JP2017103462A - 半導体装置の作製方法 - Google Patents

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Abstract

【課題】酸化物半導体膜を成膜する成膜技術を提供することを課題の一とする。また、その酸化物半導体膜を用いた信頼性の高い半導体素子を作製する方法を提供することを課題の一とする。【解決手段】成膜に用いるスパッタリングターゲットの中の不純物であるアルカリ金属、アルカリ土類金属、及び水素を排除することにより得られる新規なスパッタリングターゲットを用いれば、これらの不純物の含有量の少ない酸化物半導体膜を成膜することができる。【選択図】図１

Description

本発明はスパッタリングターゲット及びその製造方法に関する。また、当該スパッタリン
グターゲットを用いて製造された、酸化物半導体を用いる半導体装置の作製方法に関する
。
なお、本明細書中において半導体装置とは、半導体特性を利用することで機能しうる装
置全般を指し、電気光学装置、半導体回路および電子機器は全て半導体装置である。
液晶表示装置に代表されるように、ガラス基板などの平板に形成されるトランジスタは、
主にアモルファスシリコン、または多結晶シリコンなどの半導体材料を用いて作製される
。アモルファスシリコンを用いたトランジスタは、電界効果移動度が低いもののガラス基
板の大面積化に対応することができ、一方、多結晶シリコンを用いたトランジスタは、電
界効果移動度が高いもののレーザアニールなどの結晶化工程が必要であり、ガラス基板の
大面積化には必ずしも適応しないといった特性を有している。
これに対し、半導体材料として酸化物半導体を用いてトランジスタを作製し、該トランジ
スタを電子デバイスや光デバイスに応用する技術が注目されている。例えば、半導体材料
として酸化亜鉛、Ｉｎ−Ｇａ−Ｚｎ系酸化物半導体を用いてトランジスタを作製し、画像
表示装置のスイッチング素子などに用いる技術が特許文献１及び特許文献２で開示されて
いる。
酸化物半導体にチャネル形成領域（チャネル領域ともいう）を設けたトランジスタは、ア
モルファスシリコンを用いたトランジスタよりも高い電界効果移動度が得られている。酸
化物半導体膜はスパッタリング法などによって比較的低温で膜形成が可能であり、多結晶
シリコンを用いたトランジスタよりも製造工程が簡単である。
このような酸化物半導体を用いてガラス基板、プラスチック基板などにトランジスタを形
成し、液晶ディスプレイ、エレクトロルミネセンスディスプレイ（ＥＬディスプレイとも
いう）または電子ペーパーなどの表示装置への応用が期待されている。
特開２００７−１２３８６１号公報 特開２００７−９６０５５号公報
しかしながら、酸化物半導体を用いて作製した半導体素子の特性は未だ充分なものとは言
えない。例えば、酸化物半導体膜を用いたトランジスタには、制御された閾値電圧、速い
動作速度、そして十分な信頼性が求められている。
本発明の一態様の目的は、酸化物半導体膜を成膜する成膜技術を提供することを課題の一
とする。また、その酸化物半導体膜を用いた信頼性の高い半導体素子を作製する方法を提
供することを課題の一とする。
酸化物半導体を用いたトランジスタの閾値電圧は酸化物半導体膜に含まれるキャリア密度
に影響される。また、酸化物半導体膜に含まれるキャリアは、酸化物半導体膜に含まれる
不純物により発生する。例えば、成膜された酸化物半導体膜に含まれるＨ２Ｏに代表され
る水素原子を含む化合物や、アルカリ金属を含む化合物、もしくはアルカリ土類金属を含
む化合物等の不純物は、酸化物半導体膜のキャリア密度を高める。
そこで、上記目的を達成するためには、酸化物半導体膜に含まれるキャリア密度に影響す
