JP4852663B2 - 光電変換素子及び撮像素子並びにそれらの駆動方法 - Google Patents
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Description
近年、多画素化が進む中で画素サイズが小さくなっており、フォトダイオード部の面積が小さくなり、開口率の低下、集光効率の低下及びその結果である感度低下が課題となっている。開口率等を向上させる手法として、有機材料を用いた有機光電変換膜を有する固体撮像素子が検討されている。
光電変換効率向上や応答速度向上のために外部から電圧を印加すると、外部電界により電極からの正孔注入若しくは電子注入が生じ、これによって暗電流が増加することが問題となる。
注入電流による暗電流増加の防止に関しては、光電変換層に電荷が注入されるのを抑制する電荷ブロッキング層を設けることにより、効率良く注入キャリアを防止し、暗電流を低減する技術が開示されている(特許文献2)。
しかしながら、上記特許文献1及び2においては、実用上重要な因子となる耐熱性については言及されておらず、高い耐熱性を持つ化合物構造の特徴については、具体的に記載されていない。
特許文献3ではOELD(有機エレクトロルミネッセンス)素子においてガラス転移温度(以下、Tgとして記載する場合がある)が90℃以上のトリアリールアミンが記載されている。また、特許文献4では電子写真感光体においてTgが70℃前後となる材料が開示されている。
しかし、上記特許文献3及び4においては、いずれも光電変換素子に関する具体的な記述はない。
また、特許文献5には基板のTgが80℃以上のものが開示されているが、光電変換素子中、特に光電変換材料、ブロッキング材料のように電極間で用いる材料の特性に関しては具体的に記載されていないし、本発明のように180℃以上の非常に高い温度領域における素子の耐熱性を改善する方法も記載されていない。
例えば、フルカラー撮像素子を作製するには、カラーフィルター層を設置する必要がある。撮像素子に用いるカラーフィルターを作製できる工程温度は各種仕様によって異なるが180℃から220℃の範囲であり、最低でも180℃の温度に数十分耐える必要がある。更に、撮像素子をハンダリフローによって回路基板にハンダ付けできることがコスト面で望ましいが、この時にも耐熱性が要求され、上記温度条件に素子が堪える必要がある。
本発明者らは、光電変換素子の耐熱性について検討した結果、光電変換素子を構成する各層の材料の特性として、Tgを特定の範囲とすることで光電変換素子が高い耐熱性を示すことを見出した。
(1)
導電性薄膜、有機光電変換膜、電子ブロッキング層及び透明導電性薄膜を含んでなる光電変換素子であって、
該有機光電変換膜が、ガラス転移点(Tg)が140℃以上のp型有機光電変換材料であってアモルファス膜を形成するp型有機光電変換材料を含有し、
該電子ブロッキング層が、Tgが200℃以上であるブロッキング材料を含有し、
該p型有機光電変換材料が下記一般式(II)で表される化合物であり、
該ブロッキング材料が下記一般式(V)で表される化合物あり、
該光電変換素子を180℃で30分保持してから室温に戻した後に測定した外部量子効率の、加熱前に測定した外部量子効率に対する相対値が、0.99以上となり、かつ、該光電変換素子を180℃で30分保持してから室温に戻した後に測定した暗電流の、加熱前に測定した暗電流に対する相対値が、0.95以下となる
ことを特徴とする光電変換素子。
一般式(II)中、Z2は少なくとも2つの炭素原子を含む環であって、1,3−ジカルボニル核、2,4,6−トリケトヘキサヒドロピリミジン核、バルビツール酸核、2−チオバルビツール酸核、3,5−ピラゾリジンジオン核、ベンゾチオフェン−3−オン核、インダノン核、又はそれらの誘導体を表す。L21、L22、L23はそれぞれ独立に無置換メチン基、又は置換メチン基を表す。D21は置換又は無置換のアリーレン基を表す。D22及びD23はそれぞれ独立に縮環構造を含むアリール基を表す。nは0以上の整数を表す。
一般式(V)
一般式(V)中、R51、R52及びR53は、それぞれ独立に、アリール基又はヘテロアリール基を含む、三つ以上の環からなる縮合環であり、R51、R52及びR53の少なくとも一つに窒素原子を含む。
(2)
前記ブロッキング材料のイオン化ポテンシャル(IP)が4.7〜5.8eVであることを特徴とする(1)に記載の光電変換素子。
(3)
前記ブロッキング材料が400nm以下に吸収極大を有していることを特徴とする(1)又は(2)に記載の光電変換素子。
(4)
前記p型有機光電変換材料がp型有機半導体であり、前記有機光電変換膜がp型有機半導体とn型有機半導体との混合層であることを特徴とする(1)〜(3)のいずれか一つに記載の光電変換素子。
(5)
前記p型有機光電変換材料の吸収極大波長が450〜620nmの範囲内であり、該吸収極大波長におけるモル吸光係数が30000M−1cm−1以上であることを特徴とする(1)〜(4)のいずれか一つに記載の光電変換素子。
