JP2560135B2 - 半導体レーザ装置における透明樹脂の充填方法 - Google Patents
半導体レーザ装置における透明樹脂の充填方法Info
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- JP2560135B2 JP2560135B2 JP2156203A JP15620390A JP2560135B2 JP 2560135 B2 JP2560135 B2 JP 2560135B2 JP 2156203 A JP2156203 A JP 2156203A JP 15620390 A JP15620390 A JP 15620390A JP 2560135 B2 JP2560135 B2 JP 2560135B2
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- laser chip
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Description
【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は、レーザの発光素子として半導体レーザチッ
プを使用した半導体レーザ装置のうち、前記半導体レー
ザチップの部分を、透明板付きキャップ体にて密封して
成るカンシール型の半導体レーザ装置において、前記半
導体レーザチップと、前記キャップ体の透明板との間
に、透明樹脂を、当該透明樹脂にて半導体レーザチップ
の全体を覆うように充填する場合の方法に関するもので
ある。
プを使用した半導体レーザ装置のうち、前記半導体レー
ザチップの部分を、透明板付きキャップ体にて密封して
成るカンシール型の半導体レーザ装置において、前記半
導体レーザチップと、前記キャップ体の透明板との間
に、透明樹脂を、当該透明樹脂にて半導体レーザチップ
の全体を覆うように充填する場合の方法に関するもので
ある。
この種の半導体レーザ装置において、その半導体レー
ザチップの部分を、透明板付きキャップ体によって密封
するのは、前記半導体レーザチップが、大気中の湿度や
塵埃によって劣化することを防止すると共に、前記半導
体レーザチップを、外部からの接触及び衝撃等に対して
保護するためである。
ザチップの部分を、透明板付きキャップ体によって密封
するのは、前記半導体レーザチップが、大気中の湿度や
塵埃によって劣化することを防止すると共に、前記半導
体レーザチップを、外部からの接触及び衝撃等に対して
保護するためである。
そこで、従来、この種のカンシール型の半導体レーザ
装置においては、良く知られているように、半導体レー
ザチップをダイボンディングしたステムと、この半導体
レーザチップに対するキャップ体とを、炭素鋼製にし
て、このキャップ体における下端の全周を、前記ステム
に対して抵抗溶接にして固着する一方、前記キャップ体
に対してガラス製の透明板を、ガラス半田を使用して固
着することによって、キャップ体内における気密性を確
保するようにしている。
装置においては、良く知られているように、半導体レー
ザチップをダイボンディングしたステムと、この半導体
レーザチップに対するキャップ体とを、炭素鋼製にし
て、このキャップ体における下端の全周を、前記ステム
に対して抵抗溶接にして固着する一方、前記キャップ体
に対してガラス製の透明板を、ガラス半田を使用して固
着することによって、キャップ体内における気密性を確
保するようにしている。
そして、キャップ体に対してガラス製の透明板をガラ
ス半田にて固着するに際しては、例えば、実開昭62−58
066号公報に詳しく説明されているように、先づ、ガラ
ス粉末をリング状にプレス成形したのち仮焼成すること
によってリング状のガラス半田を製作し、このリング状
ガラス半田とガラス製の透明体とをキャップ体に充填
し、この状態で全体を500〜600℃の高い温度で焼成して
前記ガラス半田を溶融することによって、前記透明をガ
ラス半田にてキャップ体に固着するようにしている。
ス半田にて固着するに際しては、例えば、実開昭62−58
066号公報に詳しく説明されているように、先づ、ガラ
ス粉末をリング状にプレス成形したのち仮焼成すること
によってリング状のガラス半田を製作し、このリング状
ガラス半田とガラス製の透明体とをキャップ体に充填
し、この状態で全体を500〜600℃の高い温度で焼成して
前記ガラス半田を溶融することによって、前記透明をガ
ラス半田にてキャップ体に固着するようにしている。
しかし、このように、透明板をキャップ体に対してガ
ラス半田にて固着する方法は、その固着が強固にできる
と共に、キャップ内を高い気密性に維持できる利点を有
する反面、リング状のガラス半田を製作する工程、及
び、高温で焼成する工程を必要とするばかりか、この高
