JP2018085427A - 撮像素子、積層型撮像素子、撮像装置及び電子装置 - Google Patents
撮像素子、積層型撮像素子、撮像装置及び電子装置 Download PDFInfo
- Publication number
- JP2018085427A JP2018085427A JP2016227291A JP2016227291A JP2018085427A JP 2018085427 A JP2018085427 A JP 2018085427A JP 2016227291 A JP2016227291 A JP 2016227291A JP 2016227291 A JP2016227291 A JP 2016227291A JP 2018085427 A JP2018085427 A JP 2018085427A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- electrode
- imaging device
- group
- photoelectric conversion
- buffer layer
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 238000003384 imaging method Methods 0.000 title claims abstract description 115
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 claims abstract description 95
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims abstract description 64
- VVVPGLRKXQSQSZ-UHFFFAOYSA-N indolo[3,2-c]carbazole Chemical class C1=CC=CC2=NC3=C4C5=CC=CC=C5N=C4C=CC3=C21 VVVPGLRKXQSQSZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 37
- 238000004770 highest occupied molecular orbital Methods 0.000 claims description 32
- 239000004020 conductor Substances 0.000 claims description 29
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 claims description 24
- 238000010521 absorption reaction Methods 0.000 claims description 20
- 125000000217 alkyl group Chemical group 0.000 claims description 18
- 125000003118 aryl group Chemical group 0.000 claims description 18
- 125000001769 aryl amino group Chemical group 0.000 claims description 14
- 229910044991 metal oxide Inorganic materials 0.000 claims description 14
- 150000004706 metal oxides Chemical class 0.000 claims description 14
- 125000000609 carbazolyl group Chemical group C1(=CC=CC=2C3=CC=CC=C3NC12)* 0.000 claims description 11
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 claims description 7
- 125000001424 substituent group Chemical group 0.000 claims description 7
- 238000000862 absorption spectrum Methods 0.000 claims description 6
- 125000001041 indolyl group Chemical group 0.000 claims description 6
- 125000004435 hydrogen atom Chemical group [H]* 0.000 claims description 5
- 229910019015 Mg-Ag Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 229910018594 Si-Cu Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 229910008465 Si—Cu Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 239000007769 metal material Substances 0.000 claims description 4
- 229910052779 Neodymium Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 187
- 238000000034 method Methods 0.000 description 73
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 57
- 239000000463 material Substances 0.000 description 56
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 35
- 239000010408 film Substances 0.000 description 34
- 230000006870 function Effects 0.000 description 24
- 206010047571 Visual impairment Diseases 0.000 description 21
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 14
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 13
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 12
- -1 naphthylphenyl group Chemical group 0.000 description 12
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 11
- BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N platinum Chemical compound [Pt] BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 10
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 9
- XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N Zinc monoxide Chemical compound [Zn]=O XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 9
- 238000011156 evaluation Methods 0.000 description 9
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 9
- RAXXELZNTBOGNW-UHFFFAOYSA-N imidazole Natural products C1=CNC=N1 RAXXELZNTBOGNW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 9
- 230000000903 blocking effect Effects 0.000 description 8
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 description 8
- 230000009477 glass transition Effects 0.000 description 8
- 230000031700 light absorption Effects 0.000 description 8
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 description 8
- 229940126062 Compound A Drugs 0.000 description 7
- NLDMNSXOCDLTTB-UHFFFAOYSA-N Heterophylliin A Natural products O1C2COC(=O)C3=CC(O)=C(O)C(O)=C3C3=C(O)C(O)=C(O)C=C3C(=O)OC2C(OC(=O)C=2C=C(O)C(O)=C(O)C=2)C(O)C1OC(=O)C1=CC(O)=C(O)C(O)=C1 NLDMNSXOCDLTTB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 7
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 7
- 238000004768 lowest unoccupied molecular orbital Methods 0.000 description 7
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 7
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 7
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N Nickel Chemical compound [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- KDLHZDBZIXYQEI-UHFFFAOYSA-N Palladium Chemical compound [Pd] KDLHZDBZIXYQEI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- NRCMAYZCPIVABH-UHFFFAOYSA-N Quinacridone Chemical class N1C2=CC=CC=C2C(=O)C2=C1C=C1C(=O)C3=CC=CC=C3NC1=C2 NRCMAYZCPIVABH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 230000008859 change Effects 0.000 description 6
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 6
- 238000009434 installation Methods 0.000 description 6
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 6
- 238000012360 testing method Methods 0.000 description 6
- CRUIOQJBPNKOJG-UHFFFAOYSA-N thieno[3,2-e][1]benzothiole Chemical compound C1=C2SC=CC2=C2C=CSC2=C1 CRUIOQJBPNKOJG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- XMWRBQBLMFGWIX-UHFFFAOYSA-N C60 fullerene Chemical compound C12=C3C(C4=C56)=C7C8=C5C5=C9C%10=C6C6=C4C1=C1C4=C6C6=C%10C%10=C9C9=C%11C5=C8C5=C8C7=C3C3=C7C2=C1C1=C2C4=C6C4=C%10C6=C9C9=C%11C5=C5C8=C3C3=C7C1=C1C2=C4C6=C2C9=C5C3=C12 XMWRBQBLMFGWIX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 239000002019 doping agent Substances 0.000 description 5
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 5
- 229910052738 indium Inorganic materials 0.000 description 5
- APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N indium atom Chemical compound [In] APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 229920003229 poly(methyl methacrylate) Polymers 0.000 description 5
- 239000002861 polymer material Substances 0.000 description 5
- 239000004926 polymethyl methacrylate Substances 0.000 description 5
- LVTJOONKWUXEFR-FZRMHRINSA-N protoneodioscin Natural products O(C[C@@H](CC[C@]1(O)[C@H](C)[C@@H]2[C@]3(C)[C@H]([C@H]4[C@@H]([C@]5(C)C(=CC4)C[C@@H](O[C@@H]4[C@H](O[C@H]6[C@@H](O)[C@@H](O)[C@@H](O)[C@H](C)O6)[C@@H](O)[C@H](O[C@H]6[C@@H](O)[C@@H](O)[C@@H](O)[C@H](C)O6)[C@H](CO)O4)CC5)CC3)C[C@@H]2O1)C)[C@H]1[C@H](O)[C@H](O)[C@H](O)[C@@H](CO)O1 LVTJOONKWUXEFR-FZRMHRINSA-N 0.000 description 5
- 239000010453 quartz Substances 0.000 description 5
- 238000004611 spectroscopical analysis Methods 0.000 description 5
- 239000011787 zinc oxide Substances 0.000 description 5
- 229920001609 Poly(3,4-ethylenedioxythiophene) Polymers 0.000 description 4
- 229920001665 Poly-4-vinylphenol Polymers 0.000 description 4
- 239000004642 Polyimide Substances 0.000 description 4
- 239000004372 Polyvinyl alcohol Substances 0.000 description 4
- JUJWROOIHBZHMG-UHFFFAOYSA-N Pyridine Chemical compound C1=CC=NC=C1 JUJWROOIHBZHMG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- SMWDFEZZVXVKRB-UHFFFAOYSA-N Quinoline Chemical compound N1=CC=CC2=CC=CC=C21 SMWDFEZZVXVKRB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- DZBUGLKDJFMEHC-UHFFFAOYSA-N acridine Chemical compound C1=CC=CC2=CC3=CC=CC=C3N=C21 DZBUGLKDJFMEHC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 4
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 4
- 239000000969 carrier Substances 0.000 description 4
- 239000011651 chromium Substances 0.000 description 4
- 239000003086 colorant Substances 0.000 description 4
- JNGZXGGOCLZBFB-IVCQMTBJSA-N compound E Chemical compound N([C@@H](C)C(=O)N[C@@H]1C(N(C)C2=CC=CC=C2C(C=2C=CC=CC=2)=N1)=O)C(=O)CC1=CC(F)=CC(F)=C1 JNGZXGGOCLZBFB-IVCQMTBJSA-N 0.000 description 4
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 4
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 4
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 description 4
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 4
- 238000010894 electron beam technology Methods 0.000 description 4
- 229910003472 fullerene Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 4
- 229960005544 indolocarbazole Drugs 0.000 description 4
- 238000001459 lithography Methods 0.000 description 4
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 4
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 4
