KR20180016480A - 실리콘 단결정 제조 방법 - Google Patents

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Abstract

[과제] 멀티풀링법에 있어서 실리콘 단결정의 핀홀 불량을 방지하면서 두 번째 이후의 실리콘 단결정 중의 카본 농도를 줄인다. [해결 수단] 챔버(10) 내의 석영 도가니(12) 내에 충전된 실리콘 원료를 히터(15)로 가열하여 융해하는 공정과, 석영 도가니(12) 내의 실리콘 융액(3)으로부터 실리콘 단결정(2)을 인상하는 공정을 반복함으로써, 동일한 석영 도가니(12)를 이용하여 복수 개의 실리콘 단결정(2)을 제조한다. 두 번째 이후의 실리콘 단결정(2)을 인상하기 위해 석영 도가니(12) 내에 추가 공급된 실리콘 원료를 융해할 때의 챔버(10) 내의 로내압은 첫 번째 실리콘 단결정(2)을 인상하기 위해 석영 도가니(12) 내에 공급된 실리콘 원료를 융해할 때의 챔버(10)의 로내압보다 높게 설정된다.

Description

실리콘 단결정 제조 방법
본 발명은 초크랄스키법(이하, "CZ법"이라고 함)에 의한 실리콘 단결정 제조 방법에 관한 것으로서, 특히, 동일한 석영 도가니를 이용하여 복수 개의 실리콘 단결정을 연속적으로 제조하는 소위 멀티풀링법에 관한 것이다.
CZ법에 의한 실리콘 단결정 제조 방법으로서 멀티풀링법(multipulling method)이 알려져 있다(예컨대, 특허 문헌 1 참조). 멀티풀링법에서는 실리콘 단결정을 인상한 후, 동일한 석영 도가니 내에 실리콘 원료를 추가 공급하여 융해(融解)하고, 얻어진 실리콘 융액(融液)으로부터 실리콘 단결정의 인상을 수행하고, 이러한 원료 공급 공정과 단결정 인상 공정을 반복함으로써, 하나의 석영 도가니로부터 복수 개의 실리콘 단결정을 제조한다. 멀티풀링법에 의하면, 실리콘 단결정 하나 당 석영 도가니의 원가 비용을 줄이는 것이 가능하다. 또한 챔버를 해체하여 석영 도가니를 교환하는 빈도를 줄일 수 있기 때문에 조업 효율을 향상시키는 것이 가능하다.
CZ법에 의한 실리콘 단결정의 제조에서는, 석영 도가니 내에 다결정 실리콘 등의 실리콘 원료를 충전하고, 챔버 내에서 실리콘 원료를 가열하여 융해한다. 이어서, 인상축의 하단에 부착된 씨결정(種結晶, seed crystal)을 석영 도가니의 상방으로부터 강하시켜 실리콘 융액에 침지하고, 씨결정 및 석영 도가니를 소정의 방향으로 회전시키면서 씨결정을 천천히 상승시킴으로써 씨결정의 하방으로 단결정을 성장시킨다.
실리콘 단결정의 육성 중, 챔버 안은 감압 상태로 유지된다. 실리콘 융액에는 석영 도가니로부터 용출된 산소가 과포화로 포함되어 있는데, 챔버 내의 기압(로내압)이 높으면 가스 유속이 느려지기 때문에, 증발한 SiO가 대량으로 챔버 내에 부착되고, 이 챔버 내에 부착된 SiO 가루가 실리콘 융액 중에 낙하함으로써 유전위화(宥轉位(dislocation)化)의 원인이 된다. 그러나, 로내압을 낮춘 경우에는 발생 가스를 효율적으로 로 밖으로 배출시킬 수 있어, 유전위화의 발생을 억제할 수 있다.
SiO의 증발이나 핀홀(pinhole)의 발생에 기인하는 단결정의 유전위화의 문제를 해결하기 위해, 특허 문헌 2에는, 원료 용해 공정에 있어서의 로내압을 65 내지 400mbar로 하고, 단결정 인상 공정에 있어서의 로내압을 그보다 낮게 95mbar 이하로 하는 로내압의 제어 방법이 기재되어 있다. 또한 특허 문헌 3에는, 원료 용해 공정의 전반에 있어서의 로내압을 고압(60 내지 400mbar)으로 하고, 원료 용해 공정의 후반에 있어서의 로내압을 저압(60mbar 이하)으로 하는 로내압의 제어 방법이 기재되어 있다. 나아가, 특허 문헌 4에는, 원료 융해 시의 로내압을 60hPa 이하의 저압으로 함으로써 융액 중에 녹아들어간 가스의 휘발을 촉진시켜 실리콘 단결정의 핀홀 불량을 방지하는 방법이 기재되어 있다.
