JP7208407B2 - レーザモジュール及び電子機器 - Google Patents

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Description

本開示はレーザ機器技術分野に関し、特にレーザモジュール及び電子機器に関する。
3D識別技術は、顔識別ロック解除、支払い等の分野において広く用いられている。レーザモジュールは、3D識別の不可欠な中核素子であり、主に、極短フェムト秒パルスを送信する又は特定光形状を投射するために用いられ、それによって、システムは奥行き情報を取得する。レーザチップは、レーザモジュールのうちの最も重要な素子の一つとして、レーザモジュールの作動プロセスにおいて、重要な役割を果たしている。
レーザチップは半導体デバイスであり、温度に対して敏感であり、温度が高いほど、レーザチップの光電変換効率が低くなり、高温もレーザチップ格子構造を破壊しやすく、レーザチップの使用寿命が低下してしまう。しかし、関連技術のうちのレーザモジュールでは、レーザチップの殆どは、それと接続される回路基板を介して放熱するため、レーザチップの放熱効率が低いことを招く。
本開示の実施例は、関連技術のうちのレーザモジュールにおけるレーザチップの放熱効率が低いという課題を解決するためのレーザモジュール及び電子機器を提供する。
以上の技術課題を解決するために、本開示は以下のように実現される。
第一の方面によれば、本開示の実施例はレーザモジュールを提供する。このレーザモジュールは、
光学アセンブリと、
前記光学アセンブリの一方側に設けられるレーザチップと、
いずれも前記レーザチップに接続される第一の電極及び第二の電極を含む給電構造と、
前記光学アセンブリの少なくとも一部が収容される収容チャンバが形成されるパッケージ構造と、
前記パッケージ構造の外側に外嵌され、且つ前記第一の電極及び前記第二の電極に当接される放熱構造とを含む。
第二の方面によれば、本開示の実施例は電子機器をさらに提供する。前記電子機器は、第一の方面に記述されるレーザモジュールを含む。
本開示の実施例による技術案によれば、放熱構造は給電構造の第一の電極及び第二の電極に当接され、第一の電極及び第二の電極は、レーザチップ及びその自体により生成された熱量を放熱構造に伝導することができ、且つ放熱構造はパッケージ構造の外側に外嵌され、放熱構造は放熱するための比較的に大きい放熱面積を有することができ、レーザモジュールの放熱効率が向上され、レーザチップの作動性能と使用寿命が確保される。また、放熱構造はパッケージ構造の外側に外嵌され、パッケージ構造に対する固定や支持の役割を果たすことができる。
本開示の実施例によるレーザモジュールの断面図である。 図1におけるレーザモジュールの上面図である。 図1によるレーザモジュールにおける放熱体の構造図である。 図1によるレーザモジュールにおける放熱体が組み立てられていない時の正面図である。 図4の左側面図である。
本開示の実施例の技術案をより明瞭に説明するために、以上は、本開示の実施例の記述において使用される必要がある添付図面を簡単に紹介する。自明なことに、以上の記述における添付図面は、ただ本開示のいくつかの実施例に過ぎず、当業者にとって、創造的な労力を払わない前提で、それらの添付図面に基づいて、他の添付図面を取得することもできる。
以下は、本開示の実施例における添付図面を結び付けながら、本開示の実施例における技術案を明瞭且つ完全に記述する。明らかに、記述された実施例は、本開示の一部の実施例であり、全部の実施例ではない。本開示における実施例に基づき、当業者が創造的な労力を払わない前提で得られたすべての他の実施例は、いずれも本開示の請求の範囲に属する。
図1~図5を参照して、図1は本開示の実施例によるレーザモジュールの断面図であり、図2は図1におけるレーザモジュールの上面図であり、図3は図1によるレーザモジュールにおける放熱体の構造図であり、図4は図1によるレーザモジュールにおける放熱体が組み立てられていない時の正面図であり、図5は図4の左側面図である。