温での焼成によって変色したキャップ体に対して、酸洗
いしたのちニッケルメッキを施すと言う後処理工程を必
要とするのであり、しかも、前記ガラス製の透明板に
は、前記後処理工程の酸洗い及びメッキに際して当該透
明板の表面を損傷することがないようにするための保護
膜を予め形成しておく必要があるから、キャップ体に対
して透明板を、完全シール状態で固着することに多大の
コストが嵩み、半導体レーザ装置の価格が大幅にアップ
すると言う問題があった。
ラス半田にて固着する方法は、その固着が強固にできる
と共に、キャップ内を高い気密性に維持できる利点を有
する反面、リング状のガラス半田を製作する工程、及
び、高温で焼成する工程を必要とするばかりか、この高
温での焼成によって変色したキャップ体に対して、酸洗
いしたのちニッケルメッキを施すと言う後処理工程を必
要とするのであり、しかも、前記ガラス製の透明板に
は、前記後処理工程の酸洗い及びメッキに際して当該透
明板の表面を損傷することがないようにするための保護
膜を予め形成しておく必要があるから、キャップ体に対
して透明板を、完全シール状態で固着することに多大の
コストが嵩み、半導体レーザ装置の価格が大幅にアップ
すると言う問題があった。
そこで、最近の半導体レーザ装置においては、半導体
レーザチップと、キャップ体の透明板との間の部分に、
透明樹脂を、当該透明樹脂にて半導体レーザチップの全
体を覆うように充填することにより、前記半導体レーザ
チップを透明樹脂にて、当該半導体レーザチップからの
レーザ光線を透明樹脂を透して透明板から発射できる状
態で、密封することが行なわれている。
レーザチップと、キャップ体の透明板との間の部分に、
透明樹脂を、当該透明樹脂にて半導体レーザチップの全
体を覆うように充填することにより、前記半導体レーザ
チップを透明樹脂にて、当該半導体レーザチップからの
レーザ光線を透明樹脂を透して透明板から発射できる状
態で、密封することが行なわれている。
そして、このように半導体レーザチップとキャップ体
の透明板との間に透明樹脂を充填したことで、半導体レ
ーザチップを密封することができることにより、キャッ
プ体内の気密性を低くできるから、製造コストの低減を
図ることができる。
の透明板との間に透明樹脂を充填したことで、半導体レ
ーザチップを密封することができることにより、キャッ
プ体内の気密性を低くできるから、製造コストの低減を
図ることができる。
しかし、その反面、前記透明樹脂の液を、ステムに固
着したキャップ体内に流し込み注入するに際して、この
透明樹脂液中に大気中の空気を抱え込むことになるか
ら、透明樹脂の中に気泡が発生し、この気泡のために、
半導体レーザチップから透明樹脂及び透明板を透して発
射されるレーザ光線が弱められたり、レーザ光線の発射
方向が歪められたりすることが発生すると言う問題があ
った。
着したキャップ体内に流し込み注入するに際して、この
透明樹脂液中に大気中の空気を抱え込むことになるか
ら、透明樹脂の中に気泡が発生し、この気泡のために、
半導体レーザチップから透明樹脂及び透明板を透して発
射されるレーザ光線が弱められたり、レーザ光線の発射
方向が歪められたりすることが発生すると言う問題があ
った。
本発明は、この問題、つまり、半導体レーザチップに
対する密封性の確保のために透明樹脂を充填する場合に
発生する問題を、確実に解消できるようにした充填方法
を提供することを技術的課題とする。
対する密封性の確保のために透明樹脂を充填する場合に
発生する問題を、確実に解消できるようにした充填方法
を提供することを技術的課題とする。
この技術的課題を達成するため本発明の充填方法は、 「半導体レーザチップを固着したステムと、該ステムに
前記半導体レーザチップを覆うように固着したキャップ
体と、該キャップ体に設けた透明板とから成る半導体レ
ーザ装置のうち、少なくとも前記半導体レーザチップ
と、前記透明板との間の部分に、透明樹脂を、当該透明
樹脂にて半導体レーザチップの全体を覆うように充填す
るにおいて、前記ステムに対してキャップ体を固着する
前の状態で、前記半導体レーザチップの部分に透明樹脂
液を塗着する一方、前記キャップ体内に透明樹脂液を注
入し、次いで、前記キャップ体内に前記半導体レーザチ
ップの部分を、これらにおける透明樹脂液が互いに一体
化するように挿入したのち、キャップ体をステムに固着
することを特徴とする。」 ものである。
前記半導体レーザチップを覆うように固着したキャップ
体と、該キャップ体に設けた透明板とから成る半導体レ
ーザ装置のうち、少なくとも前記半導体レーザチップ
と、前記透明板との間の部分に、透明樹脂を、当該透明
樹脂にて半導体レーザチップの全体を覆うように充填す
るにおいて、前記ステムに対してキャップ体を固着する
前の状態で、前記半導体レーザチップの部分に透明樹脂
液を塗着する一方、前記キャップ体内に透明樹脂液を注
