それぞれ強磁性材料、例えば強磁性鋼から作られていてよい。第１の部分７７１は、第１の凹部７７３及び第２の凹部７７４を含んでいてよい。実施の際、磁気ユニット、例えば図３Ｂに示す第１のアクティブ磁気ユニット７４１は、少なくとも部分的に、第１の凹部７７３内に配設されていてよい。実施の際、別の磁気ユニット、例えばさらなるアクティブ磁気ユニット７４３は、少なくとも部分的に、第２の凹部７７４内に配設されていてよい。ガイド構造物７７０の第１の部分７７１は、堆積源の搬送方向、例えばｘ方向に垂直な断面において、Ｅ字形の輪郭を有していてよい。ほぼ第１の部分７７１の長さに沿ったＥ字形の輪郭によって、第１の凹部７７３及び第２の凹部７７４が規定されてよい。同様に、第２の部位７７２は、第３の凹部７７５及び第４の凹部７７６を含んでいてよい。実施の際、磁気ユニット、例えば図３Ｂに示す第２のアクティブ磁気ユニット７４２は、少なくとも部分的に第３の凹部７７５内に配設されていてよく、第１のパッシブ磁気ユニット７４５は、少なくとも部分的に第４の凹部７７６内に設けられていてよい。第１のパッシブ磁気ユニット７４５は、ガイド構造物７７０に設けられたさらなるパッシブ磁気ユニット７４６と相互作用してよい。第２の部分７７２は、堆積源の搬送方向に垂直な断面において、Ｅ字形の輪郭を有していてよい。ほぼ第２の部分７７２の長さに沿ったＥ字形の輪郭によって、第３の凹部７７５及び第４の凹部７７６が規定されてよい。

堆積源アセンブリ７３０の磁気ユニットを少なくとも部分的にガイド構造物７７０の各凹部内に配設することによって、本書で記載されている力Ｆ１、Ｆ２、Ｔ１、及び／またはＯ１を提供するための、各凹部内におけるガイド構造物と磁気ユニットとの間の磁気的相互作用の向上を得ることができる。その結果、デバイスの動作制御の改良がもたらされ得る。

例示的に図３Ｂを参照すると、搬送装置の実施形態によれば、ガイド構造物に、パッシブ磁気駆動ユニット７８０が設けられていてよい。例えば、パッシブ磁気駆動ユニット７８０は、複数の永久磁石、具体的には様々な極性配向のパッシブ磁気アセンブリを形成している複数の永久磁石を含んでいることができる。複数の磁石は、パッシブ磁気アセンブリを形成するために、交互の極性配向を有していることができる。支持体１６０に、または支持体１６０の内部に、アクティブ磁気駆動ユニット７８１が設けられ得る。パッシブ磁気駆動ユニット７８０及びアクティブ磁気駆動ユニット７８１は、堆積源アセンブリが浮上中にガイド構造物に沿って動くように、駆動、例えば非接触駆動を提供することができる。

図４は、デバイス、例えば堆積源用の堆積源カートのための支持体１６０の例示的な実施形態を示す。本書に記載の任意の他の実施形態と組み合わされ得る実施によると、１つ以上のアクティブ磁気ユニット１５０は、支持体１６０の第１の面に第３のアクティブ磁気ユニット７４７を、及び支持体１６０の第２の面に第４のアクティブ磁気ユニット７４８を、さらに含む。第１のアクティブ磁気ユニット７４１、第２のアクティブ磁気ユニット７４２、第３のアクティブ磁気ユニット７４７、及び第４のアクティブ磁気ユニット７４８は、第１の回転軸７３４、及び第１の回転軸７３４に垂直な第２の回転軸７６７を中心にして、デバイス１２０を回転するように構成されていることができる。本書に記載の任意の他の実施形態と組み合わされ得るさらなる実施例によると、支持体１６０には、以下のユニットが装着され得る。第１のアクティブ磁気ユニット７４１、第２のアクティブ磁気ユニット７４２、第３のアクティブ磁気ユニット７４７、第４のアクティブ磁気ユニット７４８、第５のアクティブ磁気ユニット７４９、第６のアクティブ磁気ユニット７５０、第１のパッシブ磁気ユニット７５１、第２のパッシブ磁気ユニット７５２、及びこれらの任意の組み合わせ。第５のアクティブ磁気ユニット７４９は、図３Ａに関連して記載されたさらなるアクティブ磁気ユニット７４３であってよい。

図４は、デバイスの支持体１６０を通って延びる、本書に記載の第１の平面７３３を示す。第１の平面７３３は、本書に記載の第１の回転軸７３４を含む。図４に示すように、実施の際、第１の回転軸７３４はｘ方向に対してほぼ平行であってよい。実施の際、第１の回転軸は、横方向に沿って、例えばｘ方向にほぼ平行に、延びていてよい。第１のアクティブ磁気ユニット７４１、第３のアクティブ磁気ユニット７４７、第５のアクティブ磁気ユニット７４９、及び／または第６のアクティブ磁気ユニット７５０は、第１の平面７３３の第１の面上に配設されていてよい。第２のアクティブ磁気ユニット７４２、第４のアクティブ磁気ユニット７４８、第１のパッシブ磁気ユニット７５１、及び第２のパッシブ磁気ユニット７５２は、第１の平面７３３の第２の面上に配設されていてよい。

さらに、図４は、支持体１６０を通って延びる第２の平面７６６を示す。第２の平面７６６は、第１の平面に対してほぼ垂直であってよい。装置１００の実施の際、第２の平面は垂直方向に延びていてよい。実施の際、第１の平面７３３は、基板受容エリアまたは基板に対してほぼ平行であってよい。第２の平面７６６は、基板受容エリアに対してほぼ垂直であってよい。第２の平面７６６は、デバイス、例えば堆積源アセンブリの、第２の回転軸７６７を含む。第２の回転軸７６７は、第１の回転軸に対してほぼ垂直であってよい。実施の際、第２の回転軸７６７は、横方向に沿って、例えば図４に示すｚ方向にほぼ平行に、延びていてよい。

図４に例示的に示すように、第１のアクティブ磁気ユニット７４１、第２のアクティブ磁気ユニット７４２、第５のアクティブ磁気ユニット７４９、及び／または第１のパッシブ磁気ユニット７５１は、第２の平面７６６の第１の面上に配設されていてよい。第３のアクティブ磁気ユニット７４７、第４のアクティブ磁気ユニット７４８、第６のアクティブ磁気ユニット７５０、及び第２のパッシブ磁気ユニット７５２は、第２の平面７６６の第２の面上に配設されていてよい。

