JPH0448673A - 半導体レーザ装置 - Google Patents
半導体レーザ装置Info
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- JPH0448673A JPH0448673A JP2156205A JP15620590A JPH0448673A JP H0448673 A JPH0448673 A JP H0448673A JP 2156205 A JP2156205 A JP 2156205A JP 15620590 A JP15620590 A JP 15620590A JP H0448673 A JPH0448673 A JP H0448673A
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、レーザの発光素子として半導体レーザチップ
を使用した半導体レーザ装置のうち、前記半導体レーザ
チップの部分を、キャップ体にて密封して成るいわゆる
カンシール型の半導体レーザ装置の改良に関するもので
ある。
を使用した半導体レーザ装置のうち、前記半導体レーザ
チップの部分を、キャップ体にて密封して成るいわゆる
カンシール型の半導体レーザ装置の改良に関するもので
ある。
一般に、この種のカンシール型の半導体レーザ装置にお
いて、その半導体レーザチップの部分を、キャップ体に
よって密封するのは、前記半導体レーザチップが、大気
中の湿度や塵埃等によって劣化することを防止すると共
に、前記半導体レーザチップを、外部からの接触及び衝
撃等に対して保護することにある。
いて、その半導体レーザチップの部分を、キャップ体に
よって密封するのは、前記半導体レーザチップが、大気
中の湿度や塵埃等によって劣化することを防止すると共
に、前記半導体レーザチップを、外部からの接触及び衝
撃等に対して保護することにある。
そこで、従来、この種のカンシール型の半導体レーザ装
置においては、良く知られているように、半導体レーザ
チップをダイボンディングしたステムと、その半導体レ
ーザチップに対するキャップ体とを炭素鋼製にして、こ
の両者を抵抗溶接にして接合する一方、前記キャップ体
に対してレーザ光を発射するためのガラス板をガラス半
田を使用して気密状態に固着し、更に、前記半導体レー
ザチップに対するリード端子を、前記ステムに穿設した
貫通孔から挿入し、このリード端子を前記貫通孔内にお
いてガラスシール材にて絶縁シール状態で固着すると言
う構成にしている。
置においては、良く知られているように、半導体レーザ
チップをダイボンディングしたステムと、その半導体レ
ーザチップに対するキャップ体とを炭素鋼製にして、こ
の両者を抵抗溶接にして接合する一方、前記キャップ体
に対してレーザ光を発射するためのガラス板をガラス半
田を使用して気密状態に固着し、更に、前記半導体レー
ザチップに対するリード端子を、前記ステムに穿設した
貫通孔から挿入し、このリード端子を前記貫通孔内にお
いてガラスシール材にて絶縁シール状態で固着すると言
う構成にしている。
しかし、ガラス板をキャップ体に対してガラス半田を使
用して固着するには、リング状のガラス半田を製作する
工程、及び高温で焼成する工程を必要するばかりか、こ
の高温での焼成によって変色したキャップ体に対して、
酸洗いしたのちニッケルメッキを施すと言う後処理工程
を必要とするものであり、また、ステムに穿設した貫通
孔内に挿入したリード端子を貫通孔内にガラスシール材
によって固着するに際しても、パイプ状ガラスシール材
の製作工程、及び高温で焼成する工程を必要をするばか
りか、この高温での焼成によって変色したステムに対し
て、酸洗いしたのちニッケルメッキを施すと言う後処理
工程を必要とするものであって、キャップ体に対してガ
ラス板を固着すること、及びステムに対してリード端子
を絶縁シール状態で固着することに、多大のコストが嵩
み、半導体レーザ装置の価格が著しく高くなると言う問
題があった。
用して固着するには、リング状のガラス半田を製作する
工程、及び高温で焼成する工程を必要するばかりか、こ
の高温での焼成によって変色したキャップ体に対して、
酸洗いしたのちニッケルメッキを施すと言う後処理工程
を必要とするものであり、また、ステムに穿設した貫通
孔内に挿入したリード端子を貫通孔内にガラスシール材
によって固着するに際しても、パイプ状ガラスシール材
の製作工程、及び高温で焼成する工程を必要をするばか
りか、この高温での焼成によって変色したステムに対し
て、酸洗いしたのちニッケルメッキを施すと言う後処理
工程を必要とするものであって、キャップ体に対してガ
