JP2018148194A - 雰囲気が制御された移送モジュール及び処理システム - Google Patents

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Abstract

【課題】デバイス構造物の酸化を妨げるための改良された装置及び方法を提供する。【解決手段】基板を処理するための方法及び装置であって、移送チャンバ２０４、２０８に連結されたロードロックチャンバ２０２、２０６を含む。移送チャンバは、熱処理チャンバ１１６に連結され、ロードロックチャンバ、移送チャンバ及び熱処理チャンバの各々の間で、基板２３０が移送される。ロードロックチャンバ、移送チャンバ及び熱処理チャンバを有する処理プラットフォームにおいて、移送チャンバの排気を介してロードロックチャンバ内の酸素濃度を測定する。【選択図】図２

Description

本開示の実施態様は、広くは、基板処理及び移送装置に関する。特に、本明細書で説明される実施態様は、雰囲気が制御された移送モジュール及び処理システムに関する。
サブハーフミクロン及びより小さな特徴を確実に生産することが、半導体デバイスの次世代の超大規模集積（ＶＬＳＩ）及び極超大規模集積（ＵＬＳＩ）に対する主要な技術的挑戦の１つである。しかし、回路技術の限界が押し上げられたので、ＶＬＳＩ及びＵＬＳＩ技術の寸法が縮小され、加えて処理能力が要求されることとなった。
先進ノードデバイス、金属、及びバリア層の材料は、しばしば、接触統合スキームにおいて利用される。しかし、接触統合スキームにおいて利用される金属及び誘電体などの様々な材料の酸化は、接触構造物材料の接着問題及びディウェッティング（ｄｅ‐ｗｅｔｔｉｎｇ）をもたらし得る。様々な材料の酸化は、接触抵抗も増加させ得る。結果として、接触構造物の乏しい接着と高められた接触抵抗が、デバイス故障による乏しいデバイス性能をもたらし得る。
したがって、当該技術分野で必要とされるのは、デバイス製造の様々な段階の間においてデバイス構造物の酸化を妨げるための改良された装置及び方法である。
一実施態様では、基板処理装置が、ファクトリインターフェースと、ほぼ大気圧において実質的に不活性な環境を生成するための基板移送モジュールとを含む。基板移送モジュールは、ファクトリインターフェースに連結されたロードロックチャンバであって、処理空間を画定するチャンバ本体と処理空間に流体連通したパージガスポートとを有する、ロードロックチャンバ、及びロードロックチャンバに連結された移送チャンバを含む。複数の処理チャンバを備えた処理モジュールも、基板移送モジュールに連結されている。
別の一実施態様では、基板処理装置が、ファクトリインターフェースを含み、ファクトリインターフェースは、第１の移送チャンバを備え、第１の移送チャンバは、内部に配置された第１のロボットを有する。装置は、ほぼ大気圧において実質的に不活性な環境を生成するための基板移送モジュールも含む。基板移送モジュールは、第１の移送チャンバに連結されたロードロックチャンバと、内部に配置された第２のロボットを有する第２の移送チャンバとを備え、第２の移送チャンバは、ロードロックチャンバに連結されている。装置は、基板移送モジュールに連結された処理モジュールも含み、処理モジュールは処理チャンバを備え、処理チャンバは第２の移送チャンバに連結されている。
別の一実施態様では、基板処理装置が、ファクトリインターフェースを含み、ファクトリインターフェースは、第１の移送チャンバを含み、第１の移送チャンバは、内部に配置された第１のロボットを有し、第１の移送チャンバには、複数のフープ（ＦＯＵＰ：ｆｒｏｎｔ ｏｐｅｎｉｎｇ ｕｎｉｆｉｅｄ ｐｏｄ）が連結されている。装置は、ほぼ大気圧において実質的に不活性な環境を生成するための基板移送モジュールも含む。基板移送モジュールは、第１の移送チャンバに連結された雰囲気ロードロックチャンバと、内部に配置された第２のロボットを有する第２の移送チャンバとを備え、第２の移送チャンバは、ロードロックチャンバに連結されている。装置は、基板移送モジュールに連結された処理モジュールも含み、処理モジュールは、レーザ熱処理チャンバを備え、レーザ熱処理チャンバは、第２の移送チャンバに連結されている。
別の一実施態様では、基板移送装置が、ほぼ大気圧において実質的に不活性な環境を生成するためのロードロックチャンバを備えている。ロードロックチャンバは、処理空間を画定するチャンバ本体、処理空間内に配置されたペデスタル、ペデスタルに対向してチャンバ本体に連結された蓋、蓋を通って配置されたパージガスポート、及びペデスタルに隣接しパージガスポートに対向してチャンバ本体内に配置された排気ポートを備えている。装置は、ロードロックチャンバに連結された、ほぼ大気圧において実質的に不活性な環境を生成するための移送チャンバも含む。移送チャンバは、移送空間を画定するチャンバ本体、移送空間内に配置されたロボット、チャンバ本体内に配置された複数のパージガスポート、及び複数のパージガスポートとは反対側のチャンバ本体内に配置された排気ポートを備えている。
別の一実施態様では、基板処理装置が、ほぼ大気圧において実質的に不活性な環境を生成するためのロードロックチャンバを備えている。ロードロックチャンバは、処理空間を画定するチャンバ本体、処理空間内に配置されたペデスタル、ペデスタル内に配置された流体導管、ペデスタルの円周に沿って形成された複数の凹部、及び処理空間内に配置された複数のリフトピンであって、各々が一又は複数の凹部に隣接して配置された、リフトピンを備えている。装置は、ペデスタルに対向してチャンバ本体に連結された蓋、蓋の中央領域において蓋に連結されたディフューザープレートであって、蓋の底面の一部分がディフューザープレートから半径方向外向きに延在するようにテーパが付けられた、ディフューザープレート、ディフューザープレートを通って配置されたパージガスポート、及びペデスタルに隣接しパージガスポートに対向してチャンバ本体内に配置された排気ポートも含む。
別の一実施態様では、基板移送装置が、ロードロックチャンバに連結された、ほぼ大気圧において実質的に不活性な環境を生成するための移送チャンバを備えている。移送チャンバは、移送空間を画定するチャンバ本体、チャンバ本体に連結された光学的に透明な蓋、及び移送空間内に配置されたロボットであって、ロボットのブレードが石英から製造された、ロボットを備えている。装置は、チャンバ本体内に配置された複数のパージガスポート、パージガスポートから延在する複数のディフューザー、複数のパージガスポートとは反対側のチャンバ本体内に配置された排気ポート、排気ポートに連結された排気導管、及び排気導管と排気ポートを介して移送空間に流体連通した酸素センサも含む。
別の一実施態様では、プラットフォーム装置が、第１のファクトリインターフェース、第１のファクトリインターフェースに連結された第２のファクトリインターフェース、及び第１のファクトリインターフェースと第２のファクトリインターフェースとの間に配置されたトンネルチャンバであって、移送チャンバと複数のロードロックチャンバを備えた、トンネルチャンバを備えている。装置は、第１のファクトリインターフェースに連結された第１の移送モジュール、第１の移送モジュールに連結された処理モジュール、第２のファクトリインターフェースに連結された中央移送チャンバ、及び中央移送チャンバに連結された複数の処理チャンバであって、少なくとも１つが第２の移送モジュールによって中央移送チャンバに連結された、複数の処理チャンバも含む。
一実施態様では、プラットフォーム装置が、第１のファクトリインターフェース、第１のファクトリインターフェースに連結された移送モジュール、移送モジュールに連結された処理モジュール、第２のファクトリインターフェース、及び第２のファクトリインターフェースに連結された中央移送チャンバを備えている。装置は、第１のファクトリインターフェースと中央移送チャンバとの間に配置されたトンネルチャンバであって、移送チャンバと複数のロードロックチャンバを備えた、トンネルチャンバも含む。装置は、中央移送チャンバに連結された複数の処理チャンバも含む。
一実施態様では、基板処理方法が、第１のチャンバから第２のチャンバへ基板を移送すること、第１のチャンバの環境から第２のチャンバの環境を分離させること、第２のチャンバの環境から酸化剤を除去すること、及び第２のチャンバ内の基板を冷却することを含む。方法は、第１のチャンバと第２のチャンバとの間のスリットバルブを開くこと、第１のチャンバの環境を排気すること、及び第１のチャンバの排気を分析して、第２のチャンバの環境の酸素濃度を判定することも含む。
一実施態様では、基板処理方法が、移送チャンバからロードロックチャンバへ基板を移送すること、移送チャンバとロードロックチャンバとの間のスリットバルブを閉じて、移送チャンバの環境からロードロックチャンバの環境を分離させること、ロードロックチャンバの環境から酸化剤を除去すること、及びロードロックチャンバ内の基板を冷却することを含む。方法は、移送チャンバとロードロックチャンバとの間のスリットバルブを開くこと、スリットバルブが開いている間に移送チャンバの環境を排気すること、及び移送チャンバの排気を分析して、基板を冷却している間のロードロックチャンバの環境の酸素濃度を判定することも含む。
一実施態様では、基板移送方法が、処理チャンバから移送チャンバへ基板を移送すること、移送チャンバからロードロックチャンバへ基板を移送すること、及び移送チャンバとロードロックチャンバとの間のスリットバルブを閉じて、移送チャンバの環境からロードロックチャンバの環境を分離させることを含む。方法は、ロードロックチャンバの環境から酸化剤を除去すること、ロードロックチャンバ内の基板を冷却すること、移送チャンバとロードロックチャンバとの間のスリットバルブを開くこと、スリットバルブが開いている間に移送チャンバの環境を排気すること、及び移送チャンバの排気を分析して、基板を冷却している間のロードロックチャンバの環境の酸素濃度を判定することも含む。
本開示の上述の特徴を詳細に理解できるように、上記で簡単に要約されている本開示のより詳細な説明が、実施態様を参照することによって得られ、実施態様の一部は付随する図面に示されている。しかし、付随する図面は本開示の典型的な実施態様しか例示しておらず、したがって、本開示の範囲を限定すると見なすべきではなく、他の等しい有効な実施態様を含み得ることに留意されたい。