実施の際、８個の磁石が装着された図４の支持体１６０は、図３に示す凹部を規定するＥ字形の輪郭を有する第１の部分及び第２の部分を含む、ガイド構造体に対して配設されていてよい。第１のアクティブ磁気ユニット７４１及び第３のアクティブ磁気ユニット７４７は、少なくとも部分的に、第１の凹部７７３内に配設されていてよい。第５のアクティブ磁気ユニット７４９及び第６のアクティブ磁気ユニット７５０は、少なくとも部分的に、第２の凹部７７４内に配設されていてよい。第２のアクティブ磁気ユニット７４２及び第４のアクティブ磁気ユニット７４８は、少なくとも部分的に、第３の凹部７７５内に配設されていてよい。第１のパッシブ磁気ユニット７５１及び第２のパッシブ磁気ユニット７５２は、少なくとも部分的に、第４の凹部７７６内に配設されていてよい。

第１のアクティブ磁気ユニット、第２のアクティブ磁気ユニット、第３のアクティブ磁気ユニット、及び第４のアクティブ磁気ユニットのそれぞれは、堆積源アセンブリに作用する磁気浮上力を提供するように構成されていてよい。これら４つの磁気浮上力のそれぞれは、堆積源アセンブリの重量と部分的に反作用していてよい。これら４つの磁気浮上力の重畳によって、搬送されるデバイスの重量と完全に反作用する重畳磁気浮上力が提供され、それによって非接触浮上が提供されてよい。

第１のアクティブ磁気ユニット、第２のアクティブ磁気ユニット、第３のアクティブ磁気ユニット、及び第４のアクティブ磁気ユニットを本書に記載のコントローラ５８０で制御することによって、デバイスの動作が、垂直方向、例えばｙ方向において制御されてよい。

第１のアクティブ磁気ユニット、第２のアクティブ磁気ユニット、第３のアクティブ磁気ユニット、及び第４のアクティブ磁気ユニットを本書に記載のコントローラ５８０で制御すること、具体的には個別に制御することによって、デバイスが第１の回転軸を中心にして回転されてよく、第１の回転軸を中心とした回転動作制御が提供され得る。同様に、第１のアクティブ磁気ユニット、第２のアクティブ磁気ユニット、第３のアクティブ磁気ユニット、及び第４のアクティブ磁気ユニットを本書に記載のコントローラ５８０で適切に制御することによって、デバイスが第２の回転軸を中心にして回転されてよく、第２の回転軸を中心とした回転動作制御が提供され得る。こうして、アクティブ磁気ユニットの制御によって、デバイスの動作を制御するための、堆積源アセンブリの第１の回転軸に対する角度配向と第２の回転軸に対する角度配向を制御することが可能になる。その結果、デバイスの角度動作制御に関する回転自由度２を得ることができる。

例示的に図４を参照すると、第１のパッシブ磁気ユニット７５１と第２のパッシブ磁気ユニット７５２は、それぞれ、第１の横方向の力Ｔ１と第２の横方向の力Ｔ２を提供するように構成されていることができる。第５のパッシブ磁気ユニット７４９と第６のパッシブ磁気ユニット７５０は、それぞれ、第１の対向する横方向の力Ｏ１と第２の対向する横方向の力Ｏ２を提供するように構成されていることができる。図３Ａに関連して提示された検討と同様に、第１の対向する力Ｏ１及び第２の対向する力Ｏ２は、第１の横方向の力Ｔ１及び第２の横方向の力Ｔ２と反作用する。

第５のアクティブ磁気ユニット７４９と第６のアクティブ磁気ユニット７５０を、例えば本書に記載のコントローラ５８０で制御することによって、力Ｔ１及びＴ２を制御することができ、横方向、例えばｚ方向に沿ったデバイスの動作が制御され得る。第５のアクティブ磁気ユニット７４９及び第６のアクティブ磁気ユニット７５０を個別に制御することによって、図４に示すとおり、デバイスは第３の回転軸７６８を中心にして回転されてよい。第３の回転軸７６８は第１の回転軸７３４に対して垂直であってよく、及び／または、第２の回転軸７６７に対して垂直であってよい。実施の際、第３の回転軸７６８は、垂直方向に沿って延びていてよい。第５のアクティブ磁気ユニット７４９と第６のアクティブ磁気ユニット７５０を個別に制御することによって、デバイスの角度動作制御を提供するために、デバイスの、第３の回転軸７６８に対する角度配向を制御することが可能になる。

上記の観点から、本書に記載の任意の他の実施形態と組み合わされ得る実施形態によると、真空処理システムにおける、処理デバイス、例えば堆積源５２０の非接触搬送用の装置が提供される。装置は、処理デバイス用の支持体１６０を含む。支持体は、本書に記載の１つ以上のアクティブ磁気ユニット１５０を含む。さらに、装置は、処理デバイスの搬送方向に延びる、ガイド構造物７７０を含む。１つ以上のアクティブ磁気ユニット１５０及びガイド構造物７７０は、処理デバイスを磁気浮上させるための磁気浮上力Ｆ_Ｌを提供するように構成されている。加えて、装置は、処理デバイスの動作をモニタリングするためのセンサ１４０を含む。さらに、装置は、センサに接続されたコントローラ５８０を含む。コントローラは、センサによって検出されるデバイスのクリティカルな動作が低減されるようにして、センサ１４０が提供する信号に基づいて１つ以上のアクティブ磁気ユニット１５０を制御するように、構成されている。

例示的に図５Ａ及び図５Ｂを参照すると、デバイス１２０の非接触搬送用の装置１００の実施形態が記載されている。ここでは、デバイスはキャリアアセンブリ８８０である。本開示では、「キャリアアセンブリ」は、基板を支持しているキャリア、基板なしのキャリア、基板、または支持体によって支持されている基板からなる群の、１つ以上の要素を含んでいてよい。さらに、「キャリアアセンブリ」は、マスクを支持しているマスクキャリア、マスクなしのキャリア、マスク、または支持体によって支持されているマスクからなる群の、１つ以上の要素を含んでいてよい。具体的には、キャリアアセンブリは、機械力の代わりに磁力を用いて、浮上状態または浮揚状態に保持されるように構成されることができる。例として、キャリアアセンブリ８８０の非接触搬送用の装置１００は、キャリアアセンブリの重量を支持する機械式レールといった、機械式の要素を一切有していなくてよい。ある実施形態では、システム内におけるキャリアアセンブリの浮上中、例えば移動中、キャリアアセンブリと装置の残りの部分との間に、機械的接触が一切存在していないということがあり得る。

