JP2017045936A - 半導体レーザ装置 - Google Patents
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Abstract
Description
基部と、
前記基部の上方に設けられた半導体レーザ素子と、
前記基部の上方に設けられ、前記半導体レーザ素子を収容し、上方に設けられた凹部の底に貫通孔を有する蓋部と、
前記凹部に配置され、前記蓋部の貫通孔の上方に前記蓋部の貫通孔よりも径が小さい貫通孔を有し、前記蓋部と異なる熱膨張係数を有する保持部と、
前記保持部の貫通孔に保持された波長変換部と、
前記蓋部に固定され、前記保持部の上面を押さえる押え部とを有し、
前記凹部の側面と前記保持部の側面とは離間しており、
前記凹部の側面と前記保持部の側面との間の少なくとも一部に緩衝材が配置されていることを特徴とする。
各図面が示す部材の大きさや位置関係等は、説明を明確にするため、誇張していることがある。
この実施形態の半導体レーザ装置10は、図1A〜図1Dに示すように、
基部11と、
基部11の上方に設けられた半導体レーザ素子12と、
基部11の上方に設けられ、半導体レーザ素子12を収容し、上方に設けられた凹部13Dの底に貫通孔13Cを有する蓋部13と、
凹部13Dに配置され、蓋部13の貫通孔13Cの上方に、蓋部13の貫通孔13Cよりも径が小さい貫通孔14Cを有し、蓋部13と異なる熱膨張係数を有する保持部14と、
保持部14の貫通孔14Cに保持された波長変換部15と、
蓋部13に固定され、保持部14の上面を押さえる押え部16とを有する。
凹部13Dの側面は、保持部14の側面と離間している。また、凹部13Dの側面と保持部14の側面との間の少なくとも一部には、緩衝材17が配置されている。
蓋部13は、図1Aに示すように、半導体レーザ装置10において、後述する基部11の上方に設けられている。
発振ピーク波長が320〜530nmの範囲にある短波長の半導体材料を用いた半導体レーザ素子では、エネルギーが高く光密度が高いため、有機物を集塵させやすい。このため、通常、半導体レーザ素子を取り囲み、レーザ装置内の気密性を高め、防塵性を高めている。本実施形態では、蓋部13は、半導体レーザ素子12を囲む第1蓋部13Aと、第1蓋部13A上に配置される第2蓋部13Bとからなるが、第1蓋部13Aと第2蓋部13Bとは、一体で形成されていてもよい。本実施形態では、図1Aに示すように、第2蓋部13Bが第1蓋部13Aの所定位置に固定されて、両者が一体化されている。本実施形態のように、蓋部13を別体で形成して一体化することで、貫通孔14Cと半導体レーザ素子12からのレーザ光の焦点との位置合わせを行いながら蓋部13を形成することができるため、レーザ光を確実に波長変換部15に入射させることができる。
貫通孔13Cは、凹部13Dのほぼ中央に配置されている。貫通孔13Cの大きさは、例えば、0.2mm〜3.5mmが挙げられる。貫通孔13Cは、第1蓋部の厚み方向において一定の径であってもよいし、下方から上方に向かって狭まる形状でもよい。本実施形態では、下方から上方に向かって狭まる形状としている。これにより、レーザ光を遮ることなく蓋部13と保持部14との接続面積を確保することができるため、波長変換部15で生じる熱を蓋部13に放散しやすくなる。
第1蓋部13Aは、第2蓋部13Bと同じ材料によって形成されていてもよいし、異なる材料によって形成されていてもよい。好ましくは、第1蓋部13Aと第2蓋部13Bとは鉄を主成分とする材料により形成する。こうすることで、第1蓋部13Aと第2蓋部13Bとを確実に固定することができる。
