KR20220091401A - 인돌로카르바졸 고리를 갖는 화합물, 수광 소자용 재료, 유기 박막, 수광 소자, 및 촬상 소자 - Google Patents

인돌로카르바졸 고리를 갖는 화합물, 수광 소자용 재료, 유기 박막, 수광 소자, 및 촬상 소자 Download PDF

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나오아키 가바사와
슌지 모치즈키
šœ지 모치즈키
야마토 시마
유타 사에구사
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호도가야 가가쿠 고교 가부시키가이샤
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Abstract

본 발명의 주목적은, 우수한 내열성, 전하 수송성을 갖는 화합물을 이용한 화합물을 제공하는 것, 또 그것을 사용한 유기 디바이스, 특히 수광 소자에 사용하는 유기 박막, 및 그 유기 박막을 적용하는 각종 수광 소자, 특히 촬상 소자, 및 이것을 사용하는 광 센서를 제공하는 것에 있다.
본 발명은 하기 일반식 (1) 로 나타내는 인돌로카르바졸 고리를 갖는 화합물이다.
Figure pat00017

(식 중, L 은, 단결합, 치환 혹은 무치환의 방향족 탄화수소기, 치환 혹은 무치환의 방향족 복소 고리기, 또는 치환 혹은 무치환의 축합 다고리 방향족기의 2 가기를 나타낸다.)

Description

인돌로카르바졸 고리를 갖는 화합물, 수광 소자용 재료, 유기 박막, 수광 소자, 및 촬상 소자{COMPOUND HAVING INDOLOCARBAZOLE RING, MATERIAL FOR LIGHT RECEIVING ELEMENT, ORGANIC THIN FILM, LIGHT RECEIVING ELEMENT AND IMAGING ELEMENT}
본 발명은 인돌로카르바졸 고리를 갖는 화합물, 수광 소자용 재료, 유기 박막, 수광 소자, 및 촬상 소자에 관한 것이다.
수광 소자는 태양 전지나 광 센서 등에 널리 이용되고, 그 중에서도 촬상 소자인 이미지 센서는, 텔레비전 카메라나 스마트 폰에 탑재되는 카메라뿐만 아니라, 운전 지원 시스템 용도에도 사용되기 시작하는 등 용도, 시장 모두에서 확산을 보이고 있다.
지금까지의 촬상 소자의 재료에는, Si 막이나 Se 막 등의 무기 재료가 사용되었고, 그 촬상 방법으로는 프리즘을 사용하여 색을 나누는 3 판식과, 컬러 필터를 사용한 단판식의 2 가지가 주류였다. 그러나, 3 판식은, 광의 이용률은 높기는 하지만 프리즘을 사용하기 때문에 소형화가 어렵고, 단판식은, 프리즘을 사용하지 않기 때문에 소형화는 비교적 용이하지만, 대신에 컬러 필터를 사용하기 때문에 해상도, 광의 이용률이 나빴다 (비특허문헌 1).
유기물은, 무기물과 비교하여 특정 파장의 광을 잘 흡수하기 때문에, 각각의 파장에 대응하는 재료를 조합함으로써, 프리즘을 사용하지 않고도 3 원색에 대해서 각각의 광을 효율적으로 이용할 수 있는 촬상 소자를 구축할 수 있고, 그 때문에 광의 이용 효율이 높고, 소형의 촬상 소자를 만드는 것이 가능해진다. 또, 가시광의 광에 한정되지 않고, 재료를 선정하기에 따라서, 근적외, 적외의 센싱이 가능해지는 것 외에, 무기물에서는 달성할 수 없는, 플렉시블성이나 제작 프로세스에서의 도포에 의한 대면적화 등의 가치를 부가할 수 있을 가능성이 있다 (비특허문헌 2).
이와 같은 점에서, 유기물을 사용한 수광 소자는, 차세대의 촬상 소자에 대한 전개가 기대되고, 몇몇 그룹으로부터 보고가 이루어지고 있다. 예를 들어, 퀴나크리돈, 퀴나졸린 유도체를 수광 소자에 사용한 예 (특허문헌 1), 벤조티에벤조티오펜 유도체를 수광 소자에 사용한 예 (특허문헌 2), 인돌로카르바졸을 수광 소자에 사용한 예 (특허문헌 3) 등이 있다. 촬상 소자에는, 특성의 지표로서 콘트라스트, 전력 등의 것이 있지만, 그 특성을 향상시키기 위해서, 광이 입사하고 있지 않을 때에 흐르는 전류 (암전류) 를 저감할 필요가 있다. 이 암전류를 저감하는 하나의 수법으로서, 수광부와 전극부 사이에 정공 블록층 또는 전자 블록층을 삽입하는 수법이 있다.
이 정공 블록층 또는 전자 블록층의 삽입은, 유기 일렉트로닉스 분야에서는 일반적으로 사용되는 수법이다. 이들 블록층은, 각각 디바이스의 구성 막 중에 있어서, 전극 또는 도전성을 갖는 막과, 그 이외의 막의 계면에 배치되고, 정공 또는 전자의 역이동을 제어하면서, 필요한 전하를 신속하게 전달시키는 기능을 갖는다.
더욱 추가하여, 블록층에 사용되는 재료에 요구되는 특성으로서 열안정성을 들 수 있다. 특히 촬상 소자에서는, 컬러 필터 설치, 보호막 설치, 소자의 납땜 등, 가열 공정을 갖는 제조 프로세스에의 적용이나 보존성의 향상을 고려하기 때문에, 유기 EL 이나 다른 유기 일렉트로닉스 디바이스보다 높은 열안정성이 요구된다. 특허문헌 4 에서는, 유리 전이 온도 (Tg) 가 140 ℃ 이상인 전자 블로킹 재료를 사용하는 점에서, 소자의 열안정성의 향상을 보고하고 있다. 그러나, 특성으로는 불충분하였다.
일본 특허공보 제4945146호 일본 공개특허공보 2018-170487호 일본 공개특허공보 2018-085427호 일본 공개특허공보 2011-187937호 국제 공개 제2012/114928호
영상 정보 학회 미디어 협회지, 60, 3, 291 (2006) Adv. Mater. 28, 4766 (2016)
본 발명은 이와 같은 상황을 감안하여 이루어진 것으로서, 우수한 내열성, 전하 수송성을 갖는 화합물을 제공하는 것, 또 그것을 사용한 유기 디바이스, 특히 수광 소자에 사용하는 유기 박막, 및 그 유기 박막을 적용하는 각종 수광 소자, 특히 촬상 소자, 및 이것을 사용하는 광 센서를 제공하는 것을 주목적으로 한다.