本開示の実施形態によると、浮上しているまたは浮上とは、物体が機械的接触または機械的支持なしに浮揚している、物体の状態を表す。さらに、物体を移動することは、駆動力、例えば浮上力とは異なる方向に力を提供することを指す。このとき、物体は１つの位置から別の位置、異なる位置、例えば異なる水平方向位置へと移動する。例えば、キャリアアセンブリといった物体が、例えば重力と反作用する力によって浮上され得、浮上されている間に、重力と平行な方向とは異なる方向へと移動され得る。

本書に記載の実施形態によるキャリアアセンブリの非接触浮上、非接触搬送、及び／または非接触動作制御は、キャリアアセンブリと装置の部品との間の機械的接触による粒子の生成が全くないという点で、有益である。こうして、キャリアアセンブリ８８０の非接触搬送用の装置１００は、基板上に堆積した層の純度と均一性の向上を提供する。これは具体的には、キャリアアセンブリの非接触浮上、非接触搬送、及び／または非接触動作制御を使用することによって、粒子の生成が最小限に抑制されるからである。

具体的には、例示的に図５Ａ及び図５Ｂを参照すると、非接触搬送用の装置１００は、垂直方向、例えばｙ方向に沿って、及び／または１つ以上の横方向、例えばｘ方向に沿って、キャリアアセンブリを非接触搬送するように構成されていることができる。さらに、装置は、キャリアアセンブリの角度動作制御を提供するため、少なくとも１つの回転軸に対してキャリアアセンブリを非接触回転するように構成されていてよい。キャリアアセンブリの回転軸に対する回転は、０．００３°から３°までの角度範囲内で提供され得る。

図５Ａは、デバイス、具体的にはキャリアアセンブリ８８０の非接触搬送用の装置１００の例示的な実施形態の前面図を示す。例示的に図５Ａ及び図５Ｂに示すとおり、装置１００は、搬送すべき基板１０１を例えば基板キャリア内に含み得る、キャリアアセンブリ８８０を含んでいてよい。代わりに、（図示していないが）キャリアアセンブリ８８０は、搬送するマスクを例えばマスクキャリア内に含んでいることができる。キャリアアセンブリ８８０は、典型的に、第１のパッシブ磁気要素８５１を含む。図５Ａに例示的に示すように、装置１００は、キャリアアセンブリの搬送方向、例えばｘ方向に延びる、さらなるガイド構造物８７０を含んでいてよい。例示的に図５Ａ及び図５Ｂを参照すると、装置１００は、例示的に図５Ａ及び図５Ｂに示されているような磁気式搬送設備のさらなる磁性構造物１７０、例えばさらなるガイド構造物８７０に設けられた、１つ以上のアクティブ磁気ユニット１５０を含んでいてよい。さらなるガイド構造物８７０は、１つ以上のアクティブ磁気ユニット１５０を含んでいてよい。

図５Ａに水平の矢印８８８で例示的に示されているとおり、キャリアアセンブリ８８０は、さらなるガイド構造物８７０に沿って移動可能であるように構成されていることができる。さらなるガイド構造物８７０の第１のパッシブ磁気要素８５１及び１つ以上のアクティブ磁気ユニット１５０は、キャリアアセンブリ８８０を浮上させるための第１の磁気浮上力を提供するように構成されている。さらに、図５Ａに例示的に示すように、装置１００は駆動構造物８９０を含んでいてよい。駆動構造物は、複数のさらなるアクティブ磁気要素８９５を含み得る。キャリアアセンブリは、駆動構造物８９０のさらなるアクティブ磁気要素８９５と相互作用するための、第２のパッシブ磁気要素８５２、例えば強磁性材料のバーを含んでいることができる。典型的には、複数の１つ以上のアクティブ磁気ユニット１５０のうちの１つのアクティブ磁気ユニットによって、キャリアアセンブリ８８０の第１のパッシブ磁気要素８５１と相互作用する磁力が提供される。例えば、第１のパッシブ磁気要素８５１はキャリアアセンブリ８８０の一部であり得る強磁性材料のバーまたはロッドであることができる。代替形態では、第１のパッシブ磁気要素はキャリアと一体的に形成されていてもよい。さらに、例示的に図５Ａ及び図５Ｂに示すように、典型的には、キャリアアセンブリ８８０は第２のパッシブ磁気要素８５２、例えば強磁性材料のさらなるバーまたはさらなるロッドを含む。さらなるバーまたはさらなるロッドは、キャリアアセンブリ８８０に接続されていることができるか、または基板支持体と一体的に形成されていることができる。

本書に記載の実施形態によると、１つ以上のアクティブ磁気ユニット１５０は、第１のパッシブ磁気要素８５１に対して磁力を提供し、したがってキャリアアセンブリ８８０に対して磁力を提供する。その結果、１つ以上のアクティブ磁気ユニット１５０が、キャリアアセンブリ８８０を浮上させる。典型的には、さらなるアクティブ磁気要素８９５は、キャリア搬送方向、例えば図５Ａ及び図５Ｂに示すＸ方向に沿って、キャリアを駆動するように構成されている。このように、複数のさらなるアクティブ磁気要素８９５が、１つ以上のアクティブ磁気ユニット１５０による浮上中にキャリアアセンブリ８８０を動かすための、駆動構造物を形成している。さらなるアクティブ磁気要素８９５は、第２のパッシブ磁気要素８５２と相互作用して、キャリア搬送方向に沿った力を提供する。例えば、第２のパッシブ磁気要素８５２は、極性を交互にして配設された複数の永久磁石を含んでいることができる。その結果生じる第２の磁気要素８５２の磁場は、複数のさらなるアクティブ磁気要素８９５と相互作用して、キャリアアセンブリ８８０を浮上中に移動することができる。

