JP2017039193A - 研磨装置 - Google Patents

研磨装置 Download PDF

Info

Publication number
JP2017039193A
JP2017039193A JP2015163908A JP2015163908A JP2017039193A JP 2017039193 A JP2017039193 A JP 2017039193A JP 2015163908 A JP2015163908 A JP 2015163908A JP 2015163908 A JP2015163908 A JP 2015163908A JP 2017039193 A JP2017039193 A JP 2017039193A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
polishing
waste liquid
liquid receiver
surface plate
abrasive
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
JP2015163908A
Other languages
English (en)
Other versions
JP6389449B2 (ja
Inventor
三千登 佐藤
Michito Sato
三千登 佐藤
上野 淳一
Junichi Ueno
淳一 上野
薫 石井
Kaoru Ishii
薫 石井
洋介 金井
Yosuke Kanai
洋介 金井
勇矢 中西
Yuya Nakanishi
勇矢 中西
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Fujikoshi Machinery Corp
Shin Etsu Handotai Co Ltd
Original Assignee
Fujikoshi Machinery Corp
Shin Etsu Handotai Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Priority to JP2015163908A priority Critical patent/JP6389449B2/ja
Application filed by Fujikoshi Machinery Corp, Shin Etsu Handotai Co Ltd filed Critical Fujikoshi Machinery Corp
Priority to PCT/JP2016/003575 priority patent/WO2017033409A1/ja
Priority to CN201680047958.3A priority patent/CN107921605A/zh
Priority to DE112016003354.0T priority patent/DE112016003354T5/de
Priority to SG11201800897PA priority patent/SG11201800897PA/en
Priority to KR1020187004634A priority patent/KR102550998B1/ko
Priority to US15/750,329 priority patent/US10850365B2/en
Priority to TW105125238A priority patent/TWI715606B/zh
Publication of JP2017039193A publication Critical patent/JP2017039193A/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP6389449B2 publication Critical patent/JP6389449B2/ja
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Classifications

    • BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B24GRINDING; POLISHING
    • B24BMACHINES, DEVICES, OR PROCESSES FOR GRINDING OR POLISHING; DRESSING OR CONDITIONING OF ABRADING SURFACES; FEEDING OF GRINDING, POLISHING, OR LAPPING AGENTS
    • B24B37/00Lapping machines or devices; Accessories
    • B24B37/04Lapping machines or devices; Accessories designed for working plane surfaces
    • B24B37/07Lapping machines or devices; Accessories designed for working plane surfaces characterised by the movement of the work or lapping tool
    • B24B37/10Lapping machines or devices; Accessories designed for working plane surfaces characterised by the movement of the work or lapping tool for single side lapping
    • B24B37/105Lapping machines or devices; Accessories designed for working plane surfaces characterised by the movement of the work or lapping tool for single side lapping the workpieces or work carriers being actively moved by a drive, e.g. in a combined rotary and translatory movement
    • B24B37/107Lapping machines or devices; Accessories designed for working plane surfaces characterised by the movement of the work or lapping tool for single side lapping the workpieces or work carriers being actively moved by a drive, e.g. in a combined rotary and translatory movement in a rotary movement only, about an axis being stationary during lapping
    • BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B24GRINDING; POLISHING
    • B24BMACHINES, DEVICES, OR PROCESSES FOR GRINDING OR POLISHING; DRESSING OR CONDITIONING OF ABRADING SURFACES; FEEDING OF GRINDING, POLISHING, OR LAPPING AGENTS
    • B24B37/00Lapping machines or devices; Accessories
    • BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B24GRINDING; POLISHING
    • B24BMACHINES, DEVICES, OR PROCESSES FOR GRINDING OR POLISHING; DRESSING OR CONDITIONING OF ABRADING SURFACES; FEEDING OF GRINDING, POLISHING, OR LAPPING AGENTS
    • B24B37/00Lapping machines or devices; Accessories
    • B24B37/04Lapping machines or devices; Accessories designed for working plane surfaces
    • B24B37/07Lapping machines or devices; Accessories designed for working plane surfaces characterised by the movement of the work or lapping tool
    • B24B37/10Lapping machines or devices; Accessories designed for working plane surfaces characterised by the movement of the work or lapping tool for single side lapping
    • BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B24GRINDING; POLISHING
    • B24BMACHINES, DEVICES, OR PROCESSES FOR GRINDING OR POLISHING; DRESSING OR CONDITIONING OF ABRADING SURFACES; FEEDING OF GRINDING, POLISHING, OR LAPPING AGENTS
    • B24B37/00Lapping machines or devices; Accessories
    • B24B37/11Lapping tools
    • B24B37/12Lapping plates for working plane surfaces
    • BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B24GRINDING; POLISHING
    • B24BMACHINES, DEVICES, OR PROCESSES FOR GRINDING OR POLISHING; DRESSING OR CONDITIONING OF ABRADING SURFACES; FEEDING OF GRINDING, POLISHING, OR LAPPING AGENTS
    • B24B37/00Lapping machines or devices; Accessories
    • B24B37/11Lapping tools
    • B24B37/20Lapping pads for working plane surfaces
    • BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B24GRINDING; POLISHING
    • B24BMACHINES, DEVICES, OR PROCESSES FOR GRINDING OR POLISHING; DRESSING OR CONDITIONING OF ABRADING SURFACES; FEEDING OF GRINDING, POLISHING, OR LAPPING AGENTS
    • B24B37/00Lapping machines or devices; Accessories
    • B24B37/34Accessories
    • BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B24GRINDING; POLISHING
    • B24BMACHINES, DEVICES, OR PROCESSES FOR GRINDING OR POLISHING; DRESSING OR CONDITIONING OF ABRADING SURFACES; FEEDING OF GRINDING, POLISHING, OR LAPPING AGENTS
    • B24B57/00Devices for feeding, applying, grading or recovering grinding, polishing or lapping agents
    • BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B24GRINDING; POLISHING
    • B24BMACHINES, DEVICES, OR PROCESSES FOR GRINDING OR POLISHING; DRESSING OR CONDITIONING OF ABRADING SURFACES; FEEDING OF GRINDING, POLISHING, OR LAPPING AGENTS
    • B24B57/00Devices for feeding, applying, grading or recovering grinding, polishing or lapping agents
    • B24B57/02Devices for feeding, applying, grading or recovering grinding, polishing or lapping agents for feeding of fluid, sprayed, pulverised, or liquefied grinding, polishing or lapping agents
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/18Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic System or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
    • H01L21/30Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
    • H01L21/302Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to change their surface-physical characteristics or shape, e.g. etching, polishing, cutting
    • H01L21/304Mechanical treatment, e.g. grinding, polishing, cutting
    • YGENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y02TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
    • Y02PCLIMATE CHANGE MITIGATION TECHNOLOGIES IN THE PRODUCTION OR PROCESSING OF GOODS
    • Y02P70/00Climate change mitigation technologies in the production process for final industrial or consumer products
    • Y02P70/10Greenhouse gas [GHG] capture, material saving, heat recovery or other energy efficient measures, e.g. motor control, characterised by manufacturing processes, e.g. for rolling metal or metal working

