JP2018093073A - バリスタおよびその製造方法 - Google Patents

バリスタおよびその製造方法 Download PDF

Info

Publication number
JP2018093073A
JP2018093073A JP2016235635A JP2016235635A JP2018093073A JP 2018093073 A JP2018093073 A JP 2018093073A JP 2016235635 A JP2016235635 A JP 2016235635A JP 2016235635 A JP2016235635 A JP 2016235635A JP 2018093073 A JP2018093073 A JP 2018093073A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
zinc oxide
varistor
resistor composition
voltage
electrode
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
JP2016235635A
Other languages
English (en)
Other versions
JP6827164B2 (ja
Inventor
佳子 東
Yoshiko Azuma
佳子 東
英一 古賀
Hidekazu Koga
英一 古賀
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Panasonic Intellectual Property Management Co Ltd
Original Assignee
Panasonic Intellectual Property Management Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Panasonic Intellectual Property Management Co Ltd filed Critical Panasonic Intellectual Property Management Co Ltd
Priority to JP2016235635A priority Critical patent/JP6827164B2/ja
Publication of JP2018093073A publication Critical patent/JP2018093073A/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP6827164B2 publication Critical patent/JP6827164B2/ja
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Landscapes

  • Thermistors And Varistors (AREA)
  • Apparatuses And Processes For Manufacturing Resistors (AREA)

Abstract

【課題】従来のバリスタよりも良好な電圧非直線性を有するバリスタが望まれている。【解決手段】本開示のバリスタは、複数の酸化亜鉛粒子と、複数の酸化亜鉛粒子間に設けられ、ビスマス元素、プラセオジム元素およびストロンチウム元素のうち少なくとも1種の元素を含む酸化物層とを有する電圧非直線性抵抗体組成物と、電圧非直線性抵抗体組成物に当接している第1電極と、電圧非直線性抵抗体組成物に当接し、電圧非直線性抵抗体組成物を介して第1電極に対向している第2電極とを備える。X線回折によって測定される電圧非直線性抵抗体組成物の複数の酸化亜鉛粒子におけるc軸の配向度を示すロットゲーリングファクターfの値は、0.005<f≦0.4の範囲を満たす。【選択図】図1