キャリアアセンブリ８８０を１つ以上のアクティブ磁気ユニット１５０で浮上させるため、及び／または、キャリアアセンブリ８８０を複数のさらなるアクティブ磁気要素８９５で移動するために、アクティブ磁気要素は、調整可能な磁場を提供するように制御され得る。調整可能な磁場は、静磁場または動磁場であってよい。本書に記載の他の実施形態と組み合わせ得る実施形態によると、アクティブ磁気ユニットまたはアクティブ磁気要素は、垂直方向に延びる磁気浮上力を提供するための磁場を生成するように構成されていることができる。本書に記載のさらなる実施形態と組み合わされ得る他の実施形態によると、アクティブ磁気ユニットまたはアクティブ磁気要素は、横方向に沿って延びる磁力を提供するように構成されていてよい。本書に記載のアクティブ磁気要素は、電磁デバイス、ソレノイド、コイル、超電導磁石、及びこれらの任意の組み合わせからなる群から選択される少なくとも１つの要素であるか、またはそれを含んでいてよい。

さらに、図５Ａ及び図５Ｂに例示的に示すように、非接触搬送用の装置１００は、キャリアアセンブリ８８０の動作をモニタリングするためのセンサ１４０を含む。具体的には、センサ１４０は本書に記載のモーションセンサであってよい。本書に記載の任意の他の実施形態と組み合わされ得る実施形態によると、キャリアアセンブリ８８０の動きをモニタリングするための２つ以上のモーションセンサ（明示的には図示せず）を設けることができる。２つ以上のモーションセンサは、本書に記載のセンサ１４０に従って構成されていることができる。さらに、装置は、センサ１４０及び／または２つ以上のモーションセンサが提供する信号に基づいて、１つ以上のアクティブ磁気ユニット１５０を制御するように構成された、コントローラ５８０を含む。図５Ａ及び図５Ｂでは、コントローラから１つ以上のアクティブ磁気ユニット１５０に対して提供された制御信号が、例示的にＣ１で表されている。

このように、コントローラ５８０は、キャリアアセンブリのクリティカルな動作、例えば震えまたは振動が、低減、具体的には減衰または抑制されるか、または回避さえされるようにキャリアアセンブリの動きを制御するように構成されていることができる。図１から図４を参照して記載されている実施形態に関して本書に記載されている動作制御にかかる技術的原理が、図５Ａ及び図５Ｂを参照して記載されている実施形態に準用可能であることは、理解されるべきである。

図５Ａ及び図５Ｂは、デバイス１２０、具体的にはキャリアアセンブリ８８０であるデバイスの、非接触搬送用の装置１００の動作状態の側面図を示す。示されるように、さらなるガイド構造物８７０は、キャリアアセンブリの搬送方向、即ち図５Ａ及び図５ＢのＸ方向に沿って延びていてよい。キャリアアセンブリの搬送方向は、本書に記載のとおり横方向であることができる。さらなるガイド構造物８７０は、搬送方向に沿って延びる直線形状を有していてよい。堆積源の搬送方向に沿ったさらなるガイド構造物８７０の長さは、１ｍから３０ｍであってよい。例えば基板またはマスクを運んでいるキャリアは、描画面にほぼ平行に、例えば＋１５°の偏差で、配設されていてよい。例えば例示の層堆積処理中といった基板の処理中、基板は、例えば基板受容エリア内に備えられてよい。基板受容エリアは、例えば長さ及び幅といった寸法を有していてよく、それらは基板の対応する寸法と等しいか、またはわずかに（例えば５〜２０％）大きくてよい。

非接触搬送用の装置１００の動作中、キャリアアセンブリ８８０は、搬送方向、例えばｘ方向に、さらなるガイド構造物８７０に沿って並進運動可能であってよい。図５Ａ及び図５Ｂは、さらなるガイド構造物８７０に対して、ｘ方向に沿った異なる位置にある、キャリアアセンブリ８８０を示す。水平方向の矢印８８８は、駆動構造物８９０の駆動力を表す。その結果、さらなるガイド構造物８７０に沿って、左から右へのキャリアアセンブリの並進運動が与えられる。垂直方向の矢印は、キャリアアセンブリに対して作用する浮上力を表す。

第１のパッシブ磁気要素８５１は、搬送方向に第１のパッシブ磁気要素８５１の長さにほぼ沿った、磁気特性を有していてよい。アクティブ磁気ユニット１５０’によって生成された磁場が、第１のパッシブ磁気要素８５１の磁気特性と相互作用して、第１の磁気浮上力Ｆ１及び第２の磁気浮上力Ｆ２を提供する。その結果、具体的にはコントローラ５８０からアクティブ磁気ユニットに対して適切な制御コマンドを送信することによって、キャリアアセンブリ８８０の非接触による浮上、搬送、位置合わせ、及び動作制御がもたらされる。

図５Ａに示すように、キャリアアセンブリ８８０は第１の位置に設けられている。本書に記載の他の実施形態と組み合わされ得る実施形態によると、２つ以上のアクティブ磁気ユニット１５０’例えば２つまたは３つのアクティブ磁気ユニット１５０’は、コントローラ５８０によって起動されて、キャリアアセンブリ８８０を浮上させるため、及び／またはキャリアアセンブリの動作を制御するための、磁場を生成する。図５Ａ及び図５Ｂに例示的に示すとおり、典型的には、キャリアアセンブリは、さらなるガイド構造物８７０の下方に、機械的な接触なしに懸架されている。

図５Ａでは、２つのアクティブ磁気ユニット１５０’が、垂直の矢印で表されている磁力（Ｆ１及びＦ２）を提供している。この磁力は、重力と反作用してキャリアアセンブリを浮上させる。コントローラ５８０は、キャリアアセンブリを浮上状態に維持するため、並びに、例えば垂直方向（ｙ方向）への、及び／またはｚ方向に平行な回転軸を中心にした、キャリアアセンブリの動作を制御するために、２つのアクティブ磁気ユニット１５０’を個別に制御してよい。さらに、１つ以上のさらなるアクティブ磁気要素８９５’が、キャリアアセンブリを浮上状態に維持するため、及び／または例えば垂直方向（ｙ方向）及び／またはｚ方向に平行な回転軸を中心にしたキャリアアセンブリの動きを制御するために、コントローラ５８０によって個別に制御されてよい。図５Ａ及び図５Ｂでは、コントローラ５８０から１つ以上のさらなるアクティブ磁気要素８９５’に対して提供された制御信号が、例示的にＣ２で表されている。さらなるアクティブ磁気要素８９５’は、第２のパッシブ磁気要素８５２、例えば一式の交互に配置された複数の永久磁石（ａｌｔｅｒｎａｔｉｎｇ ｐｅｒｍａｎｅｎｔ ｍａｇｎｅｔｓ）と相互作用して、水平方向の矢印８８８で表されている駆動力を生成する。駆動力は、キャリアアセンブリを搬送方向に動かす。図５Ａに示すように、搬送方向はＸ方向であることができる。本書に記載の他の実施形態と組み合わされ得る本開示のある実施形態によると、駆動力を提供するために同時に制御されるさらなるアクティブ磁気要素８９５’の数は、１から３である。