특허 문헌 1 : 일본 특허 공개 2010-18506호 공보 특허 문헌 2 : 일본 특허 공개 2000-169287호 공보 특허 문헌 3 : 일본 특허 공개 2002-362996호 공보 특허 문헌 4 : 일본 특허 공개 2000-159596호 공보
상기와 같이 멀티풀링법은 실리콘 단결정의 제조 효율이나 비용면에서 매우 유리하다. 멀티풀링법에 있어서도, 원료 융해 시의 로내압을 낮춤으로써 실리콘 단결정의 핀홀 불량을 방지하는 방법은 유효하다.
그러나, 챔버 내에는 카본으로 된 히터를 비롯하여 다양한 카본으로 된 부재가 있어, 단결정 육성 공정 중의 고온 하에서 이들이 소모됨으로써 CO 가스가 발생되고 있기 때문에, 멀티풀링법에서는 인상 수가 증가할수록 실리콘 융액의 카본 오염이 진행되어, 실리콘 단결정 중의 카본 농도가 높아진다는 문제가 있다. 즉, 두 번째 이후의 실리콘 단결정의 인상에서는 CO 가스가 용융되지 않은(未溶融) 실리콘 원료에 부착되고, 융해 중인 실리콘 융액에 녹아들어가, 육성 중인 실리콘 단결정으로 들어가기 때문에, 두 번째 이후의 실리콘 단결정 중의 탄소 농도는 첫 번째보다 높아진다. 이러한 현상은, 실리콘 단결정의 핀홀 불량을 방지하기 위해 원료 융해 시의 로내압을 낮춘 경우에 특히 문제가 된다.
따라서, 본 발명의 목적은, 멀티풀링법에 있어서 실리콘 단결정의 핀홀 불량을 방지하면서 두 번째 이후의 실리콘 단결정 중의 카본 농도를 줄이는 것이 가능한 실리콘 단결정 제조 방법을 제공하는 것에 있다.
상기 과제를 해결하기 위해, 본 발명에 따른 실리콘 단결정 제조 방법은, 챔버 내의 석영 도가니 내에 충전된 실리콘 원료를 히터로 가열하여 융해하는 공정과, 상기 석영 도가니 내의 실리콘 융액으로부터 실리콘 단결정을 인상하는 공정을 반복함으로써, 동일한 석영 도가니를 이용하여 복수 개의 실리콘 단결정을 제조하는 방법으로서, 첫 번째 실리콘 단결정의 인상에 사용되는 상기 석영 도가니 내에 공급된 실리콘 원료를 융해하는 제1 원료 융해 공정과, 두 번째 이후의 실리콘 단결정의 인상에 사용되는 상기 석영 도가니 내에 추가 공급된 실리콘 원료를 융해하는 제2 원료 융해 공정을 구비하고, 상기 제1 원료 융해 공정에서는 상기 챔버 안을 제1 로내압으로 설정하고, 상기 제2 원료 융해 공정에서는 상기 챔버 안을 상기 제1 로내압보다 높은 제2 로내압으로 설정하는 것을 특징으로 한다.
본 발명에 따르면, 실리콘 단결정의 핀홀 불량을 방지하면서, 두 번째 이후의 실리콘 단결정을 인상하기 위해 추가 공급된 실리콘 원료(리차지(recharge) 원료)를 융해하여 생성되는 실리콘 융액 중의 카본 농도의 상승을 억제할 수 있다. 따라서, 카본 농도가 낮은 고품질의 실리콘 단결정을 제조할 수 있다.
본 발명에 있어서, 상기 제2 로내압은 상기 제1 로내압보다 40Torr 이상 높은 것이 바람직하고, 상기 제1 로내압의 2배 이상인 것도 또한 바람직하다. 이와 같이 제2 로내압이 제1 로내압보다 높은 경우에는, 실리콘 융액 중의 카본 농도의 상승을 충분히 억제할 수 있어, 육성되는 실리콘 단결정 중의 카본 농도를 억제할 수 있다.
