JP2018006851A - 弾性波デバイスの製造方法及び弾性波デバイス - Google Patents

弾性波デバイスの製造方法及び弾性波デバイス Download PDF

Info

Publication number
JP2018006851A
JP2018006851A JP2016127527A JP2016127527A JP2018006851A JP 2018006851 A JP2018006851 A JP 2018006851A JP 2016127527 A JP2016127527 A JP 2016127527A JP 2016127527 A JP2016127527 A JP 2016127527A JP 2018006851 A JP2018006851 A JP 2018006851A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
dielectric film
wiring layer
comb
film
piezoelectric substrate
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
JP2016127527A
Other languages
English (en)
Other versions
JP6556103B2 (ja
Inventor
中村　健太郎
Kentaro Nakamura
中村　　健太郎
史弥 松倉
Fumiya Matsukura
史弥 松倉
高橋　直樹
Naoki Takahashi
直樹 高橋
松田　隆志
Takashi Matsuda
隆志 松田
宮下　勉
Tsutomu Miyashita
勉 宮下
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Taiyo Yuden Co Ltd
Original Assignee
Taiyo Yuden Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Taiyo Yuden Co Ltd filed Critical Taiyo Yuden Co Ltd
Priority to JP2016127527A priority Critical patent/JP6556103B2/ja
Priority to US15/615,012 priority patent/US10763813B2/en
Priority to CN201710499132.7A priority patent/CN107547060B/zh
Publication of JP2018006851A publication Critical patent/JP2018006851A/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP6556103B2 publication Critical patent/JP6556103B2/ja
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Classifications

    • G—PHYSICS
    • G01—MEASURING; TESTING
    • G01L—MEASURING FORCE, STRESS, TORQUE, WORK, MECHANICAL POWER, MECHANICAL EFFICIENCY, OR FLUID PRESSURE
    • G01L9/00—Measuring steady of quasi-steady pressure of fluid or fluent solid material by electric or magnetic pressure-sensitive elements; Transmitting or indicating the displacement of mechanical pressure-sensitive elements, used to measure the steady or quasi-steady pressure of a fluid or fluent solid material, by electric or magnetic means
    • G01L9/0001—Transmitting or indicating the displacement of elastically deformable gauges by electric, electro-mechanical, magnetic or electro-magnetic means
    • G01L9/0008—Transmitting or indicating the displacement of elastically deformable gauges by electric, electro-mechanical, magnetic or electro-magnetic means using vibrations
    • G01L9/0022—Transmitting or indicating the displacement of elastically deformable gauges by electric, electro-mechanical, magnetic or electro-magnetic means using vibrations of a piezoelectric element
    • G01L9/0025—Transmitting or indicating the displacement of elastically deformable gauges by electric, electro-mechanical, magnetic or electro-magnetic means using vibrations of a piezoelectric element with acoustic surface waves
    • H—ELECTRICITY
    • H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
    • H03H3/00—Apparatus or processes specially adapted for the manufacture of impedance networks, resonating circuits, resonators
    • H03H3/007—Apparatus or processes specially adapted for the manufacture of impedance networks, resonating circuits, resonators for the manufacture of electromechanical resonators or networks
    • H03H3/08—Apparatus or processes specially adapted for the manufacture of impedance networks, resonating circuits, resonators for the manufacture of electromechanical resonators or networks for the manufacture of resonators or networks using surface acoustic waves
    • G—PHYSICS
    • G01—MEASURING; TESTING
    • G01L—MEASURING FORCE, STRESS, TORQUE, WORK, MECHANICAL POWER, MECHANICAL EFFICIENCY, OR FLUID PRESSURE
    • G01L1/00—Measuring force or stress, in general
    • G01L1/16—Measuring force or stress, in general using properties of piezoelectric devices
    • G01L1/162—Measuring force or stress, in general using properties of piezoelectric devices using piezoelectric resonators
    • G01L1/165—Measuring force or stress, in general using properties of piezoelectric devices using piezoelectric resonators with acoustic surface waves
    • H—ELECTRICITY
    • H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
    • H03H3/00—Apparatus or processes specially adapted for the manufacture of impedance networks, resonating circuits, resonators
    • H03H3/007—Apparatus or processes specially adapted for the manufacture of impedance networks, resonating circuits, resonators for the manufacture of electromechanical resonators or networks
    • H03H3/0072—Apparatus or processes specially adapted for the manufacture of impedance networks, resonating circuits, resonators for the manufacture of electromechanical resonators or networks of microelectro-mechanical resonators or networks
    • H—ELECTRICITY
    • H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
    • H03H3/00—Apparatus or processes specially adapted for the manufacture of impedance networks, resonating circuits, resonators
    • H03H3/007—Apparatus or processes specially adapted for the manufacture of impedance networks, resonating circuits, resonators for the manufacture of electromechanical resonators or networks
    • H03H3/02—Apparatus or processes specially adapted for the manufacture of impedance networks, resonating circuits, resonators for the manufacture of electromechanical resonators or networks for the manufacture of piezoelectric or electrostrictive resonators or networks
    • H—ELECTRICITY
    • H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
    • H03H9/00—Networks comprising electromechanical or electro-acoustic devices; Electromechanical resonators
    • H03H9/02—Details
    • H03H9/02535—Details of surface acoustic wave devices
    • H03H9/02543—Characteristics of substrate, e.g. cutting angles
    • H—ELECTRICITY
    • H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
    • H03H9/00—Networks comprising electromechanical or electro-acoustic devices; Electromechanical resonators
    • H03H9/02—Details
    • H03H9/02535—Details of surface acoustic wave devices
    • H03H9/02818—Means for compensation or elimination of undesirable effects
    • H03H9/02834—Means for compensation or elimination of undesirable effects of temperature influence
    • H—ELECTRICITY
    • H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
    • H03H9/00—Networks comprising electromechanical or electro-acoustic devices; Electromechanical resonators
    • H03H9/02—Details
    • H03H9/02535—Details of surface acoustic wave devices
    • H03H9/02818—Means for compensation or elimination of undesirable effects
    • H03H9/02842—Means for compensation or elimination of undesirable effects of reflections
    • H—ELECTRICITY
    • H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
    • H03H9/00—Networks comprising electromechanical or electro-acoustic devices; Electromechanical resonators
    • H03H9/02—Details
    • H03H9/125—Driving means, e.g. electrodes, coils
    • H03H9/145—Driving means, e.g. electrodes, coils for networks using surface acoustic waves
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10N—ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10N30/00—Piezoelectric or electrostrictive devices
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10N—ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10N30/00—Piezoelectric or electrostrictive devices
    • H10N30/01—Manufacture or treatment
    • H10N30/06—Forming electrodes or interconnections, e.g. leads or terminals
    • H—ELECTRICITY
    • H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
    • H03H3/00—Apparatus or processes specially adapted for the manufacture of impedance networks, resonating circuits, resonators
    • H03H3/007—Apparatus or processes specially adapted for the manufacture of impedance networks, resonating circuits, resonators for the manufacture of electromechanical resonators or networks
    • H03H3/02—Apparatus or processes specially adapted for the manufacture of impedance networks, resonating circuits, resonators for the manufacture of electromechanical resonators or networks for the manufacture of piezoelectric or electrostrictive resonators or networks
    • H03H2003/023—Apparatus or processes specially adapted for the manufacture of impedance networks, resonating circuits, resonators for the manufacture of electromechanical resonators or networks for the manufacture of piezoelectric or electrostrictive resonators or networks the resonators or networks being of the membrane type
    • H—ELECTRICITY
    • H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
    • H03H3/00—Apparatus or processes specially adapted for the manufacture of impedance networks, resonating circuits, resonators
    • H03H3/007—Apparatus or processes specially adapted for the manufacture of impedance networks, resonating circuits, resonators for the manufacture of electromechanical resonators or networks
    • H03H3/02—Apparatus or processes specially adapted for the manufacture of impedance networks, resonating circuits, resonators for the manufacture of electromechanical resonators or networks for the manufacture of piezoelectric or electrostrictive resonators or networks
    • H03H2003/025—Apparatus or processes specially adapted for the manufacture of impedance networks, resonating circuits, resonators for the manufacture of electromechanical resonators or networks for the manufacture of piezoelectric or electrostrictive resonators or networks the resonators or networks comprising an acoustic mirror
    • H—ELECTRICITY
    • H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
    • H03H3/00—Apparatus or processes specially adapted for the manufacture of impedance networks, resonating circuits, resonators
    • H03H3/007—Apparatus or processes specially adapted for the manufacture of impedance networks, resonating circuits, resonators for the manufacture of electromechanical resonators or networks
    • H03H3/02—Apparatus or processes specially adapted for the manufacture of impedance networks, resonating circuits, resonators for the manufacture of electromechanical resonators or networks for the manufacture of piezoelectric or electrostrictive resonators or networks
    • H03H2003/027—Apparatus or processes specially adapted for the manufacture of impedance networks, resonating circuits, resonators for the manufacture of electromechanical resonators or networks for the manufacture of piezoelectric or electrostrictive resonators or networks the resonators or networks being of the microelectro-mechanical [MEMS] type
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10B—ELECTRONIC MEMORY DEVICES
    • H10B12/00—Dynamic random access memory [DRAM] devices
    • H10B12/01—Manufacture or treatment
    • H10B12/02—Manufacture or treatment for one transistor one-capacitor [1T-1C] memory cells
    • H10B12/03—Making the capacitor or connections thereto
    • H10B12/033—Making the capacitor or connections thereto the capacitor extending over the transistor
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
    • Y10T29/00—Metal working
    • Y10T29/42—Piezoelectric device making
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
    • Y10T29/00—Metal working
    • Y10T29/49—Method of mechanical manufacture
    • Y10T29/49002—Electrical device making
    • Y10T29/49005—Acoustic transducer

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Acoustics & Sound (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Surface Acoustic Wave Elements And Circuit Networks Thereof (AREA)

Abstract

【課題】配線層へのダメージを抑制すること。
【解決手段】圧電基板１０上に、櫛型電極２６と櫛型電極２６に接続された配線層１４とを形成する工程と、圧電基板１０上に、櫛型電極２６及び配線層１４よりも厚い膜厚で櫛型電極２６と配線層１４とを覆う、他の元素がドープ又は非ドープの酸化シリコンからなる誘電体膜１２を形成する工程と、誘電体膜１２上に、配線層１４上に開口５１を有する誘電体膜５０を形成する工程と、配線層１４の端面と櫛型電極２６とを覆って誘電体膜１２が残存するように、誘電体膜５０の開口５１で露出した誘電体膜１２を、誘電体膜５０のエッチングレートが誘電体膜１２よりも遅くなるようなエッチング液を用いたウエットエッチングで除去する工程と、を備える弾性波デバイスの製造方法。
【選択図】図８

