TWI664663B - 基板處理方法及其裝置 - Google Patents

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中山知佐世
春本将彥
浅井正也
福本靖博
松尾友宏
石井丈晴
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日商斯庫林集團股份有限公司
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Abstract

一種基板處理方法，其對基板於熱處理空間內進行熱處理，且上述方法包含以下步驟：搬入步驟，其使基板載置於支持銷；排氣步驟，其將上述熱處理空間之氣體排氣；惰性氣體供給步驟，其對上述熱處理空間供給惰性氣體；基板下空間氣體排出步驟，其將上述基板與上述熱處理板之上表面之間之基板下空間之氣體排出；及熱處理步驟，其使上述支持銷於上述熱處理板內退出，對載置於上述熱處理板之上表面上之上述熱處理空間內之基板進行熱處理。

Description

基板處理方法及其裝置
本發明係關於一種對半導體晶圓、液晶顯示器用基板、有機EL(Electroluminescence，電致發光)顯示裝置等FPD(Flat Panel Display，平板顯示器)用基板、光顯示器用基板、磁碟用基板、磁光碟用基板、光罩用基板、太陽電池用基板(以下，簡稱為基板)進行熱處理之基板處理方法及其裝置。
於最近之製程技術中，作為代替浸潤式微影或極紫外線(EUV：Extreme Ultraviolet Lithography，極紫外線微影)微影之技術，例如，DSA(Directed Self Assembly，定向自組織化)製程受到關注。DSA製程係為了進一步提高基板上之微細化，而使用利用嵌段共聚物之微相分離之誘導自組織化(DSA：Directed Self Assembly)技術者。 此種DSA製程中之先前之基板處理方法係將BCP(Block Co-Polymer，嵌段共聚物)塗佈於基板形成處理膜之後，於熱處理腔室之熱處理空間中進行加熱基板之處理膜之熱處理，而使處理膜中之兩種聚合物相互(相)分離。然後，藉由對經(相)分離之一聚合物進行蝕刻而形成微細之圖案(例如，參照日本專利特開2014-22570號公報)。 然而，於具有此種構成之先前例之情形時，存在如下問題。 即，於先前之方法中，存在有時藉由熱處理空間中所形成之處理氣氛無法使處理膜中之聚合物適當地分離之問題。又，如DSA製程以外之製程、例如於將SOG(Spin On Glass，旋塗式玻璃)溶液塗佈於基板之後進行熱處理而產生膜之製程等般，於在熱處理腔室內對基板進行熱處理之製程中，有時亦會因熱處理空間中所形成之處理氣氛而使經成膜之膜之特性、性能產生問題。
本發明係鑒於此種情況而完成者，其目的在於提供一種基板處理方法及其裝置，該基板處理方法可藉由在熱處理製程中形成較佳之熱處理空間之處理氣氛而適當地進行成膜。 本發明者等為了解決上述問題進行了銳意研究，結果獲得如下之知識見解。 於熱處理腔室中於熱處理空間之各種處理氣氛下進行熱處理之後，根據熱處理空間之各種參數與聚合物之分離狀態之關係而著眼於由熱處理空間之氧所引起之影響。其原因在於，發現產生聚合物之相分離不適當地進行之現象之情形係熱處理空間之氧濃度未充分下降之熱處理之情形。