JP2017120412A - 装置、テレビジョンシステム及び電子機器 - Google Patents
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- 230000008859 change Effects 0.000 claims abstract description 25
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims description 518
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 claims description 51
- 230000033001 locomotion Effects 0.000 claims description 18
- 239000013598 vector Substances 0.000 claims description 17
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 674
- 230000006870 function Effects 0.000 description 115
- 238000000034 method Methods 0.000 description 79
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 75
- 239000010408 film Substances 0.000 description 72
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 59
- 230000002829 reductive effect Effects 0.000 description 56
- 239000000463 material Substances 0.000 description 51
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 51
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 51
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 50
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 48
- 239000011701 zinc Substances 0.000 description 48
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 40
- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 description 40
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 38
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 description 32
- 125000004429 atom Chemical group 0.000 description 30
- 230000007274 generation of a signal involved in cell-cell signaling Effects 0.000 description 28
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 26
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 26
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 26
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 24
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 22
- 239000000523 sample Substances 0.000 description 21
- 239000008188 pellet Substances 0.000 description 20
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 20
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 description 19
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N silicon dioxide Inorganic materials O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 18
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 description 17
- 238000004891 communication Methods 0.000 description 16
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 description 15
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 15
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 14
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 14
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 14
- 229910052738 indium Inorganic materials 0.000 description 14
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 14
- 230000008569 process Effects 0.000 description 14
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 14
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 14
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 13
- 239000001257 hydrogen Substances 0.000 description 13
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 description 13
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 13
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 12
- 239000012298 atmosphere Substances 0.000 description 12
- 238000002173 high-resolution transmission electron microscopy Methods 0.000 description 12
- 238000003860 storage Methods 0.000 description 12
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 11
- 238000010894 electron beam technology Methods 0.000 description 11
- 238000003917 TEM image Methods 0.000 description 10
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 10
- 238000013139 quantization Methods 0.000 description 10
- UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N Hydrogen Chemical compound [H][H] UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 9
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N Nickel Chemical compound [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 9
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 9
- 239000000872 buffer Substances 0.000 description 9
- 230000005684 electric field Effects 0.000 description 9
- APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N indium atom Chemical compound [In] APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 9
- 239000011810 insulating material Substances 0.000 description 9
- -1 polyethylene terephthalate Polymers 0.000 description 9
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 9
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 8
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 8
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 7
- 238000002524 electron diffraction data Methods 0.000 description 7
- 230000005669 field effect Effects 0.000 description 7
- 229910052735 hafnium Inorganic materials 0.000 description 7
- 239000002159 nanocrystal Substances 0.000 description 7
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 7
- 230000001590 oxidative effect Effects 0.000 description 7
- 239000000565 sealant Substances 0.000 description 7
- 238000001004 secondary ion mass spectrometry Methods 0.000 description 7
- 239000010936 titanium Substances 0.000 description 7
- 229910052725 zinc Inorganic materials 0.000 description 7
- XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N Argon Chemical compound [Ar] XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 229910002601 GaN Inorganic materials 0.000 description 6
- HCHKCACWOHOZIP-UHFFFAOYSA-N Zinc Chemical compound [Zn] HCHKCACWOHOZIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N Zinc monoxide Chemical compound [Zn]=O XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 238000004458 analytical method Methods 0.000 description 6
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 6
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 6
- 229910052733 gallium Inorganic materials 0.000 description 6
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 6
- VBJZVLUMGGDVMO-UHFFFAOYSA-N hafnium atom Chemical compound [Hf] VBJZVLUMGGDVMO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 150000004767 nitrides Chemical class 0.000 description 6
- 238000004549 pulsed laser deposition Methods 0.000 description 6
- 230000035882 stress Effects 0.000 description 6
- 238000012360 testing method Methods 0.000 description 6
