JP2018093182A5 - テンプレートの位置を調整する方法、システム及びインプリントリソグラフィ方法 - Google Patents

テンプレートの位置を調整する方法、システム及びインプリントリソグラフィ方法 Download PDF

Info

Publication number
JP2018093182A5
JP2018093182A5 JP2017203704A JP2017203704A JP2018093182A5 JP 2018093182 A5 JP2018093182 A5 JP 2018093182A5 JP 2017203704 A JP2017203704 A JP 2017203704A JP 2017203704 A JP2017203704 A JP 2017203704A JP 2018093182 A5 JP2018093182 A5 JP 2018093182A5
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
template
active region
region
adjacent
position points
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
JP2017203704A
Other languages
English (en)
Other versions
JP2018093182A (ja
JP7032907B2 (ja
Filing date
Publication date
Priority claimed from US15/365,416 external-priority patent/US10969680B2/en
Application filed filed Critical
Publication of JP2018093182A publication Critical patent/JP2018093182A/ja
Publication of JP2018093182A5 publication Critical patent/JP2018093182A5/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP7032907B2 publication Critical patent/JP7032907B2/ja
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Description

テンプレートの位置を調整する方法、システム及びインプリントリソグラフィ方法に関する。

Claims (17)

  1. インプリントリソグラフィに用いられる第1のテンプレートと第2のテンプレートとの相対位置を調整する方法であって、
    前記方法は、前記第1のテンプレートの活性領域に隣接する隣接領域の表面の第1の複数の位置ポイントを特定することを備え、前記隣接領域の前記表面と前記活性領域の表面とは、前記第1のテンプレートの連続面を形成し、前記第1のテンプレートの前記活性領域には、1つ以上のパターニングフィーチャが設けられ、
    前記方法は、前記第1のテンプレートの前記隣接領域の前記第1の複数の位置ポイントに基づいて、前記第1のテンプレートの前記隣接領域の前記表面の状態を識別することを備え、
    前記方法は、第2のテンプレートの活性領域の表面の第2の複数の位置ポイントを特定することを備え、前記第2のテンプレートの前記活性領域は、パターニングフィーチャは設けておらず、前記第2のテンプレートの表面から突出して構成されており、さらに、前記第2のテンプレートの前記活性領域は、前記第1のテンプレートの前記活性領域に設けられたパターニングフィーチャが複製される領域であり、
    前記方法は、
    前記第2のテンプレートの前記活性領域の前記第2の複数の位置ポイントに基づいて、前記第2のテンプレートの前記活性領域の前記表面の状態を識別することと、
    前記第1のテンプレートの前記隣接領域の前記表面の状態と、前記第2のテンプレートの前記活性領域の前記表面の状態とに基づいて、前記第1のテンプレートと前記第2のテンプレートとの相対位置を調整することと、
    を備えることを特徴とする方法。
  2. 前記第1のテンプレートの前記隣接領域の前記表面の状態と前記第2のテンプレートの前記活性領域の前記表面の状態とを比較することと、
    前記比較に基づいて、前記第1のテンプレートの前記隣接領域の前記表面と前記第2のテンプレートの前記活性領域の前記表面との間のレベリングエラーを評価することと、
    を更に備え、
    前記第1のテンプレートと前記第2のテンプレートとの前記相対位置を調整することは、前記レベリングエラーに基づいていることを特徴とする請求項1に記載の方法。
