JP2016088820A - 単結晶製造方法及び単結晶製造装置 - Google Patents
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- 239000013078 crystal Substances 0.000 title claims abstract description 211
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims abstract description 85
- 239000000155 melt Substances 0.000 claims abstract description 119
- 239000007788 liquid Substances 0.000 claims abstract description 16
- 238000002844 melting Methods 0.000 claims description 35
- 230000008018 melting Effects 0.000 claims description 35
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 34
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 32
- 238000005520 cutting process Methods 0.000 claims description 13
- 229910052741 iridium Inorganic materials 0.000 claims description 10
- GKOZUEZYRPOHIO-UHFFFAOYSA-N iridium atom Chemical compound [Ir] GKOZUEZYRPOHIO-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 10
- 229910000575 Ir alloy Inorganic materials 0.000 claims description 8
- 238000005192 partition Methods 0.000 claims description 8
- 239000002994 raw material Substances 0.000 abstract description 19
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 46
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 22
- 239000011810 insulating material Substances 0.000 description 11
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 10
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 10
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 10
- XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N Argon Chemical compound [Ar] XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 230000006698 induction Effects 0.000 description 6
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 238000005231 Edge Defined Film Fed Growth Methods 0.000 description 4
- 230000000593 degrading effect Effects 0.000 description 4
- 239000010453 quartz Substances 0.000 description 4
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N silicon dioxide Inorganic materials O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 229910052786 argon Inorganic materials 0.000 description 3
- KDLHZDBZIXYQEI-UHFFFAOYSA-N Palladium Chemical compound [Pd] KDLHZDBZIXYQEI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000002425 crystallisation Methods 0.000 description 2
- 230000008025 crystallization Effects 0.000 description 2
- 230000002950 deficient Effects 0.000 description 2
- 239000000835 fiber Substances 0.000 description 2
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 description 2
- 230000001590 oxidative effect Effects 0.000 description 2
- BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N platinum Chemical group [Pt] BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052594 sapphire Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010980 sapphire Substances 0.000 description 2
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 2
- WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N tungsten Chemical compound [W] WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010937 tungsten Substances 0.000 description 2
- KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-M Fluoride anion Chemical compound [F-] KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N Molybdenum Chemical compound [Mo] ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- KJTLSVCANCCWHF-UHFFFAOYSA-N Ruthenium Chemical compound [Ru] KJTLSVCANCCWHF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- OYLGJCQECKOTOL-UHFFFAOYSA-L barium fluoride Chemical compound [F-].[F-].[Ba+2] OYLGJCQECKOTOL-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- 229910001632 barium fluoride Inorganic materials 0.000 description 1
- WUKWITHWXAAZEY-UHFFFAOYSA-L calcium difluoride Chemical compound [F-].[F-].[Ca+2] WUKWITHWXAAZEY-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- 229910001634 calcium fluoride Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000010924 continuous production Methods 0.000 description 1
- 239000008710 crystal-8 Substances 0.000 description 1
- 230000003247 decreasing effect Effects 0.000 description 1
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 1
- AJNVQOSZGJRYEI-UHFFFAOYSA-N digallium;oxygen(2-) Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[Ga+3].[Ga+3] AJNVQOSZGJRYEI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910001873 dinitrogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 238000010304 firing Methods 0.000 description 1
- 150000002222 fluorine compounds Chemical group 0.000 description 1
- 229910001195 gallium oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000007429 general method Methods 0.000 description 1
- SXRIPRHXGZHSNU-UHFFFAOYSA-N iridium rhodium Chemical compound [Rh].[Ir] SXRIPRHXGZHSNU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000003698 laser cutting Methods 0.000 description 1
- ORUIBWPALBXDOA-UHFFFAOYSA-L magnesium fluoride Chemical compound [F-].[F-].[Mg+2] ORUIBWPALBXDOA-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- 229910001635 magnesium fluoride Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 1
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 1
- 229910052750 molybdenum Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011733 molybdenum Substances 0.000 description 1
- 229910052763 palladium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 1
- 229910052697 platinum Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011148 porous material Substances 0.000 description 1
- 230000002265 prevention Effects 0.000 description 1
- 230000005855 radiation Effects 0.000 description 1
- 229910052702 rhenium Inorganic materials 0.000 description 1
- WUAPFZMCVAUBPE-UHFFFAOYSA-N rhenium atom Chemical compound [Re] WUAPFZMCVAUBPE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052703 rhodium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010948 rhodium Substances 0.000 description 1
- MHOVAHRLVXNVSD-UHFFFAOYSA-N rhodium atom Chemical compound [Rh] MHOVAHRLVXNVSD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052707 ruthenium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 1
- 238000005245 sintering Methods 0.000 description 1
- 238000009751 slip forming Methods 0.000 description 1
- 229910019655 synthetic inorganic crystalline material Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052715 tantalum Inorganic materials 0.000 description 1
- GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N tantalum atom Chemical compound [Ta] GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