그래서 본 발명자들은 상기의 목적을 달성하기 위해서, 인돌로카르바졸 고리가 높은 전하 수송성을 갖고, 또한 내열성이 우수하다는 것에 주목하였다. 또, 대칭성이 높은 화합물은 열안정성도 높아지는 경향이 있는 것에 착상을 얻어, 추가적인 내열성의 향상을 목표로 하여, 예의 개발을 행한 결과, 하기의 일반식 (1) 로 나타내는 특정한 화합물을 함유하는 유기 박막이 상기 과제를 해결하는 것임을 알아내고, 본 발명을 완성하기에 이르렀다.
즉 본 발명은, 이하의 각 항에 관련된 것이다.
1) 하기 일반식 (1) 로 나타내는, 인돌로카르바졸 고리를 갖는 화합물.
Figure pat00001
(식 중,
L 은, 단결합, 치환 혹은 무치환의 방향족 탄화수소기, 치환 혹은 무치환의 방향족 복소 고리기, 또는 치환 혹은 무치환의 축합 다고리 방향족기의 2 가기를 나타내고,
R1 ∼ R9, R12 ∼ R20 은, 서로 동일해도 되고 상이해도 되며, 수소 원자, 중수소 원자, 불소 원자, 염소 원자, 시아노기, 니트로기, 치환기를 갖고 있어도 되는 탄소 원자수 1 내지 6 의 직사슬형 혹은 분기형의 알킬기, 치환기를 갖고 있어도 되는 탄소 원자수 5 내지 10 의 시클로알킬기, 치환기를 갖고 있어도 되는 탄소 원자수 2 내지 6 의 직사슬형 혹은 분기형의 알케닐기, 치환기를 갖고 있어도 되는 탄소 원자수 1 내지 6 의 직사슬형 혹은 분기형의 알킬옥시기, 치환기를 갖고 있어도 되는 탄소 원자수 5 내지 10 의 시클로알킬옥시기, 치환 혹은 무치환의 방향족 탄화수소기, 치환 혹은 무치환의 방향족 복소 고리기, 치환 혹은 무치환의 축합 다고리 방향족기 또는 치환 혹은 무치환의 아릴옥시기이고, 단결합, 치환 혹은 무치환의 메틸렌기, 산소 원자 또는 황 원자를 개재하여 서로 결합하여 고리를 형성해도 되고,
R10, R11, R21, 및 R22 는, 서로 동일해도 되고 상이해도 되며, 치환기를 갖고 있어도 되는 탄소 원자수 1 내지 6 의 직사슬형 혹은 분기형의 알킬기, 치환기를 갖고 있어도 되는 탄소 원자수 5 내지 10 의 시클로알킬기, 치환기를 갖고 있어도 되는 탄소 원자수 2 내지 6 의 직사슬형 혹은 분기형의 알케닐기, 치환기를 갖고 있어도 되는 탄소 원자수 1 내지 6 의 직사슬형 혹은 분기형의 알킬옥시기, 치환기를 갖고 있어도 되는 탄소 원자수 5 내지 10 의 시클로알킬옥시기, 치환 혹은 무치환의 방향족 탄화수소기, 치환 혹은 무치환의 방향족 복소 고리기, 치환 혹은 무치환의 축합 다고리 방향족기 또는 치환 혹은 무치환의 아릴옥시기이고, R10 과 R11, R21 과 R22 는 서로 단결합, 치환 혹은 무치환의 메틸렌기, 산소 원자 또는 황 원자를 개재하여 결합하여 고리를 형성해도 된다.)
2) 1) 에 기재된 화합물로 이루어지는 수광 소자용 재료.
3) 2) 에 기재된 수광 소자용 재료를 포함하는, 유기 박막.
4) 3) 에 기재된 유기 박막을 포함하는, 수광 소자.
5) 3) 에 기재된 유기 박막을 블로킹층으로서 포함하는, 수광 소자.
6) 3) 에 기재된 유기 박막을 광전 변환층으로서 포함하는, 수광 소자.
7) 4) ∼ 6) 중 어느 하나에 기재된 수광 소자를 포함하는, 촬상 소자.
8) 상기 일반식 (1) 중의 L 이, 치환 혹은 무치환의 방향족 탄화수소기, 치환 혹은 무치환의 방향족 복소 고리기, 또는 치환 혹은 무치환의 축합 다고리 방향족기의 2 가기 (단, 피리미디닐렌기를 제외한다) 인, 1) 에 기재된 화합물.
본 발명의 인돌로카르바졸 고리를 갖는 화합물을 함유하는 유기 박막은, 우수한 내열성, 전하 수송성을 갖는 유기 박막으로서, 각종 수광 소자에 적용할 수 있다. 그것에 의해서, 우수한 암전류 특성 및 변환 효율을 갖는 수광 소자, 특히 촬상 소자, 및 광 센서를 제공할 수 있다. 본 발명의 인돌로카르바졸 고리를 갖는 화합물은, 수광 소자용 재료로서 바람직하다.
도 1 은, 본 발명의 수광 소자의 일 구성예이다.
본 발명은, 하기 일반식 (1) 로 나타내는, 인돌로카르바졸 고리를 갖는 화합물, 당해 화합물을 함유하는 유기 박막, 및 그 유기 박막을 사용한 광전 변환 소자, 특히 수광 소자이다.
Figure pat00002
(식 중,
L 은, 단결합, 치환 혹은 무치환의 방향족 탄화수소기, 치환 혹은 무치환의 방향족 복소 고리기, 또는 치환 혹은 무치환의 축합 다고리 방향족기의 2 가기를 나타내고,
R1 ∼ R9, R12 ∼ R20 은, 서로 동일해도 되고 상이해도 되며, 수소 원자, 중수소 원자, 불소 원자, 염소 원자, 시아노기, 니트로기, 치환기를 갖고 있어도 되는 탄소 원자수 1 내지 6 의 직사슬형 혹은 분기형의 알킬기, 치환기를 갖고 있어도 되는 탄소 원자수 5 내지 10 의 시클로알킬기, 치환기를 갖고 있어도 되는 탄소 원자수 2 내지 6 의 직사슬형 혹은 분기형의 알케닐기, 치환기를 갖고 있어도 되는 탄소 원자수 1 내지 6 의 직사슬형 혹은 분기형의 알킬옥시기, 치환기를 갖고 있어도 되는 탄소 원자수 5 내지 10 의 시클로알킬옥시기, 치환 혹은 무치환의 방향족 탄화수소기, 치환 혹은 무치환의 방향족 복소 고리기, 치환 혹은 무치환의 축합 다고리 방향족기 또는 치환 혹은 무치환의 아릴옥시기이고, 단결합, 치환 혹은 무치환의 메틸렌기, 산소 원자 또는 황 원자를 개재하여 서로 결합하여 고리를 형성해도 되고,
R10, R11, R21, 및 R22 는, 서로 동일해도 되고 상이해도 되며, 치환기를 갖고 있어도 되는 탄소 원자수 1 내지 6 의 직사슬형 혹은 분기형의 알킬기, 치환기를 갖고 있어도 되는 탄소 원자수 5 내지 10 의 시클로알킬기, 치환기를 갖고 있어도 되는 탄소 원자수 2 내지 6 의 직사슬형 혹은 분기형의 알케닐기, 치환기를 갖고 있어도 되는 탄소 원자수 1 내지 6 의 직사슬형 혹은 분기형의 알킬옥시기, 치환기를 갖고 있어도 되는 탄소 원자수 5 내지 10 의 시클로알킬옥시기, 치환 혹은 무치환의 방향족 탄화수소기, 치환 혹은 무치환의 방향족 복소 고리기, 치환 혹은 무치환의 축합 다고리 방향족기 또는 치환 혹은 무치환의 아릴옥시기이고, R10 과 R11, R21 과 R22 는 서로 단결합, 치환 혹은 무치환의 메틸렌기, 산소 원자 또는 황 원자를 개재하여 결합하여 고리를 형성해도 된다.)
