JP2017117924A - ウェーハの加工方法 - Google Patents

ウェーハの加工方法 Download PDF

Info

Publication number
JP2017117924A
JP2017117924A JP2015251359A JP2015251359A JP2017117924A JP 2017117924 A JP2017117924 A JP 2017117924A JP 2015251359 A JP2015251359 A JP 2015251359A JP 2015251359 A JP2015251359 A JP 2015251359A JP 2017117924 A JP2017117924 A JP 2017117924A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
cutting
wafer
line
metal pattern
axis direction
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
JP2015251359A
Other languages
English (en)
Other versions
JP6607639B2 (ja
Inventor
広成 大久保
Hiroshige Okubo
広成 大久保
拓 岩本
Taku Iwamoto
拓 岩本
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Disco Corp
Original Assignee
Disco Abrasive Systems Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Disco Abrasive Systems Ltd filed Critical Disco Abrasive Systems Ltd
Priority to JP2015251359A priority Critical patent/JP6607639B2/ja
Priority to TW105136685A priority patent/TWI702642B/zh
Priority to KR1020160164454A priority patent/KR102510828B1/ko
Priority to CN201611166077.1A priority patent/CN106920775B/zh
Priority to SG10201610623YA priority patent/SG10201610623YA/en
Priority to US15/388,062 priority patent/US9779994B2/en
Priority to DE102016226180.0A priority patent/DE102016226180A1/de
Publication of JP2017117924A publication Critical patent/JP2017117924A/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP6607639B2 publication Critical patent/JP6607639B2/ja
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/70—Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components formed in or on a common substrate or of parts thereof; Manufacture of integrated circuit devices or of parts thereof
    • H01L21/77—Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components or integrated circuits formed in, or on, a common substrate
    • H01L21/78—Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components or integrated circuits formed in, or on, a common substrate with subsequent division of the substrate into plural individual devices
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B28—WORKING CEMENT, CLAY, OR STONE
    • B28D—WORKING STONE OR STONE-LIKE MATERIALS
    • B28D5/00—Fine working of gems, jewels, crystals, e.g. of semiconductor material; apparatus or devices therefor
    • B28D5/0058—Accessories specially adapted for use with machines for fine working of gems, jewels, crystals, e.g. of semiconductor material
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B28—WORKING CEMENT, CLAY, OR STONE
    • B28D—WORKING STONE OR STONE-LIKE MATERIALS
    • B28D5/00—Fine working of gems, jewels, crystals, e.g. of semiconductor material; apparatus or devices therefor
    • B28D5/02—Fine working of gems, jewels, crystals, e.g. of semiconductor material; apparatus or devices therefor by rotary tools, e.g. drills
    • B28D5/022—Fine working of gems, jewels, crystals, e.g. of semiconductor material; apparatus or devices therefor by rotary tools, e.g. drills by cutting with discs or wheels
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
    • H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
    • H01L21/302—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to change their surface-physical characteristics or shape, e.g. etching, polishing, cutting
    • H01L21/304—Mechanical treatment, e.g. grinding, polishing, cutting
    • H01L21/3043—Making grooves, e.g. cutting
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/70—Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components formed in or on a common substrate or of parts thereof; Manufacture of integrated circuit devices or of parts thereof
    • H01L21/71—Manufacture of specific parts of devices defined in group H01L21/70
    • H01L21/76—Making of isolation regions between components
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L22/00—Testing or measuring during manufacture or treatment; Reliability measurements, i.e. testing of parts without further processing to modify the parts as such; Structural arrangements therefor
    • H01L22/10—Measuring as part of the manufacturing process
    • H01L22/12—Measuring as part of the manufacturing process for structural parameters, e.g. thickness, line width, refractive index, temperature, warp, bond strength, defects, optical inspection, electrical measurement of structural dimensions, metallurgic measurement of diffusions
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L22/00—Testing or measuring during manufacture or treatment; Reliability measurements, i.e. testing of parts without further processing to modify the parts as such; Structural arrangements therefor
    • H01L22/20—Sequence of activities consisting of a plurality of measurements, corrections, marking or sorting steps
    • H01L22/24—Optical enhancement of defects or not directly visible states, e.g. selective electrolytic deposition, bubbles in liquids, light emission, colour change
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/544—Marks applied to semiconductor devices or parts, e.g. registration marks, alignment structures, wafer maps
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/683—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H01L21/6835—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using temporarily an auxiliary support
    • H01L21/6836—Wafer tapes, e.g. grinding or dicing support tapes
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2221/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof covered by H01L21/00
    • H01L2221/67—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L2221/683—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H01L2221/68304—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using temporarily an auxiliary support
    • H01L2221/68327—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using temporarily an auxiliary support used during dicing or grinding
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2223/00—Details relating to semiconductor or other solid state devices covered by the group H01L23/00
    • H01L2223/544—Marks applied to semiconductor devices or parts
    • H01L2223/5442—Marks applied to semiconductor devices or parts comprising non digital, non alphanumeric information, e.g. symbols
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2223/00—Details relating to semiconductor or other solid state devices covered by the group H01L23/00
    • H01L2223/544—Marks applied to semiconductor devices or parts
    • H01L2223/54426—Marks applied to semiconductor devices or parts for alignment
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2223/00—Details relating to semiconductor or other solid state devices covered by the group H01L23/00
    • H01L2223/544—Marks applied to semiconductor devices or parts
    • H01L2223/54453—Marks applied to semiconductor devices or parts for use prior to dicing

