JP2017204637A - トランジスタおよびその作製方法 - Google Patents

Abstract

【課題】信頼性の高いトランジスタを提供する。
【解決手段】チャネルが形成される半導体層に酸化物半導体層を用いたトップゲート構造のトランジスタにおいて、ゲート電極の形成後、ゲート電極をマスクとして用いて酸化物半導体に不純物を導入する。もしくは、不活性ガスまたは窒素ガスのプラズマ処理などを行う。続いて、加熱処理を行った後、途中で大気に曝すことなく、不純物が透過しにくい絶縁層を形成する。不純物が透過しにくい絶縁層としては、酸化アルミニウム層などを用いることができる。酸化アルミニウム層は、アルミニウムを成膜した後に酸化性雰囲気中で加熱処理またはプラズマ処理を行うことで形成する。
【選択図】図１

Description

本発明は、物、方法、または製造方法に関する。または、本発明は、プロセス、マシン、マニュファクチャ、または組成物（コンポジション・オブ・マター）に関する。また、本発明の一態様は、半導体装置、表示装置、発光装置、照明装置、蓄電装置、記憶装置、プロセッサ、それらの駆動方法またはそれらの製造方法に関する。特に、本発明の一態様は、酸化物半導体を含む半導体装置、表示装置、または発光装置に関する。

なお、本明細書等において、半導体装置とは、半導体特性を利用することで機能しうる装置全般を指す。表示装置、発光装置、照明装置、電気光学装置、半導体回路および電子機器は、半導体装置を有する場合がある。

トランジスタの半導体層に用いる材料の一つとしてシリコンが知られている。シリコンは、用途によって非晶質シリコンと多結晶シリコンとが使い分けられている。例えば、大型の表示装置を構成するトランジスタの半導体層にシリコンを用いる場合、大面積基板への形成技術が確立されている非晶質シリコンを用いるのが好適である。また、駆動回路と表示部を一体形成した高機能の表示装置を構成するトランジスタの半導体層にシリコンを用いる場合、高い電界効果移動度を有するトランジスタを作製可能な多結晶シリコンを用いるのが好適である。

一方で、近年は、トランジスタの半導体層に用いる材料として、酸化物半導体が注目されている。例えば、インジウム、ガリウムおよび亜鉛を有する非晶質酸化物半導体を用いたトランジスタが知られている（特許文献１参照。）。

酸化物半導体は、スパッタリング法などを用いて形成できるため、大型の表示装置を構成するトランジスタの半導体層に用いることができる。また、非晶質シリコンを用いたトランジスタの生産設備の一部を改良して利用することが可能であるため、設備投資を抑えられる。また、酸化物半導体を用いたトランジスタは、高い電界効果移動度を有するため、駆動回路と表示部を一体形成した高機能の表示装置を実現できる。

加えて、半導体層に酸化物半導体を用いたトランジスタは、非導通状態において極めてリーク電流が小さいことが知られている。例えば、酸化物半導体を用いたトランジスタのリーク電流が低いという特性を応用した低消費電力のＣＰＵなどが開示されている（特許文献２参照。）。

特開２００６−１６５５２８号公報 特開２０１２−２５７１８７号公報

本発明の一態様は、電気特性の良好なトランジスタを提供することを課題の一とする。または、電気特性の安定したトランジスタを提供することを課題の一とする。または、消費電力の少ないトランジスタを提供することを課題の一とする。または、信頼性の良好なトランジスタを提供することを課題の一とする。または、新規なトランジスタを提供することを課題の一とする。または、これらのトランジスタの少なくとも一つを有する半導体装置を提供することを課題の一とする。

なお、これらの課題の記載は、他の課題の存在を妨げるものではない。なお、本発明の一態様は、これらの課題の全てを解決する必要はないものとする。なお、これら以外の課題は、明細書、図面、請求項などの記載から、自ずと明らかとなるものであり、明細書、図面、請求項などの記載から、これら以外の課題を抽出することが可能である。

チャネルが形成される半導体層に酸化物半導体層を用いたトップゲート構造のトランジスタにおいて、ゲート電極の形成後、ゲート電極をマスクとして用いて酸化物半導体に不純物を導入する。もしくは、不活性ガスまたは窒素ガスのプラズマ処理などを行う。続いて、加熱処理を行った後、途中で大気に曝すことなく、不純物が透過しにくい絶縁層を形成する。不純物が透過しにくい絶縁層としては、酸化アルミニウム層などを用いることができる。酸化アルミニウム層は、アルミニウムを成膜した後に酸化性雰囲気中で加熱処理またはプラズマ処理を行うことで形成できる。

本発明の一態様は、第１のゲート電極と、前記第１のゲート電極上に設けられた第１のゲート絶縁層と、前記第１のゲート絶縁層上に設けられた酸化物半導体層と、前記酸化物半導体層上に設けられた第２のゲート絶縁層と、前記第２のゲート絶縁層上に設けられた、第２のゲート電極と、前記第２のゲート電極上および前記酸化物半導体層上に設けられた第１の絶縁層と、を有し、前記第１の絶縁層の密度が３．０ｇ／ｃｍ^３以下であることを特徴とするトランジスタである。

または、本発明の一態様は、第１のゲート電極を形成する工程と、前記第１のゲート電極上に第１のゲート絶縁層を形成する工程と、前記第１のゲート絶縁層上に酸化物半導体層を形成する工程と、前記酸化物半導体層上に、第２のゲート絶縁層を形成する工程と、第２のゲート絶縁層上に、第２のゲート電極を形成する工程と、第１の加熱処理を行う工程と、前記第１のゲート絶縁層上および前記酸化物半導体層上に、スパッタリング法により前記第１の絶縁層を形成する工程と、を含み、前記第１の加熱処理を行う工程から前記第１の絶縁層を形成する工程までを大気に曝すことなく行うことを特徴とするトランジスタの作製方法である。

スパッタリング法により前記第１の絶縁層を形成する場合、第１の絶縁層の形成温度は、室温以上１５０℃以下が好ましい。

または、本発明の一態様は、第１のゲート電極を形成する工程と、前記第１のゲート電極上に第１のゲート絶縁層を形成する工程と、前記第１のゲート絶縁層上に酸化物半導体層を形成する工程と、前記酸化物半導体層上に、第２のゲート絶縁層を形成する工程と、第２のゲート絶縁層上に、第２のゲート電極を形成する工程と、第１の加熱処理を行う工程と、前記第１のゲート絶縁層上および前記酸化物半導体層上に、金属層を形成する工程と、前記金属層を酸化して第１の絶縁層を形成する工程と、を含み、前記第１の加熱処理を行う工程から前記第１の絶縁層を形成する工程までを大気に曝すことなく行うことを特徴とするトランジスタの作製方法である。

第１の加熱処理は、不活性雰囲気中で行った後に、酸化性雰囲気中で行ってもよい。第１の絶縁層を形成するための金属層の酸化は、酸化性雰囲気下で第２の加熱処理を行うことで実現できる。または、第１の絶縁層を形成するための金属層の酸化は、酸化性雰囲気下でプラズマ処理を行うことで実現できる。なお、第２の加熱処理とプラズマ処理を同時に行ってもよい。第１の加熱処理と第２の加熱処理は、それぞれ２００℃以上５００℃以下で行ってもよい。

金属層は、例えば、アルミニウムを含む。第２の絶縁層は、例えば、アルミニウムと、酸素と、を含む。前記酸化物半導体層は、例えば、インジウム、ガリウム、および亜鉛を含む。

本発明の一態様によれば、電気特性の良好なトランジスタを提供することができる。または、電気特性の安定したトランジスタを提供することができる。または、消費電力の少ないトランジスタを提供することができる。または、信頼性の良好なトランジスタを提供することができる。または、新規なトランジスタを提供することができる。または、これらのトランジスタの少なくとも一つを有する半導体装置を提供することができる。

なお、これらの効果の記載は、他の効果の存在を妨げるものではない。なお、本発明の一態様は、これらの効果の全てを有する必要はない。なお、これら以外の効果は、明細書、図面、請求項などの記載から、自ずと明らかとなるものであり、明細書、図面、請求項などの記載から、これら以外の効果を抽出することが可能である。

トランジスタを説明する図。 トランジスタを説明する図。 トランジスタを説明する図。 トランジスタを説明する図。 トランジスタの作製工程を説明する図。 トランジスタの作製工程を説明する図。 トランジスタの作製工程を説明する図。 トランジスタの作製工程を説明する図。 トランジスタの作製工程を説明する図。 トランジスタの作製工程を説明する図。 トランジスタを説明する図。 トランジスタを説明する図。 トランジスタを説明する図。 トランジスタを説明する図。 トランジスタを説明する図。 トランジスタを説明する図。 トランジスタを説明する図。 本発明に係る酸化物の原子数比の範囲を説明する図。 酸化物半導体の積層構造のバンド図。 表示装置の一例および画素の回路構成例を説明する図。 画素の回路構成例を説明する図。 駆動回路の構成例を説明する図。 表示装置の一例を説明する図。 表示装置の一例を説明する図。 表示モジュールの一例を説明する図。 電子機器の一例を説明する図。 表示装置の一例を説明する斜視図。 試料構造を説明する図。 ＳＩＭＳ分析結果を説明する図。 ＳＩＭＳ分析結果を説明する図。 試料構造、および密度の測定結果を説明する図。

実施の形態について、図面を用いて詳細に説明する。但し、本発明は以下の説明に限定されず、本発明の趣旨およびその範囲から逸脱することなくその形態および詳細を様々に変更し得ることは当業者であれば容易に理解される。従って、本発明は以下に示す実施の形態の記載内容に限定して解釈されるものではない。なお、以下に説明する発明の構成において、同一部分又は同様な機能を有する部分には同一の符号を異なる図面間で共通して用い、その繰り返しの説明は省略する場合がある。

また、図面などにおいて示す各構成の、位置、大きさ、範囲などは、発明の理解を容易とするため、実際の位置、大きさ、範囲などを表していない場合がある。このため、開示する発明は、必ずしも、図面などに開示された位置、大きさ、範囲などに限定されない。例えば、実際の製造工程において、エッチングなどの処理により層やレジストマスクなどが意図せずに目減りすることがあるが、理解を容易とするために省略して示すことがある。

また、特に上面図（「平面図」ともいう。）や斜視図などにおいて、発明の理解を容易とするため、一部の構成要素の記載を省略する場合がある。また、一部の隠れ線などの記載を省略する場合がある。

本明細書等における「第１」、「第２」などの序数詞は、構成要素の混同を避けるために付すものであり、工程順または積層順など、なんらかの順番や順位を示すものではない。また、本明細書等において序数詞が付されていない用語であっても、構成要素の混同を避けるため、特許請求の範囲において序数詞が付される場合がある。また、本明細書等において序数詞が付されている用語であっても、特許請求の範囲において異なる序数詞が付される場合がある。また、本明細書等において序数詞が付されている用語であっても、特許請求の範囲などにおいて序数詞を省略する場合がある。

また、本明細書等において「電極」や「配線」の用語は、これらの構成要素を機能的に限定するものではない。例えば、「電極」は「配線」の一部として用いられることがあり、その逆もまた同様である。さらに、「電極」や「配線」の用語は、複数の「電極」や「配線」が一体となって設けられている場合なども含む。

なお、本明細書等において「上」や「下」の用語は、構成要素の位置関係が直上または直下で、かつ、直接接していることを限定するものではない。例えば、「絶縁層Ａ上の電極Ｂ」の表現であれば、絶縁層Ａの上に電極Ｂが直接接して設けられている必要はなく、絶縁層Ａと電極Ｂとの間に他の構成要素を含むものを除外しない。

また、ソースおよびドレインの機能は、異なる極性のトランジスタを採用する場合や、回路動作において電流の方向が変化する場合など、動作条件などによって互いに入れ替わるため、いずれがソースまたはドレインであるかを限定することが困難である。このため、本明細書においては、ソースおよびドレインの用語は、入れ替えて用いることができるものとする。

また、本明細書等において、ＸとＹとが接続されている、と明示的に記載されている場合は、ＸとＹとが電気的に接続されている場合と、ＸとＹとが機能的に接続されている場合と、ＸとＹとが直接接続されている場合とが、本明細書等に開示されているものとする。したがって、所定の接続関係、例えば、図または文章に示された接続関係に限定されず、図または文章に示された接続関係以外のものも、図または文章に記載されているものとする。

また、本明細書等において、「電気的に接続」には、「何らかの電気的作用を有するもの」を介して接続されている場合が含まれる。ここで、「何らかの電気的作用を有するもの」は、接続対象間での電気信号の授受を可能とするものであれば、特に制限を受けない。よって、「電気的に接続する」と表現される場合であっても、現実の回路においては、物理的な接続部分がなく、配線が延在しているだけの場合もある。

なお、チャネル長とは、例えば、トランジスタの上面図において、半導体（またはトランジスタがオン状態のときに半導体の中で電流の流れる部分）とゲート電極とが互いに重なる領域、またはチャネルが形成される領域における、ソース（ソース領域またはソース電極）とドレイン（ドレイン領域またはドレイン電極）との間の距離をいう。なお、一つのトランジスタにおいて、チャネル長が全ての領域で同じ値をとるとは限らない。即ち、一つのトランジスタのチャネル長は、一つの値に定まらない場合がある。そのため、本明細書では、チャネル長は、チャネルの形成される領域における、いずれか一の値、最大値、最小値または平均値とする。

チャネル幅とは、例えば、半導体（またはトランジスタがオン状態のときに半導体の中で電流の流れる部分）とゲート電極とが互いに重なる領域、またはチャネルが形成される領域における、ソースとドレインとが向かい合っている部分の長さをいう。なお、一つのトランジスタにおいて、チャネル幅がすべての領域で同じ値をとるとは限らない。即ち、一つのトランジスタのチャネル幅は、一つの値に定まらない場合がある。そのため、本明細書では、チャネル幅は、チャネルの形成される領域における、いずれか一の値、最大値、最小値または平均値とする。

なお、トランジスタの構造によっては、実際にチャネルの形成される領域におけるチャネル幅（以下、「実効的なチャネル幅」ともいう。）と、トランジスタの上面図において示されるチャネル幅（以下、「見かけ上のチャネル幅」ともいう。）と、が異なる場合がある。例えば、ゲート電極が半導体層の側面を覆う場合、実効的なチャネル幅が、見かけ上のチャネル幅よりも大きくなり、その影響が無視できなくなる場合がある。例えば、微細かつゲート電極が半導体の側面を覆うトランジスタでは、半導体の側面に形成されるチャネル形成領域の割合が大きくなる場合がある。その場合は、見かけ上のチャネル幅よりも、実効的なチャネル幅の方が大きくなる。

このような場合、実効的なチャネル幅の、実測による見積もりが困難となる場合がある。例えば、設計値から実効的なチャネル幅を見積もるためには、半導体の形状が既知という仮定が必要である。したがって、半導体の形状が正確にわからない場合には、実効的なチャネル幅を正確に測定することは困難である。

そこで、本明細書では、見かけ上のチャネル幅を、「囲い込みチャネル幅（ＳＣＷ：Ｓｕｒｒｏｕｎｄｅｄ Ｃｈａｎｎｅｌ Ｗｉｄｔｈ）」と呼ぶ場合がある。また、本明細書では、単にチャネル幅と記載した場合には、囲い込みチャネル幅または見かけ上のチャネル幅を指す場合がある。または、本明細書では、単にチャネル幅と記載した場合には、実効的なチャネル幅を指す場合がある。なお、チャネル長、チャネル幅、実効的なチャネル幅、見かけ上のチャネル幅、囲い込みチャネル幅などは、断面ＴＥＭ像などを解析することなどによって、値を決定することができる。

なお、トランジスタの電界効果移動度や、チャネル幅当たりの電流値などを計算して求める場合、囲い込みチャネル幅を用いて計算する場合がある。その場合には、実効的なチャネル幅を用いて計算する場合とは異なる値をとる場合がある。

なお、半導体の「不純物」とは、例えば、半導体を構成する主成分以外をいう。例えば、濃度が０．１原子％未満の元素は不純物と言える。不純物が含まれることにより、例えば、半導体のＤＯＳ（Ｄｅｎｓｉｔｙ ｏｆ Ｓｔａｔｅｓ）が高くなることや、キャリア移動度が低下することや、結晶性が低下することなどが起こる場合がある。半導体が酸化物半導体である場合、半導体の特性を変化させる不純物としては、例えば、第１族元素、第２族元素、第１３族元素、第１４族元素、第１５族元素、および酸化物半導体の主成分以外の遷移金属などがあり、例えば、水素、リチウム、ナトリウム、シリコン、ホウ素、リン、炭素、窒素などがある。

酸化物半導体の場合、水も不純物として機能する場合がある。また、酸化物半導体の場合、例えば不純物の混入によって酸素欠損を形成する場合がある。また、半導体がシリコンである場合、半導体の特性を変化させる不純物としては、例えば、酸素、水素を除く第１族元素、第２族元素、第１３族元素、第１５族元素などがある。

また、本明細書において、「平行」とは、二つの直線が−１０°以上１０°以下の角度で配置されている状態をいう。従って、−５°以上５°以下の場合も含まれる。また、「略平行」とは、二つの直線が−３０°以上３０°以下の角度で配置されている状態をいう。また、「垂直」および「直交」とは、二つの直線が８０°以上１００°以下の角度で配置されている状態をいう。従って、８５°以上９５°以下の場合も含まれる。また、「略垂直」とは、二つの直線が６０°以上１２０°以下の角度で配置されている状態をいう。

また、本明細書において、結晶が三方晶または菱面体晶である場合、六方晶系として表す。

なお、本明細書等において、計数値および計量値に関して「同一」、「同じ」、「等しい」または「均一」（これらの同意語を含む）などと言う場合は、明示されている場合を除き、プラスマイナス２０％の誤差を含むものとする。

また、本明細書等において、フォトリソグラフィ法によりレジストマスクを形成し、その後にエッチング工程（除去工程）を行う場合は、特段の説明がない限り、当該レジストマスクは、エッチング工程終了後に除去するものとする。

また、本明細書等において、高電源電位ＶＤＤ（「ＶＤＤ」または「Ｈ電位」ともいう。）とは、低電源電位ＶＳＳよりも高い電位の電源電位を示す。また、低電源電位ＶＳＳ（「ＶＳＳ」または「Ｌ電位」ともいう。）とは、高電源電位ＶＤＤよりも低い電位の電源電位を示す。また、接地電位（「ＧＮＤ」または「ＧＮＤ電位」ともいう。）をＶＤＤまたはＶＳＳとして用いることもできる。例えばＶＤＤが接地電位の場合には、ＶＳＳは接地電位より低い電位であり、ＶＳＳが接地電位の場合には、ＶＤＤは接地電位より高い電位である。

なお、「膜」という言葉と、「層」という言葉とは、場合によっては、または、状況に応じて、互いに入れ替えることが可能である。例えば、「導電層」という用語を、「導電膜」という用語に変更することが可能な場合がある。または、例えば、「絶縁膜」という用語を、「絶縁層」という用語に変更することが可能な場合がある。

また、本明細書等において、トランジスタとは、ゲートと、ドレインと、ソースとを含む少なくとも三つの端子を有する素子である。そして、ドレイン（ドレイン端子、ドレイン領域またはドレイン電極）とソース（ソース端子、ソース領域またはソース電極）の間にチャネル領域を有しており、チャネル形成領域を介して、ソースとドレインとの間に電流を流すことができるものである。なお、本明細書等において、チャネル領域とは、電流が主として流れる領域をいう。

また、本明細書等に示すトランジスタは、特に断りがない場合、エンハンスメント型（ノーマリーオフ型）の電界効果トランジスタとする。また、本明細書等に示すトランジスタは、特に断りがない場合、ｎチャネル型のトランジスタとする。よって、そのしきい値電圧（「Ｖｔｈ」ともいう。）は、特に断りがない場合、０Ｖよりも大きいものとする。

なお、本明細書等において、バックゲートを有するトランジスタのＶｔｈは、特に断りがない場合、バックゲートの電位をソースまたはゲートと同電位としたときのＶｔｈをいう。

また、本明細書等において、特に断りがない場合、オフ電流とは、トランジスタがオフ状態（非導通状態、遮断状態、ともいう）にあるときのドレイン電流をいう。オフ状態とは、特に断りがない場合、ｎチャネル型トランジスタでは、ゲートとソースの間の電圧Ｖｇｓがしきい値電圧Ｖｔｈよりも低い状態、ｐチャネル型トランジスタでは、ゲートとソースの間の電圧Ｖｇｓがしきい値電圧Ｖｔｈよりも高い状態をいう。例えば、ｎチャネル型のトランジスタのオフ電流とは、ゲートとソースの間の電圧Ｖｇｓがしきい値電圧Ｖｔｈよりも低いときのドレイン電流を言う場合がある。

トランジスタのオフ電流は、Ｖｇｓに依存する場合がある。従って、トランジスタのオフ電流がＩ以下である、とは、トランジスタのオフ電流がＩ以下となるＶｇｓの値が存在することを言う場合がある。トランジスタのオフ電流は、所定のＶｇｓにおけるオフ状態、所定の範囲内のＶｇｓにおけるオフ状態、または、十分に低減されたオフ電流が得られるＶｇｓにおけるオフ状態、等におけるオフ電流を指す場合がある。

一例として、しきい値電圧Ｖｔｈが０．５Ｖであり、Ｖｇｓが０．５Ｖにおけるドレイン電流が１×１０^−９Ａであり、Ｖｇｓが０．１Ｖにおけるドレイン電流が１×１０^−１３Ａであり、Ｖｇｓが−０．５Ｖにおけるドレイン電流が１×１０^−１９Ａであり、Ｖｇｓが−０．８Ｖにおけるドレイン電流が１×１０^−２２Ａであるようなｎチャネル型トランジスタを想定する。当該トランジスタのドレイン電流は、Ｖｇｓが−０．５Ｖにおいて、または、Ｖｇｓが−０．５Ｖ乃至−０．８Ｖの範囲において、１×１０^−１９Ａ以下であるから、当該トランジスタのオフ電流は１×１０^−１９Ａ以下である、と言う場合がある。当該トランジスタのドレイン電流が１×１０^−２２Ａ以下となるＶｇｓが存在するため、当該トランジスタのオフ電流は１×１０^−２２Ａ以下である、と言う場合がある。

トランジスタのオフ電流は、温度に依存する場合がある。本明細書において、オフ電流は、特に記載がない場合、室温（ＲＴ：Ｒｏｏｍ Ｔｅｍｐｅｒａｔｕｒｅ）、６０℃、８５℃、９５℃、または１２５℃におけるオフ電流を表す場合がある。または、当該トランジスタが含まれる半導体装置等の信頼性が保証される温度、または、当該トランジスタが含まれる半導体装置等が使用される温度（例えば、５℃以上３５℃以下の温度）におけるオフ電流、を表す場合がある。トランジスタのオフ電流がＩ以下である、とは、ＲＴ、６０℃、８５℃、９５℃、１２５℃、当該トランジスタが含まれる半導体装置の信頼性が保証される温度、または、当該トランジスタが含まれる半導体装置等が使用される温度（例えば、５℃以上３５℃以下の温度）、におけるトランジスタのオフ電流がＩ以下となるＶｇｓの値が存在することを指す場合がある。

トランジスタのオフ電流は、ドレインとソースの間の電圧Ｖｄｓに依存する場合がある。本明細書において、オフ電流は、特に記載がない場合、Ｖｄｓが０．１Ｖ、０．８Ｖ、１Ｖ、１．２Ｖ、１．８Ｖ、２．５Ｖ、３Ｖ、３．３Ｖ、１０Ｖ、１２Ｖ、１６Ｖ、または２０Ｖにおけるオフ電流を表す場合がある。または、当該トランジスタが含まれる半導体装置等の信頼性が保証されるＶｄｓ、または、当該トランジスタが含まれる半導体装置等において使用されるＶｄｓにおけるオフ電流、を表す場合がある。トランジスタのオフ電流がＩ以下である、とは、Ｖｄｓが０．１Ｖ、０．８Ｖ、１Ｖ、１．２Ｖ、１．８Ｖ、２．５Ｖ、３Ｖ、３．３Ｖ、１０Ｖ、１２Ｖ、１６Ｖ、２０Ｖ、当該トランジスタが含まれる半導体装置の信頼性が保証されるＶｄｓ、または、当該トランジスタが含まれる半導体装置等において使用されるＶｄｓ、におけるトランジスタのオフ電流がＩ以下となるＶｇｓの値が存在することを指す場合がある。

上記オフ電流の説明において、ドレインをソースと読み替えてもよい。つまり、オフ電流は、トランジスタがオフ状態にあるときのソースを流れる電流を言う場合もある。

また、本明細書等では、オフ電流と同じ意味で、リーク電流と記載する場合がある。また、本明細書等において、オフ電流とは、例えば、トランジスタがオフ状態にあるときに、ソースとドレインとの間に流れる電流を指す場合がある。

