JP2017228690A5 - - Google Patents
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- 239000007789 gas Substances 0.000 claims 17
- 238000005530 etching Methods 0.000 claims 13
- UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N hydrogen Chemical compound [H][H] UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 7
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims 7
- 239000001257 hydrogen Substances 0.000 claims 6
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 claims 6
- SFZCNBIFKDRMGX-UHFFFAOYSA-N Sulfur hexafluoride Chemical compound FS(F)(F)(F)(F)F SFZCNBIFKDRMGX-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 5
- 238000003672 processing method Methods 0.000 claims 5
- 229960000909 sulfur hexafluoride Drugs 0.000 claims 5
- 239000004215 Carbon black (E152) Substances 0.000 claims 3
- NBVXSUQYWXRMNV-UHFFFAOYSA-N Fluoromethane Chemical compound FC NBVXSUQYWXRMNV-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 3
- 150000002430 hydrocarbons Chemical class 0.000 claims 3
- 210000002381 Plasma Anatomy 0.000 claims 2
- LGPPATCNSOSOQH-UHFFFAOYSA-N 1,1,2,3,4,4-hexafluorobuta-1,3-diene Chemical compound FC(F)=C(F)C(F)=C(F)F LGPPATCNSOSOQH-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- RWRIWBAIICGTTQ-UHFFFAOYSA-N Difluoromethane Chemical compound FCF RWRIWBAIICGTTQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- 239000005977 Ethylene Substances 0.000 claims 1
- HCDGVLDPFQMKDK-UHFFFAOYSA-N Hexafluoropropylene Chemical compound FC(F)=C(F)C(F)(F)F HCDGVLDPFQMKDK-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- MWWATHDPGQKSAR-UHFFFAOYSA-N Propyne Chemical compound CC#C MWWATHDPGQKSAR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 claims 1
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N Silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- BFKJFAAPBSQJPD-UHFFFAOYSA-N Tetrafluoroethylene Chemical group FC(F)=C(F)F BFKJFAAPBSQJPD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- TXEYQDLBPFQVAA-UHFFFAOYSA-N Tetrafluoromethane Chemical compound FC(F)(F)F TXEYQDLBPFQVAA-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- YDCWBDWPPAHSOR-UHFFFAOYSA-F [F-].[F-].[F-].[F-].[F-].[F-].[F-].[F-].C1CCC1 Chemical compound [F-].[F-].[F-].[F-].[F-].[F-].[F-].[F-].C1CCC1 YDCWBDWPPAHSOR-UHFFFAOYSA-F 0.000 claims 1
- OTMSDBZUPAUEDD-UHFFFAOYSA-N ethane Chemical compound CC OTMSDBZUPAUEDD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- VGGSQFUCUMXWEO-UHFFFAOYSA-N ethene Chemical compound C=C VGGSQFUCUMXWEO-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- 125000002534 ethynyl group Chemical group [H]C#C* 0.000 claims 1