(6)
前記p型有機光電変換材料のイオン化ポテンシャル(IP)が4.5〜5.8eVであることを特徴とする(1)〜(5)のいずれか一つに記載の光電変換素子。
(7)
(1)〜(6)のいずれか一つに記載の光電変換素子を備えた撮像素子。
(8)
(1)〜(6)のいずれか一項に記載の光電変換素子又は(7)に記載の撮像素子に備わった光電変換素子の駆動方法であって、前記導電性薄膜及び前記透明導電性薄膜を一対の電極として該電極間に10−4V/cm以上1×107V/cm以下の電場を印加することを特徴とする駆動方法。
(9)
前記一対の電極の一方に前記電子ブロッキング層が接触しており、該電子ブロッキング層に接触する電極を陰極に、もう一方の電極を陽極にして前記電場を印加することを特徴とする(8)に記載の駆動方法。
(10)
前記光電変換素子の前記電子ブロッキング層と接触していない電極側から光を入射させることを特徴とする(8)又は(9)に記載の駆動方法。
本発明は、上記(1)〜(10)に関するものであるが、以下、その他の事項についても参考のために記載した。
導電性薄膜、有機光電変換膜、ブロッキング層及び透明導電性薄膜を含んでなる光電変換素子であって、
該有機光電変換膜が、ガラス転移点(Tg)が100℃以上のp型有機光電変換材料であってアモルファス膜を形成するp型有機光電変換材料を含有し、
該ブロッキング層が、Tgが140℃以上であるブロッキング材料を含有することを特徴とする光電変換素子。
〔2〕
前記ブロッキング層が電子ブロッキング層であることを特徴とする〔1〕に記載の光電変換素子。
〔3〕
前記ブロッキング材料がトリアリールアミン類であることを特徴とする〔2〕に記載の光電変換素子。
〔4〕
前記トリアリールアミン類が下記一般式(V)で表される化合物であることを特徴とする〔3〕に記載の光電変換素子。
一般式(V)
一般式(V)中、R51、R52及びR53は、それぞれ独立に、アリール基又はヘテロアリール基を含む基であり、R51、R52及びR53の少なくとも一つに窒素原子を含む。
〔5〕
前記ブロッキング材料のイオン化ポテンシャル(IP)が4.7〜5.8eVであることを特徴とする〔2〕〜〔4〕のいずれか一つに記載の光電変換素子。
〔6〕
前記ブロッキング材料が400nm以下に吸収極大を有することを特徴とする〔1〕〜〔5〕のいずれか一つに記載の光電変換素子。
〔7〕
前記p型有機光電変換材料がp型有機半導体であり、前記有機光電変換膜がp型有機半導体とn型有機半導体との混合層であることを特徴とする〔1〕〜〔6〕のいずれか一つに記載の光電変換素子。
〔8〕
前記p型有機光電変換材料の吸収極大波長が450〜620nmの範囲内であり、該吸収極大波長におけるモル吸光係数が30000M−1cm−1以上であることを特徴とする〔1〕〜〔7〕のいずれか一つに記載の光電変換素子。
〔9〕
前記p型有機光電変換材料のイオン化ポテンシャル(IP)が4.5〜5.8eVであることを特徴とする〔1〕〜〔8〕のいずれか一つに記載の光電変換素子。
〔10〕
前記p型有機光電変換材料が下記一般式(I)で表されることを特徴とする〔1〕〜〔9〕のいずれか一つに記載の光電変換素子。
一般式(I)
〔11〕
〔1〕〜〔10〕のいずれか一つに記載の光電変換素子を備えた撮像素子。
〔12〕
〔1〕〜〔10〕のいずれか一つに記載の光電変換素子又は〔11〕に記載の撮像素子に備わった光電変換素子の駆動方法であって、前記導電性薄膜及び前記透明導電性薄膜を一対の電極として該電極間に10―4V/cm以上1×107V/cm以下の電場を印加することを特徴とする駆動方法。
〔13〕
前記一対の電極の一方に前記電子ブロッキング層が接触しており、該電子ブロッキング層に接触する電極を陰極に、もう一方の電極を陽極にして前記電場を印加することを特徴とする〔12〕に記載の駆動方法。
〔14〕
前記光電変換素子の前記電子ブロッキング層と接触していない電極側から光を入射させることを特徴とする〔12〕又は〔13〕に記載の駆動方法。
本発明の光電変換素子は、導電性薄膜、有機光電変換膜、透明導電性薄膜を含んでなる光電変換素子であって、
該有機光電変換膜が、ガラス転移点(Tg)が100℃以上のp型有機光電変換材料であって、アモルファス膜を形成するp型有機光電変換材料を含有し、
該ブロッキング層が、Tgが140℃以上であるブロッキング材料を含有する。好ましくは、透明導電性薄膜と導電性薄膜との間に、p型有機光電変換材料を含む有機光電変換膜とブロッキング材料を含むブロッキング層を有している。