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • Dicing (AREA)

Abstract

【課題】金属パターン付きウェーハにおいても金属パターンの影響を受けずに切削溝を検出し、精度良く加工できるようにする。【解決手段】ウェーハに形成された金属パターン１７，１８の周期及び位置情報を切削装置の記憶手段に記憶させ、分割予定ラインを検出し、分割予定ラインに沿って切削溝を形成し、あらかじめ記憶した金属パターン１７，１８の周期及び位置情報に基づいて、切削溝の形成中に、金属パターン１７，１８の位置以外の位置において形成された切削溝を含む加工領域を撮像手段で撮像し、切削溝の位置と設定された加工位置との位置関係を計測する。金属パターンを加工することにより発生するバリ等の影響を受けずにカーフチェックを行うことができ、高い加工精度で加工を行うことができる。【選択図】図３

Description

本発明は、分割予定ライン上に周期的に部分的に金属パターンが形成されている半導体ウェーハの加工方法に関する。
半導体デバイス製造工程においては、半導体ウェーハ等の略円板状のワークの表面にＩＣやＬＳＩ等による多数の電子回路を形成し、次いでワークの裏面を研削して所定の厚さに加工するなどの処理を施してから、電子回路が形成されたデバイス領域をストリートと呼ばれる分割予定ラインに沿って切削ブレードで切断してワークを分割し、１枚のワークから多数のデバイスを得ている。このため、定期的に切削溝を撮像手段で撮像して撮像手段の加工基準線と切削溝又はウェーハ上の設定された加工位置とのずれを計測して、このずれに応じて切削加工位置を補正することが行われている（例えば、特許文献１参照）。
特開２０１２−１５１２２５号公報
ところが、ワーク表面のストリート上にＴＥＧ（Test Element Group）と呼ばれる金属パターンが周期的に形成されている場合には、ＴＥＧを切断した箇所の切削溝には金属バリ等が発生し、当該箇所を撮像して計測を行うと、金属バリ等を切削溝として誤認識してしまう恐れがある。
本発明は、上記問題にかんがみなされたもので、その目的は、金属パターン付きウェーハにおいても金属パターンの影響を受けずに切削溝を検出し、精度良く加工できるようにすることである。
基板の表面に格子状に形成された分割予定ラインによって区画された各領域にデバイスが形成され、且つ分割予定ラインにテスト用の金属パターンが一定の周期で配設されたウェーハを、分割予定ラインに沿って切削ブレードを備える切削手段で加工するウェーハの加工方法であって、金属パターンの周期及び位置情報を切削装置の記憶手段に記憶させる金属パターン位置記憶ステップと、金属パターン位置記憶ステップを実施した後に、切削装置のアライメント手段によってウェーハの加工位置である分割予定ラインを検出するアライメントステップと、アライメントステップを実施した後に、切削手段によって分割予定ラインに沿って切削溝を形成する切削溝形成ステップと、から構成され、切削溝形成ステップの実施中に、金属パターン位置記憶ステップで予め記憶した金属パターンの周期及び位置情報に基づいて、金属パターン位置以外の位置において切削手段により形成された切削溝を含む領域を撮像手段で撮像して、切削溝の位置と設定された加工位置との位置関係を計測する加工位置計測ステップを行うことを特徴とする。
本発明では、金属パターン位置記憶ステップにおいてあらかじめ記憶した金属パターンの周期及び位置情報に基づいて、切削溝形成ステップの実施中に、金属パターン位置以外の位置において切削手段により形成された切削溝を含む領域を撮像手段で撮像し、切削溝の位置と設定された加工位置との位置関係を計測する加工位置計測ステップを行うため、金属パターンを加工することにより発生するバリ等の影響を受けずにカーフチェックを行うことができ、高い加工精度で加工を行うことができる。
切削装置の例を示す斜視図である。 切削ブレードと撮像手段との位置関係を示す平面図である。 （ａ）は加工対象のウェーハの例を示す平面図であり、（ｂ）はウェーハの一部拡大平面図である。 デバイス中のキーパターンと分割予定ラインとの位置関係を示す一部拡大平面図である。 ウェーハの中心及びエッジを示す平面図である。 （ａ）はウェーハのラインを切削する状態を示す平面図であり、（ｂ）はウェーハのラインを切削する状態を示す正面図である。 ウェーハに形成された切削溝を示す断面図である。 ウェーハに形成された切削溝と撮像手段の基準線との位置関係の例を示す平面図である。
図１に示す切削装置１は、チャックテーブル２に保持されたウェーハに対して切削手段３によって切削加工を施す装置であり、チャックテーブル２は、Ｘ軸方向移動手段４によって駆動されてＸ軸方向に移動可能となっている。一方、切削手段３は、Ｙ軸方向移動手段５によって駆動されてＹ軸方向に移動可能となっているとともに、Ｚ軸方向移動手段７によって駆動されてＺ軸方向に移動可能となっている。
チャックテーブル２は、ウェーハを吸引保持する吸引部２０と、吸引部２０を囲繞して保持する枠体２１と、枠体２１の外周部に固定されたクランプ部２２とを備えている。チャックテーブル２の下部は、チャックテーブル２を回転させる回転駆動部２３に連結されている。回転駆動部２３は、カバー２４によって上方から覆われている。
Ｘ軸方向移動手段４は、静止基台６０上に配設され、Ｘ軸方向に延在するボールネジ４０と、ボールネジ４０と平行に配設された一対のガイドレール４１と、ボールネジ４０の一端に連結されボールネジ４０を回転させるモータ４２と、ボールネジ４０の他端を支持する軸受部４３と、内部のナットがボールネジ４０に螺合するとともに下部がガイドレール４１に摺接する移動基台４４とを備えており、モータ４２がボールネジ４０を正逆両方向に回転させることにより、移動基台４４がガイドレール４１にガイドされて＋Ｘ方向又は−Ｘ方向に移動する構成となっている。モータ４２は、ＣＰＵ、メモリ等を備えた制御手段８０によって制御される。モータ４２としてパルスモータを用いた場合には、パルスモータに向けて制御手段８０から出力される駆動パルスをカウントすることにより、チャックテーブル２のＸ軸方向の位置を認識することができる。また、モータ４２としてサーボモータを用いた場合には、サーボモータの回転数を検出するロータリーエンコーダが出力するパルス信号を制御手段８０に送り、制御手段８０がそのパルス信号をカウントすることにより、チャックテーブル２のＸ軸方向位置を検出することができる。