本書に記載の任意の他の実施形態と組み合わされ得る実施形態によると、キャリアアセンブリ８８０には、本書に記載のセンサ１４０に従って構成された２つ以上のモーションセンサ（明示的には図示せず）が設けられていてよい。２つ以上のモーションセンサを設けることは、キャリアアセンブリ８８０のクリティカルな動作を高精度で検出するために、特に有益であり得る。

図５Ａ及び図５Ｂから、第１の位置ではキャリアアセンブリが第１の群のアクティブ磁気ユニットよりも下方に位置しており、さらなる別の位置ではキャリアアセンブリがさらなる別の群のアクティブ磁気ユニットよりも下方に位置していることが、理解される。コントローラは、どのアクティブ磁気要素が各位置に対する浮上力を提供するのかを制御し、各アクティブ磁気要素を制御してキャリアアセンブリを浮上させ、及び／またはキャリアアセンブリの動きを制御するように、制御する。

図５Ｂは、第２の位置にあるキャリアアセンブリを示す。第２の位置では、２つのアクティブ磁気ユニット１５０’が、左の垂直矢印で表される第１の磁力Ｆ１と、右の垂直矢印で表される第２の磁力Ｆ２を提供する。コントローラ５８０は、２つのアクティブ磁気ユニット１５０’を制御して、並進運動方向、具体的には垂直方向、例えば図５ＢのＹ方向における位置合わせ及び／または動作制御を提供する。さらに、加えてまたは代えて、コントローラ５８０は、２つのアクティブ磁気ユニット１５０’を制御して、キャリアアセンブリがＸ−Ｙ平面内で、例えばｚ方向に平行な回転軸を中心にして回転されるように、位置合わせまたは動作制御を提供してよい。どちらの動きも、即ち回転運動も並進運動も、点線のキャリアアセンブリの位置と実線で描かれたキャリアアセンブリ８８０の位置を比較することによって、例示的に図５Ｂで見ることができる。

このように、コントローラ５８０は、例えば垂直方向におけるキャリアアセンブリの並進運動の制御を提供するために、アクティブ磁気ユニット１５０’を制御するように構成されていてよい。さらに、コントローラは、例えばｚ方向に平行に延びる回転軸を中心にした角度動作制御を提供するために、アクティブ磁気ユニット１５０’を制御するように構成されていてよい。

本書に記載の任意の他の実施形態と組み合わされ得る実施形態によると、非接触搬送用の装置１００は、並進方向、例えば垂直方向（ｙ方向）におけるキャリアアセンブリの動作制御、具体的には非接触式の動作制御を、５０μｍ以下、例えば１μｍから１０μｍ、例えば５μｍといった精度で提供するように構成されていることができる。本開示の実施形態によると、回転方向の位置合わせの精度、具体的には非接触式位置合わせの精度は、３°以下、具体的には１°以下であることができる。さらに、装置１００は、搬送方向、例えば水平方向（ｘ方向）へのキャリアアセンブリの動作制御、具体的には非接触式の動作制御を、５０μｍ以下、例えば１μｍから１０μｍ、例えば５μｍといった精度で提供するように構成されていることができる。

このように、本開示の実施形態は、処理システムで使用される移動可能なデバイスの動きの平滑さが向上し得るという利点を有している。例えば、移動可能なデバイスがキャリアアセンブリである場合、キャリアアセンブリのクリティカルな動作の低減、あるいはさらには根絶によって、より均一で均質的なコーティング結果を得ることができるという利点を有している。その結果、例えばＯＬＥＤといったディスプレイ装置の、処理結果の向上、即ち製品品質の向上を達成することができる。

例示的に図６を参照すると、基板を処理するための真空処理システム２００が記載されている。本書に記載の任意の他の実施形態と組み合わされ得る実施形態によると、真空処理システムは、内部で基板を処理するのに適合している処理チャンバ２０１を含む。さらに、真空処理システムは、本書に記載の任意の実施形態による非接触搬送用の装置１００を含む。その結果、本書に記載の任意の実施形態による非接触搬送用の装置１００を伴う真空処理システム２００を提供することによって、例えば、ＯＬＥＤといったディスプレイ装置の生産における処理結果の向上をもたらし得る、改良された真空処理システムが提供される。

図６に示す例示的な実施形態によると、真空処理システム２００は、３つの、本書に記載の非接触搬送用の装置を含む。具体的には、堆積源アセンブリ７３０の非接触搬送用の、第１の装置１００Ａが設けられている。さらに、キャリアアセンブリの非接触搬送用の、第２の装置１００Ｂ及び第３の装置１００Ｃを設けることができる。

本書に記載の任意の他の実施形態と組み合わされ得る実施形態によると、真空処理システム２００は、本書に記載の基板を運ぶ、基板キャリア２２０をさらに含む。ある実施形態では、基板キャリア２２０の搬送用に構成された、第１の軌道設備２１０が設けられている。さらに、マスクキャリア２４０の搬送用い構成された第２の軌道設備２３０が設けられ得る。

本書に記載の任意の他の実施形態と組み合わされ得るある実施形態では、処理チャンバ２０１は、真空チャンバ（例えば、真空処理チャンバ、具体的には真空堆積チャンバ）である。本書で使用する「真空」という用語は、例えば１０ｍｂａｒ未満の真空圧を有する工業的真空の意味として捉えることができる。本書に記載される処理チャンバの圧力は、典型的には、約１０^−５ｍｂａｒと約１０^−８ｍｂａｒとの間、より典型的には、約１０^−５ｍｂａｒと約１０^−７ｍｂａｒとの間、さらにより典型的には、約１０^−６ｍｂａｒと約１０^−７ｍｂａｒとの間であってよい。ある実施形態によれば、真空チャンバ内の圧力は、真空チャンバ内で蒸発させた材料の分圧、または全圧のいずれかと見なすことができる（真空チャンバで堆積する構成要素として蒸発させた材料のみが存在する場合、分圧及び全圧は概ね同じであってよい）。ある実施形態では、真空チャンバの全圧は、特に蒸発させた材料以外の第２の構成要素（例えばガスなど）が真空チャンバ内に存在する場合、約１０^−４ｍｂａｒから約１０^−７ｍｂａｒまでの範囲であってよい。