또,「내지」는 범위를 나타내는 용어로서, 예를 들어「5 내지 10」이라는 기재는,「5 이상 10 이하」를 의미하고,「내지」의 전후에 기재되는 수치 자체도 포함하는 범위를 나타낸다.
일반식 (1) 중의「치환 혹은 무치환의 방향족 탄화수소기」,「치환 혹은 무치환의 방향족 복소 고리기」, 또는「치환 혹은 무치환의 축합 다고리 방향족기」에 있어서의「방향족 탄화수소기」,「방향족 복소 고리기」또는「축합 다고리 방향족기」의 2 가기로는, 특별히 한정되지 않는데, 예를 들어, 페닐렌기, 비페닐렌기, 터페닐렌기, 나프틸렌기, 안트라세닐렌기, 티에닐렌기, 푸라닐렌기, 페난트레닐렌기, 피리딜렌기, 벤조푸라닐렌기, 벤조티에렌기 등을 들 수 있다. 또한, 탄소수 6 내지 30 의 아릴렌기 및 탄소수 2 내지 30 의 헤테로아릴렌기에서 선택할 수도 있다.
일반식 (1) 중의「치환 혹은 무치환의 방향족 탄화수소기」,「치환 혹은 무치환의 방향족 복소 고리기」, 또는「치환 혹은 무치환의 축합 다고리 방향족기」에 있어서의「방향족 탄화수소기」,「방향족 복소 고리기」또는「축합 다고리 방향족기」로는, 특별히 한정되지 않는데, 예를 들어, 페닐기, 비페닐릴기, 터페닐릴기, 나프틸기, 안트라세닐기, 페난트레닐기, 플루오레닐기, 스피로비플루오레닐기, 인데닐기, 피레닐기, 페릴레닐기, 플루오란테닐기, 트리페닐레닐기, 피리딜기, 피리미디닐기, 트리아지닐기, 푸릴기, 피롤릴기, 티에닐기, 퀴놀릴기, 이소퀴놀릴기, 벤조푸라닐기, 벤조티에닐기, 인돌릴기, 카르바졸릴기, 벤조옥사졸릴기, 벤조티아졸릴기, 퀴녹살리닐기, 벤조이미다졸릴기, 피라졸릴기, 디벤조푸라닐기, 디벤조티에닐기, 나프티리디닐기, 페난트롤리닐기, 아크리디닐기, 카르볼리닐기 등을 들 수 있다. 또한, 탄소수 6 내지 30 의 아릴기 및 탄소수 2 내지 30 의 헤테로아릴기에서 선택할 수도 있다.
일반식 (1) 중의「치환기를 갖고 있어도 되는 탄소 원자수 1 내지 6 의 직사슬형 혹은 분기형의 알킬기」,「치환기를 갖고 있어도 되는 탄소 원자수 5 내지 10 의 시클로알킬기」또는「치환기를 갖고 있어도 되는 탄소 원자수 2 내지 6 의 직사슬형 혹은 분기형의 알케닐기」에 있어서의「탄소 원자수 1 내지 6 의 직사슬형 혹은 분기형의 알킬기」,「탄소 원자수 5 내지 10 의 시클로알킬기」, 또는「탄소 원자수 2 내지 6 의 직사슬형 혹은 분기형의 알케닐기」로는, 특별히 한정되지 않는데, 예를 들어, 메틸기, 에틸기, n-프로필기, 이소프로필기, n-부틸기, 이소부틸기, tert-부틸기, n-펜틸기, 이소펜틸기, 네오펜틸기, n-헥실기, 시클로펜틸기, 시클로헥실기, 1-아다만틸기, 2-아다만틸기, 비닐기, 알릴기, 이소프로페닐기, 2-부테닐기 등을 들 수 있다.
일반식 (1) 중의「치환기를 갖고 있어도 되는 탄소 원자수 1 내지 6 의 직사슬형 혹은 분기형의 알킬옥시기」또는「치환기를 갖고 있어도 되는 탄소 원자수 5 내지 10 의 시클로알킬옥시기」에 있어서의「탄소 원자수 1 내지 6 의 직사슬형 혹은 분기형의 알킬옥시기」또는「탄소 원자수 5 내지 10 의 시클로알킬옥시기」로는, 특별히 한정되지 않는데, 예를 들어, 메틸옥시기, 에틸옥시기, n-프로필옥시기, 이소프로필옥시기, n-부틸옥시기, tert-부틸옥시기, n-펜틸옥시기, n-헥실옥시기, 시클로펜틸옥시기, 시클로헥실옥시기, 시클로헵틸옥시기, 시클로옥틸옥시기, 1-아다만틸옥시기, 2-아다만틸옥시기 등을 들 수 있다.
일반식 (1) 중의「치환 혹은 무치환의 아릴옥시기」에 있어서의「아릴옥시기」로는, 특별히 한정되지 않는데, 예를 들어, 페닐옥시기, 비페닐릴옥시기, 터페닐릴옥시기, 나프티옥실기, 안트라세닐옥시기, 페난트레닐옥시기 등의 탄소수 6 내지 30 의 아릴옥시기를 들 수 있다.
