JP2017039629A - シリコン単結晶の製造方法 - Google Patents
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- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 title claims abstract description 129
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 title claims abstract description 129
- 239000010703 silicon Substances 0.000 title claims abstract description 129
- 239000013078 crystal Substances 0.000 title claims abstract description 101
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims abstract description 21
- 238000002844 melting Methods 0.000 claims abstract description 47
- 230000008018 melting Effects 0.000 claims abstract description 47
- 239000010453 quartz Substances 0.000 claims abstract description 36
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N silicon dioxide Inorganic materials O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 36
- 239000002994 raw material Substances 0.000 claims description 59
- 239000007789 gas Substances 0.000 claims description 45
- XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N Argon Chemical compound [Ar] XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 44
- 229910052786 argon Inorganic materials 0.000 claims description 22
- 239000011261 inert gas Substances 0.000 claims description 9
- 238000000034 method Methods 0.000 abstract description 23
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 22
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 abstract description 22
- 230000007547 defect Effects 0.000 abstract description 11
- 239000002210 silicon-based material Substances 0.000 abstract description 6
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 abstract description 3
- 239000007788 liquid Substances 0.000 abstract 1
- 239000000463 material Substances 0.000 description 13
- 238000010309 melting process Methods 0.000 description 6
- 239000000155 melt Substances 0.000 description 4
- 238000004804 winding Methods 0.000 description 4
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 3
- 239000011810 insulating material Substances 0.000 description 2
- 229910021420 polycrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 2
- 230000002035 prolonged effect Effects 0.000 description 2
- 239000007787 solid Substances 0.000 description 2
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000011109 contamination Methods 0.000 description 1
- 230000008020 evaporation Effects 0.000 description 1
- 238000001704 evaporation Methods 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 1
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000843 powder Substances 0.000 description 1
- 230000001737 promoting effect Effects 0.000 description 1
- SBEQWOXEGHQIMW-UHFFFAOYSA-N silicon Chemical compound [Si].[Si] SBEQWOXEGHQIMW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000009466 transformation Effects 0.000 description 1
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- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C30—CRYSTAL GROWTH
- C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
- C30B15/00—Single-crystal growth by pulling from a melt, e.g. Czochralski method
- C30B15/20—Controlling or regulating
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- C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
- C30B15/00—Single-crystal growth by pulling from a melt, e.g. Czochralski method
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- C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
- C30B15/00—Single-crystal growth by pulling from a melt, e.g. Czochralski method
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- C—CHEMISTRY; METALLURGY
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- C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
- C30B29/00—Single crystals or homogeneous polycrystalline material with defined structure characterised by the material or by their shape
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Abstract
【解決手段】チャンバー10内の石英ルツボ12内に充填されたシリコン原料をヒータ15で加熱して融解する工程と、石英ルツボ12内のシリコン融液3からシリコン単結晶2を引き上げる工程とを繰り返することにより、同一の石英ルツボ12を用いて複数本のシリコン単結晶2を製造する。2本目以降のシリコン単結晶2を引き上げるために石英ルツボ12内に追加供給されたシリコン原料を融解する際のチャンバー10内の炉内圧は、1本目のシリコン単結晶2を引き上げるために石英ルツボ12内に供給されたシリコン原料を融解する際のチャンバー10の炉内圧よりも高く設定される。
【選択図】図1
Description
2 シリコン単結晶
3 シリコン融液
10 チャンバー
10A メインチャンバー
10B プルチャンバー
11 断熱材
