JP2017201665A5 - 表示装置の製造方法 - Google Patents
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Description
図１４は本発明の実施例２を示す断面図である。図１４が図３と異なる点は、図１４のｎ−ＭＯＳ ＴＡＯＳにおけるドレイン電極１１２の部分である。ｎ−ＭＯＳ ＴＡＯＳのドレインを構成するＬＴＰＳ１１２はｐ＋となっているのに対して、ＴＡＯＳ１１０の部分はｎ−となっている。したがって、ＴＡＯＳとドレインを構成するＬＴＰＳとの間にはｐｎ接合によるダイオードが形成されている。
図２０は図１９のＢ−Ｂ断面図である。図２０において、ＴＦＴ基板１００に有機ＥＬ層を含む表示素子層２１０が形成されている。表示素子層２１０は図１９の表示領域１０に対応して形成されている。有機ＥＬ材料は水分によって分解するので、外部からの水分の侵入を防止するために、表示素子層２１０を覆って保護層２１５がＳｉＮｘ等によって形成されている。保護層２１５の上に偏光板２２０が貼り付けられている。また、表示素子層２１０以外の部分には端子部１５０が形成され、端子部１５０にフレキシブル配線基板１６０が接続している。
Claims (10)
- 酸化物半導体を半導体層に用いた第１のＴＦＴとポリシリコンを半導体層に用いた第２のＴＦＴおよび第３のＴＦＴを有する表示装置の製造方法であって、
基板上に非晶質シリコンを形成した後ポリシリコンに変換し、
その後前記ポリシリコンをフォトリソグラフィにより複数の前記第２のＴＦＴおよび第３のＴＦＴの半導体層と前記第１のＴＦＴのソース電極座及びドレイン電極座に同時に形成し、
さらに前記第２のＴＦＴの半導体層全体と前記第３のＴＦＴの半導体層のチャネル部に第１のレジストを形成し、第１のイオンインプランテーションを行い前記第１のレジストに覆われない部分にリンをドーピングし、
その後前記第１のレジストを剥離し、前記第１のＴＦＴが配置される部分に酸化物半導体層を形成し、
さらにゲート絶縁膜を全面に形成した後、前記第１、第２及び第３のＴＦＴにそれぞれ第１のゲート電極、第２のゲート電極及び第３のゲート電極を形成し、
その後前記第１のゲート電極、第２のゲート電極及び第３のゲート電極をマスクとして第２のイオンインプランテーションを行ってリンをドーピングし、
さらに前記第１のＴＦＴと前記第３のＴＦＴを第２のレジストで覆い、前記第２のＴＦＴの半導体層に前記第２のゲート電極及び前記第２のレジストをマスクとして第３のイオンインプランテーションを行ってボロンをドーピングし、
その後前記第２のレジストを剥離し、層間絶縁膜を形成した後該層間絶縁膜にスルーホールを開口し、ソース電極とドレイン電極を形成したことを特徴とする表示装置の製造方法。 - 前記基板上に前記非晶質シリコンを形成するに先立って下地膜を形成することを特徴とする請求項１に記載の表示装置の製造方法。
- 前記酸化物半導体は、ＩＧＺＯ、ＩＴＺＯ、ＺｎＯＮ、ＩＺＯ、ＩＧＯ、ＺｎＯのいずれかであることを特徴とする請求項1に記載の表示装置の製造方法。
- 前記酸化物半導体は、１０ｎｍないし１００ｎｍの範囲の膜厚で形成されることを特徴とする請求項１に記載の表示装置の製造方法。
- 前記スルーホールを開口した後、前記ドレイン電極およびソース電極を形成
する前に、前記ポリシリコンの表面酸化膜を除去するためにフッ酸洗浄を行うことを特徴とする請求項１に記載の表示装置の製造方法。 - 前記表示装置は液晶表示装置であることを特徴とする請求項１に記載の表示装置の製造方法。
- 前記表示装置は有機ＥＬ表示装置であることを特徴とする請求項１に記載の表示装置の製造方法。
- 酸化物半導体を半導体層に用いた第１のＴＦＴとポリシリコンを半導体層に用いた第２のＴＦＴおよび第３のＴＦＴを有する表示装置の製造方法であって、
基板上に非晶質シリコンを形成した後ポリシリコンに変換し、
その後前記ポリシリコンをフォトリソグラフィにより複数の前記第２のＴＦＴおよび第３のＴＦＴの半導体層と前記第１のＴＦＴのソース電極座及びドレイン電極座に同時に形成し、
さらに前記第２のＴＦＴの半導体層全体と前記第３のＴＦＴの半導体層のチャネル部に第１のレジストを形成し、第１のイオンインプランテーションを行い前記第１のレジストに覆われない部分にリンをドーピングし、
その後前記第１のレジストを剥離し、前記第１のＴＦＴが配置される部分に酸化物半導体層を形成し、
さらにゲート絶縁膜を全面に形成した後、前記第１、第２及び第３のＴＦＴにそれぞれ第１のゲート電極、第２のゲート電極及び第３のゲート電極を形成し、
その後前記第１のゲート電極、第２のゲート電極及び第３のゲート電極をマスクとして第２のイオンインプランテーションを行ってリンをドーピングし、
さらに前記第１のＴＦＴの前記酸化物半導体層及び前記ソース電極座と前記ドレイン電極座のいずれか一方を含む部分と前記第３のＴＦＴを第２のレジストで覆い、前記第２のＴＦＴの半導体層および前記ソース電極座と前記ドレイン電極座のいずれか他方に、前記ゲート電極及び前記第２のレジストをマスクとして第３のイオンインプランテーションを行ってボロンをドーピングし、
その後前記第２のレジストを剥離し、層間絶縁膜を形成した後該層間絶縁膜にスルーホールを開口し、ソース電極とドレイン電極を形成したことを特徴とする表示装置の製造方法。 - 前記表示装置の製造方法は液晶表示装置であることを特徴とする請求項８に記載の表示装置の製造方法。
- 前記表示装置の製造方法は有機ＥＬ表示装置であることを特徴とする請求項８に記載の表示装置の製造方法。
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