KR20220024576A - 기판들의 이송 동안 진공의 사용 - Google Patents

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KR20220024576A
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라메시 찬드라세카란
마이클 필립 로버츠
폴 콘콜라
마이클 지.알. 스미스
브라이언 조셉 윌리엄스
라비 쿠마
펄킷 아가왈
아드리언 라보이
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램 리써치 코포레이션
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Abstract

기판 프로세싱 시스템에서 기판 아래의 볼륨을 배기하기 위한 방법은 기판과 기판 지지부의 상부 표면 사이에 기판 아래의 볼륨을 규정하도록 기판 지지부의 리프트 메커니즘 상에 기판을 배치하는 단계를 포함한다. 기판 아래의 볼륨을 배기하기 위한 배기 단계가 개시된다. 배기 단계는 리프트 메커니즘을 통해 그리고 리프트 메커니즘 주위에서, 이 중 적어도 하나로 기판 아래의 볼륨을 펌핑 다운하는 단계를 포함한다. 리프트 메커니즘은 기판 지지부의 상부 표면 상에 기판을 위치시키도록 배기 단계 동안 하강되고, 배기 단계는 종료된다.

Description

기판들의 이송 동안 진공의 사용
본 개시는 반도체 웨이퍼들과 같은 기판들을 기판 프로세싱 챔버 내의 기판 지지부들로 이송하는 것에 관한 것이다.
본 명세서에 제공된 배경기술 기술 (description) 은 본 개시의 맥락을 일반적으로 제시할 목적이다. 이 배경기술 섹션에 기술된 정도의 본 명세서에 명명된 발명자들의 업적, 뿐만 아니라 출원시 종래 기술로서 달리 인증되지 않을 수도 있는 본 기술의 양태들은 본 개시에 대한 종래 기술로서 명시적으로나 암시적으로 인정되지 않는다.
기판 프로세싱 시스템들은 반도체 웨이퍼들과 같은 기판들을 처리하기 위해 사용될 수도 있다. 기판 처리들의 예들은 에칭, 증착, 포토레지스트 제거, 등을 포함한다. 프로세싱 동안, 기판은 정전 척과 같은 기판 지지부 상에 배치되고, 하나 이상의 프로세스 가스들이 프로세싱 챔버 내로 도입될 수도 있다.
하나 이상의 프로세싱 가스들은 가스 전달 시스템에 의해 프로세싱 챔버로 전달될 수도 있다. 일부 예들에서, 가스 전달 시스템은 하나 이상의 도관들에 의해 프로세싱 챔버 내에 위치되는 샤워헤드에 연결된 매니폴드를 포함한다. 일부 예들에서, CVD (Chemical Vapor Deposition), PECVD (Plasma Enhanced CVD), ALD (Atomic Layer Deposition), 등과 같은 증착 프로세스들이 기판 상에 재료를 증착하도록 사용된다. 다른 예들에서, 화학적 강화된 프로세스 및/또는 플라즈마 강화된 프로세스가 기판을 에칭하도록 사용된다. 다양한 교번하는 에칭 및 증착 사이클들이 동일한 기판 상에서 수행될 수도 있다.
관련 출원들에 대한 교차 참조
본 출원은 2019년 6월 19일에 출원된 미국 특허 가출원 번호 제 62/863,564 호의 이익을 주장한다. 상기 참조된 출원의 전체 개시는 참조로서 본 명세서에 인용된다.
기판 프로세싱 시스템에서 기판 아래의 볼륨을 배기하기 (evacuate) 위한 방법은 기판과 기판 지지부의 상부 표면 사이에 기판 아래의 볼륨을 규정하도록 기판 지지부의 리프트 메커니즘 상에 기판을 배치하는 단계를 포함한다. 기판 아래의 볼륨을 배기하기 위한 배기 단계가 개시된다 (initiate). 배기 단계는 리프트 메커니즘을 통해 그리고 리프트 메커니즘 주위에서, 이 중 적어도 하나로 기판 아래의 볼륨을 펌핑 다운하는 단계를 포함한다. 리프트 메커니즘은 기판 지지부의 상부 표면 상에 기판을 위치시키도록 배기 단계 동안 하강되고, 배기 단계는 종료된다.
다른 특징들에서, 배기 단계는 (i) 기판이 리프트 메커니즘 상에 배치되는 것 및 (ii) 리프트 메커니즘의 하강의 시작 중 하나에 응답하여 개시된다. 배기 단계는 기판이 리프트 메커니즘 상에 배치되는 것에 후속하여 그리고 리프트 메커니즘의 하강이 시작되기 전에 개시된다. 배기 단계 및 리프트 메커니즘의 하강 단계는 동시에 개시된다. 배기 단계는 리프트 메커니즘이 완전히 하강된 위치에 도달하는 것에 응답하여 종료된다. 배기 단계는 리프트 메커니즘이 완전히 하강된 위치에 도달하기 전에 종료된다.
다른 특징들에서, 리프트 메커니즘은 리프트 메커니즘의 샤프트 (shaft) 내에 규정된 적어도 하나의 채널을 포함하고, 기판 아래의 볼륨을 펌핑 다운하는 단계는 적어도 하나의 채널을 통해 그리고 기판 지지부를 통해 하향으로 볼륨을 배기하는 단계를 포함한다. 적어도 하나의 채널은 샤프트의 외측 주변부 (perimeter) 주위에 분포된 복수의 채널들을 포함한다. 복수의 채널들 각각은 리프트 메커니즘의 하부 표면에 규정된 수직 부분 및 방사상 부분을 포함한다.
다른 특징들에서, 리프트 메커니즘은 리프트 메커니즘의 상부 표면에 규정된 적어도 하나의 유체 통로를 포함하고 기판 아래의 볼륨을 펌핑 다운하는 단계는 적어도 하나의 유체 통로를 통해 그리고 기판 지지부를 통해 하향으로 볼륨을 배기하는 단계를 포함한다. 방법은 리프트 메커니즘을 통해 그리고 리프트 메커니즘 주위에서, 이 중 적어도 하나로 기판 아래의 볼륨을 퍼지하는 단계를 더 포함한다. 리프트 메커니즘은 리프트 패드 및 리프트 핀들 중 하나에 대응한다.
기판 프로세싱 시스템에서 기판 아래의 볼륨을 배기하기 위한 시스템은 기판 지지부 및 리프트 메커니즘을 포함한다. 리프트 메커니즘은 기판 지지부의 상부 표면에 대해 상승된 위치와 하강된 위치 사이에서 전이되도록 구성되고, 그리고 기판이 상승된 위치에서 리프트 메커니즘 상에 배치될 때, 기판 아래의 볼륨은 기판과 기판 지지부의 상부 표면 사이에 규정된다. 배기 단계 동안, 기판 아래의 볼륨을 배기하도록 펌프가 구성된다. 배기 단계는 리프트 메커니즘이 기판 지지부의 상부 표면 상에 기판을 위치시키도록 하강되는 동안 리프트 메커니즘을 통해 그리고 리프트 메커니즘 주위에서, 이 중 적어도 하나로 기판 아래의 볼륨을 펌핑 다운하는 단계를 포함한다. 리프트 메커니즘은 리프트 패드 및 리프트 핀들 중 하나에 대응한다.