さらに、図６に例示的に示すように、装置は、搬送設備を有する少なくとも１つのさらなるチャンバ２０２を含み得る。少なくとも１つのさらなるチャンバ２０２は、回転モジュール、輸送モジュール、またはこれらの組み合わせであり得る。図６に例示的に示されているように、処理チャンバ２０１内に、堆積源アセンブリ７３０が設けられていることができる。堆積源アセンブリ７３０は、軌道または直線ガイド部２２２上に設けられていることができる。直線ガイド部２２２は、堆積源アセンブリ７３０の並進運動用に構成されていてよい。さらに、堆積源アセンブリ７３０の並進運動を提供するための駆動部を設けることができる。具体的には、堆積源アセンブリ７３０の非接触搬送用の装置が設けられていてよい。

例示的に図６を参照すると、本書に記載の任意の他の実施形態と組み合わされ得る実施によれば、堆積源アセンブリ７３０は、蒸発るつぼ２２１及び、分配アセンブリを有する堆積源５２０を支持する、支持体１６０、例えば堆積源カートを含んでいてよい。支持体１６０は、線形ガイド部２２２に沿った堆積源アセンブリ７３０の並進運動用に構成されていることができる。堆積源カートが、蒸発るつぼ２２１及び、蒸発るつぼ２２１上に設けられた分配アセンブリを支持していることができる。その結果、蒸発るつぼ２２１内に生成された蒸気は、上に向かって動き、分配アセンブリの１つ以上の排出口から外に動くことができる。このように、分配アセンブリは、蒸発させた有機材料、具体的には蒸発させた堆積源材料のプルームを分配アセンブリから基板へ供給するように構成されている。

図６に例示的に示されているように、処理チャンバ２０１はゲートバルブ２１５を有していてよく、真空処理チャンバは、このゲートバルブ２１５を介して、例えばルーティングモジュールといった隣接するさらなるチャンバ２０２、または隣接するサービスモジュールに接続されることができる。具体的には、ゲートバルブ２１５によって、例えば隣接するさらなるチャンバに対する真空シールが可能になり、このゲートバルブ２１５は、真空処理チャンバとの間で基板及び／またはマスクを出し入れするために開け閉めすることが可能である。

図６を例示的に参照すると、本書に記載の他のいずれの実施形態とも組み合わされ得る実施形態によれば、２つの基板、例えば第１の基板１０Ａ及び第２の基板１０Ｂを、本書に記載の各第１の軌道の設備２１０といった、各搬送軌道上で支持することができる。さらに、キャリアを設けるため、２つの軌道、例えば本書に記載の２つの第２の軌道の設備２２０が設けられ得る。具体的には、基板キャリア及び／またはマスクキャリアの搬送用の軌道は、図５Ａ及び図５Ｂを例示的に参照して本書に記載されている非接触搬送用に、構成されていてよい。

本書に記載の任意の他の実施形態と組み合わされ得る実施形態によると、基板のコーティングは、各マスク、例えばエッジ除外マスクまたはシャドウマスクによって、基板をマスクすることを含んでいてよい。ある実施形態によれば、マスク、例えば第１の基板１０Ａに対応する第１のマスク２０Ａ、及び第２の基板１０Ｂに対応する第２のマスク２０Ｂが、各マスク設備内に設けられ、例えば例示的に図６に示すように、マスク、例えば第１のマスク２０Ａ及び第２のマスク２０Ｂを所定の位置で保持する。

本書に記載の他の実施形態と組み合わされ得る実施形態によれば、基板は、本書に記載の位置合わせシステム（図６には図示せず）に接続されていることができる、基板キャリア２２０によって支持される。位置合わせシステムは、基板の位置をマスクに対して調整するように構成されていることができる。有機材料の堆積中に、基板とマスクとの間で正確な位置合わせを行うために、基板をマスクに対して移動できることは、理解されるべきである。本書に記載の他の実施形態と組み合わされ得るさらなる実施形態によると、代わりにまたはさらに、マスクフレームを保持するマスクキャリアを、位置合わせシステムに接続することができる。本書に記載の他の実施形態と組み合わされ得るさらなる実施形態によると、代わりにまたはさらに、マスクを保持しているマスクフレームを、位置合わせシステムに接続することができる。結果として、マスクを基板に対して位置決めすることができるか、あるいはマスクと基板の双方を互いに対して位置決めすることができる。本書に記載の位置合わせシステムによって、堆積処理中のマスキングの正確な位置合わせが可能になってよい。このことは、高品質のＯＬＥＤディスプレイ製造にとって有益である。

本書に記載の任意の他の実施形態と組み合わされ得る実施形態によると、真空処理システムは、大面積基板を処理するように構成されている。例えば、本書に記載の「大面積基板」は、少なくとも０．０１ｍ^２、具体的には少なくとも０．１ｍ^２、さらに具体的には少なくとも０．５ｍ^２のサイズを有していることができる。例えば、大面積基板またはキャリアは、約０．６７ｍ^２の基板（０．７３×０．９２ｍ）に相当するＧＥＮ４．５、約１．４ｍ^２の基板（１．１ｍ×１．３ｍ）に相当するＧＥＮ５、約４．２９ｍ^２の基板（１．９５ｍ×２．２ｍ）に相当するＧＥＮ７．５、約５．７ｍ^２の基板（２．２ｍ×２．５ｍ）に相当するＧＥＮ８．５であってよく、またはさらに約８．７ｍ^２の基板（２．８５ｍ×３．０５ｍ）に相当するＧＥＮ１０でさえあってよい。ＧＥＮ１１及びＧＥＮ１２のようなさらに次の世代、並びにそれに相当する基板面積を、同様に実装することができる。その結果、基板は、ＧＥＮ１、ＧＥＮ２、ＧＥＮ３、ＧＥＮ３．５、ＧＥＮ４、ＧＥＮ４．５、ＧＥＮ５、ＧＥＮ６、ＧＥＮ７、ＧＥＮ７．５、ＧＥＮ８、ＧＥＮ８．５、ＧＥＮ１０、ＧＥＮ１１、及びＧＥＮ１２からなる群から選択することができる。具体的には、基板は、ＧＥＮ４．５、ＧＥＮ５、ＧＥＮ７．５、ＧＥＮ８．５、ＧＥＮ１０、ＧＥＮ１１、及びＧＥＮ１２、またはさらに次の世代の基板からなる群から選択することができる。さらに、基板の厚さは、０．１から１．８ｍｍ、具体的には約０．９ｍｍ以下、例えば０．７ｍｍまたは０．５ｍｍであることができる。