일반식 (1) 중의「치환 방향족 탄화수소기」,「치환 방향족 복소 고리기」,「치환 축합 다고리 방향족기」,「치환 메틸렌기」,「치환기를 갖고 있어도 되는 탄소 원자수 1 내지 6 의 직사슬형 혹은 분기형의 알킬기」,「치환기를 갖고 있어도 되는 탄소 원자수 5 내지 10 의 시클로알킬기」,「치환기를 갖고 있어도 되는 탄소 원자수 2 내지 6 의 직사슬형 혹은 분기형의 알케닐기」,「치환기를 갖고 있어도 되는 탄소 원자수 1 내지 6 의 직사슬형 혹은 분기형의 알킬옥시기」, 또는「치환기를 갖고 있어도 되는 탄소 원자수 5 내지 10 의 시클로알킬옥시기」에 있어서의「치환기」로는, 특별히 한정되지 않는데, 예를 들어, 중수소 원자, 시아노기, 니트로기 ; 불소 원자, 염소 원자, 브롬 원자, 요오드 원자 등의 할로겐 원자 ; 트리메틸실릴기, 트리페닐실릴기 등의 실릴기 ; 메틸기, 에틸기, 프로필기 등의 탄소 원자수 1 내지 6 의 직사슬형 혹은 분기형의 알킬기 ; 메틸옥시기, 에틸옥시기, 프로필옥시기 등의 탄소 원자수 1 내지 6 의 직사슬형 혹은 분기형의 알킬옥시기 ; 비닐기, 알릴기 등의 알케닐기 ; 페닐옥시기, 톨릴옥시기 등의 아릴옥시기 ; 벤질옥시기, 페네틸옥시기 등의 아릴알킬옥시기 ; 페닐기, 비페닐릴기, 터페닐릴기, 나프틸기, 안트라세닐기, 페난트레닐기, 플루오레닐기, 스피로비플루오레닐기, 인데닐기, 피레닐기, 페릴레닐기, 플루오란테닐기, 트리페닐레닐기 등의 방향족 탄화수소기 혹은 축합 다고리 방향족기 ; 피리딜기, 티에닐기, 푸릴기, 피롤릴기, 퀴놀릴기, 이소퀴놀릴기, 벤조푸라닐기, 벤조티에닐기, 인돌릴기, 카르바졸릴기, 벤조옥사졸릴기, 벤조티아졸릴기, 퀴녹살리닐기, 벤조이미다졸릴기, 피라졸릴기, 디벤조푸라닐기, 디벤조티에닐기, 카르볼리닐기 등의 방향족 복소 고리기와 같은 기를 들 수 있고, 이들 치환기는, 추가로 상기 예시한 치환기로 치환되어 있어도 된다.
본 발명에 있어서는, 내열성 및 전하 이동도의 관점에서, 일반식 (1) 중의 L 이, 치환 혹은 무치환의 방향족 탄화수소기, 치환 혹은 무치환의 방향족 복소 고리기, 또는 치환 혹은 무치환의 축합 다고리 방향족기의 2 가기 (단, 피리미디닐렌기를 제외한다) 인 것이 바람직하고, 무치환의 방향족 탄화수소기인 것이 보다 바람직하며, 페닐기인 것이 특히 바람직하다.
또, 내열성 및 전하 이동도의 관점에서, 일반식 (1) 중의 R1 내지 R22 가, 수소 원자, 치환 혹은 무치환의 방향족 탄화수소기, 또는 치환 혹은 무치환의 방향족 복소 고리기인 것이 바람직하고, R1 ∼ R4, R6 ∼ R9, R12 ∼ R15, 및 R17 ∼ R20 이 수소 원자이며, R10, R11, R21 및 R22 가 무치환의 방향족 탄화수소기인 것이 보다 바람직하다. 또한, R1 내지 R22 는, 서로 동일하거나 상이해도 된다.
특히, 일반식 (1) 로 나타내는 화합물은, R10, R11, R21 및 R22 가 페닐기, 티에닐기, 또는 메틸기이고, R5 및 R16 이 수소 원자 또는 페닐기이며, R1 ∼ R4, R6 ∼ R9, R12 ∼ R15, 및 R17 ∼ R20 이 수소 원자이고, L 이 단결합, 페닐렌기, 비페닐렌기, 나프틸렌기, 티에닐렌기, 푸라닐렌기, 또는 벤조푸라닐렌기인 것이 바람직하다. 또한, R1 내지 R22 는, 서로 동일하거나 상이해도 된다.
일반식 (1) 로 나타내는, 인돌로카르바졸 고리를 갖는 화합물 중에서, 바람직한 화합물의 구체예를 이하에 나타내지만, 본 발명은 이들 화합물에 한정되는 것은 아니다.
Figure pat00003
상기 서술한 인돌로카르바졸 고리를 갖는 화합물은, 그 자체 공지된 방법으로 준하여 합성할 수 있다 (예를 들어 특허문헌 5).
이들 화합물의 정제는, 칼럼 크로마토그래피에 의한 정제, 실리카 겔, 활성탄, 활성 백토 등에 의한 흡착 정제, 용매에 의한 재결정이나 정석법 등에 의해서 행할 수 있다. 화합물의 동정은, NMR 분석에 의해서 행할 수 있다. 물성치로서, 유리 전이 온도 (Tg) 와 일함수의 측정을 행하는 것이 바람직하다. 유리 전이 온도 (Tg) 는 박막 상태의 안정성의 지표가 되는 것이고, 일함수는 정공 수송성의 지표가 되는 것이다.
상기 일반식 (1) 로 나타내는, 인돌로카르바졸 고리를 갖는 화합물은, 증착법, 스핀 코트법 및 잉크젯법 등의 공지된 방법에 의해서 유기 박막을 형성할 수 있다. 또, 상기 인돌로카르바졸 고리를 갖는 화합물은, 단독으로 성막해도 되지만, 복수 종을 혼합하여 성막할 수도 있다. 또한, 본 발명의 효과를 저해하지 않는 범위에서, 다른 화합물과 혼합하여 성막할 수도 있다.
상기 인돌로카르바졸 고리를 갖는 화합물을 함유하는 유기 박막은, 수광 소자, 특히 촬상 소자에 대한 사용에 적합하다. 수광 소자의 구성으로는, 예를 들어, 차례로 제 1 전극 (양극), 제 1 버퍼층, 광전 변환층, 제 2 전극 (음극) 을 갖고, 제 1 버퍼층이 상기 인돌로카르바졸 고리를 갖는 화합물을 함유하는 유기 박막인 구성을 들 수 있다. 이와 같은 다층 구조에 있어서는 층을 추가하는 것이 가능하고, 예를 들어, 차례로 제 1 전극, 제 1 버퍼층, 광전 변환층, 제 2 버퍼층, 제 2 전극을 갖는 구성으로 할 수도 있다. 또, 상기 인돌로카르바졸 고리를 갖는 화합물을 함유하는 유기 박막은, 광전 변환층에 사용할 수도 있다.