ラス板を固着すること、及びステムに対してリード端子
を絶縁シール状態で固着することに、多大のコストが嵩
み、半導体レーザ装置の価格が著しく高くなると言う問
題があった。
本発明は、この問題、つまり、半導体レーザチップに対
する密封性を確保することのために、製造コストが大幅
にアップすると言う問題を解消することを技術的課題と
する。
する密封性を確保することのために、製造コストが大幅
にアップすると言う問題を解消することを技術的課題と
する。
この技術的課題を達成するため本発明は、半導体レーザ
チップを固着したステムと、該ステムに前記半導体レー
ザチップに被嵌するように固着したキャップ体と、前記
ステムに穿設の貫通孔から前記キャップ体内に突出する
ように挿入した少なくとも一つのリード端子とから成り
、前記キャップ体のうち前記半導体レーザチップの前方
剪開面に対向する部位に開口部を設ける一方、前記キャ
ップ体内の底部に、炭酸カルシウムやアルミナ等の充填
剤を混入した熱硬化性合成樹脂を、当該熱硬化性合成樹
脂が、前記ステムにおけるリード端子用貫通孔内に入る
ように充填し、更に、前記キャップ体内に、硬質の透明
合成樹脂を、前記開口部まで詰まるように充填する構成
にした。
チップを固着したステムと、該ステムに前記半導体レー
ザチップに被嵌するように固着したキャップ体と、前記
ステムに穿設の貫通孔から前記キャップ体内に突出する
ように挿入した少なくとも一つのリード端子とから成り
、前記キャップ体のうち前記半導体レーザチップの前方
剪開面に対向する部位に開口部を設ける一方、前記キャ
ップ体内の底部に、炭酸カルシウムやアルミナ等の充填
剤を混入した熱硬化性合成樹脂を、当該熱硬化性合成樹
脂が、前記ステムにおけるリード端子用貫通孔内に入る
ように充填し、更に、前記キャップ体内に、硬質の透明
合成樹脂を、前記開口部まで詰まるように充填する構成
にした。
このように構成すると、半導体レーザチ・ツブの先端に
おける前方剪開面から発射するレーザ光は、キャップ体
内に充填した透明合成樹脂内を通って、当該透明合成樹
脂の表面から大気中に出射される。
おける前方剪開面から発射するレーザ光は、キャップ体
内に充填した透明合成樹脂内を通って、当該透明合成樹
脂の表面から大気中に出射される。
そして、前記半導体レーサチップの全体は、前記キャッ
プ体内に充填した硬質の透明合成樹脂によって覆われて
いることにより、当該半導体レーザチップに対する湿度
及び塵埃の接触を、前記透明合成樹脂によって阻止する
ことができるから、前記キャップ体に対して、前記従来
のように、ガラス板を固着することを省略できるのであ
る。
プ体内に充填した硬質の透明合成樹脂によって覆われて
いることにより、当該半導体レーザチップに対する湿度
及び塵埃の接触を、前記透明合成樹脂によって阻止する
ことができるから、前記キャップ体に対して、前記従来
のように、ガラス板を固着することを省略できるのであ
る。
一方、前記キャップ体内の底部に、充填剤を混入した熱
硬化性合成樹脂を、当該熱硬化性合成樹脂が、前記ステ
ムにおけるリード端子用貫通孔内に入るように充填した
ことにより、リード端子をステムに対して絶縁シール状
態で固着することに、前記従来のように、ガラスシール
材を使用することを省略できる。
硬化性合成樹脂を、当該熱硬化性合成樹脂が、前記ステ
ムにおけるリード端子用貫通孔内に入るように充填した
ことにより、リード端子をステムに対して絶縁シール状
態で固着することに、前記従来のように、ガラスシール
材を使用することを省略できる。
すなわち、熱硬化性合成樹脂に炭酸カルシウムやアルミ
ナ等の充填剤を混入することにより、当該熱硬化性合成
樹脂における硬化時の収縮及び熱膨張率を低減できると
共に、機械的強度を向上することができるから、この充
填剤を混入した熱硬化性合成樹脂を、キャップ体内の底
部に、当該熱硬化性合成樹脂か、ステムにおけるリード
端子用貫通孔内に入るように充填することにより、リー
ド端子をステムに対して絶縁シール状態で固着すること
か、確実に、且つ、強固にできるのである。
ナ等の充填剤を混入することにより、当該熱硬化性合成
樹脂における硬化時の収縮及び熱膨張率を低減できると
共に、機械的強度を向上することができるから、この充
填剤を混入した熱硬化性合成樹脂を、キャップ体内の底
部に、当該熱硬化性合成樹脂か、ステムにおけるリード
端子用貫通孔内に入るように充填することにより、リー
ド端子をステムに対して絶縁シール状態で固着すること
か、確実に、且つ、強固にできるのである。
従って、本発明によると、キャップ体に対してガラス板