Description

本発明は、弾性波デバイスの製造方法及び弾性波デバイスに関する。
圧電基板上に設けられた櫛型電極を覆って所定形状の保護膜を設けることで、弾性波デバイスの温度特性及び電気的特性を良好にできることが知られている（例えば、特許文献１）。また、櫛型電極を覆う保護膜上に周波数調整膜が設けられた弾性波デバイスが知られている（例えば、特許文献２）。
特開２００９−２０１１６８号公報 特開２０１３−１４５９３０号公報
温度特性改善のために櫛型電極を覆って酸化シリコンからなる誘電体膜を設ける場合、櫛型電極と外部との電気的な接続を確保するために誘電体膜の一部を除去することが行われる。ドライエッチングによって誘電体膜を除去する場合、誘電体膜が比較的厚いためにエッチング時間が長くなると共に、複数のウエハを一括処理することが難しいことなどから、製造コストが増大してしまう。このため、ウエットエッチングによって誘電体膜を除去することが望まれるが、この場合、櫛型電極に接続される配線層がエッチング液に曝されることでダメージを受け、歩留まりが低下する場合がある。
本発明は、上記課題に鑑みなされたものであり、配線層へのダメージを抑制することを目的とする。
本発明は、圧電基板上に、櫛型電極と前記櫛型電極に接続された配線層とを形成する工程と、前記圧電基板上に、前記櫛型電極及び前記配線層よりも厚い膜厚で前記櫛型電極と前記配線層とを覆う、他の元素がドープ又は非ドープの酸化シリコンからなる第１誘電体膜を形成する工程と、前記第１誘電体膜上に、前記配線層上に開口を有する第２誘電体膜を形成する工程と、前記配線層の端面と前記櫛型電極とを覆って前記第１誘電体膜が残存するように、前記第２誘電体膜の前記開口で露出した前記第１誘電体膜を、前記第２誘電体膜のエッチングレートが前記第１誘電体膜よりも遅くなるようなエッチング液を用いたウエットエッチングで除去する工程と、を備える弾性波デバイスの製造方法である。
本発明は、圧電基板上に、櫛型電極と前記櫛型電極に接続された配線層とを形成する工程と、前記圧電基板上に、前記櫛型電極及び前記配線層よりも厚い膜厚で前記櫛型電極と前記配線層とを覆う、他の元素がドープ又は非ドープの酸化シリコンからなる第１誘電体膜を形成する工程と、前記第１誘電体膜上に、酸化タンタル、酸化ニオブ、酸化タングステン、酸化チタン、酸化テルル、酸化アルミニウム、窒化シリコン、窒化アルミニウム、及び炭化シリコンのうちの少なくとも１種を含み、前記配線層上に開口を有する第２誘電体膜を形成する工程と、前記配線層の端面と前記櫛型電極とを覆って前記第１誘電体膜が残存するように、前記第２誘電体膜の前記開口で露出した前記第１誘電体膜を、フッ酸系エッチング液を用いたウエットエッチングで除去する工程と、を備える弾性波デバイスの製造方法である。
上記構成において、前記第２誘電体膜を形成する工程は、前記配線層上及び前記櫛型電極と前記配線層とが形成されていない領域上に前記開口を有する前記第２誘電体膜を形成し、前記第１誘電体膜を除去する工程は、前記第１誘電体膜が前記配線層の端面を覆い且つ前記配線層の端面に沿って残存するように、前記第２誘電体膜の前記開口で露出した前記第１誘電体膜を除去する構成とすることができる。
上記構成において、前記第１誘電体膜を除去する工程は、前記櫛型電極及び前記配線層が形成されていない領域に前記第１誘電体膜が突起部として残存するように、前記第１誘電体膜を除去する構成とすることができる。
上記構成において、前記第２誘電体膜を形成する工程は、前記第１誘電体膜を除去することで形成される開口の周囲における厚さが他の部分よりも厚い厚膜部を有する前記第２誘電体膜を形成する構成とすることができる。
上記構成において、前記第２誘電体膜を形成する工程は、前記第２誘電体膜に対してドライエッチングを行うことで側壁に残渣物が付着した前記厚膜部を有する前記第２誘電体膜を形成する構成とすることができる。
本発明は、圧電基板と、前記圧電基板上に設けられた櫛型電極と、前記圧電基板上に設けられ、前記櫛型電極に接続された配線層と、前記圧電基板上に設けられ、前記櫛型電極と前記配線層の端面とを覆い且つ前記配線層を露出する開口を有し、前記櫛型電極及び前記配線層よりも厚い膜厚を有する、他の元素がドープ又は非ドープの酸化シリコンからなる第１誘電体膜と、前記第１誘電体膜上に設けられ、フッ酸系エッチング液を用いたウエットエッチングにおけるエッチングレートが前記第１誘電体膜よりも遅い第２誘電体膜と、を備える弾性波デバイスである。
本発明は、圧電基板と、前記圧電基板上に設けられた櫛型電極と、前記圧電基板上に設けられ、前記櫛型電極に接続された配線層と、前記圧電基板上に設けられ、前記櫛型電極と前記配線層の端面とを覆い且つ前記配線層を露出する開口を有し、前記櫛型電極及び前記配線層よりも厚い膜厚を有する、他の元素がドープ又は非ドープの酸化シリコンからなる第１誘電体膜と、前記第１誘電体膜上に設けられ、酸化タンタル、酸化ニオブ、酸化タングステン、酸化チタン、酸化テルル、酸化アルミニウム、窒化シリコン、窒化アルミニウム、及び炭化シリコンのうちの少なくとも１種を含む第２誘電体膜と、を備える弾性波デバイスである。
本発明によれば、配線層へのダメージを抑制することができる。
図１（ａ）は、実施例１に係る弾性波共振器の平面図、図１（ｂ）は、図１（ａ）のＡ−Ａ間の断面図である。 図２（ａ）から図２（ｄ）は、実施例１に係る弾性波共振器の製造方法を示す断面図である。 図３（ａ）は、比較例１に係る弾性波共振器の平面図、図３（ｂ）は、図３（ａ）のＡ−Ａ間の断面図である。 図４（ａ）は、実施例１の変形例１に係る弾性波共振器の平面図、図４（ｂ）は、図４（ａ）のＡ−Ａ間の断面図である。 図５（ａ）は、実施例１の弾性波共振器を用いたラダー型フィルタの平面図、図５（ｂ）は、実施例１の変形例１の弾性波共振器を用いたラダー型フィルタの平面図、図５（ｃ）は、比較例１の弾性波共振器を用いたラダー型フィルタの平面図である。 図６（ａ）及び図６（ｂ）は、実施例１の弾性波共振器で生じる恐れのある課題を説明するための断面図である。 図７（ａ）は、実施例２に係る弾性波共振器の平面図、図７（ｂ）は、図７（ａ）のＡ−Ａ間の断面図である。 図８（ａ）から図８（ｄ）は、実施例２に係る弾性波共振器の製造方法を示す断面図である。 図９（ａ）から図９（ｅ）は、誘電体膜の側面形状を詳細に表した断面図である。 図１０（ａ）は、実施例２の変形例１に係る弾性波共振器の平面図、図１０（ｂ）は、図１０（ａ）のＡ−Ａ間の断面図である。 図１１（ａ）は、実施例２の弾性波共振器を用いたラダー型フィルタの平面図、図１１（ｂ）は、実施例２の変形例１の弾性波共振器を用いたラダー型フィルタの平面図である。 図１２（ａ）は、実施例３に係るラダー型フィルタの平面図、図１２（ｂ）は、実施例３の変形例１に係るラダー型フィルタの平面図である。 図１３（ａ）から図１３（ｄ）は、実施例３及び実施例３の変形例１に係るラダー型フィルタの製造方法を示す断面図である。 図１４（ａ）は、実施例４に係る弾性波共振器の平面図、図１４（ｂ）は、図１４（ａ）のＡ−Ａ間の断面図である。 図１５（ａ）から図１５（ｄ）は、実施例４に係る弾性波共振器の製造方法を示す断面図である。
以下、図面を参照して、本発明の実施例について説明する。
図１（ａ）は、実施例１に係る弾性波共振器の平面図、図１（ｂ）は、図１（ａ）のＡ−Ａ間の断面図である。図１（ａ）及び図１（ｂ）のように、実施例１の弾性波共振器１００は、圧電基板１０上に、１対の櫛型電極２６からなるＩＤＴ２０と、ＩＤＴ２０の両側に配置された反射器２８と、が設けられている。圧電基板１０として、例えば回転ＹカットＸ伝搬ニオブ酸リチウム（ＬＮ）基板や回転ＹカットＸ伝搬タンタル酸リチウム（ＬＴ）基板などを用いることができる。カット角は所望の特性などに応じて適宜設定することができ、一例として１２８°回転ＹカットＸ伝搬ＬＮ基板や４２°回転ＹカットＸ伝搬ＬＴ基板を用いることができる。
櫛型電極２６は、複数の電極指２２と、複数の電極指２２が接続されるバスバー２４と、を備える。１対の櫛型電極２６は、電極指２２がほぼ互い違いとなるように、対向して設けられている。電極指２２が励振する弾性表面波は、主に電極指２２の配列方向に伝搬する。電極指２２の周期がほぼ弾性表面波の波長λとなる。圧電基板１０として回転ＹカットＸ伝搬ＬＮ基板や回転ＹカットＸ伝搬ＬＴ基板を用いた場合、圧電基板１０の結晶方位のＸ軸方向に弾性表面波は伝搬する。
圧電基板１０上に、バスバー２４に接続された配線層１４が設けられている。櫛型電極２６、反射器２８、及び配線層１４は、同じ厚さを有し且つ同じ材料で形成されている。例えば、櫛型電極２６、反射器２８、及び配線層１４は、圧電基板１０側からチタン（Ｔｉ）層３０、銅（Ｃｕ）層３２、クロム（Ｃｒ）層３４が順に積層された積層膜である。
圧電基板１０上に、櫛型電極２６、反射器２８、及び配線層１４を覆う誘電体膜１２が設けられている。誘電体膜１２は配線層１４を露出する開口を有するが、配線層１４の端面を含む端部は誘電体膜１２で覆われている。櫛型電極２６及び反射器２８の端面も誘電体膜１２で覆われている。誘電体膜１２は、例えば二酸化シリコン（ＳｉＯ２）膜からなり、櫛型電極２６よりも厚い膜厚を有する。誘電体膜１２の膜厚は、例えば０．２λ〜０．５λ程度であり、例えば８００ｎｍ〜２０００ｎｍ程度である。櫛型電極２６を覆って誘電体膜１２が設けられていることで、温度特性を改善することができる。
誘電体膜１２と、櫛型電極２６、反射器２８、及び配線層１４と、の間に、櫛型電極２６、反射器２８、及び配線層１４を覆う保護膜１６が設けられている。保護膜１６は、櫛型電極２６などに含まれる金属が誘電体膜１２に拡散することを抑制するために設けられている。保護膜１６は、例えば窒化シリコン（ＳｉＮ）膜からなり、櫛型電極２６より薄い膜厚を有する。
誘電体膜１２の開口に埋め込まれて配線層１４に接し、バスバー２４上における誘電体膜１２上に延在したパッド電極１８が設けられている。パッド電極１８をバスバー２４と重なるほど櫛型電極２６の近くに設けることで、配線層１４を短くでき、配線抵抗を低減させることができる。例えば、パッド電極１８は、圧電基板１０側からＴｉ層３６と金（Ａｕ）層３８とが順に積層された積層膜である。
図２（ａ）から図２（ｄ）は、実施例１に係る弾性波共振器の製造方法を示す断面図である。図２（ａ）のように、圧電基板１０上に、例えば蒸着法などを用いて、Ｔｉ層３０、Ｃｕ層３２、Ｃｒ層３４をこの順に成膜する。その後、フォトリソグラフィ技術及びリフトオフ法を用いてＴｉ層３０、Ｃｕ層３２、Ｃｒ層３４を所望の形状とすることで、電極指２２及びバスバー２４を備える１対の櫛型電極２６からなるＩＤＴ２０と、反射器２８と、バスバー２４に接続する配線層１４と、を形成する。すなわち、櫛型電極２６、反射器２８、及び配線層１４は同時に形成される。その後、圧電基板１０上に、櫛型電極２６、反射器２８、及び配線層１４を覆う、櫛型電極２６などよりも薄い保護膜１６を形成する。
図２（ｂ）のように、圧電基板１０上に、櫛型電極２６、反射器２８、及び配線層１４を覆う、櫛型電極２６などよりも厚い誘電体膜１２を形成する。誘電体膜１２は、例えばスパッタリング法又は化学気相成長法（ＣＶＤ法）を用いて成膜した後、エッチバックなどによって平坦化処理を行うことで形成する。その後、誘電体膜１２上に、開口４１を有するレジスト膜４０を形成する。開口４１は、配線層１４上に位置している。