凹部13Dの側面の段差が2以上存在する場合には、保持部14が収容される段差によってかこまれる領域は、最下部でもよいし(図1C参照)、中間部でもよい。本実施形態では、図1Cに示すように、保持部14は最下部に配置され、保持部14の下面と凹部13Dの底面とが接続されている。これにより、保持部14と蓋部13との接続面積を確保することができるため、保持部14から蓋部13に放熱しやすくなる。
保持部14は、波長変換部15を保持するための部材である。
保持部14は、図1A及び1Cに示すように、凹部13Dに配置されている。貫通孔13Cの上方において、貫通孔13Cよりも径が小さい貫通孔14Cを有する。
セラミックスとしては、炭化珪素、酸化アルミニウム、窒化珪素、窒化アルミニウム、酸化チタン、酸化タンタル、酸化ジルコニウム、ダイヤモンド、サーメット等を用いることができる。また、金属としては、タングステン、タンタル、モリブデン、コバール等の高融点金属などが挙げられる。なかでも、高熱伝導率で反射率の高い酸化アルミニウム又は窒化アルミニウムを含む材料により形成されたものが好ましい。
保持部14の大きさ及び厚みは、使用目的、意図する作用/効果によって、適宜設定することができる。なかでも、強度を考慮すると、0.20mm程度以上の厚みを有することが好ましく、半導体レーザ装置の小型化を考慮すると、2mm程度以下の厚みを有することが好ましい。
押え部16は、保持部14の上面を押さえるための部材であり、蓋部13に固定されている。本実施形態では、図1Cに示すように、押え部16は、蓋部13の外側面と接触して固定される部位16Bと、蓋部13の外側面から、保持部14の上面上にまで延長して、保持部14の外周における上面を押える部位16Aとを有する。固定される部位16Bは、筒状であり、蓋部13の外側面を取り囲む。上面を押える部位16Aは、固定される部位16Bから、複数個所にわたって、保持部14の上面に延長する鉤状であってもよいが、保持部14の外周の上面の全部を押える筒状であるものが好ましい。これによって、保持部を安定して固定することができる。
緩衝材17は、蓋部13の凹部13Dの側面と保持部14の側面との間の少なくとも一部に配置されている。つまり、緩衝材17は、上面視において、凹部13Dの側面と保持部14の側面との少なくとも一部を埋めるように配置されている。緩衝材17は、蓋部13と保持部14とが膨張及び収縮を繰り返すことにより起こる保持部14の位置ずれ等を抑制するために機能させる部材である。
また、緩衝材17は、凹部13Dの側面と保持部14の側面との間の隙間の高さ方向の全部に配置されていてもよいし、高さ方向の一部にのみ配置されていてもよい。特に、下方に配置されていることが好ましい。
緩衝材17は、凹部13Dの側面と保持部14の側面との隙間に配置する限り、凹部13Dの底面と保持部14の下面との間にも配置されていてもよい。これによって、押え部16による押圧と相まって、各部材による熱膨張/収縮を緩衝材17で吸収することができる。
波長変換部15は、保持部14の貫通孔14C内に配置されている。波長変換部15は、透光性の母材に蛍光体を分散させたものによって形成してもよい。また、蛍光体を焼結して形成してもよい。蛍光体を焼結して形成する場合は、蛍光体だけを焼結してもよいし、蛍光体と焼結助剤との混合物を焼結してもよい。透光性の母材及び焼結助剤は、無機材料が好ましい。放熱性、耐光性、及び耐熱性を考慮して、透光性の母材としては、ホウケイ酸ガラス、ソーダ石灰ガラス、ソーダガラス、鉛ガラス等を用いることができる。焼結助剤としては、酸化アルミニウム、酸化ケイ素、酸化チタン等を用いることができる。
基部11は、半導体レーザ素子12を適所に固定するために用いられる。AlN、SiC、Al2O3などの絶縁部材、又は金属の少なくともいずれか一方を含む材料を基部11として用いることができるが、少なくとも蓋部13と接する部分は金属により構成するのが好ましい。これにより、基部11と蓋部13とを溶接により固定することができるため、基部11と蓋部13とを確実に固定することができる。基部11は、蓋部13と同様の材料を用いることができる。
