JP2017208548A5 - - Google Patents

Claims (19)

1. シリコン基板に１つ又は２つ以上のフィーチャをプラズマエッチングする方法であって、
   堆積工程とエッチ工程とを交互に繰り返す周期的なエッチプロセスを用いてメインエッチを実行する工程；及び
   オーバーエッチを実行して前記フィーチャのプラズマエッチングを完了する工程；
   を含み、
   前記オーバーエッチは、第１の種類の１又は２以上のエッチ工程と、第２の種類の１又は２以上のエッチ工程とを含み、第１及び第２の種類のエッチ工程の各々は、前記シリコン基板のイオン衝撃によるエッチングを含み、
   第２の種類の１又は２以上のエッチ工程中のイオン衝撃は、第１の種類の１又は２以上のエッチ工程中のイオン衝撃に対して内向きの傾きを有する、方法。
2. 前記オーバーエッチが、さらに、第３の種類の１又は２以上のエッチ工程を含み、第３の種類の１又は２以上のエッチ工程が、前記シリコン基板のイオン衝撃によるエッチングを含み、第３の種類の１又は２以上のエッチ工程中のイオン衝撃は、第１の種類の１又は２以上のエッチ工程中のイオン衝撃に対して外向きの傾きを有する、請求項１に記載の方法。
3. 前記オーバーエッチ中のイオン衝撃の傾きが、電気バイアスを生成させるために前記基板に印加されるバイアス電力を用いて制御される、請求項１又は２に記載の方法。
4. 前記バイアス電力がＲＦ電力である、請求項３に記載の方法。
5. 前記バイアス電力が、第１、第２及び第３の種類のエッチ工程の１又は２以上の間にパルス化される、請求項３又は４に記載の方法。
6. 前記バイアス電力が、第１、第２及び第３の種類のエッチ工程の１又は２以上の間に１０％〜５０％の範囲内のデューティサイクルでパルス化される、請求項５に記載の方法。
7. 前記バイアス電力が、第１、第２及び第３の種類のエッチ工程の１又は２以上の間に前記基板に連続的に印加される、請求項３又は４に記載の方法。
8. 第２の種類の１又は２以上のエッチ工程の間のイオン衝撃の内向きの傾きが、第１の種類の１又は２以上のエッチ工程の間に適用されるバイアス電力と比べてバイアス電力の大きさを低減することによって制御される、請求項３〜７のいずれか一項に記載の方法。
9. 第３の種類の１又は２以上のエッチ工程の間のイオン衝撃の外向きの傾きが、第１の種類の１又は２以上のエッチ工程の間に適用されるバイアス電力と比べてバイアス電力の大きさを増加させることによって制御される、請求項３〜８のいずれか一項に記載の方法。
10. 前記フィーチャがビアである、請求項１〜９のいずれか一項に記載の方法。
11. 前記フィーチャがシリコン貫通ビア（ＴＳＶ）である、請求項１０に記載の方法。
12. 前記フィーチャが少なくとも５：１のアスペクト比を有する、請求項１〜１１のいずれか一項に記載の方法。
13. 前記オーバーエッチが、第１の種類の複数のエッチ工程と、第２の種類の複数のエッチ
    工程と、第３の種類の複数のエッチ工程とを含む、請求項２〜１２のいずれか一項に記載の方法。
14. 前記オーバーエッチは、
    堆積工程と第１の種類のエッチ工程とを含むエッチサイクルを実行し、それにより堆積工程と第１の種類のエッチ工程とを交互に繰り返す工程；
    堆積工程と第２の種類のエッチ工程とを含むエッチサイクルを実行し、それにより堆積工程と第２の種類のエッチ工程とを交互に繰り返す工程；及び
    堆積工程と第３の種類のエッチ工程とを含むエッチサイクルを実行し、それにより堆積工程と第３の種類のエッチ工程とを交互に繰り返す工程；
    を含む、請求項１３に記載の方法。
15. 前記オーバーエッチは、
    少なくとも１つの堆積工程と、第１の種類のエッチ工程と、第２の種類のエッチ工程と、第３の種類のエッチ工程とを含むエッチサイクルを実行する工程；及び
    前記エッチサイクルを繰り返す工程；
    を含む、請求項１３に記載の方法。
16. 前記エッチサイクルにおける第１、第２及び第３の種類の各エッチ工程の前に、対応する堆積工程が実行される、請求項１５に記載の方法。
17. 前記エッチサイクルが、単一の堆積工程と、それに続く、第１、第２及び第３の種類のエッチ工程を含む、請求項１５に記載の方法。
18. 第１、第２及び第３の種類のエッチ工程が、フッ素含有ガスを使用して形成されたプラズマを使用して実行される、請求項１〜１７のいずれか一項に記載の方法。
19. 前記オーバーエッチが、フルオロカーボンを使用して形成されたプラズマを使用して実行される少なくとも１つの堆積工程を含む、請求項１〜１８のいずれか一項に記載の方法。