入し、次いで、前記キャップ体内に前記半導体レーザチ
ップの部分を、これらにおける透明樹脂液が互いに一体
化するように挿入したのち、キャップ体をステムに固着
することを特徴とする。」 ものである。
このように、本発明の方法は、キャップ体をステムに
固着したのち、このキャップ体内に透明樹脂液を流し込
み注入するものではなく、ステムに対してキャップ体を
固着する前の状態で、前記ステムにおける半導体レーザ
チップの部分に透明樹脂液を塗着する一方、前記キャッ
プ体内に透明樹脂液を注入し、次いで、前記キャップ体
内に前記半導体レーザチップの部分を、これらにおける
透明樹脂液が互いに一体に繋がるように挿入したのち、
キャップ体をステムに固着するものであるから、透明樹
脂の中に大気中の空気を気泡として巻き込むことを確実
に防止できるのである。
固着したのち、このキャップ体内に透明樹脂液を流し込
み注入するものではなく、ステムに対してキャップ体を
固着する前の状態で、前記ステムにおける半導体レーザ
チップの部分に透明樹脂液を塗着する一方、前記キャッ
プ体内に透明樹脂液を注入し、次いで、前記キャップ体
内に前記半導体レーザチップの部分を、これらにおける
透明樹脂液が互いに一体に繋がるように挿入したのち、
キャップ体をステムに固着するものであるから、透明樹
脂の中に大気中の空気を気泡として巻き込むことを確実
に防止できるのである。
すなわち、本発明によると、透明樹脂の充填によっ
て、キャップ体内における気密性の低いものにすること
ができるようにして、製造コストの低減を図る場合にお
いて、前記透明樹脂を、当該透明樹脂に気泡を巻き込む
ことなく、充填することができるから、半導体レーザチ
ップから透明樹脂及び透明板を透して発射されるレーザ
光線が弱められたり、レーザ光線の発射方向が歪められ
たりすることを確実に防止できる効果を有する。
て、キャップ体内における気密性の低いものにすること
ができるようにして、製造コストの低減を図る場合にお
いて、前記透明樹脂を、当該透明樹脂に気泡を巻き込む
ことなく、充填することができるから、半導体レーザチ
ップから透明樹脂及び透明板を透して発射されるレーザ
光線が弱められたり、レーザ光線の発射方向が歪められ
たりすることを確実に防止できる効果を有する。
以下、本発明の実施例を、図面（第１図〜第３図）に
ついて説明する。
ついて説明する。
この図において符号１は、炭素鋼等の金属にて円盤型
に形成したステム２と、ガラス等の透明板３を備えた炭
素鋼等の金属製のキャップ体４とによって構成された半
導体レーザ装置を示す。
に形成したステム２と、ガラス等の透明板３を備えた炭
素鋼等の金属製のキャップ体４とによって構成された半
導体レーザ装置を示す。
前記ステム２の上面に一体的に造形したブロック体５
の側面には、モニター用ホォトダイオード７を備えたサ
ブマウント６が固着され、このサブマウント６の表面
に、半導体レーザチップ８が、当該半導体レーザチップ
８における前方劈開面8aが前記透明板３の方向に向か
い、後方劈開面8bが前記ホォトダイオード７の方向に向
かうようにダイボンディングされている。また、前記半
導体レーザチップ８における後方劈開面8bと前記ホォト
ダイオード７との間には、後方劈開面8bから発射される
レーザ光をホォトダイオード７に導くための透明性又は
半透明性の導波体９が塗着形成されている。
の側面には、モニター用ホォトダイオード７を備えたサ
ブマウント６が固着され、このサブマウント６の表面
に、半導体レーザチップ８が、当該半導体レーザチップ
８における前方劈開面8aが前記透明板３の方向に向か
い、後方劈開面8bが前記ホォトダイオード７の方向に向
かうようにダイボンディングされている。また、前記半
導体レーザチップ８における後方劈開面8bと前記ホォト
ダイオード７との間には、後方劈開面8bから発射される
レーザ光をホォトダイオード７に導くための透明性又は
半透明性の導波体９が塗着形成されている。
符号10a,10b,10cは、前記半導体レーザチップ８及び
前記ホォトダイオード７に対するリード端子を示し、こ
の各リード端子10a,10b,10cのうち一体のリード端子10a
は、前記ステム２の下面に溶接にて固着され、他の二本
のリード端子10b,10cは、ステム２に穿設した孔2a,2b内
に、ガラス等の絶縁シール材11にて絶縁シール状態で固
着されている。
前記ホォトダイオード７に対するリード端子を示し、こ
の各リード端子10a,10b,10cのうち一体のリード端子10a
は、前記ステム２の下面に溶接にて固着され、他の二本
のリード端子10b,10cは、ステム２に穿設した孔2a,2b内
に、ガラス等の絶縁シール材11にて絶縁シール状態で固
着されている。
また、前記キャップ体４は、前記半導体レーザチップ
８付きブロック体５に被嵌したのち、その下端における
外向きフランジ部4aを前記ステム２に対して溶接するこ