本明細書で説明される実施態様による、処理システムの概略的な上面図を示す。 本明細書で説明される実施態様による、基板移送モジュールの概略的な斜視図を示す。 本明細書で説明される実施態様による、移送チャンバの概略的な斜視図を示す。 本明細書で説明される実施態様による、図３の移送チャンバの概略的な部分斜視図を示す。 本明細書で説明される実施態様による、ロードロックチャンバの概略的な断面図を示す。 図６Ａは、本明細書で説明される実施態様による、図５のロードロックチャンバの概略的な部分斜視図を示す。図６Ｂは、本明細書で説明される実施態様による、図６Ａのロードロックチャンバのリフトピンの概略的な断面図を示す。図６Ｃは、本明細書で説明される実施態様による、図６Ａのロードロックチャンバの基板支持特徴の概略的な断面図を示す。 本明細書で説明される実施態様による、処理システムの概略的な上面図を示す。 本明細書で説明される実施態様による、処理システムの概略的な上面図を示す。 本明細書で説明される実施態様による、処理プラットフォームの概略図を示す。 本明細書で説明される実施態様による、処理プラットフォームの概略図を示す。 本明細書で説明される実施態様による、ロードロックチャンバ内に基板を移送し酸素濃度を測定するための方法の動作を示す。
理解を容易にするために、可能な場合には、複数の図に共通する同一の要素を指し示すために同一の参照番号を使用した。一実施態様の要素及び特徴は、更なる記述がなくとも、他の実施態様に有益に組み込まれ得ると、想定されている。
基板を処理するための方法及び装置が、本明細書で提供される。一実施態様では、装置が、移送チャンバに連結された、雰囲気が制御されたロードロックチャンバを含む。移送チャンバは、熱処理チャンバに連結され得る。そのような場合では、ロードロックチャンバ、移送チャンバ、及び熱処理チャンバの各々の間で、基板が移送される。他の実施態様では、雰囲気が制御されたロードロックチャンバ、移送チャンバ、及び熱処理チャンバを有する処理プラットフォームが開示される。移送チャンバからの排気ガスを分析することによって、ロードロックチャンバ内の酸素濃度を測定する方法も、本明細書で説明される。
図１は、本明細書で説明される実施態様による、処理システム１００の概略的な上面図を示している。処理システム１００は、ファクトリインターフェース１０２、基板移送モジュール１０４、及び処理モジュール１０６を含む。ファクトリインターフェース１０２は、ファクトリインターフェース（ＦＩ）移送チャンバ１１０を含み、ＦＩ移送チャンバは、１以上のフープ（ＦＯＵＰ）１０８と相互作用するように構成されている。一実施態様では、ＦＩ移送チャンバ１１０が、ＦＯＵＰ１０８と基板移送モジュール１０４との間で基板を移送する、内部に配置された単一のロボットを有する。別の一実施態様では、ＦＩ移送チャンバ１１０が、内部に配置された複数のロボット、例えば、２つのロボットを有する。この実施態様では、ロボットの各々が、ＦＯＵＰ１０８のうちの１つから基板移送モジュール１０４の専用部分へ基板を移送する。
基板移送モジュール１０４は、１以上のロードロックチャンバ１１２と１以上の移送チャンバ１１４を含む。示されている実施態様では、基板移送モジュール１０４が、２つのロードロックチャンバ１１２と２つの移送チャンバ１１４を含むが、より多い又はより少ない数のロードロックチャンバ１１２と移送チャンバ１１４の組が、処理システム１００内で使用され得ると考えられる。
各ロードロックチャンバ１１２は、ロードロックチャンバ１１２の第１の側でＦＩ移送チャンバ１１０に連結され、各移送チャンバ１１４は、ロードロックチャンバ１１２の第１の側とは反対側のロードロックチャンバ１１２の第２の側で、それぞれのロードロックチャンバ１１２に連結されている。各移送チャンバ１１４の第１の側は、それぞれのロードロックチャンバ１１２に連結されている。移送チャンバ１１４は、内部に配置されたロボットを有し、移送チャンバ１１４は、ロードロックチャンバ１１２と動作可能に通じている。例えば、基板が、移送チャンバ１１４とロードロックチャンバ１１２との間で移送され得る。
処理モジュール１０６は、１以上の処理チャンバ１１６を含み、それらの各々が、移送チャンバ１１４の第１の側とは反対側の移送チャンバ１１４の第２の側で、それぞれの移送チャンバ１１４に連結されている。示されている実施態様では、処理モジュール１０６が、２つの処理チャンバ１１６を含むが、より多い数の処理チャンバが処理モジュール１０６内で使用され得ると考えられる。様々なチャンバが、図１で示されているような直線的配置ではない構成で、連結され得ることに注意すべきである。したがって、様々な連結が、必ずしも反対側ではないチャンバの位置及び側部で行われ得る。
一実施態様では、処理チャンバ１１６が、熱処理チャンバ、例えば、急速熱処理チャンバである。特定の実施態様では、処理チャンバ１１６が、レーザ熱処理チャンバである。レーザ熱処理チャンバの一例は、カリフォルニア州サンタクララのアプライドマテリアルズ社から購入可能なＡＳＴＲＡ（米国登録商標）熱処理ツールである。代替的な実施態様では、処理チャンバ１１６が、ランプベース熱処理チャンバである。ランプベース熱処理チャンバの例は、それらの全てがカリフォルニア州サンタクララのアプライドマテリアルズ社から購入可能な、ＲＡＤＩＡＮＣＥ（登録商標）、ＲＡＤＩＡＮＣＥ（登録商標）ＰＬＵＳ、及びＶＵＬＣＡＮ（米国登録商標）を含む。他の製造業者からの他のツールが、本明細書で説明される実施態様に従って有利に実装され得ることも考慮されたい。上述の実施態様に加えて、所望の実施態様に応じて、処理チャンバ１１６が、エッチングチャンバ、堆積チャンバ、又は洗浄チャンバであってもよいと考えられる。
動作では、処理されるべき基板が、ＦＯＵＰ１０８を介してファクトリインターフェース１０２へ搬送される。ＦＩ移送チャンバ１１０内のロボットが、ＦＯＵＰ１０８から基板を除去し、ロードロックチャンバ１１２へ基板を移送する。移送チャンバ１１４内に配置されたロボットは、ロードロックチャンバ１１２から基板を回収し、基板が処理される処理チャンバ１１６へ基板を移送する。処理の後で、移送チャンバ１１４内のロボットが、処理チャンバ１１６から基板を回収し、ロードロックチャンバ１１２へ基板を移送する。その後、ＦＩ移送チャンバ１１０内のロボットが、ロードロックチャンバ１１２から基板を回収し、ＦＯＵＰ１０８へ基板を戻す。
処理チャンバ１１６が熱処理チャンバである実施態様では、基板が、ファクトリインターフェース１０２へ移送される前に、ロードロックチャンバ１１２内で冷却され得る。様々なチャンバが、チャンバの間の（図示せぬ）密封ドアの使用によって適切な時間に互いから分離される。密封ドアは、チャンバの間の基板の通過のために適切な時間に開かれる。
図２は、本明細書で説明される実施態様による、基板移送モジュール１０４の概略的な斜視図を示している。示されている基板移送モジュール１０４は、第１の移送チャンバ２０４に連結された第１のロードロックチャンバ２０２と、第２の移送チャンバ２０８に連結された第２のロードロックチャンバ２０６を含む。第１のロードロックチャンバ２０２と第１の移送チャンバ２０４は、基板移送モジュール１０４のうちの１つを画定し、第２のロードロックチャンバ２０６と第２の移送チャンバ２０８は、基板移送モジュール１０４のうちの別の１つを画定する。したがって、示されている実施態様は、一組の基板移送モジュール１０４を示している。第１及び第２のロードロックチャンバ２０２、２０６と第１及び第２の移送チャンバ２０４、２０８は、図１に関して説明されたロードロックチャンバ１１２と移送チャンバ１１４にそれぞれ類似している。
ロードロックチャンバ１１２は、内部に基板を収容するようにサイズ決定された（図示せぬ）処理空間を画定するチャンバ本体２１０を含む。チャンバ本体２１０は、他のサイズと比較してとりわけ、２００ｍｍ直径、３００ｍｍ直径、又は４５０ｍｍ直径などの、変動する直径を有する基板を収容するようにサイズ決定され得る。チャンバ本体２１０は、アルミニウム、ステンレススチール、及びそれらの組み合わせなどの、金属材料から形成されている。一実施態様では、チャンバ本体２１０が、アルミニウムビレットから機械加工されている。
本体２１０内に形成された第１のスリットバルブ２１２は、そこを通る基板の通過を受け入れるようにサイズ決定されている。第１のスリットバルブ２１２は、ファクトリインターフェース１０２（図１参照）と嵌合するように構成されており、第１のスリットバルブドア２１４が、第１のスリットバルブ２１２に隣接して本体２１０に連結されている。動作では、第１のスリットバルブドア２１４が、第１のスリットバルブ２１２を開閉し、ファクトリインターフェース１０２内に配置されたロボットによるロードロックチャンバ１１２へのアクセスを可能にする。ロードロックチャンバ１１２は、第１のスリットバルブ２１２とは反対側のチャンバ本体２１０内に配置された（図示せぬ）第２のスリットバルブも含む。第２のスリットバルブドア２１６が、第２のスリットバルブに隣接して本体２１０に連結され、第２のスリットバルブを開閉する。（図５に関連して以下でより詳細に説明される）第２のスリットバルブは、移送チャンバ１１４に隣接して配置されている。パージガス導管２１８も、チャンバ本体２１０に連結され、処理空間に流体連通している。
図２の実施態様でロードロックチャンバ１１２に直接的に連結された移送チャンバ１１４は、チャンバ本体２２０、チャンバ本体２２０内に配置されたロボット２２４、及び蓋２２２を含む。チャンバ本体２２０は、アルミニウム、ステンレススチール、及びそれらの組み合わせなどの、金属材料から形成されている。特定の実施態様では、ロードロックチャンバ１１２に類似して、チャンバ本体２２０がアルミニウムビレットから製造されている。ロボット２２４は、ロードロックチャンバ１１２と処理チャンバ１１６との間で、示されている基板２３０などの、基板を移送するように構成されている。結果として、ロボットの到達範囲は、移送動作において基板を配置及び回収するために、ロードロックチャンバ１１２と処理チャンバ１１６の中へ延伸するのに十分である。