- 229910000476 molybdenum oxide Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000011368 organic material Substances 0.000 description 4
- 125000002080 perylenyl group Chemical group C1(=CC=C2C=CC=C3C4=CC=CC5=CC=CC(C1=C23)=C45)* 0.000 description 4
- 125000001997 phenyl group Chemical group [H]C1=C([H])C([H])=C(*)C([H])=C1[H] 0.000 description 4
- 239000005020 polyethylene terephthalate Substances 0.000 description 4
- 229920000139 polyethylene terephthalate Polymers 0.000 description 4
- 229920001721 polyimide Polymers 0.000 description 4
- 229920002451 polyvinyl alcohol Polymers 0.000 description 4
- 230000008569 process Effects 0.000 description 4
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 description 4
- 239000011669 selenium Substances 0.000 description 4
- 230000035945 sensitivity Effects 0.000 description 4
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 description 4
- 238000005476 soldering Methods 0.000 description 4
- OFPPMFSHIKARPG-UHFFFAOYSA-N thieno[3,2-b][1]benzothiole Chemical compound S1C2=CC=CC=C2C2=C1C=CS2 OFPPMFSHIKARPG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 238000012546 transfer Methods 0.000 description 4
- 229910000838 Al alloy Inorganic materials 0.000 description 3
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- GYHNNYVSQQEPJS-UHFFFAOYSA-N Gallium Chemical compound [Ga] GYHNNYVSQQEPJS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910006404 SnO 2 Inorganic materials 0.000 description 3
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 3
- 229910052733 gallium Inorganic materials 0.000 description 3
- 229910001195 gallium oxide Inorganic materials 0.000 description 3
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 3
- 150000002391 heterocyclic compounds Chemical class 0.000 description 3
- 238000002347 injection Methods 0.000 description 3
- 239000007924 injection Substances 0.000 description 3
- 239000012299 nitrogen atmosphere Substances 0.000 description 3
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 3
- 230000000704 physical effect Effects 0.000 description 3
- 238000005240 physical vapour deposition Methods 0.000 description 3
- 238000003860 storage Methods 0.000 description 3
- PMJMHCXAGMRGBZ-UHFFFAOYSA-N subphthalocyanine Chemical class N1C(N=C2C3=CC=CC=C3C(=N3)N2)=C(C=CC=C2)C2=C1N=C1C2=CC=CC=C2C3=N1 PMJMHCXAGMRGBZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 238000001771 vacuum deposition Methods 0.000 description 3
- YJTKZCDBKVTVBY-UHFFFAOYSA-N 1,3-Diphenylbenzene Chemical group C1=CC=CC=C1C1=CC=CC(C=2C=CC=CC=2)=C1 YJTKZCDBKVTVBY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- BCMCBBGGLRIHSE-UHFFFAOYSA-N 1,3-benzoxazole Chemical compound C1=CC=C2OC=NC2=C1 BCMCBBGGLRIHSE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- HYZJCKYKOHLVJF-UHFFFAOYSA-N 1H-benzimidazole Chemical compound C1=CC=C2NC=NC2=C1 HYZJCKYKOHLVJF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- UUEWCQRISZBELL-UHFFFAOYSA-N 3-trimethoxysilylpropane-1-thiol Chemical compound CO[Si](OC)(OC)CCCS UUEWCQRISZBELL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- UJOBWOGCFQCDNV-UHFFFAOYSA-N 9H-carbazole Chemical compound C1=CC=C2C3=CC=CC=C3NC2=C1 UJOBWOGCFQCDNV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- CSCPPACGZOOCGX-UHFFFAOYSA-N Acetone Chemical compound CC(C)=O CSCPPACGZOOCGX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910001316 Ag alloy Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910018072 Al 2 O 3 Inorganic materials 0.000 description 2
- VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N Chromium Chemical compound [Cr] VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910000881 Cu alloy Inorganic materials 0.000 description 2
- LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N Ethanol Chemical compound CCO LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- SIKJAQJRHWYJAI-UHFFFAOYSA-N Indole Chemical compound C1=CC=C2NC=CC2=C1 SIKJAQJRHWYJAI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N Iron Chemical compound [Fe] XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- CBENFWSGALASAD-UHFFFAOYSA-N Ozone Chemical compound [O-][O+]=O CBENFWSGALASAD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- PCNDJXKNXGMECE-UHFFFAOYSA-N Phenazine Natural products C1=CC=CC2=NC3=CC=CC=C3N=C21 PCNDJXKNXGMECE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000004793 Polystyrene Substances 0.000 description 2
- KYQCOXFCLRTKLS-UHFFFAOYSA-N Pyrazine Chemical compound C1=CN=CC=N1 KYQCOXFCLRTKLS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- BUGBHKTXTAQXES-UHFFFAOYSA-N Selenium Chemical compound [Se] BUGBHKTXTAQXES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 description 2
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- YTPLMLYBLZKORZ-UHFFFAOYSA-N Thiophene Chemical compound C=1C=CSC=1 YTPLMLYBLZKORZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N Tin Chemical compound [Sn] ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N Titan oxide Chemical compound O=[Ti]=O GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- DGEZNRSVGBDHLK-UHFFFAOYSA-N [1,10]phenanthroline Chemical compound C1=CN=C2C3=NC=CC=C3C=CC2=C1 DGEZNRSVGBDHLK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 125000000641 acridinyl group Chemical group C1(=CC=CC2=NC3=CC=CC=C3C=C12)* 0.000 description 2
- 238000000137 annealing Methods 0.000 description 2
- 150000001454 anthracenes Chemical class 0.000 description 2
- 125000002178 anthracenyl group Chemical group C1(=CC=CC2=CC3=CC=CC=C3C=C12)* 0.000 description 2
- 239000012298 atmosphere Substances 0.000 description 2
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 description 2
- 230000008901 benefit Effects 0.000 description 2
- 125000003785 benzimidazolyl group Chemical group N1=C(NC2=C1C=CC=C2)* 0.000 description 2
- 125000006267 biphenyl group Chemical group 0.000 description 2
- 125000000484 butyl group Chemical group [H]C([*])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])[H] 0.000 description 2
- 238000003486 chemical etching Methods 0.000 description 2
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 description 2
- 150000001846 chrysenes Chemical class 0.000 description 2
- 239000011247 coating layer Substances 0.000 description 2
- 238000011161 development Methods 0.000 description 2
- TXCDCPKCNAJMEE-UHFFFAOYSA-N dibenzofuran Chemical compound C1=CC=C2C3=CC=CC=C3OC2=C1 TXCDCPKCNAJMEE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- AJNVQOSZGJRYEI-UHFFFAOYSA-N digallium;oxygen(2-) Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[Ga+3].[Ga+3] AJNVQOSZGJRYEI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- WSUTUEIGSOWBJO-UHFFFAOYSA-N dizinc oxygen(2-) Chemical compound [O-2].[O-2].[Zn+2].[Zn+2] WSUTUEIGSOWBJO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 2
- 125000001495 ethyl group Chemical group [H]C([H])([H])C([H])([H])* 0.000 description 2
- 150000002219 fluoranthenes Chemical class 0.000 description 2
- 125000003914 fluoranthenyl group Chemical group C1(=CC=C2C=CC=C3C4=CC=CC=C4C1=C23)* 0.000 description 2
- 150000002222 fluorine compounds Chemical class 0.000 description 2
- 238000007646 gravure printing Methods 0.000 description 2
- 125000005842 heteroatom Chemical group 0.000 description 2
- 125000004051 hexyl group Chemical group [H]C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])* 0.000 description 2
- 230000005525 hole transport Effects 0.000 description 2
- 125000002883 imidazolyl group Chemical group 0.000 description 2
- AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N indium;oxotin Chemical compound [In].[Sn]=O AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000011810 insulating material Substances 0.000 description 2
- 238000007733 ion plating Methods 0.000 description 2
- AWJUIBRHMBBTKR-UHFFFAOYSA-N isoquinoline Chemical compound C1=NC=CC2=CC=CC=C21 AWJUIBRHMBBTKR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000000608 laser ablation Methods 0.000 description 2
- 239000003446 ligand Substances 0.000 description 2
- 239000011777 magnesium Substances 0.000 description 2
- 238000001755 magnetron sputter deposition Methods 0.000 description 2
- 125000002496 methyl group Chemical group [H]C([H])([H])* 0.000 description 2
- 238000000813 microcontact printing Methods 0.000 description 2
- 238000001451 molecular beam epitaxy Methods 0.000 description 2
- 238000012544 monitoring process Methods 0.000 description 2
- 150000002790 naphthalenes Chemical class 0.000 description 2
- 125000001624 naphthyl group Chemical group 0.000 description 2
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000007645 offset printing Methods 0.000 description 2
- 150000002894 organic compounds Chemical class 0.000 description 2