Description

本発明は、サージや静電気から半導体素子等を保護するバリスタに関する。
電子機器の回路内における、例えば半導体ICにサージや静電気等の異常電圧が印加されると、電子機器に誤作動または破壊されてしまうことがある。このような異常電圧から電子機器を保護する電子部品としてバリスタがあげられる。従来のバリスタに関する技術としては特許文献1および特許文献2があげられる。
特開2008―218749号公報 特開平4−325413号公報
従来のバリスタよりも良好な電圧非直線性を有するバリスタが望まれている。
本開示のバリスタは、複数の酸化亜鉛粒子と、複数の酸化亜鉛粒子間に設けられ、ビスマス元素、プラセオジム元素およびストロンチウム元素のうち少なくとも1種の元素を含む酸化物層とを有する電圧非直線性抵抗体組成物と、電圧非直線性抵抗体組成物に当接している第1電極と、電圧非直線性抵抗体組成物に当接し、電圧非直線性抵抗体組成物を介して第1電極に対向している第2電極とを備える。X線回折によって測定される電圧非直線性抵抗体組成物の複数の酸化亜鉛粒子におけるc軸の配向度を示すロットゲーリングファクターfの値は、0.005<f≦0.4の範囲を満たす。
本開示のバリスタは、上記構成により良好な電圧非直線性を実現することができる。
図1は、実施の形態における積層バリスタの断面図である。 図2は、図1の積層バリスタにおける電圧非直線性抵抗体組成物の一部を拡大した断面図である。 図3は、実施の形態における積層バリスタの製造方法を示すフロー図である。 図4は、複数のグリーンシートを得るステップにおける装置の断面図である。 図5は、扁平形状を有する複数の酸化亜鉛粉末における一粉末の斜視図である。 図6は、積層バリスタのXRD回折測定の結果を示す図である。
以下で説明する実施の形態は、いずれも一具体例を示すものである。以下の実施の形態で示される数値、形状、材料、構成要素、構成要素の配置位置および接続形態などは、一例であり、本発明を限定する主旨ではない。また、以下の実施の形態における構成要素のうち、最上位概念を示す独立請求項に記載されていない構成要素については、任意の構成要素として説明される。なお、以下では、全ての図を通じて同一または相当する要素には同じ符号を付して、その重複する説明を省略する。
(実施の形態)
本開示のバリスタについて図面を用いて説明する。
図1は、積層バリスタの断面図である。
積層バリスタ100は、バリスタ層10aと、バリスタ層10aに当接している内部電極11と、バリスタ層10aに当接しバリスタ層10aを介して内部電極11と対向している内部電極12を有する。さらに、バリスタ層10aと同じ材料からなる2つの無効層10bが内部電極11および内部電極12のそれぞれに当接して配置されている。バリスタ層10aと2つの無効層10bとは一体に構成されて素体10を形成する。内部電極11は、素体10に埋設され、一端が素体10の一端面SAに露出し一端面SAで外部電極13と電気的に接続している。内部電極12は、素体10に埋設され、一端が素体10の一端面SAとは反対側の他端面SBに露出して他端面SBで外部電極14と電気的に接続している。
なお、本開示のバリスタは、一実施の形態として積層バリスタを例に説明するが、これに限定されるものではなく、異常電圧から電子機器を保護するために用いられる各種バリスタに適用することができる。
図2は、図1の積層バリスタ100における素体10の一部を拡大した断面図である。素体10は、主成分として複数の酸化亜鉛粒子10cと、ビスマス元素、コバルト元素、マンガン元素、アンチモン元素、ニッケル元素およびゲルマニウム元素を含む酸化物層10dとからなる。複数の酸化亜鉛粒子10cは、六方晶系からなる結晶構造を有する。酸化物層10dは、複数の酸化亜鉛粒子10c間に介在している。
素体10は、複数の酸化亜鉛粒子10cと、複数の酸化亜鉛粒子10c間に介在する酸化物層とからなる電圧非直線抵抗体組成物である。この電圧非直線抵抗体組成物において、X線回折により測定される複数の酸化亜鉛粒子のc軸の配向度を示すロットゲーリングファクターの値fは、0.005<f≦0.4の範囲を満たす。ロットゲーリングファクターの値fが、0.005<f≦0.4の範囲を満たすことにより、積層バリスタ100は従来の積層バリスタよりも良好な電圧非直線性を実現することができる。
ロットゲーリングファクターについて説明する。ロットゲーリングファクターfの値は以下の式(1)(2)(3)より求められる。
ρ=ΣI(00l)/ΣI(hkl)・・・(1)
ρ0=ΣI0(00l)/ΣI0(hkl)・・・(2)
f=(ρ−ρ0)/(1−ρ0)・・・(3)