蓋２２２は、チャンバ本体２２０の上部に除去可能に連結されている。一実施態様では、蓋２２２が、光学的に透明な又は主として光学的に透明な材料から形成され、移送チャンバ１１４の内側の視認を可能にしている。一実施態様では、蓋２２２が、ポリカーボネートなどのポリマー材料から形成されている。示されてはいないが、移送チャンバ１１４の本体２２０内に複数の開孔が形成されており、そこを通る基板２３０の通過を可能にしている。複数のエルシーエフ（ＬＣＦ：ｌｏｃａｌ ｃｅｎｔｅｒ ｆｉｎｄｉｎｇ）センサ２２６、２２８も、チャンバ本体２２０に連結されている。ＬＣＦセンサは、開孔と光学的に連結され、移送チャンバ１１４の基板通過を視認する。
第１のＬＣＦセンサ２２６は、ロードロックチャンバ１１２に隣接してチャンバ本体２２０に連結され、基板２３０がロードロックチャンバ１１２から移送チャンバ１１４へ移動する際に、基板２３０の位置を検出するように構成されている。第２のＬＣＦセンサ２２８は、第１のＬＣＦセンサ２２６とは反対側で、処理チャンバ１１６に隣接してチャンバ本体２２０に連結されている。第１のＬＣＦセンサ２２６に類似して、第２のＬＣＦセンサは、基板２３０が移送チャンバ１１４から処理チャンバ１１６へ移動する際に、基板２３０の位置を検出するように構成されている。ＬＣＦセンサ２２６、２２８の各々は、それぞれ、移送チャンバ１１４からロードロックチャンバ１１２への、及び、処理チャンバ１１６から移送チャンバ１１４への移送の間にも、基板の位置を検出する。
図３は、本明細書で説明される実施態様による、移送チャンバ１１４の概略的な斜視図を示している。チャンバ本体２２０は、ＬＣＦセンサ２２６、２２８及び蓋２２２を支持する上面３０２を含む。蓋２２２は、蓋２２２に取り付けられた複数のハンドル３０４を有し、チャンバ本体２２０からの蓋２２２の効率的な除去を可能にしている。蓋２２２のために光学的に透明な材料を使用することによって、チャンバ本体２２０内に形成される他の覗き窓が不必要であり、それによって、チャンバ本体の製造プロセスが単純化されると考えられる。更に、ねじ式ファスナなどによってチャンバ本体２２０に連結され得る蓋２２２は、保守が実行される際に容易に除去可能であり、それによって、ダウンタイムを低減させ動作効率を高める。蓋２２２は、適切な固定及び密封システムによってチャンバ本体２２０に連結され得る。一実施態様では、蓋２２２が、複数のねじ３１６によってチャンバ本体２２０に固定され得る。複数のねじ３１６は、蓋２２２の固定を緩めるために外され得る。（図示せぬ）密封部材は、蓋２２２とチャンバ本体２２０との間に配置され、移送チャンバ１１４が動作圧にあるときに、真空密封を提供する。
処理チャンバポートアダプター３０６が、（図示せぬ）処理チャンバ１１６に連結されたチャンバ本体２２０の表面上でチャンバ本体２２０に連結されている。一実施態様では、ポートアダプター３０６が、ボルトなどの複数のファスナによってチャンバ本体２２０に連結されている。取り付けプレート３０８が、ポートアダプター３０６に連結され、移送チャンバ１１４の処理チャンバ１１６への確実な連結を可能にする。取り付けプレート３０８は、ポートアダプター３０６に除去可能に連結され、基板移送モジュール１０４を種々の種類の処理チャンバと共に使用することが望ましい際に、種々のアダプタープレートに交換され得る。
スリットバルブ３１０は、チャンバ本体２２０、ポートアダプター３０６、及び取り付けプレート３０８の各々の内部に形成され、及び、それらを通って延在する開口部である。本明細書で説明される他のスリットバルブに類似して、スリットバルブ３１０は、そこを通る基板２３０の通過を受け入れるようにサイズ決定されている。スリットバルブ３１０は、所望の実施態様に応じて、チャンバ本体２２０又はポートアダプター３０６の何れかに連結されたスリットバルブドア３１２によって開閉される。
図４は、本明細書で説明される実施態様による、図３の移送チャンバ１１４の概略的な部分斜視図を示している。蓋２２２は、除去され、一部分がカットアウェイされて、移送チャンバ１１４の内面をより明瞭に示している。チャンバ本体２２０は、第１のベースプレート４０２と第２のベースプレート４２０を含む。一実施態様では、第１のベースプレート４０２が、チャンバ本体２２０の部分である。代替的な実施態様では、第１のベースプレート４０２が、チャンバ本体２２０に除去可能に連結されたインサートである。第２のベースプレート４２０も、チャンバ本体２２０に連結されている。一実施態様では、第２のベースプレート４２０が、第１のベースプレート４０２及びチャンバ本体２２０と同じ材料から形成されている。第２のベースプレート４２０も、チャンバ本体２２０に固定されたインサートであり得る。第２のベースプレート４２０の形状は、そこを通ってロボット２２４が延在するところの開口部を有する環形状である。回転アクチュエータすなわちｚ‐θアクチュエータであり得る、（図示せぬ）アクチュエータは、チャンバ本体２２０の外側に配置され、第２のベースプレート４２０内の開口部を通ってロボット２２４に連結されている。第１のベースプレート４０２の形状も、ドーナッツ形状であり、第２のベースプレート４２０を取り囲んでいる。
排気ポート４０４が、第２のスリットバルブドア２１６に隣接してベースプレート４０２内に形成されている。排気ポート４０４は、第２のスリットバルブドア２１６に対して中心に置かれ（すなわち、排気ポート４０４の中心がスリットバルブドア２１６を二等分する垂直な線の上にあるように配置され）、又は第２のスリットバルブドア２１６の中心からオフセットされ得る。排気ポート４０４は、ベースプレートを通って延在し、チャンバ本体２２０に対して内側の移送チャンバ１１４の空間と（図示せぬ）排気側との間の流体連通を提供する。
複数のパージガスポート４０６、４０８が、スリットバルブドア３１２に隣接して第１のベースプレート４０２内に形成されている。第１のパージガスポート４０６は、第１の方向において方位角的に約９０度と約１８０度との間で、第１のベースプレート４０２内に配置されている。（ファントムで示されている）第２のパージガスポート４０８は、第１の方向とは逆の第２の方向において方位角的に約９０度と約１８０度との間で、第１のベースプレート４０２内に配置されている。より一般的に言うと、パージガスポート４０６、４０８は、排気ポートの反対側で第１のベースプレート４０２を通って配置されている。排気ポート４０４からの第１と第２のパージガスポート４０６と４０８の方位角的な配置は、逆方向において同じであってよく又は異なっていてもよい。
任意選択的な排気ポート４１４が、排気ポート４０４の反対側で第１のベースプレート４０２内に配置され得る。任意選択的な排気ポート４１４は、移送チャンバ１１４からより大量の流体の流れが排出される際に利用され得る。代替的な一実施態様では、排気ポート４０４が、任意選択的な排気ポート４１４の位置において第１のベースプレート４０２内に配置され、パージガスポート４０６、４０８が、示されているものと類似する配向において、しかし、スリットバルブドア３１２に隣接する代わりに、第２のスリットバルブドア２１６に隣接する配向において配置され得る。言い換えると、移送チャンバ１１４は、１つ又は２つの排気ポート４０４（及び４１４）を有し得る。１つ又は２つの排気ポート４０４（及び４１４）は、スリットバルブドア２１６若しくは３１２又はそれらの両方に隣接して配置され得る。パージガスポート４０６と４０８は、スリットバルブドア２１６又は３１２に隣接して配置され得る。移送チャンバ１１４は、１つ、２つ、３つ、又は４つのパージガスポート４０６を有し、それらは、スリットバルブドア２１６若しくは３１２又はそれらの両方に隣接して配置され得ることが、更に注意されるべきである。
複数のディフューザー４１０、４１２が、それぞれ、第１のパージガスポート４０６と第２のパージガスポート４０８内で第１のベースプレート４０２に連結されている。ディフューザー４１０、４１２は、一平面内にあるパージガスポート４０６、４０８から、第１のベースプレート４０２の上方へ延在している。パージガスポート４０６、４０８の各々は、（図示せぬ）パージガス源に流体結合され、パージガスポート４０６、４０８は、パージガスが移送チャンバ１１４の中へ導入されることを可能にする。パージガスの適切な例は、窒素、ヘリウム、及びアルゴンなどの不活性ガスを含む。
動作では、移送チャンバ１１４が、大気圧から約２Ｔｏｒｒと約５Ｔｏｒｒの間の低減された圧力へ排気され得る。引き続いて、パージガスが、移送チャンバ１１４へ導入され得る。パージガスは、パージガスポート４０６、４０８を通って移動し、ディフューザー４１０、４１２によって偏向され、移送チャンバ１１４の全体へ広がる。パージガスは、分毎に約５０標準リットル（ｓｌｍ）と約９０ｓｌｍの間などの、約１０ｓｌｍと約２００ｓｌｍの間の流量において、パージガスポート４０６、４０８を通して搬送され得る。本明細書で説明される実施態様に従ってパージされたときに、移送チャンバ１１４内の環境が、約０．１ピーピーエム（ｐｐｍ：ｐａｒｔｓ ｐｅｒ ｍｉｌｌｉｏｎ）未満の酸素濃度を実現し得ると考えられる。
概して、移送チャンバ１１４は、ほぼ大気圧で維持され得る。一実施態様では、パージガスが、不活性でない又は望ましくないガスを移送チャンバ１１４から除去するために利用され得る。別の一実施態様では、パージガスが、移送チャンバ１１４をわずかに大気圧より上に加圧するために利用され得る。この実施態様では、移送チャンバ１１４内の環境が、大気圧に対して平方インチ毎に約５ポンド（ｐｓｉ）などの約１ｐｓｉと約１０ｐｓｉの間の圧力だけ高く維持される。移送チャンバの環境をわずかに正圧に維持することによって、チャンバ内の任意のガスの漏れがチャンバの外部に向かって流れ、それによって、環境ガスのチャンバの中への侵入を妨げることを確実にすることによって、移送チャンバ１１４内の不活性でクリーンな環境の維持が実現され得ると信じられている。このやり方で、実質的に不活性な環境が実現され得る。一実施態様では、実質的に不活性な環境が、酸素、空気、ＣＯ２、水蒸気などの酸化剤を実質的に含まない。
ロボット２２４は、中心軸の周りで回転する。ロボット２２４は、ＸとＹ方向における基板移送を可能にするアーム４１６を有する。アーム４１６は、移送の間に基板２３０を支持するブレード４１８に連結されている。ブレード４１８は、石英などの材料から製造され得る。石英を使用することによって、ブレードは、基板２３０を処理チャンバ１１６内で処理した後で、基板２３０が摂氏約５００度より上の温度を有し得るときに、基板２３０を支持することができる。一実施態様では、ブレード４１８に連結されるアーム４１６の一部分が、Ｎｉｔｒｏｎｉｃ（登録商標）６０などの合金材料から製造され、熱膨張によるブレード４１８の応力を最小化する。