（実施の形態１）
本発明の一態様のトランジスタ１００について、図面を用いて説明する。

＜トランジスタ１００の構造例＞
図１（Ａ）は、トランジスタ１００の平面図である。図１（Ｂ）は、図１（Ａ）に記したＸ１−Ｘ２の一点鎖線で示す部位の断面図である。図１（Ｃ）は、図１（Ａ）に記したＹ１−Ｙ２の一点鎖線で示す部位の断面図である。図２（Ａ）は、図１（Ｂ）に示した部位１３１の拡大図である。

トランジスタ１００はトップゲート型のトランジスタの一種である。トランジスタ１００は、電極１０２、絶縁層１０３、絶縁層１０４、絶縁層１０５、酸化物半導体層１０６、絶縁層１０８、絶縁層１０９、電極１１２、絶縁層１１０、絶縁層１１５、電極１１４ａ、および電極１１４ｂを有する。

電極１０２は、基板１０１上に設けられている。絶縁層１０３は電極１０２を覆って設けられている。絶縁層１０４は、絶縁層１０３の上に設けられている。絶縁層１０５は、絶縁層１０４の上に設けられている。酸化物半導体層１０６は、絶縁層１０５の上に設けられている。電極１０２と酸化物半導体層１０６は、絶縁層１０３、絶縁層１０４、および絶縁層１０５を介して、互いに重なる領域を有する。

また、絶縁層１０８は、絶縁層１０５および酸化物半導体層１０６上に設けられている。絶縁層１０９は、絶縁層１０８上に設けられている。電極１１２は、絶縁層１０９上に設けられている。絶縁層１０８、絶縁層１０９、および電極１１２は、酸化物半導体層１０６と重なる領域を有する。絶縁層１１０は、絶縁層１０５、酸化物半導体層１０６、絶縁層１０８、絶縁層１０９、および電極１１２上に設けられている。絶縁層１１５は、絶縁層１１０上に設けられている。

電極１１４ａは、絶縁層１１５上に設けられている。電極１１４ａは、絶縁層１１５および絶縁層１１０それぞれに設けられた開口において、酸化物半導体層１０６の一部と電気的に接続されている。電極１１４ｂは、絶縁層１１５上に設けられている。電極１１４ｂは、絶縁層１１５および絶縁層１１０それぞれに設けられた開口において、酸化物半導体層１０６の他の一部と電気的に接続されている。

絶縁層１０８と絶縁層１０９に同種の材料を用いる場合は、絶縁層１０８と絶縁層１０９の界面が明確に確認できない場合がある。したがって、本実施の形態では、絶縁層１０８と絶縁層１０９の界面を破線で示している。なお、本実施の形態では、絶縁層１０８と絶縁層１０９の２層構造について説明したが、本発明の一態様はこれに限定されず、例えば、絶縁層１０８または絶縁層１０９どちらか一方の単層構造、あるいは３層以上の積層構造としてもよい。

また、図３（Ｂ）および図３（Ｃ）に示すように、絶縁層１１０の上に絶縁層１１１を設けてもよい。図３（Ａ）は、トランジスタ１００の平面図である。図３（Ｂ）は、図３（Ａ）に記したＸ１−Ｘ２の一点鎖線で示す部位の断面図である。図３（Ｃ）は、図３（Ａ）に記したＹ１−Ｙ２の一点鎖線で示す部位の断面図である。

トランジスタ１００に絶縁層１１０と絶縁層１１１を設ける場合は、絶縁層１１０と絶縁層１１１の一方または両方に不純物が透過しにくい絶縁性材料を用いることが好ましい。例えば、絶縁層１１０と絶縁層１１１の少なくとも一方を、窒化シリコン層または酸化アルミニウム層などとしてもよい。また、絶縁層１１０と絶縁層１１１の一方を窒化シリコン層などとし、他方を酸化アルミニウム層などとしてもよい。

特に、絶縁層１１０として、酸化アルミニウム層をスパッタリング法で形成することが好ましい。酸素を含むスパッタリングガスを用いて絶縁層１１０を形成することで、被形成層に酸素を供給することができる。また、特に、絶縁層１１１として、酸化アルミニウム層をＡＬＤ法で形成することが好ましい。絶縁層１１１をＡＬＤ法で形成することで、被覆性の良好な絶縁層１１１を設けることができる。

酸化物半導体層１０６は、単層に限らず、複数層の積層でもよい。例えば、図４（Ａ）に示すように、酸化物半導体層１０６を酸化物半導体層１０６＿１および酸化物半導体層１０６＿２の二層積層としてもよい。また、例えば、図４（Ｂ）に示すように、酸化物半導体層１０６を酸化物半導体層１０６＿１、酸化物半導体層１０６＿２、および酸化物半導体層１０６＿３の三層積層としてもよい。もちろん、酸化物半導体層１０６を四層以上の積層としてもよい。なお、図４（Ａ）および図４（Ｂ）は、どちらも図１（Ｂ）に相当する断面図である。

〔ゲート電極とバックゲート電極〕
電極１０２と電極１１２は、ゲート電極として機能できる。なお、電極１０２または電極１１２の一方を、「ゲート電極」という場合、他方を「バックゲート電極」という。例えば、図１（Ａ）乃至図１（Ｃ）に示すトランジスタ１００において、電極１０２を「ゲート電極」と言う場合、電極１１２を「バックゲート電極」と言う。電極１０２を「ゲート電極」として用いる場合は、トランジスタ１００をボトムゲート型のトランジスタの一種と考えることができる。電極１０２および電極１２１のどちらか一方を、「第１のゲート電極」といい、他方を「第２のゲート電極」という場合がある。

一般に、ゲート電極とバックゲート電極は導電層で形成される。また、ゲート電極とバックゲート電極で半導体層（酸化物半導体層）のチャネル形成領域を挟むように配置される。言い換えると、ゲート電極とバックゲート電極で半導体層を取り囲む構成となる。このような構成を有することで、トランジスタ１００に含まれる酸化物半導体層１０６を、ゲート電極として機能する電極１１２と、バックゲート電極として機能する電極１０２の電界によって電気的に取り囲むことができる。ゲート電極およびバックゲート電極の電界によって、チャネルが形成される半導体層を電気的に取り囲むトランジスタの構造をＳｕｒｒｏｕｎｄｅｄ ｃｈａｎｎｅｌ（Ｓ−ｃｈａｎｎｅｌ）構造と呼ぶことができる。

バックゲート電極はゲート電極と同様に機能させることができる。バックゲート電極の電位は、ゲート電極と同電位としてもよいし、接地電位や、任意の電位としてもよい。また、バックゲート電極の電位をゲート電極と連動させず独立して変化させることで、トランジスタのしきい値電圧を変化させることができる。

前述した通り、電極１１２はゲート電極として機能できる。よって、絶縁層１０８および絶縁層１０９は、ゲート絶縁層として機能できる。また、電極１０２も、ゲート電極として機能できる。よって、絶縁層１０３、絶縁層１０４、および絶縁層１０５も、ゲート絶縁層として機能できる。

酸化物半導体層１０６を挟んで電極１０２および電極１１２を設けることで、更には、電極１０２および電極１１２を同電位とすることで、酸化物半導体層１０６においてキャリアの流れる領域が膜厚方向においてより大きくなるため、キャリアの移動量が増加する。この結果、トランジスタのオン電流が大きくなると共に、電界効果移動度が高くなる。

したがって、トランジスタを占有面積に対して大きいオン電流を有するトランジスタとすることができる。すなわち、求められるオン電流に対して、トランジスタの占有面積を小さくすることができる。よって、集積度の高い半導体装置を実現することができる。

また、ゲート電極とバックゲート電極は導電層で形成されるため、トランジスタの外部で生じる電界が、チャネルが形成される半導体層に作用しないようにする機能（特に静電気などに対する電界遮蔽機能）を有する。なお、平面視において、バックゲート電極を半導体層よりも大きく形成し、バックゲート電極で半導体層を覆うことで、電界遮蔽機能を高めることができる。

電極１０２および電極１１２は、それぞれが外部からの電界を遮蔽する機能を有するため、電極１１２の上方および電極１０２の下方に生じる荷電粒子等の電荷が酸化物半導体層１０６のチャネル形成領域に影響しない。この結果、ストレス試験（例えば、ゲートに負の電圧を印加する−ＧＢＴ（Ｇａｔｅ Ｂｉａｓ−Ｔｅｍｐｅｒａｔｕｒｅ）ストレス試験）での電気特性の劣化が抑制される。また、電極１０２および電極１１２は、ドレイン電極から生じる電界が半導体層に作用しないように遮断することができる。よって、ドレイン電圧の変動に起因する、オン電流の立ち上がり電圧の変動を抑制することができる。なお、この効果は、電極１０２および電極１１２に電位が供給されている場合において顕著に生じる。

なお、ＧＢＴストレス試験は加速試験の一種であり、長期間の使用によって起こるトランジスタの特性変化（経年変化）を短時間で評価することができる。特に、ＧＢＴストレス試験前後におけるトランジスタのしきい値電圧の変動量は、信頼性を調べるための重要な指標となる。ＧＢＴストレス試験前後において、しきい値電圧の変動量が少ないほど、信頼性が高いトランジスタであるといえる。

また、電極１０２および電極１１２を有し、且つ電極１０２および電極１１２を同電位とすることで、しきい値電圧の変動量が低減される。このため、複数のトランジスタ間における電気特性のばらつきも同時に低減される。

また、バックゲート電極を有するトランジスタは、ゲートに正の電圧を印加する＋ＧＢＴストレス試験前後におけるしきい値電圧の変動も、バックゲート電極を有さないトランジスタより小さい。

また、バックゲート電極側から光が入射する場合に、バックゲート電極を、遮光性を有する導電膜で形成することで、バックゲート電極側から半導体層に光が入射することを防ぐことができる。よって、半導体層の光劣化を防ぎ、トランジスタのしきい値電圧がシフトするなどの電気特性の劣化を防ぐことができる。

電極１１４ａまたは電極１１４ｂの一方は、ソース電極またはドレイン電極の一方として機能できる。電極１１４ａまたは電極１１４ｂの他方は、ソース電極またはドレイン電極の他方として機能できる。

〔基板〕
基板１０１としては、ガラス基板、セラミック基板の他、本作製工程の処理温度に耐えうる程度の耐熱性を有する可撓性基板（フレキシブル基板）等を用いることができる。また、基板に透光性を要しない場合には、ステンレス合金等の金属の基板の表面に絶縁層を設けたものを用いてもよい。ガラス基板としては、例えば、バリウムホウケイ酸ガラス、アルミノホウケイ酸ガラス若しくはアルミノケイ酸ガラス等の無アルカリガラス基板を用いるとよい。他に、石英基板、サファイア基板などを用いることができる。

また、基板１０１として、第３世代（５５０ｍｍ×６５０ｍｍ）、第３．５世代（６００ｍｍ×７２０ｍｍ、または６２０ｍｍ×７５０ｍｍ）、第４世代（６８０ｍｍ×８８０ｍｍ、または７３０ｍｍ×９２０ｍｍ）、第５世代（１１００ｍｍ×１３００ｍｍ）、第６世代（１５００ｍｍ×１８５０ｍｍ）、第７世代（１８７０ｍｍ×２２００ｍｍ）、第８世代（２２００ｍｍ×２４００ｍｍ）、第９世代（２４００ｍｍ×２８００ｍｍ、２４５０ｍｍ×３０５０ｍｍ）、第１０世代（２９５０ｍｍ×３４００ｍｍ）等のガラス基板を用いることができる。

基板１０１として、可撓性基板を用いる場合、可撓性基板上に、トランジスタや容量素子などを直接作製してもよいし、他の作製基板上にトランジスタや容量素子などを作製し、その後可撓性基板に剥離、転置してもよい。なお、作製基板から可撓性基板に剥離、転置するために、作製基板とトランジスタや容量素子などとの間に剥離層を設けるとよい。

可撓性基板としては、例えば、金属、合金、樹脂もしくはガラス、またはそれらの繊維などを用いることができる。基板１０１に用いる可撓性基板は、線膨張率が低いほど環境による変形が抑制されて好ましい。基板１０１に用いる可撓性基板は、例えば、線膨張率が１×１０^−３／Ｋ以下、５×１０^−５／Ｋ以下、または１×１０^−５／Ｋ以下である材質を用いればよい。樹脂としては、例えば、ポリエステル、ポリオレフィン、ポリアミド（ナイロン、アラミドなど）、ポリイミド、ポリカーボネート、アクリルなどがある。特に、アラミドは、線膨張率が低いため、可撓性基板として好適である。

なお、基板１０１としてシリコンや炭化シリコンなどを材料とした単結晶半導体基板、多結晶半導体基板、シリコンゲルマニウムなどを材料とした化合物半導体基板等を用いることもできる。また、ＳＯＩ基板や、半導体基板上に歪トランジスタやＦＩＮ型トランジスタなどの半導体素子が設けられたものなどを用いることもできる。または、高電子移動度トランジスタ（ＨＥＭＴ：Ｈｉｇｈ Ｅｌｅｃｔｒｏｎ Ｍｏｂｉｌｉｔｙ Ｔｒａｎｓｉｓｔｏｒ）に適用可能なヒ化ガリウム、ヒ化アルミニウムガリウム、ヒ化インジウムガリウム、窒化ガリウム、リン化インジウム、シリコンゲルマニウムなどを用いてもよい。すなわち、基板１０１は、単なる支持基板に限らず、他のトランジスタなどのデバイスが形成された基板であってもよい。この場合、トランジスタ１００のゲート、ソース、またはドレインの少なくとも一つは、上記他のデバイスと電気的に接続されていてもよい。

〔絶縁層〕
絶縁層１０３乃至絶縁層１０５、絶縁層１０８、絶縁層１０９、絶縁層１１０、絶縁層１１５は、窒化アルミニウム、酸化アルミニウム、窒化酸化アルミニウム、酸化窒化アルミニウム、酸化マグネシウム、窒化シリコン、酸化シリコン、窒化酸化シリコン、酸化窒化シリコン、酸化ガリウム、酸化ゲルマニウム、酸化イットリウム、酸化ジルコニウム、酸化ランタン、酸化ネオジム、酸化ハフニウム、酸化タンタル、アルミニウムシリケートなどから選ばれた材料を、単層でまたは積層して用いる。また、酸化物材料、窒化物材料、酸化窒化物材料、窒化酸化物材料のうち、複数の材料を混合した材料を用いてもよい。

なお、本明細書中において、窒化酸化物とは、酸素よりも窒素の含有量が多い化合物をいう。また、酸化窒化物とは、窒素よりも酸素の含有量が多い化合物をいう。なお、各元素の含有量は、例えば、ラザフォード後方散乱法（ＲＢＳ：Ｒｕｔｈｅｒｆｏｒｄ Ｂａｃｋｓｃａｔｔｅｒｉｎｇ Ｓｐｅｃｔｒｏｍｅｔｒｙ）等を用いて測定することができる。

特に、絶縁層１０４および／または絶縁層１１０は、不純物が透過しにくい絶縁性材料を用いて形成することが好ましい。例えば、不純物が透過しにくい絶縁性材料として、酸化アルミニウム、窒化アルミニウム、酸化窒化アルミニウム、窒化酸化アルミニウム、酸化ガリウム、酸化ゲルマニウム、酸化イットリウム、酸化ジルコニウム、酸化ランタン、酸化ネオジム、酸化ハフニウム、酸化タンタル、窒化シリコンなどを挙げることができる。

絶縁層１０４に不純物が透過しにくい絶縁性材料を用いることで、基板１０１側からの不純物の拡散を防ぎ、トランジスタの信頼性を高めることができる。絶縁層１１０不純物が透過しにくい絶縁性材料を用いることで、絶縁層１１０よりも上層側からの不純物の拡散を防ぎ、トランジスタの信頼性を高めることができる。

加えて、絶縁層１０４および／または絶縁層１１０は、酸素が拡散しにくい、および／または吸収されにくい絶縁性材料を用いることが好ましい。絶縁層１０４および／または絶縁層１１０に酸素が拡散されにくい、および／または吸収されにくい絶縁性材料を用いることで、酸素の外部への拡散を防ぐことができる。

なお、絶縁層１０４および／または絶縁層１１０として、これらの材料で形成される絶縁層を複数層積層して用いてもよい。

また、酸化物半導体層１０６中の水素濃度の増加を防ぐために、絶縁層中の水素濃度を低減することが好ましい。特に、酸化物半導体層１０６に接する絶縁層中の水素濃度を低減することが好ましい。本実施の形態においては、絶縁層１０５、および絶縁層１０８の水素濃度を低減することが好ましい。具体的には、絶縁層中の水素濃度を、二次イオン質量分析法（ＳＩＭＳ：Ｓｅｃｏｎｄａｒｙ Ｉｏｎ Ｍａｓｓ Ｓｐｅｃｔｒｏｍｅｔｒｙ）において２×１０^２０ａｔｏｍｓ／ｃｍ^３以下、好ましくは５×１０^１９ａｔｏｍｓ／ｃｍ^３以下、より好ましくは１×１０^１９ａｔｏｍｓ／ｃｍ^３以下、さらに好ましくは５×１０^１８ａｔｏｍｓ／ｃｍ^３以下とする。また、酸化物半導体中の窒素濃度の増加を防ぐために、絶縁層中の窒素濃度を低減することが好ましい。具体的には、絶縁層中の窒素濃度を、ＳＩＭＳにおいて５×１０^１９ａｔｏｍｓ／ｃｍ^３未満、好ましくは５×１０^１８ａｔｏｍｓ／ｃｍ^３以下、より好ましくは１×１０^１８ａｔｏｍｓ／ｃｍ^３以下、さらに好ましくは５×１０^１７ａｔｏｍｓ／ｃｍ^３以下とする。

また、絶縁層１０５、絶縁層１０８、および絶縁層１０９の少なくとも１つは、加熱により酸素が放出される絶縁層を用いて形成することが好ましい。具体的には、絶縁層の表面温度が１００℃以上７００℃以下、好ましくは１００℃以上５００℃以下の加熱処理で行われる昇温脱離ガス分析法（ＴＤＳ：Ｔｈｅｒｍａｌ Ｄｅｓｏｒｐｔｉｏｎ Ｓｐｅｃｔｒｏｓｃｏｐｙ）において、酸素原子に換算した酸素の脱離量が１．０×１０^１８ａｔｏｍｓ／ｃｍ^３以上、好ましくは１×１０^１９ａｔｏｍｓ／ｃｍ^３以上、より好ましくは１．０×１０^２０ａｔｏｍｓ／ｃｍ^３以上である絶縁層を用いるとよい。なお、本明細書などにおいて、加熱により放出される酸素を「過剰酸素」ともいう。

また、特に、酸化物半導体層に接する絶縁層は、欠陥量が少ないことが好ましい。代表的には、電子スピン共鳴（ＥＳＲ：Ｅｌｅｃｔｒｏｎ Ｓｐｉｎ Ｒｅｓｏｎａｎｃｅ）測定により、シリコンのダングリングボンドに由来するｇ＝２．００１に現れる信号のスピン密度が３×１０^１７ｓｐｉｎｓ／ｃｍ^３以下であることが好ましい。絶縁層に欠陥が多いと、該欠陥に酸素が結合して過剰酸素が減少する場合がある。

また、特に、酸化物半導体層に接する絶縁層は、窒素酸化物（ＮＯ_Ｘ：Ｘは０より大きく２以下、代表的にはＮＯまたはＮＯ_２。）に起因する準位密度が低い酸化物絶縁層を用いることが好ましい。窒素酸化物の放出量の少ない酸化窒化シリコン層とは、昇温脱離ガス分析法において、窒素酸化物の放出量よりアンモニアの放出量が多い層であり、代表的にはアンモニアの放出量が１×１０^１８個／ｃｍ^３以上５×１０^１９個／ｃｍ^３以下である。なお、アンモニアの放出量は、酸化物絶縁層の表面温度が５０℃以上６５０℃以下、好ましくは５０℃以上５５０℃以下の加熱処理による放出量とする。

窒素酸化物は、酸化物半導体層や絶縁層中で準位を形成する。当該準位は、酸化物半導体のエネルギーギャップ内に位置する。窒素酸化物が、絶縁層と酸化物半導体層の界面に到達すると、当該準位が絶縁層側において電子をトラップする場合がある。この結果、トラップされた電子が、絶縁層と酸化物半導体層の界面近傍に留まるため、トランジスタのしきい値電圧をプラス方向にシフトさせてしまう。

なお、当該窒素酸化物に起因する準位密度は、酸化物半導体層の価電子帯の上端のエネルギー（Ｅｖ＿ｏｓ）と酸化物半導体層の伝導帯の下端のエネルギー（Ｅｃ＿ｏｓ）の間に形成され得る場合がある。上記酸化物絶縁層として、窒素酸化物の放出量が少ない酸化窒化シリコン層、または窒素酸化物の放出量が少ない酸化窒化アルミニウム層等を用いることができる。

また、窒素酸化物は、加熱処理においてアンモニアおよび酸素と反応する。絶縁層に含まれる窒素酸化物は、加熱処理において、絶縁層に含まれるアンモニアと反応するため、絶縁層に含まれる窒素酸化物が低減される。このため、絶縁層と酸化物半導体層の界面において、電子がトラップされにくい。

特に、酸化物半導体層接する絶縁層に、上記酸化物絶縁層を用いることで、トランジスタのしきい値電圧のシフトを低減することが可能であり、トランジスタの電気特性の変動を低減することができる。

過剰酸素を含む絶縁層は、絶縁層に酸素を添加する処理を行って形成することもできる。酸素を添加する処理は、イオン注入法、イオンドーピング法、またはプラズマイマージョンイオン注入法などで行うことができる。また、酸素を添加する処理は、酸化性雰囲気下での加熱処理、プラズマ処理、または逆スパッタリング処理などで行うことができる。また、酸化性雰囲気下でのプラズマ処理は、例えばマイクロ波を用いた高密度プラズマを発生させる電源を有する装置を用いることが好ましい。または、基板側にＲＦ（Ｒａｄｉｏ Ｆｒｅｑｕｅｎｃｙ）を印加する電源を有してもよい。高密度プラズマを用いることより高密度の酸素ラジカルを生成することができる。また、基板側にＲＦを印加することで、高密度プラズマによって生成された酸素ラジカルを効率よく対象となる層内に導くことができる。または、不活性雰囲気下でプラズマ処理を行った後に、脱離した酸素を補うために、酸化性雰囲気下でプラズマ処理を行ってもよい。逆スパッタリング処理による酸素の添加は、試料表面の洗浄効果も期待できる。一方で、処理条件によっては試料表面にダメージが生じる場合がある。酸素を添加するためのガスとしては、^１６Ｏ_２もしくは^１８Ｏ_２などの酸素ガス、亜酸化窒素ガスまたはオゾンガスなどを用いることができる。なお、本明細書では酸素を添加する処理を「酸素ドープ処理」ともいう。

また、酸素ドープ処理によって、半導体層の結晶性が高まる場合がある。また、酸素ドープ処理によって、対象となる層中の水素や水などの不純物を除去できる場合がある。つまり、「酸素ドープ処理」は、「不純物除去処理」ともいえる。特に、酸素ドープ処理として、減圧下かつ酸化性雰囲気下で酸素を含むプラズマ処理を行うことで、対象となる絶縁層または半導体層に含まれる、水素および水に関する結合が切断される。よって、対象となる層中の水素および水が脱離しやすい状態に変化する。従って、プラズマ処理による酸素ドープ処理は、加熱しながら行うことが好ましい。または、プラズマ処理後に加熱処理を行うことが好ましい。また、加熱処理後に、プラズマ処理を行い、さらに加熱処理を行うことで、対象となる層中の不純物濃度を低減することができる。

また、絶縁層１１５上に、トランジスタ等に起因する凹凸等を平坦化させる機能を有する絶縁層（以下、「平坦化層」ともいう。）を設けてもよい。平坦化層に用いる材料は、絶縁性材料であればよい。よって、平坦化層は無機材料または有機材料を用いて形成することができる。例えば、平坦化層として、前述した無機材料のみでなく、ポリイミド、アクリル、ベンゾシクロブテン、ポリアミド、エポキシ等の、耐熱性を有する有機材料を用いることができる。また上記有機材料の他に、低誘電率材料（ｌｏｗ−ｋ材料）、シロキサン系樹脂、ＰＳＧ（リンガラス）、ＢＰＳＧ（リンボロンガラス）等を用いることができる。なお、これらの材料で形成される絶縁層を複数積層させることで、平坦化層を形成してもよい。

なおシロキサン系樹脂とは、シロキサン系材料を出発材料として形成されたＳｉ−Ｏ−Ｓｉ結合を含む樹脂に相当する。シロキサン系樹脂は置換基としては有機基（例えばアルキル基やアリール基）やフルオロ基を用いても良い。また、有機基はフルオロ基を有していても良い。

平坦化層の形成方法は、特に限定されず、その材料に応じて、スパッタ法、ＳＯＧ法、スピンコート、ディップ、スプレー塗布、液滴吐出法（インクジェット法など）、印刷法（スクリーン印刷、オフセット印刷など）などを用いればよい。平坦化層の焼成工程と他の熱処理工程を兼ねることで、効率よくトランジスタを作製することが可能となる。