基部11には、通常、外部電源と接続するためのリード21が設けられている。
半導体レーザ素子12は、レーザ光を発振するものであり、n型半導体層とp型半導体層との間に活性層を有する。半導体レーザ素子12としては、例えば、300nm〜500nm、好ましくは400nm〜470nm、より好ましくは420nm〜470nmの範囲に発光ピーク波長を有するものを用いることができる。青色発光の半導体レーザ素子であれば、III−V族半導体(窒化物半導体)により形成されるものが好ましい。
この実施形態では、図3A及び3Bに示すように、第2蓋部33Bの凹部33Dの側面が階段状になっていない以外、実施形態1の半導体レーザ装置と実質的に同じ構成を有する。
本実施形態においても、横方向における保持部14の位置ずれ等を防止することができる。
11 基部
12 半導体レーザ素子
13 蓋部
13A 第1蓋部
13B、33B 第2蓋部
13C 貫通孔
13D、33D 凹部
13E 下面
13F 上面
13G 段差
14 保持部
14C 貫通孔
15 波長変換部
16 押え部
16A 上面を押える部位
16B 固定される部位
17 緩衝材
18 溝
19 サブマウント
20 レンズ
21 リード
Claims (13)
- 基部と、
前記基部の上方に設けられた半導体レーザ素子と、
前記基部の上方に設けられ、前記半導体レーザ素子を収容し、上方に設けられた凹部の底に貫通孔を有する蓋部と、
前記凹部に配置され、前記蓋部の貫通孔の上方に前記蓋部の貫通孔よりも径が小さい貫通孔を有し、前記蓋部と異なる熱膨張係数を有する保持部と、
前記保持部の貫通孔に保持された波長変換部と、
前記蓋部に固定され、前記保持部の上面を押さえる押え部とを有し、
前記凹部の側面と前記保持部の側面とは離間しており、
前記凹部の側面と前記保持部の側面との間の少なくとも一部に緩衝材が配置されていることを特徴とする半導体レーザ装置。 - 前記緩衝材は、前記蓋部及び前記保持部よりもヤング率の小さい材料からなる請求項1に記載の半導体レーザ装置。
- 前記緩衝材は、樹脂又は共晶はんだからなる請求項1又は2に記載の半導体レーザ装置。
- 前記保持部の貫通孔における下方の開口形状は円形であり、その直径が、0.1mm以上1mm以下である請求項1〜3のいずれか一項に記載の半導体レーザ装置。
- 前記保持部の貫通孔は、下方から上方に向かって広がる形状である請求項1〜4のいずれか一項に記載の半導体レーザ装置。
- 前記保持部はセラミックスからなる請求項1〜5のいずれか一項に記載の半導体レーザ装置。
- 前記保持部は酸化アルミニウム又は窒化アルミニウムからなる請求項6に記載の半導体レーザ装置。
- 前記蓋部は金属からなる請求項1〜7のいずれか一項に記載の半導体レーザ装置。
- 前記蓋部は鉄を主成分とする材料からなる請求項8に記載の半導体レーザ装置。
- 上面視において、前記緩衝材は複数の箇所に設けられている請求項1〜9のいずれか一項に記載の半導体レーザ装置。
- 前記凹部の側面は、下方から上方に向かって広がるように階段状に設けられている請求項1〜10のいずれか一項に記載の半導体レーザ装置。
- 前記押え部は、前記蓋部に溶接されている請求項1〜11のいずれか一項に記載の半導体レーザ装置。
- 前記蓋部は、前記半導体レーザ素子を囲む第1蓋部と、前記第1蓋部上に配置され、前記凹部を備える第2蓋部とを有する請求項1〜12のいずれか一項に記載の半導体レーザ装置。
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