る不純物、例えば、Ｈ２Ｏに代表される水素原子を含む化合物、アルカリ金属を含む化合
物、もしくはアルカリ土類金属を含む化合物等の不純物を排除すればよい。具体的には、
成膜に用いるスパッタリングターゲットの中の不純物であるアルカリ金属、アルカリ土類
金属、及び水素を排除することにより得られる新規なスパッタリングターゲットを用いれ
ば、これらの不純物の含有量の少ない酸化物半導体膜を成膜することができる。
本発明の一態様のスパッタリングターゲットは、酸化物半導体膜を形成するスパッタリン
グターゲットであって、亜鉛、アルミニウム、ガリウム、インジウム、またはスズから選
ばれた少なくとも一の酸化物の焼結体を含み、ＳＩＭＳにおける焼結体の含有アルカリ金
属濃度が５×１０１６ｃｍ−３以下であることを特徴とする。さらに、ＳＩＭＳにおける
その焼結体の含有水素濃度が１×１０１９ｃｍ−３以下、好ましくは１×１０１８ｃｍ−
３以下、さらに好ましくは１×１０１６ｃｍ−３未満であることを特徴とする。
より具体的には、ＳＩＭＳにおけるＮａ（ナトリウム）の濃度が５×１０１６ｃｍ−３以
下、好ましくは１×１０１６ｃｍ−３以下、さらに好ましくは１×１０１５ｃｍ−３以下
とする。また、ＳＩＭＳにおけるＬｉ（リチウム）の濃度が５×１０１５ｃｍ−３以下、
好ましくは１×１０１５ｃｍ−３以下とする。また、ＳＩＭＳにおけるＫ（カリウム）の
濃度が５×１０１５ｃｍ−３以下、好ましくは１×１０１５ｃｍ−３以下とする。
酸化物半導体は不純物に対して鈍感であり、膜中にはかなりの金属不純物が含まれていて
も問題がなく、ナトリウムのようなアルカリ金属が多量に含まれる廉価なソーダ石灰ガラ
スも使えると指摘されている（神谷、野村、細野、「アモルファス酸化物半導体の物性と
デバイス開発の現状」、アグネ技術センター、固体物理、２００９年９月号、Ｖｏｌ．４
４、ｐ．６２１−６３３）。しかし、このような指摘は適切でない。
アルカリ金属、及びアルカリ土類金属は酸化物半導体層を用いたトランジスタにとっては
悪性の不純物であり、少ないほうがよい。特にアルカリ金属のうち、Ｎａは酸化物半導体
層に接する絶縁膜が酸化物であった場合、その中に拡散し、Ｎａ＋となる。また、酸化物
半導体層内において、金属と酸素の結合を分断し、あるいは結合中に割り込む。その結果
、トランジスタ特性の劣化（例えば、ノーマリオン化（しきい値の負へのシフト）、移動
度の低下等）をもたらす。加えて、特性のばらつきの原因ともなる。このような問題は、
特に酸化物半導体層中の水素の濃度が十分に低い場合において顕著となる。したがって、
酸化物半導体層中の水素の濃度が５×１０１９ｃｍ−３以下、特に５×１０１８ｃｍ−３
以下である場合には、アルカリ金属の濃度を上記の値にすることが強く求められる。
なお、本明細書において、スパッタリングターゲットまたは酸化物半導体膜中の不純物濃
度は、二次イオン質量分析法（ＳＩＭＳ：Ｓｅｃｏｎｄａｒｙ Ｉｏｎ Ｍａｓｓ Ｓｐ
ｅｃｔｒｏｓｃｏｐｙ）による測定値を用いる。なお、ＳＩＭＳ分析は、その原理上、試
料表面近傍や、材質が異なる膜との積層界面近傍のデータを正確に得ることが困難である
ことが知られている。そこで、膜中における不純物濃度の厚さ方向の分布を、ＳＩＭＳで
分析する場合、不純物濃度は、対象となる膜の存在する範囲において、極端な変動が無く
、ほぼ一定の強度が得られる領域における最低値を採用する。また、測定の対象となる膜
の厚さが小さい場合、隣接する膜中の不純物濃度の影響を受けて、ほぼ一定の強度の得ら
れる領域を見いだせない場合がある。この場合、当該膜の存在する領域における、最低値
を、不純物濃度として採用する。
本発明の一態様は、水素原子や、アルカリ金属や、アルカリ土類金属等の不純物の含有量
が少ないスパッタリングターゲットを提供することが可能である。また、そのスパッタリ