〔電極〕
電極１０２、電極１１４ａ、電極１１４ｂ、および電極１１２を形成するための導電性材料としては、アルミニウム（Ａｌ）、クロム（Ｃｒ）、鉄（Ｆｅ）、銅（Ｃｕ）、銀（Ａｇ）、金（Ａｕ）、白金（Ｐｔ）、タンタル（Ｔａ）、ニッケル（Ｎｉ）、チタン（Ｔｉ）、コバルト（Ｃｏ）、モリブデン（Ｍｏ）、タングステン（Ｗ）、ハフニウム（Ｈｆ）、バナジウム（Ｖ）、ニオブ（Ｎｂ）、マンガン（Ｍｎ）、マグネシウム（Ｍｇ）、ジルコニウム（Ｚｒ）、ベリリウム（Ｂｅ）などから選ばれた金属元素を１種以上含む材料を用いることができる。また、リン等の不純物元素を含有させた多結晶シリコンに代表される、電気伝導度が高い半導体、ニッケルシリサイドなどのシリサイドを用いてもよい。

また、導電性材料として、Ｃｕ−Ｘ合金（Ｘは、Ｍｎ、Ｎｉ、Ｃｒ、Ｆｅ、Ｃｏ、Ｍｏ、Ｔａ、またはＴｉ）を適用してもよい。Ｃｕ−Ｘ合金で形成した層は、ウエットエッチングプロセスで加工できるため、製造コストを抑制することが可能となる。

また、前述した金属元素および酸素を含む導電性材料を用いてもよい。また、前述した金属元素および窒素を含む導電性材料を用いてもよい。例えば、窒化チタン、窒化タンタルなどの窒素を含む導電性材料を用いてもよい。また、インジウム錫酸化物（ＩＴＯ：Ｉｎｄｉｕｍ Ｔｉｎ Ｏｘｉｄｅ）、インジウム亜鉛酸化物、インジウムガリウム亜鉛酸化物、酸化タングステンを含むインジウム酸化物、酸化タングステンを含むインジウム亜鉛酸化物、酸化チタンを含むインジウム酸化物、酸化チタンを含むインジウム錫酸化物、シリコンを添加したインジウム錫酸化物を用いてもよい。また、窒素を含むインジウムガリウム亜鉛酸化物を用いてもよい。

また、上記の材料で形成される導電層を複数積層して用いてもよい。例えば、前述した金属元素を含む材料と、酸素を含む導電性材料を組み合わせた積層構造としてもよい。また、前述した金属元素を含む材料と、窒素を含む導電性材料を組み合わせた積層構造としてもよい。また、前述した金属元素を含む材料、酸素を含む導電性材料、および窒素を含む導電性材料を組み合わせた積層構造としてもよい。

なお、電極１１４ａおよび電極１１４ｂの抵抗を下げるために、電極１１４ａおよび電極１１４ｂに銅を用いる場合は、電極１１４ａと酸化物半導体層１０６の間に銅が拡散しにくい導電性材料を設けることが好ましい。また、電極１１４ｂと酸化物半導体層１０６の間に銅が拡散しにくい導電性材料を設けることが好ましい。銅は半導体層中で拡散しやすいため、半導体装置の動作を不安定にし、歩留まりを著しく低下させてしまう恐れがある。銅を含む配線または電極と半導体層の間に銅が拡散しにくい導電性材料を設けることで、トランジスタ１００の信頼性を高めることができる。

銅が拡散しにくい導電性材料としては、例えば、タングステン、チタン、タンタルなどの銅よりも融点の高い金属材料や、それらの窒化物材料などがある。また、これらの導電性材料で銅を含む電極または配線を覆ってもよい。銅を含む配線または電極を銅が拡散しにくい導電性材料で覆うまたは包むことで、トランジスタ１００の信頼性をさらに高めることができる。

また、電極１１４ａおよび電極１１４ｂの酸化物半導体層１０６と接する領域を、加熱処理により水素を吸収する機能を有する導電性材料とすることで、後の加熱処理によって酸化物半導体層１０６中の水素濃度を低減することができる。水素を吸収する機能を有する導電性材料の一例としては、チタン、インジウム亜鉛酸化物、シリコンを添加したインジウム錫酸化物などがある。

〔酸化物半導体層〕
酸化物半導体層１０６として、酸化物半導体を用いることが好ましい。酸化物半導体のバンドギャップは２ｅＶ以上あるため、酸化物半導体層１０６に酸化物半導体を用いると、オフ電流が極めて少ないトランジスタを実現することができる。また、チャネルが形成される半導体層に酸化物半導体を用いたトランジスタ（「ＯＳトランジスタ」ともいう。）は、ソースとドレイン間の絶縁耐圧が高い。よって、信頼性の良好なトランジスタを提供できる。また、出力電圧が大きく高耐圧なトランジスタを提供できる。また、信頼性の良好な半導体装置などを提供できる。また、出力電圧が大きく高耐圧な半導体装置を提供することができる。

本発明に係る酸化物半導体について説明する。酸化物半導体は、少なくともインジウムまたは亜鉛を含むことが好ましい。特にインジウムおよび亜鉛を含むことが好ましい。また、それらに加えて、アルミニウム、ガリウム、イットリウムまたはスズなどが含まれていることが好ましい。また、ホウ素、シリコン、チタン、鉄、ニッケル、ゲルマニウム、ジルコニウム、モリブデン、ランタン、セリウム、ネオジム、ハフニウム、タンタル、タングステン、またはマグネシウムなどから選ばれた一種、または複数種が含まれていてもよい。

ここは、酸化物半導体が、インジウム、元素Ｍおよび亜鉛を有するＩｎＭＺｎＯである場合を考える。なお、元素Ｍは、アルミニウム、ガリウム、イットリウムまたはスズなどとする。その他の元素Ｍに適用可能な元素として、ホウ素、シリコン、チタン、鉄、ニッケル、ゲルマニウム、ジルコニウム、モリブデン、ランタン、セリウム、ネオジム、ハフニウム、タンタル、タングステン、マグネシウムなどがある。ただし、元素Ｍとして、前述の元素を複数組み合わせても構わない場合がある。

［構造］
酸化物半導体は、単結晶酸化物半導体と、それ以外の非単結晶酸化物半導体と、に分けられる。非単結晶酸化物半導体としては、例えば、ＣＡＡＣ−ＯＳ（ｃ−ａｘｉｓ ａｌｉｇｎｅｄ ｃｒｙｓｔａｌｌｉｎｅ ｏｘｉｄｅ ｓｅｍｉｃｏｎｄｕｃｔｏｒ）、多結晶酸化物半導体、ｎｃ−ＯＳ（ｎａｎｏｃｒｙｓｔａｌｌｉｎｅ ｏｘｉｄｅ ｓｅｍｉｃｏｎｄｕｃｔｏｒ）、擬似非晶質酸化物半導体（ａ−ｌｉｋｅ ＯＳ：ａｍｏｒｐｈｏｕｓ−ｌｉｋｅ ｏｘｉｄｅ ｓｅｍｉｃｏｎｄｕｃｔｏｒ）および非晶質酸化物半導体などがある。

ＣＡＡＣ−ＯＳは、ｃ軸配向性を有し、かつａ−ｂ面方向において複数のナノ結晶が連結し、歪みを有した結晶構造となっている。なお、歪みとは、複数のナノ結晶が連結する領域において、格子配列の揃った領域と、別の格子配列の揃った領域と、の間で格子配列の向きが変化している箇所を指す。

ナノ結晶は、六角形を基本とするが、正六角形状とは限らず、非正六角形状である場合がある。また、歪みにおいて、五角形、および七角形などの格子配列を有する場合がある。なお、ＣＡＡＣ−ＯＳにおいて、歪み近傍においても、明確な結晶粒界（グレインバウンダリーともいう）を確認することはできない。即ち、格子配列の歪みによって、結晶粒界の形成が抑制されていることがわかる。これは、ＣＡＡＣ−ＯＳが、ａ−ｂ面方向において酸素原子の配列が稠密でないことや、金属元素が置換することで原子間の結合距離が変化することなどによって、歪みを許容することができるためと考えられる。

また、ＣＡＡＣ−ＯＳは、インジウム、および酸素を有する層（以下、Ｉｎ層）と、元素Ｍ、亜鉛、および酸素を有する層（以下、（Ｍ，Ｚｎ）層）とが積層した、層状の結晶構造（層状構造ともいう）を有する傾向がある。なお、インジウムと元素Ｍは、互いに置換可能であり、（Ｍ，Ｚｎ）層の元素Ｍがインジウムと置換した場合、（Ｉｎ，Ｍ，Ｚｎ）層と表すこともできる。また、Ｉｎ層のインジウムが元素Ｍと置換した場合、（Ｉｎ，Ｍ）層と表すこともできる。

ｎｃ−ＯＳは、微小な領域（例えば、１ｎｍ以上１０ｎｍ以下の領域、特に１ｎｍ以上３ｎｍ以下の領域）において原子配列に周期性を有する。また、ｎｃ−ＯＳは、異なるナノ結晶間で結晶方位に規則性が見られない。そのため、膜全体で配向性が見られない。したがって、ｎｃ−ＯＳは、分析方法によっては、ａ−ｌｉｋｅ ＯＳや非晶質酸化物半導体と区別が付かない場合がある。

ａ−ｌｉｋｅ ＯＳは、ｎｃ−ＯＳと非晶質酸化物半導体との間の構造を有する酸化物半導体である。ａ−ｌｉｋｅ ＯＳは、鬆または低密度領域を有する。即ち、ａ−ｌｉｋｅ ＯＳは、ｎｃ−ＯＳおよびＣＡＡＣ−ＯＳと比べて、結晶性が低い。

酸化物半導体は、多様な構造をとり、それぞれが異なる特性を有する。本発明の一態様の酸化物半導体は、非晶質酸化物半導体、多結晶酸化物半導体、ａ−ｌｉｋｅ ＯＳ、ｎｃ−ＯＳ、ＣＡＡＣ−ＯＳのうち、二種以上を有していてもよい。

［原子数比］
次に、図１８（Ａ）、図１８（Ｂ）、および図１８（Ｃ）を用いて、本発明に係る酸化物半導体が有するインジウム、元素Ｍおよび亜鉛の原子数比の好ましい範囲について説明する。なお、図１８（Ａ）、図１８（Ｂ）、および図１８（Ｃ）には、酸素の原子数比については記載しない。また、酸化物半導体が有するインジウム、元素Ｍ、および亜鉛の原子数比のそれぞれの項を［Ｉｎ］、［Ｍ］、および［Ｚｎ］とする。

図１８（Ａ）、図１８（Ｂ）、および図１８（Ｃ）において、破線は、［Ｉｎ］：［Ｍ］：［Ｚｎ］＝（１＋α）：（１−α）：１の原子数比（−１≦α≦１）となるライン、［Ｉｎ］：［Ｍ］：［Ｚｎ］＝（１＋α）：（１−α）：２の原子数比となるライン、［Ｉｎ］：［Ｍ］：［Ｚｎ］＝（１＋α）：（１−α）：３の原子数比となるライン、［Ｉｎ］：［Ｍ］：［Ｚｎ］＝（１＋α）：（１−α）：４の原子数比となるライン、および［Ｉｎ］：［Ｍ］：［Ｚｎ］＝（１＋α）：（１−α）：５の原子数比となるラインを表す。

また、一点鎖線は、［Ｉｎ］：［Ｍ］：［Ｚｎ］＝１：１：βの原子数比、［Ｉｎ］：［Ｍ］：［Ｚｎ］＝５：１：βの原子数比（β≧０）となるライン、［Ｉｎ］：［Ｍ］：［Ｚｎ］＝２：１：βの原子数比となるライン、［Ｉｎ］：［Ｍ］：［Ｚｎ］＝１：２：βの原子数比となるライン、［Ｉｎ］：［Ｍ］：［Ｚｎ］＝１：３：βの原子数比となるライン、および［Ｉｎ］：［Ｍ］：［Ｚｎ］＝１：４：βの原子数比となるラインを表す。

また、二点鎖線は、［Ｉｎ］：［Ｍ］：［Ｚｎ］＝（１＋γ）：２：（１−γ）の原子数比（−１≦γ≦１）となるラインを表す。また、図１８（Ａ）、図１８（Ｂ）、および図１８（Ｃ）に示す、［Ｉｎ］：［Ｍ］：［Ｚｎ］＝０：２：１の原子数比、およびその近傍値の酸化物半導体は、スピネル型の結晶構造をとりやすい。

また、酸化物半導体中に複数の相が共存する場合がある（二相共存、三相共存など）。例えば、原子数比が［Ｉｎ］：［Ｍ］：［Ｚｎ］＝０：２：１の原子数比の近傍値である場合、スピネル型の結晶構造と層状の結晶構造との二相が共存しやすい。また、原子数比が［Ｉｎ］：［Ｍ］：［Ｚｎ］＝１：０：０を示す原子数比の近傍値である場合、ビックスバイト型の結晶構造と層状の結晶構造との二相が共存しやすい。酸化物半導体中に複数の相が共存する場合、異なる結晶構造の間において、結晶粒界（グレインバウンダリーともいう）が形成される場合がある。

図１８（Ａ）および図１８（Ｂ）では、本発明の一態様の酸化物半導体が有する、インジウム、元素Ｍ、および亜鉛の原子数比の好ましい範囲の一例について示している。

酸化物半導体は、インジウムの含有率を高くすることで、酸化物半導体のキャリア移動度（電子移動度）を高くすることができる。従って、インジウムの含有率が高い酸化物半導体はインジウムの含有率が低い酸化物半導体と比較してキャリア移動度が高くなる。

一方、酸化物半導体中のインジウムおよび亜鉛の含有率が低くなると、キャリア移動度が低くなる。従って、原子数比が［Ｉｎ］：［Ｍ］：［Ｚｎ］＝０：１：０、およびその近傍値である場合（例えば図１８（Ｃ）に示す領域Ｃ）では、絶縁性が高くなる。

従って、本発明の一態様の酸化物半導体は、キャリア移動度が高く、かつ、結晶粒界が少ない層状構造となりやすい、図１８（Ａ）の領域Ａで示される原子数比を有することが好ましい。

ＣＡＡＣ−ＯＳは結晶性の高い酸化物半導体である。一方、ＣＡＡＣ−ＯＳは、明確な結晶粒界を確認することはできないため、結晶粒界に起因する電子移動度の低下が起こりにくいといえる。また、酸化物半導体の結晶性は不純物の混入や欠陥の生成などによって低下する場合があるため、ＣＡＡＣ−ＯＳは不純物や欠陥（酸素欠損など）の少ない酸化物半導体ともいえる。従って、ＣＡＡＣ−ＯＳを有する酸化物半導体は、物理的性質が安定する。そのため、ＣＡＡＣ−ＯＳを有する酸化物半導体は熱に強く、信頼性が高い。

なお、領域Ｂは、［Ｉｎ］：［Ｍ］：［Ｚｎ］＝４：２：３から４．１、およびその近傍値を含む。近傍値には、例えば、原子数比が［Ｉｎ］：［Ｍ］：［Ｚｎ］＝５：３：４が含まれる。また、領域Ｂは、［Ｉｎ］：［Ｍ］：［Ｚｎ］＝５：１：６、およびその近傍値、および［Ｉｎ］：［Ｍ］：［Ｚｎ］＝５：１：７、およびその近傍値を含む。

なお、酸化物半導体が有する性質は、原子数比によって一義的に定まらない。同じ原子数比であっても、形成条件により、酸化物半導体の性質が異なる場合がある。例えば、酸化物半導体をスパッタリング装置にて成膜する場合、ターゲットの原子数比からずれた原子数比の膜が形成される。また、成膜時の基板温度によっては、ターゲットの［Ｚｎ］よりも、膜の［Ｚｎ］が小さくなる場合がある。従って、図示する領域は、酸化物半導体が、特定の特性を有する傾向がある原子数比を示す領域であり、領域Ａ乃至領域Ｃの境界は厳密ではない。

［酸化物半導体を有するトランジスタ］
続いて、上記酸化物半導体をトランジスタに用いる場合について説明する。

なお、上記酸化物半導体をトランジスタに用いることで、結晶粒界におけるキャリア散乱等を減少させることができるため、高い電界効果移動度のトランジスタを実現することができる。また、信頼性の高いトランジスタを実現することができる。

また、トランジスタには、キャリア密度の低い酸化物半導体を用いることが好ましい。酸化物半導体膜のキャリア密度を低くする場合においては、酸化物半導体膜中の不純物濃度を低くし、欠陥準位密度を低くすればよい。本明細書等において、不純物濃度が低く、欠陥準位密度の低いことを高純度真性または実質的に高純度真性と言う。例えば、酸化物半導体は、キャリア密度が８×１０^１１／ｃｍ^３未満、好ましくは１×１０^１１／ｃｍ^３未満、さらに好ましくは１×１０^１０／ｃｍ^３未満であり、１×１０^−９／ｃｍ^３以上とすればよい。

また、高純度真性または実質的に高純度真性である酸化物半導体膜は、欠陥準位密度が低いため、トラップ準位密度も低くなる場合がある。

また、酸化物半導体のトラップ準位に捕獲された電荷は、消失するまでに要する時間が長く、あたかも固定電荷のように振る舞うことがある。そのため、トラップ準位密度の高いＯＳトランジスタは、電気特性が不安定となる場合がある。

従って、トランジスタの電気特性を安定にするためには、酸化物半導体中の不純物濃度を低減することが有効である。また、酸化物半導体中の不純物濃度を低減するためには、近接する膜中の不純物濃度も低減することが好ましい。不純物としては、水素、窒素、アルカリ金属、アルカリ土類金属、鉄、ニッケル、シリコン等がある。

［不純物］
ここで、酸化物半導体中における各不純物の影響について説明する。

酸化物半導体において、第１４族元素の一つであるシリコンや炭素が含まれると、酸化物半導体において欠陥準位が形成される。このため、酸化物半導体におけるシリコンや炭素の濃度と、酸化物半導体との界面近傍のシリコンや炭素の濃度（ＳＩＭＳにより得られる濃度）を、２×１０^１８ａｔｏｍｓ／ｃｍ^３以下、好ましくは２×１０^１７ａｔｏｍｓ／ｃｍ^３以下とする。

また、酸化物半導体にアルカリ金属またはアルカリ土類金属が含まれると、欠陥準位を形成し、キャリアを生成する場合がある。従って、アルカリ金属またはアルカリ土類金属が含まれている酸化物半導体を用いたトランジスタはノーマリーオン特性となりやすい。このため、酸化物半導体中のアルカリ金属またはアルカリ土類金属の濃度を低減することが好ましい。具体的には、ＳＩＭＳにより得られる酸化物半導体中のアルカリ金属またはアルカリ土類金属の濃度を、１×１０^１８ａｔｏｍｓ／ｃｍ^３以下、好ましくは２×１０^１６ａｔｏｍｓ／ｃｍ^３以下にする。

また、酸化物半導体において、窒素が含まれると、キャリアである電子が生じ、キャリア密度が増加し、ｎ型化しやすい。この結果、窒素が含まれている酸化物半導体を半導体に用いたトランジスタはノーマリーオン特性となりやすい。従って、該酸化物半導体において、窒素はできる限り低減されていることが好ましい、特に、チャネルが形成される領域の窒素はできる限り低減されていることが好ましい。例えば、酸化物半導体中の窒素濃度は、ＳＩＭＳにおいて、５×１０^１９ａｔｏｍｓ／ｃｍ^３以下、好ましくは５×１０^１８ａｔｏｍｓ／ｃｍ^３以下、より好ましくは１×１０^１８ａｔｏｍｓ／ｃｍ^３以下、さらに好ましくは５×１０^１７ａｔｏｍｓ／ｃｍ^３以下とする。

また、酸化物半導体に含まれる水素は、金属原子と結合する酸素と反応して水になるため、酸素欠損を形成する場合がある。該酸素欠損に水素が入ることで、キャリアである電子が生成される場合がある。また、水素の一部が金属原子と結合する酸素と結合して、キャリアである電子を生成することがある。従って、水素が含まれている酸化物半導体を用いたトランジスタはノーマリーオン特性となりやすい。このため、酸化物半導体中の水素はできる限り低減されていることが好ましい。特に、チャネルが形成される領域の水素はできる限り低減されていることが好ましい。具体的には、酸化物半導体において、ＳＩＭＳにより得られる水素濃度を、１×１０^２０ａｔｏｍｓ／ｃｍ^３未満、好ましくは１×１０^１９ａｔｏｍｓ／ｃｍ^３未満、より好ましくは５×１０^１８ａｔｏｍｓ／ｃｍ^３未満、さらに好ましくは１×１０^１８ａｔｏｍｓ／ｃｍ^３未満とする。

不純物が十分に低減された酸化物半導体をトランジスタのチャネル形成領域に用いることで、トランジスタに安定した電気特性を付与することができる。

例えば、酸化物半導体層１０６として、熱ＣＶＤ法でＩｎＧａＺｎＯ_Ｘ（Ｘ＞０）膜を成膜する場合には、トリメチルインジウム（Ｉｎ（ＣＨ_３）_３）、トリメチルガリウム（Ｇａ（ＣＨ_３）_３）、およびジメチル亜鉛（Ｚｎ（ＣＨ_３）_２）を用いる。また、これらの組み合わせに限定されず、トリメチルガリウムに代えてトリエチルガリウム（Ｇａ（Ｃ_２Ｈ_５）_３）を用いることもでき、ジメチル亜鉛に代えてジエチル亜鉛（Ｚｎ（Ｃ_２Ｈ_５）_２）を用いることもできる。

例えば、酸化物半導体層１０６として、ＡＬＤ法で、ＩｎＧａＺｎＯ_Ｘ（Ｘ＞０）膜を成膜する場合には、Ｉｎ（ＣＨ_３）_３ガスとＯ_３ガスを順次繰り返し導入してＩｎＯ_２層を形成し、その後、Ｇａ（ＣＨ_３）_３ガスとＯ_３ガスを順次繰り返し導入してＧａＯ層を形成し、更にその後Ｚｎ（ＣＨ_３）_２ガスとＯ_３ガスを順次繰り返し導入してＺｎＯ層を形成する。なお、これらの層の順番はこの例に限らない。また、これらのガスを用いてＩｎＧａＯ_２層やＩｎＺｎＯ_２層、ＧａＩｎＯ層、ＺｎＩｎＯ層、ＧａＺｎＯ層などの混合化合物層を形成しても良い。なお、Ｏ_３ガスに代えてＡｒ等の不活性ガスで水をバブリングしたＨ_２Ｏガスを用いても良いが、Ｈを含まないＯ_３ガスを用いる方が好ましい。また、Ｉｎ（ＣＨ_３）_３ガスにかえて、Ｉｎ（Ｃ_２Ｈ_５）_３ガスやトリス（アセチルアセトナト）インジウムを用いても良い。なお、トリス（アセチルアセトナト）インジウムは、Ｉｎ（ａｃａｃ）_３とも呼ぶ。また、Ｇａ（ＣＨ_３）_３ガスにかえて、Ｇａ（Ｃ_２Ｈ_５）_３ガスやトリス（アセチルアセトナト）ガリウムを用いても良い。なお、トリス（アセチルアセトナト）ガリウムは、Ｇａ（ａｃａｃ）_３とも呼ぶ。また、Ｚｎ（ＣＨ_３）_２ガスや、酢酸亜鉛を用いても良い。これらのガス種には限定されない。

酸化物半導体層１０６をスパッタリング法で成膜する場合、パーティクル数低減のため、インジウムを含むターゲットを用いると好ましい。また、元素Ｍの原子数比が高い酸化物ターゲットを用いた場合、ターゲットの導電性が低くなる場合がある。インジウムを含むターゲットを用いる場合、ターゲットの導電率を高めることができ、ＤＣ放電、ＡＣ放電が容易となるため、大面積の基板へ対応しやすくなる。したがって、半導体装置の生産性を高めることができる。

酸化物半導体層１０６をスパッタリング法で成膜する場合、ターゲットの原子数比は、Ｉｎ：Ｍ：Ｚｎが３：１：１、３：１：２、３：１：４、１：１：０．５、１：１：１、１：１：２、１：１：１．２、１：４：４、４：２：４．１、１：３：２、１：３：４、５：１：６、５：１：８などとすればよい。

酸化物半導体層１０６をスパッタリング法で成膜する場合、ターゲットの原子数比からずれた原子数比の膜が形成される場合がある。特に、亜鉛は、ターゲットの原子数比よりも膜の原子数比が小さくなる場合がある。具体的には、ターゲットに含まれる亜鉛の原子数比の４０ａｔｏｍｉｃ％以上９０ａｔｏｍｉｃ％程度以下となる場合がある。

また、図４（Ａ）および図４（Ｂ）に示したように、酸化物半導体層１０６を複数層の積層とする場合、酸化物半導体層１０６＿１は、例えば、エネルギーギャップが大きい酸化物半導体を用いることが好ましい。酸化物半導体層１０６＿１のエネルギーギャップは、例えば、２．５ｅＶ以上４．２ｅＶ以下、好ましくは２．８ｅＶ以上３．８ｅＶ以下、さらに好ましくは３ｅＶ以上３．５ｅＶ以下とする。

