JP2006093543A - 熱処理装置 - Google Patents

熱処理装置 Download PDF

Info

Publication number
JP2006093543A
JP2006093543A JP2004279154A JP2004279154A JP2006093543A JP 2006093543 A JP2006093543 A JP 2006093543A JP 2004279154 A JP2004279154 A JP 2004279154A JP 2004279154 A JP2004279154 A JP 2004279154A JP 2006093543 A JP2006093543 A JP 2006093543A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
chamber
cooling
heat treatment
wafer
processed
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP2004279154A
Other languages
English (en)
Inventor
Tsutomu Wakamori
勤 若森
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Tokyo Electron Ltd
Original Assignee
Tokyo Electron Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Tokyo Electron Ltd filed Critical Tokyo Electron Ltd
Priority to JP2004279154A priority Critical patent/JP2006093543A/ja
Publication of JP2006093543A publication Critical patent/JP2006093543A/ja
Pending legal-status Critical Current

Links

Images

Abstract

【課題】被処理体を反り変形が生じないように中央部と周縁部をバランス良く迅速に冷却することができ、スループットの向上が図れる熱処理装置を提供する。
【解決手段】被処理体を収容して熱処理を行う処理室と、該処理室から搬出された熱処理後の被処理体を収容して所定の温度以下に冷却する冷却室3とを備えた熱処理装置であって、前記冷却室3は被処理体を支持する支持部28と、被処理体の下面に対向して被処理体を冷却する冷却板29とを有し、該冷却板29の上面が被処理体に対向する周縁部から中央部に向って漸次隆起して形成されている。
【選択図】図3

