DE102016226180A1 - Waferbearbeitungsverfahren - Google Patents

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Taku Iwamoto
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Abstract

Hier offenbart ist ein Waferbearbeitungsverfahren, das die Schritte zum Speichern einer Information über die Abstände und Positionen von Metallmustern, die an einem Teil von Teilungslinien an einem Wafer ausgebildet sind, in einer Speichereinheit einer Schneidvorrichtung, Detektieren der Teilungslinien, Ausbilden einer Schneidnut entlang jeder der Teilungslinien unter Verwendung einer Schneidklinge, Aufnehmen eines Bereichs, der die Schneidnut an einer Position beinhaltet, an welcher die Metallmuster nicht ausgebildet sind unter Verwendung einer Bildgebungseinheit, welche in der Schneidvorrichtung enthalten ist, entsprechend den Informationen über die Abstände und Positionen der Metallmuster, die vorher gespeichert wurden, während des Ausbildungsschritts der Schneidnut, und Ausmessen der Positionsbeziehung zwischen den Positionen der Schneidnut und einer vorbestimmten Schneidposition beinhaltet. Entsprechend kann eine Überprüfung der Schneidfuge durchgeführt werden, ohne durch Grate beeinflusst zu werden, die durch die Metallmuster beim Schneiden des Wafers gebildet werden, sodass der Wafer mit einer hohen Genauigkeit geschnitten werden kann.

Description

  • HINTERGRUND DER ERFINDUNG
  • Technisches Gebiet
  • Die vorliegende Erfindung betrifft ein Waferbearbeitungsverfahren zum Bearbeiten eines Halbleiterwafers, der Metallmuster aufweist, die an einem Teil der Teilungslinien in gegebenen Abständen ausgebildet sind.
  • Beschreibung des Stands der Technik
  • In einem Herstellungsprozess für Halbleiter-Bauelemente werden mehrere elektronische Schaltungen wie integrierte Schaltungen (ICs) und Large-Scale-Integrations (LSIs) an der vorderen Seite eines im Wesentlichen scheibenförmigen Werkstücks wie einem Halbleiter-Wafer ausgebildet. Die hintere Seite des Werkstücks, das mehrere elektronische Schaltungen so aufweist, wird geschliffen, um die Dicke des Werkstücks auf eine vorbestimmte Dicke zu reduzieren. Danach wird ein Bauelementbereich Werkstücks, an dem die elektronischen Schaltungen ausgebildet sind, entlang Teilungslinien, die Straße genannt werden, unter Verwendung einer Schneidklinge geschnitten, um dadurch das Werkstück in mehrere Bauelementchips zu zerteilen. Eine geschnittene Nut, die entlang jeder Teilungslinie der vorderen Seite des Werkstücks ausgebildet ist, wird periodisch durch ein Bildgebungsmittel aufgenommen und eine Abweichung zwischen einer Referenzlinie, die in dem Bildgebungsmittel gesetzt ist, und der geschnittenen Nut oder einer vorher gesetzten Schneidposition an dem Werkstück wird gemessen. Danach wird die Schneidposition entsprechend diese Abweichung korrigiert (siehe zum Beispiel japanische Offenlegungsschrift Nr. 2012-151225 ).
  • DARSTELLUNG DER ERFINDUNG
  • In dem Fall, dass Metallmuster, die Testelementgruppe (TEG) genannt werden, in gegebenen Abständen an den Straßen ausgebildet sind, die an der Vorderseite des Werkstücks ausgebildet sind, können Grate durch die Metallmuster entlang der Schneidnut hergestellt werden, welche durch das Schneiden des Werkstücks ausgebildet werden. Entsprechen, wenn der Bereich, an dem die Metallmuster geschnitten wurden, aufgenommen und vermessen wird, existiert die Möglichkeit, dass die Grate fälschlicherweise als die Schneidnut erkannt werden.
  • Es ist darum ein Ziel der vorliegenden Erfindung, ein Waferbearbeitungsverfahren bereitzustellen, das die Schneidnut erkennen kann, ohne durch die Metallmuster, die an dem Wafer ausgebildet sind, beeinflusst zu werden, und den Wafer mit einer hohen Genauigkeit schneiden kann.
  • In Übereinstimmung mit einem Aspekt der vorliegenden Erfindung wird ein Waferbearbeitungsverfahren bereitgestellt, um einen Wafer unter Verwendung einer Schneidvorrichtung zu bearbeiten, die ein Schneidmittel beinhaltet, das eine Schneidklinge aufweist, wobei der Wafer ein Substrat und mehrere Bauelemente beinhaltet, die an der vorderen Seite des Substrats in mehreren getrennten Bereichen ausgebildet sind, die durch mehrere sich kreuzende Teilungslinien gebildet werden, wobei der Wafer ferner mehrere Metallmuster zum Testen beinhaltet, die an einem Teil der Teilungslinien in gegebenen Abständen angeordnet sind, wobei das Waferbearbeitungsverfahren einen Speicherschritt für eine Position eines Metallmusters zum Speichern von Informationen über die Abstände und Positionen der Metallmuster in einem Speichermittel, das in der Schneidvorrichtung beinhaltet ist, einen Ausrichtungsschritt zum Detektieren der Teilungslinien des Wafers unter Verwendung eines Ausrichtungsmittels, das in der Schneidvorrichtung beinhaltet ist, nachdem der Speicherschritt für eine Position des Metallmusters durchgeführt wurde; einen Ausbildungsschritt für eine Schneidnut zum Ausbilden einer Schneidnut entlang jeder Teilungslinie unter Verwendung der Schneidklinge des Schneidmittels nach dem Durchführen des Ausrichtungsschritts; und einen Messschritt für eine Schneidposition beinhaltet, um einen Bereich aufzunehmen, der die Schneidnut an jeder Position beinhaltet, an welcher die Metallmuster nicht ausgebildet sind, unter Verwendung eines Aufnahmemittels, das in der Schneidvorrichtung enthalten ist, entsprechend der Informationen über die Abstände und Positionen der Metallmuster, die vorher in dem Speicherschritt für eine Position eines Metallmusters gespeichert wurden, während der Ausbildungsschritt für eine Schneidnut durchgeführt wird, und als nächstes Messen der Positionsbeziehung zwischen der Position der Schneidnut und einer vorbestimmten Schneidposition.