図２（ｃ）のように、配線層１４の端面と櫛型電極２６とを覆って誘電体膜１２が残存するように、レジスト膜４０の開口４１で露出した誘電体膜１２を、フッ酸系エッチング液（フッ酸を含むエッチング液）を用いたウエットエッチングによって除去する。これにより、誘電体膜１２に、配線層１４が露出する開口１３が形成される。誘電体膜１２のウエットエッチングには、例えばバッファードフッ酸を用いることができる。誘電体膜１２は疎水性を示し、レジスト膜４０は親水性を示すことから、誘電体膜１２とレジスト膜４０とは密着性があまり良くない。このため、誘電体膜１２とレジスト膜４０との界面にエッチング液が浸入することが生じる。これにより、誘電体膜１２の上側部分はエッチングが進行し易くなり、開口１３における誘電体膜１２の側面はテーパ角θが小さいテーパ形状となる。例えば、厚さが１μｍ程度の誘電体膜１２をバッファードフッ酸によってエッチングした場合、誘電体膜１２の側面のテーパ角θは１７°程度となる。
図２（ｄ）のように、レジスト膜４０を除去した後、誘電体膜１２の開口１３に埋め込まれるように、例えば蒸着法及びリフトオフ法を用いて、所望の形状をしたＴｉ層３６とＡｕ層３８を形成する。これにより、誘電体膜１２の開口１３に埋め込まれて配線層１４に接するパッド電極１８が形成される。
ここで、実施例１の弾性波共振器の効果を説明するにあたり、比較例１の弾性波共振器について説明する。図３（ａ）は、比較例１に係る弾性波共振器の平面図、図３（ｂ）は、図３（ａ）のＡ−Ａ間の断面図である。図３（ａ）及び図３（ｂ）のように、比較例１の弾性波共振器１０００では、誘電体膜１２が櫛型電極２６上及び反射器２８上にのみ設けられていて、配線層１４が形成された領域には設けられていない。その他の構成は、実施例１と同じであるため説明を省略する。
比較例１の弾性波共振器１０００は、実施例１の弾性波共振器１００の製造方法における図２（ｃ）の工程で、櫛型電極２６上及び反射器２８上以外の全ての誘電体膜１２を、フッ酸系エッチング液を用いたウエットエッチングで除去する以外は、実施例１と同じ方法によって製造することができる。
比較例１では、ウエットエッチングによって誘電体膜１２を除去する際、配線層１４の端面１５がエッチング液に曝されることになり、配線層１４がダメージを受けて、歩留まりが低下することが生じる。例えば、配線層１４を構成するＴｉ層３０がエッチング液によってエッチングされる場合があり、この場合、パッド電極１８上にバンプを形成する際に配線層１４が圧電基板１０から剥がれることがある。なお、櫛型電極２６及び反射器２８の端面がエッチング液に曝される場合には、櫛型電極２６及び反射器２８もダメージを受けることになる。
一方、実施例１では、図２（ｃ）のように、配線層１４の端面と櫛型電極２６とを覆って誘電体膜１２が残存するように、レジスト膜４０の開口４１で露出した誘電体膜１２をウエットエッチングで除去する。これにより、櫛型電極２６が誘電体膜１２で覆われて温度特性が改善された弾性波デバイスにおいて、配線層１４の端面がエッチング液に曝されることが抑制され、配線層１４へのダメージを抑制することができる。
また、実施例１によれば、櫛型電極２６及び反射器２８の端面を覆って誘電体膜１２が残存しているため、櫛型電極２６及び反射器２８へのダメージを抑制することができる。
また、実施例１によれば、誘電体膜１２をウエットエッチングによって除去する。誘電体膜１２は、例えば誘導結合型プラズマ（ＩＣＰ）エッチングなどのドライエッチングによっても除去できるが、ドライエッチングでは誘電体膜１２のエッチングレートが遅く（例えば１００ｎｍ／ｍｉｎ）、また複数のウエハを一括してエッチングすることが難しいため、製造コストが増大してしまう。一方、ウエットエッチングでは誘電体膜１２のエッチングレートが比較的速く（例えば１００ｎｍ〜３００ｎｍ／ｍｉｎ）、また複数のウエハを一括してエッチングすることができるため、高スループット化が可能となり製造コストを低減できる。
なお、実施例１において、配線層１４へのダメージを抑制する点から、配線層１４の端面の全てが誘電体膜１２で覆われている場合が好ましいが、端面の一部が誘電体膜１２で覆われていない場合でもよい。
図４（ａ）は、実施例１の変形例１に係る弾性波共振器の平面図、図４（ｂ）は、図４（ａ）のＡ−Ａ間の断面図である。図４（ａ）及び図４（ｂ）のように、実施例１の変形例１に係る弾性波共振器１１０では、誘電体膜１２は、櫛型電極２６及び反射器２８を覆うと共に、配線層１４を縁取るように、配線層１４の端面を覆い且つ端面に沿って延在している。すなわち、櫛型電極２６と反射器２８と配線層１４とが形成されていない領域において誘電体膜１２は除去されている。配線層１４の端面に沿って設けられた誘電体膜１２の配線層１４の端面から外側における幅Ｗ１は例えば１５μｍ程度であり、内側における幅Ｗ２は例えば１０μｍ程度である。その他の構成は、実施例１と同じであるため説明を省略する。
実施例１の変形例１の弾性波共振器１１０は、実施例１の弾性波共振器１００の製造方法における図２（ｂ）及び図２（ｃ）の工程を以下のように変更することで製造できる。すなわち、図２（ｂ）の工程において、配線層１４上、及び、櫛型電極２６と反射器２８と配線層１４とが形成されていない領域上に開口４１を有するレジスト膜４０を形成する。図２（ｃ）の工程において、誘電体膜１２が配線層１４の端面を覆い且つ端面に沿って延在して残存するように、レジスト膜４０の開口４１で露出した誘電体膜１２を除去する。この点以外は、実施例１と同じ方法によって製造することができる。
実施例１の変形例１によれば、誘電体膜１２が配線層１４の端面を覆い且つ端面に沿って延在して残存するように、配線層１４上及び櫛型電極２６と反射器２８と配線層１４とが形成されていない領域上に開口４１を有するレジスト膜４０をマスクとして誘電体膜１２を除去する。これにより、櫛型電極２６と反射器２８と配線層１４とが形成されていない領域において圧電基板１０の表面が露出するようになる。誘電体膜１２がＳｉＯ２膜である場合の熱伝導率は１．４Ｗ／ｍ・Ｋであり、圧電基板１０がＬＮ基板である場合の熱伝導率は３．８Ｗ／ｍ・Ｋであることから、圧電基板１０の表面が露出することで、放熱性を向上させることができる。放熱性の向上により、高パワーが印加されたときの発熱温度が低下するため、耐電力特性を向上させることができる。また、誘電体膜１２の面積が小さくなることで、誘電体膜１２に生じるストレスを低減させることができる。
次に、弾性波共振器をラダー型フィルタに適用した場合について説明する。図５（ａ）は、実施例１の弾性波共振器を用いたラダー型フィルタの平面図、図５（ｂ）は、実施例１の変形例１の弾性波共振器を用いたラダー型フィルタの平面図である。図５（ｃ）は、比較例１の弾性波共振器を用いたラダー型フィルタの平面図である。図５（ａ）から図５（ｃ）では、誘電体膜１２が設けられた領域を斜線で表している。
図５（ａ）のように、実施例１の弾性波共振器を用いたラダー型フィルタ１２０は、バンプ４２ａが設けられた入力パッド電極（不図示）とバンプ４２ｂが設けられた出力パッド電極（不図示）との間に、直列共振器Ｓ１からＳ４が配線層１４を介して直列に接続されている。直列共振器Ｓ１からＳ４の間の配線層１４とバンプ４２ｃが設けられたグランドパッド電極（不図示）との間に、並列共振器Ｐ１からＰ３が配線層１４を介して接続されている。誘電体膜１２は、直列共振器Ｓ１からＳ４及び並列共振器Ｐ１からＰ３を覆って設けられている。また、誘電体膜１２は配線層１４を露出する開口を有するが、配線層１４の端面は誘電体膜１２で覆われている。
図５（ｂ）のように、実施例１の変形例１の弾性波共振器を用いたラダー型フィルタ１３０では、誘電体膜１２は、直列共振器Ｓ１からＳ４及び並列共振器Ｐ１からＰ３を覆うと共に、配線層１４を縁取るように、配線層１４の端面を覆い且つ端面に沿って延在している。すなわち、直列共振器Ｓ１からＳ４と並列共振器Ｐ１からＰ３と配線層１４とが形成されていない領域において誘電体膜１２は除去されている。その他の構成は、図５（ａ）のラダー型フィルタ１２０と同じであるため説明を省略する。
図５（ｃ）のように、比較例１の弾性波共振器を用いたラダー型フィルタ１１００では、誘電体膜１２は、直列共振器Ｓ１からＳ４及び並列共振器Ｐ１からＰ３上にのみ設けられている。その他の構成は、図５（ａ）のラダー型フィルタ１２０と同じであるため説明を省略する。
図５（ａ）のラダー型フィルタ１２０によれば、配線層１４の端面を覆って誘電体膜１２が設けられているため、配線層１４の端面がエッチング液に曝されることが抑制され、配線層１４へのダメージを抑制できる。図５（ｂ）のラダー型フィルタ１３０によれば、直列共振器Ｓ１からＳ４と並列共振器Ｐ１からＰ３と配線層１４とが形成されていない領域の誘電体膜１２が除去されているため、配線層１４へのダメージを抑制できることに加え、放熱性の向上やストレス低減の効果が得られる。
なお、図５（ａ）から図５（ｃ）では、ラダー型フィルタの場合を例に示したが、これに限られず、ダブルモード型弾性表面波フィルタなどの他のフィルタの場合でもよい。
まず、実施例１の弾性波共振器で生じる恐れのある課題について説明する。図６（ａ）及び図６（ｂ）は、実施例１の弾性波共振器で生じる恐れのある課題を説明するための断面図である。図６（ａ）のように、レジスト膜４０をマスクとしたウエットエッチングによって誘電体膜１２を除去する工程において、誘電体膜１２は疎水性を示し、レジスト膜４０は親水性を示すことから、誘電体膜１２とレジスト膜４０とは密着性があまり良くない。このため、誘電体膜１２とレジスト膜４０との界面奥深くまでエッチング液が浸入することが起こり得る。
図６（ｂ）のように、誘電体膜１２とレジスト膜４０との界面奥深くまでエッチング液が浸入すると、櫛型電極２６上の誘電体膜１２がエッチングされて除去されることが起こり得る。また、エッチングが更に進行すると、露出した櫛型電極２６を腐食させることが起こり得る。このようなことが起こると、特性の劣化が生じてしまう。
櫛型電極２６上の誘電体膜１２が除去されることを抑制するために、誘電体膜１２に設ける開口１３と櫛型電極２６との間隔を広げることが考えられる。しかしながら、この場合、デバイスが大型化してしまう。例えば、誘電体膜１２の厚さが１２５０ｎｍで、誘電体膜１２の側面のテーパ角θが１７°程度である場合、圧電基板１０の上面に平行な方向での誘電体膜１２の側面部分の幅は約４．２μｍとなり、これに、櫛型電極２６上の誘電体膜１２がエッチングされないようなマージンを加えることになるため、デバイスが大型化してしまう。そこで、大型化を抑制しつつ、櫛型電極２６上の誘電体膜１２の除去を抑制することが可能な実施例を説明する。
図７（ａ）は、実施例２に係る弾性波共振器の平面図、図７（ｂ）は、図７（ａ）のＡ−Ａ間の断面図である。図７（ａ）及び図７（ｂ）のように、実施例２の弾性波共振器２００は、誘電体膜１２上に誘電体膜５０が設けられている。誘電体膜５０は、フッ酸系エッチング液を用いたウエットエッチングにおけるエッチングレートが誘電体膜１２よりも遅い膜であり、例えば酸化タンタル（ＴａＯｘ）膜である。誘電体膜５０の厚さは、例えば１５ｎｍである。その他の構成は、実施例１と同じであるため説明を省略する。