Description

本発明は、熱処理装置に関するものである。
半導体装置の製造においては、被処理体例えば半導体ウエハwに酸化、拡散、CVD等の各種の処理を施す工程があり、このような処理を行う装置として例えばウエハを一枚ずつ処理する枚葉式の熱処理装置が知られている(例えば特開2003−37107号公報参照)。この熱処理装置は、複数枚のウエハを収納した運搬容器(例えばFOUPと呼ばれる蓋付き運搬容器)から、一枚のウエハを取出して処理室に搬入して所定の熱処理温度(例えば1000℃程度)及び処理ガス雰囲気下で熱処理するように構成されている。
熱処理後、ウエハは例えば冷却室に搬送され、運搬容器に収納可能な温度(例えば100℃程度)になるまで自然冷却によって降温された後、運搬容器に収納されている。
特開2003−37107号公報
しかしながら、従来の熱処理装置においては、ウエハの温度が下がるまでに時間がかかるという問題があった。ウエハの冷却時間がかかると、スループットの低下を余儀なくされる。なお、冷却時間がかかる理由としては、冷却室内に設けられる冷却板と冷却板の上方に支持されるウエハとの間に距離があり、ウエハからの熱を伝えにくいことと、冷却板が加工地肌のままでウエハからの熱放射を積極的に吸収する構造ではないことが考えられる。
一方、冷却時間を短縮するために、冷却板とウエハとの隙間を小さくしたり或いは冷却板の上面にウエハを直接載置したりすることが考えられるが、この場合、ウエハは中央部よりも周縁部の方が早く放熱されて降温するため、中央部と周縁部の急激な温度差に伴う熱収縮差によってウエハの中央部が盛上る反り変形を生じ、これによりウエハの中央部と冷却板との間の距離が離れて冷却効率が悪くなるという問題がある。
本発明は、上記事情を考慮してなされたものであり、被処理体を反り変形が生じないように中央部と周縁部をバランス良く迅速に冷却することができ、スループットの向上が図れる熱処理装置を提供することを目的とする。
本発明のうち、請求項1の発明は、被処理体を収容して熱処理を行う処理室と、該処理室から搬出された熱処理後の被処理体を収容して所定の温度以下に冷却する冷却室とを備えた熱処理装置であって、前記冷却室は被処理体を支持する支持部と、被処理体の下面に対向して被処理体を冷却する冷却板とを有し、該冷却板の上面が被処理体に対向する周縁部から中央部に向って漸次隆起して形成されていることを特徴とする。
請求項2の発明は、請求項1記載の熱処理装置において、前記冷却板の表面が硬質アルマイト処理されていることを特徴とする。
請求項3の発明は、請求項1記載の熱処理装置において、前記冷却室は、真空側である処理室との間で被処理体の搬送を行う搬送機構を有する真空側搬送室と連通する真空側出入口と、大気側である運搬容器との間で被処理体の搬送を行う搬送機構を有する大気側搬送室と連通する大気側出入口とを備えたロードロック室内に形成されていることを特徴とする。
請求項4の発明は、請求項3記載の熱処理装置において、前記ロードロック室内には、下部に前記冷却板が設けられ、上部に大気側からの被処理体を載置する載置部が設けられていることを特徴とする。
請求項1の発明によれば、被処理体を収容して熱処理を行う処理室と、該処理室から搬出された熱処理後の被処理体を収容して所定の温度以下に冷却する冷却室とを備えた熱処理装置であって、前記冷却室は被処理体を支持する支持部と、被処理体の下面に対向して被処理体を冷却する冷却板とを有し、該冷却板の上面が被処理体に対向する周縁部から中央部に向って漸次隆起して形成されているため、被処理体を反り変形が生じないように中央部と周縁部をバランス良く迅速に冷却することができ、スループットの向上が図れる。
請求項2の発明によれば、前記冷却板の表面が硬質アルマイト処理されているため、被処理体からの熱放射を積極的に吸収することができ、更に冷却効率の向上が図れる。
請求項3の発明によれば、前記冷却室は、真空側である処理室との間で被処理体の搬送を行う搬送機構を有する真空側搬送室と連通する真空側出入口と、大気側である運搬容器との間で被処理体の搬送を行う搬送機構を有する大気側搬送室と連通する大気側出入口とを備えたロードロック室内に形成されているため、装置のコンパクト化及びスループットの向上が図れる。
請求項4の発明によれば、前記ロードロック室内には、下部に前記冷却板が設けられ、上部に大気側からの被処理体を載置する載置部が設けられているため、更に装置のコンパクト化及びスループットの向上が図れる。
以下に、本発明を実施するための最良の形態について、添付図面を基に詳述する。図1は本発明の実施の形態である熱処理装置の概略的構成を示す斜視図、図2は同熱処理装置の平面構成を概略的に示す図、図3はロードロック室の縦断面図、図4は冷却板の表面形状を概略的に示す断面図である。
図1ないし図2において、1は熱処理装置で、この熱処理装置1は、被処理体例えば半導体ウエハwを一枚ずつ収容して所定の熱処理(例えばCVD等)を行う処理室(プロセスモジュール)2と、この処理室2から搬出された熱処理後のウエハwを収容して所定の温度以下に冷却する冷却室3とを備えている。ウエハwとしては、例えば直径が300mmの大口径ウエハが用いられる。処理室2は、1枚のウエハwを載置する載置部と、そのウエハwを加熱する過熱機構と、処理ガスや不活性ガス例えば窒素ガスを導入するガス導入系と、処理室内を所定の真空雰囲気に減圧排気する減圧排気系とを備えている(図示省略)。
