JPS6314489A - 半導体レ−ザ装置 - Google Patents
半導体レ−ザ装置Info
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- JPS6314489A JPS6314489A JP15853286A JP15853286A JPS6314489A JP S6314489 A JPS6314489 A JP S6314489A JP 15853286 A JP15853286 A JP 15853286A JP 15853286 A JP15853286 A JP 15853286A JP S6314489 A JPS6314489 A JP S6314489A
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- semiconductor laser
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- transparent resin
- resin layer
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Links
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
この発明は、半導体レーザ装置に関し、特に、低しきい
値電流により発振し、かつ基本横モード発振が可能で、
比較的容易に製造し得る半導体レーザ装置の改良構造に
係るものである。
値電流により発振し、かつ基本横モード発振が可能で、
比較的容易に製造し得る半導体レーザ装置の改良構造に
係るものである。
従来例による一般的な半導体レーザ装置の概要構成を第
３図に示す。
３図に示す。
すなわち、この第３図従来例装置の構成において、符号
１は半導体レーザ素子、２はこの半導体レーザ素子ｌか
らのレーザ出力をモニタする受光素子、３はこれらの各
素子１．２間の極性を半田付け、ワイヤポンドでとって
いるステムであり、また６は前記各素子１，２を窒素雰
囲気で中空状態に封止スるキャンパッケージ、７はレー
ザ出力をこのパッケージ６の外部に導くため、同パッケ
ージ６の該当部分に設けられた平面ガラスである。
１は半導体レーザ素子、２はこの半導体レーザ素子ｌか
らのレーザ出力をモニタする受光素子、３はこれらの各
素子１．２間の極性を半田付け、ワイヤポンドでとって
いるステムであり、また６は前記各素子１，２を窒素雰
囲気で中空状態に封止スるキャンパッケージ、７はレー
ザ出力をこのパッケージ６の外部に導くため、同パッケ
ージ６の該当部分に設けられた平面ガラスである。
しかして、この従来例装置構成の場合、半導体レーザ素
子ｌは、ステム３の該当各端子に供給される電流によっ
て発振され、所定光量のレーザ光を２方向に出力する。
子ｌは、ステム３の該当各端子に供給される電流によっ
て発振され、所定光量のレーザ光を２方向に出力する。
すなわち、一方のレーザ光は、パッケージ６の平面ガラ
ス７を通して外部に対するレーザ光出力となり、他方の
レーザ光は、受光素子１側へモニタ出力されて、外部レ
ーザ光の出力光量を計測する。
ス７を通して外部に対するレーザ光出力となり、他方の
レーザ光は、受光素子１側へモニタ出力されて、外部レ
ーザ光の出力光量を計測する。
このように前記従来例構成による半導体レーザ装置では
、半導体レーザ素子１．受光素子２を、平面ガラス７付
きのキャンパッケージ６内に、窒素雰囲気で中空封止さ
せて、耐湿性、熱放散性などの各機能を維持しているの
で、その構成上、製造工程が煩雑になって、量産性向上
のための自動化などを容易には行なえず、かつまた使用
材料が高価につくなどの問題点があった。
、半導体レーザ素子１．受光素子２を、平面ガラス７付
きのキャンパッケージ６内に、窒素雰囲気で中空封止さ
せて、耐湿性、熱放散性などの各機能を維持しているの
で、その構成上、製造工程が煩雑になって、量産性向上
のための自動化などを容易には行なえず、かつまた使用
材料が高価につくなどの問題点があった。
この発明は従来のこのような問題点を解消するためにな
されたものであり、その目的とするところは、耐湿性、
熱放散性などの各機能を低下させずに、しかも安価な使
用材料で、量産性に優れた装置パッケージを構成し得る
ようにした半導体レーザ装置を提供することである。
されたものであり、その目的とするところは、耐湿性、
熱放散性などの各機能を低下させずに、しかも安価な使
用材料で、量産性に優れた装置パッケージを構成し得る
ようにした半導体レーザ装置を提供することである。
前記目的を達成するために、この発明に係る半導体レー
ザ装置は、半導体レーザ素子とそのモニタ用受光素子と
の全体を、透明ゲルなどの光透過率の良好な水分吸着物
質で充填し、かつさらに透明樹脂層により被覆封止させ
たものである。
ザ装置は、半導体レーザ素子とそのモニタ用受光素子と
の全体を、透明ゲルなどの光透過率の良好な水分吸着物
質で充填し、かつさらに透明樹脂層により被覆封止させ
たものである。
すなわち、この発明の半導体レーザ装置では、受光素子
と半導体レーザ素子との全体を、透明ゲルなどの光透過
率の良好な水分吸着物質で充填させ、かつさらに透明樹
脂層により被覆封止させであるため、水分吸着物質によ
っては水分の出入りが効果的になされて耐湿性が保持さ
れると共に、熱放散性に富み、併せて量産性に優れた安
価な装置パッケージを実現できるのである。
と半導体レーザ素子との全体を、透明ゲルなどの光透過
率の良好な水分吸着物質で充填させ、かつさらに透明樹