再者，推測於氧濃度未充分下降之情形時，聚合物於相分離時受到不良影響，而正常之相分離受到阻礙。又，於DSA製程以外之熱處理製程中，起因於氧之氧化亦對成膜之特性帶來不良影響。再者，發明者等發現：於進行降低熱處理空間內之氧濃度之處理之後，向熱處理板上載置基板而開始對基板之熱處理時，熱處理空間中之氧濃度暫時上升。基於此種知識見解之本發明構成為如下。 本發明係為了達成此種目的而採用如下構成。 本發明係一種基板處理方法，其係對形成有處理膜之基板於熱處理腔室內之熱處理空間內進行熱處理者，上述方法包含以下步驟：搬入步驟，其使基板載置於自熱處理板之上表面突出之支持銷；排氣步驟，其將上述熱處理空間之氣體排氣；惰性氣體供給步驟，其對上述熱處理空間供給惰性氣體；基板下空間氣體排出步驟，其將上述基板與上述熱處理板之上表面之間之基板下空間之氣體排出；及熱處理步驟，其使上述支持銷於上述熱處理板內退出，對載置於上述熱處理板之上表面上之上述熱處理空間內之基板進行熱處理。 根據本發明，於搬入步驟之後進行排氣步驟及惰性氣體供給步驟，但由於基板下空間由基板下表面與熱處理板之上表面夾著而為狹窄之空間，故而基板下空間之氧不易被置換。因此，藉由基板下空間氣體排出步驟而將基板下空間之氣體排出之後，實施熱處理步驟。因此，滯留於基板下空間之氧亦可由惰性氣體置換，故而可使熱處理空間內之氧濃度極低。其結果，可使熱處理步驟中之熱處理空間之處理氣氛適合於熱處理製程，而可適當地進行成膜。 又，於本發明中，較佳為，上述基板下空間氣體排出步驟對上述基板下空間供給惰性氣體。 藉由供給惰性氣體，可逐出滯留於基板下空間之氧。 又，於本發明中，較佳為，上述基板下空間氣體排出步驟自上述熱處理板之表面將上述基板下空間之氣體排氣。 藉由將基板下空間之氣體排氣，可逐出滯留於基板下空間之氧。 又，於本發明中，較佳為，上述基板下空間氣體排出步驟係於上述熱處理步驟中將上述基板載置於上述熱處理板之上表面上之前停止。 由於在將基板載置於熱處理板之前使基板下空間氣體排出步驟停止，故而可將基板穩定地載置於熱處理板。 又，於本發明中，較佳為，上述處理膜由誘導自組織化材料構成。 可使熱處理空間之處理氣氛適合於DSA製程，而可使聚合物適當地(相)分離。 又，本發明係一種基板處理裝置，其係對形成有處理膜之基板於熱處理空間內進行熱處理者，且上述裝置包含以下要素：熱處理板，其利用蓋部與周圍之氣氛隔離，且於上述蓋部內形成熱處理空間；支持銷，其跨及自上述熱處理板之上表面突出之基板之交接位置、與為了將經支持之基板載置於上述熱處理板之上表面上而於上述熱處理板內退出之退出位置移動；惰性氣體供給器件，其向上述蓋部內供給惰性氣體；排氣器件，其將上述蓋部內之氣體排出；及基板下空間氣體排出器件，其將由上述支持銷支持之基板與上述熱處理板之上表面之間之基板下空間之氣體排出；於交接位置上使基板支持於上述支持銷，利用上述排氣器件使熱處理空間之氣體排氣，並且利用上述惰性氣體供給器件供給惰性氣體，藉由上述基板下空間氣體排出器件而將基板下空間之氣體排出，使上述支持銷移動至退出位置使基板載置於上述熱處理板之上表面上而對基板進行熱處理。 根據本發明，於交接位置上使基板支持於支持銷之後進行排氣及惰性氣體供給，但由於基板下空間由基板下表面與熱處理板之上表面夾著而為狹窄之空間，故而基板下空間之氧不易被置換。因此，藉由基板下空間氣體排出器件而將基板下空間之氣體排出之後，實施熱處理。