p型光電変換材料は膜を形成した場合に結晶を形成する結晶性材料とアモルファスを形成するアモルファス材料があるが、結晶性材料では加熱時に融点以下でも、結晶相、結晶形態、膜形態が変化し、耐熱性に劣る場合が多い。更に、結晶粒界がキャリアトラップとなるため光電変換効率、暗電流といった性能も劣る。一方、アモルファス材料であれば平滑膜が容易に形成され、Tgに達するまで基本的に変化しない。このため、本発明に用いるp型有機光電変換材料としてはアモルファス膜を形成するアモルファス材料を用いる。耐熱性の確保の観点から、p型有機光電変換材料のTgは100℃以上であり、120℃以上が好ましく、140℃以上がより好ましい。Tgの上限は現実的な材料で到達できる範囲として、350℃以下が好ましく、300℃以下が更に好ましい。なお、アモルファス膜を形成するか否かは材料の選択及び製膜法、更には製膜時の条件の選択による。
本発明において、p型有機光電変換材料の吸収極大波長が450〜620nmの範囲内であり、吸収極大波長におけるモル吸光係数が30000M−1cm−1以上であることが特に好ましい。
(b)ピラゾリノン核:例えば1−フェニル−2−ピラゾリン−5−オン、3−メチル−1−フェニル−2−ピラゾリン−5−オン、1−(2−ベンゾチアゾリル)−3−メチル−2−ピラゾリン−5−オン等。
(c)イソオキサゾリノン核:例えば3−フェニル−2−イソオキサゾリン−5−オン、3−メチル−2−イソオキサゾリン−5−オン等。
(d)オキシインドール核:例えば1−アルキル−2,3−ジヒドロ−2−オキシインドール等。
(e)2,4,6−トリケトヘキサヒドロピリミジン核:例えばバルビツール酸又は2−チオバルビツール酸及びその誘導体等。誘導体としては例えば1−メチル、1−エチル等の1−アルキル体、1,3−ジメチル、1,3−ジエチル、1,3−ジブチル等の1,3−ジアルキル体、1,3−ジフェニル、1,3−ジ(p−クロロフェニル)、1,3−ジ(p−エトキシカルボニルフェニル)等の1,3−ジアリール体、1−エチル−3−フェニル等の1−アルキル−3−アリール体、1,3−ジ(2―ピリジル)等の1,3位ジヘテロ環置換体等が挙げられる。
(f)2−チオ−2,4−チアゾリジンジオン核:例えばローダニン及びその誘導体等。誘導体としては例えば3−メチルローダニン、3−エチルローダニン、3−アリルローダニン等の3−アルキルローダニン、3−フェニルローダニン等の3−アリールローダニン、3−(2−ピリジル)ローダニン等の3位ヘテロ環置換ローダニン等が挙げられる。
(h)チアナフテノン核:例えば3(2H)−チアナフテノン−1,1−ジオキサイド等。
(i)2−チオ−2,5−チアゾリジンジオン核:例えば3−エチル−2−チオ−2,5−チアゾリジンジオン等。
(j)2,4−チアゾリジンジオン核:例えば2,4−チアゾリジンジオン、3−エチル−2,4−チアゾリジンジオン、3−フェニル−2,4−チアゾリジンジオン等。
(k)チアゾリン−4−オン核:例えば4−チアゾリノン、2−エチル−4−チアゾリノン等。
(l)2,4−イミダゾリジンジオン(ヒダントイン)核:例えば2,4−イミダゾリジンジオン、3−エチル−2,4−イミダゾリジンジオン等。
(m)2−チオ−2,4−イミダゾリジンジオン(2−チオヒダントイン)核:例えば2−チオ−2,4−イミダゾリジンジオン、3−エチル−2−チオ−2,4−イミダゾリジンジオン等。
(n)イミダゾリン−5−オン核:例えば2−プロピルメルカプト−2−イミダゾリン−5−オン等。
(o)3,5−ピラゾリジンジオン核:例えば1,2−ジフェニル−3,5−ピラゾリジンジオン、1,2−ジメチル−3,5−ピラゾリジンジオン等。
(p)ベンゾチオフェンー3−オン核:例えばベンゾチオフェンー3−オン、オキソベンゾチオフェンー3−オン、ジオキソベンゾチオフェンー3−オン等。
(q)インダノン核:例えば1−インダノン、3−フェニルー1−インダノン、3−メチルー1−インダノン、3,3−ジフェニルー1−インダノン、3,3−ジメチルー1−インダノン等。
また、上記酸性核には、更に5員環又は6員環が縮環していてもよい。例えば、1,3−インダンジオン核に対して、5又は6員環が縮環していてもよく、1,3−インダンジオン核の5位から6位にかけて6員環(例えば、ベンゼン環)が縮環していることも好ましい。
L1〜L3は互いに連結して環を形成しても良く、形成する環として好ましくはシクロヘキセン環、シクロペンテン環、ベンゼン環、ナフタレン環、チオフェン環、ピラン環等が挙げられる。
Ra、Rbは互いに置換基同士が結合して環(好ましくは5員又は6員環、より好ましくは6員環)を形成してもよく、また、Ra、RbはそれぞれがL(L1、L2、L3のいずれかを表す)中の置換基と結合して環(好ましくは5員又は6員環、より好ましくは6員環)を形成してもよい。
一般式(I)で表される化合物は一般式(II)で表される化合物であることが好ましい。
D22、及びD23はそれぞれ独立に縮環芳香族基であることが好ましく、ベンゼン環、フラン環、チオフェン環、セレノフェン環、シロール環、ピリジン環、ピラジン環、ピリミジン環、オキサゾール環、チアゾール環、トリアゾール環、オキサジアゾール環、チアジアゾール環からから選ばれる環の組み合わせ(同一でも良い)の縮環構造が好ましく、ナフタレン環、アントラセン環、ピレン環、フェナントレン環、キノリン環、イソキノリン環、ベンゾチオフェン環、ジベンゾチオフェン環、チエノチオフェン環、ビチエノベンゼン環、ビチエノチオフェン環が好ましい。