- VNWKTOKETHGBQD-UHFFFAOYSA-N methane Chemical compound C VNWKTOKETHGBQD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- UNRFQJSWBQGLDR-UHFFFAOYSA-K methane;trifluoride Chemical compound C.[F-].[F-].[F-] UNRFQJSWBQGLDR-UHFFFAOYSA-K 0.000 claims 1
- 239000000203 mixture Substances 0.000 claims 1
- ATUOYWHBWRKTHZ-UHFFFAOYSA-N propane Chemical compound CCC ATUOYWHBWRKTHZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- 239000001294 propane Substances 0.000 claims 1
- INCUOXCPYWNZNZ-UHFFFAOYSA-M propane;fluoride Chemical compound [F-].CCC INCUOXCPYWNZNZ-UHFFFAOYSA-M 0.000 claims 1
- 125000004805 propylene group Chemical group [H]C([H])([H])C([H])([*:1])C([H])([H])[*:2] 0.000 claims 1
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 claims 1
- 239000010703 silicon Substances 0.000 claims 1
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 claims 1
Claims (10)
- エッチング処理方法であって、
シリコン酸化膜及びシリコン窒化膜とが交互に積層する基板を提供する工程と、
前記基板の温度を−３５℃以下に設定する工程と、
第１高周波の電力を出力し、フッ化硫黄含有ガス及び水素含有ガスからプラズマを生成し、前記基板をエッチングする工程と、を備える、エッチング処理方法。 - 水素含有ガスとしてハイドロカーボン含有ガスを供給する、
請求項１に記載のエッチング処理方法。 - 前記ハイドロカーボン含有ガスは、ＣＨ４（メタン）、Ｃ２Ｈ８、Ｃ２Ｈ２（アセチレン）、Ｃ２Ｈ４（エチレン）、Ｃ２Ｈ６（エタン）、Ｃ３Ｈ６（プロピレン）、Ｃ３Ｈ８（プロパン）、Ｃ３Ｈ４（プロピン）の少なくともいずれかである、
請求項２に記載のエッチング処理方法。 - 水素含有ガスとしてハイドロフルオロカーボン含有ガスを供給する、
請求項１に記載のエッチング処理方法。 - 前記ハイドロフルオロカーボン含有ガスは、ＣＨ２Ｆ２（二フッ化メタン）、ＣＨ３Ｆ（フルオロメタン）、ＣＨＦ３（三フッ化メタン）の少なくともいずれかである、
請求項４に記載のエッチング処理方法。 - 前記フッ化硫黄含有ガス及び水素含有ガスにフルオロカーボン含有ガスを添加して供給する、
請求項１に記載のエッチング処理方法。 - 前記フルオロカーボン含有ガスは、ＣＦ４（四フッ化炭素）、Ｃ３Ｆ８（八フッ化プロパン）、Ｃ２Ｆ４（テトラフルオロエチレン）、Ｃ３Ｆ６（ヘキサフルオロプロペン）、Ｃ４Ｆ６（ヘキサフルオロ-1,3-ブタジエン）、Ｃ４Ｆ８（八フッ化シクロブタン）の少なくともいずれかである、
請求項６に記載のエッチング処理方法。 - 前記フッ化硫黄含有ガスは、ＳＦ６（六フッ化硫黄）である、
請求項１〜７のいずれか一項に記載のエッチング処理方法。 - 前記基板のエッチングが行われる処理容器の内部を、１５〜２５ｍＴｏｒｒ（２．０〜３．３Ｐａ）に制御する、
請求項１〜８のいずれか一項に記載のエッチング処理方法。 - エッチング処理方法であって、
組成の異なるシリコン含有膜を積層した積層膜を有する基板を提供する工程と、
前記基板の温度を−３５℃以下に設定する工程と、
第１高周波の電力を出力し、フッ化硫黄含有ガス及び水素含有ガスからプラズマを生成し、前記基板をエッチングする工程と、を含み、
前記水素含有ガスは、ハイドロカーボンガス又は水素ガスである、エッチング処理方法。
Priority Applications (4)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2016124600A JP6604911B2 (ja) | 2016-06-23 | 2016-06-23 | エッチング処理方法 |
| TW106119401A TWI731101B (zh) | 2016-06-23 | 2017-06-12 | 蝕刻處理方法 |
| US15/625,165 US10692729B2 (en) | 2016-06-23 | 2017-06-16 | Etching process method |
| KR1020170079056A KR102584336B1 (ko) | 2016-06-23 | 2017-06-22 | 에칭 처리 방법 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2016124600A JP6604911B2 (ja) | 2016-06-23 | 2016-06-23 | エッチング処理方法 |
Publications (3)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2017228690A JP2017228690A (ja) | 2017-12-28 |
| JP2017228690A5 true JP2017228690A5 (ja) | 2019-02-21 |
| JP6604911B2 JP6604911B2 (ja) | 2019-11-13 |
Family
ID=60677880
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2016124600A Active JP6604911B2 (ja) | 2016-06-23 | 2016-06-23 | エッチング処理方法 |