- 229920000620 organic polymer Polymers 0.000 description 2
- 125000002524 organometallic group Chemical group 0.000 description 2
- TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N oxo(oxoalumanyloxy)alumane Chemical compound O=[Al]O[Al]=O TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- PQQKPALAQIIWST-UHFFFAOYSA-N oxomolybdenum Chemical compound [Mo]=O PQQKPALAQIIWST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052763 palladium Inorganic materials 0.000 description 2
- 230000036961 partial effect Effects 0.000 description 2
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 2
- 238000000059 patterning Methods 0.000 description 2
- 150000002964 pentacenes Chemical class 0.000 description 2
- 125000001147 pentyl group Chemical group C(CCCC)* 0.000 description 2
- 150000002987 phenanthrenes Chemical class 0.000 description 2
- 125000005561 phenanthryl group Chemical group 0.000 description 2
- 238000000206 photolithography Methods 0.000 description 2
- IEQIEDJGQAUEQZ-UHFFFAOYSA-N phthalocyanine Chemical class N1C(N=C2C3=CC=CC=C3C(N=C3C4=CC=CC=C4C(=N4)N3)=N2)=C(C=CC=C2)C2=C1N=C1C2=CC=CC=C2C4=N1 IEQIEDJGQAUEQZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 150000003039 picenes Chemical class 0.000 description 2
- 238000005268 plasma chemical vapour deposition Methods 0.000 description 2
- 239000002985 plastic film Substances 0.000 description 2
- 229910052697 platinum Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000004417 polycarbonate Substances 0.000 description 2
- 229920000515 polycarbonate Polymers 0.000 description 2
- 229920000642 polymer Polymers 0.000 description 2
- 229920002223 polystyrene Polymers 0.000 description 2
- 238000007639 printing Methods 0.000 description 2
- 125000001436 propyl group Chemical group [H]C([*])([H])C([H])([H])C([H])([H])[H] 0.000 description 2
- 150000003220 pyrenes Chemical class 0.000 description 2
- 125000001725 pyrenyl group Chemical group 0.000 description 2
- UMJSCPRVCHMLSP-UHFFFAOYSA-N pyridine Natural products COC1=CC=CN=C1 UMJSCPRVCHMLSP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 125000004076 pyridyl group Chemical group 0.000 description 2
- 125000002943 quinolinyl group Chemical group N1=C(C=CC2=CC=CC=C12)* 0.000 description 2
- XSCHRSMBECNVNS-UHFFFAOYSA-N quinoxaline Chemical compound N1=CC=NC2=CC=CC=C21 XSCHRSMBECNVNS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000004044 response Effects 0.000 description 2
- 230000002441 reversible effect Effects 0.000 description 2
- 229910001925 ruthenium oxide Inorganic materials 0.000 description 2
- WOCIAKWEIIZHES-UHFFFAOYSA-N ruthenium(iv) oxide Chemical compound O=[Ru]=O WOCIAKWEIIZHES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 150000003839 salts Chemical class 0.000 description 2
- 229910052711 selenium Inorganic materials 0.000 description 2
- 150000004819 silanols Chemical class 0.000 description 2
- LIVNPJMFVYWSIS-UHFFFAOYSA-N silicon monoxide Chemical compound [Si-]#[O+] LIVNPJMFVYWSIS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000004332 silver Substances 0.000 description 2
- 239000002356 single layer Substances 0.000 description 2
- 230000003595 spectral effect Effects 0.000 description 2
- 238000004528 spin coating Methods 0.000 description 2
- 238000005507 spraying Methods 0.000 description 2
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 2
- 150000003518 tetracenes Chemical class 0.000 description 2
- 125000001935 tetracenyl group Chemical group C1(=CC=CC2=CC3=CC4=CC=CC=C4C=C3C=C12)* 0.000 description 2
- 238000002230 thermal chemical vapour deposition Methods 0.000 description 2
- 125000001544 thienyl group Chemical group 0.000 description 2
- 239000010936 titanium Substances 0.000 description 2
- 125000003944 tolyl group Chemical group 0.000 description 2
- PYJJCSYBSYXGQQ-UHFFFAOYSA-N trichloro(octadecyl)silane Chemical compound CCCCCCCCCCCCCCCCCC[Si](Cl)(Cl)Cl PYJJCSYBSYXGQQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000004402 ultra-violet photoelectron spectroscopy Methods 0.000 description 2
- 229910001935 vanadium oxide Inorganic materials 0.000 description 2
- 125000005023 xylyl group Chemical group 0.000 description 2
- YBNMDCCMCLUHBL-UHFFFAOYSA-N (2,5-dioxopyrrolidin-1-yl) 4-pyren-1-ylbutanoate Chemical compound C=1C=C(C2=C34)C=CC3=CC=CC4=CC=C2C=1CCCC(=O)ON1C(=O)CCC1=O YBNMDCCMCLUHBL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- AFINAILKDBCXMX-PBHICJAKSA-N (2s,3r)-2-amino-3-hydroxy-n-(4-octylphenyl)butanamide Chemical compound CCCCCCCCC1=CC=C(NC(=O)[C@@H](N)[C@@H](C)O)C=C1 AFINAILKDBCXMX-PBHICJAKSA-N 0.000 description 1
- UWRZIZXBOLBCON-VOTSOKGWSA-N (e)-2-phenylethenamine Chemical class N\C=C\C1=CC=CC=C1 UWRZIZXBOLBCON-VOTSOKGWSA-N 0.000 description 1
- JYEUMXHLPRZUAT-UHFFFAOYSA-N 1,2,3-triazine Chemical compound C1=CN=NN=C1 JYEUMXHLPRZUAT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- YIDSTEJLDQMWBR-UHFFFAOYSA-N 1-isocyanatododecane Chemical compound CCCCCCCCCCCCN=C=O YIDSTEJLDQMWBR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- VEPOHXYIFQMVHW-XOZOLZJESA-N 2,3-dihydroxybutanedioic acid (2S,3S)-3,4-dimethyl-2-phenylmorpholine Chemical compound OC(C(O)C(O)=O)C(O)=O.C[C@H]1[C@@H](OCCN1C)c1ccccc1 VEPOHXYIFQMVHW-XOZOLZJESA-N 0.000 description 1
- DMEVMYSQZPJFOK-UHFFFAOYSA-N 3,4,5,6,9,10-hexazatetracyclo[12.4.0.02,7.08,13]octadeca-1(18),2(7),3,5,8(13),9,11,14,16-nonaene Chemical class N1=NN=C2C3=CC=CC=C3C3=CC=NN=C3C2=N1 DMEVMYSQZPJFOK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ICBZSKCTKKUQSY-YUWZRIFDSA-N 4-[(1r,2s)-1-hydroxy-2-(methylamino)propyl]phenol;hydrochloride Chemical compound Cl.CN[C@@H](C)[C@H](O)C1=CC=C(O)C=C1 ICBZSKCTKKUQSY-YUWZRIFDSA-N 0.000 description 1
- 229910001148 Al-Li alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910000980 Aluminium gallium arsenide Inorganic materials 0.000 description 1
- LSNNMFCWUKXFEE-UHFFFAOYSA-M Bisulfite Chemical compound OS([O-])=O LSNNMFCWUKXFEE-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XDTMQSROBMDMFD-UHFFFAOYSA-N Cyclohexane Chemical compound C1CCCCC1 XDTMQSROBMDMFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- YCKRFDGAMUMZLT-UHFFFAOYSA-N Fluorine atom Chemical compound [F] YCKRFDGAMUMZLT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910005555 GaZnO Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910001218 Gallium arsenide Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910000799 K alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- FYYHWMGAXLPEAU-UHFFFAOYSA-N Magnesium Chemical compound [Mg] FYYHWMGAXLPEAU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910000861 Mg alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N Molybdenum Chemical compound [Mo] ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910000583 Nd alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- ZCQWOFVYLHDMMC-UHFFFAOYSA-N Oxazole Chemical compound C1=COC=N1 ZCQWOFVYLHDMMC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229920012266 Poly(ether sulfone) PES Polymers 0.000 description 1
- 239000004952 Polyamide Substances 0.000 description 1
- 239000004962 Polyamide-imide Substances 0.000 description 1
- WTKZEGDFNFYCGP-UHFFFAOYSA-N Pyrazole Chemical compound C=1C=NNC=1 WTKZEGDFNFYCGP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- CZPWVGJYEJSRLH-UHFFFAOYSA-N Pyrimidine Chemical compound C1=CN=CN=C1 CZPWVGJYEJSRLH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910000676 Si alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- BLRPTPMANUNPDV-UHFFFAOYSA-N Silane Chemical compound [SiH4] BLRPTPMANUNPDV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000006087 Silane Coupling Agent Substances 0.000 description 1
- 229910000612 Sm alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 206010041067 Small cell lung cancer Diseases 0.000 description 1
- 229910000831 Steel Inorganic materials 0.000 description 1
- FZWLAAWBMGSTSO-UHFFFAOYSA-N Thiazole Chemical compound C1=CSC=N1 FZWLAAWBMGSTSO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052769 Ytterbium Inorganic materials 0.000 description 1
- JFBZPFYRPYOZCQ-UHFFFAOYSA-N [Li].[Al] Chemical compound [Li].[Al] JFBZPFYRPYOZCQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XHCLAFWTIXFWPH-UHFFFAOYSA-N [O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[V+5].[V+5] Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[V+5].[V+5] XHCLAFWTIXFWPH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000009471 action Effects 0.000 description 1
- 230000002411 adverse Effects 0.000 description 1
- 229910052783 alkali metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000001340 alkali metals Chemical class 0.000 description 1