図８（ａ）から図８（ｄ）は、実施例２に係る弾性波共振器の製造方法を示す断面図である。図８（ａ）のように、圧電基板１０上にＴｉ層３０、Ｃｕ層３２、Ｃｒ層３４をこの順に成膜した後、Ｔｉ層３０、Ｃｕ層３２、Ｃｒ層３４を所望の形状に加工することで、電極指２２及びバスバー２４を備える１対の櫛型電極２６からなるＩＤＴ２０と、反射器２８と、バスバー２４に接続する配線層１４と、を同時に形成する。次いで、圧電基板１０上に、櫛型電極２６、反射器２８、及び配線層１４を覆う、ＳｉＮ膜である保護膜１６及びＳｉＯ２膜である誘電体膜１２を形成する。
次いで、誘電体膜１２上に、誘電体膜１２よりもフッ酸系エッチング液を用いたウエットエッチングにおけるエッチングレートが遅いＴａＯｘ膜である誘電体膜５０を形成する。例えば、ＴａＯｘ膜である誘電体膜５０のバッファードフッ酸を用いたウエットエッチングにおけるエッチングレートは０．０５６ｎｍ／ｍｉｎ〜０．３２ｎｍ／ｍｉｎであり、ＳｉＯ２膜である誘電体膜１２のエッチングレートの１／１００〜１／３０００程度である。誘電体膜５０は、例えばスパッタリング法又は蒸着法を用いて形成することができる。誘電体膜５０をスパッタリング法で形成する場合は、誘電体膜１２に向かってイオンや原子が衝突するために、誘電体膜５０と誘電体膜１２との密着性が良好になる。誘電体膜５０を蒸着法で形成する場合は、８０℃〜３００℃に加熱するために、誘電体膜５０と誘電体膜１２の密着性が良好になる。また、誘電体膜５０を成膜する前に、誘電体膜１２に対して逆スパッタ処理や、プラズマクリーニング処理、イオンガンによるイオンクリーニング処理を行うことでも密着性が良好になる。
図８（ｂ）のように、誘電体膜５０上に開口４１を有するレジスト膜４０を形成し、レジスト膜４０をマスクとして、誘電体膜５０をドライエッチングによって除去する。誘電体膜５０に対するドライエッチングは、例えばＣＦ４などのフッ素系ガスを用いて行うことができる。これにより、誘電体膜５０は、配線層１４上において開口５１が形成される。
図８（ｃ）のように、配線層１４の端面と櫛型電極２６とを覆って誘電体膜１２が残存するように、誘電体膜５０の開口５１で露出した誘電体膜１２を、フッ酸系エッチング液を用いたウエットエッチングによって除去する。これにより、誘電体膜１２に、配線層１４が露出する開口１３が形成される。この際、誘電体膜１２上にフッ酸系エッチング液を用いたウエットエッチングにおけるエッチングレートが遅く且つ誘電体膜１２との密着性が良好な誘電体膜５０が設けられているため、誘電体膜１２の上側部分のエッチング速度を遅くすることができる。これにより、誘電体膜１２の側面のテーパ角θが大きくなる。例えば、厚さが１μｍ程度の誘電体膜１２を、バッファードフッ酸を用いてウエットエッチングした場合、誘電体膜１２の側面のテーパ角θは６０°程度となる。
図８（ｄ）のように、レジスト膜４０を除去した後、誘電体膜１２の開口１３に埋め込まれるようにＴｉ層３６とＡｕ層３８を形成して、誘電体膜１２の開口１３に埋め込まれて配線層１４に接するパッド電極１８を形成する。
なお、図８（ｃ）では、図の明瞭化のために、誘電体膜１２及び誘電体膜５０の側面形状を簡略化して図示している。図９（ａ）から図９（ｅ）は、誘電体膜１２及び誘電体膜５０の側面形状を詳細に表した断面図である。図９（ａ）及び図９（ｂ）は、図８（ｃ）に対応する断面図である。図９（ｃ）から図９（ｅ）は、レジスト膜４０を除去した後の断面図である。
図９（ａ）及び図９（ｂ）のように、誘電体膜１２は、誘電体膜５０よりもエッチングレートが速いため、誘電体膜５０よりもウエハ面内方向のエッチングが進行する。この際、誘電体膜１２と誘電体膜５０との界面付近の形状は、図９（ａ）や図９（ｂ）のような庇形状となる場合がある。例えば、庇の長さは、誘電体膜１２の厚さが１μｍ程度、誘電体膜５０の厚さが１５ｎｍ程度の場合では、５００ｎｍ程度以下である。レジスト膜４０を除去した後は、レジスト膜４０を除去する際に誘電体膜５０の先端部も除去されて、図９（ｃ）から図９（ｅ）のような形状となる。
実施例２によれば、図８（ｂ）のように、誘電体膜１２上に、配線層１４上に開口５１を有する誘電体膜５０を形成する。図８（ｃ）のように、配線層１４の端面と櫛型電極２６と反射器２８とを覆って誘電体膜１２が残存するように、誘電体膜５０の開口５１で露出した誘電体膜１２を、誘電体膜５０のエッチングレートが誘電体膜１２よりも遅くなるようなフッ酸系エッチング液を用いたウエットエッチングで除去する。これにより、櫛型電極２６が誘電体膜１２で覆われて温度特性が改善される弾性波デバイスにおいて、配線層１４の端面がエッチング液に曝されることを抑制でき、配線層１４へのダメージを抑制できる。また、誘電体膜１２上に誘電体膜５０が設けられることで、誘電体膜１２の上側部分のエッチング速度を遅くさせることができ、誘電体膜１２の側面のテーパ角θを大きくできる。このため、デバイスの小型化を実現しつつ、櫛型電極２６上の誘電体膜１２が除去されることを抑制できる。
また、実施例２によれば、図７（ａ）及び図７（ｂ）のように、櫛型電極２６と反射器２８と配線層１４の端面とを覆い且つ配線層１４を露出する開口を有する誘電体膜１２が設けられている。誘電体膜１２上に、フッ酸系エッチング液を用いたウエットエッチングにおけるエッチングレートが誘電体膜１２よりも遅い誘電体膜５０が設けられている。このような構造の場合には、配線層１４へのダメージを抑制できると共に、デバイスの小型化を実現しつつ、櫛型電極２６上の誘電体膜１２が除去されることを抑制できる。
なお、実施例２では、フッ酸系エッチング液を用いたウエットエッチングによって誘電体膜１２を除去する場合を例に示したが、この場合に限られる訳ではない。誘電体膜５０のエッチングレートが誘電体膜１２よりも遅くなるようなエッチング液を用いたウエットエッチングによって除去してもよい。
なお、実施例２では、誘電体膜５０が酸化タンタル膜である場合を例に示したが、これに限られない。誘電体膜５０は、酸化タンタル、酸化ニオブ、酸化タングステン、酸化チタン、酸化テルル、酸化アルミニウム、窒化シリコン、窒化アルミニウム、及び炭化シリコンのうちの少なくとも１種を含む場合でもよい。すなわち、誘電体膜１２上に、酸化タンタル、酸化ニオブ、酸化タングステン、酸化チタン、酸化テルル、酸化アルミニウム、窒化シリコン、窒化アルミニウム、及び炭化シリコンのうちの少なくとも１種を含む誘電体膜５０を形成する場合でもよい。この場合、フッ酸系エッチング液を用いたウエットエッチングによって誘電体膜１２を除去する際の誘電体膜５０のエッチングレートが誘電体膜１２よりも遅くなる。したがって、配線層１４の端面と櫛型電極２６と反射器２８とを覆って誘電体膜１２が残存するように、誘電体膜５０の開口５１で露出した誘電体膜１２を、フッ酸系エッチング液を用いたウエットエッチングで除去することで、配線層１４へのダメージを抑制できると共に、デバイスの小型化を実現しつつ、櫛型電極２６上の誘電体膜１２が除去されることを抑制できる。
したがって、櫛型電極２６と反射器２８と配線層１４の端面とを覆い且つ配線層１４を露出する開口を有する誘電体膜１２上に、酸化タンタル、酸化ニオブ、酸化タングステン、酸化チタン、酸化テルル、酸化アルミニウム、窒化シリコン、窒化アルミニウム、及び炭化シリコンのうちの少なくとも１種を含む誘電体膜５０が設けられている構造の場合でもよい。
なお、誘電体膜５０は、製造コストなどを考慮すると、酸化タンタル膜、酸化ニオブ膜、酸化タングステン膜、酸化チタン膜、酸化テルル膜、酸化アルミニウム膜、窒化シリコン膜、窒化アルミニウム膜、又は炭化シリコン膜である場合が好ましい。
なお、実施例２において、誘電体膜１２と誘電体膜５０との間の界面にエッチング液が浸入することを抑制する点から、誘電体膜１２と誘電体膜５０との密着性は良好である場合が好ましい。例えば、誘電体膜１２と誘電体膜５０との密着性は、誘電体膜１２とレジスト膜４０との密着性よりも良好である場合が好ましい。また、レジスト膜４０と誘電体膜５０との間の界面にエッチング液が浸入することを抑制する点から、レジスト膜４０と誘電体膜５０との密着性は良好である場合が好ましい。例えば、レジスト膜４０と誘電体膜５０との密着性は、レジスト膜４０と誘電体膜１２との密着性よりも良好である場合が好ましい。
図１０（ａ）は、実施例２の変形例１に係る弾性波共振器の平面図、図１０（ｂ）は、図１０（ａ）のＡ−Ａ間の断面図である。図１０（ａ）及び図１０（ｂ）のように、実施例２の変形例１に係る弾性波共振器２１０では、誘電体膜１２及び誘電体膜５０は、櫛型電極２６及び反射器２８を覆うと共に、配線層１４を縁取るように、配線層１４の端面を覆い且つ端面に沿って延在している。すなわち、櫛型電極２６と反射器２８と配線層１４とが形成されていない領域において誘電体膜１２及び誘電体膜５０は除去されている。その他の構成は、実施例２と同じであるため説明を省略する。
実施例２の変形例１の弾性波共振器２１０は、実施例２の弾性波共振器２００の製造方法における図８（ｂ）及び図８（ｃ）の工程を以下のように変更することで製造できる。すなわち、図８（ｂ）の工程において、配線層１４上、及び、櫛型電極２６と反射器２８と配線層１４とが形成されていない領域上において開口５１を有する誘電体膜５０を形成する。図８（ｃ）の工程において、誘電体膜１２が配線層１４の端面を覆い且つ端面に沿って延在して残存するように、誘電体膜５０の開口５１で露出した誘電体膜１２を除去する。この点以外は、実施例２と同じ方法で製造することができる。
実施例２の変形例１によれば、配線層１４上及び櫛型電極２６と反射器２８と配線層１４とが形成されていない領域上において開口５１を有する誘電体膜５０を形成する。そして、誘電体膜１２が配線層１４の端面を覆い且つ端面に沿って延在して残存するように、誘電体膜５０の開口５１で露出した誘電体膜１２を除去する。これにより、櫛型電極２６と反射器２８と配線層１４とが形成されていない領域において圧電基板１０の表面が露出するようになるため、放熱性を向上させることができる。よって、耐電力特性を向上させることができる。また、誘電体膜１２及び誘電体膜５０の面積が小さくなることで、誘電体膜１２及び誘電体膜５０に生じるストレスを低減させることができる。
次に、弾性波共振器をラダー型フィルタに適用した場合について説明する。図１１（ａ）は、実施例２の弾性波共振器を用いたラダー型フィルタの平面図、図１１（ｂ）は、実施例２の変形例１の弾性波共振器を用いたラダー型フィルタの平面図である。図１１（ａ）及び図１１（ｂ）では、誘電体膜１２及び誘電体膜５０が設けられた領域を斜線で表している。
図１１（ａ）のように、実施例２の弾性波共振器を用いたラダー型フィルタ２２０は、バンプ４２ａが設けられた入力パッド電極（不図示）とバンプ４２ｂが設けられた出力パッド電極（不図示）との間に、直列共振器Ｓ１からＳ４が配線層１４を介して直列に接続されている。直列共振器Ｓ１からＳ４の間の配線層１４とバンプ４２ｃが設けられたグランドパッド電極（不図示）との間に、並列共振器Ｐ１からＰ３が配線層１４を介して接続されている。誘電体膜１２及び誘電体膜５０は、直列共振器Ｓ１からＳ４及び並列共振器Ｐ１からＰ３を覆って設けられている。また、誘電体膜１２及び誘電体膜５０は配線層１４を露出する開口を有するが、配線層１４の端面は誘電体膜１２で覆われている。
