JP2017143154A - 超格子メモリ及びクロスポイント型メモリ装置 - Google Patents
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Abstract
Description
図1及び図2は、第1の実施形態に係わるクロスポイント型メモリ装置の概略構成を説明するためのもので、図1は斜視図、図2は等価回路図である。
図8及び図9は、第2の実施形態に係わるクロスポイント型メモリ装置を説明するためもので、図8はクロスポイント型メモリ装置の概略構成を示す斜視図、図9は超格子メモリの素子構造を示す断面図である。なお、図1及び図3と同一部分には同一符号を付して、その詳しい説明は省略する。
なお、本発明は上述した各実施形態に限定されるものではない。
WL…ワード線
10…基板
11…下部電極(第1の電極)
12…埋め込み絶縁膜
13…上部電極(第2の電極)
14…層間絶縁膜
21…下層絶縁膜(第1の絶縁膜:第1の層)
22…上層絶縁膜(第2の絶縁膜:第2の層)
30…超格子メモリセル
31…Sb2Te3 層(第1のカルコゲン化合物層)
32…GeTe層(第2のカルコゲン化合物層)
40…超格子構造部
Claims (9)
- 第1のカルコゲン化合物層と該層とは組成の異なる第2のカルコゲン化合物層とを交互に積層してなる超格子構造部と、
前記超格子構造部を積層方向から挟むように設けられた、前記超格子構造部におけるエネルギーギャップよりも大きいエネルギーギャップを有する半導体又は絶縁体からなる第1の層と、
前記第1の層を介して前記超格子構造部を挟むように設けられた電極と、
を具備したことを特徴とする超格子メモリ。 - 前記第1の層は、SiO2 、SiN、AlN、又は high-k 膜であることを特徴とする請求項1記載の超格子メモリ。
- 第1の電極と、
前記第1の電極上に設けられた第1の絶縁膜と、
前記第1の絶縁膜上に設けられた、第1のカルコゲン化合物層と該層とは組成の異なる第2のカルコゲン化合物層とを交互に積層してなる超格子構造部と、
前記超格子構造部上に設けられた第2の絶縁膜と、
前記第2の絶縁膜上に設けられた第2の電極と、
を具備したことを特徴とする超格子メモリ。 - 前記第1のカルコゲン化合物層はSbを含む層状結晶であり、前記第2のカルコゲン化合物層はGeを含む層状結晶であることを特徴とする請求項1〜3の何れかに記載の超格子メモリ。
- 前記第1のカルコゲン化合物層はSb2Te3 層であり、前記第2のカルコゲン化合物層はGeTe層であることを特徴とする請求項1〜3の何れかに記載の超格子メモリ。
- 互いに平行配置された複数のビット線と、
前記ビット線に交差するように、互いに平行配置された複数のワード線と、
前記ビット線と前記ワード線との各交差部にそれぞれ配置され、第1のカルコゲン化合物層と該層とは組成の異なる第2のカルコゲン化合物層とを交互に積層してなる超格子メモリセルと、
前記メモリセルの一方の主面と前記ビット線及び前記ワード線の一方との間に挿入された、前記超格子構造部におけるエネルギーギャップよりも大きいエネルギーギャップを有する半導体又は絶縁体からなる第1の層と、
前記メモリセルの他方の主面と前記ビット線及び前記ワード線の他方との間に挿入された、前記超格子構造部におけるエネルギーギャップよりも大きいエネルギーギャップを有する半導体又は絶縁体からなる第2の層と、
を具備したことを特徴とするクロスポイント型メモリ装置。 - 前記第1及び第2の層は、SiO2 、SiN、AlN、又は high-k 膜であることを特徴とする請求項6記載のクロスポイント型メモリ装置。
- 前記第1のカルコゲン化合物層はSbを含む層状結晶であり、前記第2のカルコゲン化合物層はGeを含む層状結晶であることを特徴とする請求項6又は7に記載のクロスポイント型メモリ装置。
- 前記第1のカルコゲン化合物層はSb2Te3 層であり、前記第2のカルコゲン化合物層はGeTe層であることを特徴とする請求項6又は7に記載のクロスポイント型メモリ装置。
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