Iは電圧非直線抵抗体組成物のX線回折のピーク強度を示し、I0はICDDカード(9011662)に記載の酸化亜鉛におけるX線回折結果のピーク強度を示す。X線回折測定における2θの値が10°〜80°のすべてのピーク強度からロットゲーリングファクターを算出した。
このロットゲーリングファクターfの値が大きいほど、電圧非直線抵抗体組成物の複数の酸化亜鉛粒子におけるc軸の配向度が大きいことになる。これは複数の酸化亜鉛粒子がc軸に高い配向度を示すことで、酸化物層10dにおける粒界の障壁の高さが均一化されるためである。
バリスタの電圧非直線性について説明する。バリスタは、ある印加電圧値を境に抵抗値が急激に減少する。これによりバリスタは、電圧と電流との間に非直線的な特性を有する
。すなわち、印加電圧が低電圧値の領域においてはより高い抵抗値を示し、高電圧値の領域においてはより低い抵抗値を示すバリスタが好ましい。
印加電圧が低電圧値の領域の非直線性として電圧非直線抵抗体組成物に1mAの電流を印加したときの電圧値と、10μAの電流を印加したときの電圧値との比を電圧比(V1mA/V10μA)として示す。電圧比(V1mA/V10μA)は、バリスタが電子機器の回路において通常に抵抗体として存在する場合を想定したバリスタ特性である。また、印加電圧が高電圧値の領域の非直線性として電圧非直線抵抗体組成物に100Aの電流を印加したときの電圧値と、1mAの電流を印加したときの電圧値との制限電圧比(V100A/V1mA)で示す。制限電圧比(V100A/V1mA)は、電子機器の回路中に異常電圧が印加された場合を想定したバリスタ特性である。電圧比(V1mA/V10μA)および制限電圧比(V100A/V1mA)はいずれも1が理想的な値である。
次に、積層バリスタ100の製造方法について説明する。
図3は、積層バリスタ100における製造工程を示す製造フロー図である。
まず、素体10の出発原料として、扁平形状の酸化亜鉛粉末22、酸化ビスマス粉末、酸化コバルト粉末、酸化マンガン粉末、酸化アンチモン粉末、酸化ニッケル粉末および酸化ゲルマニウム粉末を準備する。
出発原料の配合比は、酸化亜鉛粉末を96.54mol%、酸化ビスマス粉末を1.00mol%、酸化コバルト粉末を1.06mol%、酸化マンガン粉末を0.30mol%、酸化アンチモン粉末を0.50mol%、酸化ニッケル粉末を0.50mol%および酸化ゲルマニウム粉末を0.10mol%である。これらの粉末と、有機バインダとを含むスラリーを準備する。
次に、複数のグリーンシートを得るステップについて詳細に説明する。
図4は、複数のグリーンシートを得るステップを模式的に示す装置の断面図である。
上述のスラリー20を幅LAとして180μmの隙間からポリエチレンテレフタレート(PET)からなるフィルム21上に塗布して乾燥させることで複数のグリーンシートを得る。
このようにスラリー20を幅LAの隙間から流し込んでフィルム21に塗布ことで、複数の扁平形状の酸化亜鉛粉末22のそれぞれの扁平面は、フィルム21面と略平行に配列される。言い換えれば、複数のグリーンシートにおける、複数の扁平形状の酸化亜鉛粉末22のそれぞれの扁平面は、複数のグリーンシートのシート面と略平行に配列される。
複数の扁平形状の酸化亜鉛粉末22について説明する。
図5は、複数の扁平形状の酸化亜鉛粉末22における一粉末の斜視図である。複数の扁平形状の酸化亜鉛粉末22において、扁平面の長辺の長さをLR、扁平面の短辺の長さをLPおよび厚みをLQと定義する。
幅LAは、扁平面の長辺の長さLRの平均長さよりも大きく、扁平面の厚みLQの平均長さの5倍以下が好ましい。幅LAを、このような範囲にすることで、複数の扁平形状の酸化亜鉛粉末22のそれぞれの扁平面が、複数のグリーンシートのシート面とより平行に配列される。
また、複数の扁平形状の酸化亜鉛粉末22において、扁平面の長辺の長さLRの平均長さと、扁平面の厚みLQの平均厚みとの比は2以上12.5以下が好ましい。
扁平面の長辺の長さLRの平均長さと、扁平面の厚みLQの平均厚みとの比をこのような範囲にすることで、複数の扁平形状の酸化亜鉛粉末22のそれぞれの扁平面が、複数のグリーンシートのシート面とより平行に配列されやすくなる。また、扁平面の長辺の長さLRの平均長さは、200μm以上500μm以下の範囲が好ましい。また、扁平面の厚みLQの平均厚みは、40μm以上100μm以下の範囲が好ましい。
次に、複数のグリーンシートの所定枚数に銀とパラジウムの合金粉末を含む電極ペーストを所定の形状に印刷し、これら複数のグリーンシートを積層して積層体を得る。
次に、この積層体を、複数のグリーンシートの面方向と垂直方向に55MPaで加圧する。この加圧力は、30MPa以上100MPa以下の範囲が好ましい。積層体を30以上の圧力で加圧することで、複数の扁平形状の酸化亜鉛粉末22のそれぞれの扁平面が、複数のグリーンシートの面方向と、平行に配列される。また、積層体を100以下で加圧することで、積層体の内部における電極ペーストの形状を保持し続けることができる。
