JP2011511465A5 - - Google Patents
Download PDFInfo
- Publication number
- JP2011511465A5 JP2011511465A5 JP2010545359A JP2010545359A JP2011511465A5 JP 2011511465 A5 JP2011511465 A5 JP 2011511465A5 JP 2010545359 A JP2010545359 A JP 2010545359A JP 2010545359 A JP2010545359 A JP 2010545359A JP 2011511465 A5 JP2011511465 A5 JP 2011511465A5
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- electron beam
- substrate
- energy
- pattern
- patterns
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 238000010894 electron beam technology Methods 0.000 claims 19
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims 19
- 238000000609 electron-beam lithography Methods 0.000 claims 5
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 claims 1
- 238000004590 computer program Methods 0.000 claims 1
- 238000005755 formation reaction Methods 0.000 claims 1
- 238000001459 lithography Methods 0.000 claims 1
- 230000000737 periodic Effects 0.000 claims 1
Claims (13)
- 電子ビームリソグラフィ(EBL)を行うための方法において、前記方法は、
基板の表面上にエネルギー感受性レジストを備える前記基板を提供するステップであって、前記レジストは、しきい線量/エネルギーを有する、ステップと、
前記エネルギー感受性レジストに向かって電子ビームを放出することができる電子ビーム源(EBS)を提供するステップと、
前記基板上に第1のパターン(P1)を形成するように第1の複数回前記基板を横断して前記電子ビームを相対的に移動させるステップであって、前記第1のパターンは、前記基板上に第1の方向(D1)を規定する、ステップと、
前記基板上に第2のパターン(P2)を形成するように第2の複数回前記基板を横断して前記電子ビームを相対的に移動させるステップであって、前記第2のパターンは、前記基板上に第2の方向(D2)を規定し、前記第2の方向(D2)は、前記第1の方向(D1)と平行ではない、ステップとを含み、
前記第1および前記第2のパターンの露光中に前記エネルギー感受性レジストに届けられるエネルギーおよび/または線量は、前記エネルギー感受性レジストの前記しきい線量/エネルギーが前記第1および前記第2のパターン(P1、P2)の重なり部分上で達せられるように大きさを決められ、
前記第1および前記第2のパターン(P1、P2)の重なり部分の通過中の前記電子ビームは、前記通過の直前の前記電子ビームのビーム強度および/またはエネルギーと比較して、変わらないビーム強度および/またはエネルギーを有し、
前記第1および/または前記第2のパターン(P1、P2)は、複数の平行線であり、前記第1および/または第2のパターンの前記方向(D1、D2)は、前記線の方向によって規定される、方法。 - 前記電子ビームの強度および/またはエネルギーはさらに、前記第1および前記第2のパターン(P1、P2)の前記重なり部分よりもかなり大きい長さスケールで変わらない、請求項1に記載の方法。
- 前記電子ビームは、前記第1または前記第2のパターンを形成するとき、少なくとも前記第1および前記第2のパターンの前記重なり部分を形成するときに前記基板を横断する一定の速度を有する、請求項1に記載の方法。
- 前記基板上への前記第1および/または第2のパターン(P1、P2)の形成中の前記電子ビームは、一定の強度および/またはエネルギーを有する、請求項1に記載の方法。
- 前記電子ビーム源は、1つの電子ビームを提供することができ、前記第1および前記第2のパターンは、前記1つの電子ビームで連続して形成される、請求項1に記載の方法。
- 前記第1および第2のパターンの相互に重なる前記重なり部分は、ドットの二次元配列を規定する、請求項1に記載の方法。
- ドットの前記二次元配列は、1つ以上の周期で1つ以上の方向に周期的である、請求項6に記載の方法。
- 前記ドットは、0.1、1、2、5、10、20、30、40、50、60、70、80、90、100、1,000、または10,000ナノメートルの最大寸法を有する、請求項6に記載の方法。
- 前記第1および第2のパターン(P1、P2)は、互いに対して90度シフトされる、請求項1に記載の方法。
- 第3の方向(D3)を持つ追加の第3のパターン(P3)は、前記基板上に形成され、前記第1、前記第2、および前記第3の方向は、互いに対して60度シフトされる、請求項1に記載の方法。
- 前記電子ビーム源(EBS)の分解能は、少なくとも0.1、1、2、5、10、20、30、40、50、60、70、80、90、100、1,000、または10,000ナノメートルである、請求項1に記載の方法。
- 電子ビームリソグラフィ(EBL)装置であって、前記装置は、電子ビームを放出することができる電子ビーム源(EBS)を備え、