수광 소자에 있어서의 광전 변환층을 구성하는 재료는, 유기 재료여도 되고 무기 재료여도 되며, 수광된 광량에 따른 신호 전하를 발생시킬 수 있으면 된다. 광전 변환층이 유기 재료인 경우, 그 유기 반도체막은, 1 층이어도 되고 복수의 층이어도 되며, 1 층인 경우에는 p 형 유기 반도체막, n 형 유기 반도체막, 또는 p 형 유기 반도체 및 n 형 유기 반도체의 혼합막이 사용된다. 또 복수의 층인 경우에는, p 형 유기 반도체막, n 형 유기 반도체막, 또는 p 형 유기 반도체 및 n 형 유기 반도체 혼합막 중 어느 2 개 이상을 적층한 구조, 혹은 벌크 헤테로 구조이고, 층간에 버퍼층을 삽입하는 것도 가능하다.
수광 소자는, 소자에 포함되는 제 1 버퍼층에, 상기 인돌로카르바졸 고리를 갖는 화합물을 사용함으로써, 열의 부하에 대한 안정성을 얻을 수 있다. 또, 정공 이동도가 높은 점에서, 잔상 특성도 향상된다.
상기 광전 변환층에 사용되는 p 형 반도체는, 도너성의 유기 반도체이고, 주로 정공 수송성의 유기 화합물로 대표되는 전자를 공여하기 쉬운 성질이 있는 화합물이다. p 형 반도체로는, 특별히 한정되지 않는데, 예를 들어, 나프탈렌 유도체, 안트라센 유도체, 페난트렌 유도체, 피렌 유도체, 페릴렌 유도체, 테트라센 유도체, 펜타센 유도체, 퀴나크리돈 유도체, 크리센 유도체, 플루오란텐 유도체, 프탈로시아닌 유도체, 서브프탈로시아닌 유도체, 복소 고리 화합물을 배위자로 하는 금속 착물, 벤조티오펜 유도체, 디나프토티에노티오펜 유도체, 디안트라세노티에노티오펜 유도체, 벤조비스벤조티오펜 유도체, 티에노비스벤조티오펜, 디벤조티에노비스벤조티오펜 유도체, 디티에노벤조디티오펜 유도체, 디벤조티에노디티오펜 유도체, 벤조디티오펜 유도체, 나프토디티오펜 유도체, 안트라세노디티오펜 유도체, 테트라세노디티오펜 유도체, 펜타세노디티오펜 유도체로 대표되는 티에노아센계 재료, 트리아릴아민 화합물 및 카르바졸 화합물 등의 아민계 유도체, 인데노카르바졸 유도체 등을 들 수 있다.
상기 광전 변환층에 사용되는 n 형 유기 반도체는, 억셉터성 유기 반도체로서, 주로 전자 수송성 유기 화합물로 대표되는 전자를 수용하기 쉬운 성질이 있는 유기 화합물을 말한다. 더욱 상세하게는 2 개의 유기 화합물을 접촉시켰을 때, 전자 친화력이 큰 쪽의 유기 화합물을 말한다. 따라서, 억셉터성 유기 화합물은, 전자 수용성이 있는 유기 화합물이면 어느 유기 화합물도 사용 가능하다. 예를 들어, 축합 방향족 탄소 고리 화합물 (나프탈렌, 안트라센, 풀러렌, 페난트렌, 테트라센, 피렌, 페릴렌, 페릴렌디이미드, 플루오란텐, 또는 이것들의 유도체), 퀴나크리돈, 질소 원자, 산소 원자, 황 원자를 함유하는 5 내지 7 원의 헤테로 고리 화합물 (예를 들어 피리딘, 피라진, 피리미딘, 피리다진, 트리아진, 퀴놀린, 퀴녹살린, 퀴나졸린, 프탈라진, 신놀린, 이소퀴놀린, 프테리딘, 아크리딘, 페나진, 페난트롤린, 테트라졸, 피라졸, 이미다졸, 티아졸, 옥사졸, 인다졸, 벤즈이미다졸, 벤조트리아졸, 벤조옥사졸, 벤조티아졸, 카르바졸, 푸린, 트리아졸로피리다진, 트리아졸로피리미딘, 테트라자인덴, 옥사디아졸, 이미다조피리딘, 피랄디딘, 피롤로피리딘, 티아디아졸로피리딘, 디벤즈아제핀, 트리벤즈아제핀 등), 폴리아릴렌 화합물, 플루오렌 화합물, 시클로펜타디엔 화합물, 실릴 화합물, 함질소 헤테로 고리 화합물을 배위자로서 갖는 금속 착물 등을 들 수 있다. 또한, 이것에 한정되지 않고, 상기한 바와 같이, 도너성 유기 화합물로서 사용한 유기 화합물보다 전자 친화력이 큰 유기 화합물이면, 억셉터성 유기 반도체로서 사용해도 된다.
양극, 음극으로는, 일반적으로 전극으로서 사용되고 있는 도전 재료이면 특별히 제한 없이 사용할 수 있고, 예를 들어, 금속, 금속 산화물, 금속 질화물, 금속 붕화물, 유기 도전성 화합물, 및 이것들의 혼합물 등을 들 수 있다. 구체예로는, 산화주석, 산화아연, 산화인듐, 산화인듐주석 (ITO), 산화인듐아연 (IZO), 산화인듐텅스텐 (IWO), 산화몰리브덴 (MoO), 산화티탄 등의 도전성 금속 산화물 ; 산화질화티탄 (TiNxOx), 질화티탄 (TiN) 등의 금속 질화물 ; 금 (Au), 백금 (Pt), 은 (Ag), 크롬 (Cr), 니켈 (Ni), 알루미늄 (Al) 등의 금속 ; 또한 이들 금속과 도전성 금속 산화물의 혼합물 또는 적층물 ; 폴리아닐린, 폴리티오펜, 폴리피롤 등의 유기 도전성 화합물 ; 이들 유기 도전성 화합물과 ITO 의 적층물 등을 들 수 있다.
제 2 버퍼층이 제 2 전극 (음극) 과 광전 변환층 사이에 삽입되어도 되지만, 이것에 사용되는 재료로는, 일함수가 제 1 버퍼층에 사용되는 재료의 일함수보다 큰 재료가 바람직하다. 예를 들어, 피리딘, 퀴놀린, 아크리딘, 인돌, 이미다졸, 벤즈이미다졸, 페난트롤린과 같은 함질소 복소 고리를 함유하는 유기 화합물 및 유기 금속 착물 등을 들 수 있고, 가시광 영역의 흡수가 적은 재료가 바람직하다. 또, 5 ㎚ 내지 20 ㎚ 정도의 박막으로 형성하는 경우에는, 가시광 영역에 흡수를 갖는 풀러렌 및 그 유도체 등을 사용할 수도 있다.