因此，滯留於基板下空間之氧亦可由惰性氣體置換，故而可使熱處理空間內之氧濃度極低。其結果，可使熱處理中之熱處理空間之處理氣氛適合於熱處理製程，而可適當地進行成膜。 又，於本發明中，較佳為，上述基板下空間氣體排出器件係自於上述熱處理板之上表面開口之板上表面開口對基板下空間供給惰性氣體。 藉由自板上表面開口供給惰性氣體，可逐出滯留於基板下空間之氧。 又，於本發明中，較佳為，上述基板下空間氣體排出器件係自於上述熱處理板之上表面開口之板上表面開口將基板下空間之氣體排氣。 藉由自板上表面開口將基板下空間之氣體排氣，可逐出滯留於基板下空間之氧。 又，於本發明中，較佳為，上述基板下空間氣體排出器件係於使上述支持銷移動至退出位置之前停止。 由於在將基板載置於熱處理板之上表面上之前使基板下空間氣體排出器件停止，故而可將基板穩定地載置於熱處理板。
以下，參照圖式對本發明之一實施例進行說明。 圖1係表示實施例之基板處理裝置之整體構成之概略構成圖。 用以實施本實施例之基板處理方法之基板處理裝置係對基板W進行熱處理者。作為一例，本實施例中之基板W設為於表面形成有由誘導自組織化材料構成之處理膜者。 本實施例之基板處理裝置具備熱處理板部1、熱處理腔室3、上部氣體供給部5、擋板部7、腔室排氣部9、支持銷升降部11、下部氣體供給部13、支持銷密封排氣部15、控制部17、及設定部19。 熱處理板部1係用以將基板W載置於其上表面並進行熱處理者。熱處理板部1具備底板21、熱處理板23、及加熱器25。底板21供安裝熱處理板23之下部，且與熱處理板23一起安裝於熱處理腔室3之下部。熱處理板23例如由以銅(Cu)或鋁(Al)等熱導率較高之金屬為基材之材料構成。熱處理板23中埋設有加熱器25，藉由該加熱器25而調節熱處理板23之溫度。熱處理板23例如藉由加熱器25而於300～400℃之範圍內調節溫度。該熱處理板23係於其上表面埋設有未圖示之近接鋼珠，且使基板W之下表面自熱處理板23之上表面隔開特定間隔(例如，0.1 mm)而載置。 熱處理板23係於在俯視下相當於正三角形之頂點之位置形成有貫通口27。該等貫通口27自熱處理板23之上表面貫通至下表面，進而亦貫通底板21而形成，且供下述支持銷插通。又，於熱處理板23之中央部附近，形成有於上下方向貫通熱處理板23及底板21之板上表面供給口29。 再者，上述板上表面供給口29相當於本發明之技術方案7中之「板上表面開口」及「基板下空間氣體排出器件」。 熱處理腔室3具備蓋部31。蓋部31係於下部具備開口，且於該開口安裝有上述熱處理板部1。蓋部31呈包圍熱處理板部1之側方及上方之形狀。於蓋部31之頂面與熱處理板23之上表面之間形成有空間。該空間為熱處理空間HS。於蓋部31之一側之側面，形成有搬入搬出口33。該搬入搬出口33用於將要處理之基板W搬入至熱處理空間HS或將經處理過之基板W自熱處理空間HS搬出。於搬入搬出口33之周圍，安裝有冷卻管35。該冷卻管35利用所供給之冷卻水而將蓋部31冷卻，保護搬入搬出口33之周圍之O形環。 於位於搬入搬出口33之相反側之蓋部31之側面形成有排氣口37。該排氣口37係用以將蓋部31內之氣體排出者。該排氣口37具有相當於熱處理空間HS之縱截面面積之程度之流路截面面積。於排氣口37之外側，介隔O形環而裝卸自如地設置有排氣口蓋39。蓋部31之頂面形成有複數個貫通口41。於蓋部31中熱處理板部1之周圍，於與熱處理板23之外周面之間存在俯視環狀之間隙43。