酸化物半導体層１０６＿３および酸化物半導体層１０６＿２は、酸化物半導体層１０６＿１を構成する酸素以外の元素のうち、１種類以上の同じ金属元素を含む材料により形成されることが好ましい。このような材料を用いると、酸化物半導体層１０６＿３と酸化物半導体層１０６＿１の界面、ならびに酸化物半導体層１０６＿２と酸化物半導体層１０６＿１の界面に界面準位を生じにくくすることができる。よって、界面におけるキャリアの散乱や捕獲が生じにくく、トランジスタの電界効果移動度を向上させることが可能となる。また、トランジスタのしきい値電圧のばらつきを低減することが可能となる。よって、良好な電気特性を有する半導体装置を実現することが可能となる。

また、酸化物半導体層１０６＿１がＩｎ−Ｍ−Ｚｎ酸化物（Ｉｎと元素ＭとＺｎを含む酸化物）であり、酸化物半導体層１０６＿３および酸化物半導体層１０６＿２もＩｎ−Ｍ−Ｚｎ酸化物であるとき、酸化物半導体層１０６＿３および酸化物半導体層１０６＿２をＩｎ：Ｍ：Ｚｎ＝ｘ_１：ｙ_１：ｚ_１［原子数比］、酸化物半導体層１０６＿１をＩｎ：Ｍ：Ｚｎ＝ｘ_２：ｙ_２：ｚ_２［原子数比］とすると、好ましくはｙ_１／ｘ_１がｙ_２／ｘ_２よりも大きくなる酸化物半導体層１０６＿３、酸化物半導体層１０６＿２、および酸化物半導体層１０６＿１を選択する。より好ましくは、ｙ_１／ｘ_１がｙ_２／ｘ_２よりも１．５倍以上大きくなる酸化物半導体層１０６＿３、酸化物半導体層１０６＿２、および酸化物半導体層１０６＿１を選択する。さらに好ましくは、ｙ_１／ｘ_１がｙ_２／ｘ_２よりも２倍以上大きくなる酸化物半導体層１０６＿３、酸化物半導体層１０６＿２、および酸化物半導体層１０６＿１を選択する。より好ましくは、ｙ_１／ｘ_１がｙ_２／ｘ_２よりも３倍以上大きくなる酸化物半導体層１０６＿３、酸化物半導体層１０６＿２および酸化物半導体層１０６＿１を選択する。このとき、酸化物半導体層１０６＿１において、ｙ_２がｘ_２以上であるとトランジスタに安定した電気特性を付与できるため好ましい。ただし、ｙ_２がｘ_２の５倍以上になると、トランジスタの電界効果移動度が低下してしまうため、ｙ_２はｘ_２の５倍未満であると好ましい。酸化物半導体層１０６＿３および酸化物半導体層１０６＿２を上記構成とすることにより、酸化物半導体層１０６＿３および酸化物半導体層１０６＿２を、酸化物半導体層１０６＿１よりも酸素欠損が生じにくい層とすることができる。

なお、酸化物半導体層１０６＿３がＩｎ−Ｍ−Ｚｎ酸化物のとき、ＩｎおよびＭの和を１００ａｔｏｍｉｃ％としたとき、好ましくはＩｎが５０ａｔｏｍｉｃ％未満、Ｍが５０ａｔｏｍｉｃ％より高く、さらに好ましくはＩｎが２５ａｔｏｍｉｃ％未満、Ｍが７５ａｔｏｍｉｃ％より高くする。また、酸化物半導体層１０６＿１がＩｎ−Ｍ−Ｚｎ酸化物のとき、ＩｎおよびＭの和を１００ａｔｏｍｉｃ％としたとき、好ましくはＩｎが２５ａｔｏｍｉｃ％より高く、Ｍが７５ａｔｏｍｉｃ％未満、さらに好ましくはＩｎが３４ａｔｏｍｉｃ％より高く、Ｍが６６ａｔｏｍｉｃ％未満とする。また、酸化物半導体層１０６＿２がＩｎ−Ｍ−Ｚｎ酸化物のとき、ＩｎおよびＭの和を１００ａｔｏｍｉｃ％としたとき、好ましくはＩｎが５０ａｔｏｍｉｃ％未満、Ｍが５０ａｔｏｍｉｃ％より高く、さらに好ましくはＩｎが２５ａｔｏｍｉｃ％未満、Ｍが７５ａｔｏｍｉｃ％より高くとする。なお、酸化物半導体層１０６＿２は、酸化物半導体層１０６＿３と同種の酸化物を用いても構わない。

例えば、ＩｎまたはＧａを含む酸化物半導体層１０６＿３、およびＩｎまたはＧａを含む酸化物半導体層１０６＿２として、Ｉｎ：Ｇａ：Ｚｎ＝１：３：２、１：３：４、１：３：６、１：４：５、１：６：４、または１：９：６などの原子数比のターゲットを用いて形成したＩｎ−Ｇａ−Ｚｎ酸化物や、Ｉｎ：Ｇａ＝１：９、または７：９３などの原子数比のターゲットを用いて形成したＩｎ−Ｇａ酸化物を用いることができる。また、酸化物半導体層１０６＿１として、例えば、Ｉｎ：Ｇａ：Ｚｎ＝１：１：１または３：１：２などの原子数比のターゲットを用いて形成したＩｎ−Ｇａ−Ｚｎ酸化物を用いることができる。なお、酸化物半導体層１０６＿３、酸化物半導体層１０６＿１、および酸化物半導体層１０６＿２の原子数比はそれぞれ、誤差として上記の原子数比のプラスマイナス２０％の変動を含む。

酸化物半導体層１０６＿１は、酸化物半導体層１０６＿３および酸化物半導体層１０６＿２よりも電子親和力の大きい酸化物を用いることが好ましい。例えば、酸化物半導体層１０６＿１として、酸化物半導体層１０６＿３および酸化物半導体層１０６＿２よりも電子親和力が０．０７ｅＶ以上１．３ｅＶ以下、好ましくは０．１ｅＶ以上０．７ｅＶ以下、さらに好ましくは０．１５ｅＶ以上０．４ｅＶ以下大きい酸化物を用いてもよい。なお、電子親和力は、真空準位と伝導帯下端のエネルギーとの差である。

なお、インジウムガリウム酸化物は、小さい電子親和力と、高い酸素ブロック性を有する。そのため、酸化物半導体層１０６＿２がインジウムガリウム酸化物を含むと好ましい。ガリウム原子割合［Ｇａ／（Ｉｎ＋Ｇａ）］は、例えば、７０％以上、好ましくは８０％以上、さらに好ましくは９０％以上とする。

ただし、酸化物半導体層１０６＿３または／および酸化物半導体層１０６＿２が、酸化ガリウムであっても構わない。例えば、酸化物半導体層１０６＿３として、酸化ガリウムを用いると電極１０２と酸化物半導体層１０６との間に生じるリーク電流を低減することができる。即ち、トランジスタ１００のオフ電流を小さくすることができる。

このとき、ゲート電圧を印加すると、酸化物半導体層１０６＿３、酸化物半導体層１０６＿１、酸化物半導体層１０６＿２のうち、電子親和力の大きい酸化物半導体層１０６＿１にチャネルが形成される。

ＯＳトランジスタに安定した電気特性を付与するためには、酸化物半導体層中の不純物および酸素欠損を低減して高純度真性化し、少なくとも酸化物半導体層１０６＿１を真性または実質的に真性と見なせる酸化物半導体層とすることが好ましい。また、少なくとも酸化物半導体層１０６＿１中のチャネル形成領域が真性または実質的に真性と見なせる半導体層とすることが好ましい。

［バンド図］
続いて、該酸化物半導体を２層構造、または３層構造とした場合について述べる。酸化物半導体Ｓ１、酸化物半導体Ｓ２、および酸化物半導体Ｓ３の積層構造、および積層構造に接する絶縁体のバンド図と、酸化物半導体Ｓ２および酸化物半導体Ｓ３の積層構造、および積層構造に接する絶縁体のバンド図と、酸化物半導体Ｓ１および酸化物半導体Ｓ２の積層構造、および積層構造に接する絶縁体のバンド図と、について、図１９を用いて説明する。

図１９（Ａ）は、絶縁体Ｉ１、酸化物半導体Ｓ１、酸化物半導体Ｓ２、酸化物半導体Ｓ３、および絶縁体Ｉ２を有する積層構造の膜厚方向のバンド図の一例である。また、図１９（Ｂ）は、絶縁体Ｉ１、酸化物半導体Ｓ２、酸化物半導体Ｓ３、および絶縁体Ｉ２を有する積層構造の膜厚方向のバンド図の一例である。また、図１９（Ｃ）は、絶縁体Ｉ１、酸化物半導体Ｓ１、酸化物半導体Ｓ２、および絶縁体Ｉ２を有する積層構造の膜厚方向のバンド図の一例である。なお、バンド図は、理解を容易にするため絶縁体Ｉ１、酸化物半導体Ｓ１、酸化物半導体Ｓ２、酸化物半導体Ｓ３、および絶縁体Ｉ２の伝導帯下端のエネルギー準位（Ｅｃ）を示す。

酸化物半導体Ｓ１、酸化物半導体Ｓ３は、酸化物半導体Ｓ２よりも伝導帯下端のエネルギー準位が真空準位に近く、代表的には、酸化物半導体Ｓ２の伝導帯下端のエネルギー準位と、酸化物半導体Ｓ１、酸化物半導体Ｓ３の伝導帯下端のエネルギー準位との差が、０．１５ｅＶ以上、または０．５ｅＶ以上、かつ２ｅＶ以下、または１ｅＶ以下であることが好ましい。すなわち、酸化物半導体Ｓ１、酸化物半導体Ｓ３の電子親和力と、酸化物半導体Ｓ２の電子親和力との差が、０．１５ｅＶ以上、または０．５ｅＶ以上、かつ２ｅＶ以下、または１ｅＶ以下であることが好ましい。

図１９（Ａ）、図１９（Ｂ）、および図１９（Ｃ）に示すように、酸化物半導体Ｓ１、酸化物半導体Ｓ２、酸化物半導体Ｓ３において、伝導帯下端のエネルギー準位はなだらかに変化する。換言すると、連続的に変化または連続接合するともいうことができる。このようなバンド図を有するためには、酸化物半導体Ｓ１と酸化物半導体Ｓ２との界面、または酸化物半導体Ｓ２と酸化物半導体Ｓ３との界面において形成される混合層の欠陥準位密度を低くするとよい。

具体的には、酸化物半導体Ｓ１と酸化物半導体Ｓ２、酸化物半導体Ｓ２と酸化物半導体Ｓ３が、酸素以外に共通の元素を有する（主成分とする）ことで、欠陥準位密度が低い混合層を形成することができる。例えば、酸化物半導体Ｓ２がＩｎ−Ｇａ−Ｚｎ酸化物半導体の場合、酸化物半導体Ｓ１、酸化物半導体Ｓ３として、Ｉｎ−Ｇａ−Ｚｎ酸化物半導体、Ｇａ−Ｚｎ酸化物半導体、酸化ガリウムなどを用いるとよい。

このとき、キャリアの主たる経路は酸化物半導体Ｓ２となる。酸化物半導体Ｓ１と酸化物半導体Ｓ２との界面、および酸化物半導体Ｓ２と酸化物半導体Ｓ３との界面における欠陥準位密度を低くすることができるため、界面散乱によるキャリア伝導への影響が小さく、高いオン電流が得られる。

トラップ準位に電子が捕獲されることで、捕獲された電子は固定電荷のように振る舞うため、トランジスタのしきい値電圧はプラス方向にシフトしてしまう。酸化物半導体Ｓ１、酸化物半導体Ｓ３を設けることにより、トラップ準位を酸化物半導体Ｓ２より遠ざけることができる。当該構成とすることで、トランジスタのしきい値電圧がプラス方向にシフトすることを防止することができる。

酸化物半導体Ｓ１、および酸化物半導体Ｓ３は、酸化物半導体Ｓ２と比較して、導電率が十分に低い材料を用いる。このとき、酸化物半導体Ｓ２、酸化物半導体Ｓ２と酸化物半導体Ｓ１との界面、および酸化物半導体Ｓ２と酸化物半導体Ｓ３との界面が、主にチャネル領域として機能する。例えば、酸化物半導体Ｓ１、酸化物半導体Ｓ３には、図１８（Ｃ）において、絶縁性が高くなる領域Ｃで示す原子数比の酸化物半導体を用いればよい。なお、図１８（Ｃ）に示す領域Ｃは、［Ｉｎ］：［Ｍ］：［Ｚｎ］＝０：１：０、およびその近傍値、［Ｉｎ］：［Ｍ］：［Ｚｎ］＝１：３：２およびその近傍値、および［Ｉｎ］：［Ｍ］：［Ｚｎ］＝１：３：４、およびその近傍値である原子数比を示している。

特に、酸化物半導体Ｓ２に領域Ａで示される原子数比の酸化物半導体を用いる場合、酸化物半導体Ｓ１および酸化物半導体Ｓ３には、［Ｍ］／［Ｉｎ］が１以上、好ましくは２以上である酸化物半導体を用いることが好ましい。また、酸化物半導体Ｓ３として、十分に高い絶縁性を得ることができる［Ｍ］／（［Ｚｎ］＋［Ｉｎ］）が１以上である酸化物半導体を用いることが好適である。

〔成膜方法について〕
絶縁層、電極や配線を形成するための導電層、または半導体層などは、スパッタリング法、スピンコート法、ＣＶＤ（Ｃｈｅｍｉｃａｌ Ｖａｐｏｒ Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）法（熱ＣＶＤ法、ＭＯＣＶＤ（Ｍｅｔａｌ Ｏｒｇａｎｉｃ Ｃｈｅｍｉｃａｌ Ｖａｐｏｒ Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）法、ＰＥＣＶＤ（Ｐｌａｓｍａ Ｅｎｈａｎｃｅｄ ＣＶＤ）法、高密度プラズマＣＶＤ（Ｈｉｇｈ ｄｅｎｓｉｔｙ ｐｌａｓｍａ ＣＶＤ）法、ＬＰＣＶＤ法（ｌｏｗ ｐｒｅｓｓｕｒｅ ＣＶＤ）、ＡＰＣＶＤ法（ａｔｍｏｓｐｈｅｒｉｃ ｐｒｅｓｓｕｒｅ ＣＶＤ）等を含む）、ＡＬＤ（Ａｔｏｍｉｃ Ｌａｙｅｒ Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）法、または、ＭＢＥ（Ｍｏｌｅｃｕｌａｒ Ｂｅａｍ Ｅｐｉｔａｘｙ）法、または、ＰＬＤ（Ｐｕｌｓｅｄ Ｌａｓｅｒ Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）法、ディップ法、スプレー塗布法、液滴吐出法（インクジェット法など）、印刷法（スクリーン印刷、オフセット印刷など）を用いて形成することができる。

プラズマＣＶＤ法は、比較的低温で高品質の膜が得られる。ＭＯＣＶＤ法、ＡＬＤ法、または熱ＣＶＤ法などの、成膜時にプラズマを用いない成膜方法を用いると、被形成面にダメージが生じにくい。例えば、半導体装置に含まれる配線、電極、素子（トランジスタ、容量素子など）などは、プラズマから電荷を受け取ることでチャージアップする場合がある。このとき、蓄積した電荷によって、半導体装置に含まれる配線、電極、素子などが破壊される場合がある。一方、プラズマを用いない成膜方法の場合、こういったプラズマダメージが生じないため、半導体装置の歩留まりを高くすることができる。また、成膜中のプラズマダメージが生じないため、欠陥の少ない膜が得られる。

ＣＶＤ法およびＡＬＤ法は、ターゲットなどから放出される粒子が堆積する成膜方法とは異なり、被処理物の表面における反応により膜が形成される成膜方法である。したがって、被処理物の形状の影響を受けにくく、良好な段差被覆性を有する成膜方法である。特に、ＡＬＤ法は、優れた段差被覆性と、優れた厚さの均一性を有するため、アスペクト比の高い開口部の表面を被覆する場合などに好適である。ただし、ＡＬＤ法は、比較的成膜速度が遅いため、成膜速度の速いＣＶＤ法などの他の成膜方法と組み合わせて用いることが好ましい場合もある。

ＣＶＤ法およびＡＬＤ法は、原料ガスの流量比によって、得られる膜の組成を制御することができる。例えば、ＣＶＤ法およびＡＬＤ法では、原料ガスの流量比によって、任意の組成の膜を成膜することができる。また、例えば、ＣＶＤ法およびＡＬＤ法では、成膜しながら原料ガスの流量比を変化させることによって、組成が連続的に変化した膜を成膜することができる。原料ガスの流量比を変化させながら成膜する場合、複数の成膜室を用いて成膜する場合と比べて、搬送や圧力調整に掛かる時間の分、成膜に掛かる時間を短くすることができる。したがって、半導体装置の生産性を高めることができる場合がある。

なお、ＡＬＤ法により成膜する場合は、材料ガスとして塩素を含まないガスを用いることが好ましい。

また、スパッタリング法で酸化物半導体を形成する場合、スパッタリング装置におけるチャンバーは、酸化物半導体にとって不純物となる水等を可能な限り除去すべくクライオポンプのような吸着式の真空排気ポンプを用いて、高真空（５×１０^−７Ｐａから１×１０^−４Ｐａ程度まで）に排気することが好ましい。特に、スパッタリング装置の待機時における、チャンバー内のＨ_２Ｏに相当するガス分子（ｍ／ｚ＝１８に相当するガス分子）の分圧を１×１０^−４Ｐａ以下、好ましく５×１０^−５Ｐａ以下とすることが好ましい。成膜温度はＲＴ以上５００℃以下が好ましく、ＲＴ以上３００℃以下がより好ましく、ＲＴ以上２００℃以下がさらに好ましい。

また、スパッタリングガスの高純度化も必要である。例えば、スパッタリングガスとして用いる酸素ガスやアルゴンガスは、露点が−４０℃以下、好ましくは−８０℃以下、より好ましくは−１００℃以下、より好ましくは−１２０℃以下にまで高純度化したガスを用いることで酸化物半導体膜に水分等が取り込まれることを可能な限り防ぐことができる。

また、スパッタリング法で絶縁層、導電層、または半導体層などを形成する場合、酸素を含むスパッタリングガスを用いることで、被形成層に酸素を供給することができる。スパッタリングガスに含まれる酸素が多いほど、被形成層に供給される酸素が多くなりやすい。

＜トランジスタ１００の作製方法例＞
トランジスタ１００の作製方法例について図５（Ａ）乃至図８（Ｃ）を用いて説明する。図５（Ａ）乃至図８（Ｃ）に示す断面図は、図１（Ａ）にＸ１−Ｘ２の一点鎖線で示す部位の断面に相当する。

［工程１］
まず、基板１０１上に電極１０２を形成するための導電層１８１を形成する（図５（Ａ）参照。）。本実施の形態では、基板１０１としてアルミノホウケイ酸ガラスを用いる。また、本実施の形態では、導電層１８１として厚さ５０ｎｍのチタン層と、厚さ２００ｎｍの銅層とを、それぞれ順にスパッタリング法により形成する。

［工程２］
次に、レジストマスクを形成する（図示せず。）。レジストマスクの形成は、フォトリソグラフィ法、印刷法、インクジェット法等を適宜用いて行うことができる。レジストマスクを印刷法やインクジェット法などで形成すると、フォトマスクを使用しないため製造コストを低減できる。

フォトリソグラフィ法によるレジストマスクの形成は、感光性レジストにフォトマスクを介して光を照射し、現像液を用いて感光した部分（または感光していない部分）のレジストを除去して行なうことができる。感光性レジストに照射する光は、ＫｒＦエキシマレーザ光、ＡｒＦエキシマレーザ光、ＥＵＶ（Ｅｘｔｒｅｍｅ Ｕｌｔｒａｖｉｏｌｅｔ）光などがある。また、基板と投影レンズとの間に液体（例えば水）を満たして露光する液浸技術を用いてもよい。また、前述した光に代えて、電子ビームやイオンビームを用いてもよい。なお、電子ビームやイオンビームを用いる場合には、フォトマスクは不要となる。

当該レジストマスクをマスクとして用いて、導電層１８１の一部を選択的に除去して電極１０２を形成する（図５（Ｂ）参照。）。導電層１８１の除去は、ドライエッチング法や、ウェットエッチング法などを用いて行なうことができる。なお、導電層１８１の除去は、ドライエッチング法とウェットエッチング法の両方を用いてもよい。

導電層１８１の一部を除去した後、レジストマスクを除去する。レジストマスクの除去は、アッシングなどのドライエッチング法または専用の剥離液などを用いたウェットエッチング法で行うことができる。なお、レジストマスクの除去は、ドライエッチング法とウェットエッチング法の両方を用いてもよい。

また、電極１０２側面の断面形状をテーパー形状とすることが好ましい。電極１０２側面のテーパー角θは、２０°以上９０°未満が好ましく、３０°以上８０°未満がより好ましく、４０°以上７０°未満がさらに好ましい。なお、テーパー角θとは、テーパー形状を有する層を断面（基板の表面と直交する面）方向から観察した際に、当該層の側面と底面がなす角度を示す。

電極１０２の側面にテーパー形状を付与することで、その上に形成する層の段切れを防ぎ、被覆性を向上させることができる。また、電極１０２の側面をテーパー形状とすることで、電極１０２の上端部の電界集中を緩和できる。一方で、テーパー角θが小さすぎると、トランジスタの微細化が困難になる場合がある。また、テーパー角θが小さすぎると、開口の大きさや配線の幅などのばらつきが大きくなる場合がある。

また、電極１０２の側面を階段形状としてもよい。側面を階段状とすることで、その上に形成する層の段切れを防ぎ、被覆性を向上させることができる。なお、電極１０２の側面に限らず、各層の端部をテーパー形状または階段形状とすることで、その上に被覆する層が途切れてしまう現象（段切れ）を防ぎ、被覆性を良好なものとすることができる。

［工程３］
次に、絶縁層１０３、絶縁層１０４、および絶縁層１０５を順に形成する（図５（Ｃ）参照。）。本実施の形態では、絶縁層１０３として厚さ４００ｎｍの窒化シリコン層を形成し、絶縁層１０４として厚さ３０ｎｍの酸化アルミニウム層を形成し、絶縁層１０５として厚さ５０ｎｍの酸化窒化シリコン層を形成する。

なお、絶縁層１０３に用いる窒化シリコン層は、第１の窒化シリコン層と、第２の窒化シリコン層と、第３の窒化シリコン層とを有する三層積層構造である。該三層積層構造の一例としては、以下のように形成することができる。

第１の窒化シリコン層としては、例えば、流量２００ｓｃｃｍのシランガス、流量２０００ｓｃｃｍの窒素ガス、および流量１００ｓｃｃｍのアンモニアガスを原料ガスとしてＰＥＣＶＤ装置の反応室に供給し、反応室内の圧力を１００Ｐａに制御し、２７．１２ＭＨｚの高周波電源を用いて２０００Ｗの電力を供給して、厚さが５０ｎｍとなるように形成すればよい。

第２の窒化シリコン層としては、流量２００ｓｃｃｍのシランガス、流量２０００ｓｃｃｍの窒素ガス、および流量２０００ｓｃｃｍのアンモニアガスを原料ガスとしてＰＥＣＶＤ装置の反応室に供給し、反応室内の圧力を１００Ｐａに制御し、２７．１２ＭＨｚの高周波電源を用いて２０００Ｗの電力を供給して、厚さが３００ｎｍとなるように形成すればよい。

第３の窒化シリコン層としては、流量２００ｓｃｃｍのシランガス、および流量５０００ｓｃｃｍの窒素ガスを原料ガスとしてＰＥＣＶＤ装置の反応室に供給し、反応室内の圧力を１００Ｐａに制御し、２７．１２ＭＨｚの高周波電源を用いて２０００Ｗの電力を供給して、厚さが５０ｎｍとなるように形成すればよい。

なお、上記第１の窒化シリコン層、第２の窒化シリコン層、および第３の窒化シリコン層形成時の基板温度は３５０℃以下とすることができる。

窒化シリコン層を上述の三層の積層構造とすることで、例えば、電極１０２に銅を含む導電層を用いる場合において、以下の効果を奏する。

第１の窒化シリコン層は、電極１０２からの銅元素の拡散を抑制することができる。第２の窒化シリコン層は、水素を放出する機能を有し、ゲート絶縁層として機能する絶縁層の耐圧を向上させることができる。第３の窒化シリコン層は、第３の窒化シリコン層からの水素放出が少なく、且つ第２の窒化シリコン層からの放出される水素の拡散を防ぐことができる。

前述した通り、絶縁層１０４は、不純物が透過しにくい絶縁性材料を用いて形成することが好ましい。また、絶縁層１０４は、酸素が拡散しにくい絶縁性材料を用いて形成することが好ましい。絶縁層１０４に用いる酸化アルミニウム層は、アルミニウムターゲットを用いたＤＣスパッタリング法で形成してもよいし、酸化アルミニウムターゲットを用いたＡＣスパッタリング法で形成してもよい。また、ＡＬＤ法で形成してもよい。