[실시예]
이하, 본 발명의 실시형태에 대해서, 실시예에 의해서 구체적으로 설명하지만, 본 발명은 이하의 실시예에 한정되는 것은 아니다.
[실시예 1]
＜5,5'-비(11,12-디페닐인돌로[2,3-a]카르바졸) (화합물 1-1) 의 합성＞
반응 용기에 5-브로모-11,12-디페닐인돌로[2,3-a]카르바졸 3.71 g, 11,12-디페닐-5-(4,4,5,5-테트라메틸-[1,3,2]디옥사보란-2-일)-인돌로[2,3-a]카르바졸 4.49 g, 탄산칼륨 1.60 g, 톨루엔 70 mL, 물 11 mL, 에탄올 18 mL 를 반응 용기에 첨가하고, 탈기한 후, 테트라키스(트리페닐포스핀)팔라듐 0.189 g 을 첨가하여 가열하고, 환류 하에서 6 시간 교반하였다. 방랭 후, 염수 100 mL 를 첨가하여 분액하고, 유기층을 더욱 염수 100 mL 로 세정하였다. 유기층에 무수 황산마그네슘, 실리카 7.0 g, 활성 백토 7.0 g 을 첨가하고, 교반 후, 여과에 의해서 무기 성분을 제거하였다. 농축 후 얻어진 크루드에 테트라하이드로푸란 20 mL, 디이소프로필에테르 50 mL 를 첨가하여 정석하였다. 여과하여 얻어진 고체에 테트라하이드로푸란 및 디이소프로필에테르를 사용한 정석을 반복함으로써 5,5'-비(11,12-디페닐인돌로[2,3-a]카르바졸) 의 백색 분체 4.37 g (수율 64 ％) 을 얻었다.
얻어진 백색 분체에 대해서 NMR 을 사용하여 구조를 동정하였다.
1H-NMR (CDCl3) 50 ℃ 에서 이하의 38 개의 수소의 시그널을 검출하였다.
Figure pat00004
[실시예 2]
＜1,4-비스(11,12-디페닐인돌로[2,3-a]카르바졸-5-일)벤젠 (화합물 1-2) 의 합성＞
반응 용기에 5-브로모-11,12-디페닐인돌로[2,3-a]카르바졸 11.0 g, 벤젠-1,4-디보론산 1.80 g, 탄산칼륨 4.45 g, 1,4-디옥산 150 mL, 물 50 mL 를 반응 용기에 첨가하고, 탈기한 후, 테트라키스(트리페닐포스핀)팔라듐 0.625 g 을 첨가하여 가열하고, 환류 하에서 12.5 시간 교반하였다. 방랭 후, 메탄올 150 mL 를 추가하고, 석출된 고체를 여과에 의해서 모았다. 이 고체를 1,2-디클로로벤젠 100 mL 로 가열 용해시키고, 여기에 실리카 10 g, 활성 백토 10 g 을 첨가하여, 교반하였다. 30 분 교반 후, 열시 여과를 행하여, 무기 성분을 제거하였다. 여과액에 메탄올 200 mL 및 소량의 아세트산에틸을 첨가하고, 석출된 고체를 모았다. 이 고체에 1,2-디클로로벤젠 및 아세트산에틸을 사용한 정석을 반복함으로써 1,4-비스(11,12-디페닐인돌로[2,3-a]카르바졸-5-일)벤젠의 백색 분체 1.72 g (수율 18 ％) 을 얻었다.
얻어진 백색 분체에 대해서 NMR 을 사용하여 구조를 동정하였다.
1H-NMR (CDCl3) 60 ℃ 에서 이하의 42 개의 수소의 시그널을 검출하였다.
Figure pat00005
[실시예 3]
＜1,3-비스(11,12-디페닐인돌로[2,3-a]카르바졸-5-일)벤젠 (화합물 1-3) 의 합성＞
실시예 2 에 있어서, 벤젠-1,4-디보론산 대신에 벤젠-1,3-디보론산을 사용한 것 이외에는, 동일하게 조작을 행하여 1,3-비스(11,12-디페닐인돌로[2,3-a]카르바졸-5-일)벤젠의 백색 분체 1.96 g (수율 20 ％) 을 얻었다.
얻어진 백색 분체에 대해서 NMR 을 사용하여 구조를 동정하였다.
1H-NMR (CDCl3) 50 ℃ 에서 이하의 42 개의 수소의 시그널을 검출하였다.
Figure pat00006
[실시예 4]
＜유리 전이 온도의 측정＞
실시예 1 의 화합물 (1-1), 실시예 2 의 화합물 (1-2), 및 실시예 3 의 화합물 (1-3) 에 대해서, 고감도 시차 주사 열량계 (브루커·에이엑스에스 제조, DSC3100SA) 에 의해서 유리 전이 온도를 측정하였다. 또 높은 유리 전이 온도의 화합물인 하기 구조의 EBL-1 (특허문헌 1 을 참조), EBL-2 (특허문헌 3 을 참조) 에 대해서도 동일하게 하여 유리 전이 온도를 측정하였다. 측정한 유리 전이 온도의 결과를 표 1 에 정리하여 나타낸다.
Figure pat00007
Figure pat00008
Figure pat00009
화합물 (1-1) ∼ (1-3) 의 유리 전이 온도는 190 ℃ 이상으로 높아, 박막 상태가 안정되는 것을 나타내고 있다. 또 화합물 (1-1) ∼ (1-3) 의 유리 전이 온도는 EBL-1, EBL-2 와 비교해도 높아, EBL-1, EBL-2 대신에 화합물 (1-1) ∼ (1-3) 을 사용함으로써, 보다 열안정성이 우수한 소자가 제작 가능한 것을 나타내고 있다.
[실시예 5]
＜일함수의 측정＞
실시예 1 의 화합물 (1-1), 실시예 2 의 화합물 (1-2), 실시예 3 의 화합물 (1-3), 및 비교 화합물 (EBL-1), (EBL-2) 를 사용하여, ITO 기판 상에 막두께 100 ㎚ 의 증착막을 제작하고, 이온화 포텐셜 측정 장치 (스미토모 중기계 공업 주식회사, PYS-202) 에 의해서 일함수의 측정을 행하였다. 측정 결과를 표 2 에 정리하여 나타낸다.
Figure pat00010
화합물 (1-1) ∼ (1-3) 은, 바람직한 재료로 되어 있는 카르바졸 화합물 등의 정공 수송 재료가 갖는 일함수 5.3 ∼ 6.0 eV 와 비교하여, 바람직한 에너지 준위를 나타내고 있고, 양호한 정공 수송 능력을 갖고 있는 것을 알 수 있다. 또, 일함수의 조정도 용이하게 행할 수 있는 것을 알 수 있다.