Ｙ軸方向移動手段５は、静止基台６０上に配設され、Ｙ軸方向に延在するボールネジ５０と、ボールネジ５０と平行に配設された一対のガイドレール５１と、ボールネジ５０の一端に連結されボールネジ５０を回転させるモータ５２と、内部のナットがボールネジ５０に螺合するとともに下部がガイドレール５１に摺接する移動基台５４とを備えており、モータ５２がボールネジ５０を正逆両方向に回転させることにより、移動基台５４がガイドレール５１にガイドされて＋Ｙ方向又は−Ｙ方向に移動する構成となっている。モータ５２は、制御手段８０によって制御される。モータ５２としてパルスモータを用いた場合には、パルスモータに向けて制御手段８０から出力される駆動パルスをカウントすることにより、切削手段３のＹ軸方向の位置を認識することができる。また、モータ５２としてサーボモータを用いた場合には、サーボモータの回転数を検出するロータリーエンコーダが出力するパルス信号を制御手段８０に送り、制御手段８０がそのパルス信号をカウントすることにより、切削手段３のＹ軸方向位置を検出することができる。
Ｚ軸方向移動手段７は、移動基台５４上に配設され、Ｚ軸方向に延在するボールネジ７０と、ボールネジ７０と平行に配設された一対のガイドレール７１と、ボールネジ７０の一端に連結されボールネジ７０を回転させるモータ７２と、内部のナットがボールネジ７０に螺合するとともに側部がガイドレール７１に摺接する支持部７４とを備えており、モータ７２がボールネジ７０を正逆両方向に回転させることにより、支持部７４がガイドレール７１にガイドされて＋Ｚ方向又は−Ｚ方向に移動する構成となっている。モータ７２は、制御手段８０によって制御される。モータ７２としてパルスモータを用いた場合には、パルスモータに向けて制御手段８０から出力される駆動パルスをカウントすることにより、切削手段３のＺ軸方向の位置を認識することができる。また、モータ７２としてサーボモータを用いた場合には、サーボモータの回転数を検出するロータリーエンコーダが出力するパルス信号を制御手段８０に送り、制御手段８０がそのパルス信号をカウントすることにより、切削手段３のＺ軸方向位置を検出することができる。
切削手段３は、ハウジング３０によって回転可能に支持されたスピンドル３１の先端に切削ブレード３２が装着された構成となっており、ハウジング３０は支持部７４によって支持されている。切削手段３には、切削ブレード３２をＹ軸方向から挟むようにして切削液ノズル３４が配設されている。
ハウジング３０の側部には、アライメント手段９が固定されている。アライメント手段９にはウェーハを撮像する撮像手段９０を備えており、撮像手段９０によって取得した画像に基づき、切削すべき位置を検出することができる。アライメント手段９は、切削手段３とともに、Ｘ軸方向、Ｙ軸方向及びＺ軸方向に移動する。
制御手段８０は、メモリ等の記憶素子を有する記憶手段８１に接続されており、記憶手段８１に記憶された情報を参照して各部位を制御する。
図２に示すように、例えば、切削ブレード３２の切り刃部３２０の幅方向（Ｙ軸方向）の中心線３２０ａが、撮像手段９０のレンズの中心に形成されたアライメント基準線９０ａの延長線上に位置するようにあらかじめ調整されている。
次に、以上のように構成される切削装置１を用いて、図３（ａ）に示すウェーハＷの表面Ｗ１側から切削溝を形成し、切削溝が所定の位置に形成されているか否かをチェックする方法について説明する。
このウェーハＷの表面Ｗ１には、格子状に形成された分割予定ライン（以下、「ライン」と記す。）Ｌによって区画された各領域にデバイスＤが形成されている。このウェーハＷの裏面は、テープＴに貼着される。テープＴの外周部にはリング状のフレームＦが貼着され、ウェーハＷが、テープＴを介してフレームＦに支持される。そして、図１に示したチャックテーブル２の吸引部２０においてテープＴを介してウェーハＷが吸引保持され、フレームＦがクランプ部２２によって固定される。
ウェーハＷを構成する各デバイスＤは、半導体製造プロセスにおいて、シリコン等の基板の表面上に形成されたものであり、各デバイスＤ内の回路パターンは、ステッパにおいて、レチクルを介した投影露光によって形成される。レチクルには、各デバイスＤの回路パターンが形成されており、１枚のウェーハＷを作製するにあたっては、複数のレチクルが使用される。
ウェーハＷは、使用されるレチクルに対応して分割された領域からなり、図３（ａ）に示したウェーハＷは、例えば領域１１〜１６を備えている。例えば、各領域１１〜１６には、図３（ｂ）に示すように、Ｘ軸方向に延在するラインＬＸ１〜ＬＸ５及びＹ軸方向に延在するラインＬＹ１〜ＬＹ３が形成されている。各レチクルごとに、Ｘ軸方向のライン数およびＹ軸方向のライン数が定められている。
１ 金属パターン位置記憶ステップ
図３（ｂ）に示すように、領域１１〜１６のラインＬＸ１及びＬＸ３には、銅などの金属からなるＴＥＧ（Test Element Group）と呼ばれる金属パターン１７が形成されている。また、ラインＬＹ３にも金属パターン１８が形成されている。金属パターン１７，１８は、領域１１〜１６のそれぞれに、一定の周期にて形成されている。したがって、いずれの領域においても、同一箇所に金属パターン１７，１８が形成されている。図３（ｂ）の例では、ラインＬＸ１及びＬＸ３並びにラインＬＹ３に金属パターン１７，１８が形成されているが、金属パターンが形成されるラインは、これらのラインには限られない。金属パターン１７，１８は、各デバイスＤに発生する設計上や製造上の問題を見つけ出すためのテスト用素子としての役割を有している。金属パターン１７，１８も、レチクルを介したスパッタ、ＣＶＤ等によって形成されるため、レチクルには、金属パターン１７，１８に対応したマスクが形成されている。
このように、レチクルの仕様として、Ｘ軸方向のライン数、Ｙ軸方向のライン数、金属パターンが形成されているライン、金属パターンの周期及び位置情報といった情報が定められている。これらの情報は、オペレータが、切削装置１に備えた図示しない入力手段（例えば、キーボード、タッチパネル等）を用いて入力することにより、図１に示した記憶手段８１に記憶される。