ングターゲットを用い、不純物の低減された酸化物半導体膜を成膜することが可能である
。また、不純物の含有量が少ない酸化物半導体膜を用いた信頼性の高い半導体素子を作製
する方法を提供することができる。
スパッタリングターゲットの製造方法を示すフロー図。 スパッタリングターゲットの上面を示す図。 トランジスタの作製方法の一例を示す断面図。
以下では、本発明の実施の形態について図面を用いて詳細に説明する。ただし、本発明は
以下の説明に限定されず、その形態および詳細を様々に変更し得ることは、当業者であれ
ば容易に理解される。また、本発明は以下に示す実施の形態の記載内容に限定して解釈さ
れるものではない。
（実施の形態１）
本実施の形態では、本発明の一態様であるスパッタリングターゲットの製造方法について
図１を参照して説明する。図１は、本実施の形態に係るスパッタリングターゲットの製造
方法の一例を示すフローチャートである。
はじめに、スパッタリングターゲットの材料を構成する複数の単体金属（Ｚｎ、Ｉｎ、Ａ
ｌ、Ｓｎなど）をそれぞれ蒸留、昇華、または再結晶を繰り返して精製する（Ｓ１０１）
。その後、それぞれ精製した金属を粉末状に加工する。なお、スパッタリングターゲット
の材料として、ＧａやＳｉを用いる場合は、ゾーンメルト法や、チョクラルスキー法を使
って単結晶を得た後、粉末状に加工する。そして、これら各スパッタリングターゲット材
料を高純度の酸素雰囲気下で焼成して酸化させる（Ｓ１０２）。そして得られた各酸化物
粉末の秤量を適宜行い、秤量した各酸化物粉末を混合する（Ｓ１０３）。
高純度の酸素雰囲気は、例えば６Ｎ（９９．９９９９％）以上、好ましくは７Ｎ（９９．
９９９９９％）以上、（即ち不純物濃度を１ｐｐｍ以下、好ましくは０．１ｐｐｍ以下）
の純度とする。
本実施の形態では、Ｉｎ−Ｇａ−Ｚｎ系酸化物半導体用スパッタリングターゲットを製造
するものとし、例えば、Ｉｎ２Ｏ３、Ｇａ２Ｏ３、及びＺｎＯを、組成比として、Ｉｎ２
Ｏ３：Ｇａ２Ｏ３：ＺｎＯ＝１：１：１［ｍｏｌ数比］となるように秤量する。
また、本実施の形態において製造される酸化物半導体用スパッタリングターゲットとして
は、Ｉｎ−Ｇａ−Ｚｎ系酸化物半導体用スパッタリングターゲットに限られるものではな
く、他にも、Ｉｎ−Ｓｎ−Ｇａ−Ｚｎ系酸化物半導体用スパッタリングターゲット、Ｉｎ
−Ｓｎ−Ｚｎ系酸化物半導体用スパッタリングターゲット、Ｉｎ−Ａｌ−Ｚｎ系酸化物半
導体用スパッタリングターゲット、Ｓｎ−Ｇａ−Ｚｎ系酸化物半導体用スパッタリングタ
ーゲット、Ａｌ−Ｇａ−Ｚｎ系酸化物半導体用スパッタリングターゲット、Ｓｎ−Ａｌ−
Ｚｎ系酸化物半導体用スパッタリングターゲット、Ｉｎ−Ｚｎ系酸化物半導体用スパッタ
リングターゲット、Ｓｎ−Ｚｎ系酸化物半導体用スパッタリングターゲット、Ａｌ−Ｚｎ
系酸化物半導体用スパッタリングターゲット、Ｉｎ系酸化物半導体用スパッタリングター
ゲット、Ｓｎ系酸化物半導体用スパッタリングターゲット、Ｚｎ系酸化物半導体用スパッ
タリングターゲットなどが挙げられる。
次いで、混合物を所定の形状に成形し、焼成して、金属酸化物の焼結体を得る（Ｓ１０４
）。スパッタリングターゲット材料を焼成することにより、スパッタリングターゲットに
水素や水分やハイドロカーボン等が混入することを防ぐことが出来る。焼成は、不活性ガ
ス雰囲気（窒素または希ガス雰囲気）下、真空中または高圧雰囲気中で行うことができ、
さらに機械的な圧力を加えながら行ってもよい。焼成法としては、常圧焼成法、加圧焼成
法等を適宜用いることができる。また、加圧焼成法としては、ホットプレス法、熱間等方
加圧（ＨＩＰ；Ｈｏｔ Ｉｓｏｓｔａｔｉｃ Ｐｒｅｓｓｉｎｇ）法、放電プラズマ焼結