본 발명에 있어서, 상기 제1 원료 융해 공정에서는 상기 챔버 내에 공급하는 불활성(不活性) 가스의 유량을 제1 유량으로 설정하고, 상기 제2 원료 융해 공정에서는 상기 챔버 내에 공급하는 불활성 가스의 유량을 상기 제1 유량보다 적은 제2 유량으로 설정하는 것이 바람직하다. 이 경우에 있어서, 상기 불활성 가스는 아르곤 가스인 것이 바람직하고, 상기 제2 유량은 상기 제1 유량보다 50L/min 이상 적은 것이 바람직하다. 제2 유량을 제1 유량보다 적게 함으로써, 제2 로내압을 안정적으로 제어할 수 있다. 또한, 불활성 가스가 챔버 내에 많이 유입됨으로써 실리콘 원료가 차가워져 원료의 융해가 장기화되어 생산성이 저하되는 것을 방지할 수 있다.
이와 같이, 본 발명에 따르면, 멀티풀링법에 있어서 실리콘 단결정의 핀홀 불량을 방지하면서 두 번째 이후의 실리콘 단결정 중의 카본 농도를 줄이는 것이 가능한 실리콘 단결정 제조 방법을 제공할 수 있다.
도 1은 본 발명의 실시 형태에 따른 실리콘 단결정 인상 장치의 구성을 보인 종단면도이다.
도 2는 본 발명의 실시 형태에 따른 실리콘 단결정 제조 방법을 설명하기 위한 흐름도이다.
이하, 첨부 도면을 참조하면서 본 발명의 바람직한 실시 형태에 대해 상세하게 설명하기로 한다.
도 1은 본 발명의 실시 형태에 따른 실리콘 단결정 인상 장치의 구성을 보인 종단면도이다.
도 1에 도시한 바와 같이, 실리콘 단결정 인상 장치(1)는, 챔버(10)와, 챔버(10)의 내면을 따라 배치된 단열재(11)와, 챔버(10) 내의 중심부에 배치된 석영 도가니(12)와, 석영 도가니(12)를 지지하는 카본으로 된 서셉터(13)와, 서셉터(13)를 승하강 가능하게 지지하는 회전 지지축(14)과, 서셉터(13)의 주위에 배치된 히터(15)와, 서셉터(13)의 상방에 배치된 대략 역원뿔대(逆円錐台) 형상의 열차폐체(16)와, 서셉터(13)의 상방으로서 회전 지지축(14)과 동축(同軸) 상에 배치된 단결정 인상용 와이어(17)와, 챔버(10)의 상방에 배치된 와이어 권취 기구(18)를 구비하고 있다.
챔버(10)는, 메인 챔버(10A)와, 메인 챔버(10A)의 상부 개구에 연결된 가늘고 긴 원통형의 풀 챔버(pull chamber; 10B)로 구성되어 있으며, 전술한 석영 도가니(12), 서셉터(13), 회전 지지축(14), 히터(15) 및 열차폐체(16)는 메인 챔버(10A) 내에 마련되어 있다. 히터(15)는 석영 도가니(12) 내에 충전된 실리콘 원료를 융해하여 실리콘 융액을 생성하기 위해 사용된다. 히터(15)는 카본으로 된 저항 가열식 히터로서, 서셉터(13) 내의 석영 도가니(12)를 에워싸도록 마련되어 있다.
열차폐체(16)는 카본으로 되어 있으며, 실리콘 융액(3)의 상방에 있어서 육성 중인 실리콘 단결정(2)을 에워싸도록 마련되어 있다. 와이어 권취 기구(18)는 풀 챔버(10B)의 상방에 배치되어 있고, 와이어(17)는 와이어 권취 기구(18)로부터 풀 챔버(10B) 안을 지나 하방으로 연장되어 있으며, 와이어(17)의 선단부는 메인 챔버(10A)의 내부 공간까지 도달해 있다. 도 1에는 육성 도중의 실리콘 단결정(2)이 와이어(17)에 매달린 상태가 도시되어 있다.
이상의 구성에 있어서, 실리콘 단결정의 제조에서는, 실리콘 원료가 충전된 석영 도가니(12)를 서셉터(13) 내에 세팅하고, 와이어(17)의 선단부에 씨결정을 부착한다. 이어서 석영 도가니(12) 내의 실리콘 원료를 히터(15)로 가열하여 실리콘 융액(3)을 생성한다.