다른 특징들에서, 펌프는 (i) 기판이 리프트 메커니즘 상에 배치되는 것 및 (ii) 리프트 메커니즘의 하강의 시작 중 하나에 응답하여 배기 단계를 개시하도록 구성된다. 펌프는 (i) 기판이 리프트 메커니즘 상에 배치되는 것에 후속하여 그리고 리프트 메커니즘의 하강의 시작 전에 배기 단계를 개시하고 그리고 (ii) 리프트 메커니즘이 완전히 하강된 위치에 도달하는 것에 응답하여 배기 단계를 종료하도록 구성된다. 펌프는 리프트 메커니즘이 완전히 하강된 위치에 도달하기 전에 배기 단계를 종료하도록 구성된다.
다른 특징들에서, 리프트 메커니즘은 리프트 메커니즘의 샤프트 내에 규정된 적어도 하나의 채널을 포함하고, 기판 아래의 볼륨을 펌핑 다운하는 단계는 적어도 하나의 채널을 통해 그리고 기판 지지부를 통해 하향으로 볼륨을 배기하는 단계를 포함한다. 적어도 하나의 채널은 샤프트의 외측 주변부 주위에 분포된 복수의 채널들을 포함한다. 복수의 채널들 각각은 리프트 메커니즘의 하부 표면에 규정된 수직 부분 및 방사상 부분을 포함한다.
다른 특징들에서, 리프트 메커니즘은 리프트 메커니즘의 상부 표면에 규정된 적어도 하나의 유체 통로를 포함하고 기판 아래의 볼륨을 펌핑 다운하는 단계는 적어도 하나의 유체 통로를 통해 그리고 기판 지지부를 통해 하향으로 볼륨을 배기하는 단계를 포함한다. 가스 전달 시스템은 리프트 패드를 통해 기판 아래의 볼륨을 퍼지하도록 구성된다.
본 개시의 추가 적용 가능 영역들은 상세한 기술, 청구항들 및 도면들로부터 자명해질 것이다. 상세한 기술 및 구체적인 예들은 단지 예시의 목적들을 위해 의도되고, 본 개시의 범위를 제한하도록 의도되지 않는다.
본 개시는 상세한 기술 및 첨부된 도면들로부터 보다 완전히 이해될 것이다.
도 1a는 본 개시에 따른 기판 프로세싱 시스템의 예의 기능적 블록도이다.
도 1b는 본 개시에 따른 리프트 패드를 포함하는 예시적인 기판 지지부이다.
도 2a, 도 2b, 및 도 2c는 본 개시에 따른 기판 아래의 볼륨을 배기하기 위한 예시적인 프로세스를 도시한다.
도 3a 및 도 3b는 본 개시에 따른 예시적인 리프트 패드를 예시한다.
도 4a 및 도 4b는 본 개시에 따른 리프트 패드의 상부 표면을 도시한다.
도 5a는 본 개시에 따른 기판과 기판 지지부 사이의 볼륨을 배기하기 위한 예시적인 방법의 단계들을 도시한다.
도 5b는 본 개시에 따른 기판과 기판 지지부 사이의 볼륨을 퍼지하기 위한 예시적인 방법의 단계들을 도시한다.
도면들에서, 참조 번호들은 유사한 그리고/또는 동일한 엘리먼트들을 식별하기 위해 재사용될 수도 있다.
기판들은 처리를 위해 기판 프로세싱 챔버 내의 기판 지지부로 그리고 기판 지지부로부터 이송된다. 예를 들어, 로봇은 중간 챔버 (예를 들어, 버퍼 모듈, 진공 이송 모듈, 기판 프로세싱 챔버 내의 또 다른 스테이션, 등) 로부터 기판 지지부로 기판을 이송하도록 사용될 수도 있다. 일부 예들에서, 기판 지지부의 하나 이상의 구조체 피처들은 기판의 이송 및 제거를 용이하게 하도록 상승되거나, 그렇지 않으면 재위치될 (reposition) 수도 있다. 예를 들어, 기판 지지부는 기판 이송 동안 상승되는 하나 이상의 리프트 핀들을 포함할 수도 있다. 로봇은 기판을 상승된 리프트 핀들 상에 배치하고, 이어서 리프트 핀들은 기판을 기판 지지부 상으로 하강시키도록 하강된다.
일 예에서, 기판 지지부는 리프트 패드 (예를 들어, 기판 지지부의 직경보다 작은 직경을 갖는, 중심에 위치된 리프트 패드) 를 포함할 수도 있다. 리프트 패드는 기판 이송 동안 상승되고, 기판은 리프트 패드 상에 배치되고 후속하여 하강된다. 일부 예들 (예를 들어, "트위스트 패드" 예들) 에서, 리프트 패드는 기판의 회전 위치를 조정하기 위해 수직 중심 축을 중심으로 회전하도록 구성될 수도 있다. 예시적인 리프트 패드는 2018년 11월 8일에 공개된 미국 특허 공개 번호 제 2018/0323098 호에 보다 상세히 기술되고, 이는 전체가 본 명세서에 인용된다.
기판을 기판 지지부 상에 위치시키기 위해 리프트 패드가 하강될 때, 프로세싱 챔버의 내부 볼륨 내에 존재하는 가스들은 기판 아래에 (즉, 기판의 하부 표면과 기판 지지부의 상부 표면 사이에) 트랩핑될 수도 있다. 트랩핑된 가스들은 기판과 기판 지지부 사이의 마찰이 감소되고 그리고/또는 트랩핑된 가스들에 의해 유발된 압력이 기판을 상향으로 바이어싱하는 "하키 퍽" 효과를 유발할 수도 있다. 즉, 기판은 기판 지지부의 상부 표면 상에서 "플로팅 (float)"할 수도 있다. 이에 따라, 기판은 프로세싱 전 그리고/또는 프로세싱 동안 중심이 아닌 (non-centered) 위치로 기판 지지부에 대해 (예를 들어, 수평 방향으로) 시프팅할 수도 있다.