上述の実施態様に加えて、移送チャンバ１１４は、動的に冷却され、処理チャンバ１１６内での処理の後の基板２３０の冷却を促進し得る。この実施態様では、流体が、本体２２０内に形成されたチャネルを通して流され得るか、又は冷却されたパージガスが、パージガスポート４０６、４０８を介して移送チャンバ１１４の中へ導入され得る。移送チャンバ１１４を冷却することによって、処理の後にロードロックチャンバ１１２内で基板２３０が冷却される時間量を低減できると信じられている。
図５は、本明細書で説明される実施態様による、ロードロックチャンバ１１２の概略的な断面図を示している。ロードロックチャンバ１１２は、内部空間５０２を画定するチャンバ本体２１０を含む。基板支持体５０８が、内部空間５０２内に配置され、複数の流体導管５１０が、基板支持体５０８内に配置されている。流体導管５１０は、螺旋経路、遠回り経路、蛇のように曲がりくねった経路、又は他の歪んだ経路内で、ペデスタルを通って横断し得る。流体導管５１０は、基板支持体５０８の基板支持表面５０９に隣接して配置され、基板支持表面５０９と接触する基板に対する流体導管５１０の近接を提供する。そのような近接は、基板と流体導管５１０を通って循環する流体との間の熱伝達効率を高める。一実施態様では、各流体導管５１０の外径と基板支持表面との間の距離が、約０．１ｍｍから約５ｍｍであり、例えば、約１ｍｍである。
流体導管５１０は、冷却流体源５１２とも流体結合されている。適切な冷却流体は、水、水ベースのエチレングリコール混合物、ペルフルオロポリエーテル（例えば、Ｇａｌｄｅｎ（登録商標）流体）、オイルベースの熱伝達流体、（ガリウム若しくはガリウム合金などの）液体金属、又は他の同様な流体を含み得る。一実施態様では、基板支持体５０８が、基板２３０の冷却の間に、摂氏約２０度などの、摂氏約１０度と摂氏約３０度の間の温度で維持され得る。任意選択的に、基板２３０の加熱が望ましいならば、ヒータ５１６も、内部空間５０２内に提供され得る。ヒータ５１６は、セラミックヒータなどであり、又は基板支持体５０８内に配置された若しくはさもなければ基板支持体５０８に熱接触する（例えば、隣接した）抵抗ヒータであり得る。図５の実施態様では、基板支持体５０８を取り囲む凹部５１１内で、基板支持体５０８に隣接して、任意選択的なヒータ５１６が示されている。基板支持体５０８がペデスタル形状を有するように、凹部５１１は、内部空間５０２に対して開かれている。代替的に、基板支持体５０８は、ロードロックチャンバ１１２の側壁５１３に接触するプレートであり、任意選択的なヒータ５１６と凹部５１１は、基板支持体５０８によって内部空間５０２から分離され得る。
蓋５０６が、基板支持体５０８に対向してチャンバ本体２１０に連結されている。蓋５０６は、チャンバ本体２１０のために選択された材料に類似するか又は同じ金属材料から製造され得る。ディフューザープレート５０４が、蓋５０６の中央領域に連結され配置され得る。ディフューザープレート５０４は、内部空間５０２とパージガス導管２１８に流体連通している。パージガス導管２１８は、パージガス源５１４に連結され、パージガス導管は、内部空間５０２に隣接するディフューザープレート５０４を通って延在する。
蓋５０６の底面５３４は、チャンバ本体２１０からディフューザープレート５０４へ半径方向内向きに延在している。蓋５０６の底面５３４の一部分５３６は、ディフューザープレート５０４から半径方向外向きにテーパを付けられて延在している。蓋の底面５３４のトポグラフィーは、蓋５０６及びディフューザープレート５０４を通してパージガスを搬送することと組み合わされて、パージガスの内部空間５０２全体への改良された分配を提供すると信じられている。
動作では、ロードロックチャンバ１１２は、基板冷却動作の実質的な部分において、実質的に大気圧に維持されている。しかし、内部空間５０２内の環境の組成は、実質的に不活性な環境に制御されている。実質的に不活性な環境（すなわち、酸化剤又は還元剤を実質的に含まない環境、例えば、Ｏ２の濃度が１ｐｐｍ未満）を確実にするために、ロードロックチャンバ１１２は、近似的な大気圧から約２Ｔｏｒｒと約５Ｔｏｒｒの間の低減された圧力へ排気される。引き続いて、内部空間５０２は、窒素、ヘリウム、又はアルゴンなどの不活性ガスを用いてパージされる。一実施態様では、内部空間５０２のパージの間のパージガスの流量が、約２ｓｌｍと約１００ｓｌｍの間、例えば、約５０ｓｌｍである。パージの結果として、圧力が、近似的な大気圧、又は大気圧に対して約１ｐｓｉと約１０ｐｓｉの間などのわずかに上、例えば、大気圧に対して約５ｐｓｉだけ上へと高められる。
第２のスリットバルブ５１８が、第１のスリットバルブ２１２の反対側のチャンバ本体２１０内に配置されている。第１のスリットバルブ２１２と第２のスリットバルブ５１８は、同じ平面に沿って配置されている。第２のスリットバルブ５１８は、移送チャンバ１１４に隣接して配置され、第２のスリットバルブドア２１６によって開閉される。上述したように、移送チャンバ１１４の排気ポート４０４は、第２のスリットバルブドア５１８に隣接して配置されている。
ロードロックチャンバ１１２内での基板移送及び基板冷却の間に、環境内の内部空間５０２が実質的に酸素を有しないことを維持することが、しばしば、望ましい。第２のスリットバルブドア２１６が開かれたときに、ロードロック内部空間５０２の環境が、排気ポート４０４から得られた移送チャンバ１１４の排気を分析することによって検出され得る。排気ポート４０４の第２のスリットバルブドア２１６との近接が、第２のスリットバルブドア２１６が開かれたときに、ロードロックチャンバ１１２からガスが第２のスリットバルブ５１８を通って排気ポート４０４の中へ流れることを可能にする。
移送チャンバ１１４は、排気ポート４０４に連結され且つ排気ポート４０４に流体連通した、排気導管５２０を含む。排気導管５２０は、排気出口５３２と流体連通している。ポンプ５３０が、排気出口５３２と排気ポート４０４との間で排気導管５２０に連結され、チェックバルブ５２８が、ポンプ５３０と排気ポート４０４との間で排気導管５２０に配置されている。移送チャンバ１１４のポンピングの間に、ガスが、排気ポートを通って排気出口５３２へ流れる。
酸素センサ５２２が、第１の導管５２４と第２の導管５２６を介して、排気導管５２０と流体連通している。酸素センサ５２２は、内部に配置されたポンプを有し、第１の導管５２４を介したサンプリングのために排気導管５２０から排気ガスを引くことができる。代替的に、酸素センサ５２２は、チェックバルブ５２８を横断する圧力差に頼り、酸素センサ５２２を通してガスを流し、したがって、酸素センサ５２２内の個別のポンプに対する必要性を省くことができる。第１の導管５２４は、排気ポート４０４とチェックバルブ５２８との間で排気導管５２０に連結されている。第２の導管５２６は、酸素センサ５２２から、チェックバルブ５２８とポンプ５３０との間の排気導管５２０へ延在する。
動作では、ポンプ５３０が、移送チャンバ環境から排気出口５３２へガスを引き、移送チャンバ環境は、第２のスリットバルブ５１８が開かれたときに、ロードロックチャンバ環境からの流体も含む。移送チャンバ１１４の排気の間に、酸素センサ５２２は、排気流体のサンプリング容積を引き、酸素に対して排気を分析し、排気を排気導管５２０へ戻す。本明細書で説明される実施態様に従って実装され得る酸素センサの適切な例は、ペンシルバニア州ＥｘｔｏｎのＮｅｕｔｒｏｎｉｃｓ社から購入可能な、モデル３１００Ｏ２分析器を含む。約１ｐｐｍ未満の酸素濃度を検出できる他の製造業者からの他のＯ２分析器も、本明細書で説明される実施態様に従って利用され得る。
図１１は、本明細書で説明される実施態様による、ロードロックチャンバ内に基板を移送しロードロックチャンバ内の酸素濃度を測定するための方法１１００の動作を示している。動作１１１０では、基板２３０が、処理チャンバ１１６から移送チャンバ１１４へ移送される。動作１１２０では、基板２３０が、ロードロックチャンバ１１２へ移送される。
動作１１３０では、第２のスリットバルブ５１８を閉じることによって、ロードロックチャンバ環境が、移送チャンバ環境から分離される。動作１１４０では、ロードロックチャンバ環境をパージすることによって、ロードロックチャンバ１１２から酸素が除去される。動作１１５０では、基板２３０が、酸素欠乏、酸化剤欠乏、及び／又は実質的に不活性な環境で冷却される。基板が、実質的に不活性な、酸化剤がない環境で移送され冷却されることを可能にすることによって、次の接触構造形成プロセスが改良され得ると信じられている。
動作１１６０では、第２のスリットバルブ５１８が、ロードロックチャンバ１１２と移送チャンバ１１４との間で開かれる。動作１１７０では、第２のスリットバルブ５１８が開かれている間に、移送チャンバ環境が排気される。動作１１８０では、移送チャンバの排気が分析され、基板冷却の間のロードロックチャンバ環境の酸素濃度を判定する。移送チャンバ１１４の内部空間５０２が、酸素センサを使用して酸素濃度のために分析され得ることも考慮されたい。
したがって、基板２３０が、実質的に不活性な環境で冷却されたか否かを判定することができる。酸素センサ５２２が、酸素濃度が高過ぎる、例えば、約１ｐｐｍより上であると判定したならば、基板２３０が酸素に晒されたことを示すデータが生成され得る。そのときに、処理システム１００のオペレータは、もし可能であるならば、どんな救済手段が実施されるべきかを判断することができる。
図６Ａは、本明細書で説明される実施態様による、明瞭さのために蓋５０６が除去された、図５のロードロックチャンバの概略的な部分斜視図を示している。チャンバ本体２１０は、少なくとも部分的に基板支持体５０８を取り囲む側壁６２８を含む。一実施態様では、側壁６２８が、チャンバ本体２１０を形成するために使用されたのと同じ材料から製造され得る。別の一実施態様では、側壁６２８が、チャンバ本体２１０から取り外し可能な処理キットであり得る。側壁６２８を製造するために使用される適切な材料の例は、アルミニウム、ステンレススチール、及びそれらの組み合わせ、又は処理キットの場合には、様々なセラミック材料を含む。