法、又は衝撃法を適用することが好ましい。焼成の最高温度はスパッタリングターゲット
材料の焼結温度により選択するが、１０００℃〜２０００℃程度とするのが好ましく、１
２００℃〜１５００℃とするのがより好ましい。また、最高温度の保持時間は、スパッタ
リングターゲット材料により選択するが、０．５時間〜３時間とするのが好ましい。
なお、本実施の形態の酸化物半導体用スパッタリングターゲットは充填率が９０％以上１
００％以下、より好ましくは９５％以上９９．９％以下とするのが好ましい。
次いで、所望の寸法、所望の形状、及び所望の表面粗さを有するスパッタリングターゲッ
トに成形するための機械加工を施す（Ｓ１０５）。加工手段としては、例えば機械的研磨
、化学的機械研磨（Ｃｈｅｍｉｃａｌ Ｍｅｃｈａｎｉｃａｌ Ｐｏｌｉｓｈｉｎｇ Ｃ
ＭＰ）、またはこれらの併用等を用いることができる。
次いで、機械加工によって発生する細かな塵や、研削液成分の除去のために洗浄をおこな
ってもよい。ただし、洗浄として水や有機溶媒に浸漬させた超音波洗浄、流水洗浄等によ
ってスパッタリングターゲットを洗浄する場合、その後にターゲット中及び表面の含水素
濃度が充分低減するための加熱処理を行うことが好ましい。
その後、スパッタリングターゲットに加熱処理を加える（Ｓ１０６）。加熱処理は、不活
性ガス雰囲気（窒素または希ガス雰囲気）中で行うのが好ましく、加熱処理の温度は、ス
パッタリングターゲット材料によって異なるが、スパッタリングターゲット材料が変性し
ない温度とする。具体的には、１５０℃以上であって７５０℃以下、好ましくは４２５℃
以上であって７５０℃以下とする。また、加熱時間は、具体的には０．５時間以上、好ま
しくは１時間以上とする。なお、加熱処理は、真空中または高圧雰囲気中で行ってもよい
。
その後、スパッタリングターゲットをバッキングプレートと呼ばれる金属板に貼り合わせ
る（Ｓ１０７）。バッキングプレートは、スパッタリングターゲット材料の冷却とスパッ
タ電極としての役割をもつため、熱伝導性および導電性に優れた銅を用いることが好まし
い。また、銅以外にも、チタン、銅合金、ステンレス合金等を用いることも可能である。
また、バッキングプレートにスパッタリングターゲットを貼り付ける際、スパッタリング
ターゲットを分割して一枚のバッキングプレートにボンディングしてもよい。図２（Ａ）
（Ｂ）にスパッタリングターゲットを分割して一枚のバッキングプレートに貼り付ける（
ボンディング）する例を示す。
図２（Ａ）はバッキングプレート８５０にスパッタリングターゲット８５１をスパッタリ
ングターゲット８５１ａ、８５１ｂ、８５１ｃ、８５１ｄと４分割して貼り付ける例であ
る。また、図２（Ｂ）はより多数にスパッタリングターゲットを分割した例であり、バッ
キングプレート８５０にスパッタリングターゲット８５２をスパッタリングターゲット８
５２ａ、８５２ｂ、８５２ｃ、８５２ｄ、８５２ｅ、８５２ｆ、８５２ｇ、８５２ｈ、８
５２ｉと９分割して貼り付けている。なお、スパッタリングターゲットの分割数及びター
ゲット形状は図２（Ａ）（Ｂ）に限定されない。スパッタリングターゲットを分割すると
バッキングプレートに貼り付ける際のスパッタリングターゲットの反りを緩和することが
できる。このような分割したスパッタリングターゲットは、大面積基板に成膜する場合、
それに伴って大型化するスパッタリングターゲットに特に好適に用いることができる。も
ちろん、一枚のバッキングプレートに一枚のスパッタリングターゲットを貼り付けてもよ
い。
また、加熱処理後のスパッタリングターゲットは、水分や水素やアルカリ金属などの不純
物の再混入を防止するため、高純度の酸素ガス、高純度のＮ２Ｏガス、又は超乾燥エア（
露点が−４０℃以下、好ましくは−６０℃以下）雰囲気で搬送、保存等するのが好ましい