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 description 6
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 description 5
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 5
- PMHQVHHXPFUNSP-UHFFFAOYSA-M copper(1+);methylsulfanylmethane;bromide Chemical compound Br[Cu].CSC PMHQVHHXPFUNSP-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 5
- 238000012937 correction Methods 0.000 description 5
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 5
- AJNVQOSZGJRYEI-UHFFFAOYSA-N digallium;oxygen(2-) Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[Ga+3].[Ga+3] AJNVQOSZGJRYEI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 230000002349 favourable effect Effects 0.000 description 5
- 229910001195 gallium oxide Inorganic materials 0.000 description 5
- 229910052732 germanium Inorganic materials 0.000 description 5
- GNPVGFCGXDBREM-UHFFFAOYSA-N germanium atom Chemical compound [Ge] GNPVGFCGXDBREM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 229910021389 graphene Inorganic materials 0.000 description 5
- AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N indium;oxotin Chemical compound [In].[Sn]=O AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N oxo(oxoalumanyloxy)alumane Chemical compound O=[Al]O[Al]=O TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 5
- BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N platinum Chemical compound [Pt] BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 238000012916 structural analysis Methods 0.000 description 5
- 238000002230 thermal chemical vapour deposition Methods 0.000 description 5
- WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N tungsten Chemical compound [W] WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 description 5
- 239000010937 tungsten Substances 0.000 description 5
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 description 5
- 239000011800 void material Substances 0.000 description 5
- CURLTUGMZLYLDI-UHFFFAOYSA-N Carbon dioxide Chemical compound O=C=O CURLTUGMZLYLDI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N Iron Chemical compound [Fe] XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- GQPLMRYTRLFLPF-UHFFFAOYSA-N Nitrous Oxide Chemical compound [O-][N+]#N GQPLMRYTRLFLPF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N Titan oxide Chemical compound O=[Ti]=O GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 239000007983 Tris buffer Substances 0.000 description 4
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000000969 carrier Substances 0.000 description 4
- 229920001940 conductive polymer Polymers 0.000 description 4
- 229910021419 crystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 4
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 4
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 4
- KPUWHANPEXNPJT-UHFFFAOYSA-N disiloxane Chemical class [SiH3]O[SiH3] KPUWHANPEXNPJT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 238000009826 distribution Methods 0.000 description 4
- 239000000945 filler Substances 0.000 description 4
- 229910002804 graphite Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000010439 graphite Substances 0.000 description 4
- 229910000449 hafnium oxide Inorganic materials 0.000 description 4
- WIHZLLGSGQNAGK-UHFFFAOYSA-N hafnium(4+);oxygen(2-) Chemical compound [O-2].[O-2].[Hf+4] WIHZLLGSGQNAGK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 229910003437 indium oxide Inorganic materials 0.000 description 4
- PJXISJQVUVHSOJ-UHFFFAOYSA-N indium(iii) oxide Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[In+3].[In+3] PJXISJQVUVHSOJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- MRELNEQAGSRDBK-UHFFFAOYSA-N lanthanum(3+);oxygen(2-) Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[La+3].[La+3] MRELNEQAGSRDBK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- PLDDOISOJJCEMH-UHFFFAOYSA-N neodymium(3+);oxygen(2-) Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[Nd+3].[Nd+3] PLDDOISOJJCEMH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 4
- QGLKJKCYBOYXKC-UHFFFAOYSA-N nonaoxidotritungsten Chemical compound O=[W]1(=O)O[W](=O)(=O)O[W](=O)(=O)O1 QGLKJKCYBOYXKC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 230000003071 parasitic effect Effects 0.000 description 4
- 238000005192 partition Methods 0.000 description 4
- 239000011241 protective layer Substances 0.000 description 4
- 238000004151 rapid thermal annealing Methods 0.000 description 4
- 239000002356 single layer Substances 0.000 description 4
- 125000006850 spacer group Chemical group 0.000 description 4
- 229910052715 tantalum Inorganic materials 0.000 description 4
- GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N tantalum atom Chemical compound [Ta] GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- OGIDPMRJRNCKJF-UHFFFAOYSA-N titanium oxide Inorganic materials [Ti]=O OGIDPMRJRNCKJF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 229910001930 tungsten oxide Inorganic materials 0.000 description 4
- YVTHLONGBIQYBO-UHFFFAOYSA-N zinc indium(3+) oxygen(2-) Chemical compound [O--].[Zn++].[In+3] YVTHLONGBIQYBO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 229910052726 zirconium Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000004925 Acrylic resin Substances 0.000 description 3
- 229920000178 Acrylic resin Polymers 0.000 description 3
- JBRZTFJDHDCESZ-UHFFFAOYSA-N AsGa Chemical compound [As]#[Ga] JBRZTFJDHDCESZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910001218 Gallium arsenide Inorganic materials 0.000 description 3
- FYYHWMGAXLPEAU-UHFFFAOYSA-N Magnesium Chemical compound [Mg] FYYHWMGAXLPEAU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N Molybdenum Chemical compound [Mo] ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910052779 Neodymium Inorganic materials 0.000 description 3
- CBENFWSGALASAD-UHFFFAOYSA-N Ozone Chemical compound [O-][O+]=O CBENFWSGALASAD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N Phosphorus Chemical compound [P] OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000004642 Polyimide Substances 0.000 description 3
- 229910000577 Silicon-germanium Inorganic materials 0.000 description 3
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- QCWXUUIWCKQGHC-UHFFFAOYSA-N Zirconium Chemical compound [Zr] QCWXUUIWCKQGHC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- LEVVHYCKPQWKOP-UHFFFAOYSA-N [Si].[Ge] Chemical compound [Si].[Ge] LEVVHYCKPQWKOP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000004760 aramid Substances 0.000 description 3