排気ポート６２６が、側壁６２８内に形成され、排気ポート６２６は、内部空間５０２に流体連通している。排気ポート６２６は、（図示せぬ）ポンプ又は排気出口とも流体連通している。動作では、ロードロックチャンバ１１２が、排気ポート６２６を介して、約２Ｔｏｒｒと約５Ｔｏｒｒの間の圧力へポンプダウンされ、内部空間５０２内に存在し得る全ての又は実質的に全ての酸素を除去し得る。窒素などのパージガスが、内部空間５０２へ搬送され、圧力は、ほぼ大気圧又は大気圧のわずかに上へ高められる。一実施態様では、パージガスが、内部空間５０２内の圧力を、大気圧に対して約１ｐｓｉと約１０ｐｓｉの間の圧力だけ上へ高める。わずかに正圧を使用することによって、基板冷却の間に酸素がロードロックチャンバ１１２に入る可能性を低減又は排除すると信じられている。
ロードロックチャンバ１１２は、複数のリフトピン６０２も含む。複数のリフトピン６０２は、基板支持体５０８の円周の周りで間隔を空けて配置されている。示されている実施態様では、３つのリフトピン６０２が示されているが、より多くの数のリフトピンも使用され得ると考えられる。基板支持体５０８は、内部に形成された凹部６０４を有し、それらは、リフトピン６０２を受け入れるようにサイズ決定されている。リフトピン６０２は、基板支持体５０８の中心に向かって横方向に延在する。したがって、凹部６０４は、基板支持体の端部からその中心に向かって半径方向に延在する。リフトピン６０２に類似して、凹部６０４は、基板支持体５０８の円周の周りで間隔を空けて配置されている。一実施態様では、凹部６０４とリフトピン６０２は、基板支持体５０８の円周の周りで対応する位置において配置されている。別の一実施態様では、凹部６０４が、半円形状を有するが、他の形状もリフトピン６０２を受け入れるために使用され得ると考えられる。
一実施態様では、リフトピン６０２と凹部６０４が、チャンバ本体２１０に連結されたスリットバルブドア２１４、２１６を有する側面と垂直な側面において、チャンバ本体２１０に隣接して配置されている。一実施態様では、リフトピン６０２のうちの１つが、他の２つのリフトピン６０２とは反対側に配置されている。基板支持体５０８及び基板移送経路に対するリフトピン６０２の配置は、基板２３０の移送経路を変更することなしに、基板２３０が、リフトピン６０２と基板支持体５０８によって支持されることを可能にする。
図６Ｂは、本明細書で説明される実施態様による、図６Ａのロードロックチャンバ１１２のリフトピン６０２のうちの１つの概略的な断面図を示している。各リフトピン６０２は、シャフト６０６、シャフト６０６に連結され、シャフト６０６から延在する第１の拡張部６０８、及びシャフト６０６に連結され、シャフト６０６から延在する第２の拡張部６１０を含む。第１の拡張部６０８と第２の拡張部６１０のうちの少なくとも一方は、シャフト６０６の第１の端部とシャフト６０６の第２の端部との間の位置において、シャフト６０６に取り付けられている。第１の拡張部６０８は、シャフトの第１の端部と第２の端部との間に取り付けられ、一方、第２の拡張部６１０は、シャフト６０６の第２の端部に取り付けられている。
第１及び第２の拡張部６０８、６１０の各々は、シャフト６０６から横方向へ、例えば、９０度の角度において延在している。拡張部６０８、６１０の各々は、シャフト６０６から、９０度の角度、又は同様に基板を支持することを可能にする別の角度において延在し得る。例えば、第２の拡張部６１０は、シャフト６０６と９０度の角度を形成し、一方、第１の拡張部６０８は、シャフト６０６から横方向へ離れるように延在し、及び、第２の拡張部６１０から離れるように延在し得る。更に、第１と第２の拡張部６０８と６１０の各々は、シャフト６０６から離れるように直線的に延在する直線的な部材として示されているが、拡張部６０８、６１０の１以上は、直線的ではなくてもよい。例えば、第１と第２の拡張部６０８と６１０の１以上は、シャフト６０６と角度を形成する第１の部分、及び、第１の部分と角度を形成する第２の部分を有する、角度が付けられた部材であり得る。
シャフト６０６は、基板支持体５０８の端部から半径方向外向きに配置され、第１と第２の拡張部６０８と６１０は、シャフト６０６から半径方向内向きに延在している。一実施態様では、第１と第２の拡張部６０８と６１０が、基板支持体５０８の外端部から半径方向内向きに延在している。
第１の拡張部６０８と第２の拡張部６１０は、距離６２０だけ間隔を空けられ、それは、第１の拡張部の上での基板２３０の配置及び支持を受け入れるのに適切である。一実施態様では、距離６２０が、約２０ミリメートル（ｍｍ）などの、約１０ｍｍと約３０ｍｍの間である。第１の拡張部６０８は、内部に配置された第１の支持ボール６１６を有する上面６１２を含む。第１の拡張部６０８に類似して、第２の拡張部６１０は、内部に配置された第２の支持ボール６１８を有する上面６１４を有する。第１と第２の支持ボール６１６と６１８は、それぞれ、上面６１２と６１４に連結され、上面６１２と６１４の上方へ延在している。基板２３０がリフトピン６０２によって支持されたときに、基板２３０は、支持ボール６１６、６１８の上に接触し載置される。支持ボール６１６、６１８を製造するための適切な材料の例は、窒化ケイ素又は炭化ケイ素などの様々なセラミック材料を含む。支持ボール６１６、６１８が、球状の形状として本明細書で説明されている一方で、支持ボール６１６、６１８は、卵状、丸められた矩形状、上面６１２、６１４からの突出などであり得ると考えられる。
図６Ａに戻って参照すると、基板支持体５０８は、基板支持体５０８の上面に配置された、複数の接触ボール６２２も含む。接触ボール６２２は、基板２３０がロードロックチャンバ１１２内での冷却プロセスの間に均等に支持されるように、間隔を空けられている。支持ボール６１６、６１８に類似して、接触ボール６２２は、窒化ケイ素又は炭化ケイ素などの１以上のセラミック材料から製造されている。
動作では、リフトピン６２０が、第１の拡張部６０８が基板支持体５０８の上面の上方に配置される、ローディング／アンローディング位置へ持ち上げられる。基板がファクトリインターフェース１０２から移送されたときに、処理されていない基板が、第２の拡張部６１０の上に配置される。処理チャンバ１１６によって処理された基板は、移送チャンバ１１４のロボット２２４によって、第１の拡張部６０８の上に配置される。リフトピン６０２は、ローディング／アンローディング位置から後退し、第１の拡張部６０８は、凹部６０４内に配置され、基板は、接触ボール６２２によって支持され、処理された基板を冷却する。
処理された基板が十分に冷却された後で、リフトピン６０２は、リフトピン６０２の上に基板が配置されている間に、プロセス位置からローディング／アンローディング位置へ延伸される。ファクトリインターフェース１０２からのロボットが、第１の拡張部６０８によって支持された処理された基板を回収する。第２の拡張部６１０によって支持された処理されていない基板は、ロボット２２４によって回収され、移送チャンバ１１４を通して処理チャンバ１１６へ移送される。したがって、ロードロックチャンバ１１２は、酸素が全く又は実質的に存在しない環境内で、基板を移送及び冷却することにおいて、改良された効率を提供する。
図６Ｃは、本明細書で説明される実施態様による、図６Ａの基板支持体５０８と接触ボール６２２の概略的な断面図を示している。接触ボール６２２は、圧入（ｐｒｅｓｓ ｆｉｔｔｉｎｇ）などによってペデスタルに連結され、基板支持体５０８の上面の上方へ距離６２４だけ延在する。一実施態様では、距離６２４が、約０．０１インチと約０．０３インチの間である。距離６２４が、基板２３０の冷却速度に影響を与えるように調整され得ると考えられる。例えば、より小さい距離６２４は、基板２３０のより速い冷却速度を提供し得る一方で、より長い距離６２４は、より遅い冷却速度を提供し得る。
図７は、本明細書で説明される実施態様による、処理システム７００の概略的な上面図を示している。処理システム７００は、ファクトリインターフェース７０２、基板移送モジュール７０４、及び処理モジュール７０６を含む。ファクトリインターフェース７０２は、複数のフープ７０８とＦＩ移送チャンバ７１０を含む。基板移送モジュール７０４は、複数のロードロックチャンバ７１２と移送チャンバ７１４を含む。ロードロックチャンバ７１２は、ＦＩ移送チャンバ７１０に連結され、移送チャンバ７１４は、ロードロックチャンバ７１２に連結されている。一実施態様では、移送チャンバ７１４が、内部に配置された２つなどの複数の移送ロボットを有する単一のチャンバ７１６である。一実施態様では、ロードロックチャンバ７１２と移送チャンバ７１４は、それぞれ、ロードロックチャンバ１１２と移送チャンバ１１４に類似する。
処理モジュール７０６は、熱処理チャンバなどの複数の処理チャンバ７１８を含む。一実施態様では、処理チャンバ７１８が、レーザ熱処理チャンバなどの急速熱処理チャンバである。他の実施態様では、処理チャンバ７１８が、所望の実施態様に応じて、堆積チャンバ、エッチングチャンバ、洗浄チャンバなどであり得る。単一のチャンバ７１６を有する移送チャンバ７１４を使用することによって、基板は、移送チャンバ７１４内のロボットの間で移送され、基板移送の効率を高めることができる。
図８は、本明細書で説明される実施態様による、処理システム８００の概略的な上面図を示している。処理システム８００は、ファクトリインターフェース８０２、基板移送モジュール８０４、及び処理モジュール８０６を含む。ファクトリインターフェース８０２は、複数のフープ８０８とＦＩ移送チャンバ８１０を含む。基板移送モジュール８０４は、ロードロックチャンバ８１２と複数の移送チャンバ８１４を含む。一実施態様では、ロードロックチャンバ８１２と複数の移送チャンバ８１４は、それぞれ、ロードロックチャンバ１１２と移送チャンバ１１４に類似する。
ロードロックチャンバ８１２は、移送チャンバ８１４の間に配置され、移送チャンバ８１４の各々の中のロボットは、ロードロックチャンバ８１２にアクセスすることができる。ロードロックチャンバ８１２は、ファクトリインターフェース８０２に連結され、ＦＩ移送チャンバ８１０から基板を受け取る。移送チャンバ８１４は、中央に配置されたロードロックチャンバ８１２から基板を回収し、基板を処理モジュール８０６へ移送する。
処理モジュール７０６に類似して、処理モジュール８０６は、熱処理チャンバなどの複数の処理チャンバ８１８を含む。一実施態様では、処理チャンバ８１８が、レーザ熱処理チャンバなどの急速熱処理チャンバである。他の実施態様では、処理チャンバ８１８が、所望の実施態様に応じて、堆積チャンバ、エッチングチャンバ、洗浄チャンバなどであり得る。