また、熱処理装置1は、内部が正常な雰囲気とされた筐体4を備え、この筐体4内に前記処理室2及び冷却室3が設けられている。筐体4の前面部に複数例えば25枚程度のウエハwを上下方向に所定の間隔で多段に収納した運搬容器(例えば、FOUPと称する蓋付き運搬容器)5を載置して筐体4内との間でウエハwの移載を行うためのロードポート6が図示例では2つ設けられている。筐体4の前面部には運搬容器5の前面部を接続する接続口7が設けられ、この接続口7の背面部には接続口7を閉じるドア(図示省略)が開閉可能及び上下方向に退避可能に設けられている。ドアには運搬容器5の前面部に着脱可能に取付けられた蓋を開閉する開閉機構が設けられている(図示省略)。ロードポート6には運搬容器5を載置すると、この運搬容器5の前面部を前記接続口7に押圧して当接させる図示しない当接機構が設けられている。
前記冷却室3は、真空側である処理室2との間でウエハwの搬送を行う搬送機構8を有する真空側搬送室(トランスファモジュール)9と連通する真空側出入口10と、大気側である運搬容器5との間でウエハwの搬送を行う搬送機構11を有する大気側搬送室(ローダーモジュール)12と連通する大気側出入口13とを備えたロードロック室14内に形成されている。図示例の熱処理装置1は、処理室2及びロードロック室14を上下に2個ずつ備えており、真空側及び大気側の搬送機構8,11は上下の処理室2及びロードロック室14に対応できるように昇降可能に構成されている。
ロードロック室14の真空側出入口10と大気側出入口13にはゲートバルブ15,16がそれぞれ設けられている。真空側搬送室9と連通接続される処理室2の出入口17にもゲートバルブ18が設けられている。真空側搬送室9内は、処理室2内の圧力と同じ圧力に減圧されている。ロードロック室14は、大気圧側のゲートバルブ16を閉じて真空側のゲートバルブ15を開ける際に真空側搬送室9内と同じ圧力に減圧され、真空側のゲートバルブ15を閉じて大気側のゲートバルブ16を開ける際に例えば不活性ガス(例えば窒素ガス)を導入して大気圧に戻されるようになっている。
前記真空側搬送室9内の中央部には、水平旋回可能及び水平方向に伸縮可能な多関節アーム型の搬送機構が(トランスファロボット)8が設けられ、この搬送機構8はウエハwの両側下縁部を支承する支承部19を有する先端アーム部20を備えている。すなわち、搬送機構8は、水平旋回可能な第1アーム部21と、この第1アーム部21の先端に水平旋回可能に設けられた第2アーム部22と、この第2アーム部22の先端部に水平旋回可能に設けられた第3アーム部である平面略U字状の先端アーム部20とを備え、この先端アーム部20の両先端部には相対向してウエハwの両側下面を支持するピン状の支承部19が左右に2つずつ設けられている。
前記大気側搬送室12の一側には回転基準台上に載置されるウエハwの偏芯量と、ウエハwの外周に形成された切欠目印(例えばノッチ)の位置(回転位置)とを光学的センサにより検出可能及びその検出値に基いて補正可能に構成された位置合せ装置(オリエンタ、アライナともいう)23が設けられている。大気側搬送室12内には、水平旋回可能及び水平方向に伸縮可能な多関節アーム型の搬送機構(ローダーロボット)11が設けられ、この搬送機構11によって運搬容器5内からウエハwを取出して位置合せ装置23に載せ、位置合せ装置23からロードロック室14内に搬送する一方、ロードロック室14内の冷却室3内に処理室2側から搬送された処理済みのウエハwを大気側に取出して運搬容器5に戻すようになっている。
この搬送機構11はウエハwの下面を真空吸着により保持する先端アーム部(フォーク)24を備えている。すなわち、この搬送機構11は、水平旋回可能な第1アーム部25と、この第1アーム部25の先端に水平旋回可能に設けられた第2アーム部26と、この第2アーム部26の先端部に水平旋回可能に設けられた第3アーム部である平面略U字状の先端アーム部24とを備え、この先端アーム部24の両先端部にはウエハwの下面を真空吸着するための吸引孔27が設けられている。
前記冷却室3は図3に示すようにロードロック室14内の下部に設けられている。冷却室3は、ウエハwを水平に支持する複数本例えば6本の支持ピン(支持部)28と、ウエハwの下面に対向してウエハwを冷却する冷却板29とを有している。また、冷却板29の下部には搬送機構8,11の先端アーム部20,24と支持ピンとの間でウエハwの受け渡しを行うために、ウエハwを持ち上げ下げする複数例えば4本のリフターピン30を有するリフト機構31が備えている。
リフト機構31は、ロードロック室14の外底部を気密に貫通した昇降ロッド32を介して昇降動される昇降板33と、ロードロック室14の外底部に設けられ昇降ロッド32を介して昇降板33を昇降動させる駆動部であるエアシリンダ34とを備え、その昇降板33上に前記リフターピン30が突設されている。支持ピン28はウエハwの周縁部を支持すべく冷却板29上に周方向に等間隔で設けられ、リフターピン30はウエハwの周縁部を支持すべく前記支持ピン28と略同じピッチ円上に支持ピン28と干渉しないようにして等間隔で設けられている。冷却板29の下部には昇降板33を昇降動可能に収容する空間部35が設けられ、冷却板29にはリフターピン30を下方から昇降可能に挿通する挿通孔36が設けられている。
前記冷却板29の内部には冷媒例えば冷却水を流通させるための冷媒通路(例えば水冷パイプ)37が設けられている。冷却板29は例えばアルミニウム製である。支持ピン28及びリフターピン30は例えば石英製である。支持ピン28上に支持された熱処理後の高温例えば1000℃のウエハを反り変形が生じないように中央部と周縁部をバランス良く迅速に冷却して降温させるために、冷却板29の上面がウエハwに対向する周縁部から中央部に向って漸次隆起して形成されている。すなわち、冷却板29の上面はウエハwに対向する周縁部(外周部)から中央部(中心部)に向ってテーパー状に盛り上げて形成されている。この場合、冷却板29の隆起部(盛上り部)38の高さhは例えば1.3mm、隆起部38の頂点からウエハwの下面までの距離(隙間)dは例えば0.4mmであることが好ましい。冷却室3は、高温のウエハwを搬入してから所定時間例えば55秒後に所定温度例えば80℃以下になるように設計される。