- 229910052786 argon Inorganic materials 0.000 description 3
- 229920003235 aromatic polyamide Polymers 0.000 description 3
- 238000001505 atmospheric-pressure chemical vapour deposition Methods 0.000 description 3
- 230000000903 blocking effect Effects 0.000 description 3
- 239000011651 chromium Substances 0.000 description 3
- 230000001186 cumulative effect Effects 0.000 description 3
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 description 3
- 238000002003 electron diffraction Methods 0.000 description 3
- 239000003822 epoxy resin Substances 0.000 description 3
- 238000001704 evaporation Methods 0.000 description 3
- 150000002431 hydrogen Chemical class 0.000 description 3
- 239000011261 inert gas Substances 0.000 description 3
- 239000012212 insulator Substances 0.000 description 3
- 229910052746 lanthanum Inorganic materials 0.000 description 3
- 229910052749 magnesium Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000011777 magnesium Substances 0.000 description 3
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 description 3
- 230000007246 mechanism Effects 0.000 description 3
- 238000002488 metal-organic chemical vapour deposition Methods 0.000 description 3
- 238000001451 molecular beam epitaxy Methods 0.000 description 3
- 229910052750 molybdenum Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000011733 molybdenum Substances 0.000 description 3
- 239000010955 niobium Substances 0.000 description 3
- 239000011368 organic material Substances 0.000 description 3
- SIWVEOZUMHYXCS-UHFFFAOYSA-N oxo(oxoyttriooxy)yttrium Chemical compound O=[Y]O[Y]=O SIWVEOZUMHYXCS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- BPUBBGLMJRNUCC-UHFFFAOYSA-N oxygen(2-);tantalum(5+) Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[Ta+5].[Ta+5] BPUBBGLMJRNUCC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910052698 phosphorus Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000011574 phosphorus Substances 0.000 description 3
- 238000005268 plasma chemical vapour deposition Methods 0.000 description 3
- 238000009832 plasma treatment Methods 0.000 description 3
- 238000000623 plasma-assisted chemical vapour deposition Methods 0.000 description 3
- 229920000647 polyepoxide Polymers 0.000 description 3
- 229920001721 polyimide Polymers 0.000 description 3
- 239000004800 polyvinyl chloride Substances 0.000 description 3
- 229920000915 polyvinyl chloride Polymers 0.000 description 3
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 description 3
- 239000002096 quantum dot Substances 0.000 description 3
- HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N silicon carbide Chemical compound [Si+]#[C-] HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910010271 silicon carbide Inorganic materials 0.000 description 3
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000004332 silver Substances 0.000 description 3
- 230000001360 synchronised effect Effects 0.000 description 3
- 229910001936 tantalum oxide Inorganic materials 0.000 description 3
- 230000007704 transition Effects 0.000 description 3
- 238000002834 transmittance Methods 0.000 description 3
- 239000011787 zinc oxide Substances 0.000 description 3
- WZJUBBHODHNQPW-UHFFFAOYSA-N 2,4,6,8-tetramethyl-1,3,5,7,2$l^{3},4$l^{3},6$l^{3},8$l^{3}-tetraoxatetrasilocane Chemical compound C[Si]1O[Si](C)O[Si](C)O[Si](C)O1 WZJUBBHODHNQPW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- PAYRUJLWNCNPSJ-UHFFFAOYSA-N Aniline Chemical compound NC1=CC=CC=C1 PAYRUJLWNCNPSJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N Boron Chemical compound [B] ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052684 Cerium Inorganic materials 0.000 description 2
- VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N Chromium Chemical compound [Cr] VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- GYHNNYVSQQEPJS-UHFFFAOYSA-N Gallium Chemical compound [Ga] GYHNNYVSQQEPJS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- GPXJNWSHGFTCBW-UHFFFAOYSA-N Indium phosphide Chemical compound [In]#P GPXJNWSHGFTCBW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- BPQQTUXANYXVAA-UHFFFAOYSA-N Orthosilicate Chemical compound [O-][Si]([O-])([O-])[O-] BPQQTUXANYXVAA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000004952 Polyamide Substances 0.000 description 2
- KAESVJOAVNADME-UHFFFAOYSA-N Pyrrole Chemical compound C=1C=CNC=1 KAESVJOAVNADME-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- BLRPTPMANUNPDV-UHFFFAOYSA-N Silane Chemical compound [SiH4] BLRPTPMANUNPDV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- BOTDANWDWHJENH-UHFFFAOYSA-N Tetraethyl orthosilicate Chemical compound CCO[Si](OCC)(OCC)OCC BOTDANWDWHJENH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- YTPLMLYBLZKORZ-UHFFFAOYSA-N Thiophene Chemical compound C=1C=CSC=1 YTPLMLYBLZKORZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N Tin Chemical compound [Sn] ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- NRTOMJZYCJJWKI-UHFFFAOYSA-N Titanium nitride Chemical compound [Ti]#N NRTOMJZYCJJWKI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000002441 X-ray diffraction Methods 0.000 description 2
- YKTSYUJCYHOUJP-UHFFFAOYSA-N [O--].[Al+3].[Al+3].[O-][Si]([O-])([O-])[O-] Chemical compound [O--].[Al+3].[Al+3].[O-][Si]([O-])([O-])[O-] YKTSYUJCYHOUJP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 125000005595 acetylacetonate group Chemical group 0.000 description 2
- 230000004075 alteration Effects 0.000 description 2
- 125000003118 aryl group Chemical group 0.000 description 2
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 description 2
- 229910052796 boron Inorganic materials 0.000 description 2
- DQXBYHZEEUGOBF-UHFFFAOYSA-N but-3-enoic acid;ethene Chemical compound C=C.OC(=O)CC=C DQXBYHZEEUGOBF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000001569 carbon dioxide Substances 0.000 description 2
- 229910002092 carbon dioxide Inorganic materials 0.000 description 2
- 210000004027 cell Anatomy 0.000 description 2
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 2
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000002131 composite material Substances 0.000 description 2
- 239000002274 desiccant Substances 0.000 description 2