  3. 前記第1のテンプレートと前記第2のテンプレートとの前記相対位置は、前記レベリングエラーを補償するように調整されることを特徴とする請求項2に記載の方法。
  4. 前記第1のテンプレートの前記隣接領域の前記表面の状態を識別するとは、前記第1のテンプレートの前記隣接領域の前記表面の傾きを識別することを含み、
    前記第2のテンプレートの前記活性領域の前記表面の状態を識別するとは、前記第2のテンプレートの前記活性領域の前記表面の傾きを識別することを含み、
    前記第1のテンプレートと前記第2のテンプレートとの前記相対位置を調整することは、前記第1のテンプレートの前記隣接領域の前記表面と前記第2のテンプレートの前記活性領域の前記表面との間の相対角度を調整することを含むことを特徴とする請求項1に記載の方法。
  5. 前記第1のテンプレートの前記隣接領域は、前記第1のテンプレートの前記活性領域を取り囲むように設けられていることを特徴とする請求項1に記載の方法。
  6. 前記第2のテンプレートの前記活性領域は、実質的に、平面であることを特徴とする請求項1に記載の方法。
  7. 前記第1の複数の位置ポイント及び前記第2の複数の位置ポイントは、時間的に同時に特定されることを特徴とする請求項1に記載の方法。
  8. インプリントリソグラフィに用いられる第1のテンプレートと第2のテンプレートとの相対位置を調整するシステムであって、
    前記システムは、前記第1のテンプレートを保持する第1のホルダを備え、前記第1のテンプレートは、活性領域と、前記活性領域に隣接する隣接領域とを含み、前記隣接領域の表面と前記活性領域の表面とは、前記第1のテンプレートの連続面を形成し、前記第1のテンプレートの前記活性領域には、1つ以上のパターニングフィーチャが設けられ、
    前記システムは、前記第2のテンプレートを保持する第2のホルダを備え、前記第2のテンプレートは、活性領域を含み、前記第2のテンプレートの前記活性領域は、パターニングフィーチャは設けておらず、前記第2のテンプレートの表面から突出して構成されており、さらに、前記第2のテンプレートの前記活性領域は、前記第1のテンプレートの前記活性領域に設けられたパターニングフィーチャが複製される領域であり、
    前記システムは、
    前記第1のテンプレートの前記隣接領域の前記表面の第1の複数の位置ポイントを特定する第1の検出装置と、
    前記第2のテンプレートの前記活性領域の表面の第2の複数の位置ポイントを特定する第2の検出装置と、
    前記第1のテンプレートと前記第2のテンプレートとの相対位置を調整するアクチュエータシステムと、
    i)前記第1のテンプレートの前記隣接領域の前記第1の複数の位置ポイントに基づいて、前記第1のテンプレートの前記隣接領域の前記表面の状態を識別し、ii)前記第2のテンプレートの前記活性領域の前記第2の複数の位置ポイントに基づいて、前記第2のテンプレートの前記活性領域の前記表面の状態を識別し、iii)前記第1のテンプレートの前記隣接領域の前記表面の状態と、前記第2のテンプレートの前記活性領域の前記表面の状態とに基づいて、前記アクチュエータシステムが前記第1のテンプレートと前記第2のテンプレートとの前記相対位置を調整するように、前記アクチュエータシステムに信号を提供する処理装置と、
    を備えることを特徴とするシステム。
  9. 前記処理装置は、更に、
    前記第1のテンプレートの前記隣接領域の前記表面の状態と前記第2のテンプレートの前記活性領域の前記表面の状態とを比較し、
    前記比較に基づいて、前記第1のテンプレートの前記隣接領域の前記表面と前記第2のテンプレートの前記活性領域の前記表面との間のレベリングエラーを評価し、
    前記アクチュエータシステムは、更に、前記レベリングエラーの少なくとも一部に基づいて、前記第1のテンプレートと前記第2のテンプレートとの前記相対位置を調整することを特徴とする請求項8に記載のシステム。
  10. 前記アクチュエータシステムは、前記レベリングエラーを補償するために、前記第1のテンプレートと前記第2のテンプレートとの前記相対位置を調整することを特徴とする請求項9に記載のシステム。
  11. 前記第1のテンプレートの前記隣接領域の前記表面の状態を識別するとは、前記第1のテンプレートの前記隣接領域の前記表面の傾きを識別することを含み、
    前記第2のテンプレートの前記活性領域の前記表面の状態を識別するとは、前記第2のテンプレートの前記活性領域の前記表面の傾きを識別することを含み、
    前記アクチュエータシステムは、更に、前記第1のテンプレートの前記隣接領域の前記表面と前記第2のテンプレートの前記活性領域の前記表面との間の相対角度を調整することを特徴とする請求項9に記載のシステム。
