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Families Citing this family (41)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20170048787A (ko) * 2015-10-27 2017-05-10 세메스 주식회사 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법
US10535538B2 (en) * 2017-01-26 2020-01-14 Gary Hillman System and method for heat treatment of substrates
US10274847B2 (en) * 2017-09-19 2019-04-30 Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. Humidity control in EUV lithography
JP7166089B2 (ja) * 2018-06-29 2022-11-07 東京エレクトロン株式会社 基板処理装置、基板処理システムおよび基板処理方法
JP7045468B2 (ja) * 2018-08-30 2022-03-31 東京エレクトロン株式会社 基板処理方法および基板処理装置
JP7129309B2 (ja) * 2018-10-16 2022-09-01 東京エレクトロン株式会社 基板処理装置、基板処理方法、及び記憶媒体
JP7653908B2 (ja) 2018-11-14 2025-03-31 ラム リサーチ コーポレーション 次世代リソグラフィにおいて有用なハードマスクを作製する方法
CN120762258A (zh) 2018-12-20 2025-10-10 朗姆研究公司 抗蚀剂的干式显影
KR102666133B1 (ko) * 2019-01-14 2024-05-17 삼성전자주식회사 초임계 건조 장치 및 그를 이용한 기판 건조방법
CN113196452A (zh) 2019-01-18 2021-07-30 应用材料公司 用于电场引导的光刻胶图案化工艺的膜结构
JP7162541B2 (ja) * 2019-01-22 2022-10-28 東京エレクトロン株式会社 基板処理装置、及び基板処理方法、及び記憶媒体
JP7208813B2 (ja) * 2019-02-08 2023-01-19 東京エレクトロン株式会社 基板処理装置及び基板処理方法
JP7242354B2 (ja) * 2019-03-13 2023-03-20 株式会社Ｓｃｒｅｅｎホールディングス 基板処理方法および基板処理装置
TWI869221B (zh) 2019-06-26 2025-01-01 美商蘭姆研究公司 利用鹵化物化學品的光阻顯影
KR20250060328A (ko) * 2019-06-28 2025-05-07 램 리써치 코포레이션 금속-함유 레지스트의 리소그래피 성능을 향상시키기 위한 소성 전략들
JP7308671B2 (ja) * 2019-07-03 2023-07-14 東京エレクトロン株式会社 基板熱処理装置、基板熱処理方法及び記憶媒体
CN112289701B (zh) * 2019-07-22 2025-12-19 东京毅力科创株式会社 热处理装置和热处理方法
JP7359680B2 (ja) 2019-07-22 2023-10-11 東京エレクトロン株式会社 熱処理装置及び処理方法
US11626285B2 (en) * 2019-09-10 2023-04-11 Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. Method of manufacturing a semiconductor device
JP7499106B2 (ja) * 2019-10-17 2024-06-13 東京エレクトロン株式会社 基板処理装置、基板処理方法、及びプログラム
KR102357066B1 (ko) * 2019-10-31 2022-02-03 세메스 주식회사 기판 처리 장치
KR20250007037A (ko) 2020-01-15 2025-01-13 램 리써치 코포레이션 포토레지스트 부착 및 선량 감소를 위한 하부층
JP2023513134A (ja) * 2020-02-04 2023-03-30 ラム リサーチ コーポレーション 金属含有ｅｕｖレジストの乾式現像性能を高めるための塗布／露光後処理
US12085858B2 (en) 2020-03-20 2024-09-10 Applied Materials, Inc. Photoresist patterning process
US11429026B2 (en) 2020-03-20 2022-08-30 Applied Materials, Inc. Lithography process window enhancement for photoresist patterning
TWI885087B (zh) * 2020-03-24 2025-06-01 日商東京威力科創股份有限公司 熱處理裝置及熱處理方法
TWI876020B (zh) 2020-04-03 2025-03-11 美商蘭姆研究公司 處理光阻的方法、以及用於沉積薄膜的設備
JP7413164B2 (ja) * 2020-06-26 2024-01-15 東京エレクトロン株式会社 熱処理ユニット、基板処理装置、熱処理方法、及び記憶媒体
WO2022010809A1 (en) 2020-07-07 2022-01-13 Lam Research Corporation Integrated dry processes for patterning radiation photoresist patterning
KR102673863B1 (ko) 2020-11-13 2024-06-11 램 리써치 코포레이션 포토레지스트의 건식 제거를 위한 프로세스 툴
KR102622987B1 (ko) 2020-12-10 2024-01-11 세메스 주식회사 기판 처리 장치 및 이에 제공되는 필러 부재
US11815816B2 (en) 2021-02-15 2023-11-14 Applied Materials, Inc. Apparatus for post exposure bake of photoresist