於面向該間隙43之蓋部31之側面，形成有連通於間隙43之開口45。開口45例如設置於在俯視下對向之兩個部位。於開口45之下方，於蓋部31之外表面配置有冷卻管35。該冷卻管35保護蓋部31與底板21之間之O形環。下部氣體供給部13向開口45及板上表面供給口29供給氮氣。下部氣體供給部13具備複數個流量調整閥或開閉閥，且構成為能夠調整氮氣之流量。 上述排氣口37係通過相當於熱處理空間HS之縱截面面積之程度之較大流路截面面積之排氣口而進行排氣，故而可有效率地進行排氣。 於蓋部31之上方且搬入搬出口33側，配置有壓力感測器47。又，於蓋部31之上方且排氣口37側，配置有氧濃度感測器49。壓力感測器47測定熱處理空間HS內之壓力，氧濃度感測器49測定熱處理空間HS內之氧濃度。再者，氧濃度感測器49如下所述，僅於測定氧濃度成為目標值以下之經過時間之實驗時使用，於通常之處理時不需要配備。 於蓋部31之上部，配置有氣體供給緩衝部51。自蓋部31之上表面中心部供給之氮氣(N2 )係於內部向周圍擴散，並且自面積較上表面中心部大之下表面開口部通過複數個貫通口41而供給至熱處理空間HS內。於蓋部31之上表面與氣體供給緩衝部51之下表面之間，配置有O形環。於氣體供給緩衝部51之內部，配備有冷卻管35。該冷卻管35保護上述O形環。對於上述氣體供給緩衝部51，由上部氣體供給部5供給氮氣作為惰性氣體。該上部氣體供給部5例如具備2個流量調整閥等，且構成為能夠將氮氣之流量切換為兩個等級。 再者，上述開口45及氣體供給緩衝部51相當於本發明中之「惰性氣體供給器件」。 擋板部7配置於搬入搬出口33之前表面。擋板部7具有搬入搬出口33、擋板本體57、及致動器59。擋板本體57係藉由作動片於垂直方向進退之致動器59而升降驅動。擋板本體57係於上升時介隔O形環而將搬入搬出口33封閉。若致動器59作動，則擋板本體57移動至圖1之由實線所示之位置而將搬入搬出口33封閉，若致動器59設為非作動，則擋板本體57下降至圖1中由兩點鏈線所示之位置而將搬入搬出口33打開。 腔室排氣部9係經由上述排氣口蓋39而將熱處理空間HS之氣體排出。腔室排氣部9具備複數個開閉閥或流量調整閥、抽氣器等，且藉由來自空氣供給源之空氣供給而將熱處理空間HS排氣。再者，亦可代替抽氣器與空氣供給源等而使用排氣泵等來構成。 支持銷升降部11具備三根支持銷61(圖1中，因圖示之關係而僅表示兩根)、歧管63、機械軸封65、升降構件67、及致動器69。各支持銷61插通於上述各貫通口27。各支持銷61貫通歧管63，且下端部介隔機械軸封65而連結於升降構件67。於歧管63之上表面與底板21之間，以包圍各貫通孔27之方式安裝有O形環。機械軸封65之上端部安裝於歧管63之下表面。機械軸封65係氣密地支持支持銷61之外周面並且容許支持銷61之升降的由金屬構件形成之密封件。歧管63於俯視下呈三角形狀，且於內部形成有一個空間。於歧管63之一部位，形成有與其空間連通之排氣口71。 升降構件67於俯視下呈環狀，且藉由致動器69而升降。致動器69係以作動片於鉛直方向進退之姿勢配置。若致動器69作動，則支持銷61突出並移動至圖1中由兩點鏈線所示之基板W之交接位置，若致動器69設為非作動，則支持銷61移動至圖1中由實線所示之退出位置。於該支持銷61移動至退出位置時，基板W載置於熱處理板23之上表面上。 支持銷密封排氣部15自上述歧管63之排氣口71進行排氣。