図１１（ｂ）のように、実施例２の変形例１の弾性波共振器を用いたラダー型フィルタ２３０では、誘電体膜１２及び誘電体膜５０は、直列共振器Ｓ１からＳ４及び並列共振器Ｐ１からＰ３を覆うと共に、配線層１４を縁取るように、配線層１４の端面を覆い且つ端面に沿って延在している。すなわち、直列共振器Ｓ１からＳ４と並列共振器Ｐ１からＰ３と配線層１４とが形成されていない領域において誘電体膜１２及び誘電体膜５０は除去されている。その他の構成は、図１１（ａ）のラダー型フィルタ２２０と同じであるため説明を省略する。
図１１（ａ）のラダー型フィルタ２２０によれば、配線層１４の端面を覆って誘電体膜１２が設けられているため、配線層１４の端面がエッチング液に曝されることが抑制され、配線層１４へのダメージを抑制できる。また、誘電体膜１２上に誘電体膜５０が設けられているため、上述したように、デバイスの小型化を実現しつつ、櫛型電極２６上の誘電体膜１２が除去されることを抑制できる。図１１（ｂ）のラダー型フィルタ２３０によれば、直列共振器Ｓ１からＳ４と並列共振器Ｐ１からＰ３と配線層１４とが形成されていない領域の誘電体膜１２が除去されているため、図１１（ａ）のラダー型フィルタ２２０での効果に加えて、放熱性の向上とストレス低減の効果が得られる。
図１２（ａ）は、実施例３に係るラダー型フィルタの平面図、図１２（ｂ）は、実施例３の変形例１に係るラダー型フィルタの平面図である。図１２（ａ）のように、実施例３のラダー型フィルタ３００では、誘電体膜５０は、直列共振器Ｓ１からＳ４及び並列共振器Ｐ１からＰ３を構成する電極の端部上及び配線層１４の端部上において、他の部分よりも厚い厚膜部５２となっている。すなわち、誘電体膜１２が除去された領域の周囲には、誘電体膜５０の厚膜部５２が位置している。厚膜部５２は配線層１４を縁取るように配線層１４の端面に沿って延在している。その他の構成は、図１１（ａ）のラダー型フィルタ２２０と同じであるため説明を省略する。図１２（ｂ）のように、実施例３の変形例１のラダー型フィルタ３１０では、直列共振器Ｓ１からＳ４と並列共振器Ｐ１からＰ３と配線層１４とが形成されていない領域において誘電体膜１２及び誘電体膜５０が除去されている。その他の構成は、図１２（ａ）のラダー型フィルタ３００と同じであるため説明を省略する。
図１３（ａ）から図１３（ｄ）は、実施例３及び実施例３の変形例１に係るラダー型フィルタの製造方法を示す断面図である。図１３（ａ）のように、圧電基板１０上に、Ｔｉ層３０、Ｃｕ層３２、Ｃｒ層３４の積層膜からなり、電極指２２及びバスバー２４を備える１対の櫛型電極２６からなるＩＤＴ２０と、反射器２８と、櫛型電極２６に接続する配線層１４と、を同時に形成する。次いで、圧電基板１０上に、櫛型電極２６、反射器２８、及び配線層１４を覆う、ＳｉＮ膜である保護膜１６及びＳｉＯ２膜である誘電体膜１２を形成する。次いで、誘電体膜１２上に、誘電体膜１２よりもフッ酸系エッチング液を用いたウエットエッチングにおけるエッチングレートが遅いＴａＯｘ膜である誘電体膜５０を形成する。誘電体膜５０の膜厚は、例えば７５ｎｍ程度である。
図１３（ｂ）のように、誘電体膜５０上に開口を有するレジスト膜４０ａを形成し、レジスト膜４０ａをマスクとして、誘電体膜５０を途中までドライエッチングによって除去する。誘電体膜５０のエッチング量はエッチング時間に基づいて制御する。これにより、厚膜部５２を有する誘電体膜５０が得られる。誘電体膜５０の厚膜部５２の厚さは例えば７５ｎｍであり、厚膜部５２以外の部分の厚さは例えば１５ｎｍである。厚膜部５２は、後述する誘電体膜１２の開口１３の周囲に位置するように設けられる。誘電体膜５０を異方性エッチングであるドライエッチングで除去することで、厚膜部５２の側壁にＴａを主成分とする残渣物５４が付着する。残渣物５４の厚さは、例えば１ｎｍ〜４０ｎｍ程度である。
図１３（ｃ）のように、レジスト膜４０ａを除去した後、再び、誘電体膜５０上に開口を有するレジスト膜４０ｂを形成する。レジスト膜４０ｂをマスクとして、誘電体膜５０をドライエッチングによって除去する。これにより、誘電体膜５０に開口５１が形成される。
図１３（ｄ）のように、レジスト膜４０ｂをマスクとして、誘電体膜５０の開口５１で露出した誘電体膜１２を、フッ酸系エッチング液を用いたウエットエッチングによって除去し、誘電体膜１２に配線層１４が露出する開口１３を形成する。この際、開口１３の周囲には誘電体膜５０の厚膜部５２が設けられているため、誘電体膜５０がウエットエッチングによって消失することを抑制でき、誘電体膜１２の上側部分のエッチング速度が速くなることを抑制できる。また、残渣物５４は、ウエットエッチングにおけるエッチングレートが遅い。このため、厚膜部５２の側壁に残渣物５４が付着している場合は、誘電体膜５０がウエットエッチングによって消失することをより抑制できる。その後、実施例２の図８（ｄ）と同様に、レジスト膜４０ｂを除去した後、誘電体膜１２の開口１３に埋め込まれるようにＴｉ層３６とＡｕ層３８を形成して、誘電体膜１２の開口１３に埋め込まれて配線層１４に接するパッド電極１８を形成する。
実施例３によれば、図１３（ｂ）から図１３（ｄ）のように、誘電体膜１２を除去することで形成される開口１３の周囲における厚さが他の部分よりも厚い厚膜部５２を有する誘電体膜５０を形成する。これにより、誘電体膜１２をウエットエッチングで除去する際に、誘電体膜５０がウエットエッチングによって消失することを抑制でき、その結果、誘電体膜１２の上側部分のエッチング速度が速くなることを抑制できる。よって、デバイスの小型化を実現しつつ、櫛型電極２６上の誘電体膜１２が除去されることを抑制できる。
また、実施例３によれば、図１３（ｂ）のように、誘電体膜５０に対してドライエッチングを行うことで側壁に残渣物５４が付着した厚膜部５２を有する誘電体膜５０を形成する。残渣物５４はウエットエッチングにおけるエッチングレートが遅いことから、誘電体膜１２を除去する際に、誘電体膜５０がウエットエッチングによって消失することをより抑制できる。
また、実施例３によれば、電極指２２の先端部上に誘電体膜５０の厚膜部５２が設けられている。これにより、電極指２２の先端部を低音速領域とすることができ、ピストンモードを利用した横モードの抑圧の効果を得ることができる。このように、誘電体膜１２の開口１３の周囲に設ける誘電体膜５０の厚膜部５２は、ピストンモードのために電極指２２上に設ける誘電体膜５０の厚膜部５２と同時に形成できるため、製造コストの増大が抑えられる。電極指２２の先端部を低音速領域とする点からは、誘電体膜５０は酸化タンタル、酸化ニオブ、酸化タングステン、酸化チタン、及び酸化テルルのいずれかからなる場合が好ましい。なお、誘電体膜５０に酸化アルミニウム、窒化シリコン、窒化アルミニウム、及び炭化シリコンのいずれかを用いた場合は、音速を速くすることができる。
また、ピストンモードを利用しない場合であっても、誘電体膜５０をエッチングして厚さを変えることで周波数調整をする場合があり、この場合でも、周波数調整のためのエッチングで開口１３の周囲に厚膜部５２を形成することができるため、製造コストの増大が抑えられる。
図１４（ａ）は、実施例４に係る弾性波共振器の平面図、図１４（ｂ）は、図１４（ａ）のＡ−Ａ間の断面図である。図１４（ａ）及び図１４（ｂ）のように、実施例４の弾性波共振器４００は、櫛型電極２６と反射器２８と配線層１４とが形成されていない領域における圧電基板１０上に、誘電体膜１２及び誘電体膜５０からなる複数の突起部６０が設けられている。複数の突起部６０は、例えば櫛型電極２６及び反射器２８を囲むように配列して設けられている。その他の構成は、図１０（ａ）及び図１０（ｂ）で説明した実施例２の変形例１と同じであるため説明を省略する。
図１５（ａ）から図１５（ｄ）は、実施例４に係る弾性波共振器の製造方法を示す断面図である。図１５（ａ）のように、圧電基板１０上に、Ｔｉ層３０、Ｃｕ層３２、Ｃｒ層３４の積層膜からなり、電極指２２及びバスバー２４を備える１対の櫛型電極２６からなるＩＤＴ２０と、反射器２８と、櫛型電極２６に接続する配線層１４と、を同時に形成する。次いで、圧電基板１０上に、櫛型電極２６、反射器２８、及び配線層１４を覆う保護膜１６及び誘電体膜１２を形成する。次いで、誘電体膜１２上に誘電体膜５０を形成する。次いで、誘電体膜５０上に開口を有するレジスト膜４０を形成し、レジスト膜４０をマスクとして、誘電体膜５０をドライエッチングによって除去する。これにより、誘電体膜５０に開口５１が形成される。
図１５（ｂ）のように、レジスト膜４０をマスクとして、誘電体膜５０の開口５１で露出した誘電体膜１２を、フッ酸系エッチング液を用いたウエットエッチングによって除去する。これにより、誘電体膜１２に配線層１４が露出する開口１３を形成する。また、櫛型電極２６と反射器２８と配線層１４とが形成されていない領域に、誘電体膜１２及び誘電体膜５０からなる複数の突起部６０を形成する。複数の突起部６０の幅と複数の突起部６０の間隔（すなわち、ラインアンドスペースＬ／Ｓ）は、例えば誘電体膜１２の厚さが１２５０ｎｍ程度であれば、Ｌ／Ｓ＝２μｍ／２μｍ程度で形成することができる。
図１５（ｃ）のように、レジスト膜４０を除去する。図１５（ｄ）のように、誘電体膜１２の開口１３に埋め込まれるようにＴｉ層３６とＡｕ層３８を形成して、誘電体膜１２の開口１３に埋め込まれて配線層１４に接するパッド電極１８を形成する。
実施例４によれば、図１５（ｂ）のように、櫛型電極２６と反射器２８と配線層１４とが形成されていない領域に誘電体膜１２が突起部６０として残存するように、誘電体膜１２を除去する。誘電体膜１２及び誘電体膜５０の熱伝導率が圧電基板１０よりも小さい場合であっても、突起部６０の高さが低いために（例えば１μｍ〜２μｍ程度）、突起部６０を設けて表面積を大きくすることで、圧電基板１０から直接放熱する場合に比べて放熱性を向上させることができる。
なお、実施例４では、図１４（ａ）のように、突起部６０は、櫛型電極２６及び反射器２８の周囲にＵ字状に設けられているが、この場合に限られない。Ｕ字状の一部で途切れている場合や、直線状に設けられている場合などであってもよい。
なお、実施例１から実施例４において、誘電体膜１２が非ドープの酸化シリコン（ＳｉＯ２）からなる場合を例に示したが、これに限られず、他の元素がドープされた酸化シリコンからなる場合でもよい。例えば、誘電体膜１２はＳｉＯＦ膜やＳｉＯＮ膜の場合でもよい。このような場合でも、温度特性を改善することができる。
以上、本発明の実施例について詳述したが、本発明はかかる特定の実施例に限定されるものではなく、特許請求の範囲に記載された本発明の要旨の範囲内において、種々の変形・変更が可能である。
１０ 圧電基板
１２ 誘電体膜
１３ 開口
１４ 配線層
１５ 端面
１６ 保護膜
１８ パッド電極
２０ ＩＤＴ
２２ 電極指
２４ バスバー
２６ 櫛型電極
２８ 反射器
３０ Ｔｉ層
３２ Ｃｕ層
３４ Ｃｒ層
３６ Ｔｉ層
３８ Ａｕ層
４０〜４０ｂ レジスト膜
４１ 開口
４２ａ〜４２ｃ バンプ
５０ 誘電体膜
５１ 開口
５２ 厚膜部
５４ 残渣物
６０ 突起部
１００、１１０、２００、２１０、４００ 弾性波共振器
１２０、１３０、２２０、２３０、３００、３１０ ラダー型フィルタ
Ｓ１〜Ｓ４ 直列共振器
Ｐ１〜Ｐ３ 並列共振器