EP4291954A1 (en) 2021-02-15 2023-12-20 Applied Materials, Inc. Apparatus for post exposure bake of photoresist
WO2023276723A1 (ja) * 2021-06-30 2023-01-05 東京エレクトロン株式会社 基板処理装置及び基板処理方法
KR20240050299A (ko) * 2021-09-06 2024-04-18 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 열처리 장치, 열처리 방법 및 기억 매체
JP2023177658A (ja) 2022-06-02 2023-12-14 東京エレクトロン株式会社 熱処理装置、熱処理方法及び記憶媒体
KR20240049978A (ko) * 2022-10-11 2024-04-18 삼성전자주식회사 기판 처리 장치
KR20240065990A (ko) * 2022-11-07 2024-05-14 삼성전자주식회사 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법
JP7565390B2 (ja) * 2023-01-17 2024-10-10 株式会社Ｓｃｒｅｅｎホールディングス 加熱装置および加熱方法
CN120958566A (zh) 2023-03-17 2025-11-14 朗姆研究公司 用于单一处理室中euv图案化的干法显影与蚀刻工艺的集成
JP2024152282A (ja) 2023-04-14 2024-10-25 東京エレクトロン株式会社 熱処理方法、熱処理装置及びコンピュータ記憶媒体

Family Cites Families (23)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TW464944B (en) * 1997-01-16 2001-11-21 Tokyo Electron Ltd Baking apparatus and baking method
US6368776B1 (en) * 1998-03-18 2002-04-09 Tokyo Electron Limited Treatment apparatus and treatment method
JPH11274059A (ja) * 1998-03-18 1999-10-08 Tokyo Electron Ltd 露光処理後の加熱方法及び加熱装置
US20020011216A1 (en) * 1999-06-04 2002-01-31 Tue Nguyen Integral susceptor-wall reactor system and method
JP3989221B2 (ja) * 2001-10-25 2007-10-10 東京エレクトロン株式会社 熱処理装置および熱処理方法
JP4293333B2 (ja) * 2002-07-18 2009-07-08 東京エレクトロン株式会社 基板処理の不具合検出方法及び処理装置
JP2006066749A (ja) * 2004-08-30 2006-03-09 Renesas Technology Corp 半導体集積回路装置の製造方法
JP2007059633A (ja) * 2005-08-24 2007-03-08 Tokyo Electron Ltd 基板加熱装置及び基板加熱方法
JP2008198739A (ja) * 2007-02-09 2008-08-28 Tokyo Electron Ltd 載置台構造、これを用いた処理装置及びこの装置の使用方法
JP2008218866A (ja) * 2007-03-07 2008-09-18 Elpida Memory Inc パターン形成方法およびパターン形成装置
JP5410174B2 (ja) * 2009-07-01 2014-02-05 株式会社日立国際電気 半導体装置の製造方法、基板処理方法および基板処理システム
JP2011066119A (ja) * 2009-09-16 2011-03-31 Toshiba Corp 半導体装置の製造装置および製造方法
JP5434800B2 (ja) * 2010-06-01 2014-03-05 東京エレクトロン株式会社 疎水化処理方法及び疎水化処理装置
CN103999198B (zh) * 2011-11-01 2016-08-24 株式会社日立国际电气 半导体器件的制造方法、半导体器件的制造装置及记录介质
JP5673523B2 (ja) * 2011-12-28 2015-02-18 東京エレクトロン株式会社 基板処理方法、基板処理装置及び記憶媒体
US8703386B2 (en) * 2012-02-27 2014-04-22 International Business Machines Corporation Metal peroxo compounds with organic co-ligands for electron beam, deep UV and extreme UV photoresist applications
US9310684B2 (en) * 2013-08-22 2016-04-12 Inpria Corporation Organometallic solution based high resolution patterning compositions
JP6324800B2 (ja) * 2014-05-07 2018-05-16 東京エレクトロン株式会社 成膜方法および成膜装置
WO2016088655A1 (ja) * 2014-12-02 2016-06-09 Jsr株式会社 フォトレジスト組成物及びその製造方法並びにレジストパターン形成方法
JP5963893B2 (ja) * 2015-01-09 2016-08-03 株式会社日立国際電気 基板処理装置、ガス分散ユニット、半導体装置の製造方法およびプログラム
JP5947435B1 (ja) * 2015-08-27 2016-07-06 株式会社日立国際電気 基板処理装置、半導体装置の製造方法、プログラムおよび記録媒体
JP6318139B2 (ja) * 2015-12-25 2018-04-25 株式会社日立国際電気 基板処理装置、半導体装置の製造方法及びプログラム
JP6240712B1 (ja) * 2016-05-31 2017-11-29 株式会社日立国際電気 半導体装置の製造方法、基板処理装置およびプログラム

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