図９は、本明細書で説明される実施態様による、処理プラットフォーム９００の概略図を示している。プラットフォーム９００は、実際、処理能力に最も適するように再配置され得る、モジュール式組立品であると考えられる。様々なチャンバと構成要素が、プラットフォーム９００から除去され又は追加されて、単一のプラットフォームの広範囲の用途特定処理を可能にすることも考慮されたい。
プラットフォーム９００は、第１のファクトリインターフェース９０２に連結された複数のフープ９３６を有する、第１のファクトリインターフェース９０２を含む。複数の基板移送モジュール９１４が、第１のファクトリインターフェース９０２に連結されている。基板移送モジュール９１４は、ロードロックチャンバ９１６と移送チャンバ９１８を含む。一実施態様では、ロードロックチャンバ９１６が、ロードロックチャンバ１１２に類似している。別の一実施態様では、移送チャンバ９１８が、移送チャンバ１１４に類似している。プラットフォーム９００は、処理モジュール９２０も含む。処理モジュール９２０は、第１の処理チャンバ９２２と第２の処理チャンバ９２４を含む。一実施態様では、第１の処理チャンバ９２２と第２の処理チャンバ９２４は、処理チャンバ１１６に類似している。
プラットフォーム９００は、第２のファクトリインターフェース９０４に連結された複数のフープ９３４を有する、第２のファクトリインターフェース９０４を含む。中央移送チャンバ９２６は、複数のロードロックチャンバ９３８によって、第２のファクトリインターフェース９０４に連結されている。複数の処理チャンバ９２８、９３０、９３２は、中央移送チャンバ９２６の周りに連結され、配置されている。一実施態様では、処理チャンバ９２８が、中央移送チャンバ９２６に直接的に連結されている。処理チャンバ９３０と９３２は、個別の基板移送モジュール９１４によって、中央処理チャンバに連結されている。
移送チャンバ及びファクトリインターフェースに対する処理チャンバの配置は、基板処理モジュール９１４を使用することによって改良され得る。改良された基板環境管理と効率的な基板移送は、基板移送モジュール９１４を使用することによって実現され、改良されたプラットフォームの柔軟性を促進し得る。
プラットフォーム９００は、トンネルチャンバ９０６も含む。トンネルチャンバ９０６は、第１のファクトリインターフェース９０２と第２のファクトリインターフェース９０４との間に配置されている。トンネルチャンバ９０６は、第１のロードロックチャンバ９０８、移送チャンバ９１２、及び第２のロードロックチャンバ９１０を含む。第１のロードロックチャンバ９０８は、第１のファクトリインターフェース９０２とトンネルチャンバ９０６の移送チャンバ９１２との間に配置されている。一実施態様では、ロードロックチャンバ９０８、９１０が、ロードロックチャンバ１１２に類似している。同様に、移送チャンバ９１２は、移送チャンバ１１４に類似している。第２のロードロックチャンバ９１０は、第２のファクトリインターフェース９０４とトンネルチャンバ９０６の移送チャンバ９１２との間に配置されている。したがって、トンネルチャンバ９０６は、第１のファクトリインターフェース９０２と第２のファクトリインターフェース９０４との間で、基板の移送を可能にする。
ファクトリインターフェース９０２、９０４をトンネルチャンバ９０６に連結することによって、基板は、処理モジュール９２０内で処理された後にフープ９３６に戻される必要がない。むしろ、基板は、トンネルチャンバ９０６を通して、次の処理動作のために処理チャンバ９２８、９３０、９３２の１以上に移送され得る。一実施例では、処理チャンバ９２８、９３０、９３２は、堆積チャンバ、エッチングチャンバ、洗浄チャンバ、又は様々な他の処理能力を有する他の種類のチャンバのうちの何れかであり得る。したがって、複数のプラットフォームの間での移送の間に基板を酸素に晒すことなしに、次の処理動作が、熱的に処理された基板に実行され得る。
図１０は、本明細書で説明される実施態様による、処理プラットフォーム１０００の概略図を示している。プラットフォーム１０００は、実際、処理能力に最も適するように再配置され得る、モジュール式組立品であると考えられる。様々なチャンバと構成要素が、プラットフォーム１０００から除去され又は追加されて、単一のプラットフォームの広範囲の用途特定処理を可能にすることも考慮されたい。
プラットフォーム１０００は、第１のファクトリインターフェース１００２に連結された複数のフープ１０３６を有する、第１のファクトリインターフェース１００２を含む。複数の基板移送モジュール１０１４が、第１のファクトリインターフェース１００２に連結されている。基板移送モジュール１０１４は、ロードロックチャンバ１０１６と移送チャンバ１０１８を含む。一実施態様では、ロードロックチャンバ１０１６が、ロードロックチャンバ１１２に類似している。別の一実施態様では、移送チャンバ１０１８が、移送チャンバ１１４に類似している。プラットフォーム１０００は、処理モジュール１０２０も含む。処理モジュール１０２０は、第１の処理チャンバ１０２２と第２の処理チャンバ１０２４を含む。一実施態様では、第１の処理チャンバ１０２２と第２の処理チャンバ１０２４は、処理チャンバ１１６に類似している。
プラットフォーム１０００は、第２のファクトリインターフェース１００４に連結された複数のフープ１０３４を有する、第２のファクトリインターフェース１００４を含む。中央移送チャンバ１０２６は、複数のロードロックチャンバ１０３２によって、第２のファクトリインターフェース１００４に連結されている。複数の処理チャンバ１０２８、１０３０は、中央移送チャンバ１０２６の周りに連結され、配置されている。一実施態様では、処理チャンバ１０２８と処理チャンバ１０３０が、中央移送チャンバ１０２６に直接的に連結されている。
プラットフォーム１０００は、トンネルチャンバ１００６も含む。トンネルチャンバ１００６は、第１のファクトリインターフェース１００２と中央移送チャンバ１０２６との間に配置されている。トンネルチャンバ１００６は、第１のロードロックチャンバ１００８、移送チャンバ１０１２、及び第２のロードロックチャンバ１０１０を含む。第１のロードロックチャンバ１００８は、第１のファクトリインターフェース１００２とトンネルチャンバ１００６の移送チャンバ１０１２との間に配置されている。一実施態様では、ロードロックチャンバ１００８、１０１０が、ロードロックチャンバ１１２に類似している。同様に、移送チャンバ１０１２は、移送チャンバ１１４に類似している。
第２のロードロックチャンバ１０１０は、中央移送チャンバ１０２６とトンネルチャンバ１００６の移送チャンバ１０１２との間に配置されている。したがって、トンネルチャンバ１００６は、第１のファクトリインターフェース１００２と中央移送チャンバ１０２６との間で、基板の移送を可能にする。プラットフォーム１０００の配置を使用して、プラットフォーム９００で実現されたものと同様な効率も実現され得る。
一実施態様では、基板処理装置が、ファクトリインターフェースと、ほぼ大気圧において実質的に不活性な環境を生成するための基板移送モジュールとを含む。基板移送モジュールは、ファクトリインターフェースに連結されたロードロックチャンバであって、処理空間を画定するチャンバ本体と処理空間に流体連通したパージガスポートとを有する、ロードロックチャンバ、及びロードロックチャンバに連結された移送チャンバを含む。複数の処理チャンバを備えた処理モジュールも、基板移送モジュールに連結されている。
一実施態様では、ファクトリインターフェースが、ファクトリインターフェースに連結された複数のフープを更に備える。
一実施態様では、基板移送モジュールが、一組のロードロックチャンバを備えている。
一実施態様では、基板移送モジュールが、一組の移送チャンバを備えている。
一実施態様では、ロードロックチャンバが、処理空間と流体連通した排気ポートを備えている。
一実施態様では、ロードロックチャンバが、処理空間内に配置されたペデスタルであって、内部に形成された複数の冷却流体導管を有する、ペデスタルを備えている。
一実施態様では、ロードロックチャンバが、ファクトリインターフェースに隣接してチャンバ本体内に形成された第１のスリットバルブと、第１のスリットバルブに隣接してチャンバに連結された第１のスリットバルブドアとを有する。
一実施態様では、ロードロックチャンバが、移送チャンバに隣接してチャンバ本体内に形成された第２のスリットバルブと、第２のスリットバルブに隣接してチャンバに連結された第２のスリットバルブドアを有する。
一実施態様では、処理チャンバの各々が、急速熱処理チャンバである。
一実施態様では、急速熱処理チャンバの各々が、レーザ熱処理チャンバである。
一実施態様では、レーザ熱処理チャンバの各々が、ほぼ大気圧で操作される。
一実施態様では、基板処理装置が、ファクトリインターフェースを含み、ファクトリインターフェースは、第１の移送チャンバを備え、第１の移送チャンバは、内部に配置された第１のロボットを有する。装置は、ほぼ大気圧において実質的に不活性な環境を生成するための基板移送モジュールを含む。基板移送モジュールは、第１の移送チャンバに連結されたロードロックチャンバと、内部に配置された第２のロボットを有する第２の移送チャンバとを備え、第２の移送チャンバは、ロードロックチャンバに連結されている。装置は、基板移送モジュールに連結された処理モジュールも含み、処理モジュールは処理チャンバを備え、処理チャンバは第２の移送チャンバに連結されている。
一実施態様では、処理チャンバが、レーザ熱処理チャンバである。
一実施態様では、処理チャンバが、堆積チャンバである。
一実施態様では、処理チャンバが、エッチングチャンバである。
一実施態様では、ロードロックチャンバが、処理空間を画定するチャンバ本体、処理空間と流体連通したパージガスポート、及び処理空間と流体連通した排気ポートを備える。
一実施態様では、ロードロックチャンバが、処理空間内に配置されたペデスタルを備え、ペデスタルは、内部に形成された複数の冷却流体導管を有する。