- 229910052784 alkaline earth metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000001342 alkaline earth metals Chemical class 0.000 description 1
- VRAIHTAYLFXSJJ-UHFFFAOYSA-N alumane Chemical compound [AlH3].[AlH3] VRAIHTAYLFXSJJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910003481 amorphous carbon Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910021417 amorphous silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000002583 angiography Methods 0.000 description 1
- 229910052787 antimony Inorganic materials 0.000 description 1
- WATWJIUSRGPENY-UHFFFAOYSA-N antimony atom Chemical compound [Sb] WATWJIUSRGPENY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000004982 aromatic amines Chemical class 0.000 description 1
- 150000008378 aryl ethers Chemical class 0.000 description 1
- 239000002585 base Substances 0.000 description 1
- 230000003796 beauty Effects 0.000 description 1
- RFRXIWQYSOIBDI-UHFFFAOYSA-N benzarone Chemical compound CCC=1OC2=CC=CC=C2C=1C(=O)C1=CC=C(O)C=C1 RFRXIWQYSOIBDI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- HFACYLZERDEVSX-UHFFFAOYSA-N benzidine Chemical class C1=CC(N)=CC=C1C1=CC=C(N)C=C1 HFACYLZERDEVSX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- UMIVXZPTRXBADB-UHFFFAOYSA-N benzocyclobutene Chemical compound C1=CC=C2CCC2=C1 UMIVXZPTRXBADB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- QRUDEWIWKLJBPS-UHFFFAOYSA-N benzotriazole Chemical compound C1=CC=C2N[N][N]C2=C1 QRUDEWIWKLJBPS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000012964 benzotriazole Substances 0.000 description 1
- 239000011230 binding agent Substances 0.000 description 1
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 1
- 230000000740 bleeding effect Effects 0.000 description 1
- 239000005380 borophosphosilicate glass Substances 0.000 description 1
- UHYPYGJEEGLRJD-UHFFFAOYSA-N cadmium(2+);selenium(2-) Chemical compound [Se-2].[Cd+2] UHYPYGJEEGLRJD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052791 calcium Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000001716 carbazoles Chemical class 0.000 description 1
- 239000002041 carbon nanotube Substances 0.000 description 1
- 229910021393 carbon nanotube Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000003575 carbonaceous material Substances 0.000 description 1
- 150000001732 carboxylic acid derivatives Chemical class 0.000 description 1
- 230000015556 catabolic process Effects 0.000 description 1
- DVRDHUBQLOKMHZ-UHFFFAOYSA-N chalcopyrite Chemical class [S-2].[S-2].[Fe+2].[Cu+2] DVRDHUBQLOKMHZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000003610 charcoal Substances 0.000 description 1
- 229910017052 cobalt Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010941 cobalt Substances 0.000 description 1
- GUTLYIVDDKVIGB-UHFFFAOYSA-N cobalt atom Chemical compound [Co] GUTLYIVDDKVIGB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000000295 complement effect Effects 0.000 description 1
- 229920001940 conductive polymer Polymers 0.000 description 1
- 230000021615 conjugation Effects 0.000 description 1
- 238000001816 cooling Methods 0.000 description 1
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000010168 coupling process Methods 0.000 description 1
- 229910021419 crystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 125000004122 cyclic group Chemical group 0.000 description 1
- 238000006731 degradation reaction Methods 0.000 description 1
- 239000003599 detergent Substances 0.000 description 1
- 238000007598 dipping method Methods 0.000 description 1
- 238000000469 dry deposition Methods 0.000 description 1
- 238000007772 electroless plating Methods 0.000 description 1
- 238000005401 electroluminescence Methods 0.000 description 1
- 238000009713 electroplating Methods 0.000 description 1
- 238000001704 evaporation Methods 0.000 description 1
- 230000008020 evaporation Effects 0.000 description 1
- 230000005284 excitation Effects 0.000 description 1
- 229920002457 flexible plastic Polymers 0.000 description 1
- 229920005570 flexible polymer Polymers 0.000 description 1
- 239000011737 fluorine Substances 0.000 description 1
- 229910052731 fluorine Inorganic materials 0.000 description 1
- 125000000524 functional group Chemical group 0.000 description 1
- 229910052732 germanium Inorganic materials 0.000 description 1
- GNPVGFCGXDBREM-UHFFFAOYSA-N germanium atom Chemical compound [Ge] GNPVGFCGXDBREM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910021389 graphene Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910002804 graphite Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010439 graphite Substances 0.000 description 1
- 230000020169 heat generation Effects 0.000 description 1
- 125000000623 heterocyclic group Chemical group 0.000 description 1
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000001257 hydrogen Substances 0.000 description 1
- 230000006872 improvement Effects 0.000 description 1
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 1
- 229910003437 indium oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- PJXISJQVUVHSOJ-UHFFFAOYSA-N indium(iii) oxide Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[In+3].[In+3] PJXISJQVUVHSOJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- PZOUSPYUWWUPPK-UHFFFAOYSA-N indole Natural products CC1=CC=CC2=C1C=CN2 PZOUSPYUWWUPPK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RKJUIXBNRJVNHR-UHFFFAOYSA-N indolenine Natural products C1=CC=C2CC=NC2=C1 RKJUIXBNRJVNHR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910010272 inorganic material Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011147 inorganic material Substances 0.000 description 1
- 229910052741 iridium Inorganic materials 0.000 description 1
- GKOZUEZYRPOHIO-UHFFFAOYSA-N iridium atom Chemical compound [Ir] GKOZUEZYRPOHIO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000010030 laminating Methods 0.000 description 1
- 230000000670 limiting effect Effects 0.000 description 1
- 229910052744 lithium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000001989 lithium alloy Substances 0.000 description 1
- 229910052749 magnesium Inorganic materials 0.000 description 1
- SJCKRGFTWFGHGZ-UHFFFAOYSA-N magnesium silver Chemical compound [Mg].[Ag] SJCKRGFTWFGHGZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000007246 mechanism Effects 0.000 description 1
- 238000002844 melting Methods 0.000 description 1
- 230000008018 melting Effects 0.000 description 1
- 238000002488 metal-organic chemical vapour deposition Methods 0.000 description 1
- 229910021424 microcrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 229910052750 molybdenum Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011733 molybdenum Substances 0.000 description 1
- JKQOBWVOAYFWKG-UHFFFAOYSA-N molybdenum trioxide Chemical compound O=[Mo](=O)=O JKQOBWVOAYFWKG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- PHQOGHDTIVQXHL-UHFFFAOYSA-N n'-(3-trimethoxysilylpropyl)ethane-1,2-diamine Chemical compound CO[Si](OC)(OC)CCCNCCN PHQOGHDTIVQXHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000007935 neutral effect Effects 0.000 description 1
- 229910000480 nickel oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910000484 niobium oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- URLJKFSTXLNXLG-UHFFFAOYSA-N niobium(5+);oxygen(2-) Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[Nb+5].[Nb+5] URLJKFSTXLNXLG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 125000004433 nitrogen atom Chemical group N* 0.000 description 1
- QGLKJKCYBOYXKC-UHFFFAOYSA-N nonaoxidotritungsten Chemical compound O=[W]1(=O)O[W](=O)(=O)O[W](=O)(=O)O1 QGLKJKCYBOYXKC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- QJAOYSPHSNGHNC-UHFFFAOYSA-N octadecane-1-thiol Chemical compound CCCCCCCCCCCCCCCCCCS QJAOYSPHSNGHNC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052762 osmium Inorganic materials 0.000 description 1
- SYQBFIAQOQZEGI-UHFFFAOYSA-N osmium atom Chemical compound [Os] SYQBFIAQOQZEGI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- GNRSAWUEBMWBQH-UHFFFAOYSA-N oxonickel Chemical compound [Ni]=O GNRSAWUEBMWBQH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000004430 oxygen atom Chemical group O* 0.000 description 1
- 229920003023 plastic Polymers 0.000 description 1
- 239000004033 plastic Substances 0.000 description 1
- 238000005498 polishing Methods 0.000 description 1
- 229920000090 poly(aryl ether) Polymers 0.000 description 1
- 229920000172 poly(styrenesulfonic acid) Polymers 0.000 description 1
- 229920002647 polyamide Polymers 0.000 description 1
- 229920002312 polyamide-imide Polymers 0.000 description 1
- 229920000767 polyaniline Polymers 0.000 description 1