  • Das Waferbearbeitungsverfahren der vorliegenden Erfindung beinhaltet den Messschritt für eine Schneidposition zum Aufnehmen eines Bereichs, der die Schneidnut an Positionen beinhaltet, an welcher die Metallmuster nicht ausgebildet sind, entsprechend der Information über die Abstände und Positionen der Metallmuster, die vorher in dem Speicherschritt für eine Position eines Metallmusters gespeichert wurden, ausgebildet sind, während des Durchführens des Ausbildungsschritts für eine Schneidnut, und als nächstes Messen der Positionsbeziehung zwischen der Position der Schneidnut und einer vorbestimmten Schneidposition. Entsprechend kann eine Überprüfung der Schneidfuge durchgeführt werden, ohne durch Grate, die von dem Metallmuster beim Schneiden des Wafers hergestellt werden, beeinflusst zu werden, sodass der Wafer mit einer hohen Genauigkeit geschnitten werden kann.
  • Die obigen und weitere Ziele, Merkmale und Vorteile der vorliegenden Erfindung und die Weise des Realisierens dieser wird klarer und die Erfindung selbst am besten durch ein Studieren der folgenden Beschreibung und beigefügten Ansprüche mit Bezug zu den angehängten Figuren verstanden, die eine bevorzugte Ausführungsform der Erfindung zeigen.
  • KURZE BESCHREIBUNG DER FIGUREN
  • 1 ist eine perspektivische Ansicht einer Schneidvorrichtung zur Verwendung beim Durchführen einer bevorzugten Ausführungsform der vorliegenden Erfindung;
  • 2 ist eine Aufsicht, die eine Positionsbeziehung zwischen einer Schneidklinge und einem Betätigungsmittel darstellt;
  • 3A ist eine Aufsicht eines Wafers als ein Werkstück;
  • 3B ist eine vergrößerte Aufsicht eines wesentlichen Teils des Wafers, der in 3A dargestellt ist;
  • 4 ist eine vergrößerte Aufsicht, welche die Positionsbeziehung zwischen wichtigen Mustern in Bauelementen und einer Teilungslinie darstellt;
  • 5 ist eine Aufsicht, die das Zentrum und eine Kante des Wafers darstellt;
  • 6A ist eine Aufsicht, die einen Schritt zum Schneiden des Wafers entlang jeder Teilungslinie darstellt;
  • 6B ist eine Draufsicht, welche den Schneidschritt darstellt, der in 6A dargestellt ist;
  • 7 ist eine Schnittansicht zum Darstellen einer Schneidnut, die in dem Wafer entlang jeder Teilungslinie ausgebildet ist; und
  • 8 ist eine Aufsicht, welche die Positionsbeziehung zwischen der Schneidnut, die an dem Wafer ausgebildet ist, und einer Referenzlinie darstellt, die in dem Bildgebungsmittel gesetzt ist.
  • DETAILLIERTE BESCHREIBUNG DER BEVORZUGTEN AUSFÜHRUNGSFORM
  • Mit Bezug zu 1 ist eine Schneidvorrichtung 1 zur Verwendung beim Durchführen einer bevorzugten Ausführungsform der vorliegenden Erfindung dargestellt. Die Schneidvorrichtung 1 ist eine Vorrichtung zum Schneiden eines Wafers, der an einem Einspanntisch 2 gehalten wird, unter Verwendung eines Schneidmittels 3. Der Einspanntisch 2 ist in der X Richtung (+X oder –X Richtung) beweglich, indem das X-Bewegungsmittel 4 betätigt wird. Das Schneidmittel 3 ist in der Y Richtung (+Y oder –Y Richtung) durch Betätigen des Y-Bewegungsmittels 5 beweglich und ist auch in der Z Richtung (+Z oder –Z Richtung) durch Betätigen des Z-Bewegungsmittels beweglich.
  • Der Einspanntisch 2 beinhaltet einen Saughalteabschnitt 20 zum Halten des Wafers unter einem Saugen, einen Rahmen 21 zum Tragen des Saughalteabschnitts 20, sodass dieser umgeben ist, und einen Klemmabschnitt 22, der an dem äußeren Umfang des Rahmens 21 fixiert ist. Der untere Abschnitt des Einspanntischs 2 ist mit einem Drehantrieb zum Drehen des Einspanntischs 2 verbunden. Der Drehantrieb 23 ist mit einer oberen Abdeckung 24 bereitgestellt.
  • Das X-Bewegungsmittel 4 ist an einer stationären Basis 60 bereitgestellt. Das X-Bewegungsmittel 4 beinhaltet eine Kugelrollspindel 40, die sich in der X Richtung erstreckt, ein paar Führungsschienen 41 parallel zu der Kugelrollspindel 40, einen Motor 42, der mit einem Ende der Kugelrollspindel 40 verbunden ist, um die Kugelrollspindel 40 zu drehen, einen Lagerabschnitt 43 zum Tragen des anderen Endes der Kugelrollspindel 40 und eine Bewegungsbasis 44, die ein Innengewinde (nicht dargestellt) aufweist, das im Schraubeingriff mit der Kugelrollspindel 40 ist, und einen unteren Abschnitt aufweist, der im gleitenden Eingriff mit den Führungsschienen 41 ist. Entsprechend, wenn die Kugelrollspindel 40 normal oder umgekehrt durch ein Betätigen des Motors 42 gedreht wird, wird die Bewegungsbasis 44 in der +X Richtung oder –X Richtung bewegt, da sie durch die Führungsschienen 41 geführt wird. Der Motor 42 wird durch ein Steuerungsmittel 80 gesteuert, dass eine zentrale Berechnungseinheit (CPU), Speicher usw. beinhaltet. In dem Fall, dass ein Pulsmotor als der Motor 42 verwendet wird, wird die Anzahl der Antriebspulse, die von dem Steuerungsmittel 80 an den Pulsmotor ausgegeben wird, gezählt, um dadurch die Position des Einspanntischs 2 in der X Richtung zu erkennen. In dem Fall, dass ein Servomotor verwendet wird, wird ein Pulssignal, das von einem Drehencoder zum Detektieren der Drehgeschwindigkeit des Servomotors ausgegeben wird, zu dem Steuerungsmittel 80 übertragen und die Anzahl der Pulse, die von dem Drehencoder ausgegeben werden, werden durch das Steuerungsmittel 80 gezählt, um dadurch die Position des Einspanntischs 2 in der X Richtung zu detektieren.