前記装置は、基板上に第1のパターン(P1)を形成するように第1の複数回前記基板を横断して前記電子ビームを相対的に移動させるステップであって、前記第1のパターンは、前記基板上に第1の方向(D1)を規定する、ステップと、前記基板上に第2のパターン(P2)を形成するように第2の複数回前記基板を横断して前記電子ビームを相対的に移動させるステップであって、前記第2のパターンは、前記基板上に第2の方向(D2)を規定し、前記第2の方向(D2)は、前記第1の方向(D1)と平行ではない、ステップとによって、前記基板の表面上にエネルギー感受性レジストを備え、前記レジストはしきい線量/エネルギーを有する、関連する基板上にリソグラフィを行うように配置され、
前記第1および前記第2のパターンの露光中に前記エネルギー感受性レジストに届けられるエネルギーおよび/または線量は、前記エネルギー感受性レジストの前記しきい線量/エネルギーが前記第1および前記第2のパターン(P1、P2)の重なり部分上で達せられるように大きさを決められ、
前記第1および前記第2のパターン(P1、P2)の重なり部分の通過中の前記電子ビームは、前記通過の直前の前記電子ビームのビーム強度および/またはエネルギーと比較して、変わらないビーム強度および/またはエネルギーを有し、
前記第1および/または前記第2のパターン(P1、P2)は、複数の平行線であり、前記第1および/または第2のパターンの前記方向(D1、D2)は、前記線の方向によって規定される、装置。 - 請求項1による電子ビームリソグラフィデバイスを制御するためにそれに関連するデータ記憶手段を有する少なくとも1つのコンピュータを備えるコンピュータシステムを可能とするように構成されるコンピュータプログラム製品。
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
DKPA200800161 | 2008-02-05 | ||
PCT/DK2009/050036 WO2009097859A1 (en) | 2008-02-05 | 2009-02-05 | A method for performing electron beam lithography |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2011511465A JP2011511465A (ja) | 2011-04-07 |
JP2011511465A5 true JP2011511465A5 (ja) | 2013-04-04 |
Family
ID=39800641
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2010545359A Pending JP2011511465A (ja) | 2008-02-05 | 2009-02-05 | 電子ビームリソグラフィを行うための方法 |
Country Status (6)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US8361699B2 (ja) |
EP (1) | EP2245646A1 (ja) |
JP (1) | JP2011511465A (ja) |
KR (1) | KR20100138907A (ja) |
CN (1) | CN101933116A (ja) |
WO (1) | WO2009097859A1 (ja) |
Families Citing this family (29)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2011199279A (ja) * | 2010-03-18 | 2011-10-06 | Ims Nanofabrication Ag | ターゲット上へのマルチビーム露光のための方法 |
CN102798615A (zh) * | 2011-05-23 | 2012-11-28 | 中国科学院微电子研究所 | 一种基于周期性纳米结构的生物传感器及其制备方法 |
CN102954950A (zh) * | 2011-08-31 | 2013-03-06 | 中国科学院微电子研究所 | 一种基于周期性纳米介质颗粒的生物传感器及其制备方法 |
CN103018167A (zh) * | 2011-09-23 | 2013-04-03 | 中国科学院微电子研究所 | 表面等离子体共振样品台及其制备方法 |
KR101993255B1 (ko) | 2013-01-07 | 2019-06-26 | 삼성전자주식회사 | 콘택 홀 형성 방법 |
EP2757571B1 (en) | 2013-01-17 | 2017-09-20 | IMS Nanofabrication AG | High-voltage insulation device for charged-particle optical apparatus |
JP6195349B2 (ja) * | 2013-04-26 | 2017-09-13 | キヤノン株式会社 | 描画装置、描画方法、および物品の製造方法 |
JP2015023286A (ja) | 2013-07-17 | 2015-02-02 | アイエムエス ナノファブリケーション アーゲー | 複数のブランキングアレイを有するパターン画定装置 |
EP2830083B1 (en) | 2013-07-25 | 2016-05-04 | IMS Nanofabrication AG | Method for charged-particle multi-beam exposure |
EP2913838B1 (en) | 2014-02-28 | 2018-09-19 | IMS Nanofabrication GmbH | Compensation of defective beamlets in a charged-particle multi-beam exposure tool |
EP2937889B1 (en) | 2014-04-25 | 2017-02-15 | IMS Nanofabrication AG | Multi-beam tool for cutting patterns |