前記ロードロック室14内は、大気側から真空側へ搬送する常温搬送用と、真空側から大気側へ搬送する降温搬送用とに上下2段に分割され、下部(下段)に前記冷却板29が設けられ、上部(上段)に大気側からの常温のウエハwを載置する載置部39が設けられている。この載置部39は、冷却板29の上面より上方のロードロック室14内における高さ方向略中間位置に一側の壁から延出して設けられた例えばアルミニウム製の載置板40と、この載置板40の上面に突設された例えばフッ素樹脂製の複数例えば3本の支持ピン41とから構成されている。冷却板29の表面からの熱吸収率を向上させるために、冷却板29の表面(上面)は硬質アルマイト処理が施され黒色とされていることが好ましい。なお、ウエハwからの熱放射を吸収するために、前記載置板40の下面も硬質アルマイト処理されていることが好ましい。
以上の構成からなる熱処理装置の作用を述べる。ロードポート14に運搬容器5を載置すると、運搬容器5の前面部が当接機構により接続口7に当接され、ドアと共に運搬容器5の蓋が開けられる。大気側の搬送機構11により前記運搬容器5内からウエハwが取出され、位置合せ装置23を経由してロードロック14内の載置部39に搬送される。大気側のゲートバルブ16を閉めてロードロック室14内を真空側搬送室9内と同じ真空度に真空引き(減圧)したら、真空側のゲートバルブ15を開けると共に処理室3のゲートバルブ18を開け、真空側の搬送機構8によりロードロック室14内の載置部39からウエハwが取出されて処理室2内に搬送される。処理室2のゲートバルブ18を閉じて処理室2でウエハwの所定の熱処理が施される。
熱処理が終了すると、処理室2のゲートバルブ18を開き、搬送機構8により処理室2内からウエハwが取出されてロードロック室14内における冷却室3内に搬送される。この場合、冷却室3内において、リフト機構31のリフターピン30が上昇して搬送機構8の先端アーム部20からウエハwを受け取り、先端アーム部20が退避した後、リフターピン30が降下してウエハwを冷却板29上の支持ピン28上に載置する。真空側のゲートバルブ15を閉じ、冷却室29内に不活性ガス例えば窒素ガスを導入してロードロック室内14を大気圧に戻すと共に、更に窒素ガスを導入しながら所定時間例えば55秒程度冷却板29によるウエハwの冷却を行い、ウエハwを所定の温度例えば77℃程度に降温させる。
この場合、冷却板29の上面がウエハwに対向する周縁部から中央部に向って漸次隆起して形成されているため、ウエハwを反り変形が生じないように中央部と周縁部をバランス良く迅速に(効率良く)冷却することができ、スループットの向上が図れる。また、その場合、前記冷却板29の表面が硬質アルマイト処理されて黒色になっているため、ウエハからの熱放射を積極的に吸収することができ、更に冷却効率の向上が図れる。
前記ウエハwの冷却が終了すると、大気側のゲートバルブ16を開くと共に、リフターピン30が上昇してウエハwを支持ピン28上から持ち上げ、そのウエハwが搬送機構11の先端アーム部24上に吸着保持されてロードロック室14内の冷却室3内から搬出され、前記運搬容器5内に戻される。前記冷却室3は、真空側である処理室2との間でウエハwの搬送を行う搬送機構8を有する真空側搬送室9と連通する真空側出入口10と、大気側である運搬容器5との間でウエハwの搬送を行う搬送機構11を有する大気側搬送室12と連通する大気側出入口13とを備えたロードロック室14内に形成されているため、装置のコンパクト化及びスループットの向上が図れる。
特に、前記ロードロック室14内は、大気側から真空側へ搬送する常温搬送用と、真空側から大気側へ搬送する降温搬送用とに上下2段に分割され、下部(下段)に前記冷却板29が設けられ、上部(上段)に大気側からの常温のウエハを載置する載置部39が設けられているため、ロードロック室14内を有効利用でき、更に装置のコンパクト化及びスループットの向上が図れる。なお、前記真空側搬送室9内の搬送機構8はウエハwの両側下縁部を支承する支承部19を有する先端アーム部20を備えているため、冷却板29上に先端アーム部20の干渉を回避する溝を加工する必要がなくなり、均一な冷却が可能になる。
冷却板29の隆起部38の高さhを1.3mm、隆起部38の頂点からウエハwの下面までの距離dを0.4mmとし、冷却板29を常温例えば25℃程度に冷却した冷却室3内に、熱処理後の1000℃に加熱された直径300mmのウエハwを搬入して温度測定試験を行った結果、ウエハwの中心部が47秒後に71℃、ウエハwの外周部が50秒後に72℃になり、ウエハの中央部と周縁部がバランス良く急速に降温した。また、その際に、ウエハwの反り変形は発生しなかった。
以上、本発明の実施の形態ないし実施例を図面により詳述してきたが、本発明は前記実施の形態ないし実施例に限定されるものではなく、本発明の要旨を逸脱しない範囲での種々の設計変更等が可能である。例えば、本発明は、大気側搬送室の周囲に、処理室を接続配置した常圧の熱処理装置にも適用することができる。
本発明の実施の形態である熱処理装置の概略的構成を示す斜視図である。 同熱処理装置の平面構成を概略的に示す図である。 ロードロック室の縦断面図である。 冷却板の表面形状を概略的に示す断面図である。
符号の説明
w 半導体ウエハ(被処理体)
1 熱処理装置
2 処理室
3 冷却室
8 搬送機構
9 真空側搬送室
10 真空側出入口
11 搬送機構
12 大気側搬送室
13 大気側出入口
14 ロードロック室
28 支持ピン(支持部)
29 冷却板
39 載置部