  • Das Y-Bewegungsmittel 5 ist auch in der stationären Basis 60 bereitgestellt. Das Y-Bewegungsmittel 5 beinhaltet eine Kugelrollspindel 50, die sich in der Y Richtung erstreckt, ein Paar Führungsschienen 51 parallel zu der Kugelrollspindel 50, einen Motor 52, der mit einem Ende der Kugelrollspindel 50 verbunden ist, um die Kugelrollspindel 50 zu drehen, und eine Bewegungsbasis 54, die ein Innengewinde (nicht dargestellt) aufweist, das in Schraubeingriff mit der Kugelrollspindel 50 ist, und einen unteren Abschnitt aufweist, der im gleitenden Eingriff mit den Führungsschienen 51 ist. Entsprechend, wenn Kugelrollspindel 50 normal oder umgekehrt durch eine Betätigung des Motors 52 gedreht wird, wird die Bewegungsbasis 54 in der +Y Richtung oder –Y Richtung bewegt, da sie durch die Führungsschienen 51 geführt wird. Der Motor 52 wird durch das Steuerungsmittel 80 gesteuert. In dem Fall, dass ein Pulsmotor als der Motor 52 verwendet wird, wird die Anzahl der Antriebspulse, die von dem Steuerungsmittel 80 einen Pulsmotor ausgegeben wird, gezählt, um dadurch die Position des Schneidmittels 3 in der Y Richtung zu erkennen. In dem Fall, dass ein Servomotor als der Motor 52 verwendet wird, wird ein Pulssignal, das von einem Drehencoder zum Detektieren der Geschwindigkeit des Servomotors ausgegeben wird, zu dem Steuerungsmittel 80 übertragen und die Anzahl der Pulse, die von dem Drehencoder ausgegeben werden, wird sich das Steuerungsmittel 80 gezählt, um dadurch die Position des Schneidmittels 3 in der Y Richtung zu detektieren.
  • Das Z-Bewegungsmittel 7 ist an der Basis 54 bereitgestellt. Das Z-Bewegungsmittel 7 beinhaltet eine Kugelrollspindel 70, die sich in der Z Richtung erstreckt, ein Paar Führungsschienen 71 parallel zu der Kugelrollspindel 70, einen Motor 72, der mit einem Ende Kugelrollspindel 70 verbunden ist, um die Kugelrollspindel 70 zu drehen, und einen Trägerabschnitt 74, der ein Innengewinde (nicht dargestellt) aufweist, dass in Schaubeingriff mit der Kugelrollspindel 70 ist, und einen zweiten Abschnitt aufweist, der in gleitendem Eingriff mit den Führungsschienen 71 ist. Entsprechend, wenn Kugelrollspindel 70 normal oder umgekehrt durch eine Betätigung des Motors 72 gedreht wird, wird der Trägerabschnitt 74 in der +Z Richtung oder –Z Richtung bewegt, da diese durch die Führungsschienen 71 geführt wird. Der Motor 72 wird durch das Steuerungsmittel 80 gesteuert. In dem Fall, dass ein Pulsmotor als der Motor 72 verwendet wird, wird die Anzahl der Antriebspulse, die von dem Steuerungsmittel 80 zu dem Pulsmotor ausgegeben werden, gezählt, um dadurch die Position des Schneidmittels 3 in der Z Richtung zu erkennen. In dem Fall, dass ein Servomotor als der Motor 72 verwendet wird, wird ein Pulssignal, das von einem Drehencoder zum Detektieren der Drehgeschwindigkeit des Servomotors aus ausgegeben wird, zu dem Steuerungsmittel 80 übertragen und die Anzahl der Pulse, die von dem Drehencoder auf werden, wird durch das Steuerungsmittel 80 gezählt, um die Position des Schneidmittels 3 der Z Richtung für detektieren.
  • Das Schneidmittel 3 beinhaltet ein Gehäuse 30, eine Spindel 31, die drehbar an dem Gehäuse 30 getragen ist, und eine Schneidklinge 32, die an der Spindel 31 an dem vorderen Ende dieser montiert ist. Das Gehäuse 30 wird an dem Trägerabschnitt 74 getragen. Das Schneidmittel 3 beinhaltet ferner ein Paar Düsen 34 für ein Schneidfluid (von denen eine dargestellt ist), die so bereitgestellt sind, dass die Schneidklinge 32 dazwischen in der Y Richtung eingefügt ist.
  • Ein Ausrichtungsmittel 9 ist an dem Gehäuse 30 an einem Seitenabschnitt fixiert. Das Ausrichtungsmittel 9 beinhaltet ein Bildgebungsmittel 90 zum Aufnehmen des Wafers. Entsprechend einem Bild, das durch das Bildgebungsmittel 90 erhalten wird, kann das Ausrichtungsmittel 9 eine Schneidposition an dem Wafer detektieren. Das Ausrichtungsmittel 9 ist mit dem Schneidmittel 3 in der Y Richtung und der Z Richtung beweglich. Das Steuerungsmittel 80 ist mit einem Speichermittel 81 verbunden, dass ein Speicherelement wie einen Speicher aufweist. Das Steuerungsmittel 80 dient dazu, jede Komponente der Schneidvorrichtung 1 entsprechend einer Information, die in dem Speichermittel 81 gespeichert ist, zu steuern.
  • Wie in 2 dargestellt, ist die zentrale Linie 320a einer Schneidkante 320, welche die Schneidklinge 32 in der Dickenrichtung der Schneidkante 320 (in der Y Richtung) bildet, vorher angepasst, sodass sie mit der Ausdehnung einer Ausrichtungsreferenzlinie 90a, die an dem Zentrum einer Linse ausgebildet ist, die in dem Bildgebungsmittel 90 beinhaltet ist, übereinstimmt.