を高い気密性を保って固着すること、及びリート端子を
ステムに対してガラスシール材を使用して固着すること
を必要としないから、製造コストを大幅に低減できて、
耐久性の高い半導体レーザ装置を、著しく安価に提供で
きるのであり、しかも、前記キャップ体内に充填した硬
質の透明合成樹脂の表面が、レーザ光の出射面になるか
ら、前記半導体レーザチップにおける前方臂開面を高い
精度の平坦面にしなくても、レーザ光のビーム特性を向
上することができる効果を有する。
を高い気密性を保って固着すること、及びリート端子を
ステムに対してガラスシール材を使用して固着すること
を必要としないから、製造コストを大幅に低減できて、
耐久性の高い半導体レーザ装置を、著しく安価に提供で
きるのであり、しかも、前記キャップ体内に充填した硬
質の透明合成樹脂の表面が、レーザ光の出射面になるか
ら、前記半導体レーザチップにおける前方臂開面を高い
精度の平坦面にしなくても、レーザ光のビーム特性を向
上することができる効果を有する。
その上、従来のように、キャップ体に対してガラス板を
設けることを必要としないことにより、キャップ体の高
さ寸法を低くすることができるから、半導体レーザ装置
の小型・軽量化を図ることができる効果をも有する。
設けることを必要としないことにより、キャップ体の高
さ寸法を低くすることができるから、半導体レーザ装置
の小型・軽量化を図ることができる効果をも有する。
［実施例］
以下、本発明の実施例を図面（第１図〜第３図）につい
て説明するに、図において符号１は、炭素鋼等の金属に
て円盤型に形成したステム２と、炭素鋼等の金属板にて
開口部３を有するように筒型に形成したキャップ体４と
によって構成された半導体レーザ装置を示す。
て説明するに、図において符号１は、炭素鋼等の金属に
て円盤型に形成したステム２と、炭素鋼等の金属板にて
開口部３を有するように筒型に形成したキャップ体４と
によって構成された半導体レーザ装置を示す。
前記ステム２の上面に一体的に造形したブロック体５の
側面には、モニター用ホオトダイオード７を備えたサブ
マウント６が固着され、このサブマウント６の表面に、
半導体レーザチップ８が、当該半導体レーサチップ８に
おける前方剪開面８ａが前記開口部３の方向に向かい、
後方臂開面８ｂが前記ホオトダイオード７の方向に向か
うようにダイボンディングされている。また、前記半導
体レーサチップ８と、前記ホオトダイオード７とには、
シリコン樹脂等のように比較的軟質の透明合成樹脂９が
、前記半導体レーザチップ８及び前記ホオトダイオード
７の全体を覆うように塗着されている。
側面には、モニター用ホオトダイオード７を備えたサブ
マウント６が固着され、このサブマウント６の表面に、
半導体レーザチップ８が、当該半導体レーサチップ８に
おける前方剪開面８ａが前記開口部３の方向に向かい、
後方臂開面８ｂが前記ホオトダイオード７の方向に向か
うようにダイボンディングされている。また、前記半導
体レーサチップ８と、前記ホオトダイオード７とには、
シリコン樹脂等のように比較的軟質の透明合成樹脂９が
、前記半導体レーザチップ８及び前記ホオトダイオード
７の全体を覆うように塗着されている。
符号１０ａ、１０ｂ、１０ｃは、前記半導体レーザチッ
プ８及び前記ホオトダイオート７に対するリード端子を
示し、この各リード端子１０ａ。
プ８及び前記ホオトダイオート７に対するリード端子を
示し、この各リード端子１０ａ。
１０ｂ、１０ｃのうち一本のリード端子１０ａは、前記
ステム２の下面に溶接等により固着され、他の二本のリ
ード端子１０ｂ、１０ｃは、前記ステム２に穿設した貫
通孔１１．１２内に挿入されている。
ステム２の下面に溶接等により固着され、他の二本のリ
ード端子１０ｂ、１０ｃは、前記ステム２に穿設した貫
通孔１１．１２内に挿入されている。
また、前記キャップ体４は、前記半導体レーザチップ８
付ブロック体５に被嵌したのち、その下端における外向
きフランジ部４ａを前記ステム２に対して溶接等するこ
とによって固着されている。
付ブロック体５に被嵌したのち、その下端における外向
きフランジ部４ａを前記ステム２に対して溶接等するこ
とによって固着されている。
そして、前記キャップ体４内における底部に、炭酸カル
シウムやアルミナ等の充填剤を混入した熱硬化性合成樹
脂１３を、当該熱硬化性合成樹脂１３が前記ステム２に
おける両頁通孔１１．１２内に入るように充填する。
シウムやアルミナ等の充填剤を混入した熱硬化性合成樹
脂１３を、当該熱硬化性合成樹脂１３が前記ステム２に
おける両頁通孔１１．１２内に入るように充填する。