本発明の光電変換材料は、p型有機光電変換材料を含むが、n型有機光電変換材料(以下n型有機半導体)を含んでいることが更に好ましい。p型有機光電変換材料がp型有機半導体であり、有機光電変換膜がp型有機半導体とn型有機半導体との混合層であることが好ましい。有機光電変換膜がp型有機半導体とn型有機半導体との混合層であることにより、光照射によって生じた励起子が移動することができる距離内(概ね3−10nm)にp型有機半導体とn型有機半導体の接合体が存在することで励起子が失活する前に電荷分離するという作用により高い光電変換効率が得られる。
したがって、アクセプター性有機化合物は、電子受容性のある有機化合物であればいずれの有機化合物も使用可能である。例えば、縮合芳香族炭素環化合物(ナフタレン、アントラセン、フラーレン、フェナントレン、テトラセン、ピレン、ペリレン、フルオランテン、又はこれらの誘導体)、窒素原子、酸素原子、硫黄原子を含有する5ないし7員のヘテロ環化合物(例えばピリジン、ピラジン、ピリミジン、ピリダジン、トリアジン、キノリン、キノキサリン、キナゾリン、フタラジン、シンノリン、イソキノリン、プテリジン、アクリジン、フェナジン、フェナントロリン、テトラゾール、ピラゾール、イミダゾール、チアゾール、オキサゾール、インダゾール、ベンズイミダゾール、ベンゾトリアゾール、ベンゾオキサゾール、ベンゾチアゾール、カルバゾール、プリン、トリアゾロピリダジン、トリアゾロピリミジン、テトラザインデン、オキサジアゾール、イミダゾピリジン、ピラリジン、ピロロピリジン、チアジアゾロピリジン、ジベンズアゼピン、トリベンズアゼピン等)、ポリアリーレン化合物、フルオレン化合物、シクロペンタジエン化合物、シリル化合物、含窒素ヘテロ環化合物を配位子として有する金属錯体などが挙げられる。なお、これに限らず、上記したように、ドナー性有機化合物として用いた有機化合物よりも電子親和力の大きな有機化合物であればアクセプター性有機半導体として用いてよい。
フラーレン誘導体としては、特許文献1に記載の化合物が好ましい。
本発明の光電変換素子の好ましい態様は、導電性薄膜、有機光電変換膜、及び透明導電性薄膜がこの順に積層され、更に透明導電性薄膜若しくは導電性薄膜と、光電変換層との間にブロッキング層が積層されているものであり、この態様は暗電流を更に低減できるため好ましい。ブロッキング層としては正孔ブロッキング層及び電子ブロッキング層が好ましい。
ブロッキング層としては、正孔ブロッキング層も用いられるが、電子ブロッキング層の方がより好ましく、両者を使用することもできる。
電子ブロッキング層は、導電性薄膜と透明導電性薄膜を一対の電極として、いずれか一方の電極に接触していることが好ましい。電子ブロッキング層が接触する電極は陰極であることが好ましく、また、導電性薄膜であることが好ましい。
R41、R42及びR43が表すアリール基としては、フェニル基、ナフチル基、アンスリル基、ピレニル基、フェナンスリル基、フルオレニル基が好ましく、フェニル基、アンスリル基、フルオレニル基が更に好ましく、フェニル基、フルオレニル基が特に好ましい。
R41、R42及びR43が表すヘテロアリール基としては、ピロール基、フラン基、チオフェニル基、ピリジル基、ピリミジル基及びこれらのベンゾ置換体、ナフト置換体が好ましく、ピロール基、チオフェニル基が更にこの好ましい。これらの置換基にアルキル基、アリール基が置換したものは特に好ましい。
また、R41、R42及びR43が表すアリール基又はヘテロアリール基に、更に、一般式(IV)で表されるトリアリールアミンから誘導されるアミノ基が置換していてもよい。
これらの環に更に前述の置換基Wが置換しても良く、アルキル基、アリール基が好ましい。該アルキル基の炭素数は1〜10が好ましく、3〜6がより好ましい。該アリール基の炭素数は6〜18が好ましく、6〜12が特に好ましい。置換基としては、t−Bu基、ベンゾ基(ベンゾ縮環)が特に好ましい。また、複数の置換基が互いに連結して環を形成してもよい。
R54の好ましい例としては、フェニル基、ナフチル基、アンスリル基、フルオレニル基、フェナンスリル基、カルバゾリル基、ジベンゾフリル基、ジベンゾチオニル基が挙げられ、フェニル基、ナフチル基、アンスリル基、フルオレニル基が特に好ましい。R54にはアルキル基、アリール基が置換したものは特に好ましい。
一般式(V)において、R51、R52及びR53のいずれもが、R51及びR53の好ましい例として挙げた三つ以上の環からなる縮合環であることが好ましい。
正孔ブロッキング層には、電子受容性有機材料を用いることができる。