オペレータは、ウェーハＷの最外ラインがレチクルのどのラインに相当するのかについても、記憶手段８１に入力させる。例えば、図３（ｂ）に示した領域１５のラインＬＸ１は、ウェーハＷの最外ラインであるため、記憶手段８１には、レチクル内のラインＬＸ１が最外ラインである旨の情報が記憶される。
また、オペレータは、後のアライメントステップにおいて加工すべきラインを検出する際のパターンマッチングにおいて用いるキーパターンを特定し、そのキーパターンを含む画像を記憶手段８１に記憶させる。例えば、デバイスＤにおける特徴的な形状を有する特定の回路パターン、例えば図４に示すキーパターンＫＰをパターンマッチング用のキーパターンとしてあらかじめ選び、そのキーパターンＫＰを含む画像を記憶手段８１に記憶させる。また、記憶手段８１には、そのキーパターンＫＰから隣接するＸ軸方向に延びるライン（例えばラインＬＸ２）の中央ＬＯまでの距離ＤＹの値も記憶させておく。なお、キーパターンとして、デバイスＤの回路パターンではなく、パターンマッチング用にウェーハＷのデバイスＤ以外の部分に設けられているものを使用してもよい。
さらに、オペレータは、切削加工後に切削溝をカーフチェックする際のＸ軸方向のチェック位置ＸＳについても、記憶手段８１に記憶させる。カーフチェック位置ＸＳは、ウェーハＷの中心ＯからのＸ軸方向にＸ１だけ変位した位置にあり、このＸ１の値が記憶手段８１に記憶される。オペレータは、図１に示した撮像手段９０によってウェーハＷを撮像し、図示しないモニターに写った画像を見ながら、金属パターン１７，１８が形成されていない位置を選択してＸ１の値を決定する。
これらのほか、ウェーハＷのサイズ（直径）、隣り合うライン間の距離であるインデックスサイズ（あるラインの中央からその隣のラインの中央までの距離）などの情報も、記憶手段８１に記憶される。
２ アライメントステップ
（１）ウェーハＷの向きの調整
チャックテーブル２に保持されたウェーハＷは、チャックテーブル２が−Ｘ方向に移動することにより、撮像手段９０の下方に位置づけされる。そして、図４に示した２つのキーパターンＫＰ、例えばＸ軸方向の両端部に位置する２つのキーパターンＫＰをパターンマッチングによって検出する。
制御手段８０は、特定のラインに隣接する２つのキーパターンＫＰとのパターンマッチングをそれぞれ行い、検出した２つのパターンの位置のＹ座標を求める。制御手段８０は、図４に示したように、求めた２つのパターンのＹ座標が一致していれば、各ラインがＸ軸方向と平行に向いていると判断する。一方、２つのパターンのＹ座標が一致していない場合は、制御手段８０は、２つのパターンを結ぶ線とＸ軸とがなす角度を算出し、図１に示した回転駆動部２３を駆動してその角度分だけチャックテーブル２を回転させ、Ｘ軸方向に延びるラインと２つのパターンを結ぶ線とを平行にする。そして、ラインＬＸ２の中央線ＬＯのＹ座標を制御手段８０が認識する。
（２）ウェーハ中心位置の算出
次に、チャックテーブル２を回転させつつ、ウェーハＷの周縁を例えば３箇所、例えば図５に示す周縁領域Ｅ１，Ｅ２，Ｅ３を撮像してそれぞれについての画像を取得し、エッジ検出することにより、制御手段８０が、ウェーハＷの周縁上の３点のＸ−Ｙ座標をそれぞれ求める。具体的には、周縁領域Ｅ１，Ｅ２，Ｅ３のそれぞれの画像において、画素値があるしきい値以上変化した部分をエッジとして認識する画像処理を行うことによって、３点のＸ−Ｙ座標を求める。制御手段８０は、その３点の座標に基づき、ウェーハＷの中心ＯのＸ−Ｙ座標を求める。
（３）最外ライン位置の算出
次に、制御手段８０は、記憶手段８１にあらかじめ記憶されているウェーハＷのサイズ（直径）に基づき、中心Ｏから半径分だけ外周側に離間した位置をウェーハＷのエッジＥとし、そのエッジのＹ座標を算出する。そして、エッジのＹ座標と、記憶手段８１に記憶されたウェーハＷのインデックスサイズ及びＸ軸方向のライン数に基づき、最初に切削する最外ラインのＹ座標を求め、記憶手段８１に記憶させる。この最外ラインは、領域１４，１５，１６のラインＬＸ１である。このように、ウェーハＷの中心Ｏを基準として最外ラインＬＸ１を求めることにより、かりに、ウェーハＷのチャックテーブル２への搬入時に、チャックテーブル２の中心とウェーハＷの中心とが一致していなかったとしても、最外ラインＬＸ１の位置を正確に求めることができる。
なお、最外ラインの検出用に、ウェーハＷのデバイス以外の領域に特別なターゲットパターンを形成しておき、そのターゲットパターンとの位置関係に基づき、最外ラインの位置を求めるようにしてもよい。この場合も、チャックテーブル２の中心とウェーハＷの中心とが一致していなかったとしても、最外ラインＬＸ１の位置を正確に求めることができる。
３ 切削溝形成ステップ
以上のようにして、切削加工及び切削加工によって形成される切削溝のチェックに必要な情報が記憶手段８１に記憶され、アライメントステップが実施された後、各ラインに沿って実際の切削加工を行って切削溝を形成するとともに、切削加工によって形成される切削溝が所望の位置に形成されているか否かの検査（カーフチェック）を行う。制御部８０は、金属パターン１７，１８が形成されているラインに関する情報を記憶手段８１から読み出し、金属パターンが形成されていないラインを、カーフチェックの対象として決定する。図３（ｂ）の例では、例えばラインＬＸ４がカーフチェックの対象となる。
まず、制御手段８０が図１に示したＹ軸方向移動手段５のモータ５２を駆動することにより、図６（ａ）に示すように、切削ブレード３２の切り刃部３２０のＹ軸方向の位置と、アライメントステップにおいて検出された最外ラインであるラインＬＸ１のＹ軸方向の位置とを一致させる。そして、図１に示したＺ軸方向移動手段７が切削手段３を−Ｚ方向に下降させ、図６（ｂ）に示すように、回転する切削ブレード３２をラインＬＸ１に切り込ませてチャックテーブル２を−Ｘ方向に加工送りすることにより、図７に示すように、ウェーハＷの表面Ｗ１に、ラインＬＸ１に沿って切削溝３３を形成する。切削中は、図１に示した切削液ノズル３４から切削ブレード３２に対して切削液が供給される。この切削溝３３は、裏面にまで貫通せず、所定深さを有するものであり、当該所定深さは、制御手段８０がＺ方向移動手段７のモータ７２を制御することにより調整される。