次いて、前記キャップ体４内に、例えば、エポキシ樹脂
等のような硬質の透明合成樹脂１４を、キャップ体４に
おける開口部３まで詰まるように充填する。
等のような硬質の透明合成樹脂１４を、キャップ体４に
おける開口部３まで詰まるように充填する。
このように構成すると、半導体レーザチップ８の先端に
おける前方臂開面８ａから発射するレーザ光は、キャッ
プ体４内に充填した透明合成樹脂１４内を通って、当該
透明合成樹脂１４の表面１４ａから大気中に出射される
。
おける前方臂開面８ａから発射するレーザ光は、キャッ
プ体４内に充填した透明合成樹脂１４内を通って、当該
透明合成樹脂１４の表面１４ａから大気中に出射される
。
また、前記半導体レーザチップ８における後方襞間面８
ｂから発射されるモニター用のレーザ光は、半導体レー
ザチップ８及びホオトダイオード７の全体を覆うように
塗着した軟質の透明合成樹脂９を介してホオトダイオー
ド７に導かれる。
ｂから発射されるモニター用のレーザ光は、半導体レー
ザチップ８及びホオトダイオード７の全体を覆うように
塗着した軟質の透明合成樹脂９を介してホオトダイオー
ド７に導かれる。
そして、前記半導体レーザチップ８及びホオトダイオー
ド７の全体は、前記キャップ体４内に充填した硬質の透
明合成樹脂１４によって覆われていることにより、当該
半導体レーサチップ８及びホオトダイオート７に対する
湿度及び塵埃の接触を、前記透明合成樹脂１４によって
阻止することかできる。
ド７の全体は、前記キャップ体４内に充填した硬質の透
明合成樹脂１４によって覆われていることにより、当該
半導体レーサチップ８及びホオトダイオート７に対する
湿度及び塵埃の接触を、前記透明合成樹脂１４によって
阻止することかできる。
一方、前記キャップ体４内の底部に、充填剤を混入した
熱硬化性合成樹脂１３を、当該熱硬化性合成樹脂１３が
前記ステム２におけるリード端子用貫通孔１１．１２内
に入るように充填したことにより、リート端子１０ｂ、
１０ｃをステム２に対して絶縁シール状態で固着するこ
とか、確実に、且つ、強固にできるのである。
熱硬化性合成樹脂１３を、当該熱硬化性合成樹脂１３が
前記ステム２におけるリード端子用貫通孔１１．１２内
に入るように充填したことにより、リート端子１０ｂ、
１０ｃをステム２に対して絶縁シール状態で固着するこ
とか、確実に、且つ、強固にできるのである。
また、キャップ体４内の総てを、軟質の透明合成樹脂９
により埋めることも可能である。
により埋めることも可能である。
なお、前記した半導体レーザ装置１の製造は、以下に述
べるような方法を採用することができる。
べるような方法を採用することができる。
すなわち、第４図に示すように、一つの半導体レーザ装
置１における三本のリード端子１０ａ。
置１における三本のリード端子１０ａ。
１０ｂ、１０ｃを長手方向に適宜ピッチＰで造形して成
るリードフレームＩ５を用意し、このリードフレーム１
５における各リード端子１０ａ、１０ｂ、１０ｃの箇所
に、前記ステム２を、各リード端子１０ａ、１０ｂ、１
０ｃのうち一本のリード端子１０ａがステム２の下面に
接当し、他の二本のリード端子２０ｂ、１０ｃがステム
２における貫通孔１１．１２内に挿入するようにして装
着したのち、前記−本のリード端子１０ａを、ステム２
の下面に対して抵抗溶接等にて固着する。
るリードフレームＩ５を用意し、このリードフレーム１
５における各リード端子１０ａ、１０ｂ、１０ｃの箇所
に、前記ステム２を、各リード端子１０ａ、１０ｂ、１
０ｃのうち一本のリード端子１０ａがステム２の下面に
接当し、他の二本のリード端子２０ｂ、１０ｃがステム
２における貫通孔１１．１２内に挿入するようにして装
着したのち、前記−本のリード端子１０ａを、ステム２
の下面に対して抵抗溶接等にて固着する。
次いで、各ステム２におけるブロック体５の側面に、半
導体レーザチップ８を、サブマウント６を介してダイボ
ンディングしたのち、前記半導体レーザチップ８とサブ
マウント６との間、及び前記サブマウント６と前記両リ
ード端子１０ｂ、１０ｃとの間を、各々金線にてワイヤ
ーボンディングする。
導体レーザチップ８を、サブマウント６を介してダイボ
ンディングしたのち、前記半導体レーザチップ８とサブ
マウント６との間、及び前記サブマウント６と前記両リ
ード端子１０ｂ、１０ｃとの間を、各々金線にてワイヤ
ーボンディングする。
なお、前記半導体レーザチップ８及びサブマウント６の
ステム２に対するダイボンディングは、ステム２をリー
ドフレーム１５に対して固着する前において行うように
しても良い。
ステム２に対するダイボンディングは、ステム２をリー
