JP2018125352A - 半導体装置の製造方法 - Google Patents
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Abstract
Description
12 :半導体基板
14 :上部電極
15 :中間層
16 :下部電極
22 :エミッタ領域
24 :ボディ領域
26 :ドリフト領域
28 :バッファ領域
30 :コレクタ層
32 :ゲート絶縁膜
34 :ゲート電極
36 :層間絶縁膜
Claims (1)
- 半導体装置の製造方法であって、
IGBTを内蔵しており、前記IGBTのp型のコレクタ層が表面に露出している半導体基板を準備する工程と、
前記コレクタ層に中間層を介して接続されており、アルミニウムを含むコレクタ電極を形成する工程と、
前記半導体基板を熱処理する工程、
を有し、
前記中間層が、酸化アルミニウムを含み、
前記コレクタ電極を形成する前記工程を実施した段階で、前記中間層における酸素濃度が35at%未満である、
製造方法。
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