JPH0342686Y2 - - Google Patents
Info
- Publication number
- JPH0342686Y2 JPH0342686Y2 JP1984041405U JP4140584U JPH0342686Y2 JP H0342686 Y2 JPH0342686 Y2 JP H0342686Y2 JP 1984041405 U JP1984041405 U JP 1984041405U JP 4140584 U JP4140584 U JP 4140584U JP H0342686 Y2 JPH0342686 Y2 JP H0342686Y2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- lead
- head
- hedging
- glass
- airtight terminal
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W72/00—Interconnections or connectors in packages
- H10W72/851—Dispositions of multiple connectors or interconnections
- H10W72/874—On different surfaces
- H10W72/884—Die-attach connectors and bond wires
Landscapes
- Connections Arranged To Contact A Plurality Of Conductors (AREA)
Description
【考案の詳細な説明】
技術分野
この考案は気密端子に関し、より詳しくは光デ
バイス用に好適する気密端子に関する。
バイス用に好適する気密端子に関する。
従来技術
光デバイス用の気密端子として、第1図および
第2図に示す構造のものがある。第1図は平面図
で、第2図は第1図の−線に沿う断面図を示
す。図において、1はセラミツク等よりなる略円
柱状のベース本体で、2個の独立した凹部2,3
を有し、各凹部2,3にはそれぞれ比較的深い底
部4,6と比較的浅い底部5,7有し、各底部
4,6には比較的大径の透孔8,10を、また各
底部5,7には比較的小径の透孔9,11を有す
る。前記大径の各透孔8,10には、比較的大径
のヘツデイングリード12,14が挿入されると
共に、小径の各透孔9,11には、比較的小径の
ヘツデイングリード13,15が挿入されてお
り、各ヘツデイングリード12,13,14,1
5はそれぞれ黒色ガラス16,17,18,19
で気密に封着されている。
第2図に示す構造のものがある。第1図は平面図
で、第2図は第1図の−線に沿う断面図を示
す。図において、1はセラミツク等よりなる略円
柱状のベース本体で、2個の独立した凹部2,3
を有し、各凹部2,3にはそれぞれ比較的深い底
部4,6と比較的浅い底部5,7有し、各底部
4,6には比較的大径の透孔8,10を、また各
底部5,7には比較的小径の透孔9,11を有す
る。前記大径の各透孔8,10には、比較的大径
のヘツデイングリード12,14が挿入されると
共に、小径の各透孔9,11には、比較的小径の
ヘツデイングリード13,15が挿入されてお
り、各ヘツデイングリード12,13,14,1
5はそれぞれ黒色ガラス16,17,18,19
で気密に封着されている。
上記の気密端子において、一方の大径のヘツデ
イングリード12の頭部には、第2図に2点鎖線
で示すように、発光ダイオード20がマウントさ
れ、その上面電極がワイヤ21を介して小径のヘ
ツデイングリード13の頭部に接続される。ま
た、他方の大径のヘツデイングリード14の頭部
にはcds等の受光素子がマウントされ、その上面
電極がワイヤを介して、小径のヘツデイングリー
ド15の頭部に接続される。そして、各凹部2,
3に透明樹脂が充填される。
イングリード12の頭部には、第2図に2点鎖線
で示すように、発光ダイオード20がマウントさ
れ、その上面電極がワイヤ21を介して小径のヘ
ツデイングリード13の頭部に接続される。ま
た、他方の大径のヘツデイングリード14の頭部
にはcds等の受光素子がマウントされ、その上面
電極がワイヤを介して、小径のヘツデイングリー
ド15の頭部に接続される。そして、各凹部2,
3に透明樹脂が充填される。
ところで、上記の気密端子は、最近の電子機器
の軽・薄・短・小化に伴つて、ますます小径化さ
れており、ベース本体1の外径も5mm以下にする
ことが要求され、各透孔8〜11の内径も小さ
く、各ヘツデイングリード12〜15との寸法公
差も小さいため、一般の気密端子を製造する場合
のように、各透孔8〜11内にガラスタブレツト
を挿入配置しておいて加熱封着する製法を採用す
ることができない。
の軽・薄・短・小化に伴つて、ますます小径化さ
れており、ベース本体1の外径も5mm以下にする
ことが要求され、各透孔8〜11の内径も小さ
く、各ヘツデイングリード12〜15との寸法公