複数の扁平形状の酸化亜鉛粉末22について説明する。
次に、この加圧した積層体を850℃で焼成することで、素体10(電圧非直線性抵抗体組成物)と、内部電極11および内部電極12とからなる焼結体を得る。この焼成により、出発原料である複数の扁平形状の酸化亜鉛粉末22が、図2に示す複数の酸化亜鉛粒子10cとなり、複数の酸化亜鉛粒子10cの間に酸化物層10dが介在する電圧非直線性抵抗体を得ることができる。
次に、素体10の一端面SAと他端面SBとに、銀とパラジウムの合金粉末を含む電極ペーストを塗布し、800℃で熱処理することで、外部電極13および外部電極14を形成する。なお、外部電極13および外部電極14は、めっき法により形成しても良い。また、外部電極13および外部電極14として、電極ペーストを焼成して形成される外部電極と、めっき法により形成される外部電極とを組み合わせても良い。
本開示の積層バリスタについて詳細に説明する。
上述した製造方法によって得られた積層バリスタ100を実施例とし、従来の積層バリスタを比較例としてそれぞれのXRD回折測定、電圧比(V1mA/V10μA)および制限電圧比(V100A/V1mA)を測定した。なお、比較例の積層バリスタは、実施例の積層バリスタ100における複数の扁平形状の酸化亜鉛粒子の代わりに球形状を有する複数の酸化亜鉛粉末を用いた。球形状を有する複数の酸化亜鉛粒子の平均粒径は、0.60μmである。
図6は、実施例における積層バリスタ100の素体10と、比較例における積層バリスタの素体のそれぞれのXRD測定結果を示すグラフである。XRD測定結果より算出した実施例における積層バリスタ100の酸化亜鉛粒子のc軸の配向度を示すロットゲーリングファクターの値fは、0.183であった。これに対して比較例における積層バリスタの酸化亜鉛粒子のc軸の配向度を示すロットゲーリングファクターの値fは、0.005であった。以上のように、実施例の積層バリスタ100におけるロットゲーリングファクターの値fは比較例における積層バリスタのロットゲーリングファクターの値fよりも大きい。実施例の積層バリスタ100の電圧比(V1mA/V10μA)は1.23であった。こ
れに対して比較例の積層バリスタにおける電圧比(V1mA/V10μA)は、1.41であった。
なお、実施例の結果から見積もったロットゲーリングファクターの値fが0.4の場合の電圧比(V1mA/V10μA)は1.01となった。
以上のように、ロットゲーリングファクターの値fが大きくなるほど電圧比(V1mA/V10μA)が向上する。
また、実施例の積層バリスタ100の制限電圧比(V100A/V1mA)は、1.08とであった。これに対して比較例の積層バリスタ100の制限電圧比(V100A/V1mA)は、1.61であった。
なお、実施例の結果から見積もったロットゲーリングファクターの値fが0.195のときに制限電圧比(V100A/V1mA)は1.00となった。
すなわち、ロットゲーリングファクターの値fが0.195で制限電圧比(V100A/V1mA)は、理想的な特性を示す。言い換えれば制限電圧比(V100A/V1mA)における特性向上は、ロットゲーリングファクターの値fが0.195で飽和する。
以上のように、ロットゲーリングファクターの値fが大きくなることで制限電圧比(V100A/V1mA)が向上することがわかる。この効果は複数の酸化亜鉛粒子における抵抗値が低下することに起因し、積層バリスタとしては異常電圧が印加されることによる発熱が低減され積層バリスタが異常電圧によって破壊されてしまう耐電圧特性が向上する。
なお、電圧比(V1mA/V10μA)および制限電圧比(V100A/V1mA)は、例えば素体10を形成する酸化物層の材料構成または組成によって異なる。本開示の積層バリスタにおける酸化物層は、ビスマス元素が含まれているものとして説明したが、ビスマス元素以外に電圧比直線性を有する材料組成であって、プラセオジム元素またはストロンチウム元素のいずれかの元素が含まれていれば、酸化亜鉛粒子のc軸の配向度を示すロットゲーリングファクターの値fを大きくすることができ、従来のよりも良好な電圧比(V1mA/V10μA)および制限電圧比(V100A/V1mA)を実現することができる。
本開示のバリスタおよびその製造方法は、異常電圧から電子機器を保護する電子部品として有用である。
100 積層バリスタ
10 素体(電圧非直線性抵抗体組成物)
10a バリスタ層
10b 無効層
11 内部電極(第1電極)
12 内部電極(第2電極)
13 外部電極
14 外部電極
10c 酸化亜鉛粒子
10d 酸化物層
20 スラリー
21 フィルム
22 扁平形状の酸化亜鉛粉末