Claims (8)

  1. 圧電基板上に、櫛型電極と前記櫛型電極に接続された配線層とを形成する工程と、
    前記圧電基板上に、前記櫛型電極及び前記配線層よりも厚い膜厚で前記櫛型電極と前記配線層とを覆う、他の元素がドープ又は非ドープの酸化シリコンからなる第１誘電体膜を形成する工程と、
    前記第１誘電体膜上に、前記配線層上に開口を有する第２誘電体膜を形成する工程と、
    前記配線層の端面と前記櫛型電極とを覆って前記第１誘電体膜が残存するように、前記第２誘電体膜の前記開口で露出した前記第１誘電体膜を、前記第２誘電体膜のエッチングレートが前記第１誘電体膜よりも遅くなるようなエッチング液を用いたウエットエッチングで除去する工程と、を備える弾性波デバイスの製造方法。
  2. 圧電基板上に、櫛型電極と前記櫛型電極に接続された配線層とを形成する工程と、
    前記圧電基板上に、前記櫛型電極及び前記配線層よりも厚い膜厚で前記櫛型電極と前記配線層とを覆う、他の元素がドープ又は非ドープの酸化シリコンからなる第１誘電体膜を形成する工程と、
    前記第１誘電体膜上に、酸化タンタル、酸化ニオブ、酸化タングステン、酸化チタン、酸化テルル、酸化アルミニウム、窒化シリコン、窒化アルミニウム、及び炭化シリコンのうちの少なくとも１種を含み、前記配線層上に開口を有する第２誘電体膜を形成する工程と、
    前記配線層の端面と前記櫛型電極とを覆って前記第１誘電体膜が残存するように、前記第２誘電体膜の前記開口で露出した前記第１誘電体膜を、フッ酸系エッチング液を用いたウエットエッチングで除去する工程と、を備える弾性波デバイスの製造方法。
  3. 前記第２誘電体膜を形成する工程は、前記配線層上及び前記櫛型電極と前記配線層とが形成されていない領域上に前記開口を有する前記第２誘電体膜を形成し、
    前記第１誘電体膜を除去する工程は、前記第１誘電体膜が前記配線層の端面を覆い且つ前記配線層の端面に沿って残存するように、前記第２誘電体膜の前記開口で露出した前記第１誘電体膜を除去する、請求項１または２記載の弾性波デバイスの製造方法。
  4. 前記第１誘電体膜を除去する工程は、前記櫛型電極及び前記配線層が形成されていない領域に前記第１誘電体膜が突起部として残存するように、前記第１誘電体膜を除去する、請求項３記載の弾性波デバイスの製造方法。
  5. 前記第２誘電体膜を形成する工程は、前記第１誘電体膜を除去することで形成される開口の周囲における厚さが他の部分よりも厚い厚膜部を有する前記第２誘電体膜を形成する、請求項１から４のいずれか一項記載の弾性波デバイスの製造方法。
  6. 前記第２誘電体膜を形成する工程は、前記第２誘電体膜に対してドライエッチングを行うことで側壁に残渣物が付着した前記厚膜部を有する前記第２誘電体膜を形成する、請求項５記載の弾性波デバイスの製造方法。
  7. 圧電基板と、
    前記圧電基板上に設けられた櫛型電極と、
    前記圧電基板上に設けられ、前記櫛型電極に接続された配線層と、
    前記圧電基板上に設けられ、前記櫛型電極と前記配線層の端面とを覆い且つ前記配線層を露出する開口を有し、前記櫛型電極及び前記配線層よりも厚い膜厚を有する、他の元素がドープ又は非ドープの酸化シリコンからなる第１誘電体膜と、
    前記第１誘電体膜上に設けられ、フッ酸系エッチング液を用いたウエットエッチングにおけるエッチングレートが前記第１誘電体膜よりも遅い第２誘電体膜と、を備える弾性波デバイス。
  8. 圧電基板と、
    前記圧電基板上に設けられた櫛型電極と、
    前記圧電基板上に設けられ、前記櫛型電極に接続された配線層と、
    前記圧電基板上に設けられ、前記櫛型電極と前記配線層の端面とを覆い且つ前記配線層を露出する開口を有し、前記櫛型電極及び前記配線層よりも厚い膜厚を有する、他の元素がドープ又は非ドープの酸化シリコンからなる第１誘電体膜と、
    前記第１誘電体膜上に設けられ、酸化タンタル、酸化ニオブ、酸化タングステン、酸化チタン、酸化テルル、酸化アルミニウム、窒化シリコン、窒化アルミニウム、及び炭化シリコンのうちの少なくとも１種を含む第２誘電体膜と、を備える弾性波デバイス。
JP2016127527A 2016-06-28 2016-06-28 弾性波デバイスの製造方法及び弾性波デバイス Active JP6556103B2 (ja)