일부 예들에서, 프로세싱 챔버는 기판 지지부로 기판의 이송 전 및/또는 이송 동안 (예를 들어, 100 mTorr 이하와 같은 진공 압력으로) 펌핑 다운될 수도 있다. 이러한 방식으로, 프로세싱 챔버 내의 잔류 가스들은 기판이 기판 지지부 상의 위치로 하강되기 전에 제거되고, 가스들은 기판과 기판 지지부 사이에 트랩핑되지 않는다. 그러나, 이들 예들에서, 프로세싱 챔버를 진공으로 펌핑 다운하는 것은 프로세싱을 지연시키고 (예를 들어, 4 내지 6 초만큼), 이에 따라 쓰루풋 (throughput) 을 감소시킨다.
본 개시에 따른 시스템들 및 방법들은 기판이 하강되는 동안 기판과 기판 지지부 사이의 기판 바로 아래의 볼륨을 펌핑 다운한다. 따라서, 기판 아래 볼륨의 가스들은 기판과 기판 지지부 사이에 트랩핑되기 전에 배기된다 (evacuate). 예를 들어, 리프트 패드는 기판 바로 아래의 볼륨으로부터 기판 지지부를 통해 하향으로 경로를 제공하는 하나 이상의 채널들을 포함할 수도 있다. 이러한 방식으로, 가스들은 리프트 패드가 기판 지지부 상으로 기판을 하강시킬 때 기판 아래로부터 하향으로 배기될 수도 있다. 또한, 기판 위의 압력은 따라서 기판을 하향으로 바이어싱하고 기판의 하키 퍽 효과 및 이동을 방지하도록 기판 아래의 압력보다 클 것이다.
이제 도 1a 및 도 1b를 참조하면, 본 개시 (disclosure) 의 원리들에 따른 기판 지지부 (104) 를 포함하는 기판 프로세싱 시스템 (100) 의 예가 도시된다. 기판 지지부 (예를 들어, 페데스탈) (104) 가 프로세싱 챔버 (108) 내에 배치된다. 기판 (112) 이 프로세싱 동안 기판 지지부 (104) 상에 배치된다. 예를 들어, 증착 단계 및 에칭 단계를 포함하는 프로세싱이 기판 (112) 상에서 수행될 수도 있다. 기판 지지부 (104) 는 이하에 보다 상세히 기술된 바와 같이, 기판 (112) 의 기판 지지부 (104) 로의 이송 동안 상승 및 하강되도록 구성된 리프트 패드 (116) 와 같은 리프트 메커니즘을 포함할 수도 있다. 리프트 패드 (116) 로서 본 명세서에 기술되었지만, 다른 예들에서, 본 개시의 원리들은 리프트 핀들과 같은 다른 리프트 메커니즘들로 구현될 수도 있다.
가스 전달 시스템 (120) 이 프로세싱 챔버 (108) 내로 프로세스 가스들을 흘리도록 구성된다. 예를 들어, 가스 전달 시스템 (120) 은 밸브들 (124-1, 124-2, …, 및 124-N) (집합적으로 밸브들 (124)) 및 질량 유량 제어기들 (126-1, 126-2, …, 및 126-N) (집합적으로 MFC들 (Mass Flow Controllers) (126)) 에 연결되는 가스 소스들 (122-1, 122-2, …, 및 122-N) (집합적으로 가스 소스들 (122)) 을 포함한다. MFC들 (126) 은 가스 소스들 (122) 로부터 가스들이 혼합되는 매니폴드 (128) 로의 가스들의 플로우를 제어한다. 매니폴드 (128) 의 출력이 선택 가능한 (optional) 압력 조절기 (132) 를 통해 멀티-인젝터 샤워헤드 (140) 와 같은 가스 분배 디바이스로 공급된다.
일부 예들에서, 기판 지지부 (104) 의 온도는 저항성 히터들 (144) 을 사용하여 제어될 수도 있다. 기판 지지부 (104) 는 냉각제 채널들 (148) 을 포함할 수도 있다. 냉각 유체가 유체 저장부 (152) 및 펌프 (156) 로부터 냉각제 채널들 (148) 에 공급된다. 압력 센서들 (158, 160) 은 압력을 측정하기 위해 각각 매니폴드 (128) 또는 샤워헤드 (140) 내에 배치될 수도 있다. 밸브 (164) 및 펌프 (168) 가 프로세싱 챔버 (108) 로부터 반응 물질들을 배기시키도록 그리고/또는 프로세싱 챔버 (108) 내의 압력을 제어하도록 사용될 수도 있다. 밸브 (172) 및 펌프 (168) (또는 상이한 펌프) 는 이하에 보다 상세히 기술된 바와 같이, 기판 (112) 의 이송 동안 기판 (112) 아래 (즉, 기판 (112) 과 기판 지지부 (104) 의 상부 표면 사이) 의 볼륨을 배기하도록 사용될 수도 있다.
제어기 (176) 가 가스 전달 시스템 (120) 으로부터의 가스 전달을 제어한다. 일부 예들에서, 제어기 (176) 는 멀티-인젝터 샤워헤드 (140) 에 의해 제공된 도징 (dosing) 을 제어하는 도즈 제어기 (178) 를 포함할 수도 있다. 제어기 (176) 는 밸브 (172) 및 펌프 (168) 를 사용하여 프로세싱 챔버 내 압력 및/또는 반응 물질들의 배기을 제어한다. 제어기 (176) 는 (예를 들어, 기판 지지부 내의 센서들 (미도시) 및/또는 냉각제 온도를 측정하는 센서들 (미도시) 로부터의) 온도 피드백에 기초하여 기판 지지부 (104) 및 기판 (112) 의 온도를 제어한다.
일부 예들에서, 기판 프로세싱 시스템 (100) 은 동일한 프로세싱 챔버 (108) 내의 기판 (112) 상에서 (예를 들어, 제어기 (176) 에 응답하여) 에칭을 수행하도록 구성될 수도 있다. 이에 따라, 기판 프로세싱 시스템 (100) 은 RF 전력 (예를 들어, 전압 소스, 전류 소스, 등) 을 생성하고 하부 전극 (예를 들어, 도시된 바와 같이, 기판 지지부 (104) 의 베이스플레이트) 및 상부 전극 (예를 들어, 샤워헤드 (140)) 중 하나로 제공하도록 구성된 RF 생성 시스템 (180) 을 포함할 수도 있다. 하부 전극 및 상부 전극 중 다른 하나는 DC 접지되거나, AC 접지되거나, 플로팅할 수도 있다. 단지 예를 들면, RF 생성 시스템 (180) 은 기판 (112) 을 에칭하기 위해 프로세싱 챔버 (108) 내에서 플라즈마를 생성하도록 매칭 및 분배 네트워크 (184) 에 의해 피딩되는 RF 전압을 생성하도록 구성된 RF 생성기 (182) 를 포함할 수도 있다. 다른 예들에서, 플라즈마는 유도적으로 또는 리모트로 생성될 수도 있다. 예시의 목적들로 도시된 바와 같이, RF 생성 시스템 (180) 은 CCP (Capacitively Coupled Plasma) 시스템에 대응하지만, 본 개시의 원리들은 또한 단지 예를 들면, TCP (Transformer Coupled Plasma) 시스템들, CCP 캐소드 시스템들, 리모트 마이크로파 플라즈마 생성 및 전달 시스템들, 등과 같은 다른 적합한 시스템들에서 구현될 수도 있다.