支持銷密封排氣部15具備複數個開閉閥或流量調整閥、抽氣器等，且藉由來自空氣供給源之空氣供給，而經由歧管63及貫通口27將熱處理空間HS排氣。又，將機械軸封65中產生之塵埃亦同時排出。再者，支持銷密封排氣部15亦可代替抽氣器與空氣供給源等而使用減壓泵等來構成。 藉由支持銷密封排氣部15，而通過形成於熱處理時載置基板W之場所之附近之貫通口27進行排氣，故而可有效率地降低熱處理時之對成膜帶來較大影響之基板W周圍之氧濃度。又，於機械軸封65中因支持銷61之滑動而產生之塵埃不會進入至熱處理空間HS而排出，故而可清潔地處理基板W。 再者，上述排氣口37及排氣口71相當於本發明中之「排氣器件」。 上述上部氣體供給部5、腔室排氣部9、下部氣體供給部13、支持銷密封排氣部15、及致動器59、69係藉由控制部17而總括地控制。控制部17內置有未圖示之CPU(Central Processing Unit，中央處理單元)、記憶體、計時器。控制部17係於未圖示之記憶體預先記憶有規定熱處理之順序之複數個配方。設定部19係由操作員操作者，且選擇複數個配方中之一個，或指示處理之開始，或指示警報發生時之操作。 再者，於本實施例中，於未圖示之記憶體預先記憶有腔室排氣時間、熱處理移行時間、熱處理時間、冷卻時間等，且適當地由控制部17參照。該熱處理移行時間係於下述熱處理中，熱處理空間HS之氧濃度成為目標值以下之自排氣開始時間點起之經過時間。其係於設置有氧濃度感測器49之狀態下藉由實驗預先計測而決定。 其次，參照圖2～圖4，對由上述基板處理裝置進行之熱處理之一例進行說明。再者，圖2係表示實施例之基板之處理例之時序圖，圖3係表示排氣及惰性氣體之供給時之氣體之流動之模式圖，圖4係表示排氣及惰性氣體之供給以及基板下空間氣體排除時之氣體之流動的模式圖。此處，圖2之時序圖中之實線表示熱處理空間HS之壓力，虛線表示熱處理空間HS之氧濃度。 再者，處理對象之基板W利用未圖示之搬送機構而搬入至熱處理空間HS內，如圖3所示，於自熱處理板23之表面離開之位置由交接位置之支持銷61支持(相當於本發明中之「搬入步驟」)。此時之基板W之下表面與熱處理板23之上表面之間隔例如為20 mm左右而較窄。又，將基板W之下表面與熱處理板23之上表面之空間設為基板下空間WS。 控制部17於0時間點，藉由支持銷密封排氣部15而開始自排氣口71排氣，並且藉由腔室排氣部9而開始自排氣口37排氣。藉此，熱處理空間HS內之氣體開始排氣，於作為腔室排氣時間之t1時間點壓力急速下降至-p3[kPa]為止。再者，設為於作為腔室排氣時間之t1時間點達到-p3[kPa]之條件係進行調整自腔室排氣部9與支持銷密封排氣部15之排氣量之各種實驗而預先決定。又，控制部17與此同時開始計時。藉由該急速排氣，亦具有如下效果，即，使擋板本體57牢固地密接於搬入搬出口33之O形環，而防止空氣自外部侵入至熱處理空間HS。 控制部17於對作為腔室排氣時間之t1時間點進行計時之時，開始自上部氣體供給部5與下部氣體供給部13供給氮氣。藉此，熱處理空間HS之壓力開始急速地朝大氣壓側恢復，但維持-p1[kPa]附近之負壓。此係藉由使來自上部氣體供給部5與下部氣體供給部13之氮氣之供給量較自腔室排氣部9與支持銷密封排氣部15之排氣量少而進行。於t1至t7時間點為止，藉由排氣與氮氣之供給而進行氧濃度降低。 於t1至t7時間點，使排氣量較氮氣之供給量多而設為負壓，滯留於熱處理腔室3內之角部等之氧較之氮氣之流動而藉由排氣之流動更容易排出。