- 229910021420 polycrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011112 polyethylene naphthalate Substances 0.000 description 1
- 229920005591 polysilicon Polymers 0.000 description 1
- 229940005642 polystyrene sulfonic acid Drugs 0.000 description 1
- 229920001343 polytetrafluoroethylene Polymers 0.000 description 1
- 239000004810 polytetrafluoroethylene Substances 0.000 description 1
- BITYAPCSNKJESK-UHFFFAOYSA-N potassiosodium Chemical compound [Na].[K] BITYAPCSNKJESK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052700 potassium Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000002265 prevention Effects 0.000 description 1
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 1
- 125000000168 pyrrolyl group Chemical group 0.000 description 1
- 239000002096 quantum dot Substances 0.000 description 1
- 229910052761 rare earth metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000002910 rare earth metals Chemical class 0.000 description 1
- 230000009467 reduction Effects 0.000 description 1
- 230000002829 reductive effect Effects 0.000 description 1
- 229910052702 rhenium Inorganic materials 0.000 description 1
- WUAPFZMCVAUBPE-UHFFFAOYSA-N rhenium atom Chemical compound [Re] WUAPFZMCVAUBPE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- KZUNJOHGWZRPMI-UHFFFAOYSA-N samarium atom Chemical compound [Sm] KZUNJOHGWZRPMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 210000004761 scalp Anatomy 0.000 description 1
- SBIBMFFZSBJNJF-UHFFFAOYSA-N selenium;zinc Chemical compound [Se]=[Zn] SBIBMFFZSBJNJF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000000926 separation method Methods 0.000 description 1
- 229910000077 silane Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052708 sodium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 1
- 229910052596 spinel Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011029 spinel Substances 0.000 description 1
- 239000010935 stainless steel Substances 0.000 description 1
- 229910001220 stainless steel Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010959 steel Substances 0.000 description 1
- 229910052717 sulfur Inorganic materials 0.000 description 1
- 125000004434 sulfur atom Chemical group 0.000 description 1
- 229910052715 tantalum Inorganic materials 0.000 description 1
- GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N tantalum atom Chemical compound [Ta] GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- JBQYATWDVHIOAR-UHFFFAOYSA-N tellanylidenegermanium Chemical compound [Te]=[Ge] JBQYATWDVHIOAR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052714 tellurium Inorganic materials 0.000 description 1
- PORWMNRCUJJQNO-UHFFFAOYSA-N tellurium atom Chemical compound [Te] PORWMNRCUJJQNO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000000999 tert-butyl group Chemical group [H]C([H])([H])C(*)(C([H])([H])[H])C([H])([H])[H] 0.000 description 1
- TXEYQDLBPFQVAA-UHFFFAOYSA-N tetrafluoromethane Chemical compound FC(F)(F)F TXEYQDLBPFQVAA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000003536 tetrazoles Chemical class 0.000 description 1
- 229910052716 thallium Inorganic materials 0.000 description 1
- BKVIYDNLLOSFOA-UHFFFAOYSA-N thallium Chemical compound [Tl] BKVIYDNLLOSFOA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000003573 thiols Chemical class 0.000 description 1
- 229930192474 thiophene Natural products 0.000 description 1
- XOLBLPGZBRYERU-UHFFFAOYSA-N tin dioxide Chemical compound O=[Sn]=O XOLBLPGZBRYERU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910001887 tin oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 description 1
- OGIDPMRJRNCKJF-UHFFFAOYSA-N titanium oxide Inorganic materials [Ti]=O OGIDPMRJRNCKJF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000007704 transition Effects 0.000 description 1
- 238000002834 transmittance Methods 0.000 description 1
- 125000005259 triarylamine group Chemical class 0.000 description 1
- WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N tungsten Chemical compound [W] WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010937 tungsten Substances 0.000 description 1
- 229910001930 tungsten oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000007738 vacuum evaporation Methods 0.000 description 1
- NAWDYIZEMPQZHO-UHFFFAOYSA-N ytterbium Chemical compound [Yb] NAWDYIZEMPQZHO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- YVTHLONGBIQYBO-UHFFFAOYSA-N zinc indium(3+) oxygen(2-) Chemical compound [O--].[Zn++].[In+3] YVTHLONGBIQYBO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K39/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic radiation-sensitive element covered by group H10K30/00
- H10K39/30—Devices controlled by radiation
- H10K39/32—Organic image sensors
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/14—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
- H01L27/144—Devices controlled by radiation
- H01L27/146—Imager structures
- H01L27/14601—Structural or functional details thereof
- H01L27/1462—Coatings
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/14—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
- H01L27/144—Devices controlled by radiation
- H01L27/146—Imager structures
- H01L27/14643—Photodiode arrays; MOS imagers
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K30/00—Organic devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation
- H10K30/30—Organic devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation comprising bulk heterojunctions, e.g. interpenetrating networks of donor and acceptor material domains
- H10K30/353—Organic devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation comprising bulk heterojunctions, e.g. interpenetrating networks of donor and acceptor material domains comprising blocking layers, e.g. exciton blocking layers
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K30/00—Organic devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation
- H10K30/80—Constructional details
- H10K30/81—Electrodes
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K85/00—Organic materials used in the body or electrodes of devices covered by this subclass
- H10K85/60—Organic compounds having low molecular weight
- H10K85/631—Amine compounds having at least two aryl rest on at least one amine-nitrogen atom, e.g. triphenylamine
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K85/00—Organic materials used in the body or electrodes of devices covered by this subclass
- H10K85/60—Organic compounds having low molecular weight
- H10K85/649—Aromatic compounds comprising a hetero atom
- H10K85/654—Aromatic compounds comprising a hetero atom comprising only nitrogen as heteroatom
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K85/00—Organic materials used in the body or electrodes of devices covered by this subclass
- H10K85/60—Organic compounds having low molecular weight
- H10K85/649—Aromatic compounds comprising a hetero atom
- H10K85/655—Aromatic compounds comprising a hetero atom comprising only sulfur as heteroatom
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K85/00—Organic materials used in the body or electrodes of devices covered by this subclass
- H10K85/60—Organic compounds having low molecular weight
- H10K85/649—Aromatic compounds comprising a hetero atom
- H10K85/657—Polycyclic condensed heteroaromatic hydrocarbons
- H10K85/6572—Polycyclic condensed heteroaromatic hydrocarbons comprising only nitrogen in the heteroaromatic polycondensed ring system, e.g. phenanthroline or carbazole
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K2102/00—Constructional details relating to the organic devices covered by this subclass
- H10K2102/10—Transparent electrodes, e.g. using graphene
- H10K2102/101—Transparent electrodes, e.g. using graphene comprising transparent conductive oxides [TCO]
- H10K2102/103—Transparent electrodes, e.g. using graphene comprising transparent conductive oxides [TCO] comprising indium oxides, e.g. ITO
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K30/00—Organic devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation
- H10K30/30—Organic devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation comprising bulk heterojunctions, e.g. interpenetrating networks of donor and acceptor material domains
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K85/00—Organic materials used in the body or electrodes of devices covered by this subclass
- H10K85/20—Carbon compounds, e.g. carbon nanotubes or fullerenes
- H10K85/211—Fullerenes, e.g. C60
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K85/00—Organic materials used in the body or electrodes of devices covered by this subclass
- H10K85/30—Coordination compounds
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K85/00—Organic materials used in the body or electrodes of devices covered by this subclass
- H10K85/30—Coordination compounds
- H10K85/311—Phthalocyanine
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K85/00—Organic materials used in the body or electrodes of devices covered by this subclass
- H10K85/30—Coordination compounds
- H10K85/321—Metal complexes comprising a group IIIA element, e.g. Tris (8-hydroxyquinoline) gallium [Gaq3]
- H10K85/322—Metal complexes comprising a group IIIA element, e.g. Tris (8-hydroxyquinoline) gallium [Gaq3] comprising boron
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K85/00—Organic materials used in the body or electrodes of devices covered by this subclass
- H10K85/60—Organic compounds having low molecular weight
- H10K85/649—Aromatic compounds comprising a hetero atom
- H10K85/657—Polycyclic condensed heteroaromatic hydrocarbons
- H10K85/6576—Polycyclic condensed heteroaromatic hydrocarbons comprising only sulfur in the heteroaromatic polycondensed ring system, e.g. benzothiophene
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
- Y02E10/00—Energy generation through renewable energy sources
- Y02E10/50—Photovoltaic [PV] energy
- Y02E10/549—Organic PV cells
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Spectroscopy & Molecular Physics (AREA)
- Electromagnetism (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Light Receiving Elements (AREA)
- Solid State Image Pick-Up Elements (AREA)
- Inorganic Chemistry (AREA)
- Nanotechnology (AREA)
Abstract
Description
前記第1バッファ層が有するHOMOレベルと、前記p型半導体が有するHOMOレベル又は仕事関数との差が、±0.2eVの範囲でよい。
前記p型半導体のHOMOレベル又は仕事関数が−5.6eV〜−5.7eVでよい。
前記p型半導体が、下記一般式(11)で表される化合物を含んでよい。
前記第1電極及び前記第2電極のいずれか一方が透明導電性材料からなってよく、他方が金属材料からなってよい。
前記第1電極が透明導電性材料からなってよく、前記第2電極が、Al、Al−Si−Cu又はMg−Agからなってよい。
前記第1電極が、Al−Nd又はAl−Sm−Cuからなってよく、前記第2電極が透明導電性材料からなってよい。
前記金属酸化物が、ITO、IGO、IZO、IGZO、AZO及びGZOからなる群から選ばれる少なくとも1種でよい。
1.撮像素子の概要
2.第1の実施形態(撮像素子)
3.第2の実施形態(積層型撮像素子)
4.第3の実施形態(撮像装置)
5.第4の実施形態(電子装置)
6.本技術を適用した撮像装置の使用例
まず、本技術に係る撮像素子の概要について説明をする。
次世代技術の1つとして、無機半導体材料による光電変換ではなく、有機半導体材料による光電変換を挙げることができる。なお、このような撮像素子を、「有機撮像素子」と称する。また、複数の有機半導体層を積層することで赤色、緑色及び青色に対応する分光感度を有する撮像素子(「積層型撮像素子」と称する。)が開発されつつあり、注目されている。このような積層型撮像素子は、色分解光学系が不要であり、1つの画素から赤色、緑色及び青色に対応した3種類の電気信号(画像信号)が取り出せるので、光利用率が高く、開口が拡がり、モアレのような偽信号が発生し難い。通常のカラーフィルタを備えた撮像素子ではカラーフィルタの透過吸収により、入射光の約40%が失われると云われている。
本技術に係る第1の実施形態の撮像素子は、少なくとも、第1電極と、第1バッファ層と、少なくともp型半導体を含む光電変換層と、第2電極とが、この順で積層され、該第1バッファ層がインドロカルバゾール誘導体を含む、撮像素子である。
第1バッファ層22はインドロカルバゾール誘導体を含む。第1バッファ層22は、インドロカルバゾール誘導体から構成されてもよいし、インドロカルバゾール誘導体と、インドロカルバゾール誘導体以外の少なくとも1種の材料とから構成されていてもよい。第1バッファ層22の膜厚は任意の厚みでよいが、5nm以上50nm以下が好ましく、5nm以上25nm以下がより好ましい。
インドロカルバゾール誘導体は、1分子内に少なくとも2つのインドール環を含むことが好ましく、下記に示される一般式(1)〜(10)で表される化合物であることがより好ましい。
撮像素子1は、少なくともp型半導体を含む光電変換層23を含み、光電変換層23が有機光電変換層である有機撮像素子でもよいし、光電変換層23が無機光電変換層である無機撮像素子でもよい。
有機撮像素子は、同一画素内に青色、緑色、赤色に対応する可視光を吸収する有機光電変換素子を3層、縦に積層し、縦分光方式を取っても良いし、一般的な撮像素子で採用されているベイヤー配列のように3色の画素が平面に配されていてもよい。同一画素内に青色、緑色、赤色に対応する可視光を吸収する有機光電変換素子を3層積層する場合には、青色については425nm〜495nmの光を吸収することができ、緑色については495nm〜570nmの光を吸収することができ、赤色については620nm〜750nmの光を吸収することができる光電変換素子を使用する。3色の光電変換素子の積層順は、光入射方向から青色、緑色、赤色の順番が好ましい。このことは、より短い波長の光が入射表面にて効率良く吸収されることによる。赤色は3色の中では最も長い波長であることから、光入射面から見て最下層が好ましい。緑色については、2色の中では真ん中に配されることが好ましいが、光入射面に対して最上層でも構わない。本縦分光方式の特徴は、ベイヤー配列の素子とは異なり、カラーフィルタを用いて青色、緑色、赤色の分光を行わず、更に青色、緑色、赤色の画素を平面に並べるのではなく、同一画素内で光の入射方向と平行して3色の光電変換素子を積層するため、感度および単位体積当たりの記録密度の向上が可能になる。また、有機材料は吸収係数が高いため、各色の光電変換層の膜厚を従来のSi系光電変換層と比較して薄くでき、隣接画素からの光漏れや、光入射角の制限が緩和される。更に従来のSi系撮像素子は3色の画素間で補間処理を行って色信号を作るため、偽色が生じるが、積層型撮像素子では偽色が抑えられるメリットがある。一方、ベイヤー配列のように3色の画素を平面に配する場合には、カラーフィルタを用いることが一般的であるため、縦分光方式の光電変換層よりは青色、緑色、赤色の分光特性スペックを緩和でき、量産性も縦分光方式よりは向上すると考えられる。
無機撮像素子は、Si系光電変換層を含むことが好ましく、例えば、特開2014−127545に記載されているような裏面照射型の撮像素子が好ましい。
以下に、光電変換層23について、有機光電変換層と無機光電変換層とに項分けして説明をする。
有機光電変換層を、
(1)p型有機半導体から構成する。
(2)p型有機半導体層/n型有機半導体層の積層構造から構成する。p型有機半導体層/p型有機半導体とn型有機半導体との混合層(バルクヘテロ構造)/n型有機半導体層の積層構造から構成する。p型有機半導体層/p型有機半導体とn型有機半導体との混合層(バルクヘテロ構造)の積層構造から構成する。n型有機半導体層/p型有機半導体とn型有機半導体との混合層(バルクヘテロ構造)の積層構造から構成する。
(3)p型有機半導体とn型有機半導体の混合(バルクヘテロ構造)から構成する。
以上(1)〜(3)の3態様のいずれかとすることができる。
なお、p型半導体およびn型半導体は、同じ層に1種含ませてもよいし、2種以上含ませてもよい。例えばバルクヘテロ層を構成する材料は、2種になる場合に加え、3種以上になることも含む。
光電変換層23を構成する無機系材料として、結晶シリコン以外にも、アモルファスシリコン、微結晶シリコン、結晶セレン、アモルファスセレン、及び、カルコパライト系化合物であるCIGS(CuInGaSe)、CIS(CuInSe2)、CuInS2、CuAlS2、CuAlSe2、CuGaS2、CuGaSe2、AgAlS2、AgAlSe2、AgInS2、AgInSe2、あるいは又、III−V族化合物であるGaAs、InP、AlGaAs、InGaP、AlGaInP、InGaAsP、更には、CdSe、CdS、In2Se3、In2S3、Bi2Se3、Bi2S3、ZnSe、ZnS、PbSe、PbS等の化合物半導体を挙げることができる。加えて、これらの材料から成る量子ドットを無機光電変換層に使用することも可能である。
第2電極(陰極)25と光電変換層23との間には、第2バッファ層24を挿入してもよい。第2バッファ層24に用いられる材料としては、第1バッファ層22に用いられる材料の仕事関数よりも大きい(深い)材料が好ましい。例えば、ピリジン、キノリン、アクリジン、インドール、イミダゾール、ベンズイミダゾール、フェナントロリンのようなNを含む複素環を分子骨格の一部にする有機分子および有機金属錯体で、更に可視光領域の吸収が少ない材料が好ましい。また、5nmから20nm程度の薄い膜で陰極側有機キャリアブロッキング層を形成する場合には、400nmから700nmの可視光領域に吸収を有するC60やC70に代表されるフラーレンおよびその誘導体を用いることも可能である。ただし、本技術の係る第1の実施形態の撮像素子1で使用される第2バッファ層24は、これらに限定されるものではない。
第1バッファ層22と、第1電極(陽極)21又は光電変換層23との電気的接合性を向上させるため、あるいは光電変換素子の電気容量を調整するために、第1バッファ層22に隣接して第1中間層(不図示)を含ませてもよい。例えば第1中間層には以下の材料を用いることが好ましく、トリアリールアミン化合物、ベンジジン化合物、スチリルアミン化合物に代表される芳香族アミン系材料、カルバゾール誘導体、ナフタレン誘導体、アントラセン誘導体、フェナントレン誘導体、ピレン誘導体、ペリレン誘導体、テトラセン誘導体、ペンタセン誘導体、ペリレン誘導体、ピセン誘導体、クリセン誘導体、フルオランテン誘導体、フタロシアニン誘導体、サブフタロシアニン誘導体、ヘキサアザトリフェニレン誘導体、複素環化合物を配位子とする金属錯体、ベンゾチエノチオフェン(BTBT)誘導体、ジナフトチエノチオフェン(DNTT)誘導体、ジアントラセノチエノチオフェン(DATT)誘導体、ベンゾビスベンゾチオフェン(BBBT)誘導体、チエノビスベンゾチオフェン(TBBT)誘導体、ジベンゾチエノビスベンゾチオフェン(DBTBT)誘導体、ジチエノベンゾジチオフェン(DTBDT)誘導体、ジベンゾチエノジチオフェン(DBTDT)誘導体、ベンゾジチオフェン(BDT)誘導体、ナフトジチオフェン(NDT)誘導体、アントラセノジチオフェン(ADT)誘導体、テトラセノジチオフェン(TDT)誘導体、ペンタセノジチオフェン(PDT)誘導体に代表されるチエノアセン系材料、ポリ(3,4−エチレンジオキシチオフェン)/ポリスチレンスルホン酸[PEDOT/PSS]、ポリアニリン、酸化モリブデン(MoOx)、酸化ルテニウム(RuOx)、酸化バナジウム(VOx)、酸化タングステン(WOx)等の化合物を例示することができる。特に、電気容量を大幅に低減させる目的で、中間層の膜厚を厚くする場合には、ベンゾチエノチオフェン(BTBT)誘導体に代表されるチエノアセン系誘導体(材料)が好ましい。
第1バッファ層22、光電変換層23、第2バッファ層24及び第1中間層の成膜方法として、乾式成膜法及び湿式成膜法を挙げることができる。乾式成膜法として、抵抗加熱あるいは高周波加熱を用いた真空蒸着法、EB蒸着法、各種スパッタリング法(マグネトロンスパッタリング法、RF−DC結合形バイアススパッタリング法、ECRスパッタリング法、対向ターゲットスパッタリング法、高周波スパッタリング法)、イオンプレーティング法、レーザーアブレーション法、分子線エピタキシー法、レーザー転写法を挙げることができる。また、CVD法として、プラズマCVD法、熱CVD法、MOCVD法、光CVD法を挙げることができる。一方、湿式法として、スピンコート法、インクジェット法、スプレーコート法、スタンプ法、マイクロコンタクトプリント法、フレキソ印刷法、オフセット印刷法、グラビア印刷法、ディップ法等の方法を用いることができる。パターニングについては、シャドーマスク、レーザー転写、フォトリソグラフィー等の化学的エッチング、紫外線やレーザー等による物理的エッチング等を利用することができる。平坦化技術として、レーザー平坦化法、リフロー法等を用いることができる。
第1電極(陽極)21及び第2電極(陰極)25は透明導電材料から成る構成とすることができる。後述する本技術に係る第2の実施形態の積層型撮像素子を構成する場合には、第1電極(陽極)21及び第2電極(陰極)25は透明導電材料から成る構成とすることができる。本技術に係る第1の実施形態の撮像素子等が、例えばベイヤー配列のように平面に配される場合には、第1電極(陽極)21及び第2電極(陰極)25のいずれか一方は透明導電材料から成り、他方は金属材料から成る構成とすることができ、この場合、図2Bに示されるように、光入射側に位置する第1電極21は透明導電材料から成り、第2電極25は、Al(アルミニウム)、Al−Si−Cu(アルミニウム、シリコン及び銅の合金)又はMg−Ag(マグネシウム及び銀の合金)から成る構成とすることができ、あるいは、図2Aに示されるように光入射側に位置する第2電極25は透明導電材料から成り、第1電極21は、Al−Nd(アルミニウム及びネオジウムの合金)又はASC(アルミニウム、サマリウム及び銅の合金)から成る構成とすることができる。なお、透明導電材料から成る電極を「透明電極」と呼ぶ場合がある。ここで、透明電極を構成する透明導電材料として、導電性のある金属酸化物を挙げることができ、具体的には、酸化インジウム、インジウム−錫酸化物(ITO,Indium Tin Oxide,SnドープのIn2O3、結晶性ITO及びアモルファスITOを含む)、酸化亜鉛にドーパントとしてインジウムを添加したインジウム−亜鉛酸化物(IZO,Indium Zinc Oxide)、酸化ガリウムにドーパントとしてインジウムを添加したインジウム−ガリウム酸化物(IGO)、酸化亜鉛にドーパントとしてインジウムとガリウムを添加したインジウム−ガリウム−亜鉛酸化物(IGZO,In−GaZnO4)、IFO(FドープのIn2O3)、酸化錫(SnO2)、ATO(SbドープのSnO2)、FTO(FドープのSnO2)、酸化亜鉛(他元素をドープしたZnOを含む)、酸化亜鉛にドーパントとしてアルミニウムを添加したアルミニウム−亜鉛酸化物(AZO)、酸化亜鉛にドーパントとしてガリウムを添加したガリウム−亜鉛酸化物(GZO)、酸化チタン(TiO2)、酸化アンチモン、スピネル型酸化物、YbFe2O4構造を有する酸化物を例示することができる。あるいは、ガリウム酸化物、チタン酸化物、ニオブ酸化物、ニッケル酸化物等を母層とする透明電極を挙げることができる。透明電極の厚さとして、2×10-8m乃至2×10-7m、好ましくは3×10-8m乃至1×10-7mを挙げることができる。
第1電極(陽極)21や第2電極(陰極)25の成膜方法として、乾式法あるいは湿式法を用いることが可能である。乾式法として、物理的気相成長法(PVD法)及び化学的気相成長法(CVD法)を挙げることができる。PVD法の原理を用いた成膜法として、抵抗加熱あるいは高周波加熱を用いた真空蒸着法、EB(電子ビーム)蒸着法、各種スパッタリング法(マグネトロンスパッタリング法、RF−DC結合形バイアススパッタリング法、ECRスパッタリング法、対向ターゲットスパッタリング法、高周波スパッタリング法)、イオンプレーティング法、レーザーアブレーション法、分子線エピタキシー法、レーザー転写法を挙げることができる。また、CVD法として、プラズマCVD法、熱CVD法、有機金属(MO)CVD法、光CVD法を挙げることができる。一方、湿式法として、電解メッキ法や無電解メッキ法、スピンコート法、インクジェット法、スプレーコート法、スタンプ法、マイクロコンタクトプリント法、フレキソ印刷法、オフセット印刷法、グラビア印刷法、ディップ法等の方法を挙げることができる。パターニングについては、シャドーマスク、レーザー転写、フォトリソグラフィー等の化学的エッチング、紫外線やレーザー等による物理的エッチング等を利用することができる。平坦化技術として、レーザー平坦化法、リフロー法、CMP(Chemical Mechanical Polishing)法等を用いることができる。
撮像素子1を基板20上に形成することができる。ここで、基板20として、ポリメチルメタクリレート(ポリメタクリル酸メチル,PMMA)やポリビニルアルコール(PVA)、ポリビニルフェノール(PVP)、ポリエーテルスルホン(PES)、ポリイミド、ポリカーボネート(PC)、ポリエチレンテレフタレート(PET)、ポリエチレンナフタレート(PEN)に例示される有機ポリマー(高分子材料から構成された可撓性を有するプラスチック・フィルムやプラスチック・シート、プラスチック基板といった高分子材料の形態を有する)を挙げることができる。このような可撓性を有する高分子材料から構成された基板を使用すれば、例えば曲面形状を有する電子機器への撮像素子の組込みあるいは一体化が可能となる。あるいは、基板20として、各種ガラス基板や、表面に絶縁膜が形成された各種ガラス基板、石英基板、表面に絶縁膜が形成された石英基板、シリコン半導体基板、表面に絶縁膜が形成されたステンレス鋼等の各種合金や各種金属から成る金属基板を挙げることができる。なお、絶縁膜として、酸化ケイ素系材料(例えば、SiOXやスピンオンガラス(SOG));窒化ケイ素(SiNY);酸窒化ケイ素(SiON);酸化アルミニウム(Al2O3);金属酸化物や金属塩を挙げることができる。また、有機物の絶縁膜を形成することも可能である。例えば、リソグラフィー可能なポリフェノール系材料、ポリビニルフェノール系材料、ポリイミド系材料、ポリアミド系材料、ポリアミドイミド系材料、フッ素系ポリマー材料、ボラジン-珪素ポリマー材料、トルクセン系材料等が挙げられる。更に、表面にこれらの絶縁膜が形成された導電性基板(金やアルミニウム等の金属から成る基板、高配向性グラファイトから成る基板)を用いることもできる。基板20の表面は、平滑であることが望ましいが、有機光電変換層の特性に悪影響を及ぼさない程度のラフネスがあっても構わない。基板の表面にシランカップリング法によるシラノール誘導体を形成したり、SAM法等によりチオール誘導体、カルボン酸誘導体、リン酸誘導体等から成る薄膜を形成したり、CVD法等により絶縁性の金属塩や金属錯体から成る薄膜を形成することで、第1電極(陽極)21と基板20との間の密着性又は第2電極(陰極)25と基板20との間の密着性を向上させてもよい。