絶縁層１０５は、過剰酸素を含む絶縁層を用いることが好ましい。絶縁層１０５に酸素ドープ処理を行ってもよい。また、絶縁層１０５の形成後に加熱処理を行なって、絶縁層１０５中に含まれる水素や水分を低減させることが好ましい。加熱処理の後に酸素ドープ処理を行ってもよい。酸素ドープ処理は、例えば、基板を３５０℃に加熱して、アルゴンと酸素を含むガスを周波数２．４５ＧＨｚで励起して行なえばよい。加熱処理と酸素ドープ処理を複数回繰り返し行なってもよい。

また、絶縁層１０５を、窒素や不活性ガスのプラズマ雰囲気に曝すことで、絶縁層１０５表面および表面近傍の水素や炭素などの不純物を低減することができる。例えば、基板を３５０℃に加熱して、アルゴンと窒素を含むガスを周波数２．４５ＧＨｚで励起したプラズマ雰囲気に絶縁層１０５を曝せばよい。

加熱処理は、例えば、窒素や希ガスなどを含む不活性雰囲気下、酸化性雰囲気下、又は超乾燥エア（ＣＲＤＳ（キャビティリングダウンレーザー分光法）方式の露点計を用いて測定した場合の水分量が２０ｐｐｍ（露点換算で−５５℃）以下、好ましくは１ｐｐｍ以下、好ましくは１０ｐｐｂ以下の空気）雰囲気下で行なう。なお、「酸化性雰囲気」とは、酸素、オゾンまたは窒化酸素などの酸化性ガスを１０ｐｐｍ以上含有する雰囲気をいう。また、「不活性雰囲気」とは、前述の酸化性ガスが１０ｐｐｍ未満であり、その他、窒素または希ガスで充填された雰囲気をいう。加熱処理中の圧力に特段の制約はないが、加熱処理は減圧下で行なうことが好ましい。

加熱処理は、１５０℃以上基板の歪み点未満、好ましくは２００℃以上５００℃以下、より好ましくは２５０℃以上４００℃以下で行えばよい。処理時間は２４時間以内とする。２４時間を超える加熱処理は生産性の低下を招くため好ましくない。

また、加熱処理は、電気炉、ＲＴＡ装置等を用いて行なうことができる。ＲＴＡ装置を用いることで、短時間に限り基板の歪み点以上の温度で熱処理を行うことができる。そのため、加熱時間を短縮することが可能となる。また、加熱処理は、窒素、酸素、超乾燥空気（水の含有量が２０ｐｐｍ以下、好ましくは１ｐｐｍ以下、好ましくは１０ｐｐｂ以下の空気）、または希ガス（アルゴン、ヘリウム等）の雰囲気下で行えばよい。なお、上記窒素、酸素、超乾燥空気、または希ガスに水素、水等が含まれないことが好ましい。

［工程４］
次に、酸化物半導体層１８２を形成する（図５（Ｄ）参照。）。なお、酸化物半導体層１８２を形成する前に、酸素ガスを供給してプラズマを発生させてもよい。このことにより、酸化物半導体層１８２の被形成面となる絶縁層１０５中に酸素を添加できる。

酸化物半導体層１８２としては、インジウム亜鉛酸化物や、組成がＩｎ：Ｇａ：Ｚｎ＝５：１：７［原子数比］のターゲットを用いて形成したインジウムガリウム亜鉛酸化物や、組成がＩｎ：Ｇａ：Ｚｎ＝４：２：４．１［原子数比］のターゲットを用いて形成したインジウムガリウム亜鉛酸化物などを用いることが好ましい。

本実施の形態では、酸化物半導体層１８２として、インジウムガリウム亜鉛酸化物を組成がＩｎ：Ｇａ：Ｚｎ＝４：２：４．１［原子数比］のターゲットを用いたスパッタリング法で形成する。また、スパッタリングガスとして酸素、または、酸素と希ガスの混合ガスを用いる。本実施の形態では、スパッタリングガスとして酸素の流量比が１０％の酸素とアルゴンの混合ガスを用いる。

スパッタリングガスに含まれる酸素の流量比を０％以上３０％以下、好ましくは５％以上２０％以下として成膜すると、酸素欠乏型の酸化物半導体層が形成される。酸素欠乏型の酸化物半導体層を用いたトランジスタは、比較的高い電界効果移動度が得られる。

また、酸化物半導体層１８２の形成時に、スパッタリングガスに含まれる酸素の一部が絶縁層１０５に供給される場合がある。スパッタリングガスに含まれる酸素が多いほど、絶縁層１０５に供給される酸素も増加する。絶縁層１０５に供給された酸素の一部は、絶縁層１０５中に残存する水素と反応して水となり、後の加熱処理によって絶縁層１０５から放出される。このようにして、絶縁層１０５中の水素濃度を低減することができる。また、絶縁層１０５中の過剰酸素を増やすことで、後の加熱処理において酸化物半導体層１８２（後の酸化物半導体層１０６）に酸素を供給することもできる。

図４（Ａ）および図４（Ｂ）に示したように、酸化物半導体層１０６を二層または三層の積層とする場合、酸化物半導体層１０６＿１を形成するための酸化物半導体層は、上記の材料および方法で形成する。

また、酸化物半導体層１０６＿２および／または酸化物半導体層１０６＿３を形成するための酸化物半導体層は、結晶性の高い酸化物半導体層を用いることが好ましい。例えば、ＣＡＡＣ−ＯＳを用いることが好ましい。例えば、後に行なわれる絶縁層１０８、絶縁層１０９および電極１１２を形成するためのエッチング工程の際に、露出した酸化物半導体層がエッチングされて、酸化物半導体層にダメージが生じる場合がある。結晶性の高い酸化物半導体層は、当該エッチング工程でエッチングされにくい。酸化物半導体層１８３に結晶性の高い酸化物半導体層を用いることで、当該エッチング工程で酸化物半導体層に生じるダメージを低減することができる。よって、トランジスタの信頼性を高めることができる。

酸化物半導体層１０６＿２および／または酸化物半導体層１０６＿３を形成するための酸化物半導体層として、例えば、インジウムガリウム亜鉛酸化物を組成がＩｎ：Ｇａ：Ｚｎ＝１：１：１．２［原子数比］のターゲットを用いたスパッタリング法で形成する。また、スパッタリングガスとして酸素、または、酸素と希ガスの混合ガスを用いる。例えば、スパッタリングガスとして酸素を１００％の割合で用いる。酸化物半導体層１０６＿２および／または酸化物半導体層１０６＿３を形成するためのスパッタリングガスに含まれる酸素の流量比は、７０％以上が好ましく、８０％以上がさらに好ましく、１００％がより好ましい。スパッタリングガスに含まれる酸素の割合（流量比）を高めることで、酸化物半導体層の結晶性を高めることができる。

なお、酸化物半導体層１８２の形成後に不純物元素を導入することで、トランジスタ１００のしきい値電圧を変化させることができる。不純物元素の導入は、イオン注入法、イオンドーピング法、またはプラズマイマージョンイオン注入法、または不純物元素を含むガスを用いたプラズマ処理などで行うことができる。

また、酸化物半導体層１８２の形成後に、加熱処理を行ってもよいし、酸素ドープ処理を行なってもよい。加熱処理と酸素ドープ処理を複数回繰り返してもよい。

また、窒素または希ガス雰囲気で加熱処理を行なった後、酸素または超乾燥空気雰囲気で加熱処理を行なってもよい。この結果、酸化物半導体層に含まれる水素、水等を脱離させると共に、酸化物半導体層に酸素を供給することができる。この結果、酸化物半導体層に含まれる酸素欠損を低減することができる。

［工程５］
次に、フォトリソグラフィ法によりレジストマスクを形成する（図示せず。）。当該レジストマスクをマスクとして用いて、酸化物半導体層１８２の一部を選択的に除去して、島状の酸化物半導体層１０６を形成する（図６（Ａ）参照。）。

酸化物半導体層１８２の除去は、ドライエッチング法や、ウェットエッチング法などを用いて行なうことができる。なお、酸化物半導体層１８２の除去は、ドライエッチング法とウェットエッチング法の両方を用いてもよい。

図４（Ａ）および図４（Ｂ）に示したように、半導体層１０６を二層または三層の積層とする場合は、酸化物半導体層１０６＿１の形成後、酸化物半導体層１０６＿１および酸化物半導体層１０６＿２の形成後、または、酸化物半導体層１０６＿１乃至酸化物半導体層１０６＿３の形成後に加熱処理を行ってもよいし、酸素ドープ処理を行なってもよい。加熱処理と酸素ドープ処理を繰り返してもよい。

［工程６］
次に、絶縁層１０８と絶縁層１０９を順に形成する（図６（Ｂ）参照。）。絶縁層１０８と絶縁層１０９は、途中で大気に曝すことなく連続して形成することが好ましい。

絶縁層１０８は過剰酸素を含む絶縁層であることが好ましい。絶縁層１０８の厚さは５ｎｍ以上１５０ｎｍ以下、好ましくは５ｎｍ以上５０ｎｍ以下とすればよい。また、絶縁層１０８として酸素を透過することができる絶縁層を用いることで、後に形成する絶縁層１０９に含まれる酸素を酸化物半導体層１０６に移動させることができる。

例えば、絶縁層１０８として、ＰＥＣＶＤ法で形成した酸化窒化シリコン層を用いることができる。この場合、原料ガスとしては、シリコンを含む堆積性気体および酸化性気体を用いることが好ましい。シリコンを含む堆積性気体の代表例としては、シランガス、ジシランガス、トリシランガス、フッ化シランガス等がある。酸化性気体としては、一酸化二窒素ガス、二酸化窒素ガス等がある。また、上記の堆積性気体の流量に対して酸化性気体の流量を２０倍以上５０００倍以下、好ましくは４０倍以上１００倍以下とする。

本実施の形態では、絶縁層１０８として、厚さ３０ｎｍの酸化窒化シリコン層を形成する。具体的には、基板温度を３５０℃とし、流量２０ｓｃｃｍのシランガスおよび流量３０００ｓｃｃｍの一酸化二窒素ガスを原料ガスとし、処理室内の圧力を２００Ｐａとし、平行平板電極に供給する高周波電力を１３．５６ＭＨｚ、１００ＷとするＰＥＣＶＤ法を用いて、酸化窒化シリコン層を形成する。

絶縁層１０９は、過剰酸素を含む絶縁層であることが好ましい。絶縁層１０９の厚さは３０ｎｍ以上５００ｎｍ以下、好ましくは５０ｎｍ以上４００ｎｍ以下とすればよい。

また、絶縁層１０９は、欠陥量が少ないことが好ましく、代表的には、ＥＳＲ測定により、シリコンのダングリングボンドに由来するｇ＝２．００１に現れる信号のスピン密度が１．５×１０^１８ｓｐｉｎｓ／ｃｍ^３未満、さらには１×１０^１８ｓｐｉｎｓ／ｃｍ^３以下であることが好ましい。なお、絶縁層１０９は、絶縁層１０８と比較して酸化物半導体層１０６から離れているため、絶縁層１０８よりも欠陥密度が多くてもよい。

絶縁層１０９として、ＰＥＣＶＤ法で形成した酸化シリコン層または酸化窒化シリコン層を用いることができる。例えば、ＰＥＣＶＤ装置の真空排気された処理室内に載置された基板を１８０℃以上４００℃以下に保持し、処理室に原料ガスを導入して処理室内における圧力を１００Ｐａ以上２５０Ｐａ以下、さらに好ましくは１００Ｐａ以上２００Ｐａ以下とし、処理室内に設けられる電極に０．１７Ｗ／ｃｍ^２以上０．５Ｗ／ｃｍ^２以下、さらに好ましくは０．２５Ｗ／ｃｍ^２以上０．３５Ｗ／ｃｍ^２以下の高周波電力を供給する条件により、酸化シリコン層または酸化窒化シリコン層を形成する。

絶縁層１０９の形成において、上記圧力の反応室内で上記パワー密度の高周波電力を供給することで、プラズマ中で原料ガスの分解効率が高まる。すなわち、反応室内の酸素ラジカルが増加し、原料ガスの酸化が進む。このため、形成される絶縁層１０９中の酸素含有量が化学量論的組成よりも多くなる。

また、上記の基板温度で形成された絶縁層では、シリコンと酸素の結合力が弱いため、後の工程の加熱処理により絶縁層中の酸素の一部が脱離する。この結果、化学量論的組成を満たす酸素よりも多くの酸素を含み、加熱により酸素の一部が脱離する酸化物絶縁層を形成することができる。

本実施の形態では、絶縁層１０９として、厚さ１００ｎｍの酸化窒化シリコン層を形成する。具体的には、基板温度を２２０℃とし、流量１６０ｓｃｃｍのシランガスおよび流量４０００ｓｃｃｍの一酸化二窒素ガスを原料ガスとし、処理室内の圧力を２００Ｐａとし、平行平板電極に供給する高周波電力を１３．５６ＭＨｚ、１５００ＷとするＰＥＣＶＤ法を用いて、酸化窒化シリコン層を形成する。

なお、絶縁層１０９の形成工程において、絶縁層１０８が酸化物半導体層１０６の保護層となる。したがって、酸化物半導体層１０６へのダメージを低減しつつ、パワー密度の高い高周波電力を用いて絶縁層１０９を形成することができる。

なお、絶縁層１０９の形成条件において、酸化性気体に対するシリコンを含む堆積性気体の流量を増加することで、絶縁層１０９の欠陥量を低減することが可能である。代表的には、ＥＳＲ測定により、シリコンのダングリングボンドに由来するｇ＝２．００１に現れる信号のスピン密度が６×１０^１７ｓｐｉｎｓ／ｃｍ^３未満、好ましくは３×１０^１７ｓｐｉｎｓ／ｃｍ^３以下、好ましくは１．５×１０^１７ｓｐｉｎｓ／ｃｍ^３以下である欠陥量の少ない酸化物絶縁層を形成することができる。この結果、トランジスタの信頼性を高めることができる。

［工程７］
絶縁層１０９上に電極１１２を形成するための導電層１８５を形成する（図６（Ｃ）参照。）。本実施の形態では、導電層１８５としてインジウムガリウム亜鉛酸化物層を用いる。より具体的には、導電層１８５としてインジウムガリウム亜鉛酸化物の二層積層を用いる。

まず、組成がＩｎ：Ｇａ：Ｚｎ＝４：２：４．１［原子数比］のターゲットと、酸素が１００％のスパッタリングガスと、を用いて、厚さ１０ｎｍのインジウムガリウム亜鉛酸化物層を形成する。次に、組成がＩｎ：Ｇａ：Ｚｎ＝４：２：４．１［原子数比］のターゲットと、酸素の割合が１０％でアルゴンの割合が９０％のスパッタリングガスと、を用いて、厚さ９０ｎｍのインジウムガリウム亜鉛酸化物層を形成する。

［工程８］
次に、フォトリソグラフィ法によりレジストマスクを形成する（図示せず。）。当該レジストマスクをマスクとして用いて、導電層１８５の一部を選択的に除去して、電極１１２を形成する。この時、電極１１２をマスクとして用いて、絶縁層１０８と絶縁層１０９の一部も選択的に除去する（図６（Ｄ）参照。）。工程８により、酸化物半導体層１０６の一部が露出する。

導電層１８５、絶縁層１０８、および絶縁層１０９の除去は、ドライエッチング法や、ウェットエッチング法などを用いて行なうことができる。なお、導電層１８５、絶縁層１０８、および絶縁層１０９の除去は、ドライエッチング法とウェットエッチング法の両方を用いてもよい。

［工程９］
次に、酸化物半導体層１０６の工程８で露出した領域に不純物１７１を導入する（図７（Ａ）参照。）。不純物の導入は、イオン注入法、イオンドーピング法、プラズマイマージョンイオン注入法などで行ってもよい。当該領域に窒素などの不純物を導入することにより、当該領域の抵抗値を低下させることができる。

また、当該領域を窒素や不活性ガスのプラズマ雰囲気に曝してもよい。当該領域をプラズマ雰囲気に曝すことにより、当該領域に欠陥を生じさせて、当該領域の抵抗値を低下させることができる。

酸化物半導体層１０６の不純物が導入された領域、またはプラズマ雰囲気に曝された領域は、トランジスタのソース領域またはドレイン領域として機能できる。また、酸化物半導体層１０６の電極１１２と重なる領域は、チャネル形成領域として機能できる。すなわち、トランジスタのソース領域とドレイン領域を、自己整合（セルフアライン）で形成することができる。

本実施の形態では、アルゴンと窒素を含む雰囲気中でプラズマ処理を行う。

［工程１０］
次に、不活性雰囲気下で加熱処理を行ない、酸化物半導体層１０６、絶縁層１０８および絶縁層１０９中に含まれる水素や水分などを低減する。また、工程９の後に加熱処理を行うことで、酸化物半導体層１０６のソース領域とドレイン領域の抵抗値が低下する場合がある。なお、加熱処理は不活性ガスなどのガス供給を行なわず、減圧下で行なってもよい。本実施の形態では、窒素雰囲気中で３５０℃、１時間の加熱処理をおこなう。

［工程１１］
続けて、酸化性雰囲気中で加熱処理を行なってもよい。本実施の形態では、酸素雰囲気中で３５０℃、１時間の加熱処理をおこなう。例えば、工程８で酸化物半導体層１０６に窒素を導入した場合、酸素雰囲気中で加熱処理を行うことで、ソース領域およびドレイン領域のＮＯ_Ｘが増加し、抵抗値が低下する場合がある。なお、工程１０または工程１１の一方を省略してもよい。

［工程１２］
次に、絶縁層１１０を形成する（図７（Ｂ）参照。）。前述した通り、絶縁層１１０は、不純物が透過しにくい絶縁性材料を用いて形成することが好ましい。また、絶縁層１１０は、酸素が拡散しにくい絶縁性材料を用いて形成することが好ましい。絶縁層１１０の厚さは５ｎｍ乃至４０ｎｍであればよい。

本実施の形態では、絶縁層１１０として厚さ３０ｎｍの酸化アルミニウム層をスパッタリング法で形成する。スパッタリング法で絶縁層１１０を形成する場合、形成温度（基板温度）はＲＴ以上４００℃以下が好ましく、ＲＴ以上３００℃以下がより好ましく、ＲＴ以上１５０℃以下がさらに好ましい。また、スパッタリングガスとして酸素、または、酸素と希ガスの混合ガスを用いる。スパッタリングガスに含まれる酸素の流量比は、７０％以上が好ましく、８０％以上がさらに好ましく、１００％がより好ましい。酸素を含むスパッタリングガスを用いることで、被形成層（絶縁層１０８）に酸素を供給することができる。スパッタリングガスに含まれる酸素が多いほど、被形成層に供給される酸素が多くなりやすい。本実施の形態では、スパッタリングガスとして１００％酸素を用いる。

絶縁層１１０に用いる酸化アルミニウム層は、アルミニウムターゲットを用いたＤＣスパッタリング法で形成してもよいし、酸化アルミニウムターゲットを用いたＡＣスパッタリング法で形成してもよい。絶縁層１１０の形成後、絶縁層１１０に酸素ドープ処理を行ってもよい。

また、絶縁層１１０として、水素を含まない、または、ほとんど含まない窒化シリコン層を用いてもよい。このような窒化シリコン層は、例えば、スパッタリング法などで形成することができる。

なお、絶縁層１１０の上に、図３で図示したトランジスタ１００のように、絶縁層１１１を形成する場合は、絶縁層１１１として酸化アルミニウム層をスパッタリング法またはＡＬＤ法で形成することが好ましい。絶縁層１１１の厚さは５ｎｍ乃至４０ｎｍであればよい。特に、酸化アルミニウム層をＡＬＤ法で形成することで、被覆性の良好な酸化アルミニウム層を設けることができる。よって、トランジスタの信頼性を高めることができる。また、絶縁層１１１として窒化シリコン層を用いてもよい。

また、スパッタリング法で形成する酸化アルミニウム層は、成膜温度によってその密度を変化させることができる。例えば、酸化アルミニウム層をＲＴ以上１３０℃以下で成膜すると、密度が２．８以上２．９ｇ／ｃｍ^３以下程度の酸化アルミニウム層が得られる。また、酸化アルミニウム層を２５０℃で成膜すると、密度が３．３ｇ／ｃｍ^３程度の酸化アルミニウム層が得られる（実施例２参照。）。

酸化アルミニウム層は加熱により水素を吸収する場合がある。よって絶縁層１１０として酸化アルミニウム層を形成し、その後、加熱処理を行うと、隣接する層中の水素濃度や水分が低減する場合がある。酸化アルミニウム層の水素吸収量は、密度が小さいほど多くなる。特に、密度が３．０ｇ／ｃｍ^３以下の酸化アルミニウム層は、水素吸収量が多く好ましい。密度が３．０ｇ／ｃｍ^３以下の酸化アルミニウム層の形成は、スパッタリング法に限らず、アルミニウム層を酸化性雰囲気下で加熱処理またはプラズマ処理することによっても実現可能である。

工程１０から工程１２までは、途中で大気に曝すことなく連続して行なう。このようにすることで、水素や水分などの酸化物半導体層１０６への吸着を防ぎ、トランジスタの信頼性を高めることができる。また、絶縁層１１０で酸化物半導体層１０６を覆うことで、外部から水素や水分などの浸入を防ぐことができる。加えて、酸素の外部への拡散を防ぐことができる。

［工程１３］
次に、絶縁層１１５を形成する（図７（Ｃ）参照。）。本実施の形態では、絶縁層１１５として厚さ３００ｎｍの酸化窒化シリコン層を形成する。具体的には、基板温度を２２０℃とし、流量１６０ｓｃｃｍのシランガスおよび流量４０００ｓｃｃｍの一酸化二窒素ガスを原料ガスとし、処理室内の圧力を２００Ｐａとし、平行平板電極に供給する高周波電力を１３．５６ＭＨｚ、１５００ＷとするＰＥＣＶＤ法を用いて、酸化窒化シリコン層を形成する。

［工程１４］
次に、フォトリソグラフィ法によりレジストマスクを形成する（図示せず。）。当該レジストマスクをマスクとして用いて、絶縁層１１５および絶縁層１１０それぞれの一部を選択的に除去して、開口１８６を形成する（図８（Ａ）参照。）。この時、酸化物半導体層１０６の一部が露出する。

［工程１５］
次に、導電層１８６を形成する（図８（Ｂ）参照。）。特に導電層１８６は、酸化物半導体層１０６と接するため、加熱処理により水素を吸収する機能を有する導電性材料を用いることが好ましい。導電層１８６にこのような材料を用いることで、後の加熱処理によって、酸化物半導体層１０６中の水素濃度を低減することができる。水素を吸収する機能を有する導電性材料の一例として、チタン、インジウム亜鉛酸化物、シリコンを添加したインジウム錫酸化物などがある。

本実施の形態では、導電層１８６としてチタン層と銅層の積層を用いる。具体的には、厚さ３０ｎｍのチタン層を形成し、その上に厚さ２００ｎｍの銅層を形成する。

［工程１６］
次に、フォトリソグラフィ法によりレジストマスクを形成する（図示せず。）。当該レジストマスクをマスクとして用いて、導電層１８６の一部を選択的に除去して、電極１１４ａおよび電極１１４ｂを形成する（図８（Ｃ）参照。）。

導電層１８６の除去は、ドライエッチング法や、ウェットエッチング法などを用いて行なうことができる。なお、導電層１８６の除去は、ドライエッチング法とウェットエッチング法の両方を用いてもよい。

レジストマスクを除去した後、加熱処理を行ってもよい。例えば、窒素雰囲気中で２５０℃、１時間の加熱処理を行う。

〔変形例〕
ここで、工程１２で説明した絶縁層１１０の形成方法と異なる形成方法の一例について説明しておく。

例えば、絶縁層１１０として金属酸化物層をスパッタリング法で形成する場合、形成条件によってはスパッタリング装置内でパーティクルが発生する場合がある。該パーティクルは、トランジスタの製造歩留まり低下の一因となる。

以下、パーティクルが発生しにくい金属酸化物層の形成方法の一例を説明する。ここでは、絶縁層１１０として酸化アルミニウム層を形成する場合を説明する。

金属酸化物層の形成は、スパッタリング法やＡＬＤ法など以外にも、金属層を形成し、該金属層を酸化させる方法により実現可能である。

まず、金属層１８８を形成する。ここでは、金属層１８８として厚さ１０ｎｍのアルミニウム層を形成する（図９（Ａ）参照。）。この時、金属層１８８と接する酸化物半導体層１０６中に、金属層１８８に含まれる金属元素の一部が供給される。酸化物半導体層１０６の該金属元素が供給された領域は抵抗値が低下する。よって、該領域は、ソース領域またはドレイン領域として機能できる。すなわち、トランジスタのソース領域とドレイン領域を、自己整合（セルフアライン）で形成することができる。よって、前述した工程９を省略することもできる。

次に、酸化性雰囲気下で加熱処理、または酸化性雰囲気下でプラズマ処理を行う（図９（Ｂ）参照。）。金属層１８８に前述した酸素ドープ処理を行ってもよい。すると、金属層１８８が酸化されて、金属酸化物層（絶縁層１１０）となる（図９（Ｃ）参照。）。なお、酸化性雰囲気下で加熱処理を行いながらプラズマ処理を行ってもよい。特に、金属層１８７を酸化する工程は、酸化性雰囲気下でのプラズマ処理が好ましい。金属層１８７を酸化する工程として、酸化性雰囲気下でプラズマ処理を行うことで、絶縁層１０８または絶縁層１０９にも酸素を供給することが可能となる。