본 제어기에 따른 제어기 (176) 는 이하에 보다 상세히 기술된 바와 같이, 기판 (112) 아래의 볼륨을 선택적으로 배기하기 위해 밸브 (172) 및 펌프 (168) 를 제어하도록 구성된다. 예를 들어, 제어기 (176) 는 기판 (112) 의 이송 동안 (예를 들어, 리프트 패드 (116) 의 샤프트 (shaft) (188) 에 기계적으로 커플링된 액추에이터 (186) 를 사용하여) 리프트 패드 (116) 를 선택적으로 상승 및 하강시킬 수도 있다. 일부 예들에서, 제어기 (176) 는 (예를 들어, 가스 전달 시스템 (120) 및 밸브 (190) 로부터 공급된 퍼지 가스를 사용하여) 기판 (116) 아래의 볼륨을 선택적으로 퍼지하도록 더 구성될 수도 있다.
도 2a, 도 2b, 및 도 2c는 본 개시에 따른 기판의 이송 동안 기판 아래의 볼륨을 배기하기 위한 예시적인 프로세스를 예시한다. 예시적인 기판 지지부 (200) 는 도 1a 및 도 1b에 상기 기술된 바와 같이 상승 및 하강되도록 구성된 리프트 패드 (204) 를 포함한다. 도 2a에서, 리프트 패드 (204) 는 기판 (208) 의 리프트 패드 (204) 로의 이송을 용이하게 하도록 상승된다. 기판 지지부 (200) 의 상부 표면 (212) 은 리프트 패드 (204) 가 하강될 때 리프트 패드 (204) 를 수용하도록 배치된 캐비티 (cavity) (216) 를 포함한다.
도 2a에서, 기판 (208) 은 리프트 패드 (204) 상에 배치된다. 예를 들어, 기판 (208) 은 로봇을 사용하여 리프트 패드 (204) 로 이송될 수도 있다. 기판 (208) 이 도 2b에 도시된 바와 같이 리프트 패드 (204) 상에 배치되면, 기판 (208) 아래 (즉, 기판 (208) 과 기판 지지부 (200) 의 상부 표면 (212) 사이) 의 볼륨 (220) 은 리프트 패드 (204) 를 하강시키기 전에 볼륨 (220) 으로부터 가스들을 배기하기 위한 배기 단계에서 펌핑 다운된다. 단지 예를 들면, 볼륨 (220) 은 100 mTorr 이하의 진공 압력으로 펌핑 다운된다. 일부 예들에서, 볼륨 (220) 은 볼륨 (220) 과 기판 (208) 위의 볼륨 사이의 압력 차가 100 mTorr보다 클 때까지 펌핑 다운된다. 즉, 볼륨 (220) 은 기판 (208) 아래의 압력이 기판 (208) 위의 압력보다 100 mTorr보다 크게 보다 작을 때까지 펌핑 다운된다. 볼륨 (220) 은 단지 예를 들면, 도 1a 및 도 1b에 상기 기술된 바와 같이, 제어기 (176) 로부터의 명령들에 응답하여 펌프 (168) 및 밸브 (172) 를 사용하여 펌핑 다운된다.
배기 단계는 리프트 패드 (204) 가 하강될 때 기판 (208) 이 리프트 패드 (204) 상에 배치되는 것에 후속하여 시작될 수도 있다. 예를 들어, 제어기 (176) 는 리프트 패드 (204) 를 하강시키기 위한 명령을 생성하는 것과 동시에 또는 미리 결정된 기간 내에 (예를 들어, 전후 5 ㎳ 이내) 볼륨 (220) 을 펌핑 다운하기 위한 명령을 생성할 수도 있다. 일부 예들에서, 리프트 패드 (204) 의 하강은 배기 단계의 시작에 응답하여 지시될 수도 있고, 또는 그 반대일 수도 있다. 다른 예들에서, 동일한 명령이 리프트 패드 (204) 의 하강 및 배기 단계의 시작 모두를 유발할 수도 있다. 임의의 예들에서, 배기 단계는 기판 (208) 을 기판 지지부 (200) 로 이송하고 리프트 패드 (204) 를 하강시키기 위해 필요한 전체 시간량을 증가시키지 않는다. 오히려, 배기 단계는 리프트 패드 (204) 의 하강과 동시에 수행된다. 단지 예를 들면, 리프트 패드 (204) 는 1 초 미만에 완전히 하강된 위치로 하강될 수도 있다.
리프트 패드 (204) 는 도 2c에서 하강된 위치 (예를 들어, 완전히 하강된 위치) 로 도시되고, 기판 (208) 은 기판 지지부 (200) 의 상부 표면 (212) 상에 배치된다. 배기 단계 (및 볼륨 (220) 의 펌핑 다운) 는 리프트 패드 (204) 가 완전히 하강된 위치에 도달하는 미리 결정된 기간 (예를 들어, 전후 1.0 ㎳ 미만) 내에, 리프트 패드 (204) 가 완전히 하강된 위치의 미리 결정된 거리 (예를 들어, 0.0 내지 1.0 ㎜) 내, 등에 있을 때, 리프트 패드 (204) 가 완전히 하강된 위치에 도달하는 것에 응답하여 종료될 수도 있다. 따라서, 배기 단계는 볼륨 (220) 내에서 진공을 유지하고 기판 (208) 과 기판 지지부 (200) 의 상부 표면 (212) 사이에 가스들이 트랩핑되는 것을 방지하도록 리프트 패드 (204) 의 하강 내내 수행될 수도 있다.
볼륨 (220) 으로부터 배기되는 가스들의 플로우 경로들 (224) 이 도 2b에 도시된다. 예를 들어, 플로우 경로들 (224) 은 리프트 패드 (204) 의 샤프트 (228) 내에 규정된 각각의 채널들 (이하에 보다 상세히 기술됨) 에 대응한다. 플로우 경로들 (224) 이 배기 단계 동안 볼륨 (220) 으로부터 그리고 리프트 패드 (204) 의 샤프트 (228) 를 통해 하향 (및/또는 주변부 (perimeter) 주위) 의 가스들의 플로우를 나타내지만, 일부 예들에서 퍼지 단계가 퍼지 가스들을 상향으로 그리고 볼륨 (220) 내로 공급하도록 수행될 수도 있다. 예를 들어, 퍼지 단계는 기판 (208) 상에서 수행된 다른 프로세싱 단계들 전에 그리고/또는 후속하여 수행될 수도 있다. 일부 예들에서, 퍼지 가스들은 오염, 리프트 패드 (204) 의 표면들 상의 증착, 플라즈마 라이트 업 (light up), 등을 방지하기 위해 프로세싱 단계 및/또는 세정 단계 동안 공급될 수도 있다. 즉, 리프트 패드 (204) 를 통한 퍼지 가스들의 공급은 리프트 패드 (204) 및 기판 지지부 (200) 의 다른 구조체들 내로 프로세스 가스들 및 다른 재료들의 역확산 (back-diffusion) 을 방지한다. 퍼지 가스들은 리프트 패드 (204) 상에 배치된 기판 (208) 을 갖고 또는 기판 (208) 없이 공급될 수도 있다.