とによって固着される。なお、このキャップ体４のステ
ム２に対する固着は、ステム２に各リード端子10a,10b,
10cを固着し、ブロック体５にサブマウント６及び半導
体レーザチップ８をダイボンディングし、且つ、半導体
レーザチップ８とサブマウント６との間、及びサブマウ
ント６と両リード端子10b,10cとの間にワイヤーボンデ
ィングを施した後において行なわれる。
８付きブロック体５に被嵌したのち、その下端における
外向きフランジ部4aを前記ステム２に対して溶接するこ
とによって固着される。なお、このキャップ体４のステ
ム２に対する固着は、ステム２に各リード端子10a,10b,
10cを固着し、ブロック体５にサブマウント６及び半導
体レーザチップ８をダイボンディングし、且つ、半導体
レーザチップ８とサブマウント６との間、及びサブマウ
ント６と両リード端子10b,10cとの間にワイヤーボンデ
ィングを施した後において行なわれる。
そして、前記透明板３と前記半導体レーザチップ８と
の間の部分に、シリコン樹脂等のように比較的軟質の透
明樹脂12を、当該透明樹脂12にて前記半導体レーザチッ
プ８及び前記導波体９の全体を覆うように充填するに際
しては、以下に述べるような方法で採用する。
の間の部分に、シリコン樹脂等のように比較的軟質の透
明樹脂12を、当該透明樹脂12にて前記半導体レーザチッ
プ８及び前記導波体９の全体を覆うように充填するに際
しては、以下に述べるような方法で採用する。
すなわち、前記キャップ体４を、前記ステム２に対し
て固着する前の状態において、第４図に示すように、ス
テム２における半導体レーザチップ８の部分に、透明樹
脂液12aを塗着する一方、キャップ体４内に適宜量の透
明樹脂液12bを注入し、次いで、前記キャップ体４内
に、ステム２における半導体レーザチップ８の部分を、
これらの各々における透明樹脂液12a,12bが互いに一体
的に繋がるように挿入したのち、キャップ体４をステム
２に対して固着する。
て固着する前の状態において、第４図に示すように、ス
テム２における半導体レーザチップ８の部分に、透明樹
脂液12aを塗着する一方、キャップ体４内に適宜量の透
明樹脂液12bを注入し、次いで、前記キャップ体４内
に、ステム２における半導体レーザチップ８の部分を、
これらの各々における透明樹脂液12a,12bが互いに一体
的に繋がるように挿入したのち、キャップ体４をステム
２に対して固着する。
これにより、前記両透明樹脂液12a,12bは、互いに一
体化した状態で硬化して透明樹脂12を形成することにな
るから、透明樹脂12の充填を、気泡を殆ど含ない状態で
行うことができるのである。
体化した状態で硬化して透明樹脂12を形成することにな
るから、透明樹脂12の充填を、気泡を殆ど含ない状態で
行うことができるのである。
また、前記キャップ体４内に、前記透明樹脂12の充填
した後において、第５図に示すように、エポキシ樹脂等
の熱硬化性の合成樹脂13を、ステム２に穿設した孔14か
ら充填するようにしても良いのであり、更にまた、前記
導波体９を、前記透明樹脂12にて兼用することもでき
る。
した後において、第５図に示すように、エポキシ樹脂等
の熱硬化性の合成樹脂13を、ステム２に穿設した孔14か
ら充填するようにしても良いのであり、更にまた、前記
導波体９を、前記透明樹脂12にて兼用することもでき
る。
図面は本発明の実施例を示し、第１図は第１実施例の縦
断正面図、第２図は第１図のII−II視断面図、第３図は
第２図の要部拡大図、第４図は透明樹脂を充填している
状態を示す断面図、第５図は第２実施例の縦断正面図で
ある。 １……半導体レーザ装置、２……ステム、３……透明
板、４……キャップ体、５……ブロック体、６……サブ
マウント、７……モニター用ホォトダイオード、８……
半導体レーザチップ、8a……半導体レーザチップの前方
劈開面、8b……半導体レーザチップの後方劈開面、９…
…導波体、10a,10b,10c……リード端子、12……透明樹
脂、13……熱硬化性合成樹脂。
断正面図、第２図は第１図のII−II視断面図、第３図は
第２図の要部拡大図、第４図は透明樹脂を充填している
状態を示す断面図、第５図は第２実施例の縦断正面図で
ある。 １……半導体レーザ装置、２……ステム、３……透明
板、４……キャップ体、５……ブロック体、６……サブ
マウント、７……モニター用ホォトダイオード、８……
半導体レーザチップ、8a……半導体レーザチップの前方
劈開面、8b……半導体レーザチップの後方劈開面、９…
…導波体、10a,10b,10c……リード端子、12……透明樹
脂、13……熱硬化性合成樹脂。
Claims (1)
- 【請求項１】半導体レーザチップを固着したステムと、
該ステムに前記半導体レーザチップを覆うように固着し
たキャップ体と、該キャップ体に設けた透明板とから成