脂層により被覆封止させであるため、水分吸着物質によ
っては水分の出入りが効果的になされて耐湿性が保持さ
れると共に、熱放散性に富み、併せて量産性に優れた安
価な装置パッケージを実現できるのである。
以下この発明に係る半導体レーザ装置の実施例につき、
第１図および第２図を参照して詳細に説明する。
第１図および第２図を参照して詳細に説明する。
第１図はこの発明の一実施例による装置パッケージを適
用した半導体レーザ装置の概要構成を示す断面説明図で
ある。
用した半導体レーザ装置の概要構成を示す断面説明図で
ある。
第１図実施例構成において、前記第３図従来例構成と同
一符号は同一または相当部分を示している。すなわち、
この第１図実施例の場合、装置の基本的構成は、第３図
従来例と全く同様であり。
一符号は同一または相当部分を示している。すなわち、
この第１図実施例の場合、装置の基本的構成は、第３図
従来例と全く同様であり。
この第１図実施例では、ステム３上に保持された半導体
レーザ素子１と受光素子２との全体を、透明ゲルなどの
光透過率の良好な水分吸着物質４によって同時に充填さ
せると共に、これをさらに透明樹脂層５により同時に被
覆封止させたものである。
レーザ素子１と受光素子２との全体を、透明ゲルなどの
光透過率の良好な水分吸着物質４によって同時に充填さ
せると共に、これをさらに透明樹脂層５により同時に被
覆封止させたものである。
こ＼で、透明ゲルなどの水分吸着物質４は、周囲の湿度
環境によって水分の出入りが自由になされ、かつ熱放散
性も良く、またゲルが透明であるために、受光素子２で
受光する半導体レーザ素子ｌの出力を、従来例構成のも
のとほぐ等価にし得ると共に、水分吸着物質４とこれに
接する透明樹脂層５相互の屈折率、厚みなどの関係を適
切に選択することで、レーザ出力のファーフィールドな
どの特性についても、これを従来例構成のものとはＣ等
価にし得るのである。
環境によって水分の出入りが自由になされ、かつ熱放散
性も良く、またゲルが透明であるために、受光素子２で
受光する半導体レーザ素子ｌの出力を、従来例構成のも
のとほぐ等価にし得ると共に、水分吸着物質４とこれに
接する透明樹脂層５相互の屈折率、厚みなどの関係を適
切に選択することで、レーザ出力のファーフィールドな
どの特性についても、これを従来例構成のものとはＣ等
価にし得るのである。
なお、前記第１図実施例構成では、レーザ出力のための
透明樹脂層５の表面部分が平坦な場合について述べたが
、第２図実施例構成に見られるように、同表面部分を透
明樹脂レンズ５ａとすることで、透明ゲルなどの水分吸
着物質４との屈折率の整合を効果的かつ良好にとり得る
のである。
透明樹脂層５の表面部分が平坦な場合について述べたが
、第２図実施例構成に見られるように、同表面部分を透
明樹脂レンズ５ａとすることで、透明ゲルなどの水分吸
着物質４との屈折率の整合を効果的かつ良好にとり得る
のである。
以上詳述したように、この発明によるときは、所定のス
テム上にあって、半導体レーザ素子、およびこの半導体
レーザ素子の出力をモニタする受光素子を組み込んで保
持させると共に、これらの半導体レーザ素子、受光素子
の全体を、透明ゲルなどの光透過率の良好な水分吸着物
質により充填させ、かつさらに透明樹脂層により被覆封
止させて構成したので、装置自体の耐湿性、熱放散性な
どの各機能を低下させずに、しかも安価な使用材料を用
いて、量産性に優れた装置パッケージを容易に構成し得
るなどの優れた特長を有するものである。
テム上にあって、半導体レーザ素子、およびこの半導体
レーザ素子の出力をモニタする受光素子を組み込んで保
持させると共に、これらの半導体レーザ素子、受光素子
の全体を、透明ゲルなどの光透過率の良好な水分吸着物
質により充填させ、かつさらに透明樹脂層により被覆封
止させて構成したので、装置自体の耐湿性、熱放散性な
どの各機能を低下させずに、しかも安価な使用材料を用
いて、量産性に優れた装置パッケージを容易に構成し得
るなどの優れた特長を有するものである。
第１図および第２図はこの発明に係る半導体レーザ装置
の各別の実施例による概要構成を示す断面説明図であり
、また第３図は同上従来例による半導体レーザ装置の概
要構成を示す断面説明図である。 １・・・・半導体レーザ素子、２・・・・受光素子、３
・・・・ステム、４・・・・水分吸着物質（透明ゲル）
、５・・・・透明樹脂層、５ａ・・・・透明樹脂レンズ
。 代理人 大 岩 増 雄 １ 、キ導体し−プ゛素子 第２図 ５ｑ：透明４鰐脂し〉ス′ 第３図
の各別の実施例による概要構成を示す断面説明図であり
、また第３図は同上従来例による半導体レーザ装置の概
要構成を示す断面説明図である。 １・・・・半導体レーザ素子、２・・・・受光素子、３
・・・・ステム、４・・・・水分吸着物質（透明ゲル）
、５・・・・透明樹脂層、５ａ・・・・透明樹脂レンズ
。 代理人 大 岩 増 雄 １ 、キ導体し−プ゛素子 第２図 ５ｑ：透明４鰐脂し〉ス′ 第３図
Claims (2)
- （１）所定のステム上に、半導体レーザ素子、およびこ
の半導体レーザ素子の出力をモニタする受光素子を組み
込むと共に、これらの半導体レーザ素子、受光素子の全
体を、透明ゲルなどの光透過率の良好な水分吸着物質に
より充填させ、かつさらに透明樹脂層により被覆封止さ
せたことを特徴とする半導体レーザ装置。 - （２）透明樹脂層のレーザ光出力部分を、透明樹脂レン
ズ状に形成したことを特徴とする特許請求の範囲第１項