도 1a, 도 1b, 도 2a, 도 2b, 및 도 2c의 참조에 계속하여 이제 도 3a 및 도 3b를 참조하면, 볼륨 (220) 으로부터 가스들을 배기하도록 (그리고 볼륨 (220) 으로 퍼지 가스들을 공급하도록) 구성된 예시적인 리프트 패드 (300) 가 도시된다. 리프트 패드 (300) 는 수직 샤프트 (308) 상에 지지된 지지 패드 (304) 를 포함한다. 예를 들어, 지지 패드 (304) 는 환형이고, 샤프트 (308) 는 원통형이다. 지지 패드 (304) 는 기판을 지지하도록 구성된 평면형 상부 표면 (312) 을 포함한다.
샤프트 (308) 는 복수의 수직 채널들 (316) 을 포함한다. 예를 들어, 채널들 (316) 은 샤프트 (308) 의 외측 표면 (320) 에 규정되고, 샤프트 (308) 의 중심 축에 대해 방사상 패턴으로 배치된다. 단지 예를 들면, 채널들 (316) 은 방사상 패턴으로 고르게 이격된다. 8 개의 채널들 (316) 이 도시되지만, 보다 적거나 보다 많은 채널들 (316) 이 제공될 수도 있다.
채널들 (316) 의 하부 단부들은 도 1b에 도시된 바와 같이 밸브들 (172 및 190), 펌프 (168), 및/또는 가스 전달 시스템 (120) 과 유체로 연통한다. 반대로, 채널들 (316) 의 상부 단부들은 볼륨 (220) 과 유체로 연통한다. 단지 예를 들면, 채널들 (316) 은 패드 부분 (304) 의 하부 표면 (328) 내에 규정된 각각의 방사상 부분들 (324) 을 포함한다. 방사상 부분들 (324) 은 샤프트 (308) 로부터 볼륨 (220) 을 향해 방사상 외측으로 연장한다.
이제 도 4a 및 도 4b를 참조하면, 본 개시에 따른 리프트 패드 (404) 의 예시적인 상부 표면 (400) 이 도시된다. 예를 들어, 상부 표면 (400) 은 도 3a 및 도 3b에 도시된 바와 같이 리프트 패드 (300) 의 상부 표면 (312) 에 대응할 수도 있다. 이 예에서, 상부 표면 (400) 은 복수의 유체 통로들 (408) 을 포함한다. 도시된 바와 같이, 유체 통로들 (408) 은 도 4b에 도시된 바와 같이 홀들 (412) 의 클러스터들에 대응한다. 홀들의 클러스터들 (412) 각각은 19 개의 홀들을 포함하는 것으로 도시되지만, 클러스터들 각각은 다른 예들에서 보다 적거나 보다 많은 홀들 (412) 을 포함할 수도 있다. 일부 예들에서, 유체 통로들 (408) 각각은 홀들 (412) 중 단일 홀에만 대응할 수도 있다.
도시된 바와 같이, 유체 통로들 (408) 은 상부 표면 (400) 의 외측 주변부 내에 원형 패턴으로 배치된다. 그러나, 다른 예들에서, 유체 통로들 (408) 은 상이한 패턴으로 배치될 수도 있다. 또한, 16 개의 유체 통로들 (408) 이 도시되지만, 다른 예들은 보다 적거나 많은 유체 통로들 (408) 을 포함할 수도 있다.
유체 통로들 (408) 은 예를 들어, 밸브들 (172 및 190), 펌프 (168), 및 가스 전달 시스템 (120) 과 유체로 연통한다. 유체 통로들 (408) 은 도 3a 및 도 3b에 기술된 바와 같이 채널들 (316) 에 부가하여 또는 채널들 (316) 대신 제공될 수도 있다. 유체 통로들 (408) 은 채널들 (316) 및 유체 통로들 (408) 을 사용한 배기 및/또는 퍼지가 동시에 수행되도록 채널들 (316) 과 유체로 연통할 수도 있다. 다른 예들에서, 유체 통로들 (308) 및 채널들 (316) 을 사용하여 수행된 배기 및/또는 퍼지는 독립적으로 수행될 수도 있다. 따라서, 유체 통로들 (408) 은 상기 기술된 바와 같이 배기 단계 동안 볼륨 (220) 을 배기하고 그리고/또는 볼륨 (220) 내로 퍼지 가스들을 공급하도록 구성될 수도 있다.
이제 도 5a를 참조하면, 본 개시에 따른 기판과 기판 지지부 사이의 볼륨을 배기하기 위한 예시적인 방법 (500) 이 504에서 시작된다. 508에서, 기판은 리프트 패드로 이송된다. 512에서, 배기 단계가 개시된다 (initiate). 예를 들어, 방법 (500) 은 기판과 기판 지지부 사이의 기판 아래의 볼륨을 배기/펌핑 다운하기 시작한다. 516에서, 방법 (500) 은 기판을 기판 지지부 상으로 하강시키도록 리프트 패드를 하강시키기 시작한다. 도시된 바와 같이 512에서의 배기 단계의 시작이 516에서 리프트 패드를 하강시키기 전에 발생하지만, 다른 예들에서 배기 단계 512는 리프트 패드의 하강의 시작에 후속하여 또는 리프트 패드의 하강의 시작과 동시에 개시될 수도 있다.
520에서, 리프트 패드의 하강이 완료된다. 예를 들어, 리프트 패드는 완전히 하강된 위치로 하강된다. 524에서, 방법 (500) 은 배기 단계를 종료하기 위해 기판과 기판 지지부 사이의 볼륨의 배기을 종료한다. 도시된 바와 같이 520에서 배기 단계의 종료는 리프트 패드가 520에서 완전히 하강된 위치에 도달한 후에 발생하지만, 다른 예들에서 배기 단계의 종료는 리프트 패드가 완전히 하강된 위치에 도달하기 전에 또는 리프트 패드가 완전히 하강하는 것과 동시에 발생할 수도 있다.