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- Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)
Abstract
Description
まず、図1を参照して、単結晶製造装置の第1形態を説明する。第1形態に係る単結晶製造装置100は、育成坩堝1の底部に設けたノズル4から単結晶材料の融液5を連続的に引き下げて単結晶7を育成する単結晶製造装置において、育成坩堝1内で溶融している融液5の液面8に接する第1空間10を囲む壁11cと、第1空間10とノズル4の出口4aよりも下方の第2空間27との間のガスの行き来を阻害する仕切壁12と、第1空間10内にガスを供給して、第1空間10の圧力を高める加圧ガス供給部13と、を有する。
次に図4を参照して第2形態の単結晶製造装置について説明する。図1に示した第1形態の単結晶製造装置と第2形態の単結晶製造装置とでは、主として、坩堝の構造及び第1空間の領域が異なり、相違点を中心に説明する。坩堝44は、溶融坩堝と育成坩堝とを兼ねた坩堝である。坩堝44の底には、育成坩堝1と同様に、ノズル4が一体に形成されている。坩堝44には、坩堝の蓋43が被せられており、蓋のされた坩堝によってできる空間が第1空間10となる。坩堝の蓋43には、原料投入ライン42と加圧ガス供給部40とが繋げられている。ここで、加圧ガス供給部40は第1形態における加圧ガス供給部13に相当する。加圧ガス供給部40によって、第1空間10内に加圧ガスが供給され、第1空間10を陽圧にすることができる。そして、上部チャンバ11の蓋11bの上方には原料投入ボックス41が配置されており、原料投入ボックス41に入っている単結晶の原料が原料投入ライン42を通じて坩堝44に供給される。坩堝44内には、単結晶原料の融液5があり、加圧ガスによって、融液5の液面8が加圧される。また、加圧ガス供給部40と坩堝の蓋43とをつなぐ配管と、第1排気部14と蓋11bとをつなぐ配管とをつなぐバイパス配管45が設けられている。バイパス配管45にはストップバルブがつけられている。第1空間10及び第1空間10を除く上部チャンバ11の内部空間を排気する場合には、バイパス配管45のストップバルブを開、加圧ガス供給部40のバルブを閉、としたうえで、第1排気部14を作動(バルブを開とする)する。一方、第1空間10を加圧するとき(このときは第1空間10を除く上部チャンバ11の内部空間は加圧しない)には、バイパス配管45のストップバルブを閉、第1排気部14を非作動(バルブを閉)とする。さらに、坩堝44の下であって、断熱材20の内側には、イリジウム製のIrチューブ29が配置されており、加熱コイル26によってIrチューブ29を誘導加熱する。Irチューブ29が加熱されることよって、その放射熱によってノズル4が加熱される。すなわち、Irチューブ29と加熱コイル26とがノズルヒーターの役割をなしている。加熱コイル26は、Irチューブ29の周りの部分と坩堝44の周りの部分とに分割して、それぞれ独立に温度制御できることが好ましい。Irチューブ29の下には、チューブ状の断熱材30は配置されており、これに囲まれた部分は誘導加熱されない。Irチューブ29とチューブ状の断熱材30とが坩堝44を支持している。なお、第1形態の装置のノズルヒーターを図4の装置に適用してもよい。また、第2形態の装置のノズルヒーターを図1の装置に適用してもよい。また、チャンバ本体11aを石英管で形成する場合には、誘導加熱のための加熱コイル26は、石英管の外側で巻き回すことが好ましい。
次に図1を参照して本実施形態に係る単結晶製造方法について説明する。なお、図4の第2形態の単結晶製造装置を用いた場合についても、第1空間10の領域が異なるものの、同様に単結晶を製造することができる。本実施形態に係る単結晶製造方法は、坩堝の底部に設けたノズルから単結晶材料の融液を連続的に引き下げて単結晶を育成する、いわゆるマイクロ引き下げ法である。ここで、育成坩堝1内で溶融している融液5の液面8に接する第1空間10と、ノズル4の出口4aよりも下方の第2空間27との間に圧力差を設けることによって、ノズル4を通過する融液5の流量を制御する。
第1空間10の圧力(内圧)から第2空間27の圧力(内圧)を差し引いた圧力差を圧力差Aとする。圧力差Aが大きければ大きいほど、融液5の液面8が陽圧により押されてノズル4を通過する融液5の流量が、圧力差Aがゼロの場合と比較して大きくなる。圧力差Aがゼロの場合の具体例としては、第1空間10と第2空間27のいずれも大気解放されている場合である。一方、圧力差Aが負となると融液5の液面8が陰圧により吸引されてノズル4を通過する融液5の流量が、圧力差Aがゼロの場合と比較して小さくなる。さらに圧力差Aがマイナス方向に大きくなると、融液5の流量がゼロとなり、さらに圧力差Aがマイナス方向に大きくなると、ノズル4を通過する融液が逆流する。なお、本実施形態に係る単結晶製造方法では、融液の逆流は避けるべきである。このように圧力差Aによって、融液5の流量を制御することができる。また、融液は温度によって粘性が変化するので、融液の温度が変われば、圧力差Aがゼロのときの融液5の流量は変化する。しかし、融液の温度が変わっても圧力差Aによって融液5の流量を制御できるので、より精密な流量制御ができる。さらに、融液の温度‐粘度特性は融液の種類によって変化するため、圧力差Aを具体的にどの程度に決定すべきかの判断が難しい場合がある。このようなときには、観察部25を用いれば、単結晶成長界面を観察して最適条件の圧力差Aを決定できるので、融液の流量と単結晶の製造速度を容易に制御することができる。
(1)加圧ガス供給部13から供給された加圧ガスによって、第1空間10の内圧を高める。このようにすることで圧力差Aをプラスの値として、ノズル4を通過する融液5の流量を、第1空間10の加圧をしないときよりも大きくする。
(2)加圧ガス供給部13から供給された加圧ガスによって、第1空間10の内圧を高め、かつ、第2排気部15によって第2空間27を大気圧未満にする。このようにすることで圧力差Aをプラスの値として、ノズル4を通過する融液5の流量を、第1空間10の加圧及び第2空間27の減圧をしないときよりも大きくする。
(3)第2排気部15によって第2空間27を大気圧未満にすることによって第2空間27を大気圧未満にする。このようにすることで圧力差Aをプラスの値として、ノズル4を通過する融液の流量を、第2空間27の減圧をしないときよりも大きくする。
(1)〜(3)のいずれにおいても第1空間の圧力から第2空間の圧力を差し引いた圧力差をゼロよりも大きくでき、融液の流量を安定して制御することができる。圧力差Aは、例えば、1×10〜1×104Paであり、好ましくは5×10〜5×102Paである。
2 溶融坩堝
3,44 坩堝
4 ノズル
4a ノズルの出口
5,6 融液
7 単結晶
8 融液の液面
10 第1空間
11 上部チャンバ
11a チャンバ本体
11b 蓋
11c 第1空間を囲む壁
12 仕切壁
13,31,40 加圧ガス供給部
14 第1排気部
15 第2排気部
16 下部チャンバ
16a 下部チャンバの壁
18 ノズルヒーター(抵抗加熱ヒーター)
19 溶融坩堝の底の孔
20,30 断熱材
21 結晶切断機構
22 制震・防震機構
23 位置決め調整機構
24 回転クランプ
25 観察部
26 加熱コイル
27 第2空間
28,42 原料投入ライン
29 Irチューブ
41 原料投入ボックス