因此，可進一步降低氧濃度。 控制部17於相當於自0時間點起為特定時間後之t7時間點使腔室排氣部9停止，而移行至基於經由貫通口27之排氣(支持銷密封排氣)及自上部氣體供給部5與下部氣體供給部13供給氮氣之沖洗的氧濃度降低。藉此，熱處理空間HS之壓力由於排氣流量減少，故而偏向大氣壓側，並維持增壓。 此時，於無來自板上表面開口29之氮氣之供給之情形時，如圖3所示，有可能氣體滯留於成為狹窄空間之基板下空間WS。發明者等確認如下現象：若於不自板上表面供給口29供給氮氣之狀態下使支持銷61下降，則因於基板W之下表面壓上之氣體而熱處理空間HS之氧濃度上升。於該情形時，例如，於圖2之t9～t10時間點如由兩點鏈線所示之符號pc般氧濃度較目標值上升。因此，藉由自下部氣體供給部13供給氮氣，而如圖4所示，可將基板下空間WS之氣體利用氮氣之流動自貫通口27排出。又，雖然有可能氧滯留於處於熱處理板23之周圍之間隙43，但藉由自開口45供給氮氣，而該氧亦可排出。因此，可使熱處理空間HS之氧濃度極低。 控制部17於計時之時間已到達預先設定之熱處理移行時間之情形時，使支持銷61下降而移行至熱處理。於t7～t9時間點為止，使腔室排氣停止，並經由貫通口27進行排氣(支持銷密封排氣)且供給氮氣，藉此，可使t7時間點為止之熱處理空間HS內之流動產生變化。因此，可使滯留於熱處理空間HS內之氧隨著流動之變化而排出，而可進一步降低氧濃度。 再者，上述t1～t9時間點為止相當於本發明中之「排氣步驟」及「惰性氣體供給步驟」以及「基板下空間氣體排出步驟」。 控制部17於到達熱處理移行時間之情形時，於t9時間點將致動器69設為非作動，使支持銷61下降至退出位置為止。藉此，將基板W載置於熱處理板23之上表面上而對基板W開始熱處理。控制部17開始計時，並且維持該狀態直至到達熱處理時間之t10時間點為止。再者，於該t9時間點，熱處理空間HS中之氧濃度降低至作為目標值之100 ppm以下為止。 如上所述，不使用氧濃度計49，僅藉由計測熱處理移行時間即可向熱處理移行，故而可簡化基板處理裝置之構成，可抑制處理所需之成本。 控制部17於計時之時間到達熱處理時間時，於t10時間點使致動器69作動而使支持銷61上升。藉此，基板W自熱處理板23離開並移動至交接位置。控制部17使腔室排氣部9作動而開始自排氣口37排氣，進而開始計時。藉此，對基板W實施冷卻處理。 再者，上述t9～t10時間點為止相當於本發明中之「熱處理步驟」。 控制部17於計時之時間已到達冷卻時間之情形時，於t11時間點使腔室排氣部9、上部氣體供給部5、及下部氣體供給部13停止。而且，將致動器59設為非作動，使擋板本體57下降而將基板W搬出。 根據本實施例，於基板W搬入後進行排氣及惰性氣體供給，但由於基板下空間WS由基板W之下表面與熱處理板23之表面夾著而為狹窄之空間，故而基板下空間WS之氧不易被置換。因此，對基板下空間WS供給氮氣而將基板下空間WS之氣體排除之後，於t9～t10時間點實施熱處理。因此，滯留於基板下空間WS之氧亦可由惰性氣體置換，故而可使熱處理空間HS內之氧濃度極低。其結果，可使熱處理中之熱處理空間HS之處理氣氛適合於熱處理製程，而可適當地進行成膜。 ＜變化例＞ 其次，參照圖5對變化例進行說明。再者，圖5係表示變化例之基板處理裝置之整體構成之概略構成圖。 上述實施例係自板上表面供給口29供給氮氣。