一実施態様では、基板処理装置が、ファクトリインターフェースを含み、ファクトリインターフェースは、第１の移送チャンバを含み、第１の移送チャンバは、内部に配置された第１のロボットを有し、第１の移送チャンバには、複数のフープが連結されている。装置は、ほぼ大気圧において実質的に不活性な環境を生成するための基板移送モジュールを含む。基板移送モジュールは、第１の移送チャンバに連結された雰囲気ロードロックチャンバと、内部に配置された第２のロボットを有する第２の移送チャンバとを備え、第２の移送チャンバは、ロードロックチャンバに連結されている。装置は、基板移送モジュールに連結された処理モジュールも含み、処理モジュールはレーザ熱処理チャンバを備え、レーザ熱処理チャンバは第２の移送チャンバに連結されている。
一実施態様では、第２の移送チャンバが、チャンバ本体、チャンバ本体内に配置された排気ポート、及び排気ポートから延在する、チャンバ本体に連結された排気導管を備えている、
一実施態様では、酸素センサが、排気導管に流体連通している。
一実施態様では、基板移送装置が、ほぼ大気圧において実質的に不活性な環境を生成するためのロードロックチャンバを備えている。ロードロックチャンバは、処理空間を画定するチャンバ本体、処理空間内に配置されたペデスタル、ペデスタルに対向してチャンバ本体に連結された蓋、蓋を通って配置されたパージガスポート、及びペデスタルに隣接しパージガスポートに対向してチャンバ本体内に配置された排気ポートを備えている。装置は、ロードロックチャンバに連結された、ほぼ大気圧において実質的に不活性な環境を生成するための移送チャンバも含む。移送チャンバは、移送空間を画定するチャンバ本体、移送空間内に配置されたロボット、チャンバ本体内に配置された複数のパージガスポート、及び複数のパージガスポートとは反対側のチャンバ本体内に配置された排気ポートを備える。
一実施態様では、ロードロックチャンバが、ロードロックチャンバ本体内に形成された第１のスリットバルブと、第１のスリットバルブとは反対側のロードロックチャンバ内に形成された第２のスリットバルブとを更に備える。
一実施態様では、ロードロックチャンバが、第１のスリットバルブに隣接してロードロックチャンバ本体に連結された第１のスリットバルブドアと、第２のスリットバルブに隣接してロードロックチャンバ本体に連結された第２のスリットバルブドアとを更に備える。
一実施態様では、ロードロックチャンバが、ペデスタルの周りに配置された複数のリフトピンを更に備え、複数の凹部が、リフトピンに隣接してペデスタル内に形成されている。
一実施態様では、複数のリフトピンの各々が、シャフトと、シャフトに連結されシャフトから延在する第１の拡張部と、シャフトに連結されシャフトから延在する第２の拡張部とを備え、第２の拡張部が、第１の拡張部に隣接して配置され、第１の拡張部から間隔を空けて配置されている。
一実施態様では、第１の拡張部と第２の拡張部が、約１０ｍｍと約３０ｍｍの間の距離だけ間隔を空けて配置されている。
一実施態様では、支持ボールが、第１の拡張部と第２の拡張部の各々に連結されている。
一実施態様では、支持ボールが、窒化ケイ素材料から製造されている。
一実施態様では、ペデスタルが、内部に形成された複数の流体導管を有する。
一実施態様では、ペデスタルの上面が、内部に配置された複数の窒化ケイ素材料の接触ボールを有する。
一実施態様では、移送チャンバ本体が、チャンバ本体に連結された光学的に透明な蓋を備えている。
一実施態様では、光学的に透明な蓋が、ポリカーボネート材料から製造されている。
一実施態様では、複数のパージガスポートの各々が、パージガスポートから延在するディフューザーを有する。
一実施態様では、移送チャンバの排気ポートが、ロードロックチャンバが移送チャンバに連結されている領域に隣接して移送チャンバ本体内に配置されている。
一実施態様では、基板処理装置が、ほぼ大気圧において実質的に不活性な環境を生成するためのロードロックチャンバを備えている。ロードロックチャンバは、処理空間を画定するチャンバ本体、処理空間内に配置されたペデスタル、ペデスタル内に配置された流体導管、ペデスタルの円周に沿って形成された複数の凹部、及び処理空間内に配置された複数のリフトピンであって、各々が一又は複数の凹部に隣接して配置された、リフトピンを備えている。装置は、ペデスタルに対向してチャンバ本体に連結された蓋、蓋の中央領域において蓋に連結されたディフューザープレートであって、蓋の底面の一部分がディフューザープレートから半径方向外向きに延在するようにテーパが付けられている、ディフューザープレート、ディフューザープレートを通って配置されたパージガスポート、及びペデスタルに隣接しパージガスポートに対向してチャンバ本体内に配置された排気ポートも含む。
一実施態様では、チャンバ本体が、アルミニウムビレットから製造されている。
一実施態様では、装置が、チャンバ本体の側壁内に配置された第１のスリットバルブ、第１のスリットバルブに隣接してチャンバ本体に連結された第１のスリットバルブドア、第１のスリットバルブとは反対側のチャンバ本体の側壁内に配置された第２のスリットバルブ、及び第２のスリットバルブに隣接してチャンバ本体に連結された第２のスリットバルブドアを更に備えている。
一実施態様では、基板移送装置が、ロードロックチャンバに連結された、ほぼ大気圧において実質的に不活性な環境を生成するための移送チャンバを備えている。移送チャンバは、移送空間を画定するチャンバ本体、チャンバ本体に連結された光学的に透明な蓋、及び移送空間内に配置されたロボットであって、ロボットのブレードが石英から製造された、ロボットを備えている。装置は、チャンバ本体内に配置された複数のパージガスポート、パージガスポートから延在する複数のディフューザー、複数のパージガスポートとは反対側のチャンバ本体内に配置された排気ポート、排気ポートに連結された排気導管、及び排気導管と排気ポートを介して移送空間に流体連通した酸素センサも含む。
一実施態様では、酸素センサが、約１ｐｐｍ未満の酸素濃度感知能力を有する。
一実施態様では、酸素センサが、第１の導管と第２の導管を介して、排気導管に連結されている。
一実施態様では、プラットフォーム装置が、第１のファクトリインターフェース、第１のファクトリインターフェースに連結された第２のファクトリインターフェース、及び第１のファクトリインターフェースと第２のファクトリインターフェースとの間に配置されたトンネルチャンバであって、移送チャンバと複数のロードロックチャンバを備えた、トンネルチャンバを備えている。装置は、第１のファクトリインターフェースに連結された第１の移送モジュール、第１の移送モジュールに連結された処理モジュール、第２のファクトリインターフェースに連結された中央移送チャンバ、及び中央移送チャンバに連結された複数の処理チャンバであって、少なくとも１つが第２の移送モジュールによって中央移送チャンバに連結された、複数の処理チャンバも含む。
一実施態様では、第１と第２の移送モジュールが、ロードロックチャンバと移送チャンバを備えている。
一実施態様では、ロードロックチャンバと移送チャンバが、ほぼ大気圧において実質的に不活性な環境を生成する。
一実施態様では、ロードロックチャンバが、第１のファクトリインターフェースと移送チャンバとの間に連結されている。
一実施態様では、移送チャンバが、ロードロックチャンバと処理モジュールとの間に連結されている。
一実施態様では、処理モジュールが、レーザ熱処理チャンバを備えている。
一実施態様では、処理モジュールが、ランプベース熱処理チャンバを備えている。
一実施態様では、複数の処理チャンバの第１の処理チャンバが、堆積チャンバを備えている。
一実施態様では、複数の処理チャンバの第２の処理チャンバが、エッチングチャンバを備えている。
一実施態様では、複数の処理チャンバの第３の処理チャンバが、洗浄チャンバを備えている。
一実施態様では、プラットフォーム装置が、第１のファクトリインターフェース、第１のファクトリインターフェースに連結された移送モジュール、移送モジュールに連結された処理モジュール、第２のファクトリインターフェース、及び第２のファクトリインターフェースに連結された中央移送チャンバを備えている。装置は、第１のファクトリインターフェースと中央移送チャンバとの間のトンネルチャンバであって、移送チャンバと複数のロードロックチャンバを備えた、トンネルチャンバも含む。装置は、中央移送チャンバに連結された複数の処理チャンバも含む。
一実施態様では、移送モジュールが、ロードロックチャンバと移送チャンバを備える。
一実施態様では、移送モジュールが、ほぼ大気圧において実質的に不活性な環境を生成する。
一実施態様では、ロードロックチャンバが、ファクトリインターフェースと移送チャンバとの間に連結されている。
一実施態様では、移送チャンバが、ロードロックチャンバと処理モジュールとの間に連結されている。
一実施態様では、処理モジュールが、レーザ熱処理チャンバを備えている。
一実施態様では、処理モジュールが、ランプベース熱処理チャンバを備えている。
一実施態様では、複数の処理チャンバの第１の処理チャンバが、堆積チャンバである。
一実施態様では、複数の処理チャンバの第２の処理チャンバが、エッチングチャンバである。
一実施態様では、トンネルチャンバの移送チャンバが、複数のトンネルチャンバのロードロックチャンバの間に配置されている。
一実施態様では、基板処理方法が、第１のチャンバから第２のチャンバへ基板を移送すること、第１のチャンバの環境から第２のチャンバの環境を分離させること、第２のチャンバの環境から酸素を除去すること、及び第２のチャンバ内の基板を冷却することを含む。方法は、第１のチャンバと第２のチャンバとの間のスリットバルブを開くこと、第１のチャンバの環境を排気すること、及び第１のチャンバの排気を分析して、第２のチャンバの環境の酸素濃度を判定することも含む。
一実施態様では、第１のチャンバの環境が、基板の移送の間にほぼ大気圧に維持される。
一実施態様では、第２のチャンバの環境が、基板の移送の間にほぼ大気圧に維持される。
一実施態様では、第１のチャンバの環境が、基板の移送の間に真空下に維持される。
一実施態様では、第２のチャンバの環境が、基板の移送の間に真空下に維持される。
一実施態様では、第２のチャンバの環境から酸素を除去することが、不活性ガスを用いて第２のチャンバの環境をパージすることを含む。
一実施態様では、不活性ガスが窒素である。
一実施態様では、第２のチャンバの環境が、基板の冷却の間に大気圧より上に維持される。