528에서, 방법 (500) 은 배기 단계를 반복할지 여부를 결정한다. 예를 들어, 배기 단계는 기판 아래의 볼륨에서 목표된 압력 또는 진공을 재확립하도록 프로세싱 내내 선택적으로 주기적으로 반복될 수도 있다. 참이면, 방법 (500) 은 532에서 부가적인 배기 단계를 수행한다.
이제 도 5b를 참조하면, 본 개시에 따른 기판 지지부 위의 볼륨을 퍼지하기 위한 예시적인 방법 (540) 이 544에서 시작된다. 단지 예를 들면, 방법 (540) 은 세정 또는 언더코팅 절차 동안 수행된다. 다른 예들에서, 방법 (540) 은 동일한 기판들 또는 상이한 기판들, 리프트 패드 상에 배치된 기판, 등 상에서 수행된 프로세싱 단계들 사이에 수행될 수도 있다. 548에서, 기판은 상승된 리프트 패드로부터 (즉, 상승된 리프트 패드에서) 이송된다. 552에서, 퍼지 단계가 개시된다. 예를 들어, 방법 (540) 은 기판과 기판 지지부 사이의 기판 아래 볼륨으로 퍼지 가스를 (예를 들어, 90 내지 110 sccm의 플로우 레이트로) 공급하기 시작한다. 퍼지 가스는 상기 기술된 바와 같이 리프트 패드를 통해 공급된다.
556에서, 방법 (540) 은 프로세싱 챔버 내에서 세정 또는 언더코팅 절차를 수행한다. 예를 들어, 세정 절차에서, 방법 (540) 은 세정 가스들을 프로세싱 챔버로 공급하기 시작한다. 반대로, 언더코팅 절차에서, 방법 (540) 은 기판 지지부 상에 언더코팅을 증착하기 위해 프로세스 가스들을 공급하기 시작한다. 퍼지 가스의 공급은 세정 및 언더코팅 가스들이 리프트 패드 및 기판 지지부 내로 확산되는 것을 방지한다. 560에서, 방법 (540) 은 퍼지 단계를 종료한다. 기판은 564에서 퍼지 단계 종료에 후속하여 리프트 패드 상에 배치된다. 방법은 568에서 종료된다.
전술한 기술은 본질적으로 단지 예시이고, 어떠한 방식으로도 본 개시, 이의 적용 예, 또는 사용들을 제한하도록 의도되지 않는다. 본 개시의 광범위한 교시들은 다양한 형태들로 구현될 수 있다. 따라서, 본 개시가 특정한 예들을 포함하지만, 본 개시의 진정한 범위는 다른 수정들이 도면들, 명세서, 및 이하의 청구항들의 연구 시 자명해질 것이기 때문에 이렇게 제한되지 않아야 한다. 방법의 하나 이상의 단계들은 본 개시의 원리들을 변경하지 않고 상이한 순서로 (또는 동시에) 실행될 수도 있다는 것이 이해되어야 한다. 또한, 실시 예들 각각이 특정한 피처들을 갖는 것으로 상기 기술되었지만, 본 개시의 임의의 실시 예에 대해 기술된 이들 피처들 중 임의의 하나 이상의 피처들은, 조합이 명시적으로 기술되지 않더라도 임의의 다른 실시 예들의 피처들에서 그리고/또는 피처들과 조합하여 구현될 수 있다. 즉, 기술된 실시 예들은 상호 배타적이지 않고, 하나 이상의 실시 예들의 다른 실시 예들과의 치환들이 본 개시의 범위 내에 남는다.
엘리먼트들 간 (예를 들어, 모듈들, 회로 엘리먼트들, 반도체 층들, 등 간) 의 공간적 및 기능적 관계들은, "연결된 (connected)", "인게이지된 (engaged)", "커플링된 (coupled)", "인접한 (adjacent)", "옆에 (next to)", "~의 상단에 (on top of)", "위에 (above)", "아래에 (below)", 및 "배치된 (disposed)"을 포함하는, 다양한 용어들을 사용하여 기술된다. "직접적 (direct)"인 것으로 명시적으로 기술되지 않는 한, 제 1 엘리먼트와 제 2 엘리먼트 간의 관계가 상기 개시에서 기술될 때, 이 관계는 제 1 엘리먼트와 제 2 엘리먼트 사이에 다른 중개하는 엘리먼트들이 존재하지 않는 직접적인 관계일 수 있지만, 또한 제 1 엘리먼트와 제 2 엘리먼트 사이에 (공간적으로 또는 기능적으로) 하나 이상의 중개하는 엘리먼트들이 존재하는 간접적인 관계일 수 있다. 본 명세서에 사용된 바와 같이, 구 A, B, 및 C 중 적어도 하나는 비배타적인 논리 OR를 사용하여, 논리적으로 (A 또는 B 또는 C) 를 의미하는 것으로 해석되어야 하고, "적어도 하나의 A, 적어도 하나의 B, 및 적어도 하나의 C"를 의미하는 것으로 해석되지 않아야 한다.
일부 구현 예들에서, 제어기는 상기 기술된 예들의 일부일 수도 있는 시스템의 일부이다. 이러한 시스템들은 프로세싱 툴 또는 툴들, 챔버 또는 챔버들, 프로세싱용 플랫폼 또는 플랫폼들, 및/또는 특정 프로세싱 컴포넌트들 (웨이퍼 페데스탈, 가스 플로우 시스템, 등) 을 포함하는, 반도체 프로세싱 장비를 포함할 수 있다. 이들 시스템들은 반도체 웨이퍼 또는 기판의 프로세싱 이전에, 프로세싱 동안에, 그리고 프로세싱 이후에 그들의 동작을 제어하기 위한 전자장치와 통합될 수도 있다. 전자장치는 시스템 또는 시스템들의 다양한 컴포넌트들 또는 하위부분들을 제어할 수도 있는 "제어기"로서 지칭될 수도 있다. 제어기는, 시스템의 프로세싱 요건들 및/또는 타입에 따라서, 프로세싱 가스들의 전달, 온도 설정사항들 (예를 들어, 가열 및/또는 냉각), 압력 설정사항들, 진공 설정사항들, 전력 설정사항들, 무선 주파수 (RF) 생성기 설정사항들, RF 매칭 회로 설정사항들, 주파수 설정사항들, 플로우 레이트 설정사항들, 유체 전달 설정사항들, 위치 및 동작 설정사항들, 툴 및 다른 이송 툴들 및/또는 특정 시스템과 연결되거나 인터페이싱된 로드 록들 내외로의 웨이퍼 이송들을 포함하는, 본 명세서에 개시된 프로세스들 중 임의의 프로세스들을 제어하도록 프로그래밍될 수도 있다.