電子受容性有機材料としては、1,3−ビス(4−tert−ブチルフェニル−1,3,4−オキサジアゾリル)フェニレン(OXD−7)等のオキサジアゾール誘導体、アントラキノジメタン誘導体、ジフェニルキノン誘導体、バソクプロイン、バソフェナントロリン、及びこれらの誘導体、トリアゾール化合物、トリス(8−ヒドロキシキノリナート)アルミニウム錯体、ビス(4−メチル−8−キノリナート)アルミニウム錯体、ジスチリルアリーレン誘導体、シロール化合物などを用いることができる。また、電子受容性有機材料でなくとも、十分な電子輸送性を有する材料ならば使用することは可能である。ポルフィリン系化合物や、DCM(4−ジシアノメチレン−2−メチル−6−(4−(ジメチルアミノスチリル))−4Hピラン)等のスチリル系化合物、4Hピラン系化合物を用いることができる。
具体的には特開2008−72090号公報(特許文献2)に記載の化合物が好ましい。
図1(a)に示す光電変換素子10aは、下部電極として機能する導電性薄膜(以下、下部電極とする)11上に、下部電極11上に形成された電子ブロッキング層16Aと、電子ブロッキング層16A上に形成された有機光電変換層(有機光電変換膜)12と、上部電極として機能する透明導電性薄膜(以下、上部電極とする)15がこの順に積層された構成である。
図1(b)に別の光電変換素子の構成例を示す。図1(b)に示す光電変換素子10bは、下部電極11上に、電子ブロッキング層16Aと、有機光電変換層(有機光電変換膜)12と、正孔ブロッキング層16Bと、上部電極15がこの順に積層された構成である。なお、図1(a)、図1(b)中の電子ブロッキング層、光電変換層、正孔ブロッキング層の積層順は、用途、特性に応じて逆にしても構わない。
本実施形態に係る光電変換素子を構成する要素について説明する。
電極(上部電極(透明導電性薄膜)15と下部電極(導電性薄膜)11)は、導電性材料から構成される。導電性材料としては、金属、合金、金属酸化物、電気伝導性化合物、又はこれらの混合物などを用いることができる。
上部電極15から光が入射されるため、上部電極15は検知したい光に対し十分透明である事が必要である。具体的には、アンチモンやフッ素等をドープした酸化錫(ATO、FTO)、酸化錫、酸化亜鉛、酸化インジウム、酸化インジウム錫(ITO)、酸化亜鉛インジウム(IZO)等の導電性金属酸化物、金、銀、クロム、ニッケル等の金属薄膜、更にこれらの金属と導電性金属酸化物との混合物又は積層物、ヨウ化銅、硫化銅などの無機導電性物質、ポリアニリン、ポリチオフェン、ポリピロールなどの有機導電性材料、及びこれらとITOとの積層物などが挙げられる。この中で好ましいのは、高導電性、透明性等の点から、導電性金属酸化物である。上部電極15は有機光電変換層12上に成膜するため、該有機光電変換層12の特性を劣化させることのない方法で成膜される事が好ましい。
電極の材料がITOの場合、電子ビーム法、スパッタリング法、抵抗加熱蒸着法、化学反応法(ゾルーゲル法など)、酸化インジウムスズの分散物の塗布などの方法で形成することができる。更に、ITOを用いて作製された膜に、UV−オゾン処理、プラズマ処理などを施すことができる。電極の材料がTiNの場合、反応性スパッタリング法をはじめとする各種の方法が用いられ、更にUV−オゾン処理、プラズマ処理などを施すことができる。
光電変換素子は光電池と光センサに大別できるが、本発明の光電変換素子は光センサに適している。光センサとしては、上記光電変換素子単独で用いたものでもよいし、前記光電変換素子を直線状に配したラインセンサや、平面上に配した2次元センサの形態とすることができる。本発明の光電変換素子は、ラインセンサでは、スキャナー等の様に光学系及び駆動部を用いて光画像情報を電気信号に変換し、2次元センサでは、撮像モジュールのように光画像情報を光学系でセンサ上に結像させ電気信号に変換することで撮像素子として機能する。
光電池は発電装置であるため、光エネルギーを電気エネルギーに変換する効率が重要な性能となるが、暗所での電流である暗電流は機能上は問題にならない。更にカラーフィルタ設置当の後段の加熱工程が必要ない。光センサは明暗信号を高い精度で電気信号に変換することが重要な性能となるため、光量を電流に変換する効率も重要な性能であるが、暗所で信号を出力するとノイズとなるため、低い暗電流が要求される。更に後段の工程に対する耐性も重要である。
更に、本発明は光電変換素子の駆動方法にも関する。すなわち、本発明の光電変換素子の駆動方法であって、光電変換素子の電極間に10―4V/cm以上1×107V/cm以下の電場が印加することが好ましい。更に、前記電子ブロッキング層に接触する電極を陰極に、もう一方の電極を陽極にして電圧を印加することを特徴とする駆動方法が素子の暗電流が低減できるため好ましく、特に、高い感度及び低い暗電流を得るためには電極間に印加する電場は、102V/cm以上2×106V/cm以下が好ましく、104V/cm以上1×106V/cm以下が特に好ましい。
次に、光電変換素子10aを備えた撮像素子の構成例を説明する。なお、以下に説明する構成例において、すでに説明した部材などと同等な構成・作用を有する部材等については、図中に同一符号又は相当符号を付すことにより、説明を簡略化或いは省略する。