- AXAZMDOAUQTMOW-UHFFFAOYSA-N dimethylzinc Chemical compound C[Zn]C AXAZMDOAUQTMOW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000005611 electricity Effects 0.000 description 2
- 238000010893 electron trap Methods 0.000 description 2
- 239000005038 ethylene vinyl acetate Substances 0.000 description 2
- 230000005281 excited state Effects 0.000 description 2
- 239000000284 extract Substances 0.000 description 2
- 125000001153 fluoro group Chemical group F* 0.000 description 2
- YRBSWAUAPBXXMZ-UHFFFAOYSA-N gallium;pentane-2,4-dione Chemical compound [Ga].CC(=O)CC(C)=O.CC(=O)CC(C)=O.CC(=O)CC(C)=O YRBSWAUAPBXXMZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- YBMRDBCBODYGJE-UHFFFAOYSA-N germanium oxide Inorganic materials O=[Ge]=O YBMRDBCBODYGJE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000003384 imaging method Methods 0.000 description 2
- 238000007735 ion beam assisted deposition Methods 0.000 description 2
- 238000005468 ion implantation Methods 0.000 description 2
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 description 2
- 229910052742 iron Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000003475 lamination Methods 0.000 description 2
- FZLIPJUXYLNCLC-UHFFFAOYSA-N lanthanum atom Chemical compound [La] FZLIPJUXYLNCLC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 2
- QEFYFXOXNSNQGX-UHFFFAOYSA-N neodymium atom Chemical compound [Nd] QEFYFXOXNSNQGX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000007935 neutral effect Effects 0.000 description 2
- 229910052758 niobium Inorganic materials 0.000 description 2
- GUCVJGMIXFAOAE-UHFFFAOYSA-N niobium atom Chemical compound [Nb] GUCVJGMIXFAOAE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229960001730 nitrous oxide Drugs 0.000 description 2
- HMMGMWAXVFQUOA-UHFFFAOYSA-N octamethylcyclotetrasiloxane Chemical compound C[Si]1(C)O[Si](C)(C)O[Si](C)(C)O[Si](C)(C)O1 HMMGMWAXVFQUOA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 150000002894 organic compounds Chemical class 0.000 description 2
- 125000000962 organic group Chemical group 0.000 description 2
- 150000001282 organosilanes Chemical class 0.000 description 2
- 230000001151 other effect Effects 0.000 description 2
- PVADDRMAFCOOPC-UHFFFAOYSA-N oxogermanium Chemical compound [Ge]=O PVADDRMAFCOOPC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- RVTZCBVAJQQJTK-UHFFFAOYSA-N oxygen(2-);zirconium(4+) Chemical compound [O-2].[O-2].[Zr+4] RVTZCBVAJQQJTK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000000737 periodic effect Effects 0.000 description 2
- 229910052697 platinum Inorganic materials 0.000 description 2
- 229920001200 poly(ethylene-vinyl acetate) Polymers 0.000 description 2
- 229920002037 poly(vinyl butyral) polymer Polymers 0.000 description 2
- 229910021420 polycrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 2
- 229920000139 polyethylene terephthalate Polymers 0.000 description 2
- 239000005020 polyethylene terephthalate Substances 0.000 description 2
- 229920001343 polytetrafluoroethylene Polymers 0.000 description 2
- 239000004810 polytetrafluoroethylene Substances 0.000 description 2
- 229920000123 polythiophene Polymers 0.000 description 2
- 238000007639 printing Methods 0.000 description 2
- 230000005855 radiation Effects 0.000 description 2
- 238000004171 remote diagnosis Methods 0.000 description 2
- 238000005001 rutherford backscattering spectroscopy Methods 0.000 description 2
- 229910000077 silane Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000000638 solvent extraction Methods 0.000 description 2
- 238000004528 spin coating Methods 0.000 description 2
- 230000003068 static effect Effects 0.000 description 2
- CZDYPVPMEAXLPK-UHFFFAOYSA-N tetramethylsilane Chemical compound C[Si](C)(C)C CZDYPVPMEAXLPK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229920001187 thermosetting polymer Polymers 0.000 description 2
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 2
- 229910052718 tin Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910001887 tin oxide Inorganic materials 0.000 description 2
- 230000009466 transformation Effects 0.000 description 2
- XCZXGTMEAKBVPV-UHFFFAOYSA-N trimethylgallium Chemical compound C[Ga](C)C XCZXGTMEAKBVPV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000004402 ultra-violet photoelectron spectroscopy Methods 0.000 description 2
- 229910052727 yttrium Inorganic materials 0.000 description 2
- VWQVUPCCIRVNHF-UHFFFAOYSA-N yttrium atom Chemical compound [Y] VWQVUPCCIRVNHF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910001928 zirconium oxide Inorganic materials 0.000 description 2
- ZVYYAYJIGYODSD-LNTINUHCSA-K (z)-4-bis[[(z)-4-oxopent-2-en-2-yl]oxy]gallanyloxypent-3-en-2-one Chemical compound [Ga+3].C\C([O-])=C\C(C)=O.C\C([O-])=C\C(C)=O.C\C([O-])=C\C(C)=O ZVYYAYJIGYODSD-LNTINUHCSA-K 0.000 description 1
- VUFNLQXQSDUXKB-DOFZRALJSA-N 2-[4-[4-[bis(2-chloroethyl)amino]phenyl]butanoyloxy]ethyl (5z,8z,11z,14z)-icosa-5,8,11,14-tetraenoate Chemical compound CCCCC\C=C/C\C=C/C\C=C/C\C=C/CCCC(=O)OCCOC(=O)CCCC1=CC=C(N(CCCl)CCCl)C=C1 VUFNLQXQSDUXKB-DOFZRALJSA-N 0.000 description 1
- MGWGWNFMUOTEHG-UHFFFAOYSA-N 4-(3,5-dimethylphenyl)-1,3-thiazol-2-amine Chemical compound CC1=CC(C)=CC(C=2N=C(N)SC=2)=C1 MGWGWNFMUOTEHG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 210000002925 A-like Anatomy 0.000 description 1
- ZAMOUSCENKQFHK-UHFFFAOYSA-N Chlorine atom Chemical compound [Cl] ZAMOUSCENKQFHK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- MYMOFIZGZYHOMD-UHFFFAOYSA-N Dioxygen Chemical compound O=O MYMOFIZGZYHOMD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- PXGOKWXKJXAPGV-UHFFFAOYSA-N Fluorine Chemical compound FF PXGOKWXKJXAPGV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910005555 GaZnO Inorganic materials 0.000 description 1
- JMASRVWKEDWRBT-UHFFFAOYSA-N Gallium nitride Chemical compound [Ga]#N JMASRVWKEDWRBT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 206010052128 Glare Diseases 0.000 description 1
- DGAQECJNVWCQMB-PUAWFVPOSA-M Ilexoside XXIX Chemical compound C[C@@H]1CC[C@@]2(CC[C@@]3(C(=CC[C@H]4[C@]3(CC[C@@H]5[C@@]4(CC[C@@H](C5(C)C)OS(=O)(=O)[O-])C)C)[C@@H]2[C@]1(C)O)C)C(=O)O[C@H]6[C@@H]([C@H]([C@@H]([C@H](O6)CO)O)O)O.[Na+] DGAQECJNVWCQMB-PUAWFVPOSA-M 0.000 description 1
- 239000004677 Nylon Substances 0.000 description 1
- 229920012266 Poly(ether sulfone) PES Polymers 0.000 description 1
- 239000004743 Polypropylene Substances 0.000 description 1