具体的には、図1を参考して、本開示の実施例はレーザモジュールを提供し、光学アセンブリ10、レーザチップ20、給電構造30、パッケージ構造40及び放熱構造50を含む。そのうち、レーザチップ20は光学アセンブリ10の一方側に設けられ、給電構造30は、第一の電極31及び第二の電極32を含み、第一の電極31及び第二の電極32のいずれもレーザチップ20に接続されることにより、レーザチップ20に給電し、パッケージ構造40に収容チャンバが形成され、光学アセンブリ10の少なくとも一部がこの収容チャンバ内に収容され、放熱構造50はパッケージ構造40の外側に外嵌され、且つ放熱構造50は第一の電極31及び第二の電極32に当接される。
本開示の実施例による技術案では、放熱構造50は第一の電極31及び第二の電極32に当接され、第一の電極31及び第二の電極32は、レーザチップ20及びその自体により生成された熱量を放熱構造50に伝導することができ、且つ放熱構造50はパッケージ構造40の外側に外嵌され、放熱構造50は放熱するための比較的に大きい放熱面積を有することができ、レーザモジュールの放熱効率が向上され、レーザチップ20の作動性能と使用寿命が確保される。
また、放熱構造50はパッケージ構造40の外側に外嵌され、パッケージ構造40に対する固定や支持の役割を果たすことができる。例えば、パッケージ構造40は柱形状構造であると、放熱構造50は、パッケージ構造40を囲み、パッケージ構造40に対する固定の役割を果たすように、パッケージ構造40の外面に外嵌されるパイプ形状の構造であってもよい。
放熱構造50は、導電性能を備えず、比較的に優れた熱伝導性能を有する材料であってもよく、このように、放熱構造50の放熱性能を確保するとともに、給電構造30が放熱構造50を介して漏電してしまうなどの状況を防止することができ、レーザモジュールの使用安全性が確保される。
選択的に、給電構造30は、レーザチップ20における光学アセンブリ10の反対側に設けられてもよい。例えば、給電構造30は回路基板であってもよく、レーザチップ20は回路基板に貼り付けられてもよく、このように、レーザチップ20と給電構造30との間はより大きい接触面積を有し、給電構造30とレーザチップ20との熱伝導効率が向上され、レーザチップ20の放熱効率の向上に対してさらに有利である。
レーザチップ20及び給電構造30はパッケージ構造40の外部に位置してもよく、又は図1に示すように、レーザチップ20及び給電構造30はパッケージ構造40内に位置してもよく、このように、パッケージ構造40によってレーザチップ20及び給電構造30を固定することができ、レーザモジュールの全体の堅牢性が確保される。
選択可能な実施の形態では、放熱構造50は、放熱体51と熱伝導体52を含み、放熱体51はパッケージ構造40の外側に外嵌され、熱伝導体52の一方側が放熱体51に当接され、熱伝導体52の他方側が第一の電極31及び第二の電極32に当接される。つまり、給電構造30と放熱体51との間には熱伝導体52が設けられる。例えば、熱伝導体52は環形状構造であってもよく、熱伝導体52の内壁は第一の電極31及び第二の電極32に当接され、熱伝導体52の外壁は放熱体51に当接される。このように、第一の電極31及び第二の電極32と熱伝導体52との間は比較的に大きい接触面積を有し、熱伝導体52は第一の電極31、第二の電極32及びレーザチップ20から第一の電極31及び第二の電極32に伝導される熱量をより速やかに吸収することができ、レーザモジュールの放熱効率を加速させることができる。
そのうち、熱伝導体52は非導電材料であり、放熱体51は金属材料である。非導電材料の熱伝導体52は導電性能を備えず、給電構造30が熱伝導体52を介して漏電してしまうなどの状況を回避することができ、レーザモジュールの使用安全性が確保される。
金属材料の放熱体51はよりよい熱伝導性能を有し、且つ金属材料の放熱体51は比較的によい電磁シールド役割を有する。例えば、放熱体51の材料は銅であってもよく、銅は比較的に高い熱伝導率を有し、且つ銅の安定性が良く、価格が比較的に低く、レーザモジュールの製造コストを節約することができる。