。または、ステンレス合金等の透水性の低い材料で形成された保護材で覆ってもよく、ま
たその保護材とターゲットの間隙に上述のガスを導入しても良い。酸素ガスまたはＮ２Ｏ
ガスには、水、水素などが含まれないことが好ましい。または、酸素ガスまたはＮ２Ｏガ
スの純度を、６Ｎ（９９．９９９９％）以上、好ましくは７Ｎ（９９．９９９９９％）以
上、（即ち酸素ガスまたはＮ２Ｏガス中の不純物濃度を１ｐｐｍ以下、好ましくは０．１
ｐｐｍ以下）とすることが好ましい。
以上により、本実施の形態のスパッタリングターゲットを製造することができる。本実施
の形態で示すスパッタリングターゲットは、製造工程において、それぞれ精製した高純度
の材料を用いることで不純物の含有量の少ないものとすることができる。また、当該ター
ゲットを用いて作製された酸化物半導体膜が含有する不純物の濃度も低減することができ
る。
また、上記スパッタリングターゲットの製造において、大気にさらさず不活性ガス雰囲気
（窒素または希ガス雰囲気）下で行うことが好ましい。
なお、スパッタリングターゲットをスパッタ装置に取り付ける際も、大気にさらさず不活
性ガス雰囲気（窒素または希ガス雰囲気）下で行うことで、スパッタリングターゲットに
水素や水分やアルカリ金属等が付着することを防ぐことができる。
また、スパッタリングターゲットをスパッタ装置に取り付けた後、ターゲット表面やター
ゲット材料中に残存している水素を除去するために脱水素処理を行うことが好ましい。脱
水素処理としては成膜チャンバー内を減圧下で２００℃〜６００℃に加熱する方法や、加
熱しながら窒素や不活性ガスの導入と排気を繰り返す方法等がある。
また、スパッタリングターゲットを取り付けたスパッタ装置は、リークレートを１×１０
−１０Ｐａ・ｍ３／秒以下とし、特に排気手段としてクライオポンプを用いて水の不純物
としての混入を減らし、逆流防止も図ることが好ましい。
以下に、上記フローにより得られたスパッタリングターゲットが取り付けられたスパッタ
装置を用いてトランジスタを作製する例を図３を用いて説明する。トランジスタを作製す
る工程においても、スパッタ装置で成膜された酸化物半導体膜に対して、Ｈ２Ｏに代表さ
れる水素原子を含む化合物や、アルカリ金属を含む化合物、もしくはアルカリ土類金属を
含む化合物等の不純物が混入しないようにすることが好ましい。
まず、絶縁表面を有する基板１００上に導電膜を形成した後、第１のフォトリソグラフィ
工程、及びエッチング工程によりゲート電極層１１２を形成する。
基板１００とゲート電極層１１２との間には、下地膜となる絶縁膜を設けてもよく、本実
施の形態では下地膜１０１を設ける。下地膜１０１は、基板１００からの不純物元素（Ｎ
ａなど）の拡散を防止する機能があり、酸化シリコン、酸窒化シリコン、窒化シリコン、
酸化ハフニウム、酸化アルミニウム、酸化ガリウム、酸化ガリウムアルミニウム（Ｇａｘ
Ａｌ２−ｘＯ３＋ｙ（ｘは０以上２以下、ｙは０より大きく、１未満））から選ばれた膜
で形成することができる。下地膜１０１を設けることによって、後に形成する酸化物半導
体膜に基板１００からの不純物元素（Ｎａなど）が拡散されることをブロックできる。ま
た、該下地膜は単層に限らず、上記の複数の膜の積層であっても良い。
次いで、ゲート電極層１１２上に、スパッタリング法またはＰＣＶＤ法によりゲート絶縁
層１０２を形成する（図３（Ａ）参照）。ゲート絶縁層１０２の形成時も、アルカリ金属
を含む化合物、もしくはアルカリ土類金属を含む化合物等の不純物が混入しないようにす
ることが好ましく、下地膜１０１の成膜後、大気にふれることなくゲート絶縁層１０２を
形成する。
次いで、上記ゲート絶縁層１０２を形成した後、大気に触れることなく、ゲート絶縁層１
０２上に膜厚１ｎｍ以上１０ｎｍ以下の第１の酸化物半導体膜をスパッタリング法により