  12. 前記第1のテンプレートの前記隣接領域は、前記第1のテンプレートの前記活性領域を取り囲むように設けられていることを特徴とする請求項8に記載のシステム。
  13. 前記第2のテンプレートの前記活性領域は、実質的に、平面であることを特徴とする請求項8に記載のシステム。
  14. 前記第1の検出装置は、前記第1の複数の位置ポイントを特定し、同時に、前記第2の検出装置は、前記第2の複数の位置ポイントを特定することを特徴とする請求項8に記載のシステム。
  15. 物品を製造するインプリントリソグラフィ方法であって、
    前記インプリントリソグラフィ方法は、第1のテンプレートの活性領域に隣接する隣接領域の表面の第1の複数の位置ポイントを特定することを備え、前記隣接領域の前記表面と前記活性領域の表面とは、前記第1のテンプレートの連続面を形成し、前記第1のテンプレートの前記活性領域には、1つ以上のパターニングフィーチャが設けられ、
    前記インプリントリソグラフィ方法は、前記第1のテンプレートの前記隣接領域の前記第1の複数の位置ポイントに基づいて、前記第1のテンプレートの前記隣接領域の前記表面の状態を識別することを備え、
    前記インプリントリソグラフィ方法は、第2のテンプレートの活性領域の表面の第2の複数の位置ポイントを特定することを備え、前記第2のテンプレートの前記活性領域は、パターニングフィーチャは設けておらず、前記第2のテンプレートの表面から突出して構成されており、さらに、前記第2のテンプレートの前記活性領域は、前記第1のテンプレートの前記活性領域に設けられたパターニングフィーチャが複製される領域であり、
    前記インプリントリソグラフィ方法は、
    前記第2のテンプレートの前記活性領域の前記第2の複数の位置ポイントに基づいて、前記第2のテンプレートの前記活性領域の前記表面の状態を識別することと、
    前記第1のテンプレートの前記隣接領域の前記表面の状態と、前記第2のテンプレートの前記活性領域の前記表面の状態とに基づいて、前記第1のテンプレートと前記第2のテンプレートとの相対位置を調整することと、
    前記第2のテンプレートの上にインプリントレジストを配置することと、
    前記インプリントレジストに前記第1のテンプレートを接触させることと、
    前記第1のテンプレートと接触する高分子層を生産するために、前記インプリントレジストを重合させることと、
    前記高分子層から前記第1のテンプレートを引き離すことと、
    前記物品を生産するために、前記高分子層のパターンを前記第2のテンプレートに転写することと、
    を備えることを特徴とするインプリントリソグラフィ方法。
  16. 前記物品は、レプリカテンプレートであることを特徴とする請求項15に記載のインプリントリソグラフィ方法。
  17. インプリントリソグラフィに用いられる第1のテンプレートと第2のテンプレートとの相対位置を調整する方法であって、
    前記方法は、前記第1のテンプレートの活性領域に隣接する隣接領域の表面の第1の複数の位置ポイントを特定することを備え、前記隣接領域の前記表面と前記活性領域の表面とは、前記第1のテンプレートの連続面を形成し、前記第1のテンプレートの前記活性領域は、1つ以上のパターニングフィーチャが設けられ、
    前記方法は、第2のテンプレートの活性領域の表面の第2の複数の位置ポイントを特定することを備え、前記第2のテンプレートの前記活性領域は、パターニングフィーチャは設けられておらず、前記第2のテンプレートの表面から突出して構成されており、さらに、前記第2のテンプレートの前記活性領域は、前記第1のテンプレートの前記活性領域に設けられたパターニングフィーチャが複製される領域であり、
    前記方法は、前記第1のテンプレートの前記隣接領域の前記第1の複数の位置ポイントと、前記第2のテンプレートの前記活性領域の前記第2の複数の位置ポイントとに基づいて、前記第1のテンプレートと前記第2のテンプレートとの相対位置を調整することを備えることを特徴とする方法。
JP2017203704A 2016-11-30 2017-10-20 テンプレートの位置を調整する方法、システム及びインプリントリソグラフィ方法 Active JP7032907B2 (ja)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US15/365,416 2016-11-30
US15/365,416 US10969680B2 (en) 2016-11-30 2016-11-30 System and method for adjusting a position of a template