일반적으로 말하면, 제어기는 인스트럭션들을 수신하고, 인스트럭션들을 발행하고, 동작을 제어하고, 세정 동작들을 인에이블하고 (enable), 엔드포인트 측정들을 인에이블하는, 등을 하는 다양한 집적 회로들, 로직, 메모리, 및/또는 소프트웨어를 갖는 전자장치로서 규정될 수도 있다. 집적 회로들은 프로그램 인스트럭션들을 저장하는 펌웨어의 형태의 칩들, 디지털 신호 프로세서들 (DSPs), ASICs (Application Specific Integrated Circuits) 로서 규정되는 칩들, 및/또는 프로그램 인스트럭션들 (예를 들어, 소프트웨어) 을 실행하는 하나 이상의 마이크로프로세서들, 또는 마이크로제어기들을 포함할 수도 있다. 프로그램 인스트럭션들은 반도체 웨이퍼 상에서 또는 반도체 웨이퍼에 대한 특정 프로세스를 실행하기 위한 동작 파라미터들을 규정하는, 다양한 개별 설정사항들 (또는 프로그램 파일들) 의 형태로 제어기로 또는 시스템으로 전달되는 인스트럭션들일 수도 있다. 일부 실시 예들에서, 동작 파라미터들은 하나 이상의 층들, 재료들, 금속들, 옥사이드들, 실리콘, 실리콘 다이옥사이드, 표면들, 회로들, 및/또는 웨이퍼의 다이들의 제조 동안에 하나 이상의 프로세싱 단계들을 달성하도록 프로세스 엔지니어들에 의해서 규정된 레시피의 일부일 수도 있다.
제어기는, 일부 구현 예들에서, 시스템과 통합되거나, 시스템에 커플링되거나, 그렇지 않으면 시스템에 네트워킹되거나, 또는 이들의 조합으로 될 수 있는 컴퓨터에 커플링되거나 이의 일부일 수도 있다. 예를 들어, 제어기는 웨이퍼 프로세싱의 원격 액세스를 가능하게 할 수 있는 팹 호스트 컴퓨터 시스템의 전부 또는 일부이거나 "클라우드" 내에 있을 수도 있다. 컴퓨터는 제조 동작들의 현 진행을 모니터링하거나, 과거 제조 동작들의 이력을 조사하거나, 복수의 제조 동작들로부터 경향들 또는 성능 계측치들을 조사하거나, 현 프로세싱의 파라미터들을 변경하거나, 현 프로세싱을 따르는 프로세싱 단계들을 설정하거나, 새로운 프로세스를 시작하기 위해서, 시스템으로의 원격 액세스를 가능하게 할 수도 있다. 일부 예들에서, 원격 컴퓨터 (예를 들어, 서버) 가 로컬 네트워크 또는 인터넷을 포함할 수도 있는 네트워크를 통해 프로세스 레시피들을 시스템에 제공할 수 있다. 원격 컴퓨터는 차후에 원격 컴퓨터로부터 시스템으로 전달될 파라미터들 및/또는 설정사항들의 입력 또는 프로그래밍을 인에이블하는 사용자 인터페이스를 포함할 수도 있다. 일부 예들에서, 제어기는 하나 이상의 동작들 동안 수행될 프로세싱 단계들 각각에 대한 파라미터들을 특정하는, 데이터의 형태의 인스트럭션들을 수신한다. 파라미터들은 제어기가 제어하거나 인터페이싱하도록 구성되는 툴의 타입 및 수행될 프로세스의 타입에 특정적일 수도 있다는 것이 이해되어야 한다. 따라서 상기 기술된 바와 같이, 제어기는 예컨대 본 명세서에 기술된 프로세스들 및 제어들과 같은, 공동의 목적을 향해 함께 네트워킹되고 작동하는 하나 이상의 개별 제어기들을 포함함으로써 분산될 수도 있다. 이러한 목적들을 위한 분산형 제어기의 예는 챔버 상의 프로세스를 제어하도록 조합되는 (예컨대 플랫폼 레벨에서 또는 원격 컴퓨터의 일부로서) 원격으로 위치한 하나 이상의 집적 회로들과 통신하는 챔버 상의 하나 이상의 집적 회로들일 것이다.
비한정적으로, 예시적인 시스템들은 플라즈마 에칭 챔버 또는 모듈, 증착 챔버 또는 모듈, 스핀-린스 챔버 또는 모듈, 금속 도금 챔버 또는 모듈, 세정 챔버 또는 모듈, 베벨 에지 에칭 챔버 또는 모듈, PVD (Physical Vapor Deposition) 챔버 또는 모듈, CVD (Chemical Vapor Deposition) 챔버 또는 모듈, ALD 챔버 또는 모듈, ALE (Atomic Layer Etch) 챔버 또는 모듈, 이온 주입 챔버 또는 모듈, 트랙 (track) 챔버 또는 모듈, 및 반도체 웨이퍼들의 제조 및/또는 제작 시에 사용되거나 연관될 수도 있는 임의의 다른 반도체 프로세싱 시스템들을 포함할 수도 있다.
상술한 바와 같이, 툴에 의해서 수행될 프로세스 단계 또는 단계들에 따라서, 제어기는, 반도체 제작 공장 내의 툴 위치들 및/또는 로드 포트들로부터/로드 포트들로 웨이퍼들의 컨테이너들을 이동시키는 재료 이송 시에 사용되는, 다른 툴 회로들 또는 모듈들, 다른 툴 컴포넌트들, 클러스터 툴들, 다른 툴 인터페이스들, 인접 툴들, 이웃하는 툴들, 공장 도처에 위치한 툴들, 메인 컴퓨터, 또 다른 제어기, 또는 툴들 중 하나 이상과 통신할 수도 있다.

Claims (20)

  1. 기판 프로세싱 시스템에서 기판 아래의 볼륨을 배기하기 (evacuate) 위한 방법에 있어서,
    기판 지지부의 리프트 메커니즘 상에 기판을 배치하는 단계로서, 상기 기판 아래의 볼륨은 상기 기판과 상기 기판 지지부의 상부 표면 사이에 규정되는, 상기 기판을 배치하는 단계;
    상기 기판 아래의 상기 볼륨을 배기하기 위한 배기 단계를 개시하는 (initiate) 단계로서, 상기 배기 단계는 상기 리프트 메커니즘을 통해 그리고 상기 리프트 메커니즘 주위에서, 이 중 적어도 하나로 상기 기판 아래의 상기 볼륨을 펌핑 다운하는 단계를 포함하는, 상기 배기 단계를 개시하는 단계;
    상기 배기 단계 동안 상기 기판 지지부의 상기 상부 표면 상에 상기 기판을 위치시키도록 상기 리프트 메커니즘을 하강시키는 단계; 및
    상기 배기 단계를 종료하는 단계를 포함하는, 기판 아래의 볼륨 배기 방법.