に記載の半導体レーザ装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP15853286A JPS6314489A (ja) | 1986-07-04 | 1986-07-04 | 半導体レ−ザ装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP15853286A JPS6314489A (ja) | 1986-07-04 | 1986-07-04 | 半導体レ−ザ装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6314489A true JPS6314489A (ja) | 1988-01-21 |
Family
ID=15673785
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP15853286A Pending JPS6314489A (ja) | 1986-07-04 | 1986-07-04 | 半導体レ−ザ装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6314489A (ja) |
Cited By (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0448673A (ja) * | 1990-06-14 | 1992-02-18 | Rohm Co Ltd | 半導体レーザ装置 |
| JPH0448671A (ja) * | 1990-06-14 | 1992-02-18 | Rohm Co Ltd | 半導体レーザ装置における透明樹脂の充填方法 |
| US5105237A (en) * | 1990-07-16 | 1992-04-14 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | Semiconductor light-emitting device with partial encapsulation |
| FR2783094A1 (fr) * | 1998-09-08 | 2000-03-10 | Fujitsu Ltd | Module semiconducteur optique, film de reflexion, dispositifs laser et optique utilisant un film de reflexion et leur procede de fabrication |
| US6075911A (en) * | 1997-02-13 | 2000-06-13 | Nec Corporation | Optical coupling system using gel resin and the mounting structure |
| JP2004526307A (ja) * | 2001-01-31 | 2004-08-26 | ジェンテクス・コーポレーション | 高出力放射エミッタデバイスおよび電子部品用熱放散パッケージ |
| WO2006103512A1 (en) * | 2005-03-29 | 2006-10-05 | Melexis Nv | Optical data tranceiver |
-
1986
- 1986-07-04 JP JP15853286A patent/JPS6314489A/ja active Pending
Cited By (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0448673A (ja) * | 1990-06-14 | 1992-02-18 | Rohm Co Ltd | 半導体レーザ装置 |
| JPH0448671A (ja) * | 1990-06-14 | 1992-02-18 | Rohm Co Ltd | 半導体レーザ装置における透明樹脂の充填方法 |
| US5105237A (en) * | 1990-07-16 | 1992-04-14 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | Semiconductor light-emitting device with partial encapsulation |
| US6075911A (en) * | 1997-02-13 | 2000-06-13 | Nec Corporation | Optical coupling system using gel resin and the mounting structure |
| FR2783094A1 (fr) * | 1998-09-08 | 2000-03-10 | Fujitsu Ltd | Module semiconducteur optique, film de reflexion, dispositifs laser et optique utilisant un film de reflexion et leur procede de fabrication |
| JP2004526307A (ja) * | 2001-01-31 | 2004-08-26 | ジェンテクス・コーポレーション | 高出力放射エミッタデバイスおよび電子部品用熱放散パッケージ |
| WO2006103512A1 (en) * | 2005-03-29 | 2006-10-05 | Melexis Nv | Optical data tranceiver |
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