図３（ｂ）に示したように、ラインＬＸ１には金属パターン１７が形成されているため、金属パターン１７においてバリが生じた可能性があり、ラインＬＸ１の加工によって形成された切削溝３３を撮像してカーフチェックを行うと、バリと切削溝３３とを混同して認識するおそれがある。したがって、ラインＬＸ１についてはカーフチェックを行わず、次のラインＬＸ２の加工に移行する。
次に、チャックテーブル２を＋Ｘ方向に移動させて元の位置に戻すとともに、図１に示したＹ軸方向移動手段５が切削手段３を記憶手段８１に記憶されたインデックスサイズ分だけ＋Ｙ方向に移動させ、切削ブレード３２のＹ軸方向の位置とラインＬＸ２のＹ軸方向の位置とを一致させる。そして、上記と同様に、ウェーハＷの表面Ｗ１に、ラインＬＸ２に沿って切削溝３３を形成する。ラインＬＹ３に形成された金属パターン１８が、ラインＬＸ２と交差する部分に位置するため、ラインＬＸ２についてもカーフチャックを行わず、次のラインＬＸ３の加工に移行する。
次に、チャックテーブル２を＋Ｘ方向に移動させて元の位置に戻すとともに、図１に示したＹ軸方向移動手段５が切削手段３を記憶手段８１に記憶されたインデックスサイズ分だけ＋Ｙ方向に移動させ、切削ブレード３２のＹ軸方向の位置とラインＬＸ３のＹ軸方向の位置とを一致させる。そして、上記と同様に、ウェーハＷの表面Ｗ１に、ラインＬＸ２に沿って切削溝３３を形成する。ラインＬＸ３にも金属パターン１７が形成されているため、ここでもカーフチェックは行わない。
次に、チャックテーブル２を＋Ｘ方向に移動させて元の位置に戻すとともに、図１に示したＹ軸方向移動手段５が切削手段３を記憶手段８１に記憶されたインデックスサイズ分だけ＋Ｙ方向に移動させ、切削ブレード３２のＹ軸方向の位置とラインＬＸ２のＹ軸方向の位置とを一致させる。そして、上記と同様に、ウェーハＷの表面Ｗ１に、ラインＬＸ２に沿って切削溝３３を形成する。
４ 加工位置計測ステップ
本ステップでは、金属パターン位置記憶ステップで記憶させた金属パターン１７，１８の周期及び位置情報に基づき、金属パターン１７，１８が形成された位置以外の位置において、カーフチェックを行う。すなわち、本ステップでは、ラインＬＸ４の加工によって形成された切削溝３３のカーフチェックを行う。
ラインＬＸ４を切削加工した後、切削液ノズル３４からの切削液の吐出を停止し、撮像手段９０が、ラインＬＸ４のカーフチェック位置ＸＳに移動する。そして、撮像手段９０は、切削溝３３を含む領域を撮像し、撮像手段９０の基準線９０ａと切削溝３３の中央線とが一致していれば、ラインＬＸ４のあらかじめ設定された加工位置を切削できていると判断する。一方、図８に示すように、撮像手段９０の基準線９０ａと切削溝３３の中央線３３ａとの間にズレ量９１が存在する場合は、ズレ量９１が所定の閾値より小さい場合は、あらかじめ設定された加工位置が切削されたと判断する。この閾値は、あらかじめ記憶手段８１に記憶させておく。一方、ズレ量９１が当該閾値以上である場合は、制御手段８０は、切削溝３３とラインＬＸ４の中央線との間に許容できないずれがあり、ラインＬＸ４の所望の位置を加工できていないと判断する。このように、切削溝３３の位置と設定された加工位置との位置関係を計測することにより、所望の位置を切削できたか否かを判断することができる。
図８の例では、切削溝３３の中央線３３ａが基準線９０ａよりも−Ｙ方向にずれているため、制御手段８０は、ズレ量９１が閾値以上であると判断すると、直ちに、すなわちラインＬＸ４の加工後に、図１に示したＹ軸方向移動手段５のモータ５２を駆動して切削手段３を＋Ｙ方向にズレ量９１だけずらし、切削ブレード３２のＹ軸方向の位置を補正する。そうすると、切削溝３３の中央に基準線９０ａが位置するようになり、ラインＬＸ４の次のラインではラインの中心を加工することができる。
また、チャックテーブル２がＹ軸方向に移動可能な構成となっている場合は、切削手段３の移動ではなく、チャックテーブル２のＹ軸方向の位置をずらすことによって切削溝の形成位置を補正してもよい。
このようにして、切削溝３３を撮像し、切削溝３３の位置が所望の位置よりもずれている場合は、切削溝３３が所望の位置となるように補正を行うことができるため、その後の切削では、所望の位置を正確に切削することができる。しかも、金属パターン位置記憶ステップにおいて金属パターン１７，１８が形成されている位置を記憶手段８１に記憶させ、加工位置計測ステップでは、記憶手段８１に記憶された情報を参照し、金属パターン１７，１８が形成されていない位置に形成された切削溝をチェックすることとしたため、金属パターンを加工することにより発生するバリ等の影響を受けずにカーフチェックを行うことができ、高い加工精度で加工を行うことができる。
なお、本実施形態では、ウェーハＷの表面Ｗ１に、裏面にまで貫通しない所定深さの切削溝を形成することとしたが、形成される切削溝は、ウェーハＷの表裏を貫通するものでもよい。
切削装置には、切削ブレードを含む切削手段を２つ備えるとともに、それぞれの切削手段に撮像手段が付設され、それぞれの切削ブレードを別々のラインに作用させてラインを２本ずつ切削することができるタイプのものもある。このタイプの切削装置を使用する場合は、２つの撮像手段が２つの切削溝をそれぞれ撮像し、切削溝の位置と所望の加工位置との位置関係を個別に判断し、それぞれの切削手段の位置を個別に調整することにより、所望の位置を切削することができる。
１：切削装置
２：チャックテーブル ２０：吸引部 ２１：枠体 ２２：クランプ部
２３：回転駆動部 ２４：カバー
３：切削手段
３０：ハウジング ３１：スピンドル ３２：切削ブレード ３２０：切り刃部
３３：切削溝 ３４：切削液ノズル
４：Ｘ軸方向移動手段
４０：ボールネジ ４１：ガイドレール ４２：モータ ４３：軸受部 ４４：移動基台
５：Ｙ軸方向移動手段
５０：ボールネジ ５１：ガイドレール ５２：モータ ５４：移動基台
６０：静止基台
７：Ｚ軸方向移動手段
７０：ボールネジ ７１：ガイドレール ７２：モータ ７４：支持部
８０：制御手段 ８１：記憶手段
９：アライメント手段 ９０：撮像手段 ９０ａ：中心線
Ｗ：ウェーハ Ｗ１：表面 Ｄ：デバイス
Ｌ，ＬＸ１〜ＬＸ５，ＬＹ１〜ＬＹ３：分割予定ライン １１〜１６：領域
Ｔ：テープ Ｆ：フレーム
１７，１８：金属パターン ＫＰ：キーパターン