また、放熱体51はパッケージ構造40の外側に外嵌され、図1に示すように、レーザチップ20は、パッケージ構造40の収容チャンバに収容され、金属材料の放熱体51は、電子機器のうちの他のデバイスに対するレーザモジュールの電磁妨害を低減させることができる。
選択的に、放熱体51は基板511及び延伸部材512を含み、基板511はパッケージ構造40の外側に外嵌され、基板511は、対向する第一の端及び第二の端を含み、第一の端は熱伝導体52に当接され、第二の端は延伸部材512に接続され、且つ延伸部材512は、光学アセンブリ10におけるレーザチップ20の反対側に位置する。
例えば、パッケージ構造40が中空な柱形状構造であると、基板511はパッケージ構造40の外面に外嵌されるパイプ形状構造であってもよく、パイプ形状構造の基板511は、相対的に離れている第一の端と第二の端を含み、第一の端は熱伝導体52に当接されることによって、熱伝導体52の熱量を吸収し、第二の端は、光学アセンブリ10に近接し、延伸部材512が設けられ、且つこの延伸部材512は、光学アセンブリ10におけるレーザチップ20の反対側に位置し、光学アセンブリ10に対する固定の役割を果たすことができ、光学アセンブリ10を取り付ける堅牢性が確保される。
図3~図5を参照すると、一つの具体的な実施の形態では、基板511は、順次に接続される第一の側板5111、第二の側板5112、第三の側板5113及び第四の側板5114を含み、第一の側板5111、第二の側板5112、第三の側板5113及び第四の側板5114によって第一の貫通穴513が囲まれ、パッケージ構造40は第一の貫通穴513内に位置し、第一の側板5111及び/又は第三の側板5113に延伸部材512が設けられる。貫通穴は四角形状であり、パッケージ構造40は四角体構造であり、第一の側板5111、第二の側板5112、第三の側板5113及び第四の側板5114は順次に接続されることによって四角枠状の基板511が形成され、そして、基板511はパッケージ構造40の外面を被覆してもよく、それによって、基板511はより大きい表面積を有し、放熱体51の放熱面積を増大させ、レーザモジュールの放熱効率が向上され、パッケージ構造40に対する支持や固定の役割をよりよく果たすこともできる。
延伸部材512は、第一の側板5111または第三の側板5113に設けられてもよく、または第一の側板5111と第三の側板5113のいずれも延伸部材512が設けられてもよい。例えば、延伸部材512は第一の側板5111に設けられ、且つ延伸部材512は第三の側板5113に接続され、それによって、延伸部材512を光学アセンブリ10に貼り合わせ、光学アセンブリ10を押圧することができ、光学アセンブリ10に対する固定の役割を果たす。
または、第一の側板5111、第二の側板5112、第三の側板5113及び第四の側板5114のいずれも延伸部材512が設けられ、延伸部材512は、光学アセンブリ10におけるレーザチップ20の反対側に貼り合われ、それによって、延伸部材512は、光学アセンブリ10に対する固定の役割を果たすことができる。
具体的には、図2と図3を参照し、第一の側板5111に第一の延伸部材5121と第二の延伸部材5122が設けられ、第三の側板5113に第三の延伸部材5123と第四の延伸部材5124が設けられ、第一の延伸部材5121は、第三の延伸部材5123及び第二の側板5112に接続され、第三の延伸部材5123は第二の側板5112に接続され、第二の延伸部材5122は第四の延伸部材5124及び第四の側板5114に接続され、第四の延伸部材5124は第四の側板5114に接続される。