差も小さいため、一般の気密端子を製造する場合
のように、各透孔8〜11内にガラスタブレツト
を挿入配置しておいて加熱封着する製法を採用す
ることができない。
このため、代表的に透孔8へのヘツデイングリ
ード12のガラス封着について説明すると、第3
図に示すように、ヘツデイングリード12の頭部
の下方に、ガラスタブレツト16aを配置してお
いて、前記頭部に上より重し治具で荷重を加えた
状態で加熱して、前記ガラスタブレツト16aを
溶融させて、溶融ガラスを透孔8内に強制的に押
し込むような製法が採用されている。
ード12のガラス封着について説明すると、第3
図に示すように、ヘツデイングリード12の頭部
の下方に、ガラスタブレツト16aを配置してお
いて、前記頭部に上より重し治具で荷重を加えた
状態で加熱して、前記ガラスタブレツト16aを
溶融させて、溶融ガラスを透孔8内に強制的に押
し込むような製法が採用されている。
しかしながら、透孔8とヘツデイングリード1
2の寸法公差が小さいために、溶融ガラスが透孔
8内に入りにくく、このため、第4図に示すよう
に、ガラス16がヘツデイングリード12の頭部
上に這い上つて、ヘツデイングリード12の固着
強度が小さく、かつ発光ダイオード20のマウン
トを困難ないし不可能にするという問題点があつ
た。このような問題点を解決するためには、例え
ばヘツデイングリード12の頭部の直径を大きく
することが考えられるが、リード12の直径その
ものが小さいため、限度があつた。
2の寸法公差が小さいために、溶融ガラスが透孔
8内に入りにくく、このため、第4図に示すよう
に、ガラス16がヘツデイングリード12の頭部
上に這い上つて、ヘツデイングリード12の固着
強度が小さく、かつ発光ダイオード20のマウン
トを困難ないし不可能にするという問題点があつ
た。このような問題点を解決するためには、例え
ばヘツデイングリード12の頭部の直径を大きく
することが考えられるが、リード12の直径その
ものが小さいため、限度があつた。
考案の目的
そこで、この考案は、ヘツデイングリードの固
着強度が大きく、かつ頭部への素子のマウント性
やワイヤのボンデイング性の良好な気密端子を提
供することを目的とする。
着強度が大きく、かつ頭部への素子のマウント性
やワイヤのボンデイング性の良好な気密端子を提
供することを目的とする。
考案の構成
この考案は、ヘツデイングリードの頭部下方
に、前記頭部よりも大径でかつ固着ガラスよりも
高融点の円板を配置したことを特徴とするもので
ある。
に、前記頭部よりも大径でかつ固着ガラスよりも
高融点の円板を配置したことを特徴とするもので
ある。
すなわち、上記のような円板を用いると、円板
によつて溶融ガラスが押圧されて、透孔とヘツデ
イングリードとの隙間に押し込まれやすくなり、
しかもヘツデイングリードの頭部に這い上ること
が防止されて、ヘツデイングリードが確実強固に
ベース本体に固着されたかつ頭部への素子のマウ
ント性やワイヤのボンデイング性の良好な気密端
子が得られる。
によつて溶融ガラスが押圧されて、透孔とヘツデ
イングリードとの隙間に押し込まれやすくなり、
しかもヘツデイングリードの頭部に這い上ること
が防止されて、ヘツデイングリードが確実強固に
ベース本体に固着されたかつ頭部への素子のマウ
ント性やワイヤのボンデイング性の良好な気密端
子が得られる。
実施例
以下、この考案の実施例を図面を参照して説明
する。
する。
第5図は第4図に対応させて、一部のみを代表
的に示した断面図であり、第4図と同一部分には
同一参照符号を付している。第4図との相違点
は、ヘツデイングリード12の頭部の下方に、こ
の頭部よりも大径でかつガラス16よりも高融点
のガラス,セラミツク,金属等よりなる円板22
を配置していることである。
的に示した断面図であり、第4図と同一部分には
同一参照符号を付している。第4図との相違点
は、ヘツデイングリード12の頭部の下方に、こ
の頭部よりも大径でかつガラス16よりも高融点
のガラス,セラミツク,金属等よりなる円板22
を配置していることである。
上記の気密端子は、第6図に示すように、ヘツ
デイングリード12に、先ず円板22を嵌め、次
いでガラスタブレツト16aを嵌めておいて、ベ
ース本体1の透孔8に挿入した状態で、ヘツデイ
ングリード12の頭部に上より荷重を加えて加熱
することによつて製造される。上記の構造による
と、円板22が頭部よりも大径であるため、溶融
ガラスが効果的に押圧されて、透孔8とヘツデイ
ングリード12の隙間に入り込みやすく、ヘツデ
イングリード12がベース本体1に確実強固に固
着されると共に、溶融ガラスが頭部上面に這い上
ることがなく、素子のマウント性が良好になる。
デイングリード12に、先ず円板22を嵌め、次
いでガラスタブレツト16aを嵌めておいて、ベ
ース本体1の透孔8に挿入した状態で、ヘツデイ
ングリード12の頭部に上より荷重を加えて加熱
することによつて製造される。上記の構造による
と、円板22が頭部よりも大径であるため、溶融