Claims (4)

  1. 被処理体を収容して熱処理を行う処理室と、該処理室から搬出された熱処理後の被処理体を収容して所定の温度以下に冷却する冷却室とを備えた熱処理装置であって、前記冷却室は被処理体を支持する支持部と、被処理体の下面に対向して被処理体を冷却する冷却板とを有し、該冷却板の上面が被処理体に対向する周縁部から中央部に向って漸次隆起して形成されていることを特徴とする熱処理装置。
  2. 前記冷却板の表面が硬質アルマイト処理されていることを特徴とする請求項1記載の熱処理装置。
  3. 前記冷却室は、真空側である処理室との間で被処理体の搬送を行う搬送機構を有する真空側搬送室と連通する真空側出入口と、大気側である運搬容器との間で被処理体の搬送を行う搬送機構を有する大気側搬送室と連通する大気側出入口とを備えたロードロック室内に形成されていることを特徴とする請求項1記載の熱処理装置。
  4. 前記ロードロック室内には、下部に前記冷却板が設けられ、上部に大気側からの被処理体を載置する載置部が設けられていることを特徴とする請求項3記載の熱処理装置。
JP2004279154A 2004-09-27 2004-09-27 熱処理装置 Pending JP2006093543A (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2004279154A JP2006093543A (ja) 2004-09-27 2004-09-27 熱処理装置

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2004279154A JP2006093543A (ja) 2004-09-27 2004-09-27 熱処理装置

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JP2006093543A true JP2006093543A (ja) 2006-04-06

Family

ID=36234201

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2004279154A Pending JP2006093543A (ja) 2004-09-27 2004-09-27 熱処理装置

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JP2006093543A (ja)