- 229910002808 Si–O–Si Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910020994 Sn-Zn Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910009069 Sn—Zn Inorganic materials 0.000 description 1
- XBDYBAVJXHJMNQ-UHFFFAOYSA-N Tetrahydroanthracene Natural products C1=CC=C2C=C(CCCC3)C3=CC2=C1 XBDYBAVJXHJMNQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910007541 Zn O Inorganic materials 0.000 description 1
- GDFCWFBWQUEQIJ-UHFFFAOYSA-N [B].[P] Chemical compound [B].[P] GDFCWFBWQUEQIJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000001133 acceleration Effects 0.000 description 1
- ZOIORXHNWRGPMV-UHFFFAOYSA-N acetic acid;zinc Chemical compound [Zn].CC(O)=O.CC(O)=O ZOIORXHNWRGPMV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- CUJRVFIICFDLGR-UHFFFAOYSA-N acetylacetonate Chemical compound CC(=O)[CH-]C(C)=O CUJRVFIICFDLGR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000009471 action Effects 0.000 description 1
- 230000003044 adaptive effect Effects 0.000 description 1
- 230000032683 aging Effects 0.000 description 1
- 125000000217 alkyl group Chemical group 0.000 description 1
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 1
- HSFWRNGVRCDJHI-UHFFFAOYSA-N alpha-acetylene Natural products C#C HSFWRNGVRCDJHI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- FTWRSWRBSVXQPI-UHFFFAOYSA-N alumanylidynearsane;gallanylidynearsane Chemical compound [As]#[Al].[As]#[Ga] FTWRSWRBSVXQPI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000005407 aluminoborosilicate glass Substances 0.000 description 1
- 229910052788 barium Inorganic materials 0.000 description 1
- DSAJWYNOEDNPEQ-UHFFFAOYSA-N barium atom Chemical compound [Ba] DSAJWYNOEDNPEQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- UMIVXZPTRXBADB-UHFFFAOYSA-N benzocyclobutene Chemical compound C1=CC=C2CCC2=C1 UMIVXZPTRXBADB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052790 beryllium Inorganic materials 0.000 description 1
- ATBAMAFKBVZNFJ-UHFFFAOYSA-N beryllium atom Chemical compound [Be] ATBAMAFKBVZNFJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000011230 binding agent Substances 0.000 description 1
- 229910052795 boron group element Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000005380 borophosphosilicate glass Substances 0.000 description 1
- 239000005388 borosilicate glass Substances 0.000 description 1
- 239000002041 carbon nanotube Substances 0.000 description 1
- 229910021393 carbon nanotube Inorganic materials 0.000 description 1
- ZMIGMASIKSOYAM-UHFFFAOYSA-N cerium Chemical compound [Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce] ZMIGMASIKSOYAM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052801 chlorine Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000460 chlorine Substances 0.000 description 1
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 1
- 229910017052 cobalt Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010941 cobalt Substances 0.000 description 1
- GUTLYIVDDKVIGB-UHFFFAOYSA-N cobalt atom Chemical compound [Co] GUTLYIVDDKVIGB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000000470 constituent Substances 0.000 description 1
- 229920001577 copolymer Polymers 0.000 description 1
- 230000003247 decreasing effect Effects 0.000 description 1
- 238000007872 degassing Methods 0.000 description 1
- 238000003745 diagnosis Methods 0.000 description 1
- 229910003460 diamond Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010432 diamond Substances 0.000 description 1
- HQWPLXHWEZZGKY-UHFFFAOYSA-N diethylzinc Chemical compound CC[Zn]CC HQWPLXHWEZZGKY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910001882 dioxygen Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000007598 dipping method Methods 0.000 description 1
- PZPGRFITIJYNEJ-UHFFFAOYSA-N disilane Chemical compound [SiH3][SiH3] PZPGRFITIJYNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000010494 dissociation reaction Methods 0.000 description 1
- 230000005593 dissociations Effects 0.000 description 1
- 230000009977 dual effect Effects 0.000 description 1
- 238000005401 electroluminescence Methods 0.000 description 1
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 1
- 230000005284 excitation Effects 0.000 description 1
- 230000001747 exhibiting effect Effects 0.000 description 1
- 238000011049 filling Methods 0.000 description 1
- 239000012530 fluid Substances 0.000 description 1
- 229910052731 fluorine Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011737 fluorine Substances 0.000 description 1
- YZZNJYQZJKSEER-UHFFFAOYSA-N gallium tin Chemical compound [Ga].[Sn] YZZNJYQZJKSEER-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 1
- 230000005283 ground state Effects 0.000 description 1
- 229910052736 halogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000002367 halogens Chemical class 0.000 description 1
- 229910001385 heavy metal Inorganic materials 0.000 description 1
- FFUAGWLWBBFQJT-UHFFFAOYSA-N hexamethyldisilazane Chemical compound C[Si](C)(C)N[Si](C)(C)C FFUAGWLWBBFQJT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000004435 hydrogen atom Chemical group [H]* 0.000 description 1
- 238000010191 image analysis Methods 0.000 description 1
- 230000006872 improvement Effects 0.000 description 1
- 238000002347 injection Methods 0.000 description 1
- 239000007924 injection Substances 0.000 description 1
- 150000002484 inorganic compounds Chemical class 0.000 description 1
- 229910010272 inorganic material Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000002452 interceptive effect Effects 0.000 description 1
- 238000001659 ion-beam spectroscopy Methods 0.000 description 1
- 230000001788 irregular Effects 0.000 description 1
- 238000001307 laser spectroscopy Methods 0.000 description 1
- 230000007774 longterm Effects 0.000 description 1
- 239000000395 magnesium oxide Substances 0.000 description 1
- CPLXHLVBOLITMK-UHFFFAOYSA-N magnesium oxide Inorganic materials [Mg]=O CPLXHLVBOLITMK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- AXZKOIWUVFPNLO-UHFFFAOYSA-N magnesium;oxygen(2-) Chemical compound [O-2].[Mg+2] AXZKOIWUVFPNLO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000001755 magnetron sputter deposition Methods 0.000 description 1
- WPBNNNQJVZRUHP-UHFFFAOYSA-L manganese(2+);methyl n-[[2-(methoxycarbonylcarbamothioylamino)phenyl]carbamothioyl]carbamate;n-[2-(sulfidocarbothioylamino)ethyl]carbamodithioate Chemical compound [Mn+2].[S-]C(=S)NCCNC([S-])=S.COC(=O)NC(=S)NC1=CC=CC=C1NC(=S)NC(=O)OC WPBNNNQJVZRUHP-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- 230000000873 masking effect Effects 0.000 description 1