실리콘 단결정의 인상 공정에서는, 씨결정을 강하시켜 실리콘 융액(3)에 침지한 후, 씨결정 및 석영 도가니(12)를 각각 회전시키면서, 씨결정을 천천히 상승시킴으로써, 씨결정의 하방에 대략 원기둥 형상의 실리콘 단결정(2)을 성장시킨다. 그 때, 실리콘 단결정(2)의 직경은 그 인상 속도나 히터(15)의 파워를 제어함으로써 제어된다.
풀 챔버(10B)의 상부에는, 챔버(10) 내에 아르곤 가스를 도입하기 위한 가스 흡기구(19A)가 마련되어 있고, 메인 챔버(10A)의 바닥부에는, 챔버(10) 내의 아르곤 가스를 배기하기 위한 가스 배기구(19B)가 마련되어 있다. 아르곤 가스는 가스 흡기구(19A)로부터 챔버(10) 내로 도입되며, 그 도입량은 버터플라이 밸브(20A)에 의해 제어된다. 또한 밀폐된 챔버(10) 내의 아르곤 가스는 가스 배기구(19B)로부터 챔버의 외부로 배기되므로, 챔버(10) 내의 SiO 가스나 CO 가스를 회수하여 챔버(10) 안을 청정하게 유지하는 것이 가능해진다. 가스 배기구(19B)에 접속된 배관의 도중에는 버터플라이 밸브(20B) 및 진공 펌프(21)가 설치되어 있고, 진공 펌프(21)로 챔버(10) 내의 아르곤 가스를 흡인하면서 버터플라이 밸브(20B)로 그 유량을 제어함으로써 챔버(10) 안은 일정한 감압 상태로 유지되고 있다.
도 2는 본 발명의 실시 형태에 따른 실리콘 단결정 제조 방법을 설명하기 위한 흐름도(flow chart)이다.
도 2에 도시한 바와 같이, 멀티풀링법에 있어서의 첫 번째 실리콘 단결정의 육성에서는, 석영 도가니(12) 내에 초기 차지로서 충전된 다결정 실리콘 등의 고체의 실리콘 원료(초기 차지 원료)를 융해하여 실리콘 융액(3)을 생성한다(S1 단계). 이 때, 챔버(10) 내의 로내압 P1(제1 로내압)은 예컨대 40Torr로 설정되고, 또한 챔버(10) 내에 공급하는 아르곤 가스의 유량 F1(제1 유량)은 예컨대 250L/min로 설정된다.
그 후, 실리콘 융액(3)으로부터 첫 번째 실리콘 단결정(2)을 인상한다(S2 단계). 단결정 인상 공정 중의 로내압은 원료 융해 공정 중의 로내압(P1)보다 낮은 것이 바람직하다.
계속해서, 두 번째 실리콘 단결정(2)의 육성에서는, 석영 도가니(12) 내에 실리콘 원료를 추가 공급하여 융해하고, 실리콘 융액(3)을 생성한다(S3 단계). 이 때, 챔버(10) 내의 로내압 P2(제2 로내압)은, 첫 번째 실리콘 단결정의 육성하기 위한 초기 차지 원료의 융해 시에 있어서의 로내압 P1보다 높게 설정된다. 또한 챔버(10) 내에 공급되는 아르곤 가스의 유량 F2(제2 유량)은, 첫 번째 실리콘 단결정을 육성하기 위한 초기 차지 원료의 융해 시에 있어서의 아르곤 가스의 유량 F1보다 적게 설정된다. 구체적으로는, 챔버(10) 내의 로내압 P2은 80Torr 이상으로 설정되고, 아르곤 가스의 유량 F2은 200L/min 이하로 설정된다. 이와 같이, 로내압 P2은 로내압 P1보다 40Torr 이상 높은 것이 바람직하고, 혹은 로내압 P1의 2배 이상인 것이 바람직하다. 또한 유량 F2은, 유량 F1보다 50L/min 이상 적은 것이 바람직하다.
그 후, 실리콘 융액(3)으로부터 두 번째 실리콘 단결정(2)을 인상한다(S4 단계). 상기한 바와 같이, 단결정 인상 공정 중의 로내압은, 원료 융해 공정 중의 로내압(P2)보다 낮은 것이 바람직하다.