撮像素子とは画像の光情報を電気信号に変換する素子であり、複数の光電変換素子が同一平面状でマトリクス上に配置されており、各々の光電変換素子(画素)において光信号を電気信号に変換し、その電気信号を画素ごとに逐次撮像素子外に出力できるものをいう。そのために、画素ひとつあたり、一つの光電変換素子、一つ以上のトランジスタから構成される。
図2は、本発明の一実施形態を説明するための撮像素子の概略構成を示す断面模式図である。この撮像素子は、デジタルカメラ、デジタルビデオカメラ等の撮像装置、電子内視鏡、携帯電話機等の撮像モジュール等に搭載して用いられる。
この撮像素子は、図1に示したような構成の複数の光電変換素子と、各光電変換素子の光電変換膜で発生した電荷に応じた信号を読み出す読み出し回路が形成された回路基板とを有し、該回路基板上方の同一面上に、複数の光電変換素子が1次元状又は二次元状に配列された構成となっている。
[封止層]
封止層110としては次の条件が求められる。
第一に、素子の各製造工程において溶液、プラズマなどに含まれる有機の光電変換材料を劣化させる因子の浸入を阻止して光電変換層を保護することが挙げられる。
第二に、素子の製造後に、水分子などの有機の光電変換材料を劣化させる因子の浸入を阻止して、長期間の保存/使用にわたって、光電変換膜107の劣化を防止する。
第三に、封止層110を形成する際は既に形成された光電変換層を劣化させない。
第四に、入射光は封止層110を通じて光電変換膜107に到達するので、光電変換膜107で検知する波長の光に対して封止層110は透明でなくてはならない。
光電変換材料は水分子などの劣化因子の存在で顕著にその性能が劣化してしまう。そのために、水分子を浸透させない緻密な金属酸化物・金属窒化物・金属窒化酸化物などセラミクスやダイヤモンド状炭素(DLC)などで光電変換膜全体を被覆して封止することが必要である。従来から、酸化アルミニウム、酸化珪素、窒化珪素、窒化酸化珪素やそれらの積層構成、それらと有機高分子の積層構成などを封止層として、各種真空製膜技術で形成されている。もっとも、これら従来の封止層は、基板表面の構造物、基板表面の微小欠陥、基板表面に付着したパーティクルなどによる段差において、薄膜の成長が困難なので(段差が影になるので)平坦部と比べて膜厚が顕著に薄くなる。このために段差部分が劣化因子の浸透する経路になってしまう。この段差を封止層で完全に被覆するには、平坦部において1μm以上の膜厚になるように製膜して、封止層全体を厚くすることが好ましい。
なお、以下において、実施例1〜7は「参考例」と読み替えるものとする。
脱水トルエン30mlにSMEAH(水素化ビス(2−メトキシエトキシ)アルミニウムナトリウム・トルエン溶液(約70%)(和光純薬社製)24mlを加え、内温を氷浴で0℃にした後、1−メチルピペラジン10mlを脱水トルエン17mlに溶かした溶液を滴下した。脱水トルエン50mlに中間体a−1 6gを溶かし、内温をドライアイス浴で−40℃にした後、これに、先ほど調整したSMEAHトルエン溶液を滴下した。窒素気流下で、5時間攪拌した後、濃塩酸をpHが1になるまで加えた。これに水、酢酸エチルを加え油層を炭酸水素ナトリウム水溶液で洗浄した。油層を硫酸マグネシウムで乾燥させた後、ろ過し、エバポレーターによって溶媒を留去した。得られた残渣の1/3に、J.Med.Chem.,1973年,16巻,1334-1339項に従い、合成した
Benz[f] indane−1,3−dione1.3gとエタノール100mlを加え、窒素気流下で、6時間還流した。放冷後、吸引ろ過を行い、固体を少量のクロロホルムに溶解させ、エタノールを加えて結晶を析出させた。得られた結晶を吸引濾過し、真空化下乾燥することで化合物1 2gを得た。エスアイアイ・ナノテクノロジー社製TG/DTA 6200 AST−2を用いて測定したところ融点は309℃であった。吸収スペクトルをクロロホルム希薄溶液で測定したところ、吸収極大波長は548nmであり、この波長でのモル吸光係数は54000M−1cm−1であった。この化合物を用いて真空加熱蒸着によりガラス基板上に100nmの膜を製膜し、理研計器AC−2を用いて測定したIP(イオン化ポテンシャル)は5.4eVであった。更に、走査型電子顕微鏡を用いて膜形態を観察すると平滑な膜が得られており、アモルファス膜であることが確認できた。
化合物1におけるジ(2−ナフチル)アミンをJournal of the
Chemical Society,1958年,4308−4310項に従って合成したN−(2−アンスリル)−2−ナフチルアミンに置き換えたほかは同様にして化合物2を合成した。融点は313℃であった。吸収スペクトルをクロロホルム希薄溶液で測定したところ、吸収極大波長は553nmであり、この波長でのモル吸光係数は50000M−1cm−1であった。この化合物の真空加熱蒸着膜のIPは5.4eVであった。更に、走査型電子顕微鏡を用いて膜形態を観察すると平滑な膜が得られており、アモルファス膜であることが確認できた。