形成する。本実施の形態では、酸化物半導体用ターゲット（Ｉｎ−Ｇａ−Ｚｎ系酸化物半
導体用ターゲット（Ｉｎ２Ｏ３：Ｇａ２Ｏ３：ＺｎＯ＝１：１：２［ｍｏｌ数比］）を用
いて、基板とターゲットの間との距離を１７０ｍｍ、基板温度２５０℃、圧力０．４Ｐａ
、直流（ＤＣ）電源０．５ｋＷ、酸素のみ、アルゴンのみ、又はアルゴン及び酸素雰囲気
下で膜厚５ｎｍの第１の酸化物半導体膜を成膜する。酸化物半導体用ターゲットは、酸化
亜鉛、酸化アルミニウム、酸化ガリウム、酸化インジウム、または酸化スズから選ばれた
少なくとも一の酸化物の焼結体を含み、ＳＩＭＳにおける前記焼結体の含有アルカリ金属
濃度が５×１０１６ｃｍ−３以下とする。また、前記焼結体は、ＳＩＭＳにおけるＮａの
濃度が５×１０１６ｃｍ−３以下、好ましくは１×１０１６ｃｍ−３以下、さらに好まし
くは１×１０１５ｃｍ−３以下とする。また、前記焼結体は、ＳＩＭＳにおけるＬｉの濃
度が５×１０１５ｃｍ−３以下、好ましくは１×１０１５ｃｍ−３以下とする。また、前
記焼結体は、ＳＩＭＳにおけるＫの濃度が５×１０１５ｃｍ−３以下、好ましくは１×１
０１５ｃｍ−３以下とする。
次いで、上記第１の酸化物半導体膜を成膜後、大気に触れることなく、基板を配置する雰
囲気を窒素、または乾燥空気とし、第１の加熱処理を行う。第１の加熱処理の温度は、４
００℃以上７５０℃以下とする。また、第１の加熱処理の加熱時間は１分以上２４時間以
下とする。第１の加熱処理によって第１の結晶性酸化物半導体膜１０８ａを形成する（図
３（Ｂ）参照）。
次いで、上記第１の加熱処理後に大気に触れることなく、第１の結晶性酸化物半導体膜１
０８ａ上に１０ｎｍよりも厚い第２の酸化物半導体膜をスパッタリング法により形成する
。本実施の形態では、酸化物半導体用ターゲット（Ｉｎ−Ｇａ−Ｚｎ系酸化物半導体用タ
ーゲット（Ｉｎ２Ｏ３：Ｇａ２Ｏ３：ＺｎＯ＝１：１：２［ｍｏｌ数比］）を用いて、基
板とターゲットの間との距離を１７０ｍｍ、基板温度４００℃、圧力０．４Ｐａ、直流（
ＤＣ）電源０．５ｋＷ、酸素のみ、アルゴンのみ、又はアルゴン及び酸素雰囲気下で膜厚
２５ｎｍの第２の酸化物半導体膜を成膜する。酸化物半導体用ターゲットは、酸化亜鉛、
酸化アルミニウム、酸化ガリウム、酸化インジウム、または酸化スズから選ばれた少なく
とも一の酸化物の焼結体を含み、ＳＩＭＳにおける前記焼結体の含有アルカリ金属濃度が
５×１０１６ｃｍ−３以下とする。また、前記焼結体は、ＳＩＭＳにおけるＮａの濃度が
５×１０１６ｃｍ−３以下、好ましくは１×１０１６ｃｍ−３以下、さらに好ましくは１
×１０１５ｃｍ−３以下とする。また、前記焼結体は、ＳＩＭＳにおけるＬｉの濃度が５
×１０１５ｃｍ−３以下、好ましくは１×１０１５ｃｍ−３以下とする。また、前記焼結
体は、ＳＩＭＳにおけるＫの濃度が５×１０１５ｃｍ−３以下、好ましくは１×１０１５
ｃｍ−３以下とする。
なお、第１の酸化物半導体膜及び第２の酸化物半導体膜の成膜時において、Ｈ２Ｏに代表
される水素原子を含む化合物や、アルカリ金属を含む化合物、もしくはアルカリ土類金属
を含む化合物等の不純物が混入しないようにすることが好ましく、具体的には、基板とタ
ーゲットの間との距離（ＴＳ距離とも呼ぶ）を長くすることによって質量の重い不純物元
素を排気し、成膜中での混入を低減する、または成膜室内を高真空として基板上に付着し
たＨ２Ｏなどを膜形成面から再蒸発させる。また、成膜時の基板温度を２５０℃以上４５
０℃以下とすることによって、Ｈ２Ｏに代表される水素原子を含む化合物や、アルカリ金
属を含む化合物、もしくはアルカリ土類金属を含む化合物等の不純物が酸化物半導体膜中
に混入することを防ぐことが好ましい。
次いで、上記第２の酸化物半導体膜を成膜後、大気に触れることなく、基板を配置する雰