なお、金属層１８８と酸化物半導体層１０６を接して加熱処理を行うことで、酸化物半導体層１０６中の酸素および／または絶縁層１０５中の酸素が金属層１８８に吸収されて（図１０（Ａ）参照。）、金属酸化物層（絶縁層１１０）となる場合がある（図１０（Ｂ）参照。）。この現象は、酸化物半導体層１０６および／または絶縁層１０５が過剰酸素を含む場合に顕著となる。また、酸素が吸収された領域の酸化物半導体層１０６は、酸素欠損が増加して抵抗値が低下する場合がある。

上記の金属酸化物層の形成方法は、酸化アルミニウムに限らず、酸化マグネシウム、酸化ガリウム、酸化ゲルマニウム、酸化イットリウム、酸化ジルコニウム、酸化ランタン、酸化ネオジム、酸化ハフニウム、または酸化タンタルなどに用いることもできる。

よって、金属層１８８としては、アルミニウム、マグネシウム、ガリウム、ゲルマニウム、イットリウム、ジルコニウム、ランタン、ネオジム、ハフニウム、またはタンタルなどのうち、少なくとも１つを用いることができる。

なお、上記の方法で絶縁層１１０を形成した後、絶縁層１１１を設けてもよい。前述したように、絶縁層１１１はＡＬＤ法や、スパッタリング法などで形成することができる。また、絶縁層１１１を、上記の方法で形成してもよい。

また、上記の方法で絶縁層１１０を形成した後、酸素を含むスパッタリングガスを用いたスパッタリング法で絶縁層１１１を形成すると、絶縁層１１０に酸素を供給することができる。よって、絶縁層１１０を、過剰酸素を含む絶縁層とすることができる。

また、金属層１８８の形成後に、酸素を含むスパッタリングガスを用いたスパッタリング法で絶縁層１１１を形成することで、金属層１８８を金属酸化物層（絶縁層１１０）とすることも可能である。

＜トランジスタ１００の変形例＞
トランジスタ１００の変形例について図面を用いて説明する。

〔変形例１〕
図１１（Ａ）は、トランジスタ１００Ａの平面図である。図１１（Ｂ）は、図１１（Ａ）に記したＸ１−Ｘ２の一点鎖線で示す部位の断面図である。図１１（Ｃ）は、図１１（Ａ）に記したＹ１−Ｙ２の一点鎖線で示す部位の断面図である。

トランジスタ１００Ａは、絶縁層１１５上に電極１１４ｃを有する点がトランジスタ１００と異なる。電極１１４ｃは、電極１１４ａおよび電極１１４ｂと同様の材料および方法を用いて、同じ工程で設けることができる。電極１１４ｃは、絶縁層１１５および絶縁層１１０それぞれに設けられた開口において、電極１１２と電気的に接続されている。

また、トランジスタ１００Ａは、平面図で見た場合に、酸化物半導体層１０６の外側を囲む領域１２３を有する点が、トランジスタ１００と異なる。領域１２３では絶縁層１０５が除去され、絶縁層１０４と絶縁層１１０が接している。

領域１２３を設けることで、外部から水素や水分などの浸入を防ぐ効果を高めることができる。加えて、酸素の外部への拡散を防ぐ効果を高めることができる。

〔変形例２〕
図１２（Ａ）は、トランジスタ１００Ｂの平面図である。図１２（Ｂ）は、図１２（Ａ）に記したＸ１−Ｘ２の一点鎖線で示す部位の断面図である。図１２（Ｃ）は、図１２（Ａ）に記したＹ１−Ｙ２の一点鎖線で示す部位の断面図である。図１３（Ａ）は、図１２（Ｂ）に示した部位１３１Ｂの拡大図である。図１３（Ｂ）は、図１２（Ｃ）に示した部位１３２Ｂの拡大図である。

トランジスタ１００Ｂは、トランジスタ１００と絶縁層１０５の形状が異なる。トランジスタ１００Ａは酸化物半導体層１０６と重畳する島状の絶縁層１０５を有する。島状の絶縁層１０５は、工程５で酸化物半導体層１０６を形成する際に、露出した絶縁層１０５の一部を続けて除去することで形成できる。

また、トランジスタ１００Ｂにおいて、絶縁層１１０と絶縁層１０４は酸化物半導体層１０６の端部および絶縁層１０５の端部を越えて延伸し、互いに接する領域を有する。このような構成とすることで、外部からの水素や水分などの浸入を防ぐ効果を高めることができる。加えて、酸素の外部への拡散を防ぐ効果を高めることができる。

〔変形例３〕
図１４（Ａ）は、トランジスタ１００Ｃの平面図である。図１４（Ｂ）は、図１４（Ａ）に記したＸ１−Ｘ２の一点鎖線で示す部位の断面図である。図１４（Ｃ）は、図１４（Ａ）に記したＹ１−Ｙ２の一点鎖線で示す部位の断面図である。

トランジスタ１００Ｃは、トランジスタ１００と、絶縁層１０８および絶縁層１０９の形状が異なる。トランジスタ１００Ｃでは、絶縁層１０８および絶縁層１０９が酸化物半導体層１０６を覆う構造を有する。トランジスタ１００Ｃは、工程８において電極１１２を形成する際に、絶縁層１０８および絶縁層１０９をエッチングせずに残している。

絶縁層１０８および絶縁層１０９で酸化物半導体層１０６を覆うことで、絶縁層１０８および絶縁層１０９から酸化物半導体層１０６に供給する酸素の量を増やすことができる。

〔変形例４〕
図１５（Ａ）は、トランジスタ１００Ｄの平面図である。図１５（Ｂ）は、図１５（Ａ）に記したＸ１−Ｘ２の一点鎖線で示す部位の断面図である。図１５（Ｃ）は、図１５（Ａ）に記したＹ１−Ｙ２の一点鎖線で示す部位の断面図である。

トランジスタ１００Ｄは、トランジスタ１００から電極１０２を除去した構成を有する。トランジスタに求められる性能や目的などによっては、電極１０２を設けなくてもよい。電極１０２を設けないことで、トランジスタの作製工程数が減るため、製造コストを低減できる。また、トランジスタの製造歩留まりを高めることができる。

〔変形例５〕
図１６（Ａ）は、トランジスタ１００Ｅの平面図である。図１６（Ｂ）は、図１６（Ａ）に記したＸ１−Ｘ２の一点鎖線で示す部位の断面図である。図１６（Ｃ）は、図１６（Ａ）に記したＹ１−Ｙ２の一点鎖線で示す部位の断面図である。図１７は、図１６（Ｂ）に示した部位１３１Ｅの拡大図である。

トランジスタ１００Ｅは、絶縁層１０９と電極１１２の間に絶縁層１１８を有する点がトランジスタ１００と異なる。絶縁層１１８は、絶縁層１０８または絶縁層１０９と同様の材料および方法で形成すればよい。

例えば、絶縁層１１８として、厚さ２０ｎｍの酸化窒化シリコン層を形成する。具体的には、基板温度を３５０℃とし、流量２０ｓｃｃｍのシランガスおよび流量３０００ｓｃｃｍの一酸化二窒素ガスを原料ガスとし、処理室内の圧力を２００Ｐａとし、平行平板電極に供給する高周波電力を１３．５６ＭＨｚ、１００ＷとするＰＥＣＶＤ法を用いて、酸化窒化シリコン層を形成する。

また、絶縁層１１８として過剰酸素を含む絶縁層を用いることで、酸化物半導体層１０６に供給する酸素の量を増やすことができる。

本実施の形態は、他の実施の形態などに記載した構成と適宜組み合わせて実施することが可能である。

（実施の形態２）
本実施の形態では、本明細書等に開示したトランジスタを用いた半導体装置の一例として、表示装置および表示モジュールについて説明する。

＜表示装置＞
上述したトランジスタを用いることができる表示装置の一例を説明する。図２０（Ａ）は、表示装置５００の構成例を説明するブロック図である。

図２０（Ａ）に示す表示装置５００は、駆動回路５１１、駆動回路５２１ａ、駆動回路５２１ｂ、および表示領域５３１を有している。なお、駆動回路５１１、駆動回路５２１ａ、および駆動回路５２１ｂをまとめて「駆動回路」または「周辺駆動回路」という場合がある。

駆動回路５２１ａ、駆動回路５２１ｂは、例えば走査線駆動回路として機能できる。また、駆動回路５１１は、例えば信号線駆動回路として機能できる。なお、駆動回路５２１ａ、および駆動回路５２１ｂは、どちらか一方のみとしてもよい。また、表示領域５３１を挟んで駆動回路５１１と向き合う位置に、何らかの回路を設けてもよい。

また、図２０（Ａ）に例示する表示装置５００は、各々が略平行に配設され、且つ、駆動回路５２１ａ、および／または駆動回路５２１ｂによって電位が制御されるｐ本の配線５３５と、各々が略平行に配設され、且つ、駆動回路５１１によって電位が制御されるｑ本の配線５３６と、を有する（ｐ、ｑは、ともに１以上の自然数。）。さらに、表示領域５３１はマトリクス状に配設された複数の画素５３２を有する。画素５３２は、画素回路５３４および表示素子を有する。

また、３つの画素５３２を１つの画素として機能させることで、フルカラー表示を実現することができる。３つの画素５３２は、それぞれが赤色光、緑色光、または青色光の、透過率、反射率、または発光光量などを制御する。なお、３つの画素５３２で制御する光の色は赤、緑、青の組み合わせに限らず、黄、シアン、マゼンタであってもよい。

また、赤色光、緑色光、青色光を制御する画素に、白色光を制御する画素５３２を加えて、４つの画素５３２をまとめて１つの画素として機能させてもよい。白色光を制御する画素５３２を加えることで、表示領域の輝度を高めることができる。また、１つの画素として機能させる画素５３２を増やし、赤、緑、青、黄、シアン、およびマゼンタを適宜組み合わせて用いることにより、再現可能な色域を広げることができる。

画素を１９２０×１０８０のマトリクス状に配置すると、いわゆるフルハイビジョン（「２Ｋ解像度」、「２Ｋ１Ｋ」、「２Ｋ」などとも言われる。）の解像度で表示可能な表示装置５００を実現することができる。また、例えば、画素を３８４０×２１６０のマトリクス状に配置すると、いわゆるウルトラハイビジョン（「４Ｋ解像度」、「４Ｋ２Ｋ」、「４Ｋ」などとも言われる。）の解像度で表示可能な表示装置５００を実現することができる。また、例えば、画素を７６８０×４３２０のマトリクス状に配置すると、いわゆるスーパーハイビジョン（「８Ｋ解像度」、「８Ｋ４Ｋ」、「８Ｋ」などとも言われる。）の解像度で表示可能な表示装置５００を実現することができる。画素を増やすことで、１６Ｋや３２Ｋの解像度で表示可能な表示装置５００を実現することも可能である。

ｇ行目の配線５３５＿ｇ（ｇは１以上ｐ以下の自然数。）は、表示領域５３１においてｐ行ｑ列に配設された複数の画素５３２のうち、ｇ行に配設されたｑ個の画素５３２と電気的に接続される。また、ｈ列目の配線５３６＿ｈ（ｈは１以上ｑ以下の自然数。）は、ｐ行ｑ列に配設された画素５３２のうち、ｈ列に配設されたｐ個の画素５３２に電気的に接続される。

〔表示素子〕
表示装置５００は、様々な形態を用いること、または様々な表示素子を有することが出来る。表示素子の一例としては、ＥＬ（エレクトロルミネッセンス）素子（有機ＥＬ素子、無機ＥＬ素子、または、有機物および無機物を含むＥＬ素子）、ＬＥＤ（白色ＬＥＤ、赤色ＬＥＤ、緑色ＬＥＤ、青色ＬＥＤなど）、トランジスタ（電流に応じて発光するトランジスタ）、電子放出素子、液晶素子、電子インク、電気泳動素子、グレーティングライトバルブ（ＧＬＶ）、ＭＥＭＳ（マイクロ・エレクトロ・メカニカル・システム）を用いた表示素子、デジタルマイクロミラーデバイス（ＤＭＤ）、ＤＭＳ（デジタル・マイクロ・シャッター）、ＭＩＲＡＳＯＬ（登録商標）、ＩＭＯＤ（インターフェアレンス・モジュレーション）素子、シャッター方式のＭＥＭＳ表示素子、光干渉方式のＭＥＭＳ表示素子、エレクトロウェッティング素子、圧電セラミックディスプレイ、カーボンナノチューブを用いた表示素子、など、電気的または磁気的作用により、コントラスト、輝度、反射率、透過率などが変化する表示媒体を有するものがある。また、表示素子として量子ドットを用いてもよい。

ＥＬ素子を用いた表示装置の一例としては、ＥＬディスプレイなどがある。電子放出素子を用いた表示装置の一例としては、フィールドエミッションディスプレイ（ＦＥＤ）又はＳＥＤ方式平面型ディスプレイ（ＳＥＤ：Ｓｕｒｆａｃｅ−ｃｏｎｄｕｃｔｉｏｎ Ｅｌｅｃｔｒｏｎ−ｅｍｉｔｔｅｒ Ｄｉｓｐｌａｙ）などがある。量子ドットを用いた表示装置の一例としては、量子ドットディスプレイなどがある。液晶素子を用いた表示装置の一例としては、液晶ディスプレイ（透過型液晶ディスプレイ、半透過型液晶ディスプレイ、反射型液晶ディスプレイ、直視型液晶ディスプレイ、投射型液晶ディスプレイ）などがある。電子インク、電子粉流体（登録商標）、又は電気泳動素子を用いた表示装置の一例としては、電子ペーパーなどがある。また、表示装置はプラズマディスプレイパネル（ＰＤＰ）であってもよい。また、表示装置は網膜走査型の投影装置であってもよい。

なお、半透過型液晶ディスプレイや反射型液晶ディスプレイを実現する場合には、画素電極の一部、または、全部が、反射電極としての機能を有するようにすればよい。例えば、画素電極の一部、または、全部が、アルミニウム、銀、などを有するようにすればよい。さらに、その場合、反射電極の下に、ＳＲＡＭなどの記憶回路を設けることも可能である。これにより、さらに、消費電力を低減することができる。

なお、ＬＥＤを用いる場合、ＬＥＤの電極や窒化物半導体の下に、グラフェンやグラファイトを配置してもよい。グラフェンやグラファイトは、複数の層を重ねて、多層膜としてもよい。このように、グラフェンやグラファイトを設けることにより、その上に、窒化物半導体、例えば、結晶を有するｎ型ＧａＮ半導体層などを容易に成膜することができる。さらに、その上に、結晶を有するｐ型ＧａＮ半導体層などを設けて、ＬＥＤを構成することができる。なお、グラフェンやグラファイトと、結晶を有するｎ型ＧａＮ半導体層との間に、ＡｌＮ層を設けてもよい。なお、ＬＥＤが有するＧａＮ半導体層は、ＭＯＣＶＤで成膜してもよい。ただし、グラフェンを設けることにより、ＬＥＤが有するＧａＮ半導体層は、スパッタ法で成膜することも可能である。

図２０（Ｂ）、図２０（Ｃ）、図２１（Ａ）、および図２１（Ｂ）は、画素５３２に用いることができる回路構成例を示している。

〔発光表示装置用画素回路の一例〕
図２０（Ｂ）に示す画素回路５３４は、トランジスタ４６１と、容量素子４６３と、トランジスタ４６８と、トランジスタ４６４と、を有する。また、図２０（Ｂ）に示す画素回路５３４は、表示素子として機能できる発光素子４６９と電気的に接続されている。

トランジスタ４６１、トランジスタ４６８、およびトランジスタ４６４にＯＳトランジスタを用いることができる。特に、トランジスタ４６１にＯＳトランジスタを用いることが好ましい。

トランジスタ４６１のソースおよびドレインの一方は、配線５３６＿ｈに電気的に接続される。さらに、トランジスタ４６１のゲートは、配線５３５＿ｇに電気的に接続される。配線５３６＿ｈからはビデオ信号が供給される。

トランジスタ４６１は、ビデオ信号のノード４６５への書き込みを制御する機能を有する。

容量素子４６３の一対の電極の一方は、ノード４６５に電気的に接続され、他方は、ノード４６７に電気的に接続される。また、トランジスタ４６１のソースおよびドレインの他方は、ノード４６５に電気的に接続される。

容量素子４６３は、ノード４６５に書き込まれたデータを保持する保持容量としての機能を有する。

トランジスタ４６８のソースおよびドレインの一方は、電位供給線ＶＬ＿ａに電気的に接続され、他方はノード４６７に電気的に接続される。さらに、トランジスタ４６８のゲートは、ノード４６５に電気的に接続される。

トランジスタ４６４のソースおよびドレインの一方は、電位供給線Ｖ０に電気的に接続され、他方はノード４６７に電気的に接続される。さらに、トランジスタ４６４のゲートは、配線５３５＿ｇに電気的に接続される。

発光素子４６９のアノードまたはカソードの一方は、電位供給線ＶＬ＿ｂに電気的に接続され、他方は、ノード４６７に電気的に接続される。

発光素子４６９としては、例えば有機エレクトロルミネセンス素子（有機ＥＬ素子ともいう）などを用いることができる。ただし、発光素子４６９としては、これに限定されず、例えば無機材料からなる無機ＥＬ素子を用いても良い。

例えば、電位供給線ＶＬ＿ａまたは電位供給線ＶＬ＿ｂの一方には、高電源電位ＶＤＤが与えられ、他方には、低電源電位ＶＳＳが与えられる。

図２０（Ｂ）の画素回路５３４を有する表示装置５００では、駆動回路５２１ａ、および／または駆動回路５２１ｂにより各行の画素５３２を順次選択し、トランジスタ４６１、およびトランジスタ４６４をオン状態にしてビデオ信号をノード４６５に書き込む。

ノード４６５にデータが書き込まれた画素５３２は、トランジスタ４６１、およびトランジスタ４６４がオフ状態になることで保持状態になる。さらに、ノード４６５に書き込まれたデータの電位に応じてトランジスタ４６８のソース電極とドレイン電極の間に流れる電流量が制御され、発光素子４６９は、流れる電流量に応じた輝度で発光する。これを行毎に順次行うことにより、画像を表示できる。

また、図２１（Ａ）に示すように、トランジスタ４６１、トランジスタ４６４、およびトランジスタ４６８として、バックゲートを有するトランジスタを用いてもよい。図２１（Ａ）に示すトランジスタ４６１、およびトランジスタ４６４は、ゲートがバックゲートと電気的に接続されている。よって、ゲートとバックゲートが常に同じ電位となる。また、トランジスタ４６８はバックゲートがノード４６７と電気的に接続されている。よって、バックゲートがノード４６７と常に同じ電位となる。

トランジスタ４６１、トランジスタ４６８、およびトランジスタ４６４の少なくとも一つに、上記実施の形態に示したトランジスタを用いることができる。

〔液晶表示装置用画素回路の一例〕
図２０（Ｃ）に示す画素回路５３４は、トランジスタ４６１と、容量素子４６３と、を有する。また、図２０（Ｃ）に示す画素回路５３４は、表示素子として機能できる液晶素子４６２と電気的に接続されている。トランジスタ４６１にＯＳトランジスタを用いることが好ましい。

液晶素子４６２の一対の電極の一方の電位は、画素回路５３４の仕様に応じて適宜設定される。例えば、液晶素子４６２の一対の電極の一方に、共通の電位（コモン電位）を与えてもよいし、後述する容量線ＣＬと同電位としてもよい。また、液晶素子４６２の一対の電極の一方に、画素５３２毎に異なる電位を与えてもよい。液晶素子４６２の一対の電極の他方はノード４６６に電気的に接続されている。液晶素子４６２は、ノード４６６に書き込まれるデータにより配向状態が設定される。

液晶素子４６２を備える表示装置の駆動方法としては、例えば、ＴＮ（Ｔｗｉｓｔｅｄ Ｎｅｍａｔｉｃ）モード、ＳＴＮ（Ｓｕｐｅｒ Ｔｗｉｓｔｅｄ Ｎｅｍａｔｉｃ）モード、ＶＡモード、ＡＳＭ（Ａｘｉａｌｌｙ Ｓｙｍｍｅｔｒｉｃ Ａｌｉｇｎｅｄ Ｍｉｃｒｏ−ｃｅｌｌ）モード、ＯＣＢ（Ｏｐｔｉｃａｌｌｙ Ｃｏｍｐｅｎｓａｔｅｄ Ｂｉｒｅｆｒｉｎｇｅｎｃｅ）モード、ＦＬＣ（Ｆｅｒｒｏｅｌｅｃｔｒｉｃ Ｌｉｑｕｉｄ Ｃｒｙｓｔａｌ）モード、ＡＦＬＣ（ＡｎｔｉＦｅｒｒｏｅｌｅｃｔｒｉｃ Ｌｉｑｕｉｄ Ｃｒｙｓｔａｌ）モード、ＭＶＡモード、ＰＶＡ（Ｐａｔｔｅｒｎｅｄ Ｖｅｒｔｉｃａｌ Ａｌｉｇｎｍｅｎｔ）モード、ＩＰＳモード、ＦＦＳモード、またはＴＢＡ（Ｔｒａｎｓｖｅｒｓｅ Ｂｅｎｄ Ａｌｉｇｎｍｅｎｔ）モードなどを用いてもよい。また、表示装置の駆動方法としては、上述した駆動方法の他、ＥＣＢ（Ｅｌｅｃｔｒｉｃａｌｌｙ Ｃｏｎｔｒｏｌｌｅｄ Ｂｉｒｅｆｒｉｎｇｅｎｃｅ）モード、ＰＤＬＣ（Ｐｏｌｙｍｅｒ Ｄｉｓｐｅｒｓｅｄ Ｌｉｑｕｉｄ Ｃｒｙｓｔａｌ）モード、ＰＮＬＣ（Ｐｏｌｙｍｅｒ Ｎｅｔｗｏｒｋ Ｌｉｑｕｉｄ Ｃｒｙｓｔａｌ）モード、ゲストホストモードなどがある。ただし、これに限定されず、液晶素子およびその駆動方式として様々なものを用いることができる。

表示素子として、液晶素子を用いる場合、サーモトロピック液晶、低分子液晶、高分子液晶、高分子分散型液晶、強誘電性液晶、反強誘電性液晶等を用いることができる。これらの液晶材料は、条件により、コレステリック相、スメクチック相、キュービック相、カイラルネマチック相、等方相等を示す。

また、配向膜を用いないブルー相（Ｂｌｕｅ Ｐｈａｓｅ）を示す液晶を用いてもよい。ブルー相は液晶相の一つであり、コレステリック液晶を昇温していくと、コレステリック相から等方相へ転移する直前に発現する相である。ブルー相は狭い温度範囲でしか発現しないため、温度範囲を改善するために５重量％以上のカイラル剤を混合させた液晶組成物を液晶層に用いる。ブルー相を示す液晶とカイラル剤とを含む液晶組成物は、応答速度が１ｍｓｅｃ以下と短く、光学的等方性であるため配向処理が不要であり、かつ、視野角依存性が小さい。また配向膜を設けなくてもよいのでラビング処理も不要となるため、ラビング処理によって引き起こされる静電破壊を防止することができ、作製工程中の液晶表示装置の不良や破損を軽減することができる。よって液晶表示装置の生産性を向上させることが可能となる。

また、画素（ピクセル）をいくつかの領域（サブピクセル）に分け、それぞれ別の方向に分子を倒すよう工夫されているマルチドメイン化あるいはマルチドメイン設計といわれる方法を用いることができる。

また、液晶材料の固有抵抗は、１×１０^９Ω・ｃｍ以上であり、好ましくは１×１０^１１Ω・ｃｍ以上であり、さらに好ましくは１×１０^１２Ω・ｃｍ以上である。なお、本明細書における固有抵抗の値は、２０℃で測定した値とする。

ｇ行ｈ列目の画素回路５３４において、トランジスタ４６１のソースおよびドレインの一方は、配線５３６＿ｈに電気的に接続され、他方はノード４６６に電気的に接続される。トランジスタ４６１のゲートは、配線５３５＿ｇに電気的に接続される。配線５３６＿ｈからはビデオ信号が供給される。トランジスタ４６１は、ノード４６６へのビデオ信号の書き込みを制御する機能を有する。

容量素子４６３の一対の電極の一方は、特定の電位が供給される配線（以下、容量線ＣＬ）に電気的に接続され、他方は、ノード４６６に電気的に接続される。なお、容量線ＣＬの電位の値は、画素回路５３４の仕様に応じて適宜設定される。容量素子４６３は、ノード４６６に書き込まれたデータを保持する保持容量としての機能を有する。

例えば、図２０（Ｃ）の画素回路５３４を有する表示装置５００では、駆動回路５２１ａ、および／または駆動回路５２１ｂにより各行の画素回路５３４を順次選択し、トランジスタ４６１をオン状態にしてノード４６６にビデオ信号を書き込む。