- QSHDDOUJBYECFT-UHFFFAOYSA-N mercury Chemical compound [Hg] QSHDDOUJBYECFT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052753 mercury Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910001507 metal halide Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000005309 metal halides Chemical class 0.000 description 1
- 229910021645 metal ion Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910044991 metal oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000004706 metal oxides Chemical class 0.000 description 1
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 1
- 238000002156 mixing Methods 0.000 description 1
- RUFLMLWJRZAWLJ-UHFFFAOYSA-N nickel silicide Chemical compound [Ni]=[Si]=[Ni] RUFLMLWJRZAWLJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910021334 nickel silicide Inorganic materials 0.000 description 1
- JCXJVPUVTGWSNB-UHFFFAOYSA-N nitrogen dioxide Inorganic materials O=[N]=O JCXJVPUVTGWSNB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000001272 nitrous oxide Substances 0.000 description 1
- 235000013842 nitrous oxide Nutrition 0.000 description 1
- 229920001778 nylon Polymers 0.000 description 1
- 238000007645 offset printing Methods 0.000 description 1
- 239000012788 optical film Substances 0.000 description 1
- 230000008520 organization Effects 0.000 description 1
- 125000002524 organometallic group Chemical group 0.000 description 1
- 239000007800 oxidant agent Substances 0.000 description 1
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 description 1
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 description 1
- KYKLWYKWCAYAJY-UHFFFAOYSA-N oxotin;zinc Chemical compound [Zn].[Sn]=O KYKLWYKWCAYAJY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000004430 oxygen atom Chemical group O* 0.000 description 1
- SLIUAWYAILUBJU-UHFFFAOYSA-N pentacene Chemical compound C1=CC=CC2=CC3=CC4=CC5=CC=CC=C5C=C4C=C3C=C21 SLIUAWYAILUBJU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- KJOLVZJFMDVPGB-UHFFFAOYSA-N perylenediimide Chemical compound C=12C3=CC=C(C(NC4=O)=O)C2=C4C=CC=1C1=CC=C2C(=O)NC(=O)C4=CC=C3C1=C42 KJOLVZJFMDVPGB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052696 pnictogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 229920001197 polyacetylene Polymers 0.000 description 1
- 229920002647 polyamide Polymers 0.000 description 1
- 229920006122 polyamide resin Polymers 0.000 description 1
- 229920000767 polyaniline Polymers 0.000 description 1
- 239000004417 polycarbonate Substances 0.000 description 1
- 229920000515 polycarbonate Polymers 0.000 description 1
- 229920000728 polyester Polymers 0.000 description 1
- 239000011112 polyethylene naphthalate Substances 0.000 description 1
- 229920000098 polyolefin Polymers 0.000 description 1
- 229920001155 polypropylene Polymers 0.000 description 1
- 229920000128 polypyrrole Polymers 0.000 description 1
- 229920005591 polysilicon Polymers 0.000 description 1
- 229920002620 polyvinyl fluoride Polymers 0.000 description 1
- 239000000843 powder Substances 0.000 description 1
- 239000002243 precursor Substances 0.000 description 1
- 230000002265 prevention Effects 0.000 description 1
- 238000003672 processing method Methods 0.000 description 1
- 230000000750 progressive effect Effects 0.000 description 1
- 230000009993 protective function Effects 0.000 description 1
- 239000010453 quartz Substances 0.000 description 1
- 238000001552 radio frequency sputter deposition Methods 0.000 description 1
- 239000002994 raw material Substances 0.000 description 1
- 230000008707 rearrangement Effects 0.000 description 1
- 230000006798 recombination Effects 0.000 description 1
- 238000005215 recombination Methods 0.000 description 1
- 230000009467 reduction Effects 0.000 description 1
- 238000002310 reflectometry Methods 0.000 description 1
- 230000002207 retinal effect Effects 0.000 description 1
- 230000000630 rising effect Effects 0.000 description 1
- YYMBJDOZVAITBP-UHFFFAOYSA-N rubrene Chemical compound C1=CC=CC=C1C(C1=C(C=2C=CC=CC=2)C2=CC=CC=C2C(C=2C=CC=CC=2)=C11)=C(C=CC=C2)C2=C1C1=CC=CC=C1 YYMBJDOZVAITBP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052594 sapphire Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010980 sapphire Substances 0.000 description 1
- 238000007650 screen-printing Methods 0.000 description 1
- 239000003566 sealing material Substances 0.000 description 1
- 230000011218 segmentation Effects 0.000 description 1
- VSZWPYCFIRKVQL-UHFFFAOYSA-N selanylidenegallium;selenium Chemical compound [Se].[Se]=[Ga].[Se]=[Ga] VSZWPYCFIRKVQL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000004904 shortening Methods 0.000 description 1
- 150000004756 silanes Chemical class 0.000 description 1
- 229910021332 silicide Inorganic materials 0.000 description 1
- FVBUAEGBCNSCDD-UHFFFAOYSA-N silicide(4-) Chemical compound [Si-4] FVBUAEGBCNSCDD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000002210 silicon-based material Substances 0.000 description 1
- 229920002050 silicone resin Polymers 0.000 description 1
- 239000011734 sodium Substances 0.000 description 1
- 229910052708 sodium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002904 solvent Substances 0.000 description 1
- 238000001228 spectrum Methods 0.000 description 1
- 238000005507 spraying Methods 0.000 description 1
- 239000007858 starting material Substances 0.000 description 1
- 125000001424 substituent group Chemical group 0.000 description 1
- 238000006467 substitution reaction Methods 0.000 description 1
- 239000013589 supplement Substances 0.000 description 1
- 230000000153 supplemental effect Effects 0.000 description 1
- MZLGASXMSKOWSE-UHFFFAOYSA-N tantalum nitride Chemical compound [Ta]#N MZLGASXMSKOWSE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- IFLREYGFSNHWGE-UHFFFAOYSA-N tetracene Chemical compound C1=CC=CC2=CC3=CC4=CC=CC=C4C=C3C=C21 IFLREYGFSNHWGE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- PCCVSPMFGIFTHU-UHFFFAOYSA-N tetracyanoquinodimethane Chemical compound N#CC(C#N)=C1C=CC(=C(C#N)C#N)C=C1 PCCVSPMFGIFTHU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229930192474 thiophene Natural products 0.000 description 1
- XOLBLPGZBRYERU-UHFFFAOYSA-N tin dioxide Chemical compound O=[Sn]=O XOLBLPGZBRYERU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000012546 transfer Methods 0.000 description 1