Cited By (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2008150681A (ja) * 2006-12-19 2008-07-03 Dialight Japan Co Ltd 直流プラズマ成膜装置
WO2011037020A1 (ja) * 2009-09-28 2011-03-31 東京エレクトロン株式会社 被処理体の冷却方法、冷却装置及びコンピュータ読み取り可能な記憶媒体
JP2017084897A (ja) * 2015-10-26 2017-05-18 東京エレクトロン株式会社 ロードロック装置における基板冷却方法、基板搬送方法、およびロードロック装置
WO2021045070A1 (ja) * 2019-09-06 2021-03-11 キヤノンアネルバ株式会社 ロードロック装置
CN113728422A (zh) * 2020-03-24 2021-11-30 株式会社日立高新技术 真空处理装置

Cited By (12)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2008150681A (ja) * 2006-12-19 2008-07-03 Dialight Japan Co Ltd 直流プラズマ成膜装置
WO2011037020A1 (ja) * 2009-09-28 2011-03-31 東京エレクトロン株式会社 被処理体の冷却方法、冷却装置及びコンピュータ読み取り可能な記憶媒体
JP2011091373A (ja) * 2009-09-28 2011-05-06 Tokyo Electron Ltd 被処理体の冷却方法、冷却装置及びコンピュータ読み取り可能な記憶媒体
KR101500050B1 (ko) * 2009-09-28 2015-03-06 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 피처리체의 냉각 방법, 냉각 장치 및 컴퓨터 판독 가능한 기억 매체
JP2017084897A (ja) * 2015-10-26 2017-05-18 東京エレクトロン株式会社 ロードロック装置における基板冷却方法、基板搬送方法、およびロードロック装置
WO2021045070A1 (ja) * 2019-09-06 2021-03-11 キヤノンアネルバ株式会社 ロードロック装置
WO2021044623A1 (ja) * 2019-09-06 2021-03-11 キヤノンアネルバ株式会社 ロードロック装置
JP2021044545A (ja) * 2019-09-06 2021-03-18 キヤノンアネルバ株式会社 ロードロック装置
JP2021044551A (ja) * 2019-09-06 2021-03-18 キヤノンアネルバ株式会社 ロードロック装置
JP7473493B2 (ja) 2019-09-06 2024-04-23 キヤノンアネルバ株式会社 ロードロック装置の使用方法
CN113728422A (zh) * 2020-03-24 2021-11-30 株式会社日立高新技术 真空处理装置
CN113728422B (zh) * 2020-03-24 2024-01-09 株式会社日立高新技术 真空处理装置

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US10763139B2 (en) Vacuum transfer module and substrate processing apparatus
JP4860167B2 (ja) ロードロック装置,処理システム及び処理方法
KR101002553B1 (ko) 기판 처리 장치, 기판 처리 방법 및 기록 매체
JP4313401B2 (ja) 縦型熱処理装置及び被処理基板移載方法
TWI462185B (zh) 基板處理裝置,基板支持具及半導體裝置之製造方法
US20120170999A1 (en) Load lock device and processing system
US20170092518A1 (en) Substrate processing apparatus
WO2000028587A1 (fr) Dispositif de traitement
KR102616427B1 (ko) 주변 제어된 이송 모듈 및 프로세스 시스템
KR101227809B1 (ko) 기판 배치대의 강온 방법, 컴퓨터 판독 가능한 기억 매체, 및 기판 처리 시스템
KR100982859B1 (ko) 기판 처리 장치, 기판 처리 방법 및 기록 매체
JPH05218176A (ja) 熱処理方法及び被処理体の移載方法
US20050118000A1 (en) Treatment subject receiving vessel body, and treating system
JP2008235309A (ja) 基板処理装置、基板処理方法および記録媒体
JP2000208589A (ja) 処理装置
KR20180128349A (ko) 진공 반송 모듈 및 기판 처리 장치
JP3604241B2 (ja) 縦型熱処理装置
JP2006093543A (ja) 熱処理装置
US20170117169A1 (en) Substrate cooling method, substrate transfer method, and load-lock mechanism
JP2005259858A (ja) 基板処理装置
JP2005277049A (ja) 熱処理システム及び熱処理方法
JP2002093715A (ja) 半導体製造装置
JP2000323549A (ja) 真空処理装置
TWI770878B (zh) 真空處理裝置
JP2001338890A (ja) 基板処理装置