本実施例では、第一の側板5111、第二の側板5112、第三の側板5113及び第四の側板5114のいずれも溶接されることによって中空な四角柱構造に形成され、パッケージ構造40及び一部の光学アセンブリ10のいずれもこの四角柱構造内に収容され、第一の延伸部材5121及び第三の延伸部材5123のいずれも第二の側板5112の先端に溶接され、第二の延伸部材5122及び第四の延伸部材5124のいずれも第四の側板5114の先端に溶接され、レーザモジュールの上面図は図2に示されている。このように、第一の延伸部材5121及び第三の延伸部材5123、第二の延伸部材5122及び第四の延伸部材5124は光学アセンブリ10の先端部を押圧し、光学アセンブリ10が固定され、光学アセンブリ10が剥離することを回避し、レーザモジュールの堅牢性が確保される。そして、このような設置によって、光学アセンブリ10を固定するための固定部材を別途に増設する必要がなく、レーザモジュールのハードウエアコストを節約する。
再び図1を参照し、熱伝導体52に第二の貫通穴が形成され、第一の電極31及び第二の電極32は第二の貫通穴内に位置し、且つ第一の電極31及び第二の電極32のいずれも熱伝導体52の内壁に当接される。第一の電極31が正極であってもよく、第二の電極32が負極であってもよく、それによって、レーザチップ20に給電し、第一の電極31及び第二の電極32は板状構造であってもよく、且つ第一の電極31及び第二の電極32は、パッケージ構造40内にパッケージされてもよい。
選択的に、レーザチップ20は第一の電極31に貼り付けられ、このように、レーザチップ20と第一の電極31とはより大きい接触面積を有し、レーザチップ20により生成された熱量をより速やかに第一の電極31に伝導することができ、第一の電極31を介して熱伝導体52に伝導する。
選択的に、光学アセンブリ10は光学素子11及びコリメート素子12を含み、コリメート素子12はレーザチップ20の一方側に設けられ、且つコリメート素子12は収容チャンバに収容され、光学素子11は、コリメート素子12におけるレーザチップ20の反対側に設けられ、延伸部材512は、光学素子11におけるコリメート素子12の反対側に当接される。レーザチップ20によって発光されるレーザがコリメート素子12を介して、平行光の形式で光学素子11に投射され、光学素子11は、平行光を散乱光の形式で投射させ、レーザチップ20によって発光されたレーザは比較的に大きいカバレージ範囲を有することができることが理解され得る。
また、光学素子におけるコリメート素子に対向する一方側に光線発散素子13が設けられ、光線発散素子13は、レーザチップ20によって発光されたレーザを発散するために用いられ、光線発散素子13によって発光されたレーザがより広い発光角度を有する。選択的に、光線発散素子13はマイクロガルバノミラーであってもよい。
本実施例では、レーザモジュールのうちの各部品のプロセスフローは、まず、レーザチップ20を第一の電極31に貼り付け、電線によってレーザチップ20と第二の電極32を接続し、第一の電極31及び第二の電極32の外側に熱伝導体52を設け、パッケージ材料を採用して第一の電極31、第二の電極32、熱伝導体52及びレーザチップ20をパッケージすることによりパッケージ構造40を形成し、レーザチップ20における第一の電極31の反対側にコリメート素子12を搭載し、コリメート素子12におけるレーザチップ20の反対側に光学素子11を搭載し、基板511及び延伸部材512を折り曲げ、基板511をパッケージ構造40の外壁に貼り付け、延伸部材512を光学素子11に貼り付け、基板511及び延伸部材512を溶接するように行われてもよい。本開示の実施例によるレーザモジュールのプロセスフローがより簡単であり、コストもより低くなる。
本開示の実施例による技術案では、レーザチップ20により生成された熱量は給電構造30を介して熱伝導体52に伝導することができ、熱伝導体52を介して放熱体51に伝導することができ、放熱体51はパッケージ構造40の外側に外嵌され、面積の全体が比較的に大きく、放熱するためのより大きい放熱面積を有し、レーザモジュールの放熱効率が向上され、レーザチップ20の作動性能と使用寿命が確保される。そして、比較的に高い放熱効率の場合、レーザモジュールを高出力に向けて発展させるためにもより有利になり、3D識別をリモート撮影に用いることができる。