EP2950325B1 (en) | 2014-05-30 | 2018-11-28 | IMS Nanofabrication GmbH | Compensation of dose inhomogeneity using overlapping exposure spots |
JP6892214B2 (ja) | 2014-07-10 | 2021-06-23 | アイエムエス ナノファブリケーション ゲーエムベーハー | 畳み込みカーネルを使用する粒子ビーム描画機のカスタマイズ化 |
US9568907B2 (en) | 2014-09-05 | 2017-02-14 | Ims Nanofabrication Ag | Correction of short-range dislocations in a multi-beam writer |
CN107533285B (zh) * | 2014-12-22 | 2021-02-05 | 尤利塔股份公司 | 打印彩色图像的方法 |
US9653263B2 (en) | 2015-03-17 | 2017-05-16 | Ims Nanofabrication Ag | Multi-beam writing of pattern areas of relaxed critical dimension |
EP3096342B1 (en) | 2015-03-18 | 2017-09-20 | IMS Nanofabrication AG | Bi-directional double-pass multi-beam writing |
EP3093869B1 (en) * | 2015-05-12 | 2018-10-03 | IMS Nanofabrication GmbH | Multi-beam writing using inclined exposure stripes |
US10410831B2 (en) | 2015-05-12 | 2019-09-10 | Ims Nanofabrication Gmbh | Multi-beam writing using inclined exposure stripes |
WO2017086907A1 (en) * | 2015-11-16 | 2017-05-26 | Intel Corporation | Structures and methods for improved lithographic processing |
US10056265B2 (en) | 2016-03-18 | 2018-08-21 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. | Directed self-assembly process with size-restricted guiding patterns |
US10325756B2 (en) | 2016-06-13 | 2019-06-18 | Ims Nanofabrication Gmbh | Method for compensating pattern placement errors caused by variation of pattern exposure density in a multi-beam writer |
US10325757B2 (en) | 2017-01-27 | 2019-06-18 | Ims Nanofabrication Gmbh | Advanced dose-level quantization of multibeam-writers |
US10522329B2 (en) | 2017-08-25 | 2019-12-31 | Ims Nanofabrication Gmbh | Dose-related feature reshaping in an exposure pattern to be exposed in a multi beam writing apparatus |
US11569064B2 (en) | 2017-09-18 | 2023-01-31 | Ims Nanofabrication Gmbh | Method for irradiating a target using restricted placement grids |
US10651010B2 (en) | 2018-01-09 | 2020-05-12 | Ims Nanofabrication Gmbh | Non-linear dose- and blur-dependent edge placement correction |
US10840054B2 (en) | 2018-01-30 | 2020-11-17 | Ims Nanofabrication Gmbh | Charged-particle source and method for cleaning a charged-particle source using back-sputtering |
US11099482B2 (en) | 2019-05-03 | 2021-08-24 | Ims Nanofabrication Gmbh | Adapting the duration of exposure slots in multi-beam writers |
KR20210132599A (ko) | 2020-04-24 | 2021-11-04 | 아이엠에스 나노패브릭케이션 게엠베하 | 대전 입자 소스 |
Family Cites Families (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP3128267B2 (ja) * | 1991-06-27 | 2001-01-29 | 株式会社東芝 | 半導体集積回路装置の製造方法 |