두 번째 실리콘 단결정을 인상하기 위해 추가 공급된 실리콘 원료(리차지 원료)를 융해할 때의 로내압 P2을 첫 번째일 때의 로내압 P1보다 높게 하는 이유는, 챔버(10) 내에 존재하는 CO 가스가 실리콘 융액(3)에 녹아들어가고, 이에 따라 실리콘 단결정 중의 카본 농도가 높아지는 것을 방지하기 위함이다. 챔버(10) 내에는 카본으로 된 히터(15), 열차폐체(16), 서셉터(13) 등의 소모에 기인하는 CO 가스가 발생되고 있으며, 이 CO 가스가 고체의 리차지 원료에 부착되고, 이의 융해 시에 실리콘 융액 중에 녹아들어가, 실리콘 융액 중의 카본 농도가 상승한다. 그러나, 리차지 원료의 융해 공정 중의 로내압을 높인 경우에는, CO 가스의 융액면으로의 확산이 억제되므로, CO 가스가 실리콘 융액 중으로 들어가는 것을 제어할 수 있다. 따라서, 실리콘 융액으로부터 육성되는 실리콘 단결정 중의 카본 농도의 상승을 억제할 수 있다.
한편, 첫 번째 실리콘 단결정을 인상하기 위해 공급된 실리콘 원료(초기 차지 원료)의 융해 공정(제1 원료 융해 공정)에 있어서 로내압 P1을 낮추는 이유는, 실리콘 단결정의 핀홀 불량을 방지하기 위함이다. 핀홀 불량이란, 원료 융해 시에 석영 도가니(12)의 바닥부에 부착되어 있는 가스가 바닥부로부터 이탈하여 실리콘 융액 중을 부상하고, 육성 중인 실리콘 단결정으로 들어감으로써 발생한다. 원료 융해 시의 로내압이 높으면 실리콘 융액 중의 기포가 잘 방출되지 않기 때문에, 그 후의 단결정 인상 공정 중에 기포가 방출될 가능성이 높아져, 핀홀 불량이 증가한다. 이에, 초기 차지 원료의 융해 시에는 로내압을 낮추는 것이 바람직하다.
리차지 원료의 추가 공급 시에는 석영 도가니(12) 내에 실리콘 융액이 남아 있는 상태이기 때문에, 석영 도가니(12)의 바닥부에 기포가 발생하지 않는다. 따라서, 리차지 원료의 융해 공정(제2 원료 융해 공정)에 있어서 로내압을 높여도 핀홀 불량이 발생하는 일은 없다. 반대로, 리차지 원료 융해 시의 로내압이 낮으면 챔버 내의 CO 가스가 실리콘 융액에 녹아들어가기 쉬워져, 실리콘 융액 중의 카본 농도가 높아진다. 따라서, 본 실시 형태에 따른 멀티풀링법에서는 리차지 원료의 융해 시에만 로내압을 높이고, 초기 차지 원료의 융해 시에는 로내압을 낮추는 로내압의 제어가 수행된다.
또한 상기한 바와 같이, 추가 차지 원료의 융해 공정에 있어서의 아르곤 가스의 유량 F2은, 초기 차지 원료의 융해 공정에 있어서의 아르곤 가스의 유량 F1보다 적게 설정된다. 초기 차지 원료의 융해 공정에 있어서의 아르곤 가스의 유량 F1을 높게 유지한 채로 로내압을 P2로 변경한 경우에는, 아르곤 가스 유량을 제어하는 버터플라이 밸브(20A,20B)의 제어성이 악화되어, 로내압이 안정되지 않는 경우가 있다. 또한, 챔버(10) 내에서 아르곤 가스의 흐름이 빨라짐으로써 소용돌이(와류, 渦流)가 발생하고, 이에 따라 CO 가스의 융액면으로의 확산이 진행될 우려가 있다. 나아가 또한, 아르곤 가스가 챔버(10) 내에 많이 유입됨으로써 실리콘 원료가 차가워져 원료 융해 공정이 장기화되고, 생산성도 저하되는 문제가 있다. 그러나 아르곤 가스 유량 F2을 이와 같이 적게 함으로써 로내압을 안정시킬 수 있고, CO 가스의 융액면으로의 확산을 억제할 수 있으며, 생산성을 향상시킬 수 있다.