該變化例係將板上表面排氣口290連通連接於支持銷密封排氣部15而構成。如此構成，即便於t1～t10時間點為止自板上表面排氣口290進行排氣，亦可將基板下空間WS之氣體自貫通口27排出。因此，可發揮與上述實施例相同之效果。 再者，於該情形時，板上表面排氣口290相當於本發明之技術方案8中之「板上表面開口」及「基板下空間氣體排出器件」。 本發明並不限定於上述實施形態，可如下述般實施變化。 (1)於上述實施例中，設為基板W覆著有由誘導自組織化材料構成之處理膜者進行了說明，但本發明並不限定於此種基板W。例如，即便為熱處理空間HS中之氧濃度帶來不良影響之處理、例如對塗佈有SOG(Spin On Glass)溶液等之基板之處理，亦可應用。 (2)於上述實施例中，於熱處理開始後亦維持自板上表面供給口29之氮氣之供給。然而，亦可於使基板W下降至處理位置之前使其供給停止。藉此，可避免根據其供給量而基板W之姿勢變得不穩定而無法穩定地載置於處理位置之不良情況。 (3)於上述變化例中，於熱處理開始後亦自板上表面排氣口290進行排氣。然而，亦可於使基板W下降至處理位置之前使其排氣停止。藉此，可避免根據排氣量而基板W之姿勢變得不穩定而無法穩定地載置之不良情況。 (4)於上述實施例中，作為惰性氣體以氮氣為例進行了說明，但例如，亦可使用氬或氦等其他惰性氣體。 ※本發明可不脫離其思想或本質而以其他具體之形式實施，因此，作為表示發明之範圍者，應參照附加之申請專利範圍而並非以上之說明。
1‧‧‧熱處理板部
3‧‧‧熱處理腔室
5‧‧‧上部氣體供給部
7‧‧‧擋板部
9‧‧‧腔室排氣部
11‧‧‧支持銷升降部
13‧‧‧下部氣體供給部
15‧‧‧支持銷密封排氣部
17‧‧‧控制部
19‧‧‧設定部
21‧‧‧底板
23‧‧‧熱處理板
25‧‧‧加熱器
27‧‧‧貫通口
29‧‧‧板上表面供給口
31‧‧‧蓋部
33‧‧‧搬入搬出口
35‧‧‧冷卻管
37‧‧‧排氣口
39‧‧‧排氣口蓋
41‧‧‧貫通口
43‧‧‧間隙
45‧‧‧開口
47‧‧‧壓力感測器
49‧‧‧氧濃度感測器
51‧‧‧氣體供給緩衝部
57‧‧‧擋板本體
59‧‧‧致動器
61‧‧‧支持銷
63‧‧‧歧管
65‧‧‧機械軸封
67‧‧‧升降構件
69‧‧‧致動器
71‧‧‧排氣口
290‧‧‧板上表面排氣口
HS‧‧‧熱處理空間
pc‧‧‧符號
W‧‧‧基板
WS‧‧‧基板下空間
※為了說明發明而圖示目前認為較佳之若干形態，但請理解發明並不限定於如圖所示之構成及對策。 圖1係表示實施例之基板處理裝置之整體構成之概略構成圖。 圖2係表示實施例之基板之處理例之時序圖。 圖3係表示排氣及惰性氣體之供給時之氣體之流動之模式圖。 圖4係表示排氣及惰性氣體之供給以及基板下空間氣體排除時之氣體之流動的模式圖。 圖5係表示變化例之基板處理裝置之整體構成之概略構成圖。

Claims (20)

  1. 一種基板處理方法，其係對形成有處理膜之基板於熱處理腔室內之熱處理空間內進行熱處理者，且上述方法包含以下步驟：搬入步驟，其使基板載置於自熱處理板之上表面突出之支持銷；排氣步驟，其將上述熱處理空間之氣體排氣；惰性氣體供給步驟，其對上述熱處理空間供給惰性氣體；基板下空間氣體排出步驟，其中上述基板之下表面係自上述熱處理板之上表面為離開之狀態，並將上述基板與上述熱處理板之上表面之間之基板下空間之氣體排出；及熱處理步驟，其使上述支持銷於上述熱處理板內退出，對載置於上述熱處理板之上表面上之上述熱處理空間內之基板進行熱處理。