本開示の実施例は電子機器をさらに提供する。前記電子機器は図1~図5に記述される実施例におけるレーザモジュールを含み、且つ上記実施例におけるレーザモジュールの全ての構成要件を有し、同じ技術効果を達することができ、ここでは説明を省略する。
電子機器は、携帯電話、タブレットパソコン、電子ブックリーダ、MP3プレーヤ、MP4プレーヤ、ディジタルカメラ、ラップトップポータブルコンピュータ、車載コンピュータ、デスクトップコンピュータ、セットトップボックス、スマートテレビ、ウェアラブルデバイス、スマート家電製品のうちの少なくとも一つを含んでもよい。
以上に記述されているのは、本開示の具体的な実施の形態に過ぎず、本開示の請求の範囲は、それに限らない。いかなる当業者が、本開示に掲示される技術的範囲内に、容易に想到できる変形又は置き換えは、いずれも、本開示の請求の範囲内に含まれるべきである。このため、本開示の請求の範囲は、請求項の請求の範囲を基にすべきである。
〔関連出願の相互参照〕
本出願は、2019年1月25に中国で提出された中国特許出願番号第201910073154.6の優先権を主張しており、同出願の内容の全ては、ここに参照として取り込まれる。

Claims (7)

  1. 光学アセンブリと、
    前記光学アセンブリの一方側に設けられるレーザチップと、
    いずれも前記レーザチップに接続される第一の電極及び第二の電極を含む給電構造と、
    前記光学アセンブリの少なくとも一部が収容される収容チャンバが形成されるパッケージ構造と、
    前記パッケージ構造の外側に外嵌され、且つ前記第一の電極及び前記第二の電極に当接される放熱構造とを含み、
    前記放熱構造は、前記パッケージ構造の外側に外嵌される放熱体と、一方側が前記放熱体に当接され、他方側が前記第一の電極及び前記第二の電極に当接される熱伝導体とを含み、
    前記放熱体は基板及び延伸部材を含み、前記基板は前記パッケージ構造の外側に外嵌され、前記基板は対向する第一の端及び第二の端を含み、前記第一の端は前記熱伝導体に当接され、前記第二の端は前記延伸部材に接続され、且つ前記延伸部材は、前記光学アセンブリにおける前記レーザチップの反対側に位置
    前記基板は、順次に接続される第一の側板、第二の側板、第三の側板及び第四の側板を含み、前記第一の側板、前記第二の側板、前記第三の側板及び前記第四の側板によって第一の貫通穴が囲まれ、前記パッケージ構造は前記第一の貫通穴内に位置し、前記第一の側板及び/又は前記第三の側板に前記延伸部材が設けられる、レーザモジュール。
  2. 前記第一の側板に第一の延伸部材と第二の延伸部材が設けられ、前記第三の側板には第三の延伸部材と第四の延伸部材が設けられ、前記第一の延伸部材は前記第三の延伸部材及び前記第二の側板に接続され、前記第三の延伸部材は前記第二の側板に接続され、前記第二の延伸部材は前記第四の延伸部材及び前記第四の側板に接続され、前記第四の延伸部材は前記第四の側板に接続される、請求項に記載のレーザモジュール。
  3. 前記熱伝導体に第二の貫通穴が形成され、前記第一の電極及び前記第二の電極は前記第二の貫通穴内に位置し、且つ前記第一の電極及び前記第二の電極のいずれも前記熱伝導体の内壁に当接される、請求項に記載のレーザモジュール。
  4. 前記光学アセンブリは、光学素子と、前記レーザチップの一方側に設けられ、且つ前記収容チャンバに収容されるコリメート素子とを含み、前記光学素子は前記コリメート素子における前記レーザチップの反対側に設けられ、前記延伸部材は、前記光学素子における前記コリメート素子の反対側に当接される、請求項1に記載のレーザモジュール。
  5. 前記光学素子における前記コリメート素子に対向する一方側に光線発散素子が設けられる、請求項に記載のレーザモジュール。
  6. 前記熱伝導体は非導電材料であり、前記放熱体は金属材料である、請求項1に記載のレーザモジュール。
  7. 請求項1~請求項6のいずれか1項に記載のレーザモジュールを含む、電子機器。
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