JPH0998020A - 発振器 - Google Patents
発振器Info
- Publication number
- JPH0998020A JPH0998020A JP7255986A JP25598695A JPH0998020A JP H0998020 A JPH0998020 A JP H0998020A JP 7255986 A JP7255986 A JP 7255986A JP 25598695 A JP25598695 A JP 25598695A JP H0998020 A JPH0998020 A JP H0998020A
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- Japan
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- oscillation
- substrate
- wires
- electrode
- electrodes
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-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/4805—Shape
- H01L2224/4809—Loop shape
- H01L2224/48091—Arched
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
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- H01L2224/481—Disposition
- H01L2224/48151—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
- H01L2224/48221—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
- H01L2224/48225—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation
-
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- H01L2224/481—Disposition
- H01L2224/48151—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
- H01L2224/48221—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
- H01L2224/48225—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation
- H01L2224/48227—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation connecting the wire to a bond pad of the item
Landscapes
- Wire Bonding (AREA)
- Oscillators With Electromechanical Resonators (AREA)
- Inductance-Capacitance Distribution Constants And Capacitance-Resistance Oscillators (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 本発明は発振器における発振周波数の変動を
抑制することを目的とする。 【解決手段】 そしてこの目的を達成するために本発明
は、基板1と、この基板1上に実装された発振素子4
と、この発振素子4の制御を行なうとともに、前記基板
1上に実装された制御素子5とを備え、前記制御素子5
の電極5aと発振素子4の電極4aとを、ボンディング
ワイヤ6にて接続した。
抑制することを目的とする。 【解決手段】 そしてこの目的を達成するために本発明
は、基板1と、この基板1上に実装された発振素子4
と、この発振素子4の制御を行なうとともに、前記基板
1上に実装された制御素子5とを備え、前記制御素子5
の電極5aと発振素子4の電極4aとを、ボンディング
ワイヤ6にて接続した。
Description
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は発振制御用の制御素
子を備えた発振器に関するものである。
子を備えた発振器に関するものである。
【0002】
【従来の技術】例えば温度補償機能付の発振器は基板上
に発振素子と制御素子を実装し、制御素子によってその
発振制御を行なっている。
に発振素子と制御素子を実装し、制御素子によってその
発振制御を行なっている。
【0003】
【発明が解決しようとする課題】上記構成において問題
となるのは、長期使用により発振周波数が変動してしま
うという事であった。すなわち、発振素子の電極と制御
素子の電極は基板上に設けた配線パターンを介して接続
されているのであるが、この配線パターンの寄生容量
が、例えば基板が吸湿することで変動し、この容量変動
が前記発振周波数の変動となるのである。そこで本発明
はこの発振周波数の変動を抑制することを目的とするも
のである。
となるのは、長期使用により発振周波数が変動してしま
うという事であった。すなわち、発振素子の電極と制御
素子の電極は基板上に設けた配線パターンを介して接続
されているのであるが、この配線パターンの寄生容量
が、例えば基板が吸湿することで変動し、この容量変動
が前記発振周波数の変動となるのである。そこで本発明
はこの発振周波数の変動を抑制することを目的とするも
のである。
【0004】
【課題を解決するための手段】そして、この目的を達成
するために本発明は、前記制御素子の電極と発振素子の
電極とを、ボンディングワイヤにて接続したものであ
る。そしてこれにより発振周波数の変動を抑制するもの
である。
するために本発明は、前記制御素子の電極と発振素子の
電極とを、ボンディングワイヤにて接続したものであ
る。そしてこれにより発振周波数の変動を抑制するもの
である。
【0005】
【発明の実施の形態】本発明の請求項1の発明によれ
ば、そもそもボンディングワイヤに対する寄生容量が小
さいことに起因し、例え基板が吸湿したとしても、この
寄生容量の変動も小さく、よって発振素子の発振周波数
変動も小さく抑制できることとなるのである。
ば、そもそもボンディングワイヤに対する寄生容量が小
さいことに起因し、例え基板が吸湿したとしても、この
寄生容量の変動も小さく、よって発振素子の発振周波数
変動も小さく抑制できることとなるのである。
【0006】図1,図2は一実施形態を示し、1はガラ
スエポキシ基板よりなる基板で、この基板1の上面には
複数配線パターン2と外部端子3が設けられている。ま