本技術に係る第2の実施形態の積層型撮像素子は、本技術に係る第1の実施形態の撮像素子の少なくとも2つが積層されてなる、撮像素子である。積層される撮像素子は、有機撮像素子と無機撮像との組み合わせでもよいし、有機撮像素子同士でもよいし、無機機撮像素子同士でもよい。
上述したように、本技術に係る第2の実施形態の積層型撮像素子は、1層または2層の有機光電変換素子と無機光電変換素子を組み合わせた素子とすることができる。縦分光方式とする場合には、光電変換素子の積層順としては、無機光電変換素子を光入射方向から見て最下層に配することが好ましい。有機光電変換素子は光入射方向に対して上層に配するのが理想的であるため、1層(単層素子)の場合は、青色か緑色の光電変換素子が好ましく、2層(2色の素子の積層)の場合は、青色が1層目で、緑色が2層目であることが好ましく、その逆でも構わない。各色の可視光吸収波長については、有機撮像素子で述べた波長領域と同様で、青色については425nm〜495nmの光を吸収することができ、緑色については495nm〜570nmの光を吸収することができ、赤色については620nm〜750nmの光を吸収することができる。
本技術に係る第3の実施形態の撮像装置は、本技術に係る第1の実施形態の撮像素子を複数で備える装置であるか、又は本技術に係る第2の実施形態の積層型撮像素子を複数で備える装置である。
本技術に係る第4の実施形態の電子装置は、本技術に係る第3の実施形態の撮像装置を備える、装置である。
図5は、上述した撮像装置を使用する使用例を示す図である。上述した撮像装置は、例えば、以下のように、可視光や、赤外光、紫外光、X線等の光をセンシングする様々なケースに使用することができる。
・自動停止等の安全運転や、運転者の状態の認識等のために、自動車の前方や後方、周囲、車内等を撮影する車載用センサ、走行車両や道路を監視する監視カメラ、車両間等の測距を行う測距センサ等の、交通の用に供される装置。
・ユーザのジェスチャを撮影して、そのジェスチャに従った機器操作を行うために、TVや、冷蔵庫、エアーコンディショナ等の家電に供される装置。
・内視鏡や、赤外光の受光による血管撮影を行う装置等の、医療やヘルスケアの用に供される装置。
・防犯用途の監視カメラや、人物認証用途のカメラ等の、セキュリティの用に供される装置。
・肌を撮影する肌測定器や、頭皮を撮影するマイクロスコープ等の、美容の用に供される装置。
・スポーツ用途等向けのアクションカメラやワェアラブルカメラ等の、スポーツの用に供される装置
・畑や作物の状態を監視するためのカメラ等の、農業の用に供される装置。
[1]
少なくとも、第1電極と、第1バッファ層と、少なくともp型半導体を含む光電変換層と、第2電極とが、この順で積層され、
該第1バッファ層がインドロカルバゾール誘導体を含む、撮像素子。
[2]
前記インドロカルバゾール誘導体が、1分子内に少なくとも2つのインドール環を含む、[1]に記載の撮像素子。
[3]
前記第1バッファ層が有するHOMOレベルと、前記p型半導体が有するHOMOレベル又は仕事関数との差が、±0.2eVの範囲にある、[1]又は[2]に記載の撮像素子。
[4]
前記p型半導体のHOMOレベル又は仕事関数が−5.6eV〜−5.7eVである、[1]から[3]のいずれか1つに記載の撮像素子。
[5]
前記p型半導体が、下記一般式(11)で表される化合物を含む、[1]から[4]のいすれか1つに記載の撮像素子。
[6]
前記第1バッファ層の吸収スペクトルが、425nm以下の波長に吸収極大を有する、[1]から[5]のいずれか1つに記載の撮像素子。
[7]
前記第1電極及び前記第2電極が透明導電性材料からなる、[1]から[6]のいずれか1つに記載の撮像素子。
[8]
前記透明導電性材料が金属酸化物である、[7]に記載の撮像素子。
[9]
前記金属酸化物が、ITO、IGO、IZO、IGZO、AZO及びGZOからなる群から選ばれる少なくとも1種である、[8]に記載の撮像素子。
[10]
前記第1電極及び前記第2電極のいずれか一方が透明導電性材料からなり、他方が金属材料からなる、[1]から[6]のいずれか1つに記載の撮像素子。
[11]
前記第1電極が透明導電性材料からなり、前記第2電極が、Al、Al−Si−Cu又はMg−Agからなる、[1]から[6]のいずれか1つに記載の撮像素子。
[12]
前記第1電極が、Al−Nd又はAl−Sm−Cuからなり、前記第2電極が透明導電性材料からなる、[1]から[6]のいずれか1つに記載の撮像素子。
[13]
前記透明導電性材料が金属酸化物である、[10]〜[12]のいずれか1つに記載の撮像素子。
[14]
前記金属酸化物が、ITO、IGO、IZO、IGZO、AZO及びGZOからなる群から選ばれる少なくとも1種である、[13]に記載の撮像素子。
[15]
[1]〜[9]のいずれか1つに記載の撮像素子の少なくとも2つが積層されてなる、積層型撮像素子。
[16]
[1]〜[14]のいずれか1つに記載の撮像素子を複数で備える、撮像装置。
[17]
[15]に記載の積層型撮像素子を複数で備える、撮像装置。
[18]
[16]又は[17]に記載の撮像装置を備える、電子装置。
図3に示した模式的な一部断面図で表される評価用の撮像素子を以下の方法で作製した。なお、評価用の撮像素子を緑色用撮像素子とした。
石英基板上にITO膜をスパッタ装置にて120nm成膜し、ITOから成る第1電極を、フォトマスクを用いたリソグラフィー技術に基づき形成した。次いで、石英基板および第1電極上に絶縁層を形成し、リソグラフィー技術にて1mm角のITOの第1電極が露出するように画素を形成し、中性洗剤、アセトン、エタノールを用いて順次、超音波洗浄した。このITO基板を乾燥後、さらにUV/オゾン処理を10分間行った。次いで、このITO基板を蒸着装置の基板ホルダーに固定した後、蒸着槽を5.5x10−5 Paに減圧した。
ここで得られた有機撮像素子を60℃に温度制御したプローバーステージに置き、第2電極と第1電極との間に―1Vの電圧を印加しながら、波長560nm、2μW /cm2の条件で光照射を行って、明電流を測定した。その後、光照射を切り、暗電流を測定した。明電流と暗電流から外部量子効率(EQE=|((明電流−暗電流)x100/(2x10^−6))x(1240/560)x100|)、およびSN比(SN比=Log((明電流−暗電流)/暗電流))を求めた結果を表1に示す。また残像評価については、第2電極と第1電極との間に−1ボルト(所謂逆バイアス電圧1ボルト)を印加しながら、波長560nm、2μW/cm2の光を照射し、次いで、光の照射を中止したとき、光照射中止直前に第2電極と第1電極との間を流れる電流量をI0とし、光照射中止から電流量が(0.03xI0)となるまでの時間をT0としたとき、T0を残像時間とし、表1に記した。ただし、暗電流、外部量子効率、残像Toについては、化合物Aの値を1とした時の相対値で示した。
(有機撮像素子の作製)
実施例1に示した方法と同様にITO基板を作製した。このITO基板を乾燥後、さらにUV/オゾン処理を10分間行った。次いで、このITO基板を蒸着装置の基板ホルダーに固定した後、蒸着槽を5.5x10−5 Paに減圧した。その後、化合物A、化合物C,化合物Eの材料を用い、シャドーマスクを用いた真空蒸着成膜にて、膜厚10nmの第1バッファ層を成膜した。次いで、2Ph−BTBT、フッ素化サブフタロシアニンクロライド(F6−SubPc−Cl)、C60を蒸着速度比4:4:2で200nm共蒸着し、p型有機半導体とn型有機半導体との混合層(バルクヘテロ構造)による光電変換層を成膜した。引き続き、B4PyMPM(図12)を10nm蒸着し、第2バッファ層を形成した。その後、不活性雰囲気中で搬送できる容器に入れ、スパッタ装置へ運び、B4PyMPM上層にITOを50nm成膜し、第2電極を形成した。その後、窒素雰囲気中で、実際の撮像素子、装置を形成する場合のプロセス、特にカラーフィルタの設置、保護膜の設置、素子のハンダ付け等の加熱工程を想定した150℃3.5hアニールを行い、有機撮像素子を作製した。
ここで得られた有機撮像素子を95℃の温度に制御したプローバーステージに置き、第2電極と第1電極に−2.6Vの電圧を印加しながら、通常光の2000倍に当たる白色光の光照射を行って、有機撮像素子の暗電流を測定した。測定開始時の暗電流値をJdk0とし、12時間経過後の暗電流値をJdkEとし、本試験中の暗電流変化をΔJdk=|(JdkE−Jdk0)/Jdk0x100|と定義し、評価を行った。その結果を表2に示す。化合物A、化合物C,及び化合物Eの3材料の評価を行ったが、化合物Aと比較して、化合物Cと化合物Eとの暗電流変化が抑えられていた。これは化合物Aのカルバゾール骨格と比較して、化合物Cと化合物Eとはインドロカルバゾール骨格を母骨格としており、分子全体に占める母骨格の大きさが大きく、母骨格自体の熱、光、及び電圧による分子回転がなく、母骨格の分子構造変化がないため、熱、光、及び電圧の3つの負荷が加えられた場合でも第1バッファ層の薄膜形状を維持でき、熱、光、及び電圧の3つの負荷が加えられた場合でも暗電流の変化を抑制することができると考えられる。従来の技術では、バッファ層にガラス転移温度が140℃以上の材料を用いることで、撮像素子を形成する場合のプロセス、特にカラーフィルタの設置、保護膜の設置、素子のハンダ付け等の加熱工程への耐性や保存性の向上が可能になることが見出されているが、表1に示された化合物A及び化合物Cのガラス転移温度を比較すると、寧ろ化合物Aの方が高く、ガラス転移温度が熱、光、及び電圧の3つの負荷耐性への主要因子ではないことが分かった。
(インドロカルバゾール誘導体を含む第1バッファ層の吸収率の評価方法)
インドロカルバゾール誘導体を薄膜化した場合の可視光領域における光吸収を測定するために分光測定を行った。具体的には、石英基板上に、厚さ50nmのインドロカルバゾール誘導体(化合物C、D、E)の化合物から成る薄膜を真空蒸着法に基づき成膜し、光透過率測定及び光反射率測定を行って、算出した膜厚10nmの場合の光吸収スペクトル(光吸収率)を求めた。
本発明の好適な膜厚10nmにおける薄膜の吸収率測定結果を表3および図4に示す。図4には350nmから750nmの波長領域における薄膜の吸収率変化を示した。本発明のインドロカルバゾール材料は、450nmより長波長の可視光領域でほとんど吸収は確認されない。また、450nmから400nmの波長領域は青色の光に対応する領域であるが、表3に示すように本発明のインドロカルバゾール誘導体である化合物C、D、Eは、450nm、425nm、400nmにおける光吸収率が、最も高いものでも1%以下に抑えられている。つまり、本発明のインドロカルバゾール誘導体の薄膜は可視光領域における吸収がほとんど無く、優れた光吸収特性を有し、撮像素子における光入射方向から見て、第1バッファ層の下層に配される撮像素子および光電変換層に対して、光電変換機能を妨げることが無いことが分かった。実施例1で用いた第1バッファ層材料の物性値と電気特性とを下記の表1に示す。また、実施例2の信頼性試験結果を下記の表2に示す。
Claims (19)
- 少なくとも、第1電極と、第1バッファ層と、少なくともp型半導体を含む光電変換層と、第2電極とが、この順で積層され、
該第1バッファ層がインドロカルバゾール誘導体を含む、撮像素子。 - 前記インドロカルバゾール誘導体が、1分子内に少なくとも2つのインドール環を含む、請求項1に記載の撮像素子。
- 前記第1バッファ層が有するHOMOレベルと、前記p型半導体が有するHOMOレベル又は仕事関数との差が、±0.2eVの範囲にある、請求項1に記載の撮像素子。
- 前記p型半導体のHOMOレベル又は仕事関数が−5.6eV〜−5.7eVである、請求項1に記載の撮像素子。
- 前記p型半導体が、下記一般式(11)で表される化合物を含む、請求項1に記載の撮像素子。
- 前記第1バッファ層の吸収スペクトルが、425nm以下の波長に吸収極大を有する、請求項1に記載の撮像素子。
- 前記第1電極及び前記第2電極が透明導電性材料からなる、請求項1に記載の撮像素子。
- 前記透明導電性材料が金属酸化物である、請求項7に記載の撮像素子。
- 前記金属酸化物が、ITO、IGO、IZO、IGZO、AZO及びGZOからなる群から選ばれる少なくとも1種である、請求項8に記載の撮像素子。
- 前記第1電極及び前記第2電極のいずれか一方が透明導電性材料からなり、他方が金属材料からなる、請求項1に記載の撮像素子。
- 前記透明導電性材料が金属酸化物である、請求項10に記載の撮像素子。
- 前記金属酸化物が、ITO、IGO、IZO、IGZO、AZO及びGZOからなる群から選ばれる少なくとも1種である、請求項11に記載の撮像素子。
- 前記第1電極が透明導電性材料からなり、前記第2電極が、Al、Al−Si−Cu又はMg−Agからなる、請求項1に記載の撮像素子。
- 前記第1電極が、Al−Nd又はAl−Sm−Cuからなり、前記第2電極が、透明導電性材料からなる、請求項1に記載の撮像素子。
- 請求項1に記載の撮像素子の少なくとも2つが積層されてなる、積層型撮像素子。
- 請求項1に記載の撮像素子を複数で備える、撮像装置。
- 請求項15に記載の積層型撮像素子を複数で備える、撮像装置。
- 請求項16に記載の撮像装置を備える、電子装置。
- 請求項17に記載の撮像装置を備える、電子装置。
Priority Applications (11)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2016227291A JP6834400B2 (ja) | 2016-11-22 | 2016-11-22 | 撮像素子、積層型撮像素子、撮像装置及び電子装置 |
PCT/JP2017/041394 WO2018097046A1 (en) | 2016-11-22 | 2017-11-17 | Imaging element, stacked-type imaging element, imaging apparatus and electronic apparatus |
KR1020197013457A KR102645210B1 (ko) | 2016-11-22 | 2017-11-17 | 촬상 소자, 적층형 촬상 소자, 촬상 장치 및 전자 장치 |
CN202311059948.XA CN117202752A (zh) | 2016-11-22 | 2017-11-17 | 成像元件、堆叠式成像元件、成像装置和电子装置 |
KR1020247007201A KR20240033185A (ko) | 2016-11-22 | 2017-11-17 | 촬상 소자, 적층형 촬상 소자, 촬상 장치 및 전자 장치 |
US16/349,759 US10886335B2 (en) | 2016-11-22 | 2017-11-17 | Imaging element, stacked-type imaging element, imaging apparatus and electronic apparatus |
CN202311061806.7A CN117202753A (zh) | 2016-11-22 | 2017-11-17 | 成像元件、堆叠式成像元件、成像装置和电子装置 |
CN201780070351.1A CN109952652B (zh) | 2016-11-22 | 2017-11-17 | 成像元件、堆叠式成像元件、成像装置和电子装置 |
CN202311062325.8A CN117202754A (zh) | 2016-11-22 | 2017-11-17 | 成像元件、堆叠式成像元件、成像装置和电子装置 |
US17/096,515 US20210134887A1 (en) | 2016-11-22 | 2020-11-12 | Imaging element, stacked-type imaging element, imaging apparatus and electronic apparatus |
US18/347,186 US20230354627A1 (en) | 2016-11-22 | 2023-07-05 | Imaging element, stacked-type imaging element, imaging apparatus and electronic apparatus |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2016227291A JP6834400B2 (ja) | 2016-11-22 | 2016-11-22 | 撮像素子、積層型撮像素子、撮像装置及び電子装置 |
Related Child Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2021015889A Division JP7264182B2 (ja) | 2021-02-03 | 2021-02-03 | 撮像素子、積層型撮像素子、撮像装置及び電子装置 |
Publications (3)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2018085427A true JP2018085427A (ja) | 2018-05-31 |
JP2018085427A5 JP2018085427A5 (ja) | 2018-07-12 |
JP6834400B2 JP6834400B2 (ja) | 2021-02-24 |
Family
ID=60574677
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2016227291A Active JP6834400B2 (ja) | 2016-11-22 | 2016-11-22 | 撮像素子、積層型撮像素子、撮像装置及び電子装置 |
Country Status (5)
Country | Link |
---|---|
US (3) | US10886335B2 (ja) |
JP (1) | JP6834400B2 (ja) |
KR (2) | KR102645210B1 (ja) |
CN (4) | CN109952652B (ja) |
WO (1) | WO2018097046A1 (ja) |
Cited By (16)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2020012842A1 (ja) * | 2018-07-09 | 2020-01-16 | ソニー株式会社 | 光電変換素子 |
CN111933805A (zh) * | 2020-09-04 | 2020-11-13 | 天津理工大学 | 一种亚酞菁衍生物的异质结型绿光探测器的制备方法 |
CN112673483A (zh) * | 2019-04-10 | 2021-04-16 | 松下知识产权经营株式会社 | 摄像装置 |
WO2021153294A1 (ja) * | 2020-01-29 | 2021-08-05 | ソニーグループ株式会社 | 撮像素子および撮像装置 |