る半導体レーザ装置のうち、少なくとも前記半導体レー
ザチップと、前記透明板との間の部分に、透明樹脂を、
当該透明樹脂にて半導体レーザチップの全体を覆うよう
に充填するにおいて、前記ステムに対してキャップ体を
固着する前の状態で、前記半導体レーザチップの部分に
透明樹脂液を塗着する一方、前記キャップ体内に透明樹
脂液を注入し、次いで、前記キャップ体内に前記半導体
レーザチップの部分を、これらにおける透明樹脂液が互
いに一体に繋がるように挿入したのち、キャップ体をス
テムに固着することを特徴とする半導体レーザ装置にお
ける透明樹脂の充填方法。
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2156203A JP2560135B2 (ja) | 1990-06-14 | 1990-06-14 | 半導体レーザ装置における透明樹脂の充填方法 |
| US07/686,146 US5140384A (en) | 1990-06-14 | 1991-04-16 | Semiconductor laser device mounted on a stem |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2156203A JP2560135B2 (ja) | 1990-06-14 | 1990-06-14 | 半導体レーザ装置における透明樹脂の充填方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0448671A JPH0448671A (ja) | 1992-02-18 |
| JP2560135B2 true JP2560135B2 (ja) | 1996-12-04 |
Family
ID=15622621
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2156203A Expired - Lifetime JP2560135B2 (ja) | 1990-06-14 | 1990-06-14 | 半導体レーザ装置における透明樹脂の充填方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2560135B2 (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN109586165A (zh) * | 2019-01-25 | 2019-04-05 | 维沃移动通信有限公司 | 一种激光模组及电子设备 |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE19517952A1 (de) * | 1995-05-16 | 1996-11-21 | Ams Optotech Vertrieb Gmbh | Optischer Verstärker mit Praseodym-dotierter optischer Faser |
Family Cites Families (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6183067U (ja) * | 1984-11-07 | 1986-06-02 | ||
| JPS6314489A (ja) * | 1986-07-04 | 1988-01-21 | Mitsubishi Electric Corp | 半導体レ−ザ装置 |
| JPS63136684A (ja) * | 1986-11-28 | 1988-06-08 | Hitachi Ltd | 光電子装置およびその製造方法ならびにその方法に用いるリ−ドフレ−ム |
| JPS6428882A (en) * | 1987-07-24 | 1989-01-31 | Hitachi Ltd | Photoelectronic device, manufacture thereof, and lead frame used in same manufacture |
-
1990
- 1990-06-14 JP JP2156203A patent/JP2560135B2/ja not_active Expired - Lifetime
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN109586165A (zh) * | 2019-01-25 | 2019-04-05 | 维沃移动通信有限公司 | 一种激光模组及电子设备 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0448671A (ja) | 1992-02-18 |
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