本開示では、「基板」または「大面積基板」という用語は、ガラスプレートまたは金属プレートといった、非フレキシブル基板を具体的に含むものとする。しかし、本開示はこれらに限定されず、「基板」という用語は、ウェブやホイルといったフレキシブル基板もまた包含し得る。ある実施形態によれば、基板は、材料の堆積に適した任意の材料から作られていることができる。例えば、基板は、ガラス（例えばソーダ石灰ガラス、ホウケイ酸ガラスなど）、金属、ポリマー、セラミック、複合材料、炭素繊維材料、マイカ、または、堆積処理によってコーティングできる任意の他の材料もしくは材料の組合せからなる群から選択された、材料から作られたものであることができる。

本書に記載の任意の他の実施形態と組み合わされ得る実施形態によると、真空処理システムは、垂直基板を処理するように構成されている。「垂直基板処理」という表現は、基板をほぼ垂直な配向（ほぼ垂直＝垂直±１５°）で処理するように、装置が構成されているものとして理解され得る。本開示全体を通じて使用される場合、「垂直方向（ｖｅｒｔｉｃａｌ ｄｉｒｅｃｔｉｏｎ）」または「垂直配向（ｖｅｒｔｉｃａｌ ｏｒｉｅｎｔａｔｉｏｎ）」という用語は、「水平方向（ｈｏｒｉｚｏｎｔａｌ ｄｉｒｅｃｔｉｏｎ）」または「水平配向（ｈｏｒｉｚｏｎｔａｌ ｏｒｉｅｎｔａｔｉｏｎ”）」と区別するためのものと理解される。

例示的に図７を参照すると、真空処理システムにおいてデバイスを非接触搬送するための方法３００が記載されている。本方法は、デバイスを浮上させるために調整可能な磁場を生成すること（ブロック３１０）と、センサを用いてデバイスの動きをモニタリングすること（ブロック３２０）と、センサが提供する信号に基づいて、調整可能な磁場を制御すること（ブロック３３０）を含む。具体的には、デバイスを非接触搬送するための方法３００は、本書に記載の実施形態による非接触搬送用の装置１００を用いることを含む。

本書に記載の任意の他の実施形態と組み合わされ得る実施形態によると、方法３００は、さらなるセンサを使って、デバイスに接続された供給設備の動きをモニタリングすること（ブロック３４０）をさらに含む。

本書に記載の任意の他の実施形態と組み合わされ得る実施形態によると、調整可能な磁場を制御すること（ブロック３３０）は、検出されたデバイスのクリティカルな動作が低減される、具体的には減衰されるか抑制されるように、調整可能な磁場を調節することを含む。

図１から図５Ｂまでを参照して例示的に記載された非接触搬送用の装置１００の実施形態に関連して記載されている特徴が、本書に記載のデバイスを非接触搬送する方法３００にもまた適用可能であることは、理解されるべきである。本書に記載の方法の実施形態は、本書に記載の装置の実施形態のうちのいずれを用いても、実施することができる。反対に、本書に記載の装置の実施形態は、本書に記載の方法の実施形態のうちのいずれを実施するのにも、適合している。

上記の観点から、本書に記載の実施形態によって、有益に、基板処理用の処理システム内で使用されるデバイスの搬送の制御の向上を提供し得る装置、処理システム、及び方法の改良がもたらされるということは、理解されるべきである。

具体的には、本書に記載の実施形態によって、有益に、真空処理システムにおける移動可能なデバイスのクリティカルな動き、例えば振動または震えを低減する機能が提供される。例えば、本書に記載の実施形態は、具体的には、供給設備、例えば媒質供給構造物、及び／または電力供給構造物が接続されている移動可能なデバイスにとって、有益であり得る。なぜならば、供給構造物の励起が低減され得る、具体的には減衰または抑制され得るか、回避さえされ得るからである。供給構造物の励起の低減、減衰、または回避は、特に有益であり得る。なぜならば、供給設備が励起されることによって、供給設備が接続されているデバイスの動作の平滑さに乱れが生じ得るからである。したがって、本開示の実施形態は、処理システムで使用される移動可能なデバイスの動作の平滑さが向上し得るという利点を有している。例えば、移動可能なデバイスが堆積源アセンブリである場合、堆積源アセンブリのクリティカルな動作の低減、あるいはさらには根絶によって、より均一で均質的なコーティング結果を得ることができるという利点を有している。その結果、例えばＯＬＥＤといったディスプレイ装置の、処理結果の向上、即ち製品品質の向上を達成することができる。さらに、供給構造物の励起を低減、減衰するか、または回避さえすることによって、供給構造物を形成している要素間のリンク及び接続部にかかる応力が少なくなり、それによって供給構造物、具体的にはシーリング及びベアリングの寿命を伸ばすことができる。

以上の説明は本開示の実施形態を対象としているが、本開示の基本的な範囲を逸脱することなく本開示の他のさらなる実施形態を考案することができ、本開示の範囲は、以下の特許請求の範囲によって定められる。

具体的には、本明細書では実施例を用いて、ベストモードを含めて本開示を開示しており、また任意のデバイスまたはシステムを作製及び使用すること、並びに組み込まれている任意の方法を実施することを含めて、当業者が記載の主題を実施することを可能にしている。ここまで様々な具体的な実施形態を開示してきたが、上記の実施形態の相互に非排他的な諸特徴は、互いに組み合わせられてよい。特許性を有する範囲は特許請求の範囲によって規定されているが、その他の実施例は、それが特許請求の範囲の文字どおりの文言と相違しない構造要素を有する場合、または特許請求の範囲の文字どおりの文言とは実質的に相違しない等価の構造要素を含む場合には、特許請求の範囲内にあるものとする。

Claims (15)