ノード４６６にビデオ信号が書き込まれた画素回路５３４は、トランジスタ４６１がオフ状態になることで保持状態になる。これを行毎に順次行うことにより、表示領域５３１に画像を表示できる。

また、図２１（Ｂ）に示すように、トランジスタ４６１にバックゲートを有するトランジスタを用いてもよい。図２１（Ｂ）に示すトランジスタ４６１は、ゲートがバックゲートと電気的に接続されている。よって、ゲートとバックゲートが常に同じ電位となる。

〔周辺回路の構成例〕
図２２（Ａ）に駆動回路５１１の構成例を示す。駆動回路５１１は、シフトレジスタ５１２、ラッチ回路５１３、およびバッファ５１４を有する。また、図２２（Ｂ）に駆動回路５２１ａの構成例を示す。駆動回路５２１ａは、シフトレジスタ５２２、およびバッファ５２３を有する。駆動回路５２１ｂも駆動回路５２１ａと同様の構成とすることができる。

シフトレジスタ５１２およびシフトレジスタ５２２にはスタートパルスＳＰ、クロック信号ＣＬＫなどが入力される。

〔表示装置の構成例〕
上記実施の形態に示したトランジスタを用いて、シフトレジスタを含む駆動回路の一部または全体を画素部と同じ基板上に一体形成して、システムオンパネルを形成することができる。

本実施の形態では、液晶素子を用いた表示装置の構成例と、ＥＬ素子を用いた表示装置の構成例について説明する。図２３（Ａ）において、第１の基板４００１上に設けられた画素部４００２を囲むようにして、シール材４００５が設けられ、第２の基板４００６によって封止されている。図２３（Ａ）においては、第１の基板４００１上のシール材４００５によって囲まれている領域とは異なる領域に、別途用意された基板上に単結晶半導体または多結晶半導体で形成された信号線駆動回路４００３、および走査線駆動回路４００４が実装されている。また、信号線駆動回路４００３、走査線駆動回路４００４、または画素部４００２に与えられる各種信号および電位は、ＦＰＣ４０１８ａ（ＦＰＣ：Ｆｌｅｘｉｂｌｅ ｐｒｉｎｔｅｄ ｃｉｒｃｕｉｔ）、ＦＰＣ４０１８ｂから供給されている。

図２３（Ｂ）および図２３（Ｃ）において、第１の基板４００１上に設けられた画素部４００２と、走査線駆動回路４００４とを囲むようにして、シール材４００５が設けられている。また画素部４００２と、走査線駆動回路４００４の上に第２の基板４００６が設けられている。よって画素部４００２と、走査線駆動回路４００４とは、第１の基板４００１とシール材４００５と第２の基板４００６とによって、表示素子と共に封止されている。図２３（Ｂ）および図２３（Ｃ）においては、第１の基板４００１上のシール材４００５によって囲まれている領域とは異なる領域に、別途用意された基板上に単結晶半導体または多結晶半導体で形成された信号線駆動回路４００３が実装されている。図２３（Ｂ）および図２３（Ｃ）においては、信号線駆動回路４００３、走査線駆動回路４００４、または画素部４００２に与えられる各種信号および電位は、ＦＰＣ４０１８から供給されている。

また図２３（Ｂ）および図２３（Ｃ）においては、信号線駆動回路４００３を別途形成し、第１の基板４００１に実装している例を示しているが、この構成に限定されない。走査線駆動回路を別途形成して実装しても良いし、信号線駆動回路の一部または走査線駆動回路の一部のみを別途形成して実装しても良い。

なお、別途形成した駆動回路の接続方法は、特に限定されるものではなく、ワイヤボンディング、ＣＯＧ（Ｃｈｉｐ Ｏｎ Ｇｌａｓｓ）、ＴＣＰ（Ｔａｐｅ Ｃａｒｒｉｅｒ Ｐａｃｋａｇｅ）、ＣＯＦ（Ｃｈｉｐ Ｏｎ Ｆｉｌｍ）などを用いることができる。図２３（Ａ）は、ＣＯＧにより信号線駆動回路４００３、走査線駆動回路４００４を実装する例であり、図２３（Ｂ）は、ＣＯＧにより信号線駆動回路４００３を実装する例であり、図２３（Ｃ）は、ＴＣＰにより信号線駆動回路４００３を実装する例である。

また、表示装置は、表示素子が封止された状態にあるパネルと、該パネルにコントローラを含むＩＣ等を実装した状態にあるモジュールとを含む場合がある。

また第１の基板上に設けられた画素部および走査線駆動回路は、トランジスタを複数有しており、上記実施の形態で示したトランジスタを適用することができる。

図２４（Ａ）および図２４（Ｂ）は、図２３（Ｂ）中でＮ１−Ｎ２の鎖線で示した部位の断面構成を示す断面図である。図２４（Ａ）は、表示素子として液晶素子を用いた液晶表示装置の一例である。また、図２４（Ｂ）は、表示素子として発光素子を用いた発光表示装置（「ＥＬ表示装置」ともいう。）の一例である。

図２４（Ａ）および図２４（Ｂ）に示す表示装置は電極４０１５を有しており、電極４０１５はＦＰＣ４０１８が有する端子と異方性導電層４０１９を介して、電気的に接続されている。また、電極４０１５は、絶縁層４１１２に形成された開口において配線４０１４と電気的に接続されている。

電極４０１５は、第１の電極層４０３０と同じ導電層から形成され、配線４０１４は、トランジスタ４０１０、およびトランジスタ４０１１のソース電極およびドレイン電極と同じ導電層で形成されている。

また、第１の基板４００１上に設けられた画素部４００２と走査線駆動回路４００４は、トランジスタを複数有しており、図２４（Ａ）および図２４（Ｂ）では、画素部４００２に含まれるトランジスタ４０１０、および走査線駆動回路４００４に含まれるトランジスタ４０１１を例示している。図２４（Ａ）では、トランジスタ４０１０およびトランジスタ４０１１の半導体層を覆って、絶縁層４１１０、および絶縁層４１１１が設けられ、図２４（Ｂ）では、絶縁層４１１２の上に隔壁４５１０が形成されている。

また、トランジスタ４０１０およびトランジスタ４０１１は、絶縁層４１０２上に設けられている。また、トランジスタ４０１０およびトランジスタ４０１１は、絶縁層４１０２上に形成された電極４０１７を有し、電極４０１７上に絶縁層４１０４および絶縁層４１０３が形成されている。なお、電極４０１７はバックゲート電極として機能することができる。

トランジスタ４０１０およびトランジスタ４０１１は、上記実施の形態で示したトランジスタを用いることができる。トランジスタ４０１０およびトランジスタ４０１１としてＯＳトランジスタを用いることが好ましい。ＯＳトランジスタは、電気特性変動が抑制されており、電気的に安定である。よって、図２４（Ａ）および図２４（Ｂ）で示す本実施の形態の表示装置を信頼性の高い表示装置とすることができる。

また、ＯＳトランジスタは、オフ状態における電流値（オフ電流値）を低くすることができる。よって、画像信号等の電気信号の保持時間を長くすることができ、電源オン状態では書き込み間隔も長く設定できる。よって、リフレッシュ動作の頻度を少なくすることができるため、消費電力を抑制する効果を奏する。

また、ＯＳトランジスタは、比較的高い電界効果移動度を得ることも可能であるため、高速駆動が可能である。よって、表示装置の駆動回路部や画素部に上記トランジスタを用いることで、高画質な画像を提供することができる。また、同一基板上に駆動回路部または画素部を作り分けて作製することが可能であるため、表示装置の部品点数を削減することができる。

また、図２４（Ａ）および図２４（Ｂ）に示す表示装置は、容量素子４０２０を有する。容量素子４０２０は、トランジスタ４０１０のバックゲート電極と同じ工程で形成された電極４０２１と、ゲート電極と同じ工程で形成された電極と、を有する。それぞれの電極は、絶縁層４１０３を介して重なっている。

一般に、表示装置の画素部に設けられる容量素子の容量は、画素部に配置されるトランジスタのリーク電流等を考慮して、所定の期間の間電荷を保持できるように設定される。容量素子の容量は、トランジスタのオフ電流等を考慮して設定すればよい。

例えば、液晶表示装置の画素部にＯＳトランジスタを用いることにより、容量素子の容量を、液晶容量に対して１／３以下、さらには１／５以下とすることができる。ＯＳトランジスタを用いることにより、容量素子の形成を省略することもできる。

画素部４００２に設けられたトランジスタ４０１０は表示素子と電気的に接続する。図２４（Ａ）において、表示素子である液晶素子４０１３は、第１の電極層４０３０、第２の電極層４０３１、および液晶層４００８を含む。なお、液晶層４００８を挟持するように配向膜として機能する絶縁層４０３２、絶縁層４０３３が設けられている。第２の電極層４０３１は第２の基板４００６側に設けられ、第１の電極層４０３０と第２の電極層４０３１は液晶層４００８を介して重畳する。

またスペーサ４０３５は絶縁層を選択的にエッチングすることで得られる柱状のスペーサであり、第１の電極層４０３０と第２の電極層４０３１との間隔（セルギャップ）を制御するために設けられている。なお球状のスペーサを用いていても良い。

また、表示装置において、ブラックマトリクス（遮光層）、偏光部材、位相差部材、反射防止部材などの光学部材（光学基板）などを適宜設けてもよい。例えば、偏光基板および位相差基板による円偏光を用いてもよい。また、光源としてバックライト、サイドライトなどを用いてもよい。

また、絶縁層４１１１および絶縁層４１０４として、不純物元素を透過しにくい絶縁層を用いる。絶縁層４１１１と絶縁層４１０４でトランジスタの半導体層を挟むことで、外部からの不純物の浸入を防ぐことができる。また、画素部４００２の外側で絶縁層４１１１と絶縁層４１０４が接することで、外部からの不純物の浸入を防ぐ効果を高めることができる。

絶縁層４１０４は、例えば、絶縁層１０４と同様の材料および方法で形成すればよい。絶縁層４１１１は、例えば、絶縁層１１０と同様の材料および方法で形成すればよい。

また、表示装置に含まれる表示素子として、エレクトロルミネッセンスを利用する発光素子（「ＥＬ素子」ともいう。）を適用することができる。ＥＬ素子は、一対の電極の間に発光性の化合物を含む層（「ＥＬ層」ともいう。）を有する。一対の電極間に、ＥＬ素子の閾値電圧よりも大きい電位差を生じさせると、ＥＬ層に陽極側から正孔が注入され、陰極側から電子が注入される。注入された電子と正孔はＥＬ層において再結合し、ＥＬ層に含まれる発光物質が発光する。

また、ＥＬ素子は、発光材料が有機化合物であるか、無機化合物であるかによって区別され、一般的に、前者は有機ＥＬ素子、後者は無機ＥＬ素子と呼ばれている。

有機ＥＬ素子は、電圧を印加することにより、一方の電極から電子、他方の電極から正孔がそれぞれＥＬ層に注入される。そして、それらキャリア（電子および正孔）が再結合することにより、発光性の有機化合物が励起状態を形成し、その励起状態が基底状態に戻る際に発光する。このようなメカニズムから、このような発光素子は、電流励起型の発光素子と呼ばれる。

なお、ＥＬ層は、発光性の化合物以外に、正孔注入性の高い物質、正孔輸送性の高い物質、正孔ブロック材料、電子輸送性の高い物質、電子注入性の高い物質、またはバイポーラ性の物質（電子輸送性および正孔輸送性が高い物質）などを有していてもよい。

ＥＬ層は、蒸着法（真空蒸着法を含む）、転写法、印刷法、インクジェット法、塗布法などの方法で形成することができる。

無機ＥＬ素子は、その素子構成により、分散型無機ＥＬ素子と薄膜型無機ＥＬ素子とに分類される。分散型無機ＥＬ素子は、発光材料の粒子をバインダ中に分散させた発光層を有するものであり、発光メカニズムはドナー準位とアクセプター準位を利用するドナー−アクセプター再結合型発光である。薄膜型無機ＥＬ素子は、発光層を誘電体層で挟み込み、さらにそれを電極で挟んだ構造であり、発光メカニズムは金属イオンの内殻電子遷移を利用する局在型発光である。なお、ここでは、発光素子として有機ＥＬ素子を用いて説明する。

発光素子は発光を取り出すために少なくとも一対の電極の一方が透明であればよい。そして、基板上にトランジスタおよび発光素子を形成し、当該基板とは逆側の面から発光を取り出す上面射出（トップエミッション）構造や、基板側の面から発光を取り出す下面射出（ボトムエミッション）構造や、両面から発光を取り出す両面射出（デュアルエミッション）構造の発光素子があり、どの射出構造の発光素子も適用することができる。

表示素子である発光素子４５１３は、画素部４００２に設けられたトランジスタ４０１０と電気的に接続している。なお発光素子４５１３の構成は、第１の電極層４０３０、発光層４５１１、第２の電極層４０３１の積層構造であるが、この構成に限定されない。発光素子４５１３から取り出す光の方向などに合わせて、発光素子４５１３の構成は適宜変えることができる。

隔壁４５１０は、有機絶縁材料、または無機絶縁材料を用いて形成する。特に感光性の樹脂材料を用い、第１の電極層４０３０上に開口部を形成し、その開口部の側面が連続した曲率を持って形成される傾斜面となるように形成することが好ましい。

発光層４５１１は、単数の層で構成されていても、複数の層が積層されるように構成されていてもどちらでも良い。

発光素子４５１３に酸素、水素、水分、二酸化炭素等が侵入しないように、第２の電極層４０３１および隔壁４５１０上に保護層を形成してもよい。保護層としては、窒化シリコン、窒化酸化シリコン、酸化アルミニウム、窒化アルミニウム、酸化窒化アルミニウム、窒化酸化アルミニウム、ＤＬＣ（Ｄｉａｍｏｎｄ Ｌｉｋｅ Ｃａｒｂｏｎ）などを形成することができる。また、第１の基板４００１、第２の基板４００６、およびシール材４００５によって封止された空間には充填材４５１４が設けられ密封されている。このように、外気に曝されないように気密性が高く、脱ガスの少ない保護フィルム（貼り合わせフィルム、紫外線硬化樹脂フィルム等）やカバー材でパッケージング（封入）することが好ましい。

充填材４５１４としては窒素やアルゴンなどの不活性な気体の他に、紫外線硬化樹脂または熱硬化樹脂を用いることができ、ＰＶＣ（ポリビニルクロライド）、アクリル系樹脂、ポリイミド、エポキシ系樹脂、シリコーン系樹脂、ＰＶＢ（ポリビニルブチラル）またはＥＶＡ（エチレンビニルアセテート）などを用いることができる。また、充填材４５１４に乾燥剤が含まれていてもよい。

シール材４００５には、ガラスフリットなどのガラス材料や、二液混合型の樹脂などの常温で硬化する硬化樹脂、光硬化性の樹脂、熱硬化性の樹脂などの樹脂材料を用いることができる。また、シール材４００５に乾燥剤が含まれていてもよい。

また、必要であれば、発光素子の射出面に偏光板、または円偏光板（楕円偏光板を含む）、位相差板（λ／４板、λ／２板）、カラーフィルタなどの光学フィルムを適宜設けてもよい。また、偏光板または円偏光板に反射防止膜を設けてもよい。例えば、表面の凹凸により反射光を拡散し、映り込みを低減できるアンチグレア処理を施すことができる。

また、発光素子をマイクロキャビティ構造とすることで、色純度の高い光を取り出すことができる。また、マイクロキャビティ構造とカラーフィルタを組み合わせることで、映り込みが低減し、表示画像の視認性を高めることができる。

表示素子に電圧を印加する第１の電極層および第２の電極層（画素電極層、共通電極層、対向電極層などともいう）においては、取り出す光の方向、電極層が設けられる場所、および電極層のパターン構造によって透光性、反射性を選択すればよい。

第１の電極層４０３０、第２の電極層４０３１は、酸化タングステンを含むインジウム酸化物、酸化タングステンを含むインジウム亜鉛酸化物、酸化チタンを含むインジウム酸化物、インジウム錫酸化物、酸化チタンを含むインジウム錫酸化物、インジウム亜鉛酸化物、酸化ケイ素を添加したインジウム錫酸化物などの透光性を有する導電性材料を用いることができる。

また、第１の電極層４０３０、第２の電極層４０３１はタングステン（Ｗ）、モリブデン（Ｍｏ）、ジルコニウム（Ｚｒ）、ハフニウム（Ｈｆ）、バナジウム（Ｖ）、ニオブ（Ｎｂ）、タンタル（Ｔａ）、クロム（Ｃｒ）、コバルト（Ｃｏ）、ニッケル（Ｎｉ）、チタン（Ｔｉ）、白金（Ｐｔ）、アルミニウム（Ａｌ）、銅（Ｃｕ）、銀（Ａｇ）などの金属、またはその合金、もしくはその金属窒化物から一種以上を用いて形成することができる。

また、第１の電極層４０３０、第２の電極層４０３１として、導電性高分子（導電性ポリマーともいう）を含む導電性組成物を用いて形成することができる。導電性高分子としては、いわゆるπ電子共役系導電性高分子を用いることができる。例えば、ポリアニリン若しくはその誘導体、ポリピロール若しくはその誘導体、ポリチオフェン若しくはその誘導体、または、アニリン、ピロールおよびチオフェンの２種以上からなる共重合体若しくはその誘導体などがあげられる。

また、トランジスタは静電気などにより破壊されやすいため、駆動回路保護用の保護回路を設けることが好ましい。保護回路は、非線形素子を用いて構成することが好ましい。

上記実施の形態で示したシフトレジスタを用いることで、信頼性のよい表示装置を提供することができる。また、上記実施の形態で示したトランジスタを用いることで、表示装置の信頼性をさらに高めることができる。また、上記実施の形態で示したトランジスタを用いることで、高精細化や、大面積化が可能で、表示品質の良い表示装置を提供することができる。また、消費電力が低減された表示装置を提供することができる。

＜表示モジュール＞
上述したトランジスタを使用した半導体装置の一例として、表示モジュールについて説明する。図２５に示す表示モジュール６０００は、上部カバー６００１と下部カバー６００２との間に、ＦＰＣ６００３に接続されたタッチセンサ６００４、ＦＰＣ６００５に接続された表示パネル６００６、バックライトユニット６００７、フレーム６００９、プリント基板６０１０、バッテリ６０１１を有する。なお、バックライトユニット６００７、バッテリ６０１１、タッチセンサ６００４などは、設けられない場合もある。

本発明の一態様の半導体装置は、例えば、タッチセンサ６００４、表示パネル６００６、プリント基板６０１０に実装された集積回路などに用いることができる。例えば、表示パネル６００６に前述した表示装置を用いることができる。

上部カバー６００１および下部カバー６００２は、タッチセンサ６００４や表示パネル６００６などのサイズに合わせて、形状や寸法を適宜変更することができる。

タッチセンサ６００４は、抵抗膜方式または静電容量方式のタッチセンサを表示パネル６００６に重畳して用いることができる。表示パネル６００６にタッチセンサの機能を付加することも可能である。例えば、表示パネル６００６の各画素内にタッチセンサ用電極を設け、静電容量方式のタッチパネル機能を付加することなども可能である。または、表示パネル６００６の各画素内に光センサを設け、光学式のタッチセンサの機能を付加することなども可能である。また、タッチセンサ６００４を設ける必要が無い場合は、タッチセンサ６００４を省略することができる。

バックライトユニット６００７は、光源６００８を有する。光源６００８をバックライトユニット６００７の端部に設け、光拡散板を用いる構成としてもよい。また、表示パネル６００６に発光表示装置などを用いる場合は、バックライトユニット６００７を省略することができる。

フレーム６００９は、表示パネル６００６の保護機能の他、プリント基板６０１０側から発生する電磁波を遮断するための電磁シールドとしての機能を有する。また、フレーム６００９は、放熱板としての機能を有していてもよい。

プリント基板６０１０は、電源回路、ビデオ信号およびクロック信号を出力するための信号処理回路などを有する。電源回路に電力を供給する電源としては、バッテリ６０１１であってもよいし、商用電源であってもよい。なお、電源として商用電源を用いる場合には、バッテリ６０１１を省略することができる。

また、表示モジュール６０００に、偏光板、位相差板、プリズムシートなどの部材を追加して設けてもよい。

本実施の形態は、他の実施の形態などに記載した構成と適宜組み合わせて実施することが可能である。

（実施の形態３）
本発明の一態様に係るトランジスタおよび／または半導体装置は、様々な電子機器に用いることができる。図２６および図２７に、本発明の一態様に係るトランジスタおよび／または半導体装置を用いた電子機器の例を示す。

本発明の一態様に係る半導体装置を用いた電子機器として、テレビ、モニタ等の表示装置、照明装置、デスクトップ型或いはノート型のパーソナルコンピュータ、ワードプロセッサ、ＤＶＤ（Ｄｉｇｉｔａｌ Ｖｅｒｓａｔｉｌｅ Ｄｉｓｃ）などの記録媒体に記憶された静止画又は動画を再生する画像再生装置、ポータブルＣＤプレーヤ、ラジオ、テープレコーダ、ヘッドホンステレオ、ステレオ、置き時計、壁掛け時計、コードレス電話子機、トランシーバ、携帯電話、自動車電話、携帯型ゲーム機、タブレット型端末、パチンコ機などの大型ゲーム機、電卓、携帯情報端末、電子手帳、電子書籍端末、電子翻訳機、音声入力機器、ビデオカメラ、デジタルスチルカメラ、電気シェーバ、電子レンジ等の高周波加熱装置、電気炊飯器、電気洗濯機、電気掃除機、温水器、扇風機、毛髪乾燥機、エアコンディショナー、加湿器、除湿器などの空調設備、食器洗い器、食器乾燥器、衣類乾燥器、布団乾燥器、電気冷蔵庫、電気冷凍庫、電気冷凍冷蔵庫、ＤＮＡ保存用冷凍庫、懐中電灯、チェーンソーなどの工具、煙感知器、透析装置などの医療機器などが挙げられる。さらに、誘導灯、信号機、ベルトコンベア、エレベータ、エスカレータ、産業用ロボット、電力貯蔵システム、電力の平準化やスマートグリッドのための蓄電装置などの産業機器が挙げられる。

また、蓄電装置からの電力を用いて電動機により推進する移動体なども、電子機器の範疇に含まれるものとする。上記移動体として、例えば、電気自動車（ＥＶ）、内燃機関と電動機を併せ持ったハイブリッド車（ＨＥＶ）、プラグインハイブリッド車（ＰＨＥＶ）、これらのタイヤ車輪を無限軌道に変えた装軌車両、電動アシスト自転車を含む原動機付自転車、自動二輪車、電動車椅子、ゴルフ用カート、小型又は大型船舶、潜水艦、ヘリコプター、航空機、ロケット、人工衛星、宇宙探査機や惑星探査機、宇宙船などが挙げられる。

図２６（Ａ）乃至図２６（Ｇ）に示す電子機器は、筐体９０００、表示部９００１、スピーカ９００３、操作キー９００５（電源スイッチ、又は操作スイッチを含む）、接続端子９００６、センサ９００７（力、変位、位置、速度、加速度、角速度、回転数、距離、光、液、磁気、温度、化学物質、音声、時間、硬度、電場、電流、電圧、電力、放射線、流量、湿度、傾度、振動、におい又は赤外線を測定する機能を含むもの）、マイクロフォン９００８、等を有する。

図２６（Ａ）乃至図２６（Ｇ）に示す電子機器は、様々な機能を有する。例えば、様々な情報（静止画、動画、テキスト画像など）を表示部に表示する機能、タッチパネル機能、カレンダー、日付または時刻などを表示する機能、様々なソフトウェア（プログラム）によって処理を制御する機能、無線通信機能、無線通信機能を用いて様々なコンピュータネットワークに接続する機能、無線通信機能を用いて様々なデータの送信または受信を行う機能、記録媒体に記録されているプログラムまたはデータを読み出して表示部に表示する機能、等を有することができる。なお、図２６（Ａ）乃至図２６（Ｇ）に示す電子機器が有することのできる機能はこれらに限定されず、様々な機能を有することができる。また、図２６（Ａ）乃至図２６（Ｇ）には図示していないが、電子機器には、複数の表示部を有する構成としてもよい。また、該電子機器にカメラ等を設け、静止画を撮影する機能、動画を撮影する機能、撮影した画像を記録媒体（外部またはカメラに内蔵）に保存する機能、撮影した画像を表示部に表示する機能、等を有していてもよい。

図２６（Ａ）は、テレビジョン装置９１００を示す斜視図である。テレビジョン装置９１００は、表示部９００１を大画面、例えば、５０インチ以上、または１００インチ以上の表示部９００１を組み込むことが可能である。

