JP2017157733A - 半導体装置 - Google Patents
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Abstract
Description
≪IE型トレンチゲートIGBTの構造≫
本実施の形態1によるIE型トレンチゲートIGBTを含む半導体装置について図1、図2および図3を用いて説明する。図1は、本実施の形態1によるIE型トレンチゲートIGBTを形成する半導体チップの要部平面図である。図2は、本実施の形態1による半導体チップの活性部の一部を拡大して示す要部平面図である。図3は、本実施の形態1によるIE型トレンチゲートIGBTの要部断面図であり、図2に示すA−A´線に沿った要部断面図である。
1.IE効果について
本実施の形態1による第1の効果について、図4を用いて以下に説明する。図4は、本実施の形態1によるIE型トレンチゲートIGBTの第1の効果を説明するためのセル形成領域の一部を拡大して示す要部平面図である。
本実施の形態1による第2の効果について、図5を用いて以下に説明する。図5は、本実施の形態1によるIE型トレンチゲートIGBTの第2の効果を説明するためのセル形成領域の一部を拡大して示す要部平面図である。
本実施の形態1による第3の効果について、図6を用いて以下に説明する。図6は、本実施の形態1によるIE型トレンチゲートIGBTの第3の効果を説明するためのセル形成領域の一部を拡大して示す要部断面図である。
本実施の形態1による第4の効果について、図7を用いて以下に説明する。図7は、本実施の形態1によるIE型トレンチゲートIGBTの第4の効果を説明するためのセル形成領域の一部を拡大して示す要部断面図である。
本実施の形態1による第5の効果について、図8を用いて以下に説明する。図8は、本実施の形態1によるIE型トレンチゲートIGBTの第5の効果を説明するためのセル形成領域の一部を拡大して示す要部断面図である。
従って、エミッタ電極EEに接続する第2トレンチゲート電極TG2を用いないGGタイプのIE型トレンチゲートIGBTと比較すると、本実施の形態1によるIE型トレンチゲートIGBTは、帰還容量Cresの低減により、スイッチングオフ損失を改善することができる。
すなわち、本実施の形態1によるIE型トレンチゲートIGBTでは、帰還容量Cresは低減できるが、入力容量Ciesは低減できない。これは、Cres/Cies比が低減できることを意味している。
従って、Cres/Cies比が低減できることから、ゲート−エミッタ間の電圧Vgeは小さくなり、オフ状態において瞬時的に貫通電流が流れなくなるので、誤点呼耐性を向上することができる。
本実施の形態1による第6の効果について、図9を用いて以下に説明する。図9は、本実施の形態1によるIE型トレンチゲートIGBTの第6の効果を説明するためのセル形成領域の一部を拡大して示す要部平面図である。
本実施の形態2によるIE型トレンチゲートIGBTを含む半導体装置について図10および図11を用いて説明する。図10は、本実施の形態2による半導体チップの活性部の一部を拡大して示す要部平面図である。図11は、本実施の形態2によるIE型トレンチゲートIGBTの要部断面図であり、図10に示すB−B´線に沿った要部断面図である。
本実施の形態3によるIE型トレンチゲートIGBTを含む半導体装置について図12、図13および図14を用いて説明する。図12は、本実施の形態3による半導体チップの活性部の一部を拡大して示す要部平面図である。図13は、図12に示すC領域を拡大して示す要部平面図である。図14は、本実施の形態3によるIE型トレンチゲートIGBTの要部断面図であり、図12に示すD−D´線に沿った要部断面図である。
本実施の形態4によるIE型トレンチゲートIGBTを含む半導体装置について図15および図16を用いて説明する。図15は、本実施の形態4による半導体チップの活性部の周辺の一部(図1に示すE領域)を拡大して示す要部平面図である。図16は、本実施の形態4によるIE型トレンチゲートIGBTの要部断面図であり、図15に示すF−F´線に沿った要部断面図である。