一実施態様では、基板の冷却の間の第２のチャンバの環境の圧力が、大気圧に対して約１ｐｓｉと約１０ｐｓｉの間の圧力だけ上である。
一実施態様では、基板処理方法が、移送チャンバからロードロックチャンバへ基板を移送すること、移送チャンバとロードロックチャンバの間のスリットバルブを閉じて、移送チャンバの環境からロードロックチャンバの環境を分離させること、ロードロックチャンバの環境から酸素を除去すること、及びロードロックチャンバ内の基板を冷却することを含む。方法は、移送チャンバとロードロックチャンバとの間のスリットバルブを開くこと、スリットバルブが開いている間に移送チャンバの環境を排気すること、及び移送チャンバの排気を分析して、基板を冷却している間のロードロックチャンバの環境の酸素濃度を判定することも含む。
一実施態様では、移送チャンバの環境が、基板の移送の間にほぼ大気圧に維持される。
一実施態様では、ロードロックチャンバの環境が、基板の移送の間にほぼ大気圧に維持される。
一実施態様では、移送チャンバの環境が、基板の移送の間に真空下に維持される。
一実施態様では、ロードロックチャンバの環境が、基板の移送の間に真空下に維持される。
一実施態様では、ロードロックチャンバの環境から酸素を除去することが、窒素ガスを用いてロードロックチャンバの環境をパージすることを含む。
一実施態様では、基板の冷却及びパージの間のロードロックチャンバの環境の圧力が、大気圧に対して約１ｐｓｉと約１０ｐｓｉの間の圧力だけ上である。
一実施態様では、基板の冷却の間のロードロックチャンバの環境内の酸素濃度が、約１ｐｐｍ未満である。
一実施態様では、基板移送方法が、処理チャンバから移送チャンバへ基板を移送すること、移送チャンバからロードロックチャンバへ基板を移送すること、及び移送チャンバとロードロックチャンバとの間のスリットバルブを閉じて、移送チャンバの環境からロードロックチャンバの環境を分離させることを含む。方法は、ロードロックチャンバの環境から酸素を除去すること、ロードロックチャンバ内の基板を冷却すること、移送チャンバとロードロックチャンバとの間のスリットバルブを開くこと、スリットバルブが開いている間に移送チャンバの環境を排気すること、及び移送チャンバの排気を分析して、基板を冷却している間のロードロックチャンバの環境の酸素濃度を判定することも含む。
一実施態様では、処理チャンバが、レーザ熱処理チャンバである。
一実施態様では、処理チャンバ、移送チャンバ、及びロードロックチャンバの各々の環境が、基板の移送の間にほぼ大気圧に維持される。
以上の説明は本開示の実施態様を対象としているが、本開示の基本的な範囲を逸脱することなく本開示の他の実施態様及び更なる実施態様が考案されてよく、本開示の範囲は、以下の特許請求の範囲によって定められる。
１００ 処理システム
１０２ ファクトリインターフェース
１０４ モジュール
１０６ 処理モジュール
１０８ フープ
１１０ チャンバ
１１２ ロードロック
１１４ チャンバ
１１６ 処理チャンバ
２０２ 第１のロードロックチャンバ
２０４ チャンバ
２０６ 第２のロードロックチャンバ
２０８ チャンバ
２１０ 本体
２１２ 第１のスリットバルブ
２１４ 第１のスリットバルブドア
２１６ 第２のスリットバルブドア
２１８ パージガス導管
２２０ 本体
２２２ 蓋
２２４ ロボット
２２６ 第１のＬＣＦセンサ
２２８ 第２のＬＣＦセンサ
２３０ 基板
３０２ 上面
３０４ ハンドル
３０６ ポートアダプター
３０８ 取り付けプレート
３１０ スリットバルブ
３１２ スリットバルブドア
３１６ ねじ
４０２ ベースプレート
４０４ 排気ポート
４０６ 第１のパージガスポート
４０８ 第２のパージガスポート
４１０ ディフューザー
４１２ ディフューザー
４１４ 任意選択的な排気ポート
４１６ アーム
４１８ ブレード
４２０ 第２のベースプレート
５０２ 内部空間
５０４ ディフューザープレート
５０６ 蓋
５０８ 基板支持体
５０９ 基板支持表面
５１０ 流体導管
５１１ 凹部
５１２ 冷却流体源
５１３ 側壁
５１４ パージガス源
５１６ ヒータ
５１８ 第２のスリットバルブ
５２０排気導管
５２２ 酸素センサ
５２４ 第１の導管
５２６ 第２の導管
５２８ チェックバルブ
５３０ ポンプ
５３２ 排気出口
５３４ 底面
５３６ 部分
６０２ リフトピン
６０４ 凹部
６０６ シャフト
６０８ 第１の拡張部
６１０ 第２の拡張部
６１２ 上面
６１４ 上面
６１６ 第１の支持ボール
６１８ 第２の支持ボール
６２０ 距離
６２２ 接触ボール
６２４ 距離
６２６ 排気ポート
６２８ 側壁
７００ 処理システム
７０２ ファクトリインターフェース
７０４ モジュール
７０６ 処理モジュール
７０８ フープ
７１０ チャンバ
７１２ ロードロックチャンバ
７１４ チャンバ
７１６ 単一のチャンバ
７１８ 処理チャンバ
８００ 処理システム
８０２ ファクトリインターフェース
８０４ モジュール
８０６ 処理モジュール
８０８ フープ
８１０ チャンバ
８１２ ロードロックチャンバ
８１４ チャンバ
８１８ 処理チャンバ
９００ プラットフォーム
９０２ 第１のファクトリインターフェース
９０４ 第２のファクトリインターフェース
９０６ トンネルチャンバ
９０８ 第１のロードロックチャンバ
９１０ 第２のロードロックチャンバ
９１２ チャンバ
９１４ モジュール
９１６ ロードロックチャンバ
９１８ チャンバ
９２０ 処理モジュール
９２２ 第１の処理チャンバ
９２４ 第２の処理チャンバ
９２６ チャンバ
９２８ 処理チャンバ
９３０ 処理チャンバ
９３２ 処理チャンバ
９３４ フープ
９３６ フープ
９３８ ロードロックチャンバ
１０００ プラットフォーム
１００２ 第１のファクトリインターフェース
１００４ 第２のファクトリインターフェース
１００６ トンネルチャンバ
１００８ 第１のロードロックチャンバ
１０１０ 第２のロードロックチャンバ
１０１２ チャンバ
１０１４ モジュール
１０１６ ロードロックチャンバ
１０１８ チャンバ
１０２０ 処理モジュール
１０２２ 第１の処理チャンバ
１０２４ 第２の処理チャンバ
１０２６ チャンバ
１０２８ 処理チャンバ
１０３０ 処理チャンバ
１０３２ ロードロックチャンバ
１０３４ フープ
１０３６ フープ
１１００ 方法
１１１０ 動作
１１２０ 動作
１１３０ 動作
１１４０ 動作
１１５０ 動作
１１６０ 動作
１１７０ 動作
１１８０ 動作

Claims (15)

  1. 基板処理装置であって、
    ファクトリインターフェースと、
    ほぼ大気圧において実質的に不活性な環境を生成するための基板移送モジュールとを備え、前記基板移送モジュールが、
    前記ファクトリインターフェースに連結されたロードロックチャンバであって、処理空間を画定するチャンバ本体と前記処理空間に流体連通したパージガスポートとを有する、ロードロックチャンバと、
    前記ロードロックチャンバに連結された移送チャンバとを備え、
    前記基板処理装置が、更に、
    前記基板移送モジュールに連結された処理モジュールであって、複数の処理チャンバを備えた、処理モジュールを備える、装置。
  2. 前記ファクトリインターフェースが、
    前記ファクトリインターフェースに連結された複数のフープを更に備える、請求項１に記載の装置。
  3. 前記基板移送モジュールが、一組のロードロックチャンバを備える、請求項１に記載の装置。
  4. 前記基板移送モジュールが、一組の移送チャンバを備える、請求項１に記載の装置。
  5. 前記ロードロックチャンバが、
    前記処理空間に流体連通した排気ポートを備える、請求項１に記載の装置。
  6. 前記ロードロックチャンバが、
    前記処理空間内に配置されたペデスタルであって、内部に形成された複数の冷却流体導管を有する、ペデスタルを備える、請求項５に記載の装置。
  7. 前記ロードロックチャンバが、前記ファクトリインターフェースに隣接して前記チャンバ本体内に形成された第１のスリットバルブと、前記第１のスリットバルブに隣接して前記チャンバに連結された第１のスリットバルブドアとを有する、請求項１に記載の装置。
  8. 前記ロードロックチャンバが、前記移送チャンバに隣接して前記チャンバ本体内に形成された第２のスリットバルブと、前記第２のスリットバルブに隣接して前記チャンバに連結された第２のスリットバルブドアとを有する、請求項７に記載の装置。
  9. 前記第２の移送チャンバが、
    チャンバ本体、
    前記チャンバ本体内に配置された排気ポート、及び
    前記チャンバ本体に連結され、前記排気ポートから延在する、排気導管を備える、請求項８に記載の装置。
  10. 前記処理チャンバの各々が、急速熱処理チャンバである、請求項１に記載の装置。
  11. 前記急速熱処理チャンバの各々が、レーザ熱処理チャンバである、請求項１０に記載の装置。
  12. 前記レーザ熱処理チャンバの各々が、ほぼ大気圧で操作される、請求項１１に記載の装置。
  13. 基板処理装置であって、
    内部に配置された第１のロボットを有する第１の移送チャンバを備えた、ファクトリインターフェースと、
    ほぼ大気圧において実質的に不活性な環境を生成するための基板移送モジュールとを備え、前記基板移送モジュールが、
    前記第１の移送チャンバに連結されたロードロックチャンバと、
    内部に配置された第２のロボットを有する第２の移送チャンバであって、前記ロードロックチャンバに連結された、第２の移送チャンバとを備え、
    前記基板処理装置が、更に、
    前記基板移送モジュールに連結された処理モジュールであって、前記第２の移送チャンバに連結された処理チャンバを備えた、処理モジュールを備える、装置。
  14. 前記ロードロックチャンバが、
    処理空間を画定するチャンバ本体、
    前記処理空間に流体連通したパージガスポート、及び
    前記処理空間に流体連通した排気ポートを備える、請求項１３に記載の装置。
  15. 前記ロードロックチャンバが、
    前記処理空間内に配置されたペデスタルであって、内部に形成された複数の冷却流体導管を有する、ペデスタルを備える、請求項１４に記載の装置。
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