4−(ジフェニルアミノ)ベンズアルデヒド2.7g、1,3−インダンジオン1.5gをエタノール20ml中、窒素雰囲気下で6時間過熱還流し、室温まで冷却した。得られた結晶を濾別氏、クロロホルムに溶解させ、エタノールを加えることで結晶を得た。これを濾過、エタノールで洗浄することで化合物B 3gを得た。融点は257℃であった。吸収スペクトルをクロロホルム希薄溶液で測定したところ、吸収極大波長は499nmであり、この波長でのモル吸光係数は54000M−1cm−1であった。この化合物の真空加熱蒸着膜のIPは5.4eVであった。更に、走査型電子顕微鏡を用いて膜形態を観察すると平滑な膜が得られており、アモルファス膜であることが確認できた。
化合物1におけるジ(2−ナフチル)アミンを2−フェニルアミノナフタレン(東京化成製)に、6−ブロモナフトエ酸メチルを6−ブロモ安息香酸メチル(和光純薬製)に置き換えたほかは同様にして化合物31を合成した。融点は236℃であった。吸収スペクトルをクロロホルム希薄溶液で測定したところ、吸収極大波長は524nmであり、この波長でのモル吸光係数は64000M−1cm−1であった。この化合物の真空加熱蒸着膜のIPは5.5eVであった。更に、走査型電子顕微鏡を用いて膜形態を観察すると平滑な膜が得られており、アモルファス膜であることが確認できた。
化合物31における2−フェニルアミノナフタレンをジ(p−トリル)アミン(東京化成製)に置き換えたほかは同様にして化合物32を合成した。融点は278℃であった。吸収スペクトルをクロロホルム希薄溶液で測定したところ、吸収極大波長は529nmであり、この波長でのモル吸光係数は63000M−1cm−1であった。この化合物の真空加熱蒸着膜のIPは5.4eVであった更に、走査型電子顕微鏡を用いて膜形態を観察すると平滑な膜が得られており、アモルファス膜であることが確認できた。
使用した電子ブロッキング層用の材料を下記に示す。いずれも、公知の文献に従って合成し、得られた合成化合物は必要に応じてアルバック理工株式会社TRS−160を用いて昇華若しくは蒸留により精製した。このときの真空度は0.07Paに設定した。得られたサンプルを用いて測定したIP(イオン化ポテンシャル)も下記に示す。
spiro−1−NBPはテトラブロモスピロビフルオレンと1−フェニルアミノナフタレンを
トルエン中、無水炭酸カリウム、酢酸パラジウム、P(t−Bu)3と反応させ合成した。TPT−1は4,4‘−ジブロモビフェニルと4−ジフェニルアミノ−4’−フェニルアミノビフェニルを上記と同様に反応させて合成した。TBFABTは1,3,5−トリス(4−ブロモフェニル)ベンゼンとビス(9,9’−ジメチルフルオレン−2−イル)アミンを上記と同様に反応させて合成した。TFLFLは2,7−ジブロモフルオレンとビス(9,9’−ジメチルフルオレン−2−イル)アミンを上記と同様に反応させて合成した。TFLCzはN−(3−メチルフェニル)−3,6−ジブロモカルバゾールとビス(9,9’−ジメチルフルオレン−2−イル)アミンを上記と同様に反応させて合成した。BBCPCはN−フェニル―2,7−ジブロモカルバゾールを3,5−ジ(t−ブチル)カルバゾールを上記と同様に反応させて合成した。BBCACはN−(2−アンスリル)―2,7−ジブロモカルバゾールを3,5−ジ(t−ブチル)カルバゾールを上記と同様に反応させて合成した。BTBAFは2,7−ジブロモフルオレンとトリベンゾアゼピンを上記と同様に反応させて合成した。
BCBFはTetrahedron Letters, 2007, vol.48, #1 p.89-93を参考に合成した7,7'-Dibromo-2,2'-bis(9,9-bis-methylfluorene)と公知の方法で合成した3,6-di(tert-butyl)-9H-carbazoleをトルエン中、無水炭酸カリウム、酢酸パラジウム、P(t−Bu)3と反応させ合成した。BABFはBCBFの原料である3,6-di(tert-butyl)-9H-carbazoleをChemische Berichte, 1980, vol. 113, #1 p.358に従って合成した9,9-dimethyl-9,10-dihydro-acridineに置き換えることで同様に合成した。
図1(a)に示す形態の素子を作製した。すなわち、ガラス基板上に、アモルファス性ITO 30nmをスパッタ法により成膜して下部電極とし、その後、化合物spiro−1−NBPを60nm真空加熱蒸着法により成膜し、電子ブロッキング層を形成した。更にその上に、p型光電変換層材料として化合物1とフラーレン(C60)をそれぞれ単層換算で80nm、320nmとなるように共蒸着した混合層を光電変換膜tとして真空加熱蒸着により25℃に基板の温度を制御した状態で成膜して、光電変換層を形成した。なお、光電変換層の真空蒸着は4×10−4Pa以下の真空度で行った。
更にその上に、上部電極としてスパッタ法によりアモルファス性ITOを10nm成膜して透明導電性薄膜を形成し、ガラス管により封止することで光電変換素子を有する固体撮像素子を作製した。