Publications (3)

Publication Number Publication Date
JP2018093182A JP2018093182A (ja) 2018-06-14
JP2018093182A5 true JP2018093182A5 (ja) 2020-11-26
JP7032907B2 JP7032907B2 (ja) 2022-03-09

Family

ID=62190113

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2017203704A Active JP7032907B2 (ja) 2016-11-30 2017-10-20 テンプレートの位置を調整する方法、システム及びインプリントリソグラフィ方法

Country Status (6)

Country Link
US (1) US10969680B2 (ja)
JP (1) JP7032907B2 (ja)
KR (1) KR102253302B1 (ja)
CN (1) CN108121171B (ja)
SG (1) SG10201708835XA (ja)
TW (1) TWI711576B (ja)

Families Citing this family (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US10627715B2 (en) 2016-10-31 2020-04-21 Canon Kabushiki Kaisha Method for separating a nanoimprint template from a substrate
US11454883B2 (en) 2016-11-14 2022-09-27 Canon Kabushiki Kaisha Template replication
US10288999B2 (en) 2016-12-20 2019-05-14 Canon Kabushiki Kaisha Methods for controlling extrusions during imprint template replication processes

Family Cites Families (26)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
NL9100410A (nl) 1991-03-07 1992-10-01 Asm Lithography Bv Afbeeldingsapparaat voorzien van een focusfout- en/of scheefstandsdetectie-inrichting.
EP0585041B1 (en) 1992-08-19 2000-11-02 Canon Kabushiki Kaisha Registration method usable with a projection optical system, exposure apparatus therefor and method of manufacturing a semiconductor device by using such exposure apparatus
US6873087B1 (en) 1999-10-29 2005-03-29 Board Of Regents, The University Of Texas System High precision orientation alignment and gap control stages for imprint lithography processes
AU2001280980A1 (en) 2000-08-01 2002-02-13 Board Of Regents, The University Of Texas System Methods for high-precision gap and orientation sensing between a transparent template and substrate for imprint lithography
US6932934B2 (en) 2002-07-11 2005-08-23 Molecular Imprints, Inc. Formation of discontinuous films during an imprint lithography process
US7077992B2 (en) 2002-07-11 2006-07-18 Molecular Imprints, Inc. Step and repeat imprint lithography processes
US7179396B2 (en) 2003-03-25 2007-02-20 Molecular Imprints, Inc. Positive tone bi-layer imprint lithography method
US7396475B2 (en) 2003-04-25 2008-07-08 Molecular Imprints, Inc. Method of forming stepped structures employing imprint lithography
US7157036B2 (en) 2003-06-17 2007-01-02 Molecular Imprints, Inc Method to reduce adhesion between a conformable region and a pattern of a mold
US8076386B2 (en) 2004-02-23 2011-12-13 Molecular Imprints, Inc. Materials for imprint lithography
JP2006165371A (ja) 2004-12-09 2006-06-22 Canon Inc 転写装置およびデバイス製造方法
WO2006131153A1 (en) * 2005-06-10 2006-12-14 Obducat Ab Pattern replication with intermediate stamp
CN101292195A (zh) 2005-10-18 2008-10-22 佳能株式会社 压印装置、压印方法和压印模具
WO2007067488A2 (en) 2005-12-08 2007-06-14 Molecular Imprints, Inc. Method and system for double-sided patterning of substrates
US20070200276A1 (en) * 2006-02-24 2007-08-30 Micron Technology, Inc. Method for rapid printing of near-field and imprint lithographic features
US8215946B2 (en) 2006-05-18 2012-07-10 Molecular Imprints, Inc. Imprint lithography system and method
NL1036558A1 (nl) 2008-03-25 2009-09-28 Asml Netherlands Bv Method and lithographic apparatus for acquiring height data relating to a substrate surface.
US20100092599A1 (en) * 2008-10-10 2010-04-15 Molecular Imprints, Inc. Complementary Alignment Marks for Imprint Lithography
JP2010283207A (ja) 2009-06-05 2010-12-16 Toshiba Corp パターン形成装置およびパターン形成方法
JP2013021194A (ja) 2011-07-12 2013-01-31 Canon Inc インプリント装置及び物品の製造方法
JP6029268B2 (ja) * 2011-09-12 2016-11-24 キヤノン株式会社 インプリント装置、それを用いた物品の製造方法
JP6019685B2 (ja) 2012-04-10 2016-11-02 大日本印刷株式会社 ナノインプリント方法及びナノインプリント装置
JP6312379B2 (ja) 2013-07-19 2018-04-18 キヤノン株式会社 リソグラフィ装置、リソグラフィ方法、リソグラフィシステム、プログラム、物品の製造方法
JP6273860B2 (ja) * 2014-01-27 2018-02-07 大日本印刷株式会社 インプリントモールド及び半導体デバイスの製造方法
JP6674218B2 (ja) 2014-12-09 2020-04-01 キヤノン株式会社 インプリント装置、インプリント方法及び物品の製造方法
JP6497938B2 (ja) * 2015-01-05 2019-04-10 キヤノン株式会社 インプリント装置、インプリント方法、および物品の製造方法。

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP2018093182A5 (ja) テンプレートの位置を調整する方法、システム及びインプリントリソグラフィ方法
JP2018074159A5 (ja) 基板からテンプレートを引き離す方法、装置及び物品を製造する方法
JP2015056589A5 (ja)
JP2014225637A5 (ja)
JP2016021441A5 (ja)
JP2012084927A5 (ja) ロード方法、露光方法及び露光装置、並びにデバイス製造方法
JP2012142065A5 (ja)
JP2013138175A5 (ja)
JP2014229883A5 (ja)
JP2011511465A5 (ja)
US11347144B2 (en) Overlay improvement in nanoimprint lithography
JP2016195183A5 (ja)
WO2013132064A3 (en) Charged particle lithography system with alignment sensor and beam measurement sensor
JP2014510394A5 (ja)
KR20160084309A (ko) 임프린트 장치 및 물품의 제조 방법
JP2012056093A5 (ja)
JP2015088216A5 (ja)
JP2012089575A5 (ja) リソグラフィ装置及びデバイスの製造方法
JP2016042501A5 (ja)
JP2018101779A5 (ja)
JP2017212439A5 (ja)
JP2023017779A (ja) パターン配置補正方法
JP2015228463A5 (ja)
KR102253302B1 (ko) 템플릿의 위치를 조정하기 위한 시스템 및 방법
JP2015056449A5 (ja) 位置を求める方法、露光方法、露光装置、および物品の製造方法