  • Im Folgenden wird ein Verfahren zum Ausbilden einer Schneidnut an der vorderen Seite W1 eines Wafers W, der in 3A dargestellt ist, und ein Überprüfen ob die Schneidnut an einer vorbestimmten Position ausgebildet ist oder nicht unter Verwendung der Schneidvorrichtung 1, die oben beschrieben ist, beschrieben.
  • Wie in 3A dargestellt, sind mehrere sich kreuzende Teilungslinien (im Folgenden als „Linien” bezeichnet) L an der vorderen Seite W1 des Wafers W ausgebildet, um mehrere getrennte Bereiche zu bilden, an denen mehrere Bauelemente B ausgebildet sind. Die hintere Seite des Wafers W ist an einem Band T angebracht. Ein Ringrahmen F ist an dem umfänglichen Abschnitt des Bands T angebracht. Entsprechend wird der Wafer W durch das Band T an dem Rahmen F getragen. Der Wafer W wird unter einem Saugen durch das Band T an dem Saughalteabschnitt 20 des Einspanntischs 2 gehalten, der in 1 dargestellt ist, und der Rahmen F wird durch den Klemmabschnitt 22 fixiert.
  • Jedes Bauelement, welches den Wafer W bildet, ist an der vorderen Seite eines Substrats wie einem Siliziumsubstrat in einem Herstellungsverfahren für ein Halbleiterbauelement ausgebildet. Ein Schaltungsmuster in jedem Bauelement D wird durch eine Projektionsbelichtung durch eine Fotomaske in einem Stepper ausgebildet. Die Fotomaske weist ein Schaltungsmuster entsprechend jedem Bauelement D auf. Beim Herstellen eines Wafers W werden mehrere Fotomasken verwendet.
  • Der Wafer W besteht aus mehreren Bereichen, die entsprechend der verwendeten Fotomaske geteilt sind. Zum Beispiel beinhaltet der Wafer W, der in 3A dargestellt ist, Bereiche 11–16. Wie in 3B dargestellt, beinhaltet jeder der Bereiche 11–16 Linien LX1 bis LX5, die sich in der X Richtung erstrecken, und Linien LY1 bis LY3, die sich in der Y Richtung erstrecken. Die Anzahl der Linien L, die sich in der X Richtung erstrecken und die Anzahl der Linien L, die sich in der Y Richtung erstrecken, werden vorher entsprechend jeder Fotomaske bestimmt.
  • (1) Speicherschritt für eine Position eines Metallmusters
  • Wie in 3B dargestellt, sind Metallmuster 17, die TEG genannt werden, an den Linien LX1 und LX3 der Bereiche 11–16 ausgebildet. Ferner sind Metallmuster 18 an der Linie LY3 in jedem der Bereiche 11–16 ausgebildet. Diese Metallmuster 17 und 18 sind zum Beispiel aus Kupfer ausgebildet. Die Metallmuster 17 sind an jeder der Linien LX1 und LX3 in gegebenen Abständen ausgebildet. Ähnlich sind Metallmuster 18 an der Linie LY3 in einem gegebenen Abstand ausgebildet. Entsprechend sind die Metallmuster 17 und 18 an den gleichen Positionen in all den Bereichen 11–16 ausgebildet. Während die Metallmuster 17 und 18 an den Linien LX1 und LX3 und der Linie LY3 in 3B jeweils ausgebildet sind, können solche Metallmuster an beliebigen anderen Linien ausgebildet sein. Die Metallmusters 17 und 18 dienen als Testelemente, um beim Herausfinden von Design- oder Produktionsproblemen, die in jedem Bauelement die auftreten können, verwendet zu werden. Die Metallmusters 17 und 18 werden auch durch eine Fotomaske durch Sputtern, chemische Dampfphasenabscheidung (CVD), usw. ausgebildet. Entsprechend ist diese Fotomaske mit einer Maske ausgebildet, welche dem Metallmuster 17 und 18 entspricht.
  • Als die Spezifikationen für jede Fotomaske werden verschiedene Elemente an Informationen zuvor bestimmt, wie die Anzahl der Linien L, die sich in der X Richtung erstrecken, die Anzahl der Linien L, die sich in der Y Richtung erstrecken, die Linien, an denen Metallmuster ausgebildet sind, die Abstände der Metallmuster und die Positionen der Metallmuster. Diese Elemente der Information werden durch einen Bediener durch ein Eingabemittel (zum Beispiel eine Tastatur oder ein Touchdisplay) das in der Schneidvorrichtung 1 enthalten ist, eingegeben. Die Information, die so eingegeben wurden, wird in dem Speichermittel 81, das in 1 dargestellt ist, gespeichert.
  • Der Bediener gibt auch solche Informationen in das Speichermittel 81 ein, wie die, welche Fotomaske der äußersten Linie an dem Wafer W entspricht. Zum Beispiel, da die Linie LX1 in dem Bereich 15, der in 3B dargestellt ist, die äußerste Linie an dem Wafer W ist, die Information, dass die Linie LX1 in der Fotomaske der äußersten Linie entspricht.
  • Ferner spezifiziert der Bediener ein wichtiges Muster, das beim Durchführen einer Musterzuordnung zum Detektieren einer Ziellinie in einem Ausrichtungsschritt, der im Folgenden beschrieben wird, zu verwenden ist, und speichert dann ein Bild, welches das wichtige Muster beinhaltet, in dem Speichermittel 81. Zum Beispiel ein spezifisches Schaltungsmuster, das eine charakteristische Form in jedem Bauelement D aufweist, zum Beispiel ein wichtiges Muster KP, das in 4 dargestellt ist, wird vorher als das wichtige Muster für eine Musterzuordnung ausgewählt. In diesem Fall wird ein Bild, das dieses wichtige Muster KP beinhaltet, in dem Speichermittel 81 gespeichert. Ferner speichert das Speichermittel 81 auch einen Abstand DY von dem wichtigen Muster KP zu dem Zentrum LO der benachbarten Linie, die sich in der X-Richtung erstreckt (zum Beispiel der Linie LX2), wie in 4 dargestellt. Ferner kann als das wichtige Muster jeder Teil, der außerhalb von jedem Bauelement D des Wafers W bereitgestellt ist, für die Musterzuordnung anstelle des Schaltungsmusters, das in jedem Bauelement D ausgebildet ist, verwendet werden.
  • Ferner speichert der Bediener in dem Speichermittel 81 eine Prüfposition XS für eine Schneidfuge in der X Richtung, die beim Durchführen einer Überprüfung für eine Schneidfuge für eine Schneidnut, die durch eine Schneidbetätigung durchgeführt wird, verwendet wird. Die Prüfposition XS für eine Schneidfuge ist eine Position, die von dem Zentrum O des Wafers W um eine Länge X1 in der X Richtung versetzt ist. Der Bediener betätigt das Bildgebungsmittel 90, dass in 1 dargestellt ist, um dadurch den Wafer W aufzunehmen. Wenn ein Bild des Wafers W, das an einem Monitor (nicht dargestellt) wiedergegeben wird, gesehen wird, wählt der Bediener eine Position, an der die Metallmuster Zellen und 18 nicht ausgebildet sind, und bestimmt den Wert von X1.
  • Zusätzlich speichert das Speichermittel 81 ferner eine Information, welche die Größe (Durchmesser) des Wafers W und eine Indexgröße (der Abstand von dem Zentrum einer bestimmten die Nähe zu dem Zentrum ihrer benachbarten Linie), die der Abstand zwischen beliebigen benachbarten Linien L ist, beinhaltet.
  • (2) Ausrichtungsschritt
  • (2a) Anpassung der Orientierung des Wafers W
  • Der Wafer W, der an dem Einspanntisch 2 gehalten wird, wird unterhalb des Bildgebungsmittels 90 durch eine Bewegung des Einspanntischs 2 in der Richtung von der Position, die in 1 dargestellt ist, bewegt. In diesem Zustand werden zwei wichtige Muster KP, die in 4 dargestellt sind, zum Beispiel zwei Muster KP, die zwei Bauelementen ausgebildet sind, die an X Richtung entlang der Linien LX2 liegen, durch eine Musterzuordnung detektiert.
  • Das Steuerungsmittel 80 führt die Musterzuordnung für die zwei wichtigen Muster KP benachbart zu der spezifischen Linie LX2 durch, um die zwei wichtigen Muster KP zu detektieren und die Y Koordinaten der zwei wichtigen Muster KP, die detektiert wurden, zu bestimmen. Wenn die Y Koordinaten der zwei wichtigen Muster KP zueinander gleich sind, bestimmt das Steuerungsmittel 80, dass LX2 sich parallel in der X Richtung erstreckt. Wenn die Y Koordinaten der zwei wichtigen Muster KP zueinander ungleich sind, bestimmt das Steuerungsmittel 80 einen Winkel, der zwischen der X-Achse der Linie, welche die zwei wichtigen Muster KP verbindet, ausgebildet ist, und betätigt den Drehantrieb 23, der in 1 dargestellt ist, um den Einspanntisch 2 um einen Winkel zu drehen, wodurch die Linie LX2 parallel zur X Richtung ist. Ferner erkennt das Steuerungsmittel 80 die Y Koordinate des Zentrums LO der Linie LX2.
  • (2b) Berechnung der Position des Zentrums des Wafers
  • Danach wird der Einspanntisch 2 gedreht, um mehrere umgebende Bereiche des Wafers W, zum Beispiel drei umgebende Bereiche E1, E2 und E3, die in 5 dargestellt sind, aufzunehmen wodurch Bilder dieser Bereiche E1 bis E3 erhalten werden und die Kante des Wafers Wind detektiert wird. Das heißt, dass das Steuerungsmittel 80 die X-Y Koordinaten der drei Punkte an der Kante des Wafers W bestimmt. Insbesondere wird eine Bildverarbeitung in einer solchen Weise durchgeführt, dass in den Bildern der umgebenden Bereiche E1, E2 und E3, an denen sich der Pixel nicht weniger als ein gegebener Grenzwert geändert hat, als die Kante erkannt wird, wodurch die X-Y Koordinaten der drei Punkte erhalten werden. Das Steuerungsmittel 80 bestimmt X-Y Koordinaten des Zentrums O des Wafers W entsprechend der X-Y Koordinaten der drei Punkte.
  • (2c) Berechnung der Position der äußersten Linie
  • Danach bestimmt das Steuerungsmittel 80 die Position, die von dem Zentrum O zu dem äußeren Umfang des Wafers W um ihren Radius beabstandet ist, die mit der Kante des Wafers W zusammenfällt, entsprechend der Größe (Durchmesser) des Wafers W, die vorher in dem Speichermittel 81 gespeichert wurde. Das Steuerungsmittel 80 berechnet dann die Y Koordinate der Kante E. Danach bestimmt das Steuerungsmittel 80 die Y Koordinate der äußersten Linie, die zuerst zu schneiden ist, entsprechend der Y Koordinate der Kante, der Indexgröße des Wafers W, die in dem Speichermittel 81 gespeichert ist, und der Anzahl der Linien L, die sich in X Richtung erstrecken, die in dem Speichermittel 81 gespeichert ist. Die Y Koordinate der äußersten Linie wird in dem Speichermittel 81 gespeichert. Die äußerste Linie ist die Linie LX1 in jedem der Bereiche 14, 15 und 16. Durch Bestimmen der äußersten Linie LX1 auf der Basis des Zentrums O des Wafers W, können die folgenden Vorteile erhalten werden. Das bedeutet, sogar falls das Zentrum des Einspanntischs 2 und das Zentrum des Wafers beim Transferieren des Wafers W zu dem Einspanntisch 2 nicht übereinstimmt, kann die Position der äußersten Linien LX1 akkurat erhalten werden.
  • Als eine Modifikation kann ein spezielles Zielmuster zum Detektieren der äußersten Linie vorher in einem Bereich des Wafers ausgebildet sein, der ein anderer als das Bauelement D sein kann, und die Position der äußersten Linie kann entsprechend der Positionsbeziehung zwischen dem Zielmuster und der äußersten Linien erhalten werden. Auch in diesem Fall, sogar falls das Zentrum des Einspanntischs 2 nicht mit dem Zentrum des Wafers zusammenfällt, kann die Position der äußersten Linie LX1 akkurat erhalten werden.
  • (3) Ausbildungsschritt für eine Schneidnut
  • Wie oben beschrieben, wird die Information, zum Schneiden und Überprüfen einer Schneidnut, die durch Schneiden ausgebildet wird, in dem Speichermittel 81 gespeichert und der Ausrichtungsschritt durchgeführt. Danach wird ein Schneiden entlang dieser Linie durchgeführt, um eine Schneidnut auszubilden, und es wird überprüft, ob die Schneidnut an einer gewünschten Position ausgebildet ist oder nicht (Überprüfung der Schneidfuge). Das Steuerungsmittel 80 liest von dem Speichermittel 81 die Information über die Linien, an welchen die Metallmuster 17 und 18 ausgebildet sind, und bestimmt die Linie, an welcher Metallmusters nicht ausgebildet sind als ein Ziel für eine Überprüfung der Schneidfuge. In dem Beispiel, das in 3 dargestellt ist, wird die Linien LX4 als ein Ziel für eine Überprüfung der Schneidfuge bestimmt.
  • Danach betätigt das Steuerungsmittel 80 den Motor 52 des Y-Bewegungsmittels 5, das in 1 dargestellt ist, um das Schneidmittel 3 in der Y Richtung zu bewegen, sodass die Y Position der Schneidkante 320 der Schneidklinge 32 mit der Y Position der Linie LX1 als die äußerste Linie, die in dem Ausrichtungsschritt detektiert wurde, wie in 6A dargestellt, zusammenfällt. Danach betätigt das Steuerungsmittel 80 den Motor 72 des Z-Bewegungsmittels 7, um das Schneidmittel 3 in der –Z Richtung abzusenken, bis die Schneidkante 320 der Schneidklinge 32, die gedreht wird, dazu kommt in die Linie LX1, wie in 6B dargestellt, einzuschneiden. Danach wird der Einspanntisch 2 in der –X Richtung, wie in 6B dargestellt, zugeführt. Entsprechend wird die vordere Seite W1 des Wafers W entlang der Linie LX1 durch die Schneidklinge 32 geschnitten, um eine Schneidnut 33 entlang der Linie LX1, wie in 7 dargestellt, auszubilden. Während der Schneidbetätigung wird ein Schneidfluid von den Düsen 34 für ein Schneidfluid zu der Schneidklinge 32 zugeführt. Die Schneidnut 33 weist eine vorbestimmte Tiefe auf, welche die hintere Seite des Wafers W nicht erreicht. Die vorbestimmte Tiefe wird angepasst, sodass der Motor 72 durch das Steuerungsmittel 80 gesteuert wird.
  • Wie in 3B dargestellt, werden die Metallmuster 17 an der Linie LX1 ausgebildet. Entsprechend existiert die Möglichkeit, dass Grate durch die Metallmuster 17 beim Ausbilden der Schneidnut 33 entlang der Linie LX1 gebildet werden. Als ein Ergebnis, falls die Schneidnut 33, die entlang der Linie LX1 gebildet ist, aufgenommen wird, um eine Überprüfung der Schneidfuge durchzuführen, existiert eine Möglichkeit, dass die Grate fälschlicherweise als die Schneidnut 33 erkannt werden. Entsprechend wird die Überprüfung der Schneidnut nicht für die Linie LX1 durchgeführt, sondern die nächste Linie LX2 wird geschnitten.
  • Das bedeutet, dass der Einspanntisch 2 als nächstes in der +X Richtung zu der ursprünglichen Position bewegt wird und dass das Y-Bewegungsmittel 5, das in 1 dargestellt ist, betätigt wird, um das Schneidmittel 3 in der +Y Richtung um die Indexgröße, die in dem Speichermittel 81 gespeichert ist, zu verschieben, sodass die Y Position der Schneidklinge 32 mit der Y Position der Linie LX2 zusammenfällt. In diesem Zustand wird die vordere Seite W1 des Wafers W entlang der Linie LX2 durch die Schneidklinge 32 in einer ähnlichen Weise geschnitten, um eine Schneidnut 33 entlang der Linie LX2 auszubilden. Wie in 3B dargestellt, liegt das Metallmuster 18, das an der Linie LY3 ausgebildet ist, an der Kreuzung zwischen der Linie LY3 und der Linie LX2 vor. Entsprechend wird die Überprüfung der Schneidfuge nicht für die Linie LX2 durchgeführt, sondern die nächste Linie LX3 wird geschnitten.
  • Das bedeutet, dass der Einspanntisch 2 als nächstes in der +X Richtung zu der ursprünglichen Position bewegt wird und das Y-Bewegungsmittel 5, das in 1 dargestellt ist, betätigt wird, das Schneidmittel 3 in der +Y Richtung um die Indexgröße, in dem Speichermittel 81 gespeichert ist, zu bewegen, sodass die Y Position mit der Linie LX3 zusammenfällt. In diesem Zustand wird die vordere Seite W1 des Wafers W entlang der Linie LX3 durch die Schneidklinge 32 in einer ähnlichen Weise geschnitten, um eine Schneidnut 33 entlang der Linie LX3 auszubilden. Wie in 3B dargestellt, sind die Metallmuster 17 auch an der Linie LX3 ausgebildet. Entsprechend wird die Überprüfung der Schneidfuge nicht für Linie LX3 durchgeführt.
  • Danach wird der Einspanntisch 2 in der +X Richtung zu der ursprünglichen Position bewegt und das Y-Bewegungsmittel 5, das in 1 dargestellt ist, wird betätigt, das Schneidmittel 3 in der +Y Richtung um die Indexgröße, die in dem Speichermittel 81 gespeichert ist, zu bewegen, sodass die Y Position der Schneidklinge 32 mit der Y Position der Linie LX4 zusammenfällt. In diesem Zustand wird die vordere Seite W1 des Wafers W entlang der Linie LX4 durch die Schneidklinge 32 in einer ähnlichen Weise geschnitten, um eine Schneidnut 33 entlang der Linie LX4 auszubilden.
  • (4) Messschritt für Schneidposition
  • In diesem Schritt wird die Überprüfung der Schneidfuge an einer Position durchgeführt, die nicht die Position ist, an der Metallmuster 17 und 18 ausgebildet sind, entsprechend der Information über die Abstände und Positionen der Metallmuster 17 und 18, die vorher dem Speicherschritt für eine Position der Metallmuster gespeichert wurden. Insbesondere wird die Überprüfung der Schneidfuge für die Schneidnut 33 entlang der Linie LX4 durchgeführt.
  • Nach dem Schneiden der vorderen Seite W1 des Wafers W entlang der Linie LX4 wird ein Zuführen des Schneidfluids von den Düsen 34 für ein Schneidfluid angehalten und das Bildgebungsmittel 90 wird als nächstes zu der Position XS zum Überprüfen der Schneidfuge zu der Linie LX4 bewegt. An dieser Position XS zum Überprüfen der Schneidfuge nimmt das Bildgebungsmittel 90 den Bereich auf, der die Schnittfuge 33 beinhaltet. Wenn die Referenzlinie 90a des Bildgebungsmittels 90 mit der Zentrallinie der Schneidfuge 33 übereinstimmt, bestimmt das Steuerungsmittel 80, dass die Schneidfuge 33 an einer vorbestimmten Schneidposition der Linie LX4 ausgebildet ist. Umgekehrt, wenn eine Abweichung 91 zwischen der Referenzlinie 90a des Bildgebungsmittels 90 und der zentralen Linie 33a der Schneidnut 33, wie in 8 dargestellt, existiert, bestimmt das Steuerungsmittel 80 in der folgenden Weise. In dem Fall, dass die Abweichung 91 weniger als ein vorbestimmter Grenzwert ist, bestimmt das Steuerungsmittel 80, dass die Schneidnut 33 an der voreingestellten Schneidposition ausgebildet ist. Dieser Grenzwert ist vorher in dem Speichermittel 81 gespeichert. Andererseits, in dem Fall, dass die Abweichung 91 nicht weniger als der Grenzwert ist, bestimmt das Steuerungsmittel 80, dass die Abweichung 91 nicht erlaubt ist, und die Schneidnut 33 nicht an der vorbestimmten Schneidposition (gewünschte Position) an der Linie LX4 ausgebildet ist. In dieser Weise misst das Steuerungsmittel 80 die Positionsbeziehung zwischen der Position der Schneidnut 33 und der vorbestimmten Schneidposition, um dadurch zu bestimmen, ob die Schneidnut 33 an einer gewünschten Position ausgebildet ist.
  • In dem Beispiel, das in 8 dargestellt ist, weicht die zentrale Linie 33a der Schneidnut 33 von der Referenzlinie 90a in der –Y Richtung ab. Entsprechend, wenn das Steuerungsmittel 80 bestimmt, dass die Abweichung 91 nicht weniger als der Grenzwert ist, betätigt das Steuerungsmittel 80 unmittelbar den Motor 52 des Y-Bewegungsmittels 5, wie in 1 dargestellt, unmittelbar nach dem Schneiden der Linie LX4, um dadurch das Schneidmittel 3 in der +Y Richtung um die Abweichung 91 zu verschieben, um die Y Position der Schneidklinge 32 zu korrigieren. Als ein Ergebnis wird die Referenzlinie 90a in Übereinstimmung mit der zentralen Linie 33a der Schneidnut 33 gebracht, die entlang der Linie LX4 auszubilden ist. Entsprechend kann das Zentrum der Linie LX5 durch die Schneidklinge 32 in der nächsten Schneidbetätigung geschnitten werden.
  • In dem Fall, dass der Einspanntisch 2 in der Y Richtung beweglich ist, kann ohne eine Bewegung des Schneidmittels 3 die Y Position des Einspanntischs 2 verschoben werden. Auch in diesem Fall kann die Schneidnut, die auszubilden ist, korrigiert werden.
  • In dieser Weise wird die Schneidnut 33 aufgenommen, und falls die Schneidnut 33 von einer gewünschten Position abweicht, kann eine Korrektur durchgeführt werden, sodass die Schneidnut 33 an der gewünschten Position ausgebildet wird. Entsprechend kann in der folgenden Schneidbetätigung die Schneidnut 33 an der gewünschten Position ausgebildet werden darüber hinaus werden in dem Speicherschritt für eine Position eines Metallmusters die Positionen, an denen die Metallmuster 17 und 18 ausgebildet sind, in dem Speichermittel 81 gespeichert. In dem Messschritt für eine Schneidposition wird die Schneidnut, die an Positionen ausgebildet ist, an denen die Metallmuster 17 und 18 nicht ausgebildet sind, der Überprüfung der Schneidfuge ausgesetzt, mit Bezug zu der Information, die in dem Speichermittel 81 gespeichert sind. Entsprechend kann die Überprüfung der Schneidfuge durchgeführt werden, ohne durch die Grate beeinflusst zu werden, die durch die Metallmuster beim Schneiden des Wafers gebildet werden, sodass der Wafer mit einer hohen Genauigkeit geschnitten werden kann.
  • Während die vordere Seite W1 des Wafers W geschnitten wird, um die Schneidnut 33 auszubilden, die eine vorbestimmte Tiefe aufweist, welche in dieser bevorzugten Ausführungsform die hintere Seite des Wafers W nicht erreicht, kann die Tiefe der Schneidnut 33 die hintere Seite des Wafers W erreichen.
  • Die Schneidvorrichtung, die in der vorliegenden Erfindung verwendbar ist, beinhaltet auch einen Typ, in dem zwei Schneidmittel, die jeweils eine Schneidklinge aufweisen, bereitgestellt sind, und zwei Bildgebungsmittel, die in der Nähe der zwei Schneidmittel bereitgestellt sind, wobei die Schneidklinge der zwei Schneidmittel an zwei beliebigen Linien an dem Wafer gleichzeitig aufgebracht werden, um zwei geschnitten Nuten entlang der zwei Linien auszubilden. In dem Fall, dass dieser Typ Vorrichtung verwendet wird, werden die zwei Schneidnuten durch zwei bildgebenden Mittel aufgenommen und die Positionsbeziehung zwischen der Position von jeder geschnittenen Nut und einer gewünschten Schneidposition wird getrennt bestimmt. Ferner kann die Position von jedem Schneidmittel einzelnen entsprechend der Positionsbeziehung, die oben bestimmt wurde, angepasst werden, um dadurch zu ermöglicht, dass jede Schneidklinge den Wafer in einer gewünschten Position schneidet.