ドフレーム１５に対して固着する前において行うように
しても良い。
そして、各ステム２の上面に、第７図に示すように、キ
ャップ体４を固着し、次いで、各ステム２の下面に、受
は金型１６を当てかった状態で、キャップ体４内の底部
に、充填剤を混入した熱硬化性合成樹脂１３を、当該熱
硬化性合成樹脂１３がステム２における両賞通孔１１．
１２内に入るように充填して硬化する。
ャップ体４を固着し、次いで、各ステム２の下面に、受
は金型１６を当てかった状態で、キャップ体４内の底部
に、充填剤を混入した熱硬化性合成樹脂１３を、当該熱
硬化性合成樹脂１３がステム２における両賞通孔１１．
１２内に入るように充填して硬化する。
この熱硬化性合成樹脂１３の充填を、前記貫通孔１１．
１２内に一部だけ充填する第１段充填と、最終的な充填
を行う第２段充填とに分けて行うようにし、第１段充填
の後において、前記半導体レーザチップ８とサブマウン
ト６のダイボンディング、前記ワイヤーボンディング、
及び前記軟質透明合成樹脂９の塗着、並びにキャップ体
４の固着を行うか、或いは、前記ワイヤーボンディング
、及び前記軟質透明合成樹脂９の塗着、並びにキャップ
体４の固着を行ったのち第２段充填を行うようにしても
良い。
１２内に一部だけ充填する第１段充填と、最終的な充填
を行う第２段充填とに分けて行うようにし、第１段充填
の後において、前記半導体レーザチップ８とサブマウン
ト６のダイボンディング、前記ワイヤーボンディング、
及び前記軟質透明合成樹脂９の塗着、並びにキャップ体
４の固着を行うか、或いは、前記ワイヤーボンディング
、及び前記軟質透明合成樹脂９の塗着、並びにキャップ
体４の固着を行ったのち第２段充填を行うようにしても
良い。
次いで、前記キャップ体４内に、第９図に示すように、
硬質の透明合成樹脂１４を充填・硬化するのであり、こ
の透明合成樹脂１４の表面１４ａを、平坦面に形成する
には、自然液面のまま硬化するか、或いは、この透明合
成樹脂Ｉ４が硬化する直前において、その透明合成樹脂
１４の表面１４ａに、離型性を有する平面板を押圧する
か、また或いは、当該透明合成樹脂１４の硬化後におい
て、その表面を研磨加工によって平坦面に仕上げるよう
にしても良いのである。
硬質の透明合成樹脂１４を充填・硬化するのであり、こ
の透明合成樹脂１４の表面１４ａを、平坦面に形成する
には、自然液面のまま硬化するか、或いは、この透明合
成樹脂Ｉ４が硬化する直前において、その透明合成樹脂
１４の表面１４ａに、離型性を有する平面板を押圧する
か、また或いは、当該透明合成樹脂１４の硬化後におい
て、その表面を研磨加工によって平坦面に仕上げるよう
にしても良いのである。
また、前記キャップ体４は、金属製にすることに限らず
、非透明性の合成樹脂製にしても良いのである。
、非透明性の合成樹脂製にしても良いのである。
図面は本発明の実施例を示し、第１図は縦断正面図、第
２図は第１図の■−■視断面断面図３図は第１図の要部
拡大図、第４図、第７図、第８図及び第９図は製造方法
を示す図、第５図は第４図の■−ｖ視断面断面図６図は
第５図のＶＩ−ＶＩ視平面図である。 １・・・・半導体レーザ装置、２・・・・ステム、３・
・・・開口部、４・・・・キャップ体、５・・・・ブロ
ック体、６・・・・サブマウント、７・・・・モニター
用フォトダイオード、８・・・・半導体レーザチップ、
９・・・・軟質透明合成樹脂、１０ａ、１０ｂ、ｌＯｃ
・・・・リード端子、１１．１２・・・・貫通孔、１３
・・・・熱硬化性合成樹脂、１４・・・・硬質透明合成
樹脂。 特許出願人 ローム 株式会社 ヒＶ ■」
２図は第１図の■−■視断面断面図３図は第１図の要部
拡大図、第４図、第７図、第８図及び第９図は製造方法
を示す図、第５図は第４図の■−ｖ視断面断面図６図は
第５図のＶＩ−ＶＩ視平面図である。 １・・・・半導体レーザ装置、２・・・・ステム、３・
・・・開口部、４・・・・キャップ体、５・・・・ブロ
ック体、６・・・・サブマウント、７・・・・モニター
用フォトダイオード、８・・・・半導体レーザチップ、
９・・・・軟質透明合成樹脂、１０ａ、１０ｂ、ｌＯｃ
・・・・リード端子、１１．１２・・・・貫通孔、１３
・・・・熱硬化性合成樹脂、１４・・・・硬質透明合成
樹脂。 特許出願人 ローム 株式会社 ヒＶ ■」
Claims (1)
- （１）、半導体レーザチップを固着したステムと、該ス
テムに前記半導体レーザチップに被嵌するように固着し
たキャップ体と、前記ステムに穿設の貫通孔から前記キ
ャップ体内に突出するように挿入した少なくとも一つの
リード端子とから成り、前記キャップ体のうち前記半導