Claims (1)

  1. 基板の表面に格子状に形成された分割予定ラインによって区画された各領域にデバイスが形成され、且つ該分割予定ラインにテスト用の金属パターンが一定の周期で配設されたウェーハを、該分割予定ラインに沿って切削ブレードを備える切削手段で加工するウェーハの加工方法であって、
    該金属パターンの周期及び位置情報を切削装置の記憶手段に記憶させる金属パターン位置記憶ステップと、
    該金属パターン位置記憶ステップを実施した後に、切削装置のアライメント手段によって該ウェーハの加工位置である該分割予定ラインを検出するアライメントステップと、
    該アライメントステップを実施した後に、該切削手段によって該分割予定ラインに沿って切削溝を形成する切削溝形成ステップと、
    から構成され、
    該切削溝形成ステップの実施中に、該金属パターン位置記憶ステップで予め記憶した該金属パターンの周期及び位置情報に基づいて、該金属パターン位置以外の位置において該切削手段により形成された切削溝を含む領域を撮像手段で撮像して、該切削溝の位置と設定された加工位置との位置関係を計測する加工位置計測ステップを行うこと
    を特徴とするウェーハの加工方法。
JP2015251359A 2015-12-24 2015-12-24 ウェーハの加工方法 Active JP6607639B2 (ja)