  2. 제 1 항에 있어서,
    상기 배기 단계는 (i) 상기 기판이 상기 리프트 메커니즘 상에 배치되는 것 및 (ii) 상기 리프트 메커니즘의 상기 하강의 시작 중 하나에 응답하여 개시되는, 기판 아래의 볼륨 배기 방법.
  3. 제 1 항에 있어서,
    상기 배기 단계는 상기 기판이 상기 리프트 메커니즘 상에 배치되는 것에 후속하여 그리고 상기 리프트 메커니즘의 상기 하강이 시작되기 전에 개시되는, 기판 아래의 볼륨 배기 방법.
  4. 제 1 항에 있어서,
    상기 배기 단계 및 상기 리프트 메커니즘의 상기 하강 단계는 동시에 개시되는, 기판 아래의 볼륨 배기 방법.
  5. 제 1 항에 있어서,
    상기 배기 단계는 상기 리프트 메커니즘이 완전히 하강된 위치에 도달하는 것에 응답하여 종료되는, 기판 아래의 볼륨 배기 방법.
  6. 제 1 항에 있어서,
    상기 배기 단계는 상기 리프트 메커니즘이 완전히 하강된 위치에 도달하기 전에 종료되는, 기판 아래의 볼륨 배기 방법.
  7. 제 1 항에 있어서,
    상기 리프트 메커니즘은 상기 리프트 메커니즘의 샤프트 (shaft) 내에 규정된 적어도 하나의 채널을 포함하고, 그리고 상기 기판 아래의 상기 볼륨을 펌핑 다운하는 단계는 상기 적어도 하나의 채널을 통해 그리고 상기 기판 지지부를 통해 하향으로 상기 볼륨을 배기하는 단계를 포함하는, 기판 아래의 볼륨 배기 방법.
  8. 제 7 항에 있어서,
    상기 적어도 하나의 채널은 상기 샤프트의 외측 주변부 (perimeter) 주위에 분포된 복수의 채널들을 포함하는, 기판 아래의 볼륨 배기 방법.
  9. 제 8 항에 있어서,
    상기 복수의 채널들 각각은 상기 리프트 메커니즘의 하부 표면에 규정된 수직 부분 및 방사상 부분을 포함하는, 기판 아래의 볼륨 배기 방법.
  10. 제 1 항에 있어서,
    상기 리프트 메커니즘은 상기 리프트 메커니즘의 상부 표면에 규정된 적어도 하나의 유체 통로를 포함하고, 그리고 상기 기판 아래의 상기 볼륨을 펌핑 다운하는 단계는 상기 적어도 하나의 유체 통로를 통해 그리고 상기 기판 지지부를 통해 하향으로 상기 볼륨을 배기하는 단계를 포함하는, 기판 아래의 볼륨 배기 방법.
  11. 제 1 항에 있어서,
    상기 리프트 메커니즘을 통해 그리고 상기 리프트 메커니즘 주위에서, 이 중 적어도 하나로 상기 기판 아래의 상기 볼륨을 퍼지하는 단계를 더 포함하는, 기판 아래의 볼륨 배기 방법.
  12. 제 1 항에 있어서,
    상기 리프트 메커니즘은 리프트 패드 및 리프트 핀들 중 하나에 대응하는, 기판 아래의 볼륨 배기 방법.
  13. 기판 프로세싱 시스템에서 기판 아래의 볼륨을 배기하기 위한 시스템에 있어서,
    기판 지지부;
    리프트 메커니즘으로서, 상기 리프트 메커니즘은 상기 기판 지지부의 상부 표면에 대해 상승된 위치와 하강된 위치 사이에서 전이되도록 구성되고, 그리고 기판이 상기 상승된 위치에서 상기 리프트 메커니즘 상에 배치될 때, 상기 기판 아래의 볼륨이 상기 기판과 상기 기판 지지부의 상기 상부 표면 사이에 규정되는, 상기 리프트 메커니즘; 및
    배기 단계 동안, 상기 기판 아래의 상기 볼륨을 배기하도록 구성된 펌프로서, 상기 배기 단계는 상기 리프트 메커니즘이 상기 기판 지지부의 상기 상부 표면 상에 상기 기판을 위치시키도록 하강되는 동안 상기 리프트 메커니즘을 통해 그리고 상기 리프트 메커니즘 주위에서, 이 중 적어도 하나로 상기 기판 아래의 상기 볼륨을 펌핑 다운하는 단계를 포함하는, 상기 펌프를 포함하고,
    상기 리프트 메커니즘은 리프트 패드 및 리프트 핀들 중 하나에 대응하는, 시스템.
  14. 제 13 항에 있어서,
    상기 펌프는 (i) 상기 기판이 상기 리프트 메커니즘 상에 배치되는 것 및 (ii) 상기 리프트 메커니즘의 상기 하강의 시작 중 하나에 응답하여 상기 배기 단계를 개시하도록 구성되는, 시스템.
  15. 제 13 항에 있어서,
    상기 펌프는 (i) 상기 기판이 상기 리프트 메커니즘 상에 배치되는 것에 후속하여 그리고 상기 리프트 메커니즘의 상기 하강의 시작 전에 상기 배기 단계를 개시하고 그리고 (ii) 상기 리프트 메커니즘이 완전히 하강된 위치에 도달하는 것에 응답하여 상기 배기 단계를 종료하도록 구성되는, 시스템.
  16. 제 13 항에 있어서,
    상기 펌프는 상기 리프트 메커니즘이 완전히 하강된 위치에 도달하기 전에 상기 배기 단계를 종료하도록 구성되는, 시스템.
  17. 제 13 항에 있어서,
    상기 리프트 메커니즘은 상기 리프트 메커니즘의 샤프트 내에 규정된 적어도 하나의 채널을 포함하고, 그리고 상기 기판 아래의 상기 볼륨을 펌핑 다운하는 단계는 상기 적어도 하나의 채널을 통해 그리고 상기 기판 지지부를 통해 하향으로 상기 볼륨을 배기하는 단계를 포함하는, 시스템.
  18. 제 17 항에 있어서,
    상기 적어도 하나의 채널은 상기 샤프트의 외측 주변부 주위에 분포된 복수의 채널들을 포함하는, 시스템.
  19. 제 18 항에 있어서,
    상기 복수의 채널들 각각은 상기 리프트 메커니즘의 하부 표면에 규정된 수직 부분 및 방사상 부분을 포함하는, 시스템.
  20. 제 13 항에 있어서,
    상기 리프트 메커니즘은 상기 리프트 메커니즘의 상부 표면에 규정된 적어도 하나의 유체 통로를 포함하고, 그리고 상기 기판 아래의 상기 볼륨을 펌핑 다운하는 단계는 상기 적어도 하나의 유체 통로를 통해 그리고 상기 기판 지지부를 통해 하향으로 상기 볼륨을 배기하는 단계를 포함하는, 시스템.
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