表に示すとおりに電子ブロッキング層の材料、p型光電変換層の材料を変更して実施例2〜13の素子を作製した。比較例の1〜4素子についても同様に作製した。
得られた各素子について光電変換素子が機能するかどうかの確認を行った。得られた各素子の図2における電極101及び104に、比較例1の素子における暗所での電流が1nA/cm2となるように駆動電圧(おおむね10Vであり電界強度としては2x105V/cm相当)を設定した。電圧印加方法は、電子ブロッキング層に接触する電極を陰極に、もう一方の電極を陽極にし、全ての素子はこの電圧で駆動し、室温で、暗電流を求め、次に、この電圧で一定光量の光源で電子ブロッキング層と接触しない電極(上部電極)面から照射し、外部量子効率を求めた。暗電流はいずれの素子も1x10−9A/cm2以下であり充分に低い値を示した。外部量子効率はいずれの素子も50%以上の値を示し、充分に高い値を示した。
11 下部電極(導電性薄膜)
12 光電変換層(光電変換膜)
15 上部電極(透明導電性薄膜)
16A 電子ブロッキング層
16B 正孔ブロッキング層
100 撮像素子
101 基板
102 絶縁層
103 接続電極
104 画素電極(下部電極)
105 接続部
106 接続部
107 光電変換膜
108 対向電極(上部電極)
109 緩衝層
110 封止層
111 カラーフィルタ(CF)
112 隔壁
113 遮光層
114 保護層
115 対向電極電圧供給部
116 読出し回路
Claims (10)
- 導電性薄膜、有機光電変換膜、電子ブロッキング層及び透明導電性薄膜を含んでなる光電変換素子であって、
該有機光電変換膜が、ガラス転移点(Tg)が140℃以上のp型有機光電変換材料であってアモルファス膜を形成するp型有機光電変換材料を含有し、
該電子ブロッキング層が、Tgが200℃以上であるブロッキング材料を含有し、
該p型有機光電変換材料が下記一般式(II)で表される化合物であり、
該ブロッキング材料が下記一般式(V)で表される化合物であり、
該光電変換素子を180℃で30分保持してから室温に戻した後に測定した外部量子効率の、加熱前に測定した外部量子効率に対する相対値が、0.99以上となり、かつ、該光電変換素子を180℃で30分保持してから室温に戻した後に測定した暗電流の、加熱前に測定した暗電流に対する相対値が、0.95以下となる
ことを特徴とする光電変換素子。
一般式(II)中、Z2は少なくとも2つの炭素原子を含む環であって、1,3−ジカルボニル核、2,4,6−トリケトヘキサヒドロピリミジン核、バルビツール酸核、2−チオバルビツール酸核、3,5−ピラゾリジンジオン核、ベンゾチオフェン−3−オン核、インダノン核、又はそれらの誘導体を表す。L21、L22、L23はそれぞれ独立に無置換メチン基、又は置換メチン基を表す。D21は置換又は無置換のアリーレン基を表す。D22及びD23はそれぞれ独立に縮環構造を含むアリール基を表す。nは0以上の整数を表す。
一般式(V)
一般式(V)中、R51、R52及びR53は、それぞれ独立に、アリール基又はヘテロアリール基を含む、三つ以上の環からなる縮合環であり、R51、R52及びR53の少なくとも一つに窒素原子を含む。 - 前記ブロッキング材料のイオン化ポテンシャル(IP)が4.7〜5.8eVであることを特徴とする請求項1に記載の光電変換素子。
- 前記ブロッキング材料が400nm以下に吸収極大を有していることを特徴とする請求項1又は2に記載の光電変換素子。
- 前記p型有機光電変換材料がp型有機半導体であり、前記有機光電変換膜がp型有機半導体とn型有機半導体との混合層であることを特徴とする請求項1〜3のいずれか一項に記載の光電変換素子。
- 前記p型有機光電変換材料の吸収極大波長が450〜620nmの範囲内であり、該吸収極大波長におけるモル吸光係数が30000M−1cm−1以上であることを特徴とする請求項1〜4のいずれか一項に記載の光電変換素子。
- 前記p型有機光電変換材料のイオン化ポテンシャル(IP)が4.5〜5.8eVであることを特徴とする請求項1〜5のいずれか一項に記載の光電変換素子。
- 請求項1〜6のいずれか一項に記載の光電変換素子を備えた撮像素子。
- 請求項1〜6のいずれか一項に記載の光電変換素子又は請求項7に記載の撮像素子に備わった光電変換素子の駆動方法であって、前記導電性薄膜及び前記透明導電性薄膜を一対の電極として該電極間に10−4V/cm以上1×107V/cm以下の電場を印加することを特徴とする駆動方法。
- 前記一対の電極の一方に前記電子ブロッキング層が接触しており、該電子ブロッキング層に接触する電極を陰極に、もう一方の電極を陽極にして前記電場を印加することを特徴とする請求項8に記載の駆動方法。
- 前記光電変換素子の前記電子ブロッキング層と接触していない電極側から光を入射させることを特徴とする請求項8又は9に記載の駆動方法。
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