43 坩堝の蓋
45 バイパス配管
46 線材
47 枠体
100,200 単結晶製造装置
Claims (10)
- 坩堝の底部に設けたノズルから単結晶材料の融液を連続的に引き下げて単結晶を育成する単結晶製造方法において、
前記坩堝内で溶融している融液の液面に接する第1空間と、前記ノズルの出口よりも下方の第2空間との間に圧力差を設けることによって、前記ノズルを通過する融液の流量を制御することを特徴とする単結晶製造方法。 - (1)前記第1空間を加圧することによって前記圧力差を設けて、前記ノズルを通過する融液の流量を、加圧しないときよりも大きくする、
(2)前記第1空間を加圧し、かつ、前記第2空間を大気圧未満にすることによって前記圧力差を設けて、前記ノズルを通過する融液の流量を、加圧及び減圧をしないときよりも大きくする、
(3)前記第2空間を大気圧未満にすることによって前記圧力差を設けて、前記ノズルを通過する融液の流量を、減圧をしないときよりも大きくする、
の少なくともいずれか一つを行ない、かつ、前記(1)〜(3)のいずれにおいても第1空間の圧力から第2空間の圧力を差し引いた圧力差をゼロよりも大きくして、前記ノズルを通過する融液の流量を制御する工程を有することを特徴とする請求項1に記載の単結晶製造方法。 - 前記第1空間と前記第2空間の両方を大気圧未満として、前記坩堝内に溶融している融液に含まれる気泡を脱泡する工程を有することを特徴とする請求項1又は2に記載の単結晶製造方法。
- 前記ノズルの温度を、ノズルヒーターを用いて前記単結晶材料の融点を挟んだ上又は下の温度に制御することによって、前記ノズルを通過する融液を流す又は止める、の制御を行うことを特徴とする請求項1〜3のいずれか一つに記載の単結晶製造方法。
- 前記ノズルを通過する融液の流量をゼロとしているときに、育成した単結晶の切断を行う工程を有することを特徴とする請求項1〜4のいずれか一つに記載の単結晶製造方法。
- 単結晶育成装置のうち、前記融液と接触する部分がイリジウム又はイリジウム合金で形成されており、前記単結晶材料が酸化物単結晶材料であることを特徴とする請求項1〜5のいずれか一つに記載の単結晶製造方法。
- 坩堝の底部に設けたノズルから単結晶材料の融液を連続的に引き下げて単結晶を育成する単結晶製造装置において、
前記坩堝内で溶融している融液の液面に接する第1空間を囲む壁と、
前記第1空間と前記ノズルの出口よりも下方の第2空間との間のガスの行き来を阻害する仕切壁と、
前記第1空間内にガスを供給して、前記第1空間の圧力を高める加圧ガス供給部と、を有することを特徴とする単結晶製造装置。 - 第1空間内のガスを排気する第1排気部をさらに有することを特徴とする請求項7に記載の単結晶製造装置。
- 前記第2空間を囲む壁と、
前記第2空間内のガスを排気する第2排気部をさらに有することを特徴とする請求項8に記載の単結晶製造装置。
- 前記ノズルの温度を制御するノズルヒーターをさらに有することを特徴とする請求項7〜9のいずれか一つに記載の単結晶製造装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
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Applications Claiming Priority (1)
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---|---|---|---|
JP2014227476A JP6400438B2 (ja) | 2014-11-07 | 2014-11-07 | 単結晶製造方法及び単結晶製造装置 |
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Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2016088820A true JP2016088820A (ja) | 2016-05-23 |
JP6400438B2 JP6400438B2 (ja) | 2018-10-03 |
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ID=56015866
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---|---|---|---|
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Country Status (1)
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---|---|
JP (1) | JP6400438B2 (ja) |
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WO2018181981A1 (ja) * | 2017-03-30 | 2018-10-04 | 京セラ株式会社 | 管状サファイア部材、熱交換器、半導体製造装置および管状サファイア部材の製造方法 |
CN110475915A (zh) * | 2017-03-30 | 2019-11-19 | 京瓷株式会社 | 管状蓝宝石构件、热交换器、半导体制造装置及管状蓝宝石构件的制造方法 |
JPWO2018181981A1 (ja) * | 2017-03-30 | 2020-04-23 | 京セラ株式会社 | 管状サファイア部材、熱交換器、半導体製造装置および管状サファイア部材の製造方法 |
CN110475915B (zh) * | 2017-03-30 | 2021-11-02 | 京瓷株式会社 | 管状蓝宝石构件、热交换器、半导体制造装置及管状蓝宝石构件的制造方法 |
JP2019163187A (ja) * | 2018-03-19 | 2019-09-26 | 住友金属鉱山株式会社 | 鉄ガリウム合金の単結晶育成方法 |
JP7072146B2 (ja) | 2018-03-19 | 2022-05-20 | 住友金属鉱山株式会社 | 鉄ガリウム合金の単結晶育成方法 |
JP2021080141A (ja) * | 2019-11-21 | 2021-05-27 | 株式会社山寿セラミックス | 酸化ガリウム単結晶の製造方法及び製造装置 |
CN115029770A (zh) * | 2021-03-04 | 2022-09-09 | 北京一轻研究院有限公司 | 一种坩埚大气下降炉装置及方法 |
CN115029770B (zh) * | 2021-03-04 | 2024-05-03 | 北京一轻研究院有限公司 | 一种坩埚大气下降炉装置及方法 |
CN115142130A (zh) * | 2022-06-30 | 2022-10-04 | 同济大学 | 一种微下拉区熔法生长片状氧化镓晶体的方法与生长装置 |
CN115142130B (zh) * | 2022-06-30 | 2024-02-27 | 同济大学 | 一种微下拉区熔法生长片状氧化镓晶体的方法与生长装置 |
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JP6400438B2 (ja) | 2018-10-03 |
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