12 石英ルツボ
13 サセプタ
14 回転支持軸
15 ヒータ
16 熱遮蔽体
17 ワイヤー
18 ワイヤー巻き取り機構
19A ガス吸気口
19B ガス排気口
20A,20B バタフライバルブ
21 真空ポンプ
F1,F2 アルゴンガス流量
P1,P2 炉内圧
Claims (6)
- チャンバー内の石英ルツボ内に充填されたシリコン原料をヒータで加熱して融解する工程と、前記石英ルツボ内のシリコン融液からシリコン単結晶を引き上げる工程とを繰り返すことにより、同一の石英ルツボを用いて複数本のシリコン単結晶を製造する方法であって、
1本目のシリコン単結晶の引き上げに用いられる前記石英ルツボ内に供給されたシリコン原料を融解する第1の原料融解工程と、
2本目以降のシリコン単結晶の引き上げに用いられる前記石英ルツボ内に追加供給されたシリコン原料を融解する第2の原料融解工程とを備え、
前記第1の原料融解工程では前記チャンバー内を第1の炉内圧に設定し、
前記第2の原料融解工程では前記チャンバー内を前記第1の炉内圧よりも高い第2の炉内圧に設定することを特徴とするシリコン単結晶の製造方法。 - 前記第2の炉内圧は、前記第1の炉内圧よりも40Torr以上高い、請求項1に記載のシリコン単結晶の製造方法。
- 前記第2の炉内圧は、前記第1の炉内圧の2倍以上である、請求項1または2に記載のシリコン単結晶の製造方法。
- 前記第1の原料融解工程では前記チャンバー内に供給する不活性ガスの流量を第1の流量に設定し、
前記第2の原料融解工程では前記チャンバー内に供給する不活性ガスの流量を前記第1の流量よりも少ない第2の流量に設定する、請求項1ないし3のいずれか一項に記載のシリコン単結晶の製造方法。 - 前記第2の流量は、前記第1の流量よりも50L/min以上少ない、請求項4に記載のシリコン単結晶の製造方法。
- 前記不活性ガスがアルゴンガスである、請求項4または5に記載のシリコン単結晶の製造方法。
Priority Applications (6)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2015163511A JP6090391B2 (ja) | 2015-08-21 | 2015-08-21 | シリコン単結晶の製造方法 |
TW105120459A TWI596241B (zh) | 2015-08-21 | 2016-06-29 | 矽單結晶的製造方法 |
CN201680036860.8A CN107709634B (zh) | 2015-08-21 | 2016-07-06 | 单晶硅的制造方法 |
US15/741,314 US10494734B2 (en) | 2015-08-21 | 2016-07-06 | Method for producing silicon single crystals |
PCT/JP2016/069981 WO2017033583A1 (ja) | 2015-08-21 | 2016-07-06 | シリコン単結晶の製造方法 |
KR1020187000184A KR102038925B1 (ko) | 2015-08-21 | 2016-07-06 | 실리콘 단결정 제조 방법 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2015163511A JP6090391B2 (ja) | 2015-08-21 | 2015-08-21 | シリコン単結晶の製造方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2017039629A true JP2017039629A (ja) | 2017-02-23 |
JP6090391B2 JP6090391B2 (ja) | 2017-03-08 |
Family
ID=58099760
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2015163511A Active JP6090391B2 (ja) | 2015-08-21 | 2015-08-21 | シリコン単結晶の製造方法 |
Country Status (6)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US10494734B2 (ja) |
JP (1) | JP6090391B2 (ja) |
KR (1) | KR102038925B1 (ja) |
CN (1) | CN107709634B (ja) |
TW (1) | TWI596241B (ja) |
WO (1) | WO2017033583A1 (ja) |
Families Citing this family (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2017082112A1 (ja) | 2015-11-13 | 2017-05-18 | 株式会社Sumco | シリコン単結晶の製造方法 |
JP6919633B2 (ja) * | 2018-08-29 | 2021-08-18 | 信越半導体株式会社 | 単結晶育成方法 |
CN109252214A (zh) * | 2018-11-23 | 2019-01-22 | 包头美科硅能源有限公司 | 一种提高多晶硅铸锭炉炉内气氛洁净度的方法 |
JP6777908B1 (ja) * | 2019-11-19 | 2020-10-28 | Ftb研究所株式会社 | 単結晶成長装置、該単結晶成長装置の使用方法および単結晶成長方法 |
KR102492237B1 (ko) * | 2020-11-25 | 2023-01-26 | 에스케이실트론 주식회사 | 실리콘 단결정 잉곳의 성장 방법 및 장치 |
CN113249779B (zh) * | 2021-04-20 | 2022-03-15 | 上海新昇半导体科技有限公司 | 一种翻板阀、拉晶炉及加料方法和拉晶方法 |
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Family Cites Families (11)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN1003797B (zh) * | 1988-01-20 | 1989-04-05 | 浙江大学 | 一种微氮低氧低碳直拉硅单晶的制备方法 |
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JP3832536B2 (ja) | 1998-11-25 | 2006-10-11 | 信越半導体株式会社 | シリコン単結晶の製造方法および引上げ機 |
JP3360626B2 (ja) | 1998-12-01 | 2002-12-24 | 三菱住友シリコン株式会社 | シリコン単結晶の製造方法 |
JP3664103B2 (ja) | 2001-06-05 | 2005-06-22 | 三菱住友シリコン株式会社 | 単結晶成長方法 |
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JP5051033B2 (ja) | 2008-07-14 | 2012-10-17 | 株式会社Sumco | シリコン単結晶の製造方法 |
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JP5921498B2 (ja) * | 2013-07-12 | 2016-05-24 | グローバルウェーハズ・ジャパン株式会社 | シリコン単結晶の製造方法 |
-
2015
- 2015-08-21 JP JP2015163511A patent/JP6090391B2/ja active Active
-
2016
- 2016-06-29 TW TW105120459A patent/TWI596241B/zh active
- 2016-07-06 WO PCT/JP2016/069981 patent/WO2017033583A1/ja active Application Filing
- 2016-07-06 KR KR1020187000184A patent/KR102038925B1/ko active IP Right Grant
- 2016-07-06 US US15/741,314 patent/US10494734B2/en active Active
- 2016-07-06 CN CN201680036860.8A patent/CN107709634B/zh active Active
Patent Citations (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US20180187330A1 (en) | 2018-07-05 |
CN107709634B (zh) | 2020-11-06 |
US10494734B2 (en) | 2019-12-03 |
TWI596241B (zh) | 2017-08-21 |
JP6090391B2 (ja) | 2017-03-08 |
WO2017033583A1 (ja) | 2017-03-02 |
CN107709634A (zh) | 2018-02-16 |
KR20180016480A (ko) | 2018-02-14 |
TW201713803A (zh) | 2017-04-16 |
KR102038925B1 (ko) | 2019-10-31 |
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