KR20220091401A (ko) | 2020-12-23 | 2022-06-30 | 호도가야 가가쿠 고교 가부시키가이샤 | 인돌로카르바졸 고리를 갖는 화합물, 수광 소자용 재료, 유기 박막, 수광 소자, 및 촬상 소자 |
KR20220102113A (ko) | 2021-01-12 | 2022-07-19 | 호도가야 가가쿠 고교 가부시키가이샤 | 광전 변환 소자에 사용하는 유기 박막, 및 그 광전 변환 소자 |
KR20220109343A (ko) | 2021-01-28 | 2022-08-04 | 호도가야 가가쿠 고교 가부시키가이샤 | 광전 변환 소자 및 촬상 소자 |
KR20220115517A (ko) | 2021-02-10 | 2022-08-17 | 호도가야 가가쿠 고교 가부시키가이샤 | 디카르바졸을 갖는 광전 변환 소자용 재료, 유기 박막, 광전 변환 소자 및 촬상 소자 |
KR20230046241A (ko) | 2021-09-29 | 2023-04-05 | 호도가야 가가쿠 고교 가부시키가이샤 | 광전 변환 소자에 사용하는 유기 박막 |
WO2023074230A1 (ja) * | 2021-10-26 | 2023-05-04 | パナソニックIpマネジメント株式会社 | 撮像装置 |
KR20230113324A (ko) | 2020-11-27 | 2023-07-28 | 닛테츠 케미컬 앤드 머티리얼 가부시키가이샤 | 촬상용 광전 변환 소자용 재료 |
KR20230113567A (ko) | 2020-11-27 | 2023-07-31 | 닛테츠 케미컬 앤드 머티리얼 가부시키가이샤 | 촬상용 광전 변환 소자 재료 및 광전 변환 소자 |
WO2023228922A1 (ja) * | 2022-05-25 | 2023-11-30 | 日鉄ケミカル&マテリアル株式会社 | 撮像用の光電変換素子用材料及び光電変換素子 |
CN117596908A (zh) * | 2024-01-19 | 2024-02-23 | 武汉楚兴技术有限公司 | 一种像素单元、图像传感器及其制造方法 |
KR20240035755A (ko) | 2021-07-15 | 2024-03-18 | 닛테츠 케미컬 앤드 머티리얼 가부시키가이샤 | 촬상용의 광전 변환 소자용 재료 및 촬상용 광전 변환 소자 |
KR20240035756A (ko) | 2021-07-15 | 2024-03-18 | 닛테츠 케미컬 앤드 머티리얼 가부시키가이샤 | 촬상용 광전 변환 소자용 재료 |
Families Citing this family (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP7007088B2 (ja) * | 2016-12-07 | 2022-01-24 | ソニーセミコンダクタソリューションズ株式会社 | 受光素子、撮像素子および電子機器 |
KR20220002858A (ko) | 2019-04-22 | 2022-01-07 | 호도가야 가가쿠 고교 가부시키가이샤 | 인데노카르바졸 고리를 갖는 화합물로 이루어지는 유기 박막을 구비하는 광전 변환 소자 |
JP2021044310A (ja) * | 2019-09-09 | 2021-03-18 | キヤノン株式会社 | 半導体装置 |
KR20210054902A (ko) * | 2019-11-06 | 2021-05-14 | 삼성전자주식회사 | 광전 변환 소자, 센서 및 전자 장치 |
WO2022071444A1 (ja) | 2020-10-01 | 2022-04-07 | 保土谷化学工業株式会社 | 光電変換素子に用いる有機薄膜、及びその光電変換素子 |
Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH11167215A (ja) * | 1997-10-02 | 1999-06-22 | Xerox Corp | インドロカルバゾールを含む光伝導性の画像形成部材 |
WO2011125020A1 (en) * | 2010-04-06 | 2011-10-13 | Basf Se | Substituted carbazole derivatives and use thereof in organic electronics |
WO2016027675A1 (ja) * | 2014-08-20 | 2016-02-25 | 東レ株式会社 | 光電変換素子ならびにそれを用いたイメージセンサ、太陽電池、単色検知センサおよびフレキシブルセンサ |
JP2016033978A (ja) * | 2014-07-31 | 2016-03-10 | キヤノン株式会社 | 光電変換装置、及び撮像システム |
Family Cites Families (15)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP4896318B2 (ja) * | 2001-09-10 | 2012-03-14 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 発光装置の作製方法 |
JP2004055461A (ja) * | 2002-07-23 | 2004-02-19 | Seiko Epson Corp | 発光装置及びその製造方法、並びに電子機器 |
JP4677314B2 (ja) | 2005-09-20 | 2011-04-27 | 富士フイルム株式会社 | センサーおよび有機光電変換素子の駆動方法 |
WO2010041687A1 (ja) * | 2008-10-09 | 2010-04-15 | コニカミノルタホールディングス株式会社 | 有機光電変換素子、太陽電池及び光センサアレイ |
EP2334008A1 (en) | 2009-12-10 | 2011-06-15 | Tata Consultancy Services Limited | A system and method for designing secure client-server communication protocols based on certificateless public key infrastructure |
JP4852663B2 (ja) | 2010-02-09 | 2012-01-11 | 富士フイルム株式会社 | 光電変換素子及び撮像素子並びにそれらの駆動方法 |
KR101975611B1 (ko) * | 2011-02-22 | 2019-05-07 | 호도가야 가가쿠 고교 가부시키가이샤 | 인돌로카르바졸 고리 구조를 갖는 화합물 및 유기 일렉트로루미네선스 소자 |
EP2726865B1 (en) | 2011-07-01 | 2016-12-14 | Cambridge Enterprise Ltd. | Methods for predicting mammalian embryo viability |
US9437833B2 (en) * | 2011-08-30 | 2016-09-06 | Konica Minolta, Inc. | Organic electroluminescence element |
TWI535726B (zh) * | 2012-09-10 | 2016-06-01 | 迪愛生股份有限公司 | 苯并噻吩苯并噻吩衍生物、有機半導體材料及有機電晶體 |
CN104641484B (zh) * | 2012-09-21 | 2017-09-08 | 株式会社半导体能源研究所 | 发光元件、发光装置、电子设备及照明装置 |
JP2014127545A (ja) | 2012-12-26 | 2014-07-07 | Sony Corp | 固体撮像素子およびこれを備えた固体撮像装置 |
JP2015020953A (ja) * | 2013-07-17 | 2015-02-02 | 三星ディスプレイ株式會社Samsung Display Co.,Ltd. | ビピリジン部位を有するインドロカルバゾール誘導体及びそれを用いた有機電界発光素子 |
JP6010567B2 (ja) * | 2013-08-02 | 2016-10-19 | 富士フイルム株式会社 | 光電変換材料、光電変換素子、光センサおよび撮像素子 |
US9842884B2 (en) * | 2014-02-05 | 2017-12-12 | Toray Industries, Inc. | Photoelectric conversion element and image sensor |
-
2016
- 2016-11-22 JP JP2016227291A patent/JP6834400B2/ja active Active
-
2017
- 2017-11-17 CN CN201780070351.1A patent/CN109952652B/zh active Active
- 2017-11-17 CN CN202311059948.XA patent/CN117202752A/zh active Pending
- 2017-11-17 US US16/349,759 patent/US10886335B2/en active Active
- 2017-11-17 WO PCT/JP2017/041394 patent/WO2018097046A1/en active Application Filing
- 2017-11-17 KR KR1020197013457A patent/KR102645210B1/ko active IP Right Grant
- 2017-11-17 KR KR1020247007201A patent/KR20240033185A/ko active Application Filing
- 2017-11-17 CN CN202311061806.7A patent/CN117202753A/zh active Pending
- 2017-11-17 CN CN202311062325.8A patent/CN117202754A/zh active Pending
-
2020
- 2020-11-12 US US17/096,515 patent/US20210134887A1/en not_active Abandoned
-
2023
- 2023-07-05 US US18/347,186 patent/US20230354627A1/en active Pending
Patent Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH11167215A (ja) * | 1997-10-02 | 1999-06-22 | Xerox Corp | インドロカルバゾールを含む光伝導性の画像形成部材 |
WO2011125020A1 (en) * | 2010-04-06 | 2011-10-13 | Basf Se | Substituted carbazole derivatives and use thereof in organic electronics |
JP2016033978A (ja) * | 2014-07-31 | 2016-03-10 | キヤノン株式会社 | 光電変換装置、及び撮像システム |
WO2016027675A1 (ja) * | 2014-08-20 | 2016-02-25 | 東レ株式会社 | 光電変換素子ならびにそれを用いたイメージセンサ、太陽電池、単色検知センサおよびフレキシブルセンサ |
Non-Patent Citations (1)
Title |
---|
JI HOON PARK, ET AL: "Photo-Stable Organic Thin-Film Transistor Utilizing a New Indolocarbazole Derivative for Image Pixel", ADVANCED FUNCTIONAL MATERIALS 24(2014), JPN6020041249, 2014, DE, pages 1109 - 1116, XP001588668, ISSN: 0004378857, DOI: 10.1002/adfm.201301783 * |
Cited By (19)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2020012842A1 (ja) * | 2018-07-09 | 2020-01-16 | ソニー株式会社 | 光電変換素子 |
TWI810326B (zh) * | 2018-07-09 | 2023-08-01 | 日商索尼股份有限公司 | 光電轉換元件 |
CN112673483A (zh) * | 2019-04-10 | 2021-04-16 | 松下知识产权经营株式会社 | 摄像装置 |
CN112673483B (zh) * | 2019-04-10 | 2024-03-22 | 松下知识产权经营株式会社 | 摄像装置 |
WO2021153294A1 (ja) * | 2020-01-29 | 2021-08-05 | ソニーグループ株式会社 | 撮像素子および撮像装置 |
CN111933805A (zh) * | 2020-09-04 | 2020-11-13 | 天津理工大学 | 一种亚酞菁衍生物的异质结型绿光探测器的制备方法 |
KR20230113324A (ko) | 2020-11-27 | 2023-07-28 | 닛테츠 케미컬 앤드 머티리얼 가부시키가이샤 | 촬상용 광전 변환 소자용 재료 |
KR20230113567A (ko) | 2020-11-27 | 2023-07-31 | 닛테츠 케미컬 앤드 머티리얼 가부시키가이샤 | 촬상용 광전 변환 소자 재료 및 광전 변환 소자 |
KR20220091401A (ko) | 2020-12-23 | 2022-06-30 | 호도가야 가가쿠 고교 가부시키가이샤 | 인돌로카르바졸 고리를 갖는 화합물, 수광 소자용 재료, 유기 박막, 수광 소자, 및 촬상 소자 |
KR20220102113A (ko) | 2021-01-12 | 2022-07-19 | 호도가야 가가쿠 고교 가부시키가이샤 | 광전 변환 소자에 사용하는 유기 박막, 및 그 광전 변환 소자 |
KR20220109343A (ko) | 2021-01-28 | 2022-08-04 | 호도가야 가가쿠 고교 가부시키가이샤 | 광전 변환 소자 및 촬상 소자 |
KR20220115517A (ko) | 2021-02-10 | 2022-08-17 | 호도가야 가가쿠 고교 가부시키가이샤 | 디카르바졸을 갖는 광전 변환 소자용 재료, 유기 박막, 광전 변환 소자 및 촬상 소자 |
KR20240035755A (ko) | 2021-07-15 | 2024-03-18 | 닛테츠 케미컬 앤드 머티리얼 가부시키가이샤 | 촬상용의 광전 변환 소자용 재료 및 촬상용 광전 변환 소자 |
KR20240035756A (ko) | 2021-07-15 | 2024-03-18 | 닛테츠 케미컬 앤드 머티리얼 가부시키가이샤 | 촬상용 광전 변환 소자용 재료 |
KR20230046241A (ko) | 2021-09-29 | 2023-04-05 | 호도가야 가가쿠 고교 가부시키가이샤 | 광전 변환 소자에 사용하는 유기 박막 |
WO2023074230A1 (ja) * | 2021-10-26 | 2023-05-04 | パナソニックIpマネジメント株式会社 | 撮像装置 |
WO2023228922A1 (ja) * | 2022-05-25 | 2023-11-30 | 日鉄ケミカル&マテリアル株式会社 | 撮像用の光電変換素子用材料及び光電変換素子 |
CN117596908A (zh) * | 2024-01-19 | 2024-02-23 | 武汉楚兴技术有限公司 | 一种像素单元、图像传感器及其制造方法 |
CN117596908B (zh) * | 2024-01-19 | 2024-04-05 | 武汉楚兴技术有限公司 | 一种像素单元、图像传感器及其制造方法 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US20190288040A1 (en) | 2019-09-19 |
JP6834400B2 (ja) | 2021-02-24 |
CN117202752A (zh) | 2023-12-08 |
CN117202753A (zh) | 2023-12-08 |
US10886335B2 (en) | 2021-01-05 |
US20230354627A1 (en) | 2023-11-02 |
WO2018097046A1 (en) | 2018-05-31 |
US20210134887A1 (en) | 2021-05-06 |
CN117202754A (zh) | 2023-12-08 |
KR20240033185A (ko) | 2024-03-12 |
CN109952652B (zh) | 2023-09-19 |
KR102645210B1 (ko) | 2024-03-08 |
CN109952652A (zh) | 2019-06-28 |
KR20190085922A (ko) | 2019-07-19 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
KR102645210B1 (ko) | 촬상 소자, 적층형 촬상 소자, 촬상 장치 및 전자 장치 | |
JP6965967B2 (ja) | 撮像素子、積層型撮像素子及び撮像装置 | |
JP7033548B2 (ja) | 撮像素子、積層型撮像素子及び撮像装置 | |
JP6769435B2 (ja) | 光電変換素子、撮像素子、積層型撮像素子及び撮像装置 | |
WO2018110050A1 (ja) | 光電変換素子、撮像素子、積層型撮像素子及び固体撮像装置 | |
JP2023106369A (ja) | 撮像素子、積層型撮像素子、撮像装置及び電子装置 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20180420 |
|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20191015 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20201104 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20201218 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20210105 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20210118 |
|
R151 | Written notification of patent or utility model registration |
Ref document number: 6834400 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R151 |