JP4635235B2 - 固体メモリ - Google Patents
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Description
一般的な自己抵抗加熱型の基本構成により相変化RAMを作製した。
一般的な自己抵抗加熱型の基本構成により相変化RAMを作製した。電極にはTiNを使用し、記録膜には[AlTe/Al2Te3]の超格子を20層積層した。超格子からなる記録膜全体の厚さは28nmであった。セルの大きさは、100×100nm2であった。
実施例1と同様に一般的な自己抵抗加熱型の基本構成により相変化RAMを作製した。記録膜にはAl2Sb2Te5の単層膜を20nm形成した。セルの大きさは、100×100nm2であった。
Claims (9)
- Teと、Alとを主成分とする、相変態により電気特性が変化する記録層を備える固体メモリであり、
前記記録層は、固体状態間で相変態を生じる層を2以上含み、
2以上の前記層は隣接して積層しており、
前記記録層は、Al原子とTe原子とからなる層と、Sb原子とTe原子とからなる層とから構成され、
隣接して積層する、2以上の前記層が超格子構造を構成しており、電気エネルギー手段により記録及び消去を行うことを特徴とする固体メモリ。 - 前記記録層では、超格子構造を構成する2以上の前記層として、AlTeからなる層と、Sb 2 Te 3 とからなる層とが隣接して積層していることを特徴とする請求項1に記載の固体メモリ。
- Al原子を、Al原子とTe原子とからなる前記層から、Al原子とTe原子とからなる前記層と、Sb原子とTe原子とからなる前記層との界面に向かって異方性拡散させることによってデータを記録又は消去することを特徴とする請求項1又は2に記載の固体メモリ。
- Al原子を、Al原子とTe原子とからなる前記層と、Sb原子とTe原子とからなる前記層との界面から、Al原子とTe原子とからなる前記層に向かって異方性拡散させることによってデータを記録又は消去することを特徴とする請求項1又は2に記載の固体メモリ。
- Teと、Alとを主成分とする、相変態により電気特性が変化する記録層を備える固体メモリであり、
前記記録層は、固体状態間で相変態を生じる層を2以上含み、
2以上の前記層は隣接して積層しており、
前記記録層は、Al原子とTe原子とからなる第一のAl含有層と、当該第一のAl含有層とは異なる組成からなる、Al原子とTe原子とからなる第二のAl含有層とから構成され、
隣接して積層する、2以上の前記層が超格子構造を構成しており、電気エネルギー手段により記録及び消去を行うことを特徴とする固体メモリ。 - 前記記録層では、超格子構造を構成する2以上の前記層として、AlTeからなる層と、Al 2 Te 3 とからなる層とが隣接して積層していることを特徴とする請求項5に記載の固体メモリ。
- 前記第一のAl含有層は、前記第二のAl含有層よりもAl原子の含有量が高く、
Al原子を、前記第一のAl含有層から、前記第一のAl含有層と前記第二のAl含有層との界面に向かって異方性拡散させることによってデータを記録又は消去することを特徴とする請求項5又は6に記載の固体メモリ。 - 前記第一のAl含有層は、前記第二のAl含有層よりもAl原子の含有量が高く、
Al原子を、前記第一のAl含有層と前記第二のAl含有層との界面から、前記第一のAl含有層に向かって異方性拡散させることによってデータを記録又は消去することを特徴とする請求項5又は6に記載の固体メモリ。 - 固体状態間で相変態を生じる前記各層の厚さが、それぞれ0.3nm以上2nm以下の範囲内であることを特徴とする請求項1〜8の何れか1項に記載の固体メモリ。
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