図２６（Ｂ）は、携帯情報端末９１０１を示す斜視図である。携帯情報端末９１０１は、例えば電話機、手帳又は情報閲覧装置等から選ばれた一つ又は複数の機能を有する。具体的には、スマートフォンとして用いることができる。なお、携帯情報端末９１０１は、スピーカ９００３、接続端子９００６、センサ９００７等を設けてもよい。また、携帯情報端末９１０１は、文字や画像情報をその複数の面に表示することができる。例えば、３つの操作ボタン９０５０（操作アイコンまたは単にアイコンともいう）を表示部９００１の一の面に表示することができる。また、破線の矩形で示す情報９０５１を表示部９００１の他の面に表示することができる。なお、情報９０５１の一例としては、電子メールやＳＮＳ（ソーシャル・ネットワーキング・サービス）や電話などの着信を知らせる表示、電子メールやＳＮＳなどの題名、電子メールやＳＮＳなどの送信者名、日時、時刻、バッテリの残量、アンテナ受信の強度などがある。または、情報９０５１が表示されている位置に、情報９０５１の代わりに、操作ボタン９０５０などを表示してもよい。

図２６（Ｃ）は、携帯情報端末９１０２を示す斜視図である。携帯情報端末９１０２は、表示部９００１の３面以上に情報を表示する機能を有する。ここでは、情報９０５２、情報９０５３、情報９０５４がそれぞれ異なる面に表示されている例を示す。例えば、携帯情報端末９１０２の使用者は、洋服の胸ポケットに携帯情報端末９１０２を収納した状態で、その表示（ここでは情報９０５３）を確認することができる。具体的には、着信した電話の発信者の電話番号又は氏名等を、携帯情報端末９１０２の上方から観察できる位置に表示する。使用者は、携帯情報端末９１０２をポケットから取り出すことなく、表示を確認し、電話を受けるか否かを判断できる。

図２６（Ｄ）は、腕時計型の携帯情報端末９２００を示す斜視図である。携帯情報端末９２００は、移動電話、電子メール、文章閲覧および作成、音楽再生、インターネット通信、コンピュータゲームなどの種々のアプリケーションを実行することができる。また、表示部９００１はその表示面が湾曲して設けられ、湾曲した表示面に沿って表示を行うことができる。また、携帯情報端末９２００は、通信規格された近距離無線通信を実行することが可能である。例えば無線通信可能なヘッドセットと相互通信することによって、ハンズフリーで通話することもできる。また、携帯情報端末９２００は、接続端子９００６を有し、他の情報端末とコネクターを介して直接データのやりとりを行うことができる。また接続端子９００６を介して充電を行うこともできる。なお、充電動作は接続端子９００６を介さずに無線給電により行ってもよい。

図２６（Ｅ）、図２６（Ｆ）、および図２６（Ｇ）は、折り畳み可能な携帯情報端末９２０１を示す斜視図である。また、図２６（Ｅ）が携帯情報端末９２０１を展開した状態の斜視図であり、図２６（Ｆ）が携帯情報端末９２０１を展開した状態または折り畳んだ状態の一方から他方に変化する途中の状態の斜視図であり、図２６（Ｇ）が携帯情報端末９２０１を折り畳んだ状態の斜視図である。携帯情報端末９２０１は、折り畳んだ状態では可搬性に優れ、展開した状態では、継ぎ目のない広い表示領域により表示の一覧性に優れる。携帯情報端末９２０１が有する表示部９００１は、ヒンジ９０５５によって連結された３つの筐体９０００に支持されている。ヒンジ９０５５を介して２つの筐体９０００間を屈曲させることにより、携帯情報端末９２０１を展開した状態から折りたたんだ状態に可逆的に変形させることができる。例えば、携帯情報端末９２０１は、曲率半径１ｍｍ以上１５０ｍｍ以下で曲げることができる。

次に、図２６（Ａ）乃至図２６（Ｇ）に示す電子機器と異なる電子機器の一例を図２７（Ａ）、図２７（Ｂ）に示す。図２７（Ａ）、図２７（Ｂ）は、複数の表示パネルを有する表示装置の斜視図である。なお、図２７（Ａ）は、複数の表示パネルが巻き取られた形態の斜視図であり、図２７（Ｂ）は、複数の表示パネルが展開された状態の斜視図である。

図２７（Ａ）、図２７（Ｂ）に示す表示装置９５００は、複数の表示パネル９５０１と、軸部９５１１と、軸受部９５１２と、を有する。また、複数の表示パネル９５０１は、表示領域９５０２と、透光性を有する領域９５０３と、を有する。

また、複数の表示パネル９５０１は、可撓性を有する。また、隣接する２つの表示パネル９５０１は、それらの一部が互いに重なるように設けられる。例えば、隣接する２つの表示パネル９５０１の透光性を有する領域９５０３を重ね合わせることができる。複数の表示パネル９５０１を用いることで、大画面の表示装置とすることができる。また、使用状況に応じて、表示パネル９５０１を巻き取ることが可能であるため、汎用性に優れた表示装置とすることができる。

また、図２７（Ａ）、図２７（Ｂ）においては、表示領域９５０２が隣接する表示パネル９５０１で離間する状態を図示しているが、これに限定されず、例えば、隣接する表示パネル９５０１の表示領域９５０２を隙間なく重ねあわせることで、連続した表示領域９５０２としてもよい。

本実施の形態において述べた電子機器は、何らかの情報を表示するための表示部を有することを特徴とする。ただし、本発明の一態様の半導体装置は、表示部を有さない電子機器にも適用することができる。

本実施例では、酸化物半導体層と絶縁層を積層した試料９００Ａ、試料９００Ｂ、試料９００Ｃ、試料９００Ｄ、試料９００Ｅ、試料９００Ｆ、試料９００Ｇ、および試料９００Ｈを作製し、各試料の深さ方向の水素濃度分布について、ＳＩＭＳを用いて調査した結果を説明する。

＜１．各試料の構成と作製方法＞
試料９００Ａ乃至試料９００Ｈは、共通の積層構造を有する。図２８に、試料９００Ａ乃至試料９００Ｈの積層構造を示す。試料９００Ａ乃至試料９００Ｈは、基板９０１と、基板９０１上の絶縁層９０２と、絶縁層９０２上の酸化物半導体層９０３と、酸化物半導体層９０３上の絶縁層９０４と、絶縁層９０４上の絶縁層９０５と、を有する。

次に、試料９００Ａ乃至試料９００Ｈの作製方法について説明する。

まず、基板９０１として、シリコン基板を準備した。続いて、基板９０１上に、絶縁層９０２として、熱酸化膜を１００ｎｍ形成した。

次に、絶縁層９０２上に、ＤＣスパッタリング法を用いて、５０ｎｍのＩｎ、Ｇａ、およびＺｎを含む酸化物半導体層９０３を成膜した。酸化物半導体層９０３は、Ｉｎ、Ｇａ、およびＺｎを含む酸化物半導体（原子数比Ｉｎ：Ｇａ：Ｚｎ＝４：２：４．１）ターゲットを用い、スパッタリングガスとして、流量４０ｓｃｃｍのアルゴン（Ａｒ）、および流量５ｓｃｃｍの酸素（Ｏ_２）を用い、成膜圧力を０．７Ｐａとし、成膜電力を５００Ｗとし、基板温度を１３０℃とし、ターゲット−基板間距離を６０ｍｍとして、成膜した。

続いて、窒素雰囲気下で４００℃、１時間の加熱処理を行った後、酸素雰囲気に切り替え、酸素雰囲気下で４００℃、１時間の加熱処理を行った。

次に、酸化物半導体層９０３上に、絶縁層９０４として、ＲＦスパッタリング法を用いて、２０ｎｍの酸化アルミニウム層を成膜した。絶縁層９０４は、Ａｌ_２Ｏ_３ターゲットを用い、成膜ガスとして、流量２５ｓｃｃｍのアルゴン（Ａｒ）、および流量２５ｓｃｃｍの酸素（Ｏ_２）を用い、成膜圧力を０．４Ｐａとし、成膜電力を２５００Ｗとし、ターゲット−基板間距離を６０ｍｍとして、成膜した。

ここで、試料９００Ａ、試料９００Ｃ、試料９００Ｅ、および試料９００Ｇは、絶縁層９０４の成膜時の基板温度を１３０℃とした。また、試料９００Ｂ、試料９００Ｄ、試料９００Ｆ、および試料９００Ｈは、絶縁層９０４の成膜時の基板温度を２５０℃とした。

絶縁層９０４の成膜後、試料９００Ｃ、試料９００Ｄ、試料９００Ｇ、および試料９００Ｈに対して加熱処理を行った。具体的には、窒素雰囲気下で４００℃、１時間の加熱処理を行った後、酸素雰囲気に切り替え、酸素雰囲気下で４００℃、１時間の加熱処理を行った。絶縁層９０４の成膜後に行う加熱処理を「加熱処理Ａ」という。

次に、絶縁層９０４上に、絶縁層９０５として、ＡＬＤ法を用いて、５ｎｍの酸化アルミニウムを成膜した。絶縁層９０５は、プリカーサとしてトリメチルアルミニウム（Ａｌ（ＣＨ_３）_３）と、オゾン（Ｏ_３）と、酸素（Ｏ_２）と、を用い、基板温度２５０℃で、成膜した。

絶縁層９０５の成膜後、試料９００Ｅ、試料９００Ｆ、試料９００Ｇ、および試料９００Ｈに対して加熱処理を行った。具体的には、窒素雰囲気下で４００℃、１時間の加熱処理を行った後、酸素雰囲気に切り替え、酸素雰囲気下で４００℃、１時間の加熱処理を行った。絶縁層９０５の成膜後に行う加熱処理を「加熱処理Ｂ」という。

以上の工程により、本実施例の試料９００Ａ乃至試料９００Ｈを作製した。試料９００Ａ乃至試料９００Ｈは、絶縁層９０４の成膜温度、加熱処理Ａの有無、および加熱処理Ｂの有無の組み合わせが異なる。試料９００Ａ乃至試料９００Ｈの試料作製上の相違点を表１に示す。表１中の「○（丸印）」は加熱処理を行ったことを意味し、「×（バツ印）」は加熱処理を行っていないことを意味する。

＜２．各試料のＳＩＭＳ分析＞
試料９００Ａ乃至試料９００Ｈのそれぞれについて、深さ方向の水素濃度分布を調べるためのＳＩＭＳを行った。分析装置は、ＣＡＭＥＣＡ社製ダイナミックＳＩＭＳ装置ＩＭＳ−７ｆを用いた。ＳＩＭＳは基板側から試料表面に向かって行った。図２８中の矢印は、ＳＩＭＳの分析方向を示している。

試料９００Ａ乃至試料９００ＨのＳＩＭＳ分析結果を図２９（Ａ）、図２９（Ｂ）、図３０（Ａ）、および図３０（Ｂ）に示す。図２９（Ａ）、図２９（Ｂ）、図３０（Ａ）、および図３０（Ｂ）の横軸は、試料表面を基準（ゼロ）とした時の、試料表面からのおおよその深さを示している。縦軸は、水素（Ｈ）濃度を示している。なお、水素濃度の定量値は、酸化物半導体層９０３中に対してのみ有効である。

また、それぞれの図中に、バックグラウンドレベル（ＢＧＬ）を示す破線と、各層の境界位置を示す一点鎖線を記している。なお、ＳＩＭＳにおいて、深さは目安であり、各層の厚さとは必ずしも一致するものではない。それぞれの図中に示した各層の境界位置は、分析時に同時に取得したアルミニウムイオンの強度変化（図示せず）などから推定している。

図２９（Ａ）に実線で示すプロファイル９１０Ａは、試料９００ＡのＳＩＭＳ分析結果である。また、図２９（Ａ）に破線で示すプロファイル９１０Ｂは、試料９００ＢのＳＩＭＳ分析結果である。

加熱処理Ａおよび加熱処理Ｂを行なわない場合、絶縁層９０４の成膜温度に違いがあっても、酸化物半導体層９０３中の水素濃度に大きな違いは見られなかった。

図２９（Ｂ）に実線で示すプロファイル９１０Ｃは、試料９００ＣのＳＩＭＳ分析結果である。また、図２９（Ｂ）に破線で示すプロファイル９１０Ｄは、試料９００ＤのＳＩＭＳ分析結果である。

図２９（Ａ）のプロファイル９１０Ａおよびプロファイル９１０Ｂと比較すると、プロファイル９１０Ｃおよびプロファイル９１０Ｄは、酸化物半導体層９０３中の水素濃度が大きく低減していることがわかる。また、絶縁層９０４中の水素濃度が大きく増加していることがわかる。

すなわち、加熱処理Ａを行うことにより、酸化物半導体層９０３中の水素が絶縁層９０４に移動して、酸化物半導体層９０３中の水素濃度が低減されていることが推測される。特に、絶縁層９０４の成膜温度が低い場合において（プロファイル９１０Ｃ）、酸化物半導体層９０３中の水素濃度がＢＧＬまで低減されていることがわかる。

なお、成膜温度が低い絶縁層９０４（酸化アルミニウム層）の密度は２．９ｇ／ｃｍ^３程度であり、成膜温度が高い絶縁層９０４の密度は３．３ｇ／ｃｍ^３程度である（実施例２参照。）。密度が小さい方が水素吸収量が多いと推測される。

図３０（Ａ）に実線で示すプロファイル９１０Ｅは、試料９００ＥのＳＩＭＳ分析結果である。また、図３０（Ａ）に破線で示すプロファイル９１０Ｆは、試料９００ＦのＳＩＭＳ分析結果である。

図２９（Ｂ）に示したプロファイル９１０Ｃおよびプロファイル９１０Ｄと同様に、プロファイル９１０Ｅおよびプロファイル９１０Ｆにおいても酸化物半導体層９０３中の水素濃度が大きく低減していることがわかる。また、絶縁層９０４中の水素濃度が大きく増加していることがわかる。

すなわち、加熱処理Ｂを行うことによっても、酸化物半導体層９０３中の水素が絶縁層９０４に移動して、酸化物半導体層９０３中の水素濃度が低減されることがわかった。さらに、プロファイル９１０Ｅおよびプロファイル９１０Ｆでは、どちらも酸化物半導体層９０３中の水素濃度がＢＧＬまで低減されている。加熱処理Ｂを行うことによって、絶縁層９０４の成膜温度によらず、酸化物半導体層９０３中の水素濃度を大きく低減できることがわかる。

図３０（Ｂ）に実線で示すプロファイル９１０Ｇは、試料９００ＧのＳＩＭＳ分析結果である。また、図３０（Ｂ）に破線で示すプロファイル９１０Ｈは、試料９００ＨのＳＩＭＳ分析結果である。

図２９（Ａ）に示すプロファイル９１０Ａおよびプロファイル９１０Ｂと比較すると、プロファイル９１０Ｃおよびプロファイル９１０Ｄは、酸化物半導体層９０３中の水素濃度が大きく低減していることがわかる。

一方で、図２９（Ｂ）に示すプロファイル９１０Ｃおよびプロファイル９１０Ｄ、ならびに、図３０（Ａ）に示すプロファイル９１０Ｅおよびプロファイル９１０Ｆと比較すると、プロファイル９１０Ｇおよびプロファイル９１０Ｈの方が、酸化物半導体層９０３中の水素濃度が高いことがわかる。すなわち、加熱処理Ａまたは加熱処理Ｂのどちらか一方を行う場合に比べて、加熱処理Ａおよび加熱処理Ｂの両方を行う方が酸化物半導体層９０３中の水素濃度が高くなっている。

この現象について、次のように考察する。加熱処理Ａを行うことで、絶縁層９０４中に酸化物半導体層９０３中の水素が移動し、絶縁層９０４中の水素が増加する。また、絶縁層９０５は、ＡＬＤ法により成膜しているため、水素含有量が多い。絶縁層９０４中の水素が増加した状態で、水素が多い絶縁層９０５を積層し、加熱処理Ｂを行った場合、絶縁層９０４中の水素は、絶縁層９０５よりも水素濃度が低い酸化物半導体層９０３へと拡散すると考えられる。

本実施例によれば、成膜温度が低い酸化アルミニウム層を酸化物半導体層に接して成膜した後、加熱処理を行うことで、酸化物半導体中の水素を低減できることが分かる。特に、酸化物半導体層上に、スパッタリング法を用いて成膜した酸化アルミニウム層、およびＡＬＤ法を用いて成膜した酸化アルミニウム層を積層した後に加熱処理を行うことで、酸化物半導体層中の水素を効果的に低減できることが分かる。

以上、本実施例に示す構成は、他の実施例または他の実施の形態と適宜組み合わせて用いることができる。

本実施例では、スパッタリング法を用いて成膜した酸化アルミニウムの密度を、Ｘ線反射率分析法（ＸＲＲ：Ｘ−ｒａｙ Ｒｅｆｌｅｃｔｍｅｔｒｙ Ａｎａｌｙｓｉｓ）を用いて分析した結果を説明する。なお、本実施例においては、試料９５０Ａ、試料９５０Ｂ、および試料９５０Ｃを作製し、各試料の加熱処理前後の密度を測定した。

＜１．各試料の構成と作製方法＞
試料９５０Ａ乃至試料９５０Ｃは、共通の積層構造を有する。図３１に、試料９５０Ａ乃至試料９５０Ｃの積層構造を示す。試料９５０Ａ乃至試料９５０Ｃのそれぞれは、基板９５２と、基板９５２上の酸化物半導体層９５４と、酸化物半導体層９５４上の絶縁層９５６と、を有する。

ここで、試料９５０Ａは、絶縁層９５６の成膜時における基板温度をＲＴとした。試料９５０Ｂは、絶縁層９５６の成膜時における基板温度を１３０℃とした。試料９５０Ｃは、絶縁層９５６の成膜時における基板温度を２５０℃とした。

次に、各試料の作製方法について、説明する。

まず、基板９５２として、シリコン基板を準備する。続いて、基板９５２上に、酸化物半導体層９５４として、ＤＣスパッタリング法を用いて、１００ｎｍのＩｎ、Ｇａ、およびＺｎを含む酸化物半導体層９５４を成膜した。酸化物半導体層９５４は、Ｉｎ、Ｇａ、およびＺｎを含む酸化物（原子数比Ｉｎ：Ｇａ：Ｚｎ＝４：２：４．１）ターゲットを用い、成膜ガスとして、流量３０ｓｃｃｍのアルゴン（Ａｒ）、および流量１５ｓｃｃｍの酸素（Ｏ_２）を用いた。また、成膜圧力を０．７Ｐａとし、成膜電力を５００Ｗとし、基板温度を２００℃とし、ターゲット−基板間距離を６０ｍｍとして、成膜した。

続いて、窒素雰囲気下で４００℃、１時間の加熱処理を行った後、酸素雰囲気に切り替え、酸素雰囲気下で４００℃、１時間の加熱処理を行った。

次に、酸化物半導体層９５４上に、絶縁層９５６として、ＲＦスパッタリング法を用いて、２０ｎｍの酸化アルミニウムを成膜した。絶縁層９５６は、Ａｌ_２Ｏ_３ターゲットを用い、成膜ガスとして、流量２５ｓｃｃｍのアルゴン（Ａｒ）、および流量２５ｓｃｃｍの酸素（Ｏ_２）を用いた。また、成膜圧力を０．４Ｐａとし、成膜電力を２５００Ｗとし、ターゲット−基板間距離を６０ｍｍとして、成膜した。

ここで、試料９５０Ａは、加熱せずに基板温度をＲＴのままとした。試料９５０Ｂは、基板温度を１３０℃とした。また、試料９５０Ｃは、基板温度を２５０℃とした。

以上の工程により、本実施例の試料１Ａ乃至試料１Ｃを作製した。

＜２．密度の測定＞
次に、試料９５０Ａ乃至試料９５０Ｃそれぞれについて、加熱処理前の絶縁層９５６の密度と、加熱処理後の絶縁層９５６の密度を測定した。

まず、加熱処理前の絶縁層９５６の密度を、Ｘ線反射率分析法（ＸＲＲ：Ｘ−ｒａｙ Ｒｅｆｌｅｃｔｍｅｔｒｙ Ａｎａｌｙｓｉｓ）を用いて測定した。

続いて、試料９５０Ａ乃至試料９５０Ｃに加熱処理を行った。具体的には、窒素雰囲気下で４００℃、１時間の加熱処理を行った後、酸素雰囲気に切り替えて、酸素雰囲気下で４００℃、１時間の加熱処理を行った。その後、絶縁層９５６の密度を、ＸＲＲを用いて測定した。

表２および図３１（Ｂ）に、密度の測定結果を示す。

試料９５０Ａにおける絶縁層９５６の密度は、加熱処理前、加熱処理後ともに２．８ｇ／ｃｍ^３であった。試料９５０Ｂにおける絶縁層９５６の密度は、加熱処理前、加熱処理後ともに２．９ｇ／ｃｍ^３であった。また、試料９５０Ｃにおける絶縁層９５６の密度は、加熱処理前、加熱処理後ともに３．３ｇ／ｃｍ^３であった。

従って、絶縁層９５６は、成膜時の基板温度が高いほど、密度が高くなる傾向があることが分かった。また、絶縁層９５６の成膜後に行った加熱処理前後において、絶縁層９５６の密度に変化は見られなかった。

本実施例に示す構成は、他の実施例または他の実施の形態と適宜組み合わせて用いることができる。

１００ トランジスタ
１０１ 基板
１０２ 電極
１０３ 絶縁層
１０４ 絶縁層
１０５ 絶縁層
１０６ 酸化物半導体層
１０８ 絶縁層
１０９ 絶縁層
１１０ 絶縁層

Claims (14)

1. 第１のゲート電極と、
   前記第１のゲート電極上に設けられた第１のゲート絶縁層と、
   前記第１のゲート絶縁層上に設けられた酸化物半導体層と、
   前記酸化物半導体層上に設けられた第２のゲート絶縁層と、
   前記第２のゲート絶縁層上に設けられた、第２のゲート電極と、
   前記第２のゲート電極上および前記酸化物半導体層上に設けられた第１の絶縁層と、
   を有し、
   前記第１の絶縁層の密度が３．０ｇ／ｃｍ^３以下であることを特徴とするトランジスタ。
2. 前記第１の絶縁層は、
   アルミニウムと、酸素と、を含むことを特徴とする
   請求項１に記載のトランジスタ。
3. 前記酸化物半導体層は、インジウム、ガリウム、および亜鉛を含むことを特徴とする
   請求項１または請求項２に記載のトランジスタ。
4. 前記ゲート電極は、銅を含むことを特徴とする
   請求項１乃至請求項３のいずれか一に記載のトランジスタ。
5. 前記ソース電極および前記ドレイン電極は、銅を含むことを特徴とする
   請求項１乃至請求項４のいずれか一に記載のトランジスタ。
6. 第１のゲート電極を形成する工程と、
   前記第１のゲート電極上に第１のゲート絶縁層を形成する工程と、
   前記第１のゲート絶縁層上に酸化物半導体層を形成する工程と、
   前記酸化物半導体層上に、第２のゲート絶縁層を形成する工程と、
   第２のゲート絶縁層上に、第２のゲート電極を形成する工程と、
   第１の加熱処理を行う工程と、
   前記第１のゲート絶縁層上および前記酸化物半導体層上に、
   スパッタリング法により前記第１の絶縁層を形成する工程と、
   を含み、
   前記第１の加熱処理を行う工程から前記第１の絶縁層を形成する工程までを
   大気に曝すことなく行うことを特徴とするトランジスタの作製方法。
7. 前記第１の絶縁層の形成温度は、室温以上１５０℃以下であることを特徴とする
   請求項６に記載のトランジスタの作製方法。
8. 第１のゲート電極を形成する工程と、
   前記第１のゲート電極上に第１のゲート絶縁層を形成する工程と、
   前記第１のゲート絶縁層上に酸化物半導体層を形成する工程と、
   前記酸化物半導体層上に、第２のゲート絶縁層を形成する工程と、
   第２のゲート絶縁層上に、第２のゲート電極を形成する工程と、
   第１の加熱処理を行う工程と、
   前記第１のゲート絶縁層上および前記酸化物半導体層上に、金属層を形成する工程と、
   前記金属層を酸化して第１の絶縁層を形成する工程と、
   を含み、
   前記第１の加熱処理を行う工程から前記第１の絶縁層を形成する工程までを
   大気に曝すことなく行うことを特徴とするトランジスタの作製方法。
9. 前記第１の加熱処理は、
   不活性雰囲気中で行った後に、酸化性雰囲気中で行うことを特徴とする
   請求項６乃至請求項８のいずれか一に記載のトランジスタの作製方法。
10. 前記第１の加熱処理は、２００℃以上５００℃以下で行われることを特徴とする
    請求項６乃至請求項９のいずれか一に記載のトランジスタの作製方法。
11. 前記金属層は、アルミニウムを含むことを特徴とする
    請求項８乃至請求項１０のいずれか一に記載のトランジスタの作製方法。
12. 前記金属層を酸化して第１の絶縁層を形成する工程は、
    酸化性雰囲気下で行う第２の加熱処理を含むことを特徴とする
    請求項８乃至請求項１１のいずれか一に記載のトランジスタの作製方法。
13. 前記第２の加熱処理は、２００℃以上５００℃以下で行われることを特徴とする
    請求項１２に記載のトランジスタの作製方法。
14. 前記金属層を酸化して第１の絶縁層を形成する工程は、
    酸化性雰囲気下で行うプラズマ処理を含むこと特徴とする
    請求項８乃至請求項１３のいずれか一に記載のトランジスタの作製方法。