囲気を窒素、または乾燥空気とし、第２の加熱処理を行う。第２の加熱処理の温度は、４
００℃以上７５０℃以下とする。また、第２の加熱処理の加熱時間は１分以上２４時間以
下とする。第２の加熱処理によって第２の結晶性酸化物半導体膜１０８ｂを形成する（図
３（Ｃ）参照）。
次いで、第１の結晶性酸化物半導体膜１０８ａと第２の結晶性酸化物半導体膜１０８ｂか
らなる酸化物半導体積層を加工して島状の酸化物半導体積層を形成する（図３（Ｄ）参照
）。
酸化物半導体積層の加工は、所望の形状のマスクを酸化物半導体積層上に形成した後、当
該酸化物半導体積層をエッチングすることによって行うことができる。上述のマスクは、
フォトリソグラフィなどの方法を用いて形成することができる。または、インクジェット
法などの方法を用いてマスクを形成しても良い。
なお、酸化物半導体積層のエッチングは、ドライエッチングでもウェットエッチングでも
よい。もちろん、これらを組み合わせて用いてもよい。
次いで、酸化物半導体積層上にソース電極層およびドレイン電極層（これと同じ層で形成
される配線を含む）を形成するための導電膜を形成し、当該導電膜を加工して、ソース電
極層１０４ａおよびドレイン電極層１０４ｂを形成する。
次いで、酸化物半導体積層、ソース電極層１０４ａ、及びドレイン電極層１０４ｂを覆う
絶縁膜１１０ａ、絶縁膜１１０ｂを形成する（図３（Ｅ）参照）。絶縁膜１１０ａは、酸
化物絶縁材料を用い、成膜後に第３の加熱処理を行うことが好ましい。第３の加熱処理に
よって、絶縁膜１１０ａから酸化物半導体積層への酸素供給が行われる。第３の加熱処理
の条件は、不活性雰囲気、酸素雰囲気、酸素と窒素の混合雰囲気下で、２００℃以上４０
０℃、好ましくは２５０℃以上３２０℃以下とする。また、第３の加熱処理の加熱時間は
１分以上２４時間以下とする。
以上の工程でボトムゲート型のトランジスタ１５０が形成される。
トランジスタ１５０は、絶縁表面を有する基板１００上に、下地膜１０１、ゲート電極層
１１２、ゲート絶縁層１０２、チャネル形成領域を含む酸化物半導体積層、ソース電極層
１０４ａ、ドレイン電極層１０４ｂ、絶縁膜１１０ａを含む。酸化物半導体積層を覆って
ソース電極層１０４ａ、及びドレイン電極層１０４ｂが設けられる。酸化物半導体積層に
おいて、ゲート絶縁層１０２を介してゲート電極層１１２と重なる領域の一部がチャネル
形成領域として機能する。
図３（Ｅ）に示すトランジスタ１５０のチャネル形成領域を含む半導体層（上記、酸化物
半導体積層を指す）は、ＳＩＭＳにおけるＮａの濃度が５×１０１６ｃｍ−３以下、好ま
しくは１×１０１６ｃｍ−３以下、さらに好ましくは１×１０１５ｃｍ−３以下とする。
また、トランジスタ１５０のチャネル形成領域を含む半導体層は、ＳＩＭＳにおけるＬｉ
の濃度が５×１０１５ｃｍ−３以下、好ましくは１×１０１５ｃｍ−３以下とする。また
、トランジスタ１５０のチャネル形成領域を含む半導体層は、ＳＩＭＳにおけるＫの濃度
が５×１０１５ｃｍ−３以下、好ましくは１×１０１５ｃｍ−３以下とする。
また、図３（Ｅ）に示すトランジスタ１５０のチャネル形成領域を含む半導体層は、ＳＩ
ＭＳにおける水素の濃度が５×１０１９ｃｍ−３以下、特に５×１０１８ｃｍ−３以下と
することが好ましい。
また、図３（Ｅ）に示すトランジスタ１５０のチャネル形成領域を含む半導体層は、第１
の結晶性酸化物半導体膜１０８ａ、及び第２の結晶性酸化物半導体膜１０８ｂの積層とな
る。第１の結晶性酸化物半導体膜１０８ａ、及び第２の結晶性酸化物半導体膜１０８ｂは
、ｃ軸配向を有している。第１の結晶性酸化物半導体膜１０８ａ及び第２の結晶性酸化物
半導体膜１０８ｂは、単結晶構造ではなく、非晶質構造でもない構造であり、ｃ軸配向を