Claims (8)

  1. 複数の酸化亜鉛粒子と、
    前記複数の酸化亜鉛粒子間に設けられ、ビスマス元素、プラセオジム元素およびストロンチウム元素のうち少なくとも1種の元素を含む酸化物層と、
    を有する電圧非直線性抵抗体組成物と、
    前記電圧非直線性抵抗体組成物に当接している第1電極と、
    前記電圧非直線性抵抗体組成物に当接し、前記電圧非直線性抵抗体組成物を介して前記第1電極に対向している第2電極とを備え、
    X線回折によって測定される前記電圧非直線性抵抗体組成物の複数の酸化亜鉛粒子におけるc軸の配向度を示すロットゲーリングファクターfの値は、0.005<f≦0.4の範囲を満たす、
    バリスタ。
  2. 前記fの値は、0.005<f≦0.183の範囲を満たす、
    請求項1に記載のバリスタ。
  3. X線回折によって測定される前記電圧非直線性抵抗体組成物の複数の酸化亜鉛粒子における各面指数のピーク強度において、
    面指数(002)のピーク強度が最も大きい、
    請求項2に記載のバリスタ。
  4. X線回折による前記電圧非直線性抵抗体組成物の複数の酸化亜鉛粒子における各面指数におけるピーク強度において、
    面指数(110)のピーク強度は、面指数(100)のピーク強度よりも大きい、
    請求項3に記載のバリスタ。
  5. 扁平形状を有する複数の酸化亜鉛粉末と、ビスマス元素、プラセオジム元素およびストロンチウム元素のうち少なくとも1種を含む複数の酸化物粉末と、有機溶剤と、を含むスラリーを準備するステップと、
    フィルム上に前記スラリーを塗布して複数のグリーンシートを得るステップと、
    前記複数のグリーンシートと、電極ペーストとが積層されてなる積層体を得るステップと、
    前記積層体を焼成して電圧非直線性抵抗体組成物と第1電極と第2電極とを有する焼結体を得るステップとを含む、
    バリスタの製造方法。
  6. 前記積層体を加圧するステップをさらに備える、
    請求項5に記載のバリスタの製造方法。
  7. 前記複数のグリーンシートにおいて、
    前記扁平形状を有する複数の酸化亜鉛粉末におけるぞれぞれの扁平面は、前記フィルム上出の前記フィルム面と略平行に配列されている、
    請求項5に記載のバリスタの製造方法。
  8. 前記それぞれの扁平面における長辺の平均長さと、前記扁平形状を有する複数の酸化亜鉛粉末の平均厚みとの比は、2以上12.5以下である、
    請求項5に記載のバリスタの製造方法。
JP2016235635A 2016-12-05 2016-12-05 バリスタおよびその製造方法 Active JP6827164B2 (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2016235635A JP6827164B2 (ja) 2016-12-05 2016-12-05 バリスタおよびその製造方法

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2016235635A JP6827164B2 (ja) 2016-12-05 2016-12-05 バリスタおよびその製造方法

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JP2018093073A true JP2018093073A (ja) 2018-06-14
JP6827164B2 JP6827164B2 (ja) 2021-02-10

Family

ID=62566301

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2016235635A Active JP6827164B2 (ja) 2016-12-05 2016-12-05 バリスタおよびその製造方法

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JP6827164B2 (ja)

Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2001220292A (ja) * 2000-02-09 2001-08-14 Japan Science & Technology Corp 配向性フレーク状酸化亜鉛およびその製法
JP2002121067A (ja) * 2000-10-10 2002-04-23 Kyocera Corp 酸化亜鉛質焼結体およびその製造方法
WO2012147886A1 (ja) * 2011-04-28 2012-11-01 堺化学工業株式会社 六角板状酸化亜鉛粒子、その製造方法、それを配合した化粧料、放熱性フィラー、放熱性樹脂組成物、放熱性グリース及び放熱性塗料組成物
JP2015015455A (ja) * 2013-06-07 2015-01-22 日本碍子株式会社 電圧非直線抵抗体
JP2016054239A (ja) * 2014-09-04 2016-04-14 パナソニックIpマネジメント株式会社 積層バリスタおよびその製造方法

Patent Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2001220292A (ja) * 2000-02-09 2001-08-14 Japan Science & Technology Corp 配向性フレーク状酸化亜鉛およびその製法
JP2002121067A (ja) * 2000-10-10 2002-04-23 Kyocera Corp 酸化亜鉛質焼結体およびその製造方法
WO2012147886A1 (ja) * 2011-04-28 2012-11-01 堺化学工業株式会社 六角板状酸化亜鉛粒子、その製造方法、それを配合した化粧料、放熱性フィラー、放熱性樹脂組成物、放熱性グリース及び放熱性塗料組成物
JP2015015455A (ja) * 2013-06-07 2015-01-22 日本碍子株式会社 電圧非直線抵抗体
JP2016054239A (ja) * 2014-09-04 2016-04-14 パナソニックIpマネジメント株式会社 積層バリスタおよびその製造方法

Also Published As

Publication number Publication date
JP6827164B2 (ja) 2021-02-10

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP5556857B2 (ja) 積層型圧電素子
JP2017122038A (ja) 誘電体磁器組成物及びそれを含む積層セラミックキャパシター、並びに積層セラミックキャパシターの製造方法
JP5970717B2 (ja) 積層型ptcサーミスタ素子
JP5640249B2 (ja) 非線形抵抗素子及びその製造方法
JPH11273914A (ja) 積層型バリスタ
US10262795B2 (en) Multilayer ceramic electronic component including ceramic-metal compound layers
WO2013175794A1 (ja) 電圧非直線性抵抗体およびこれを用いた積層バリスタ
JP6089220B2 (ja) 電圧非直線性抵抗体組成物およびこれを用いた積層バリスタ
JP6827164B2 (ja) バリスタおよびその製造方法
JP7411870B2 (ja) バリスタ集合体
JP2004022976A (ja) 積層型電圧非直線抵抗体、及びその製造方法
JP2011216877A (ja) 積層バリスタ及びその製造方法
CN111919268B (zh) 变阻器及其制造方法
JP4070780B2 (ja) 積層型チップバリスタ
JP5569102B2 (ja) 積層正特性サーミスタ及び積層正特性サーミスタの製造方法
KR102083990B1 (ko) 유전체 조성물 및 적층 세라믹 커패시터
JP2013211432A (ja) 積層型圧電素子
EP2709116B1 (en) Nonlinear resistive element
WO2020170545A1 (ja) バリスタおよびその製造方法
CN112408975B (zh) 陶瓷组成物、陶瓷烧结体、叠层型陶瓷电子元件及其制法
JP3000662B2 (ja) 積層バリスタ
JPWO2016125520A1 (ja) 半導体素子およびその製造方法
JPH01158702A (ja) 複合機能電子部品
JP2020150012A (ja) 積層バリスタ
JP5375467B2 (ja) チップ型セラミック電子部品

Legal Events

Date Code Title Description
RD01 Notification of change of attorney

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7421

Effective date: 20190118

A621 Written request for application examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

Effective date: 20190826

A977 Report on retrieval

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007

Effective date: 20200528

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20200721

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20200803

TRDD Decision of grant or rejection written
A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 20201124

A61 First payment of annual fees (during grant procedure)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61

Effective date: 20201207

R151 Written notification of patent or utility model registration

Ref document number: 6827164

Country of ref document: JP

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R151