1. 真空処理システムにおけるデバイス（１２０）の非接触搬送用の装置（１００）であって、
   前記デバイス（１２０）を浮上させるための磁気浮上力（Ｆ_Ｌ）を提供し、１つ以上のアクティブ磁気ユニット（１５０）を備える磁気式搬送設備（１２５）と、
   前記デバイス（１２０）の動作をモニタリングするためのセンサ（１４０）と、
   真空チャンバの壁を通して前記デバイス（１２０）に接続された供給通路を備える供給設備（１８０）であって、前記デバイス（１２０）に媒質供給または電力供給を提供する供給設備（１８０）と、
   前記センサ（１４０）により検出される前記デバイス（１２０）のクリティカルな動作と前記供給設備（１８０）の励振とが低減されるように、前記センサ（１４０）が提供する信号に基づいて、前記１つ以上のアクティブ磁気ユニット（１５０）を制御するように構成されたコントローラ（５８０）とを備える装置（１００）。
2. 前記センサ（１４０）は加速度センサである、請求項１に記載の装置（１００）。
3. 前記センサ（１４０）は、前記デバイス（１２０）及び／または前記デバイスの支持体（１６０）に装着されている、請求項１または２に記載の装置（１００）。
4. 前記コントローラ（５８０）は、前記デバイス（１２０）のクリティカルな動作が減衰されるように、前記１つ以上のアクティブ磁気ユニット（１５０）を制御するように構成されている、請求項１から３のいずれか一項に記載の装置（１００）。
5. 前記デバイス（１２０）が、処理デバイス、堆積源アセンブリ、及びキャリアアセンブリからなる群から選択される少なくとも１つのデバイスである、請求項１から４のいずれか一項に記載の装置（１００）。
6. 前記１つ以上のアクティブ磁気ユニット（１５０）は、電磁デバイス、ソレノイド、コイル、超電導磁石、及びこれらの任意の組み合わせからなる群から選択される少なくとも１つの要素を含む、請求項１から５のいずれか一項に記載の装置。
7. 前記磁気式搬送設備のガイド構造物に、前記１つ以上のアクティブ磁気ユニット（１５０）が設けられている、請求項１から６のいずれか一項に記載の装置。
8. 前記デバイス、及び／または前記デバイスの支持体に、前記１つ以上のアクティブ磁気ユニット（１５０）が設けられている、請求項１から７のいずれか一項に記載の装置。
9. 前記１つ以上のアクティブ磁気ユニット（１５０）が、前記デバイスの第１の面に配設された第１のアクティブ磁気ユニット（７４１）及び、前記支持体の前記第１の面とは反対側の、前記デバイスの第２の面に配設された第２のアクティブ磁気ユニット（７４２）を備え、前記第１のアクティブ磁気ユニット及び前記第２のアクティブ磁気ユニットは、前記デバイスの第１の回転軸（７３４）を中心にして前記デバイスを回転するように構成されている、請求項８に記載の装置（１００）。
10. 前記１つ以上のアクティブ磁気ユニット（１５０）が、前記支持体（１６０）の前記第１の面に配設された第３のアクティブ磁気ユニット（７４７）、及び前記支持体（１６０）の前記第２の面に配設された第４のアクティブ磁気ユニット（７４８）をさらに備え、前記第１のアクティブ磁気ユニット（７４１）、前記第２のアクティブ磁気ユニット（７４２）、前記第３のアクティブ磁気ユニット（７４７）、及び前記第４のアクティブ磁気ユニット（７４８）が、前記第１の回転軸（７３４）を中心にして、及び前記第１の回転軸（７３４）に垂直である第２の回転軸（７６７）を中心にして、前記デバイスを回転するように構成されている、請求項９に記載の装置（１００）。
11. 前記供給設備（１８０）が、前記供給設備（１８０）の動作をモニタリングするためのさらなるセンサ（１４５）を備え、
    前記コントローラ（５８０）が、前記さらなるセンサ（１４５）が提供する信号に基づいて前記１つ以上のアクティブ磁気ユニット（１５０）を制御するように構成されている、請求項１から１０のいずれか一項に記載の装置（１００）。
12. 真空処理システムにおける処理デバイスの非接触搬送用の装置（１００）であって、
    １つ以上のアクティブ磁気ユニット（１５０）を備える、前記処理デバイス用の支持体（１６０）と、
    前記処理デバイスの搬送方向に延びるガイド構造物（７７０）であって、前記１つ以上のアクティブ磁気ユニット（１５０）及び前記ガイド構造物（７７０）が前記処理デバイスを浮上させるための磁気浮上力（Ｆ_Ｌ）を提供するように構成されているガイド構造物（７７０）と、
    前記処理デバイスの動作をモニタリングするためのセンサ（１４０）と、
    真空チャンバの壁を通して前記処理デバイス（１２０）に接続された供給通路を備える供給設備（１８０）であって、前記デバイス（１２０）に媒質供給または電力供給を提供する供給設備（１８０）と、
    前記センサに接続されたコントローラ（５８０）であって、前記センサ（１４０）が検出する前記処理デバイスのクリティカルな動作と前記供給設備（１８０）の励振とが低減されるようにして、前記センサ（１４０）が提供する信号に基づいて前記１つ以上のアクティブ磁気ユニット（１５０）を制御するように構成されたコントローラ（５８０）とを備える、装置（１００）。
13. 基板を処理するための真空処理システム（２００）であって、
    内部で前記基板を処理するのに適合している処理チャンバ（２０１）と、
    請求項１から１２のいずれか一項に記載の装置（１００）とを備える、真空処理システム（２００）。
14. 真空処理システムにおいてデバイスを非接触搬送するための方法であって、
    前記デバイスを浮上させるための調整可能な磁場を生成することであって、前記デバイスは真空チャンバの壁を通過する供給通路を介して供給設備に接続され、前記供給設備は前記デバイスに媒質供給または電力供給を提供する、生成することと、
    センサを使って前記デバイスの動作をモニタリングすることと、
    前記供給設備の励振を低減するために、前記センサが提供する信号に基づいて、前記調整可能な磁場を制御することとを含む、方法。
15. さらなるセンサを用いて、デバイスに接続された前記供給設備の動きをモニタリングすることをさらに含み、前記調整可能な磁場を制御することが、検出されるデバイスのクリティカルな動作が低減される、及び／または減衰されるように調整可能な磁場を調節することを含む、請求項１４に記載の方法。
    

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