Priority Applications (7)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2015251359A JP6607639B2 (ja) 2015-12-24 2015-12-24 ウェーハの加工方法
TW105136685A TWI702642B (zh) 2015-12-24 2016-11-10 晶圓的加工方法
KR1020160164454A KR102510828B1 (ko) 2015-12-24 2016-12-05 웨이퍼의 가공 방법
CN201611166077.1A CN106920775B (zh) 2015-12-24 2016-12-16 晶片的加工方法
SG10201610623YA SG10201610623YA (en) 2015-12-24 2016-12-19 Wafer processing method
US15/388,062 US9779994B2 (en) 2015-12-24 2016-12-22 Wafer processing method
DE102016226180.0A DE102016226180A1 (de) 2015-12-24 2016-12-23 Waferbearbeitungsverfahren

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2015251359A JP6607639B2 (ja) 2015-12-24 2015-12-24 ウェーハの加工方法

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JP2017117924A true JP2017117924A (ja) 2017-06-29
JP6607639B2 JP6607639B2 (ja) 2019-11-20

Family

ID=59010755

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2015251359A Active JP6607639B2 (ja) 2015-12-24 2015-12-24 ウェーハの加工方法

Country Status (7)

Country Link
US (1) US9779994B2 (ja)
JP (1) JP6607639B2 (ja)
KR (1) KR102510828B1 (ja)
CN (1) CN106920775B (ja)
DE (1) DE102016226180A1 (ja)
SG (1) SG10201610623YA (ja)
TW (1) TWI702642B (ja)

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2019046923A (ja) * 2017-08-31 2019-03-22 株式会社ディスコ ウエーハの加工方法
KR20210042814A (ko) 2019-10-10 2021-04-20 가부시기가이샤 디스코 웨이퍼의 가공 방법
JP7382833B2 (ja) 2020-01-06 2023-11-17 株式会社ディスコ 加工装置

Families Citing this family (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP6812079B2 (ja) * 2017-03-13 2021-01-13 株式会社ディスコ 被加工物の加工方法
JP6979312B2 (ja) * 2017-09-08 2021-12-08 株式会社ディスコ アライメントパターンの設定方法
JP7064887B2 (ja) * 2018-01-12 2022-05-11 株式会社ディスコ 加工装置の管理方法および加工装置
WO2021059937A1 (ja) * 2019-09-27 2021-04-01 株式会社東京精密 ダイシング装置及び方法
JP7463037B2 (ja) * 2020-08-26 2024-04-08 株式会社ディスコ 検査用基板及び検査方法

Citations (12)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH06224296A (ja) * 1993-01-27 1994-08-12 Sumitomo Electric Ind Ltd 半導体ウェーハのダイシング方法及び装置
JPH06326187A (ja) * 1993-05-11 1994-11-25 Tokyo Seimitsu Co Ltd ダイシング加工管理方法および加工品質管理システム
JPH09270446A (ja) * 1996-03-29 1997-10-14 Toshiba Corp 半導体検査装置
JP2005252078A (ja) * 2004-03-05 2005-09-15 Sanyo Electric Co Ltd 半導体装置及びその製造方法
JP2009246015A (ja) * 2008-03-28 2009-10-22 Disco Abrasive Syst Ltd チッピング検出方法
JP2009278029A (ja) * 2008-05-19 2009-11-26 Tokyo Seimitsu Co Ltd ダイシング装置
JP2010137309A (ja) * 2008-12-10 2010-06-24 Disco Abrasive Syst Ltd 切削装置の稼動開始時切削方法
JP2012054429A (ja) * 2010-09-01 2012-03-15 Disco Abrasive Syst Ltd 加工位置検出方法
JP2012256793A (ja) * 2011-06-10 2012-12-27 Disco Abrasive Syst Ltd 分割予定ライン検出方法
JP2014116460A (ja) * 2012-12-10 2014-06-26 Disco Abrasive Syst Ltd 加工装置
JP2015170805A (ja) * 2014-03-10 2015-09-28 株式会社ディスコ 板状物の加工方法
JP2016197702A (ja) * 2015-04-06 2016-11-24 株式会社ディスコ 加工装置