- 229910052723 transition metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000013519 translation Methods 0.000 description 1
- QQQSFSZALRVCSZ-UHFFFAOYSA-N triethoxysilane Chemical compound CCO[SiH](OCC)OCC QQQSFSZALRVCSZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RGGPNXQUMRMPRA-UHFFFAOYSA-N triethylgallium Chemical compound CC[Ga](CC)CC RGGPNXQUMRMPRA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- MCULRUJILOGHCJ-UHFFFAOYSA-N triisobutylaluminium Chemical compound CC(C)C[Al](CC(C)C)CC(C)C MCULRUJILOGHCJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- JLTRXTDYQLMHGR-UHFFFAOYSA-N trimethylaluminium Chemical compound C[Al](C)C JLTRXTDYQLMHGR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- IBEFSUTVZWZJEL-UHFFFAOYSA-N trimethylindium Chemical compound C[In](C)C IBEFSUTVZWZJEL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- LENZDBCJOHFCAS-UHFFFAOYSA-N tris Chemical compound OCC(N)(CO)CO LENZDBCJOHFCAS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- VEDJZFSRVVQBIL-UHFFFAOYSA-N trisilane Chemical compound [SiH3][SiH2][SiH3] VEDJZFSRVVQBIL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052720 vanadium Inorganic materials 0.000 description 1
- GPPXJZIENCGNKB-UHFFFAOYSA-N vanadium Chemical compound [V]#[V] GPPXJZIENCGNKB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- LEONUFNNVUYDNQ-UHFFFAOYSA-N vanadium atom Chemical compound [V] LEONUFNNVUYDNQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000008016 vaporization Effects 0.000 description 1
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052724 xenon Inorganic materials 0.000 description 1
- FHNFHKCVQCLJFQ-UHFFFAOYSA-N xenon atom Chemical compound [Xe] FHNFHKCVQCLJFQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000004246 zinc acetate Substances 0.000 description 1
- TYHJXGDMRRJCRY-UHFFFAOYSA-N zinc indium(3+) oxygen(2-) tin(4+) Chemical compound [O-2].[Zn+2].[Sn+4].[In+3] TYHJXGDMRRJCRY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
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Abstract
Description
本実施の形態では、本発明の一態様に係る装置について説明する。
図1に、装置10の構成例を示す。装置10は、放送信号を受信して表示部に映像を表示する機能を有するテレビジョンシステムに用いることができる。装置10は、フロントエンド部20、デコーダ30、駆動回路40、表示部50を有する。
図2に、デコーダ30の具体的な構成例を示す。デコーダ30は、判別回路100、複数の信号生成回路110、ループフィルタ120、信号生成回路130を有する。
次に、図1に示す装置10の動作例を説明する。ここでは一例として、外部から入力される信号BSがHEVCに準拠した放送信号であり、この放送信号に基づいて表示部50に画像が表示される場合の動作について説明する。
図8に、判定回路112の具体的な構成例を示す。判定回路112は、回路300、回路310、回路320、AND330を有する。
図9に、信号生成回路130の具体的な構成例を示す。信号生成回路130はXNOR350を有する。XNOR350には、信号“0x23”及び信号nal_unit_typeが入力される。なお、信号nal_unit_typeはユニットの識別子を表す信号であり、HEVCに従って入力される。図5におけるAUDに対応する識別子は“0x23”である。
本実施の形態では、表示パネル51に用いることができる表示装置の具体的な構成例及び動作例について説明する。
図1に示す表示部50を構成する表示パネル51には、液晶表示装置、発光表示装置などの表示装置を用いることができる。以下、表示パネル51に用いることができる表示装置の一例について説明する。
次に、表示装置500の動作例について説明する。ここでは、表示装置500を図1における回路41及び表示パネル51に適用した場合の動作例を示す。
図12(A)に、画素511の構成例を示す。画素511は、トランジスタ512、液晶素子513、容量素子514を有する。
図13(A)に、画素511の他の構成例を示す。図13(A)に示す画素511は、トランジスタ515乃至517、発光素子518、容量素子519を有する。
本実施の形態では、本発明の一態様に係る装置の動作を制御する回路の構成例について説明する。
図14、図15に、電力の供給を制御するためのスイッチ(パワースイッチ)が設けられた回路の構成例を示す。
図16、図17に、回路600の具体的な構成例を示す。
本実施の形態では、上記実施の形態で説明した装置10を、放送システムに適用した場合の構成例について説明する。
本実施の形態では、上記実施の形態に示した装置に用いることができるトランジスタの構成例を説明する。
図22(A1)は、ボトムゲート型のトランジスタの一種であるチャネル保護型のトランジスタ710の断面図である。トランジスタ710は、基板871上に絶縁層872を介して電極866を有する。また、電極866上に絶縁層826を介して半導体層842を有する。電極866はゲート電極として機能できる。絶縁層826はゲート絶縁層として機能できる。
図23(A1)に、トップゲート型のトランジスタの一種であるトランジスタ730の断面図を示す。トランジスタ730は、基板871の上に絶縁層872を介して半導体層842を有し、半導体層842および絶縁層872上に、半導体層842の一部に接する電極844a、および半導体層842の一部に接する電極844bを有し、半導体層842、電極844a、および電極844b上に絶縁層826を有し、絶縁層826上に電極866を有する。
図24(A1)に例示するトランジスタ742は、トップゲート型のトランジスタの1つである。トランジスタ742は、絶縁層829上に電極844aおよび電極844bを有する。電極844aおよび電極844bは、絶縁層828および絶縁層829に形成した開口部において半導体層842と電気的に接続する。
図25に、半導体層842として酸化物半導体を用いたトランジスタ構造の一例を示す。図25(A)はトランジスタ751の上面図である。図25(B)は、図25(A)中に一点鎖線で示した部位L1−L2の断面図(チャネル長方向の断面図)である。図25(C)は、図25(A)中に一点鎖線で示した部位W1−W2の断面図(チャネル幅方向の断面図)である。
半導体層842a、半導体層842b、および半導体層842cの積層により構成される半導体層842の機能およびその効果について、図33(A)に示すエネルギーバンド構造図を用いて説明する。図33(A)は、図25(B)にD1−D2の丸印で示した部位のエネルギーバンド構造を示している。すなわち、図33(A)は、トランジスタ751のチャネル形成領域のエネルギーバンド構造を示している。
図33(B)は、図30(B)にD3−D4の丸印で示す部位のエネルギーバンド構造図である。図33(B)は、トランジスタ754のチャネル形成領域のエネルギーバンド構造を示している。
本明細書等に示す電極などの導電層、絶縁層、および半導体層は、CVD(Chemical Vapor Deposition)法、蒸着法、またはスパッタリング法などを用いて形成することができる。一般に、CVD法は、プラズマを利用するプラズマCVD(PECVD:Plasma Enhanced CVD)法、熱を利用する熱CVD(TCVD:Thermal CVD)法などに分類できる。また、大気圧下で成膜を行なう常圧CVD(APCVD:Atmospheric Pressure CVD)法などもある。さらに用いる原料ガスによって金属CVD(MCVD:Metal CVD)法、有機金属CVD(MOCVD:Metal Organic CVD)法などに分類できる。
基板871として用いる材料に大きな制限はない。目的に応じて、透光性の有無や加熱処理に耐えうる程度の耐熱性などを勘案して決定すればよい。例えばバリウムホウケイ酸ガラスやアルミノホウケイ酸ガラスなどのガラス基板、セラミック基板、石英基板、サファイア基板などを用いることができる。また、基板871として、半導体基板、可撓性基板(フレキシブル基板)、貼り合わせフィルム、基材フィルムなどを用いてもよい。
絶縁層822、絶縁層826、絶縁層828、絶縁層829、絶縁層872、絶縁層873、絶縁層874、絶縁層875、絶縁層877、および絶縁層882は、窒化アルミニウム、酸化アルミニウム、窒化酸化アルミニウム、酸化窒化アルミニウム、酸化マグネシウム、窒化シリコン、酸化シリコン、窒化酸化シリコン、酸化窒化シリコン、酸化ガリウム、酸化ゲルマニウム、酸化イットリウム、酸化ジルコニウム、酸化ランタン、酸化ネオジム、酸化ハフニウム、酸化タンタル、アルミニウムシリケートなどから選ばれた材料を、単層でまたは積層して用いる。また、酸化物材料、窒化物材料、酸化窒化物材料、窒化酸化物材料のうち、複数の材料を混合した材料を用いてもよい。
半導体層842としては、単結晶半導体、多結晶半導体、微結晶半導体、非晶質半導体などを用いることができる。半導体材料としては、例えば、シリコンや、ゲルマニウムなどを用いることができる。また、シリコンゲルマニウム、炭化シリコン、ガリウムヒ素、酸化物半導体、窒化物半導体などの化合物半導体や、有機半導体などを用いることができる。
酸化物半導体は、単結晶酸化物半導体と、それ以外の非単結晶酸化物半導体と、に分けられる。非単結晶酸化物半導体としては、CAAC−OS、多結晶酸化物半導体、nc−OS(nanocrystalline oxide semiconductor)、擬似非晶質酸化物半導体(a−like OS:amorphous−like oxide semiconductor)および非晶質酸化物半導体などがある。
まずは、CAAC−OSについて説明する。
次に、nc−OSについて説明する。
a−like OSは、nc−OSと非晶質酸化物半導体との間の構造を有する酸化物半導体である。
次に、酸化物半導体のキャリア密度について、以下に説明を行う。
電極863、電極824、電極844a、電極844b、電極825a、および電極825bを形成するための導電性材料としては、アルミニウム、クロム、銅、銀、金、白金、タンタル、ニッケル、チタン、モリブデン、タングステン、ハフニウム、バナジウム、ニオブ、マンガン、マグネシウム、ジルコニウム、ベリリウムなどから選ばれた金属元素を1種以上含む材料を用いることができる。また、リン等の不純物元素を含有させた多結晶シリコンに代表される、電気伝導度が高い半導体、ニッケルシリサイドなどのシリサイドを用いてもよい。これらの材料で形成される導電層を複数積層して用いてもよい。
コンタクトプラグとしては、例えば、タングステン、ポリシリコン等の埋め込み性の高い導電性材料を用いることができる。また、当該材料の側面および底面を、チタン層、窒化チタン層またはこれらの積層からなるバリア層(拡散防止層)で覆ってもよい。この場合、バリア層も含めてコンタクトプラグという場合がある。
本実施の形態では、上記実施の形態に示したトランジスタを用いた表示装置の構成例について説明する。ここでは、駆動回路の一部または全体を画素部と同じ基板上に形成することが可能な表示装置の構成例について、図34および図35を用いて説明する。
表示装置の一例として、液晶素子を用いた表示装置およびEL素子を用いた表示装置について説明する。なお、以下に説明する表示装置は、図1に示す表示パネル51に用いることができる。
電極4017はバックゲート電極として機能することができる。
次に、表示パネルを複数設けることにより構成した装置について説明する。図36(A)に、装置900の表示面側の斜視図を示す。図36(B)に、装置900の表示面側とは反対側の斜視図を示す。図36(A)、(B)には、2×2のマトリクス状(縦方向及び横方向にそれぞれ2つずつ)に設けられた4つの表示パネル910を有する装置900の構成例を示すが、装置900が有する表示パネル910の個数はこれに限られない。図36(A)、(B)では、各表示パネル910がFPCと接続されている例を示す。表示パネル910には、本実施の形態で説明した表示装置を適用することができる。