た基板1の上面には発振素子4とその制御素子5が実装
されている。
スエポキシ基板よりなる基板で、この基板1の上面には
複数配線パターン2と外部端子3が設けられている。ま
た基板1の上面には発振素子4とその制御素子5が実装
されている。
【0007】制御素子5には複数の電極5aが設けら
れ、この電極5aと配線パターン2はボンディングワイ
ヤ6によって接続されている。
れ、この電極5aと配線パターン2はボンディングワイ
ヤ6によって接続されている。
【0008】またこの制御素子5の2つの電極5aと発
振素子4の電極4aもボンディングワイヤ6によって直
接接続されている。
振素子4の電極4aもボンディングワイヤ6によって直
接接続されている。
【0009】すなわち発振素子4の発振制御はボンディ
ングワイヤ6を介して制御素子5によって行なわれ、ま
た発振出力はボンディングワイヤ6、制御素子5、配線
パターン2を介して外部端子3へと出力されることにな
る。
ングワイヤ6を介して制御素子5によって行なわれ、ま
た発振出力はボンディングワイヤ6、制御素子5、配線
パターン2を介して外部端子3へと出力されることにな
る。
【0010】さて、発振素子4と制御素子5はボンディ
ングワイヤ6によって接続されており、この接続体の寄
生容量は発振素子4の周波数変動を引き起こすおそれが
ある。しかし本実施例ではこの間はそもそも寄生容量の
小さいボンディングワイヤによる中空配線であり、例え
基板に吸湿が生じたとしても、寄生容量の変動は小さ
く、よって発振素子の発振周波数変動も小さく抑制する
ことが出来る。
ングワイヤ6によって接続されており、この接続体の寄
生容量は発振素子4の周波数変動を引き起こすおそれが
ある。しかし本実施例ではこの間はそもそも寄生容量の
小さいボンディングワイヤによる中空配線であり、例え
基板に吸湿が生じたとしても、寄生容量の変動は小さ
く、よって発振素子の発振周波数変動も小さく抑制する
ことが出来る。
【0011】図3、図4は他の実施例を示しこの実施例
では基板1上の配線パターン2間等に中継電極7を設
け、この中継電極7を介して発振素子4の電極4aと制
御素子5の電極5aとをボンディングワイヤ6で接続し
たものである。つまり、電極4a,5a間の距離が離れ
ている場合には、この様な中継電極7を設けることが、
ボンディングワイヤ6を必要以上に長いものにする必要
がないことから有益なものとなる。
では基板1上の配線パターン2間等に中継電極7を設
け、この中継電極7を介して発振素子4の電極4aと制
御素子5の電極5aとをボンディングワイヤ6で接続し
たものである。つまり、電極4a,5a間の距離が離れ
ている場合には、この様な中継電極7を設けることが、
ボンディングワイヤ6を必要以上に長いものにする必要
がないことから有益なものとなる。
【0012】なお、中継電極7は配線パターン2に比較
すると小さなものであるので寄生容量も小さなものにし
かならない。
すると小さなものであるので寄生容量も小さなものにし
かならない。
【0013】
【発明の効果】以上のように本発明は、前記制御素子の
電極と発振素子の電極とを、ボンディングワイヤにて接
続したものであり、以上の構成とすれば、そもそもボン
ディングワイヤに対する寄生容量が小さいことに起因
し、例え基板が吸湿したとしても、この寄生容量の変動
も小さく、よって発振素子の発振周波数変動も小さく制
御できることとなるのである。
電極と発振素子の電極とを、ボンディングワイヤにて接
続したものであり、以上の構成とすれば、そもそもボン
ディングワイヤに対する寄生容量が小さいことに起因
し、例え基板が吸湿したとしても、この寄生容量の変動
も小さく、よって発振素子の発振周波数変動も小さく制
御できることとなるのである。
【図1】本発明の一実施形態の平面図
【図2】図1の断面図
【図3】本発明の他の実施形態の平面図
【図4】図3の断面図
1 基板 2 配線パターン 3 外部端子 4 発振素子 5 制御素子 6 ボンディングワイヤ 7 中継電極
Claims (3)
- 【請求項1】 基板と、この基板上に実装された発振素
子と、この発振素子の制御を行なうとともに前記基板上
に実装された制御素子とを備え、前記制御素子の電極と
発振素子の電極とを、ボンディングワイヤにて接続した
発振器。 - 【請求項2】 基板上に中継電極を設け、この中継電極
を介して発振素子の電極と制御素子の電極とをボンディ
ングワイヤで接続した請求項1に記載の発振器。 - 【請求項3】 基板は、ガラスエポキシ基板によって形
成した請求項1、または2に記載の発振器。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP7255986A JPH0998020A (ja) | 1995-10-03 | 1995-10-03 | 発振器 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP7255986A JPH0998020A (ja) | 1995-10-03 | 1995-10-03 | 発振器 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH0998020A true JPH0998020A (ja) | 1997-04-08 |
Family
ID=17286327
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP7255986A Pending JPH0998020A (ja) | 1995-10-03 | 1995-10-03 | 発振器 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH0998020A (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US8404980B2 (en) | 2005-09-30 | 2013-03-26 | Fujitsu Semiconductor Limited | Relay board and semiconductor device having the relay board |
-
1995
- 1995-10-03 JP JP7255986A patent/JPH0998020A/ja active Pending
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US8404980B2 (en) | 2005-09-30 | 2013-03-26 | Fujitsu Semiconductor Limited | Relay board and semiconductor device having the relay board |
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Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |