JP2017112361A5 - - Google Patents
Download PDFInfo
- Publication number
- JP2017112361A5 JP2017112361A5 JP2016224441A JP2016224441A JP2017112361A5 JP 2017112361 A5 JP2017112361 A5 JP 2017112361A5 JP 2016224441 A JP2016224441 A JP 2016224441A JP 2016224441 A JP2016224441 A JP 2016224441A JP 2017112361 A5 JP2017112361 A5 JP 2017112361A5
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- conductive film
- field effect
- effect transistor
- manufacturing
- transistor according
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 230000005669 field effect Effects 0.000 claims description 22
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 claims description 22
- 238000005530 etching Methods 0.000 claims description 14
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims description 8
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 7
- 238000000059 patterning Methods 0.000 claims description 4
- 238000001039 wet etching Methods 0.000 claims description 3
- 150000001768 cations Chemical class 0.000 claims 7
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 claims 7
- QTBSBXVTEAMEQO-UHFFFAOYSA-N Acetic acid Chemical compound CC(O)=O QTBSBXVTEAMEQO-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 3
- MUBZPKHOEPUJKR-UHFFFAOYSA-N Oxalic acid Chemical compound OC(=O)C(O)=O MUBZPKHOEPUJKR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 3
- 239000002019 doping agent Substances 0.000 claims 3
- NBIIXXVUZAFLBC-UHFFFAOYSA-N Phosphoric acid Chemical compound OP(O)(O)=O NBIIXXVUZAFLBC-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 2
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 claims 2
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 claims 2
- 229910003437 indium oxide Inorganic materials 0.000 claims 2
- PJXISJQVUVHSOJ-UHFFFAOYSA-N indium(iii) oxide Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[In+3].[In+3] PJXISJQVUVHSOJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 2
- 229910052750 molybdenum Inorganic materials 0.000 claims 2
- GRYLNZFGIOXLOG-UHFFFAOYSA-N Nitric acid Chemical compound O[N+]([O-])=O GRYLNZFGIOXLOG-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- 239000003513 alkali Substances 0.000 claims 1
- 229910000147 aluminium phosphate Inorganic materials 0.000 claims 1
- 229910052738 indium Inorganic materials 0.000 claims 1
- 229910021645 metal ion Inorganic materials 0.000 claims 1
- 229910017604 nitric acid Inorganic materials 0.000 claims 1
- 235000006408 oxalic acid Nutrition 0.000 claims 1
- 229910052761 rare earth metal Inorganic materials 0.000 claims 1
- 229910052718 tin Inorganic materials 0.000 claims 1
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 claims 1
- 229910052725 zinc Inorganic materials 0.000 claims 1
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| US15/376,895 US10204799B2 (en) | 2015-12-15 | 2016-12-13 | Method for manufacturing a field-effect transistor |
| US16/232,611 US20190148168A1 (en) | 2015-12-15 | 2018-12-26 | Method for manufacturing a field-effect transistor |
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2015244316 | 2015-12-15 | ||
| JP2015244316 | 2015-12-15 |
Publications (3)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2017112361A JP2017112361A (ja) | 2017-06-22 |
| JP2017112361A5 true JP2017112361A5 (enExample) | 2019-12-05 |
| JP6907512B2 JP6907512B2 (ja) | 2021-07-21 |
Family
ID=59079757
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2016224441A Active JP6907512B2 (ja) | 2015-12-15 | 2016-11-17 | 電界効果型トランジスタの製造方法 |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| US (2) | US10204799B2 (enExample) |
| JP (1) | JP6907512B2 (enExample) |
Families Citing this family (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR102363115B1 (ko) | 2017-03-17 | 2022-02-15 | 가부시키가이샤 리코 | 전계 효과형 트랜지스터, 그 제조 방법, 표시 소자, 표시 디바이스 및 시스템 |
| CN111373514A (zh) * | 2017-11-20 | 2020-07-03 | 株式会社爱发科 | 氧化物半导体薄膜 |
| KR20200011025A (ko) | 2018-07-23 | 2020-01-31 | 가부시키가이샤 리코 | 금속 산화물, 전계 효과형 트랜지스터, 및 전계 효과형 트랜지스터의 제조 방법 |
| JP7326795B2 (ja) | 2019-03-20 | 2023-08-16 | 株式会社リコー | 電界効果型トランジスタ、表示素子、画像表示装置、及びシステム |
| JP2022145974A (ja) * | 2021-03-22 | 2022-10-05 | 株式会社リコー | 電界効果型トランジスタ、表示素子、画像表示装置、及びシステム |
Family Cites Families (26)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0212796A (ja) * | 1988-06-29 | 1990-01-17 | Nippon Seiki Co Ltd | 薄膜el素子の電極形成方法 |
| KR100245180B1 (ko) * | 1996-05-29 | 2000-02-15 | 니시무로 타이죠 | 감광성 조성물 및 그를 이용한 패턴 형성방법 |
| EP1998373A3 (en) * | 2005-09-29 | 2012-10-31 | Semiconductor Energy Laboratory Co, Ltd. | Semiconductor device having oxide semiconductor layer and manufacturing method thereof |
| JP5064747B2 (ja) * | 2005-09-29 | 2012-10-31 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体装置、電気泳動表示装置、表示モジュール、電子機器、及び半導体装置の作製方法 |
| CN101336485B (zh) * | 2005-12-02 | 2012-09-26 | 出光兴产株式会社 | Tft基板及tft基板的制造方法 |
| TWI478347B (zh) * | 2007-02-09 | 2015-03-21 | 出光興產股份有限公司 | A thin film transistor, a thin film transistor substrate, and an image display device, and an image display device, and a semiconductor device |
| WO2008117739A1 (ja) * | 2007-03-23 | 2008-10-02 | Idemitsu Kosan Co., Ltd. | 半導体デバイス、多結晶半導体薄膜、多結晶半導体薄膜の製造方法、電界効果型トランジスタ、及び、電界効果型トランジスタの製造方法 |
| US8530891B2 (en) * | 2007-04-05 | 2013-09-10 | Idemitsu Kosan Co., Ltd | Field-effect transistor, and process for producing field-effect transistor |
| JP2010123758A (ja) * | 2008-11-19 | 2010-06-03 | Nec Corp | 薄膜デバイス及びその製造方法 |
| JP5606680B2 (ja) * | 2009-01-19 | 2014-10-15 | 富士フイルム株式会社 | 薄膜トランジスタの製造方法及び電気光学装置の製造方法 |
| PT104482A (pt) * | 2009-04-01 | 2010-10-01 | Univ Nova De Lisboa | Método de fabrico e criação de transístores de filme fino electrocrómicos de estrutura lateral ou vertical utilizando substratos vitrocerâmicos, poliméricos, metálicos ou de papel celulósico natural, sintético ou misto funcionalizados ou não funciona |
| JP5640478B2 (ja) * | 2009-07-09 | 2014-12-17 | 株式会社リコー | 電界効果型トランジスタの製造方法及び電界効果型トランジスタ |
| KR101689378B1 (ko) * | 2010-04-23 | 2016-12-26 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 반도체 장치의 제작 방법 |
| JP6064314B2 (ja) * | 2010-11-29 | 2017-01-25 | 株式会社リコー | 金属酸化物薄膜形成用塗布液、金属酸化物薄膜の製造方法、及び電界効果型トランジスタの製造方法 |
| JP5717546B2 (ja) * | 2011-06-01 | 2015-05-13 | 三菱電機株式会社 | 薄膜トランジスタ基板およびその製造方法 |
| JP5783094B2 (ja) * | 2011-11-30 | 2015-09-24 | 株式会社リコー | p型酸化物、p型酸化物製造用組成物、p型酸化物の製造方法、半導体素子、表示素子、画像表示装置、及びシステム |
| JP5929132B2 (ja) * | 2011-11-30 | 2016-06-01 | 株式会社リコー | 金属酸化物薄膜形成用塗布液、金属酸化物薄膜の製造方法、及び電界効果型トランジスタの製造方法 |
| JP6051960B2 (ja) * | 2012-03-19 | 2016-12-27 | 株式会社リコー | 導電性薄膜、導電性薄膜形成用塗布液、電界効果型トランジスタ、及び電界効果型トランジスタの製造方法 |
| JP6015389B2 (ja) * | 2012-11-30 | 2016-10-26 | 株式会社リコー | 電界効果型トランジスタ、表示素子、画像表示装置、及びシステム |
| JP6077978B2 (ja) * | 2012-12-28 | 2017-02-08 | 株式会社神戸製鋼所 | 薄膜トランジスタおよびその製造方法 |
| JP6454974B2 (ja) * | 2013-03-29 | 2019-01-23 | 株式会社リコー | 金属酸化物膜形成用塗布液、金属酸化物膜の製造方法、及び電界効果型トランジスタの製造方法 |
| JP6421446B2 (ja) * | 2013-06-28 | 2018-11-14 | 株式会社リコー | 電界効果型トランジスタ、表示素子、画像表示装置及びシステム |
| JP6264090B2 (ja) * | 2013-07-31 | 2018-01-24 | 株式会社リコー | 電界効果型トランジスタ、及び電界効果型トランジスタの製造方法 |
| JP6394171B2 (ja) * | 2013-10-30 | 2018-09-26 | 株式会社リコー | 電界効果型トランジスタ、表示素子、画像表示装置、及びシステム |
| JP6651714B2 (ja) * | 2014-07-11 | 2020-02-19 | 株式会社リコー | n型酸化物半導体製造用塗布液、電界効果型トランジスタ、表示素子、画像表示装置、及びシステム |
| CN105321827A (zh) * | 2015-10-26 | 2016-02-10 | 华南理工大学 | 湿法刻蚀型氧化物薄膜晶体管的制备方法及所制备的薄膜晶体管 |
-
2016
- 2016-11-17 JP JP2016224441A patent/JP6907512B2/ja active Active
- 2016-12-13 US US15/376,895 patent/US10204799B2/en active Active
-
2018
- 2018-12-26 US US16/232,611 patent/US20190148168A1/en not_active Abandoned
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP2017112361A5 (enExample) | ||
| JP2012160719A5 (enExample) | ||
| JP2013153148A5 (ja) | 半導体装置の作製方法 | |
| JP2011222988A5 (enExample) | ||
| JP2013175710A5 (ja) | 半導体装置の作製方法 | |
| JP2014029994A5 (ja) | 半導体装置の作製方法 | |
| JP2014132646A5 (ja) | 半導体装置及びその作製方法 | |
| JP2014007393A5 (ja) | 半導体装置の作製方法 | |
| JP2011199272A5 (enExample) | ||
| JP2016021562A5 (enExample) | ||
| JP2013251533A5 (enExample) | ||
| JP2012080096A5 (enExample) | ||
| JP2011135064A5 (ja) | 半導体装置の作製方法 | |
| JP2012054547A5 (ja) | 半導体装置の作製方法 | |
| JP2013021310A5 (ja) | 半導体装置の作製方法 | |
| JP2014212312A5 (ja) | 半導体装置の作製方法 | |
| JP2013149955A5 (ja) | 半導体装置の作製方法 | |
| JP2012009838A5 (ja) | 半導体装置の作製方法 | |
| JP2012160715A5 (enExample) | ||
| JP2014135478A5 (ja) | 半導体装置の作製方法 | |
| JP2011135063A5 (enExample) | ||
| JP2011222984A5 (enExample) | ||
| JP2013153160A5 (ja) | 半導体装置の作製方法 | |
| JP2016139777A5 (ja) | 半導体装置および半導体装置の作製方法 | |
| JP2012160716A5 (enExample) |