次に、表示モジュールについて説明する。図37に示す表示モジュール6000は、上部カバー6001と下部カバー6002との間に、FPC6003に接続されたタッチセンサ6004、FPC6005に接続された表示パネル6006、バックライトユニット6007、フレーム6009、プリント基板6010、バッテリ6011を有する。なお、バックライトユニット6007、バッテリ6011、タッチセンサ6004などは、設けられない場合もある。
本実施の形態では、上記実施の形態で説明した装置又はテレビジョンシステムなどを用いた電子機器の例について説明する。
20 フロントエンド部
30 デコーダ
40 駆動回路
41 回路
50 表示部
51 表示パネル
100 判別回路
110 信号生成回路
111 復号回路
112 判定回路
120 ループフィルタ
130 信号生成回路
200 復号回路
210 変換回路
220 加算回路
230 フレーム内予測回路
240 記憶回路
250 フレーム間予測回路
260 記憶回路
300 回路
301 カウンタ
302 XNOR
303 XNOR
304 FF
305 インバータ
306 AND
307 FF
310 回路
311 カウンタ
312 XNOR
313 XNOR
314 XNOR
315 AND
316 FF
317 AND
318 FF
320 回路
321 減算器
322 XNOR
323 FF
330 AND
500 表示装置
500a 表示装置
500b 表示装置
510 画素部
511 画素
512 トランジスタ
513 液晶素子
514 容量素子
515 トランジスタ
516 トランジスタ
517 トランジスタ
518 発光素子
519 容量素子
520 駆動回路
521 シフトレジスタ
522 バッファ
530 駆動回路
531 シフトレジスタ
532 ラッチ回路
533 バッファ
600 回路
601 トランジスタ
602 トランジスタ
603 トランジスタ
604 トランジスタ
605 インバータ
606 AND
607 NAND
608 インバータ
609 AND
610 NAND
611 インバータ
621 トランジスタ
622 トランジスタ
623 トランジスタ
624 トランジスタ
625 トランジスタ
626 トランジスタ
630 論理回路
710 トランジスタ
711 トランジスタ
720 トランジスタ
721 トランジスタ
725 トランジスタ
726 トランジスタ
730 トランジスタ
731 トランジスタ
740 トランジスタ
741 トランジスタ
742 トランジスタ
743 トランジスタ
744 トランジスタ
745 トランジスタ
746 トランジスタ
747 トランジスタ
748 トランジスタ
751 トランジスタ
752 トランジスタ
753 トランジスタ
754 トランジスタ
822 絶縁層
823 電極
824 電極
825 電極
826 絶縁層
827 絶縁層
828 絶縁層
829 絶縁層
831 開口
842 半導体層
844 電極
847 開口
855 不純物
863 電極
866 電極
869 領域
871 基板
872 絶縁層
873 絶縁層
874 絶縁層
875 絶縁層
877 絶縁層
882 絶縁層
890 トラップ準位
900 装置
910 表示パネル
920 表示領域
930 FPC
940 表示領域
1000 放送システム
1010 カメラ
1011 送信装置
1012 テレビジョンシステム
1013 受信装置
1014 表示装置
1020 イメージセンサ
1021 画像処理装置
1022 エンコーダ
1023 変調器
1025 復調器
1026 デコーダ
1027 駆動回路
1028 表示部
1040 Rawデータ
1041 画像データ
1042 符号化データ
1043 放送信号
1044 画像データ
1045 信号
1100 テレビジョン受信装置
1101 放送局
1102 人工衛星
1103 電波塔
1104 アンテナ
1105 アンテナ
1106A 電波
1106B 電波
1107A 電波
1107B 電波
1111 受信装置
1112 無線機
1113 無線機
1114 受信装置
1115 コネクタ部
1200 救急車
1201 医療機関
1202 医療機関
1205 高速ネットワーク
1210 カメラ
1211 エンコーダ
1212 通信装置
1215 映像データ
1216 映像データ
1220 通信装置
1221 デコーダ
4001 基板
4002 画素部
4003 信号線駆動回路
4004 走査線駆動回路
4005 シール材
4006 基板
4008 液晶層
4010 トランジスタ
4011 トランジスタ
4013 液晶素子
4014 配線
4015 電極
4017 電極
4018 FPC
4019 異方性導電層
4020 容量素子
4021 電極
4030 電極層
4031 電極層
4032 絶縁層
4033 絶縁層
4035 スペーサ
4102 絶縁層
4103 絶縁層
4110 絶縁層
4111 絶縁層
4112 絶縁層
4510 隔壁
4511 発光層
4513 発光素子
4514 充填材
6000 表示モジュール
6001 上部カバー
6002 下部カバー
6003 FPC
6004 タッチセンサ
6005 FPC
6006 表示パネル
6007 バックライトユニット
6008 光源
6009 フレーム
6010 プリント基板
6011 バッテリ
8100 携帯型遊技機
8101 筐体
8102 筐体
8103 表示部
8104 表示部
8105 マイク
8106 スピーカ
8107 操作スイッチ
8108 センサ用光源
8109 センサ
8110 スタイラス
8200 情報端末
8201 筐体
8202 表示部
8203 カメラ
8204 スピーカ部
8205 操作スイッチ
8206 外部接続部
8207 マイク
8208 センサ用光源
8209 センサ
8300 ノート型パーソナルコンピュータ
8301 筐体
8302 表示部
8303 キーボード
8304 ポインティングデバイス
8305 センサ用光源
8306 センサ
8400 ビデオカメラ
8401 筐体
8402 筐体
8403 表示部
8404 操作スイッチ
8405 レンズ
8406 接続部
8407 センサ用光源
8408 センサ
8500 情報端末
8501 筐体
8502 表示部
8503 バンド
8504 バックル
8505 操作スイッチ
8506 入出力端子
8507 センサ用光源
8508 センサ
8509 アイコン
8600 スロットマシン
8601 筐体
8602 表示部
8603 スタートレバー
8604 ストップスイッチ
8605 センサ用光源
8606 センサ
Claims (7)
- デコーダと、駆動回路と、表示部と、を有し、
前記駆動回路は、複数の回路を有し、
前記表示部は、複数の表示パネルを有し、
前記デコーダは、前記表示部に表示される画像に対応する信号を生成する機能を有し、
前記デコーダは、前記表示パネル毎に画像の変化を検出することにより、前記表示パネル毎に画像の書き換えの要否を判定する機能を有し、
前記回路は、画像の書き換えが必要であると判定された前記表示パネルに前記信号を出力する機能を有し、
前記回路は、画像の書き換えが不要であると判定された前記表示パネルへの前記信号の出力を停止する機能を有する装置。 - デコーダと、駆動回路と、表示部と、を有し、
前記駆動回路は、複数の回路を有し、
前記表示部は、複数の表示パネルを有し、
前記デコーダは、前記表示部に表示される画像に対応する第1の信号を生成する機能を有し、
前記デコーダは、前記表示パネル毎に画像の変化を検出することにより、前記表示パネル毎に画像の書き換えの要否を判定する機能を有し、
前記回路は、画像の書き換えが必要であると判定された前記表示パネルに前記第1の信号を出力する機能を有し、
前記回路は、画像の書き換えが不要であると判定された前記表示パネルへの前記第1の信号の出力を停止する機能を有し、
前記デコーダは、前記複数の回路から前記表示部への信号の出力を同期させる第2の信号を生成する機能を有する装置。 - 請求項1又は2において、
前記デコーダは、前記表示パネルに表示される画像の動きベクトルの値、及び、前記表示パネルに表示される画像のフレーム間予測の予測誤差に基づき、前記判定を行う機能を有する装置。 - 請求項1乃至3のいずれか一項において、
前記表示パネルは画素を有し、
前記画素は、トランジスタと、表示素子と、有し、
前記トランジスタのソース又はドレインの一方は、配線と電気的に接続され、
前記トランジスタのソース又はドレインの他方は、前記表示素子と電気的に接続され、
前記配線は、前記画素に表示する階調に対応する電位を伝える機能を有し、
前記トランジスタは、チャネル形成領域に酸化物半導体を有する装置。 - 請求項1乃至4のいずれか一項において、
前記回路は前記表示パネルの内部に設けられている装置。 - 請求項1乃至5のいずれか一項に記載の装置を有し、
放送信号を受信してビットストリームデータを生成し、前記ビットストリームデータに基づいて画像を表示する機能を有するテレビジョンシステム。 - 請求項1乃至5のいずれか一項に記載の装置、又は請求項6に記載のテレビジョンシステムと、
マイク、スピーカ、操作スイッチ、又はセンサと、を有する電子機器。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2021099278A JP7177219B2 (ja) | 2015-12-28 | 2021-06-15 | 装置 |
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2015255674 | 2015-12-28 | ||
JP2015255674 | 2015-12-28 |
Related Child Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2021099278A Division JP7177219B2 (ja) | 2015-12-28 | 2021-06-15 | 装置 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2017120412A true JP2017120412A (ja) | 2017-07-06 |
Family
ID=59087926
Family Applications (2)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2016247376A Withdrawn JP2017120412A (ja) | 2015-12-28 | 2016-12-21 | 装置、テレビジョンシステム及び電子機器 |
JP2021099278A Active JP7177219B2 (ja) | 2015-12-28 | 2021-06-15 | 装置 |
Family Applications After (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2021099278A Active JP7177219B2 (ja) | 2015-12-28 | 2021-06-15 | 装置 |
Country Status (4)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US10559249B2 (ja) |
JP (2) | JP2017120412A (ja) |
KR (1) | KR102617041B1 (ja) |
WO (1) | WO2017115208A1 (ja) |
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WO2017115208A1 (en) | 2017-07-06 |
KR102617041B1 (ko) | 2023-12-26 |
JP2021167953A (ja) | 2021-10-21 |
JP7177219B2 (ja) | 2022-11-22 |
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Date | Code | Title | Description |
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A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20191216 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20201126 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
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|
A521 | Request for written amendment filed |
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|
A02 | Decision of refusal |
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|
A521 | Request for written amendment filed |
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|
C60 | Trial request (containing other claim documents, opposition documents) |
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|
A761 | Written withdrawal of application |
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|
C11 | Written invitation by the commissioner to file amendments |
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