Priority Applications (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2016127527A JP6556103B2 (ja) 2016-06-28 2016-06-28 弾性波デバイスの製造方法及び弾性波デバイス
US15/615,012 US10763813B2 (en) 2016-06-28 2017-06-06 Method of fabricating acoustic wave device
CN201710499132.7A CN107547060B (zh) 2016-06-28 2017-06-27 制造声波装置的方法和声波装置

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2016127527A JP6556103B2 (ja) 2016-06-28 2016-06-28 弾性波デバイスの製造方法及び弾性波デバイス

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JP2018006851A true JP2018006851A (ja) 2018-01-11
JP6556103B2 JP6556103B2 (ja) 2019-08-07

Family

ID=60675022

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2016127527A Active JP6556103B2 (ja) 2016-06-28 2016-06-28 弾性波デバイスの製造方法及び弾性波デバイス

Country Status (3)

Country Link
US (1) US10763813B2 (ja)
JP (1) JP6556103B2 (ja)
CN (1) CN107547060B (ja)

Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2019049830A1 (ja) * 2017-09-05 2019-03-14 株式会社村田製作所 フィルタ装置およびフィルタ装置の製造方法
WO2021220887A1 (ja) * 2020-04-27 2021-11-04 株式会社村田製作所 弾性波装置
JP7055499B1 (ja) 2021-05-24 2022-04-18 三安ジャパンテクノロジー株式会社 弾性波デバイスおよびその弾性波デバイスを備えるモジュール
WO2023100670A1 (ja) * 2021-12-01 2023-06-08 株式会社村田製作所 フィルタ装置

Families Citing this family (69)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR102409748B1 (ko) * 2015-07-28 2022-06-17 삼성전자주식회사 반도체 장치 및 그 제조 방법
KR20180134238A (ko) * 2017-06-08 2018-12-18 (주)와이솔 웨이퍼레벨패키지 및 제조방법
WO2019108758A1 (en) * 2017-12-01 2019-06-06 Skyworks Solutions, Inc. Alternative temperature compensating materials to amorhphous silica in acoustic wave resonators
US11323096B2 (en) 2018-06-15 2022-05-03 Resonant Inc. Transversely-excited film bulk acoustic resonator with periodic etched holes
US20220116015A1 (en) 2018-06-15 2022-04-14 Resonant Inc. Transversely-excited film bulk acoustic resonator with optimized electrode thickness, mark, and pitch
US11206009B2 (en) 2019-08-28 2021-12-21 Resonant Inc. Transversely-excited film bulk acoustic resonator with interdigital transducer with varied mark and pitch
US10756697B2 (en) 2018-06-15 2020-08-25 Resonant Inc. Transversely-excited film bulk acoustic resonator
US11996827B2 (en) 2018-06-15 2024-05-28 Murata Manufacturing Co., Ltd. Transversely-excited film bulk acoustic resonator with periodic etched holes
US11509279B2 (en) 2020-07-18 2022-11-22 Resonant Inc. Acoustic resonators and filters with reduced temperature coefficient of frequency
US10911023B2 (en) 2018-06-15 2021-02-02 Resonant Inc. Transversely-excited film bulk acoustic resonator with etch-stop layer
US10637438B2 (en) 2018-06-15 2020-04-28 Resonant Inc. Transversely-excited film bulk acoustic resonators for high power applications
US11929731B2 (en) 2018-02-18 2024-03-12 Murata Manufacturing Co., Ltd. Transversely-excited film bulk acoustic resonator with optimized electrode mark, and pitch
US11936358B2 (en) 2020-11-11 2024-03-19 Murata Manufacturing Co., Ltd. Transversely-excited film bulk acoustic resonator with low thermal impedance
US11323090B2 (en) 2018-06-15 2022-05-03 Resonant Inc. Transversely-excited film bulk acoustic resonator using Y-X-cut lithium niobate for high power applications
US10790802B2 (en) 2018-06-15 2020-09-29 Resonant Inc. Transversely excited film bulk acoustic resonator using rotated Y-X cut lithium niobate
US20210328574A1 (en) 2020-04-20 2021-10-21 Resonant Inc. Small transversely-excited film bulk acoustic resonators with enhanced q-factor
US11323089B2 (en) 2018-06-15 2022-05-03 Resonant Inc. Filter using piezoelectric film bonded to high resistivity silicon substrate with trap-rich layer
US11146232B2 (en) 2018-06-15 2021-10-12 Resonant Inc. Transversely-excited film bulk acoustic resonator with reduced spurious modes
US11323095B2 (en) 2018-06-15 2022-05-03 Resonant Inc. Rotation in XY plane to suppress spurious modes in XBAR devices
US11876498B2 (en) 2018-06-15 2024-01-16 Murata Manufacturing Co., Ltd. Transversely-excited film bulk acoustic resonator with multiple diaphragm thicknesses and fabrication method
US11323091B2 (en) 2018-06-15 2022-05-03 Resonant Inc. Transversely-excited film bulk acoustic resonator with diaphragm support pedestals
US11916539B2 (en) 2020-02-28 2024-02-27 Murata Manufacturing Co., Ltd. Split-ladder band N77 filter using transversely-excited film bulk acoustic resonators
US11349450B2 (en) 2018-06-15 2022-05-31 Resonant Inc. Symmetric transversely-excited film bulk acoustic resonators with reduced spurious modes
US11374549B2 (en) 2018-06-15 2022-06-28 Resonant Inc. Filter using transversely-excited film bulk acoustic resonators with divided frequency-setting dielectric layers
US11171629B2 (en) 2018-06-15 2021-11-09 Resonant Inc. Transversely-excited film bulk acoustic resonator using pre-formed cavities
US10868510B2 (en) 2018-06-15 2020-12-15 Resonant Inc. Transversely-excited film bulk acoustic resonator with half-lambda dielectric layer
US10998882B2 (en) 2018-06-15 2021-05-04 Resonant Inc. XBAR resonators with non-rectangular diaphragms
US11228296B2 (en) 2018-06-15 2022-01-18 Resonant Inc. Transversely-excited film bulk acoustic resonator with a cavity having a curved perimeter
US11967945B2 (en) 2018-06-15 2024-04-23 Murata Manufacturing Co., Ltd. Transversly-excited film bulk acoustic resonators and filters
US11201601B2 (en) 2018-06-15 2021-12-14 Resonant Inc. Transversely-excited film bulk acoustic resonator with multiple diaphragm thicknesses and fabrication method
US10826462B2 (en) 2018-06-15 2020-11-03 Resonant Inc. Transversely-excited film bulk acoustic resonators with molybdenum conductors
US11909381B2 (en) 2018-06-15 2024-02-20 Murata Manufacturing Co., Ltd. Transversely-excited film bulk acoustic resonators with two-layer electrodes having a narrower top layer
US11901878B2 (en) 2018-06-15 2024-02-13 Murata Manufacturing Co., Ltd. Transversely-excited film bulk acoustic resonators with two-layer electrodes with a wider top layer
US11728785B2 (en) 2018-06-15 2023-08-15 Murata Manufacturing Co., Ltd. Transversely-excited film bulk acoustic resonator using pre-formed cavities
US11146238B2 (en) 2018-06-15 2021-10-12 Resonant Inc. Film bulk acoustic resonator fabrication method
US11888463B2 (en) 2018-06-15 2024-01-30 Murata Manufacturing Co., Ltd. Multi-port filter using transversely-excited film bulk acoustic resonators
US11349452B2 (en) 2018-06-15 2022-05-31 Resonant Inc. Transversely-excited film bulk acoustic filters with symmetric layout
US11996822B2 (en) 2018-06-15 2024-05-28 Murata Manufacturing Co., Ltd. Wide bandwidth time division duplex transceiver
US11329628B2 (en) 2020-06-17 2022-05-10 Resonant Inc. Filter using lithium niobate and lithium tantalate transversely-excited film bulk acoustic resonators
US11996825B2 (en) 2020-06-17 2024-05-28 Murata Manufacturing Co., Ltd. Filter using lithium niobate and rotated lithium tantalate transversely-excited film bulk acoustic resonators
US11264966B2 (en) 2018-06-15 2022-03-01 Resonant Inc. Solidly-mounted transversely-excited film bulk acoustic resonator with diamond layers in Bragg reflector stack
US11949402B2 (en) 2020-08-31 2024-04-02 Murata Manufacturing Co., Ltd. Resonators with different membrane thicknesses on the same die
US10797675B2 (en) 2018-06-15 2020-10-06 Resonant Inc. Transversely excited film bulk acoustic resonator using rotated z-cut lithium niobate
US11901873B2 (en) 2019-03-14 2024-02-13 Murata Manufacturing Co., Ltd. Transversely-excited film bulk acoustic resonator with partial BRAGG reflectors
US10911021B2 (en) * 2019-06-27 2021-02-02 Resonant Inc. Transversely-excited film bulk acoustic resonator with lateral etch stop
US10862454B1 (en) 2019-07-18 2020-12-08 Resonant Inc. Film bulk acoustic resonators in thin LN-LT layers
US11329625B2 (en) 2019-07-18 2022-05-10 Resonant Inc. Film bulk acoustic sensors using thin LN-LT layer
US20210273629A1 (en) 2020-02-28 2021-09-02 Resonant Inc. Transversely-excited film bulk acoustic resonator with multi-pitch interdigital transducer
US11811391B2 (en) 2020-05-04 2023-11-07 Murata Manufacturing Co., Ltd. Transversely-excited film bulk acoustic resonator with etched conductor patterns
US11469733B2 (en) 2020-05-06 2022-10-11 Resonant Inc. Transversely-excited film bulk acoustic resonators with interdigital transducer configured to reduce diaphragm stress
US10992282B1 (en) 2020-06-18 2021-04-27 Resonant Inc. Transversely-excited film bulk acoustic resonators with electrodes having a second layer of variable width
US11742828B2 (en) 2020-06-30 2023-08-29 Murata Manufacturing Co., Ltd. Transversely-excited film bulk acoustic resonator with symmetric diaphragm
US11817845B2 (en) 2020-07-09 2023-11-14 Murata Manufacturing Co., Ltd. Method for making transversely-excited film bulk acoustic resonators with piezoelectric diaphragm supported by piezoelectric substrate
US11264969B1 (en) 2020-08-06 2022-03-01 Resonant Inc. Transversely-excited film bulk acoustic resonator comprising small cells
US11271539B1 (en) 2020-08-19 2022-03-08 Resonant Inc. Transversely-excited film bulk acoustic resonator with tether-supported diaphragm
US11671070B2 (en) 2020-08-19 2023-06-06 Murata Manufacturing Co., Ltd. Transversely-excited film bulk acoustic resonators using multiple dielectric layer thicknesses to suppress spurious modes
US11894835B2 (en) 2020-09-21 2024-02-06 Murata Manufacturing Co., Ltd. Sandwiched XBAR for third harmonic operation
US11658639B2 (en) 2020-10-05 2023-05-23 Murata Manufacturing Co., Ltd. Transversely-excited film bulk acoustic resonator matrix filters with noncontiguous passband
US11728784B2 (en) 2020-10-05 2023-08-15 Murata Manufacturing Co., Ltd. Transversely-excited film bulk acoustic resonator matrix filters with split die sub-filters
US11405017B2 (en) 2020-10-05 2022-08-02 Resonant Inc. Acoustic matrix filters and radios using acoustic matrix filters
US11476834B2 (en) 2020-10-05 2022-10-18 Resonant Inc. Transversely-excited film bulk acoustic resonator matrix filters with switches in parallel with sub-filter shunt capacitors
US11405019B2 (en) 2020-10-05 2022-08-02 Resonant Inc. Transversely-excited film bulk acoustic resonator matrix filters
US11929733B2 (en) 2020-10-05 2024-03-12 Murata Manufacturing Co., Ltd. Transversely-excited film bulk acoustic resonator matrix filters with input and output impedances matched to radio frequency front end elements
EP3985792A1 (en) * 2020-10-13 2022-04-20 Imec VZW Superconducting resonator for quantum bits and fabrication thereof
US11463066B2 (en) 2020-10-14 2022-10-04 Resonant Inc. Transversely-excited film bulk acoustic resonators with piezoelectric diaphragm supported by piezoelectric substrate
US11496113B2 (en) 2020-11-13 2022-11-08 Resonant Inc. XBAR devices with excess piezoelectric material removed
US11405020B2 (en) 2020-11-26 2022-08-02 Resonant Inc. Transversely-excited film bulk acoustic resonators with structures to reduce acoustic energy leakage
US11239816B1 (en) 2021-01-15 2022-02-01 Resonant Inc. Decoupled transversely-excited film bulk acoustic resonators
CN116208119B (zh) * 2023-04-19 2023-07-14 深圳新声半导体有限公司 声表面波装置及其制造方法

Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS63198376A (ja) * 1987-02-13 1988-08-17 Mitsubishi Electric Corp 半導体装置の製造方法
JP2008153957A (ja) * 2006-12-18 2008-07-03 Hitachi Media Electoronics Co Ltd 中空封止素子、その製造方法ならびに中空封止素子を用いた移動通信機器
WO2015041153A1 (ja) * 2013-09-20 2015-03-26 株式会社村田製作所 弾性波装置及びその製造方法

Family Cites Families (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2002141762A (ja) * 2000-11-02 2002-05-17 Murata Mfg Co Ltd 弾性表面波フィルタの製造方法
JP2005142629A (ja) 2003-11-04 2005-06-02 Seiko Epson Corp 弾性表面波素子およびその製造方法
EP1768255B1 (en) 2004-06-30 2018-11-28 Skyworks Filter Solutions Japan Co., Ltd. Electronic part and manufacturing method thereof
JP2008067289A (ja) 2006-09-11 2008-03-21 Fujitsu Media Device Kk 弾性波デバイスおよびフィルタ
JP4943787B2 (ja) 2006-09-13 2012-05-30 太陽誘電株式会社 弾性波デバイス、共振器およびフィルタ
JP2008078739A (ja) 2006-09-19 2008-04-03 Fujitsu Media Device Kk 弾性波デバイスおよびフィルタ
KR100839360B1 (ko) * 2006-12-18 2008-06-19 삼성전자주식회사 패턴 형성 방법 및 이를 이용한 커패시터 제조 방법
JP2013145930A (ja) 2010-04-21 2013-07-25 Murata Mfg Co Ltd 弾性表面波装置及びその製造方法
CN103824932A (zh) * 2012-11-15 2014-05-28 日本电波工业株式会社 压电零件
JP2015005660A (ja) 2013-06-21 2015-01-08 東京エレクトロン株式会社 酸化タンタル膜の除去方法および除去装置

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS63198376A (ja) * 1987-02-13 1988-08-17 Mitsubishi Electric Corp 半導体装置の製造方法
JP2008153957A (ja) * 2006-12-18 2008-07-03 Hitachi Media Electoronics Co Ltd 中空封止素子、その製造方法ならびに中空封止素子を用いた移動通信機器
WO2015041153A1 (ja) * 2013-09-20 2015-03-26 株式会社村田製作所 弾性波装置及びその製造方法

Cited By (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2019049830A1 (ja) * 2017-09-05 2019-03-14 株式会社村田製作所 フィルタ装置およびフィルタ装置の製造方法
JPWO2019049830A1 (ja) * 2017-09-05 2020-07-09 株式会社村田製作所 フィルタ装置およびフィルタ装置の製造方法
US11606081B2 (en) 2017-09-05 2023-03-14 Murata Manufacturing Co., Ltd. Filter device and method for manufacturing the same
WO2021220887A1 (ja) * 2020-04-27 2021-11-04 株式会社村田製作所 弾性波装置
JP7055499B1 (ja) 2021-05-24 2022-04-18 三安ジャパンテクノロジー株式会社 弾性波デバイスおよびその弾性波デバイスを備えるモジュール
JP2022179858A (ja) * 2021-05-24 2022-12-06 三安ジャパンテクノロジー株式会社 弾性波デバイスおよびその弾性波デバイスを備えるモジュール
WO2023100670A1 (ja) * 2021-12-01 2023-06-08 株式会社村田製作所 フィルタ装置

Also Published As

Publication number Publication date
CN107547060A (zh) 2018-01-05
JP6556103B2 (ja) 2019-08-07
CN107547060B (zh) 2021-02-09
US20170370791A1 (en) 2017-12-28
US10763813B2 (en) 2020-09-01

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP6556103B2 (ja) 弾性波デバイスの製造方法及び弾性波デバイス
US10826461B2 (en) Acoustic wave device
JP4903647B2 (ja) 弾性表面波素子及び弾性表面波装置
JP6188869B2 (ja) 高次横モード波を抑制した弾性波デバイス
US9748924B2 (en) Elastic wave element with interdigital transducer electrode
US10862020B2 (en) Elastic wave device
JP3926633B2 (ja) Ｓａｗデバイス及びその製造方法
WO2021136756A1 (en) Transducer structure for single-port resonator with transverse mode suppression
JPWO2008087836A1 (ja) 弾性境界波装置の製造方法
JP5891198B2 (ja) アンテナ共用器およびこれを用いた電子機器
JP6836867B2 (ja) 弾性波デバイスの製造方法
JP4906536B2 (ja) 弾性表面波素子及び弾性表面波装置
JP2013021387A (ja) 電子部品の製造方法および電子部品
JP2008078981A (ja) 弾性表面波共振器およびこれを用いた弾性表面波フィルタ、アンテナ共用器
JP6385690B2 (ja) 弾性波デバイス及びその製造方法
JP2008236671A (ja) 薄膜圧電共振器及びその製造方法
JP7175503B2 (ja) 表面弾性波デバイス及びその製造方法
JP6656127B2 (ja) 弾性波デバイス
JP2010130294A (ja) 音響波共振子
JP7027079B2 (ja) 弾性波デバイスおよびその製造方法
JP2011041134A (ja) 弾性波デバイスおよびその製造方法
JP2006270608A (ja) 弾性波デバイスの製造方法
JP2022090792A (ja) 弾性波デバイスの製造方法
JP2005072942A (ja) 弾性表面波素子片の製造方法および弾性表面波素子片並びに弾性表面波デバイス
JP2019022092A (ja) 弾性波デバイスおよびその製造方法

Legal Events

Date Code Title Description
A621 Written request for application examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

Effective date: 20180207

A977 Report on retrieval

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007

Effective date: 20181114

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20181127

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20190128

TRDD Decision of grant or rejection written
A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 20190618

A61 First payment of annual fees (during grant procedure)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61

Effective date: 20190709

R150 Certificate of patent or registration of utility model

Ref document number: 6556103

Country of ref document: JP

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250