体レーザチップの前方剪開面に対向する部位に開口部を
設ける一方、前記キャップ体内の底部に、炭酸カルシウ
ムやアルミナ等の充填剤を混入した熱硬化性合成樹脂を
、当該熱硬化性合成樹脂が、前記ステムにおけるリード
端子用貫通孔内に入るように充填し、更に、前記キャッ
プ体内に、硬質の透明合成樹脂を、前記開口部まで詰ま
るように充填したことを特徴とする半導体レーザ装置。
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2156205A JP2617236B2 (ja) | 1990-06-14 | 1990-06-14 | 半導体レーザ装置 |
| US07/686,146 US5140384A (en) | 1990-06-14 | 1991-04-16 | Semiconductor laser device mounted on a stem |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2156205A JP2617236B2 (ja) | 1990-06-14 | 1990-06-14 | 半導体レーザ装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0448673A true JPH0448673A (ja) | 1992-02-18 |
| JP2617236B2 JP2617236B2 (ja) | 1997-06-04 |
Family
ID=15622666
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2156205A Expired - Lifetime JP2617236B2 (ja) | 1990-06-14 | 1990-06-14 | 半導体レーザ装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2617236B2 (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5838703A (en) * | 1996-09-30 | 1998-11-17 | Motorola, Inc. | Semiconductor laser package with power monitoring system and optical element |
| JP2007214252A (ja) * | 2006-02-08 | 2007-08-23 | Fuji Xerox Co Ltd | 半導体レーザ装置 |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6183067U (ja) * | 1984-11-07 | 1986-06-02 | ||
| JPS6314489A (ja) * | 1986-07-04 | 1988-01-21 | Mitsubishi Electric Corp | 半導体レ−ザ装置 |
-
1990
- 1990-06-14 JP JP2156205A patent/JP2617236B2/ja not_active Expired - Lifetime
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6183067U (ja) * | 1984-11-07 | 1986-06-02 | ||
| JPS6314489A (ja) * | 1986-07-04 | 1988-01-21 | Mitsubishi Electric Corp | 半導体レ−ザ装置 |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5838703A (en) * | 1996-09-30 | 1998-11-17 | Motorola, Inc. | Semiconductor laser package with power monitoring system and optical element |
| JP2007214252A (ja) * | 2006-02-08 | 2007-08-23 | Fuji Xerox Co Ltd | 半導体レーザ装置 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2617236B2 (ja) | 1997-06-04 |
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