本実施の形態5によるIE型トレンチゲートIGBTを含む半導体装置について図17および図18を用いて説明する。図17は、本実施の形態5による半導体チップの活性部の周辺の一部を拡大して示す要部平面図である。図18は、本実施の形態5によるIE型トレンチゲートIGBTの要部断面図であり、図17に示すG−G´線に沿った要部断面図である。
本実施の形態6によるIE型トレンチゲートIGBTを含む半導体装置について図19および図20を用いて説明する。図19は、本実施の形態6による半導体チップの活性部の一部を拡大して示す要部平面図である。図20は、本実施の形態6によるIE型トレンチゲートIGBTの要部断面図であり、図19に示すH−H´線に沿った要部断面図である。
CR セル形成領域
CT コンタクト溝
DC 線状ダミーセル領域
EE エミッタ電極
EP エミッタパッド
FP フィールドプレート
FPF ファイナルパッシベーション膜
GE ゲート電極
GI ゲート絶縁膜
GL ゲート配線
GP ゲートパッド
GR ガードリング
GTG ゲート配線−トレンチゲート電極接続部
IL 層間絶縁膜
LC 線状単位セル領域
LC1 第1線状単位セル領域
LC2 第2線状単位セル領域
LCa 線状アクティブセル領域
LCaa アクティブセクション
LCad 分割アクティブセル領域
LCai インアクティブセクション
LCc 線状ホールコレクタセル領域
LCcd 分割ホールコレクタセル領域
LCi 線状インアクティブセル領域
ND N−型ドリフト領域
NE N+型エミッタ領域
NHB N型ホールバリア領域
Ns N型フィールドストップ領域
OR セル周辺接合領域
PB P型ボディ領域
PBC,PBCp P+型ボディコンタクト領域
PC P+型コレクタ領域
PF P型フローティング領域
PFp P型領域
PG プラグ
Sa 表面
Sb 裏面
SC 半導体チップ
SS 半導体基板
T1 第1トレンチ
T2 第2トレンチ
T3 第3トレンチ
TG1 第1線状トレンチゲート電極
TG2 第2線状トレンチゲート電極
TGa 連結トレンチゲート電極
TGp 端部トレンチゲート電極
TGw ゲート引き出し部
TGz 端部連結トレンチゲート電極
W1,W2,Wa,Wc,Wi 幅
Wec,Whc,Wht,Wna,Wni1,Wni2,Wt 幅
We,Wh 間隔
Lct 長さ
Claims (15)
- 第1主面、および前記第1主面と反対側の第2主面を有する半導体基板と、
前記半導体基板の前記第1主面側に、平面視において、線状アクティブセル領域と線状ホールコレクタセル領域とが、互いに離間して第1方向に交互に配置されたセル領域と、
を備え、
前記線状アクティブセル領域は、前記第1方向と直交する第2方向に互いに離間して設けられた複数の分割アクティブセル領域から構成され、
前記分割アクティブセル領域は、
前記分割アクティブセル領域の周囲に、前記第1主面から第1深さを有して設けられた第1トレンチと、
前記第1トレンチの内部に第1ゲート絶縁膜を介して設けられた第1トレンチゲート電極と、
前記分割アクティブセル領域内に、前記第1主面から第2深さを有して設けられた第1導電型の第1ボディ領域と、
前記分割アクティブセル領域内に、前記第1主面から前記第2深さよりも浅い第3深さを有して設けられた前記第1導電型と異なる第2導電型のエミッタ領域と、
を有し、
前記線状ホールコレクタセル領域は、前記第2方向に互いに離間して設けられた複数の分割ホールコレクタセル領域から構成され、
前記分割ホールコレクタセル領域は、
前記分割ホールコレクタセル領域の周囲に、前記第1主面から第4深さを有して設けられた第2トレンチと、
前記第2トレンチの内部に第2ゲート絶縁膜を介して設けられた第2トレンチゲート電極と、
前記分割ホールコレクタセル領域内に、前記第1主面から第5深さを有して設けられた前記第1導電型の第2ボディ領域と、
を有し、
前記第1方向に互いに隣り合う前記線状アクティブセル領域と前記線状ホールコレクタセル領域との間、前記第2方向に互いに隣り合う前記分割アクティブセル領域の間、および前記第2方向に互いに隣り合う前記分割ホールコレクタセル領域の間の前記半導体基板に、前記第1主面から前記第2深さおよび前記第5深さよりも深い第6深さを有する前記第1導電型のフローティング領域が設けられている、半導体装置。 - 請求項1記載の半導体装置において、
前記第2方向に互いに隣り合う前記分割アクティブセル領域の間に、前記第2方向に延在し、前記第1主面から第7深さを有して設けられた、単数または複数の第3トレンチと、