세 번째 이후의 실리콘 단결정의 육성도 두 번째와 동일하게 원료 융해 공정(제2 원료 융해 공정; 두 번째 이후의 용해 공정의 총칭임)과 단결정 인상 공정을 반복하면 된다. 즉, 세 번째 이후의 실리콘 단결정의 육성에서도, 리차지 원료 융해 시의 로내압(P3)을 초기 차지 원료 융해 시의 로내압(P1)보다 높게 하고, 아르곤 가스 유량(F3)을 초기 차지 원료 융해 시의 아르곤 가스 유량(F1)보다 낮게 한다. 이 경우, 실리콘 단결정의 인상 수의 증가에 맞추어 리차지 원료 융해 시의 로내압을 서서히 높여도 좋다(P1<P2<P3···<Pn).
이상 설명한 바와 같이, 본 실시 형태에 따른 실리콘 단결정 제조 방법은, 두 번째 이후의 실리콘 단결정을 인상하기 위해 추가 공급된 실리콘 원료(리차지 원료)를 융해할 때의 로내압을, 첫 번째 실리콘 단결정을 인상하기 위해 공급된 실리콘 원료(초기 차지 원료)를 원료 융해할 때의 로내압보다 높게 하므로, 실리콘 융액 중의 카본 농도의 상승을 억제할 수 있다. 따라서, 카본 농도가 낮은 고품질의 실리콘 단결정을 제조할 수 있다.
이상, 본 발명의 바람직한 실시 형태에 대하여 설명하였으나, 본 발명은 상기한 실시 형태에 한정되지 않으며, 본 발명의 주요한 요지를 벗어나지 않는 범위에서 다양한 변경이 가능하며, 그들도 본 발명의 범위 내에 포함되는 것임은 말할 필요도 없다.
예를 들면, 상기 실시 형태에서는 챔버(10) 내에 공급하는 불활성 가스로서 아르곤 가스를 예로 들었으나, 그 밖의 불활성 가스를 사용하여도 좋다.
1 : 실리콘 단결정 인상 장치
2 : 실리콘 단결정
3 : 실리콘 융액
10 : 챔버
10A : 메인 챔버
10B : 풀 챔버
11 : 단열재
12 : 석영 도가니
13 : 서셉터
14 : 회전 지지축
15 : 히터
16 : 열차폐체
17 : 와이어
18 : 와이어 권취 기구
19A : 가스 흡기구
19B : 가스 배기구
20A, 20B : 버터플라이 밸브
21 : 진공 펌프
F1, F2 : 아르곤 가스 유량
P1, P2 : 로내압

Claims (6)

  1. 챔버 내의 석영 도가니 내에 충전된 실리콘 원료를 히터로 가열하여 융해하는 공정과, 상기 석영 도가니 내의 실리콘 융액으로부터 실리콘 단결정을 인상하는 공정을 반복함으로써, 동일한 석영 도가니를 이용하여 복수 개의 실리콘 단결정을 제조하는 방법으로서,
    첫 번째 실리콘 단결정의 인상에 사용되는 상기 석영 도가니 내에 공급된 실리콘 원료를 융해하는 제1 원료 융해 공정과,
    두 번째 이후의 실리콘 단결정의 인상에 사용되는 상기 석영 도가니 내에 추가 공급된 실리콘 원료를 융해하는 제2 원료 융해 공정을 구비하고,
    상기 제1 원료 융해 공정에서는 상기 챔버 내를 제1 로내압으로 설정하고,
    상기 제2 원료 융해 공정에서는 상기 챔버 내를 상기 제1 로내압보다 높은 제2 로내압으로 설정하는 것을 특징으로 하는 실리콘 단결정 제조 방법.
  2. 청구항 1에 있어서, 상기 제2 로내압은 상기 제1 로내압보다 40Torr 이상 높은 실리콘 단결정 제조 방법.
  3. 청구항 1 또는 2에 있어서, 상기 제2 로내압은 상기 제1 로내압의 2배 이상인 실리콘 단결정 제조 방법.
  4. 청구항 1 내지 3 중 어느 한 항에 있어서, 상기 제1 원료 융해 공정에서는 상기 챔버 내에 공급하는 불활성 가스의 유량을 제1 유량으로 설정하고,
    상기 제2 원료 융해 공정에서는 상기 챔버 내에 공급하는 불활성 가스의 유량을 상기 제1 유량보다 적은 제2 유량으로 설정하는 실리콘 단결정 제조 방법.
  5. 청구항 4에 있어서, 상기 제2 유량은 상기 제1 유량보다 50L/min 이상 적은 실리콘 단결정 제조 방법.
  6. 청구항 4 또는 5에 있어서, 상기 불활성 가스가 아르곤 가스인 실리콘 단결정 제조 방법.
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