  2. 如請求項1之基板處理方法，其中上述基板下空間氣體排出步驟對上述基板下空間供給惰性氣體。
  3. 如請求項1之基板處理方法，其中上述基板下空間氣體排出步驟自上述熱處理板之上表面將上述基板下空間之氣體排氣。
  4. 如請求項1之基板處理方法，其中上述基板下空間氣體排出步驟係於上述熱處理步驟中將上述基板載置於上述熱處理板之上表面上之前停止。
  5. 如請求項2之基板處理方法，其中上述基板下空間氣體排出步驟係於上述熱處理步驟中將上述基板載置於上述熱處理板之上表面上之前停止。
  6. 如請求項3之基板處理方法，其中上述基板下空間氣體排出步驟係於上述熱處理步驟中將上述基板載置於上述熱處理板之上表面上之前停止。
  7. 如請求項1之基板處理方法，其中上述處理膜由誘導自組織化材料構成。
  8. 如請求項2之基板處理方法，其中上述處理膜由誘導自組織化材料構成。
  9. 如請求項3之基板處理方法，其中上述處理膜由誘導自組織化材料構成。
  10. 如請求項4之基板處理方法，其中上述處理膜由誘導自組織化材料構成。
  11. 如請求項5之基板處理方法，其中上述處理膜由誘導自組織化材料構成。
  12. 如請求項6之基板處理方法，其中上述處理膜由誘導自組織化材料構成。
  13. 一種基板處理裝置，其係對形成有處理膜之基板於熱處理空間內進行熱處理者，且上述裝置包含以下要素：熱處理板，其利用蓋部與周圍之氣氛隔離，且於上述蓋部內形成熱處理空間；支持銷，其跨及自上述熱處理板之上表面突出之基板之交接位置、與為了將經支持之基板載置於上述熱處理板之上表面上而於上述熱處理板內退出之退出位置移動；惰性氣體供給器件，其向上述蓋部內供給惰性氣體；排氣器件，其將上述蓋部內之氣體排出；及基板下空間氣體排出器件，其將由上述支持銷支持之基板與上述熱處理板之上表面之間之基板下空間之氣體排出；於交接位置上使基板支持於上述支持銷，利用上述排氣器件使熱處理空間之氣體排氣，並且利用上述惰性氣體供給器件供給惰性氣體，其中上述基板之下表面係自上述熱處理板之上表面為離開之狀態，並藉由上述基板下空間氣體排出器件而將基板下空間之氣體排出，使上述支持銷移動至退出位置使基板載置於上述熱處理板之上表面上而對基板進行熱處理。
  14. 如請求項13之基板處理裝置，其中上述基板下空間氣體排出器件係自於上述熱處理板之上表面開口之板上表面開口對基板下空間供給惰性氣體。
  15. 如請求項13之基板處理裝置，其中上述基板下空間氣體排出器件係自於上述熱處理板之上表面開口之板上表面開口將基板下空間之氣體排氣。
  16. 如請求項13之基板處理裝置，其中上述基板下空間氣體排出器件係於使上述支持銷移動至退出位置之前停止。
  17. 如請求項14之基板處理裝置，其中上述基板下空間氣體排出器件係於使上述支持銷移動至退出位置之前停止。
  18. 如請求項15之基板處理裝置，其中上述基板下空間氣體排出器件係於使上述支持銷移動至退出位置之前停止。
  19. 如請求項13之基板處理裝置，其中上述處理膜由誘導自組織化材料構成。
  20. 如請求項14之基板處理裝置，其中上述處理膜由誘導自組織化材料構成。
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