前記第3トレンチの内部に第3ゲート絶縁膜を介して設けられた第3トレンチゲート電極と、
をさらに有し、
前記第3トレンチが、前記第3トレンチの前記第2方向の両側にそれぞれ位置する前記分割アクティブセル領域の前記第1トレンチと繋がり、
前記第3トレンチゲート電極が、前記第3トレンチゲート電極の前記第2方向の両側にそれぞれ位置する前記分割アクティブセル領域の前記第1トレンチゲート電極と電気的に繋がる、半導体装置。 - 請求項1記載の半導体装置において、
前記第2方向に互いに隣り合う前記分割ホールコレクタセル領域の間に設けられた前記フローティング領域の前記第1方向の両側に、前記分割アクティブセル領域が位置する、半導体装置。 - 請求項1記載の半導体装置において、
前記エミッタ領域の前記第2方向の幅が、前記エミッタ領域が形成されていない領域の前記第2方向の幅よりも大きい、半導体装置。 - 請求項1記載の半導体装置において、
前記セル領域の最外周に位置する前記線状アクティブセル領域には、前記エミッタ領域が設けられていない、半導体装置。 - 請求項1記載の半導体装置において、
前記分割アクティブセル領域は、
前記第1主面から前記第3深さよりも深い第8深さを有して設けられた第1コンタクト溝、
をさらに有し、
前記分割ホールコレクタセル領域は、
前記第1主面から第9深さを有して設けられた第2コンタクト溝、
をさらに有し、
前記第1コンタクト溝の前記第1方向の幅は、前記第1方向に互いに隣り合う前記第1トレンチの内側側面の間隔よりも小さく、
前記第2コンタクト溝の前記第1方向の幅は、前記第1方向に互いに隣り合う前記第2トレンチの内側側面の間隔よりも大きく、
前記第1コンタクト溝の内部および前記第2コンタクト溝の内部に、第1電極が埋め込まれている、半導体装置。 - 請求項6記載の半導体装置において、
前記第2コンタクト溝の前記第1方向の幅は、前記第1コンタクト溝の前記第1方向の幅よりも大きい、半導体装置。 - 請求項6記載の半導体装置において、
前記第2コンタクト溝の前記第1方向の幅は、前記第1方向に互いに隣り合う前記第2トレンチの外側側面の間隔よりも小さい、半導体装置。 - 請求項6記載の半導体装置において、
前記第2コンタクト溝の下端部に、前記第1方向に互いに隣り合う2つの前記第2トレンチゲート電極が露出する、半導体装置。 - 請求項6記載の半導体装置において、
前記第2コンタクト溝を介して、前記第1電極と前記第2トレンチゲート電極および前記第2ボディ領域とが直接繋がる、半導体装置。 - 請求項6記載の半導体装置において、
前記第1コンタクト溝を介して、前記第1電極と前記エミッタ領域および前記第1ボディ領域とが直接繋がる、半導体装置。 - 請求項1記載の半導体装置において、
前記分割ホールコレクタセル領域の前記第1方向の幅は、前記分割アクティブセル領域の前記第1方向の幅よりも小さい、半導体装置。 - 請求項1記載の半導体装置において、
前記分割ホールコレクタセル領域の前記第1方向の幅は、前記分割アクティブセル領域の前記第1方向の幅よりも小さく、
前記分割アクティブセル領域の前記第1方向の幅は、前記分割アクティブセル領域と前記分割ホールコレクタセル領域との前記第1方向の距離よりも小さい、半導体装置。 - 請求項1記載の半導体装置において、
前記半導体基板上には、層間絶縁膜が形成されており、
前記分割アクティブセル領域は、前記第1主面から前記第3深さよりも深い第8深さを有して設けられ、かつ、前記層間絶縁膜に形成された第1コンタクト溝をさらに有し、
前記分割ホールコレクタセル領域は、前記第1主面から第9深さを有して設けられ、かつ、前記層間絶縁膜に形成された第2コンタクト溝をさらに有し、
前記第2コンタクト溝の前記第1方向の幅は、前記第1コンタクト溝の前記第1方向の幅と同程度である、半導体装置。 - 請求項14記載の半導体装置において、
前記第1コンタクト溝の内部には導電膜を有する第1プラグが形成され、
前記第2コンタクト溝の内部には前記導電膜を有する第2プラグが形成され、
前記層間絶縁膜上には、前記第1プラグおよび第2プラグと接続するエミッタ電極が形成されている、半導体装置。
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