Country Status (4)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US10692729B2 (ja) |
| JP (1) | JP6604911B2 (ja) |
| KR (1) | KR102584336B1 (ja) |
| TW (1) | TWI731101B (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP7158252B2 (ja) | 2018-02-15 | 2022-10-21 | 東京エレクトロン株式会社 | プラズマエッチング方法及びプラズマエッチング装置 |
| JP7222940B2 (ja) | 2019-02-18 | 2023-02-15 | 東京エレクトロン株式会社 | エッチング方法及びプラズマ処理装置 |
| JP7229033B2 (ja) | 2019-02-01 | 2023-02-27 | 東京エレクトロン株式会社 | 基板処理方法及び基板処理装置 |
Families Citing this family (13)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR20190098922A (ko) * | 2018-02-15 | 2019-08-23 | 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 | 플라즈마 에칭 방법 및 플라즈마 에칭 장치 |
| JP2019179889A (ja) | 2018-03-30 | 2019-10-17 | 東京エレクトロン株式会社 | エッチング方法及びプラズマ処理装置 |
| TWI804638B (zh) * | 2018-06-22 | 2023-06-11 | 日商關東電化工業股份有限公司 | 使用含硫原子之氣體分子之電漿蝕刻方法 |
| KR102608957B1 (ko) | 2018-08-27 | 2023-12-01 | 삼성전자주식회사 | 플라즈마 처리 장치 |
| JP2020177958A (ja) * | 2019-04-15 | 2020-10-29 | 東京エレクトロン株式会社 | 基板処理方法及び基板処理装置 |
| TW202105514A (zh) * | 2019-06-13 | 2021-02-01 | 日商東京威力科創股份有限公司 | 蝕刻方法以及蝕刻裝置 |
| US11651969B2 (en) * | 2019-07-18 | 2023-05-16 | Kioxia Corporation | Etching method, semiconductor manufacturing apparatus, and method of manufacturing semiconductor device |
| JP7413093B2 (ja) * | 2019-07-18 | 2024-01-15 | キオクシア株式会社 | エッチング方法、半導体製造装置、および半導体装置の製造方法 |
| KR102590870B1 (ko) * | 2020-04-10 | 2023-10-19 | 주식회사 히타치하이테크 | 에칭 방법 |
| US11171012B1 (en) | 2020-05-27 | 2021-11-09 | Tokyo Electron Limited | Method and apparatus for formation of protective sidewall layer for bow reduction |
| US11087989B1 (en) | 2020-06-18 | 2021-08-10 | Applied Materials, Inc. | Cryogenic atomic layer etch with noble gases |
| WO2022041198A1 (zh) * | 2020-08-31 | 2022-03-03 | 深圳大学 | 一种三维堆叠存储芯片的温度变化计算方法 |
| US20220404247A1 (en) * | 2021-06-21 | 2022-12-22 | Fei Company | Vibration-free cryogenic cooling |
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS512096A (ja) * | 1974-06-03 | 1976-01-09 | Tipton Mfg Co | Zenjidoreshipurokenmaki |
| JPH0316210A (ja) | 1989-06-14 | 1991-01-24 | Hitachi Ltd | 低温ドライエッチング方法 |
| KR910010516A (ko) * | 1989-11-15 | 1991-06-29 | 아오이 죠이치 | 반도체 메모리장치 |
| JP3006048B2 (ja) | 1990-07-27 | 2000-02-07 | ソニー株式会社 | ドライエッチング方法 |
| JPH04354331A (ja) * | 1991-05-31 | 1992-12-08 | Sony Corp | ドライエッチング方法 |
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-
2016
- 2016-06-23 JP JP2016124600A patent/JP6604911B2/ja active Active
-
2017
- 2017-06-12 TW TW106119401A patent/TWI731101B/zh active
- 2017-06-16 US US15/625,165 patent/US10692729B2/en active Active
- 2017-06-22 KR KR1020170079056A patent/KR102584336B1/ko active IP Right Grant
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