有した結晶（Ｃ Ａｘｉｓ Ａｌｉｇｎｅｄ Ｃｒｙｓｔａｌ； ＣＡＡＣとも呼ぶ）を
含む酸化物を有する。なお、第１の結晶性酸化物半導体膜１０８ａ及び第２の結晶性酸化
物半導体膜１０８ｂは、一部に結晶粒界を有しており、非晶質構造（アモフルファス構造
）の酸化物半導体膜とは明らかに別材料である。
第１の結晶性酸化物半導体膜と第２の結晶性酸化物半導体膜の積層を有するトランジスタ
は、トランジスタに光照射が行われ、またはバイアス−熱ストレス（ＢＴ）試験前後にお
いてもトランジスタのしきい値電圧の変化量が低減でき、安定した電気的特性を有する。
なお、図３では、ボトムゲート型のトランジスタの例を示したが特に限定されず、例えば
トップゲート型のトランジスタを作製することもできる。
１００ 基板
１０１ 下地膜
１０２ ゲート絶縁層
１０４ａ ソース電極層
１０４ｂ ドレイン電極層
１０８ａ 第１の結晶性酸化物半導体膜
１０８ｂ 第２の結晶性酸化物半導体膜
１１０ａ 絶縁膜
１１０ｂ 絶縁膜
１１２ ゲート電極層
１５０ トランジスタ
８５０ バッキングプレート
８５１ スパッタリングターゲット
８５１ａ スパッタリングターゲット
８５１ｂ スパッタリングターゲット
８５１ｃ スパッタリングターゲット
８５１ｄ スパッタリングターゲット
８５２ スパッタリングターゲット
８５２ａ スパッタリングターゲット
８５２ｂ スパッタリングターゲット
８５２ｃ スパッタリングターゲット
８５２ｄ スパッタリングターゲット
８５２ｅ スパッタリングターゲット
８５２ｆ スパッタリングターゲット
８５２ｇ スパッタリングターゲット
８５２ｈ スパッタリングターゲット
８５２ｉ スパッタリングターゲット

Claims (2)

  1. スパッタリングターゲットを用いてスパッタリング法によって酸化物半導体膜を形成する工程と、
    前記酸化物半導体膜上に接する領域を有するソース電極と、前記酸化物半導体上に接する領域を有するドレイン電極を形成する工程と、
    前記酸化物半導体上に接する領域と、前記ソース電極上に接する領域と、前記ドレイン電極上に接する領域とを有する酸化物絶縁膜を形成する工程と、
    前記酸化物絶縁膜を形成後、加熱処理を行う工程と、有し、
    前記スパッタリングターゲットは、酸化亜鉛、酸化アルミニウム、酸化ガリウム、酸化インジウム、または酸化スズから選ばれた少なくとも一の酸化物の焼結体を含み、
    ＳＩＭＳにおける前記焼結体の含有アルカリ金属濃度は、５×１０１６ｃｍ−３以下であることを特徴とする半導体装置の作製方法。
  2. 第１のスパッタリングターゲットを用いてスパッタリング法によって第１の酸化物半導体膜を形成する工程と、
    第２のスパッタリングターゲットを用いてスパッタリング法によって前記第１の酸化物半導体膜上に第２の酸化物半導体膜を形成する工程と、
    前記第２の酸化物半導体膜上に接する領域を有するソース電極と、前記第２の酸化物半導体上に接する領域を有するドレイン電極を形成する工程と、
    前記第２の酸化物半導体上に接する領域と、前記ソース電極上に接する領域と、前記ドレイン電極上に接する領域とを有する酸化物絶縁膜を形成する工程と、
    前記酸化物絶縁膜を形成後、加熱処理を行う工程と、有し、
    前記第１のスパッタリングターゲット及び前記第２のスパッタリングターゲットの各々は、酸化亜鉛、酸化アルミニウム、酸化ガリウム、酸化インジウム、または酸化スズから選ばれた少なくとも一の酸化物の焼結体を含み、
    ＳＩＭＳにおける前記焼結体の含有アルカリ金属濃度は、５×１０１６ｃｍ−３以下であることを特徴とする半導体装置の作製方法。
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