Family Cites Families (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH10189443A (ja) * 1996-11-07 1998-07-21 Nikon Corp 位置検出用マーク、マーク検出方法及びその装置並びに露光装置
JP4377702B2 (ja) * 2004-01-08 2009-12-02 株式会社ディスコ 切削溝の計測方法
JP2012151225A (ja) * 2011-01-18 2012-08-09 Disco Abrasive Syst Ltd 切削溝の計測方法
JP6215730B2 (ja) * 2014-02-26 2017-10-18 株式会社ディスコ 加工装置におけるウエーハの中心検出方法
JP6328513B2 (ja) * 2014-07-28 2018-05-23 株式会社ディスコ ウエーハの加工方法

Patent Citations (12)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH06224296A (ja) * 1993-01-27 1994-08-12 Sumitomo Electric Ind Ltd 半導体ウェーハのダイシング方法及び装置
JPH06326187A (ja) * 1993-05-11 1994-11-25 Tokyo Seimitsu Co Ltd ダイシング加工管理方法および加工品質管理システム
JPH09270446A (ja) * 1996-03-29 1997-10-14 Toshiba Corp 半導体検査装置
JP2005252078A (ja) * 2004-03-05 2005-09-15 Sanyo Electric Co Ltd 半導体装置及びその製造方法
JP2009246015A (ja) * 2008-03-28 2009-10-22 Disco Abrasive Syst Ltd チッピング検出方法
JP2009278029A (ja) * 2008-05-19 2009-11-26 Tokyo Seimitsu Co Ltd ダイシング装置
JP2010137309A (ja) * 2008-12-10 2010-06-24 Disco Abrasive Syst Ltd 切削装置の稼動開始時切削方法
JP2012054429A (ja) * 2010-09-01 2012-03-15 Disco Abrasive Syst Ltd 加工位置検出方法
JP2012256793A (ja) * 2011-06-10 2012-12-27 Disco Abrasive Syst Ltd 分割予定ライン検出方法
JP2014116460A (ja) * 2012-12-10 2014-06-26 Disco Abrasive Syst Ltd 加工装置
JP2015170805A (ja) * 2014-03-10 2015-09-28 株式会社ディスコ 板状物の加工方法
JP2016197702A (ja) * 2015-04-06 2016-11-24 株式会社ディスコ 加工装置

Cited By (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2019046923A (ja) * 2017-08-31 2019-03-22 株式会社ディスコ ウエーハの加工方法
KR20210042814A (ko) 2019-10-10 2021-04-20 가부시기가이샤 디스코 웨이퍼의 가공 방법
JP2021064640A (ja) * 2019-10-10 2021-04-22 株式会社ディスコ ウエーハの加工方法
US11462439B2 (en) 2019-10-10 2022-10-04 Disco Corporation Wafer processing method
JP7313253B2 (ja) 2019-10-10 2023-07-24 株式会社ディスコ ウエーハの加工方法
JP7382833B2 (ja) 2020-01-06 2023-11-17 株式会社ディスコ 加工装置

Also Published As

Publication number Publication date
TW201732909A (zh) 2017-09-16
JP6607639B2 (ja) 2019-11-20
US20170186646A1 (en) 2017-06-29
DE102016226180A1 (de) 2017-06-29
SG10201610623YA (en) 2017-07-28
KR102510828B1 (ko) 2023-03-15
CN106920775B (zh) 2021-02-19
CN106920775A (zh) 2017-07-04
TWI702642B (zh) 2020-08-21
US9779994B2 (en) 2017-10-03
KR20170076554A (ko) 2017-07-04

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP6607639B2 (ja) ウェーハの加工方法
CN106925897B (zh) 晶片的加工方法
KR102271652B1 (ko) 피가공물의 절삭 방법
JP6215730B2 (ja) 加工装置におけるウエーハの中心検出方法
TW201641204A (zh) 雷射加工裝置
JP7382833B2 (ja) 加工装置
JP2009012127A (ja) 切削装置
JP7427333B2 (ja) エッジアライメント方法
CN110783245A (zh) 对准方法
JP2012151225A (ja) 切削溝の計測方法
JP2001330413A (ja) 厚さ測定方法および厚さ測定装置
JP6224462B2 (ja) レーザー加工装置における加工送り機構の作動特性検出方法およびレーザー加工装置
CN110783246A (zh) 对准方法
JP2017038028A (ja) 切削ブレードの位置ずれ検出方法
KR102119077B1 (ko) 가공 방법
TWI761609B (zh) 晶圓的加工方法
JP2024000391A (ja) 被加工物の加工方法および加工装置
JP2022050762A (ja) 切削装置及び切削方法
JP2020096092A (ja) 加工装置及び加工方法
TW202129805A (zh) 加工裝置
CN117238798A (zh) 加工装置
KR20190101871A (ko) 가공 장치

Legal Events

Date Code Title Description
A621 Written request for application examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

Effective date: 20181016

A977 Report on retrieval

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007

Effective date: 20190621

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20190704

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20190830

TRDD Decision of grant or rejection written
A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 20190924

A61 First payment of annual fees (during grant procedure)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61

Effective date: 20191018

R150 Certificate of patent or registration of utility model

Ref document number: 6607639

Country of ref document: JP

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250