[실시예 6]
＜홀 이동도의 측정＞
화합물 (1-1) ∼ (1-3) 및 비교 화합물 (EBL-1), (EBL-2) 를 사용하여, 진공 증착법에 의해서, ITO 부착 유리 기판 상에 측정 대상인 유기 화합물을 막두께 3 ∼ 4 ㎛ 로 성막하였다. 계속해서, 알루미늄을 막두께 100 ㎚ 정도로 성막함으로써, 홀 이동도 측정용의 소자를 제작하였다. 이 소자를, 수분이나 산소의 흡착에 의한 열화가 일어나지 않도록, 질소 분위기 중에서 유기 EL 용 수분 게터 시트를 첩부한 유리 캡으로 봉지하였다.
이 소자를 사용하여, 과도 (過渡) 광전류 측정 장치에 의해서 하기의 조건에서 홀 (정공) 이동도를 측정하였다. 측정 결과를 표 3 에 정리하여 나타낸다.
(측정 조건)
장치 : 타임 오브 플라이트 측정 장치 TOF―401 (옵텔사 제조)
여기 광원 : 질소 레이저 (337.1 ㎚)
광 펄스 폭 : 1 nsec 이하
측정 면적 : 0.04 ㎠
시료 온도 : 25 ℃
부하 저항 : 50 Ω
전계 강도 : 0.25 MV/㎝
Figure pat00011
화합물 (1-1) ∼ (1-3) 의 홀 이동도는, 2.9 × 10-5 ∼ 3.9 × 10-4 ㎠/Vs 였다. 이것은 특허문헌 3 에서 동일한 용도로 사용되고 있는 EBL-2 와 동등의 값으로서, 충분한 홀 이동도를 갖고 있다고 판단할 수 있다.
[실시예 7]
＜홀 온리 소자 (HOD) 의 평가＞
유리 기판 상에 투명 양극으로서 ITO 전극을 미리 형성한 것 위에, 정공 주입층으로서 산화몰리브덴을 50 ㎚ 가 되도록 진공 증착법으로 성막을 행하고, 그 정공 주입층 상에, 화합물 (1-1) ∼ (1-3), 및 비교 화합물 (EBL-1) 을 100 ㎚ 가 되도록 진공 증착법으로 성막하였다. 계속해서, 음극으로서 Al 을 100 ㎚ 증착함으로써 HOD 를 제작하였다.
제작된 HOD 에 대해서, 소스 미터 측정기 (키슬리 2635B, KEITHLEY 사 제조) 를 사용하여, -3 V 인가시의 리크 전류를 측정하였다. 또, 이들 HOD 를 질소 분위기 하의 글로브 박스 내에서 190 ℃ 의 핫 플레이트로 3 시간 가열한 후, 동일하게 하여 리크 전류를 측정하였다. 측정 결과를 표 4 에 정리하여 나타낸다.
Figure pat00012
이미지 센서는, 디바이스 제작시에 180 ∼ 190 ℃ 의 열에 노출되기 때문에, 이를 견뎌낼 수 있을 필요가 있다. 화합물 (1-1) ∼ (1-3) 은, 비교 화합물 (EBL-1), (EBL-2) 와 비교하여 -3 V 인가시의 리크 전류가 적다. 또 가열 후의 소자에 있어서도, 리크 전류의 상승이 억제되어 있다. 이것은 본 발명의 화합물이 양호한 정공 수송 능력을 갖고, 또한 높은 내열성을 갖는 것을 나타낸다.
즉, 본 발명의 화합물을 함유하는 유기 박막은, 우수한 내열성, 전하 수송성을 갖는 유기 박막으로서, 각종 광전 변환 소자, 특히 수광 소자에 적용할 수 있다.
[실시예 8]
＜수광 소자의 평가＞
수광 소자는, 도 1 에 나타내는 바와 같이, 유리 기판 (1) 상에 투명 양극 (2) 으로서 ITO 전극을 미리 형성한 것 위에, 제 1 버퍼층 (3), 광전 변환층 (4), 금속 음극 (5) 의 순으로 증착하여 제작하였다.
구체적으로는, 투명 양극 (2) 인 ITO 를 성막한 유리 기판 (1) 을 이소프로필알코올 중에서 초음파 세정을 20 분간 행한 후, 200 ℃ 로 가열한 핫 플레이트 상에서 10 분간 건조를 행하였다. 그 후, UV 오존 처리를 15 분간 행한 후, 이 ITO 부착 유리 기판을 진공 증착기 내에 장착하고, 0.0001 ㎩ 이하까지 감압하였다. 계속해서, 투명 양극 (2) 을 덮도록, 제 1 버퍼층 (3) 으로서, 실시예 1 의 화합물 (1-1) 을 막두께가 5 ㎚ 가 되도록 증착하였다. 이 제 1 버퍼층 (3) 상에, 광전 변환층 (4) 으로서, 하기 구조식의 p 형 반도체 (SubPC) 와 하기 구조식의 n 형 반도체 (C60) 를, 증착 속도비가 SubPC : C60 = 50 : 50 이 되는 증착 속도로 이원 증착하고, 막두께가 100 ㎚ 가 되도록 형성하였다. 이 광전 변환층 (4) 상에, 금속 음극 (5) 으로서 금을 막두께 100 ㎚ 가 되도록 형성하였다.
제작된 수광 소자의 평가 결과를 표 5 에 정리하여 나타내었다.
Figure pat00013
Figure pat00014
[실시예 9]
실시예 8 에 있어서, 제 1 버퍼층 (3) 의 재료로서, 화합물 (1-1) 대신에, 화합물 (1-2) 를 사용한 것 이외에는 동일하게 하여, 수광 소자를 제작하고, 전기 특성을 평가하였다. 측정 결과를 표 5 에 정리하여 나타내었다.
[실시예 10]
실시예 8 에 있어서, 제 1 버퍼층 (3) 의 재료로서, 화합물 (1-1) 대신에, 화합물 (1-3) 을 사용한 것 이외에는 동일하게 하여, 수광 소자를 제작하고, 전기 특성을 평가하였다. 측정 결과를 표 5 에 정리하여 나타내었다.
[비교예 1]
비교로서 실시예 8 에 있어서, 제 1 버퍼층 (3) 의 재료로서, 화합물 (1-1) 대신에, 상기 EBL-1 을 사용한 것 이외에는 동일하게 하여, 수광 소자를 제작하고, 전기 특성을 평가하였다. 측정 결과를 표 5 에 정리하여 나타내었다.