US5369282A (en) * | 1992-08-03 | 1994-11-29 | Fujitsu Limited | Electron beam exposure method and system for exposing a pattern on a substrate with an improved accuracy and throughput |
US5759744A (en) * | 1995-02-24 | 1998-06-02 | University Of New Mexico | Methods and apparatus for lithography of sparse arrays of sub-micrometer features |
EP0964305A1 (en) * | 1998-06-08 | 1999-12-15 | Corning Incorporated | Method of making a photonic crystal |
US6238850B1 (en) | 1999-08-23 | 2001-05-29 | International Business Machines Corp. | Method of forming sharp corners in a photoresist layer |
NL1015155C2 (nl) * | 2000-05-11 | 2001-11-13 | Tno | Elektronenstraallithografie. |
EP1842103A2 (en) | 2005-01-14 | 2007-10-10 | Arradiance, Inc. | Synchronous raster scanning lithographic system |
-
2009
- 2009-02-05 KR KR1020107019879A patent/KR20100138907A/ko not_active Application Discontinuation
- 2009-02-05 CN CN2009801040179A patent/CN101933116A/zh active Pending
- 2009-02-05 US US12/866,070 patent/US8361699B2/en active Active
- 2009-02-05 JP JP2010545359A patent/JP2011511465A/ja active Pending
- 2009-02-05 EP EP09708412A patent/EP2245646A1/en not_active Withdrawn
- 2009-02-05 WO PCT/DK2009/050036 patent/WO2009097859A1/en active Application Filing
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP2011511465A5 (ja) | ||
JP2011511465A (ja) | 電子ビームリソグラフィを行うための方法 | |
KR20180084713A (ko) | 패턴 형성 방법, 리소그래피 장치, 리소그래피 시스템, 및 물품의 제조 방법 | |
JP2011108968A5 (ja) | ||
WO2013079316A3 (en) | Apparatus and method for providing data to a programmable patterning device, a lithography apparatus and a device manufacturing method | |
JP2009002931A5 (ja) | ||
JP2015148807A5 (ja) | マスクブランク用基板、多層反射膜付き基板、反射型マスクブランク、反射型マスク及び半導体装置の製造方法 | |
WO2008096335A3 (en) | Producing an array of nanoscale structures on a substrate surface via a self-assembled template | |
JP2008517743A5 (ja) | ||
JP2007515675A5 (ja) | ||
JP2009039944A5 (ja) | ||
SG158822A1 (en) | Full wafer width scanning using step and scan system | |
JP2010080632A (ja) | インプリント装置およびインプリント方法 | |
JP2014510394A5 (ja) | ||
JP2018074159A5 (ja) | 基板からテンプレートを引き離す方法、装置及び物品を製造する方法 | |
JP2017520786A5 (ja) | ||
FI20075428A (fi) | Nanopertikkelisysteemeihin liittyvä menetelmä ja laite | |
JP2010076219A (ja) | ナノインプリントによる基板の加工方法 | |
TW201527867A (zh) | 用於產生定向自組裝之引導模板之方法 | |
JP2010506320A5 (ja) | ||
JP2014033050A (ja) | インプリントシステム及びインプリント方法 | |
WO2013010111A3 (en) | Nanoimprint lithography | |
JP2018093182A5 (ja) | テンプレートの位置を調整する方法、システム及びインプリントリソグラフィ方法 | |
Raptis et al. | Electron beam lithography simulation for high resolution and high-density patterns | |
Sanedrin et al. | Polyethylene glycol as a novel resist and sacrificial material for generating positive and negative nanostructures |