  • Die vorliegende Erfindung ist nicht auf die Details der oben beschriebenen bevorzugten Ausführungsform beschränkt. Der Umfang der Erfindung wird durch die beigefügten Ansprüche definiert und alle Änderungen und Modifikationen, die in das Äquivalente des Umfangs der Ansprüche fallen, werden dadurch durch die Erfindung umfasst.
  • ZITATE ENTHALTEN IN DER BESCHREIBUNG
  • Diese Liste der vom Anmelder aufgeführten Dokumente wurde automatisiert erzeugt und ist ausschließlich zur besseren Information des Lesers aufgenommen. Die Liste ist nicht Bestandteil der deutschen Patent- bzw. Gebrauchsmusteranmeldung. Das DPMA übernimmt keinerlei Haftung für etwaige Fehler oder Auslassungen.
  • Zitierte Patentliteratur
    • JP 2012-151225 [0002]

Claims (1)

  1. Waferbearbeitungsverfahren zum Bearbeiten eines Wafers unter Verwendung einer Schneidvorrichtung, die ein Schneidmittel beinhaltet, das eine Schneidklinge aufweist, wobei der Wafer ein Substrat und mehrere Bauelemente beinhaltet, die an einer vorderen Seite des Substrats in mehreren getrennten Bereichen ausgebildet sind, die durch mehrere sich kreuzende Teilungslinien gebildet werden, wobei der Wafer ferner mehrere Metallmuster zum Testen beinhaltet, die an einem Teil der Teilungslinien in gegebenen Abständen angeordnet sind, wobei das Waferbearbeitungsverfahren beinhaltet: einen Speicherschritt für eine Position eines Metallmusters zum Speichern von Informationen über die Abstände und Positionen der Metallmuster in einem Speichermittel, das in der Schneidvorrichtung enthalten ist; einen Ausrichtungsschritt zum Detektieren der Teilungslinien des Wafers unter Verwendung eines Ausrichtungsmittels, das in der Schneidvorrichtung beinhaltet ist, nach dem Durchführen des Speicherschritts für eine Position des Metallmusters; einen Ausbildungsschritt für eine Schneidnut zum Ausbilden einer Schneidnut entlang jeder Teilungslinie unter Verwendung der Schneidklinge der Schneidvorrichtung nach dem Durchführen des Ausrichtungsschritts; und einen Messschritt für eine Schneidposition zum Aufnehmen eines Bereichs, der die Schneidnut enthält, an einer Position, an der die Metallmuster nicht ausgebildet sind, unter Verwendung eines Bildgebungsmittels, das in der Schneidvorrichtung beinhaltet ist, entsprechend der Informationen über die Abstände und Positionen der Metallmuster, die vorher in dem Speicherschritt für eine Position eines Metallmusters gespeichert wurden, während des Durchführens des Ausbildungsschritts für eine Schneidnut, und als nächstes Messen der Positionsbeziehung zwischen der Position der Schneidnut und einer vorbestimmten Schneidposition.
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Families Citing this family (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP6812079B2 (ja) * 2017-03-13 2021-01-13 株式会社ディスコ 被加工物の加工方法
JP2019046923A (ja) * 2017-08-31 2019-03-22 株式会社ディスコ ウエーハの加工方法
JP6979312B2 (ja) * 2017-09-08 2021-12-08 株式会社ディスコ アライメントパターンの設定方法
JP7064887B2 (ja) * 2018-01-12 2022-05-11 株式会社ディスコ 加工装置の管理方法および加工装置
WO2021059937A1 (ja) * 2019-09-27 2021-04-01 株式会社東京精密 ダイシング装置及び方法
JP7313253B2 (ja) * 2019-10-10 2023-07-24 株式会社ディスコ ウエーハの加工方法
JP7382833B2 (ja) 2020-01-06 2023-11-17 株式会社ディスコ 加工装置
JP7463037B2 (ja) * 2020-08-26 2024-04-08 株式会社ディスコ 検査用基板及び検査方法

Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2012151225A (ja) 2011-01-18 2012-08-09 Disco Abrasive Syst Ltd 切削溝の計測方法

Family Cites Families (16)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH06224296A (ja) * 1993-01-27 1994-08-12 Sumitomo Electric Ind Ltd 半導体ウェーハのダイシング方法及び装置
JP3280747B2 (ja) * 1993-05-11 2002-05-13 株式会社東京精密 ダイシング加工管理方法および加工品質管理システム
JPH09270446A (ja) * 1996-03-29 1997-10-14 Toshiba Corp 半導体検査装置
JPH10189443A (ja) * 1996-11-07 1998-07-21 Nikon Corp 位置検出用マーク、マーク検出方法及びその装置並びに露光装置
JP4377702B2 (ja) * 2004-01-08 2009-12-02 株式会社ディスコ 切削溝の計測方法
JP4753170B2 (ja) * 2004-03-05 2011-08-24 三洋電機株式会社 半導体装置及びその製造方法
JP5134412B2 (ja) * 2008-03-28 2013-01-30 株式会社ディスコ チッピング検出方法
JP2009278029A (ja) * 2008-05-19 2009-11-26 Tokyo Seimitsu Co Ltd ダイシング装置
JP2010137309A (ja) * 2008-12-10 2010-06-24 Disco Abrasive Syst Ltd 切削装置の稼動開始時切削方法
JP5602548B2 (ja) * 2010-09-01 2014-10-08 株式会社ディスコ 加工位置検出方法
JP5904721B2 (ja) * 2011-06-10 2016-04-20 株式会社ディスコ 分割予定ライン検出方法
JP6108806B2 (ja) * 2012-12-10 2017-04-05 株式会社ディスコ 加工装置
JP6215730B2 (ja) * 2014-02-26 2017-10-18 株式会社ディスコ 加工装置におけるウエーハの中心検出方法
JP6228044B2 (ja) * 2014-03-10 2017-11-08 株式会社ディスコ 板状物の加工方法
JP6328513B2 (ja) * 2014-07-28 2018-05-23 株式会社ディスコ ウエーハの加工方法
JP6465722B2 (ja) * 2015-04-06 2019-02-06 株式会社ディスコ 加工装置

Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2012151225A (ja) 2011-01-18 2012-08-09 Disco Abrasive Syst Ltd 切削溝の計測方法

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US20170186646A1 (en) 2017-06-29

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