실시예 8 ∼ 10, 및 비교예 1 에서 제작한 유기 수광 소자의 분광 감도, 및 명전류에 대해서, 분광 감도 측정 장치를 사용하여, 하기 측정 조건에 의해서 측정하였다. 측정시의 특정 파장에 있어서의 방사 조도는, Si 포토 다이오드 (S1337-1010BQ, 하마마츠 포토닉스사 제조) 를 사용하여 교정하였다. 암전류에 대해서는, 수광 소자에 대한 분광 방사 조도를 제로로 하여, 동일한 바이어스 조건에서 전류치를 측정하였다.
(측정 조건)
장치 : 분광 감도 측정 장치 SM-250A (분코 계기사 제조)
광원 : 크세논 150 W
분광 방사 조도 : 2.0 ㎽/㎠ (550 ㎚)
유효 조사 면적 : 10×10 ㎜
수광 면적 : 0.04 ㎠
면내 불균일성 : ±5 ％ 이내
소스 미터 : 키슬리 2635B (KEITHLEY 사 제조)
인가 바이어스 : -1 ∼ -3 V
Figure pat00015
표 5 에 나타내는 바와 같이, -3 V 인가시에 있어서의 암전류는, 비교예 1 의 소자의 -5.4 × 10-7 A/㎠ 에 대해서, 실시예 8 ∼ 10 의 소자에서는 -6.5 × 10-9 ∼ -1.2 × 10-8 A/㎠ 로, 1 자릿수 이상 낮은 값으로 되어 있다. 또 -3 V 인가시의 변환 효율 EQE 에 있어서도, 비교예 1 의 소자의 58 ％ 에 대해서, 실시예 8 ∼ 10 에서는 63 ∼ 66 ％ 로 향상되어 있다. 소자에 있어서의 -1 V 및 -2 V 의 바이어스 인가시에도, 실시예 8 ∼ 10 의 소자는 비교예 1 의 소자와 비교하여, 낮은 암전류와 높은 변환 효율 EQE 가 나타내어져 있다. 이 점은, 본 발명의 화합물의 높은 전자 블로킹성과 양호한 홀 수송성에 의해서, 수광 소자의 암전류 특성과 변환 효율을 대폭 개선할 수 있는 것을 나타낸다.
이상의 결과로부터 명확한 바와 같이, 본 발명의 화합물은, 유기 광전 변환 소자의 블로킹층에 필요한 HOMO 치, 높은 내열성, 충분한 고이동도를 갖고 있고, 특히 수광 소자용 재료로서 바람직하게 사용할 수 있다.
본 발명에 의해서 제공되는, 내열성이 높고, 전하 이동도가 양호한 유기 박막은, 각종 광전 변환 소자에 적용할 수 있기 때문에, 양호한 암전류 특성과 변환 효율을 갖는 수광 소자, 특히 촬상 소자, 및 이것을 사용하는 광 센서를 제공할 수 있다. 또, 우수한 전하 수송성을 갖는 점에서, 광 센서뿐만 아니라, 유기 태양 전지, 유기 발광 다이오드, 유기 트랜지스터 등의 유기 디바이스 등도 제공할 수 있다.

Claims (8)

  1. 하기 일반식 (1) 로 나타내는, 인돌로카르바졸 고리를 갖는 화합물.
    Figure pat00016

    (식 중,
    L 은, 단결합, 치환 혹은 무치환의 방향족 탄화수소기, 치환 혹은 무치환의 방향족 복소 고리기, 또는 치환 혹은 무치환의 축합 다고리 방향족기의 2 가기를 나타내고,
    R1 ∼ R9, R12 ∼ R20 은, 서로 동일해도 되고 상이해도 되며, 수소 원자, 중수소 원자, 불소 원자, 염소 원자, 시아노기, 니트로기, 치환기를 갖고 있어도 되는 탄소 원자수 1 내지 6 의 직사슬형 혹은 분기형의 알킬기, 치환기를 갖고 있어도 되는 탄소 원자수 5 내지 10 의 시클로알킬기, 치환기를 갖고 있어도 되는 탄소 원자수 2 내지 6 의 직사슬형 혹은 분기형의 알케닐기, 치환기를 갖고 있어도 되는 탄소 원자수 1 내지 6 의 직사슬형 혹은 분기형의 알킬옥시기, 치환기를 갖고 있어도 되는 탄소 원자수 5 내지 10 의 시클로알킬옥시기, 치환 혹은 무치환의 방향족 탄화수소기, 치환 혹은 무치환의 방향족 복소 고리기, 치환 혹은 무치환의 축합 다고리 방향족기 또는 치환 혹은 무치환의 아릴옥시기이고, 단결합, 치환 혹은 무치환의 메틸렌기, 산소 원자 또는 황 원자를 개재하여 서로 결합하여 고리를 형성해도 되고,
    R10, R11, R21, 및 R22 는, 서로 동일해도 되고 상이해도 되며, 치환기를 갖고 있어도 되는 탄소 원자수 1 내지 6 의 직사슬형 혹은 분기형의 알킬기, 치환기를 갖고 있어도 되는 탄소 원자수 5 내지 10 의 시클로알킬기, 치환기를 갖고 있어도 되는 탄소 원자수 2 내지 6 의 직사슬형 혹은 분기형의 알케닐기, 치환기를 갖고 있어도 되는 탄소 원자수 1 내지 6 의 직사슬형 혹은 분기형의 알킬옥시기, 치환기를 갖고 있어도 되는 탄소 원자수 5 내지 10 의 시클로알킬옥시기, 치환 혹은 무치환의 방향족 탄화수소기, 치환 혹은 무치환의 방향족 복소 고리기, 치환 혹은 무치환의 축합 다고리 방향족기 또는 치환 혹은 무치환의 아릴옥시기이고, R10 과 R11, R21 과 R22 는 서로 단결합, 치환 혹은 무치환의 메틸렌기, 산소 원자 또는 황 원자를 개재하여 결합하여 고리를 형성해도 된다.)
  2. 제 1 항에 기재된 화합물로 이루어지는 수광 소자용 재료.
  3. 제 2 항에 기재된 수광 소자용 재료를 포함하는, 유기 박막.
  4. 제 3 항에 기재된 유기 박막을 포함하는, 수광 소자.
  5. 제 3 항에 기재된 유기 박막을 블로킹층으로서 포함하는, 수광 소자.
  6. 제 3 항에 기재된 유기 박막을 광전 변환층으로서 포함하는, 수광 소자.
  7. 제 4 항 내지 제 6 항 중 어느 한 항에 기재된 수광 소자를 포함하는, 촬상 소자.
  8. 제 1 항에 있어서,
    상기 일반식 (1) 중의 L 이, 치환 혹은 무치환의 방향족 탄화수소기, 치환 혹은 무치환의 방향족 복소 고리기, 또는 치환 혹은 무치환의 축합 다고리 방향족기의 2 가기 (단, 피리미디닐렌기를 제외한다) 인, 화합물.
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