ガラスが効果的に押圧されて、透孔8とヘツデイ
ングリード12の隙間に入り込みやすく、ヘツデ
イングリード12がベース本体1に確実強固に固
着されると共に、溶融ガラスが頭部上面に這い上
ることがなく、素子のマウント性が良好になる。
なお。前述のとおり、第5図及び第6図では代
表的に一部のみを示したが、ヘツデイングリード
14においても同様であり、小径のヘツデイング
リード13,15においても実施することができ
る。
表的に一部のみを示したが、ヘツデイングリード
14においても同様であり、小径のヘツデイング
リード13,15においても実施することができ
る。
また、上記実施例は、発光素子と受光素子とを
マウントする光デバイスについて説明したが、発
光素子のみあるいは受光素子のみをマウントする
ものにも実施できる。
マウントする光デバイスについて説明したが、発
光素子のみあるいは受光素子のみをマウントする
ものにも実施できる。
考案の効果
以上のように、この考案はヘツデイングリード
の頭部下方に、この頭部よりも大径でかつガラス
よりも高融点の円板を配置することによつて、ヘ
ツデイングリードの固着強度が大きく、しかも素
子のマウント性やワイヤのボンデイング性の良好
な気密端子が得られる。
の頭部下方に、この頭部よりも大径でかつガラス
よりも高融点の円板を配置することによつて、ヘ
ツデイングリードの固着強度が大きく、しかも素
子のマウント性やワイヤのボンデイング性の良好
な気密端子が得られる。
第1図はこの考案の背景となる気密端子の平面
図で、第2図は第1図の−線に沿う断面図で
ある。第3図は第1図の気密端子の製造方法につ
いて説明するための要部断面図である。第4図は
従来の気密端子において発生しやすい不良状態を
示す要部断面図である。第5図はこの考案の一実
施例の気密端子の要部断面図である。第6図はこ
の考案の気密端子の製造方法について説明するた
めの要部断面図である。 1……ベース本体、2,3……凹部、8,9…
…透孔、12〜15……ヘツデイングリード、1
6,17……ガラス、22……円板。
図で、第2図は第1図の−線に沿う断面図で
ある。第3図は第1図の気密端子の製造方法につ
いて説明するための要部断面図である。第4図は
従来の気密端子において発生しやすい不良状態を
示す要部断面図である。第5図はこの考案の一実
施例の気密端子の要部断面図である。第6図はこ
の考案の気密端子の製造方法について説明するた
めの要部断面図である。 1……ベース本体、2,3……凹部、8,9…
…透孔、12〜15……ヘツデイングリード、1
6,17……ガラス、22……円板。
Claims (1)
- 【実用新案登録請求の範囲】 ベース本体の透孔にヘツデイングリードをガラ
スで固着してなる気密端子において、 前記ヘツデイングリードの頭部下方に、前記頭
部よりも大径でかつ前記ガラスよりも高融点の円
板を配置したことを特徴とする気密端子。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1984041405U JPS60153537U (ja) | 1984-03-22 | 1984-03-22 | 気密端子 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1984041405U JPS60153537U (ja) | 1984-03-22 | 1984-03-22 | 気密端子 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS60153537U JPS60153537U (ja) | 1985-10-12 |
| JPH0342686Y2 true JPH0342686Y2 (ja) | 1991-09-06 |
Family
ID=30551196
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1984041405U Granted JPS60153537U (ja) | 1984-03-22 | 1984-03-22 | 気密端子 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS60153537U (ja) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP4525193B2 (ja) * | 2004-06-15 | 2010-08-18 | パナソニック株式会社 | 光半導体素子用パッケージとそれを用いた発光装置 |
-
1984
- 1984-03-22 JP JP1984041405U patent/JPS60153537U/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS60153537U (ja) | 1985-10-12 |
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