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Finish Polishing, Edge Sharpening, And Grinding By Specific Grinding Devices (AREA)
  • Grinding-Machine Dressing And Accessory Apparatuses (AREA)
  • Mechanical Treatment Of Semiconductor (AREA)

Abstract

【課題】再利用する研磨剤を回収する際に、他の溶液との混合を抑制し、研磨剤の回収効率悪化を抑制することが可能であり、メンテナンスも容易な研磨装置を提供する。
【解決手段】研磨布が貼り付けられた定盤と、ウェーハを保持するための研磨ヘッドと、研磨剤を貯蔵するためのタンクと、タンク内に貯蔵された研磨剤を研磨布に供給する研磨剤供給機構と、定盤上から流下する研磨剤を回収する廃液受けと、廃液受けに接続され、廃液受けで回収した研磨剤をタンク内に供給する循環機構を具備し、研磨剤供給機構でタンク内から研磨剤を研磨布に供給し、定盤上から流下する使用済みの研磨剤を廃液受けで回収し、回収した研磨剤をタンク内に供給することで研磨剤を循環させながら、研磨ヘッドで保持したウェーハの表面を研磨布に摺接させて研磨を行う研磨装置であって、廃液受けが、定盤に固定されたものであることを特徴とする研磨装置。
【選択図】 図1

Description

本発明は、研磨装置に関する。
シリコンウェーハに代表される半導体ウェーハの研磨には、両面を同時に研磨する方法や、片面を研磨する方法が用いられている。
ウェーハの片面を研磨する方法には、図8に示すように、研磨布102が貼り付けられた定盤103と、研磨剤供給機構106と、研磨ヘッド104等から構成された研磨装置101を用いることができる。この研磨装置101では、研磨ヘッド104でウェーハWを保持し、研磨剤供給機構106から研磨布102上に研磨剤を供給するとともに、定盤103と研磨ヘッド104をそれぞれ回転させてウェーハWの表面を研磨布102に摺接させることにより研磨を行っている。また、研磨装置101は、定盤103を揺動させる機構も備えている。これにより、研磨布102の微小な凹凸や、溝のパターンの転写を抑制することができる。
また、半導体ウェーハの研磨は、研磨布の種類や研磨剤の種類を換えて、多段で行われることが多い。例えば、インデックス方式と呼ばれる、2定盤ないし3定盤を持つ研磨装置が多く用いられている。3定盤を持つ研磨装置を図9に示す。図9に示す研磨装置201は、定盤203上の各研磨軸に2つの研磨ヘッド204を有している。従って、1バッチあたり、2枚の半導体ウェーハの同時研磨が可能なため、特に生産性に優れる。
また、研磨装置は、一般的に、研磨布の目詰まりを抑制するための、ブラッシングやドレッシングを行う機構(以下ドレッシング機構)も備えている。ドレッシング機構は研磨布の立ち上げ時や、研磨間のインターバルに、研磨布にドレッシングなどを施すことができる。
ウェーハの研磨には、コロイダルシリカやヒュームドシリカをアルカリ溶液に混合した研磨剤が用いられ、ドレッシングやブラッシングには、研磨剤やドレッシング剤、あるいは純水等の溶液が用いられている。また、研磨終了後のウェーハ面を保護する目的で、研磨剤中にウェーハの表面を親水化する親水剤を添加したり、研磨終了時に研磨剤を親水剤に切り替えて供給したりして、ウェーハの表面の親水化を行っている。
また、研磨剤は、用途に合わせ、循環させ再利用したり、掛捨てで使用したりしている。研磨剤を循環させ再利用する場合は、研磨剤供給流量を上げることで、冷却効果が高い研磨条件を設定できるが、循環による研磨剤の濃度変動が起きやすいというデメリットがある。研磨剤を掛捨てで使用する場合は、コストの問題から、研磨剤供給流量を上げることが難しくなるが、濃度が一定のため、品質は安定しやすいというメリットがある。
研磨装置には、使用済の研磨剤を回収するための廃液受けが設置されている。廃液受けは、定盤の回転で飛散するスラリーを回収するため、特許文献1に開示されているように、定盤サイズよりも大きくなる。また、スラリーが飛散する部分のみ回収するように設計された研磨装置が、特許文献2に開示されている。しかし、特許文献2のような研磨装置も、揺動機構によって定盤が水平方向に揺動するため、この揺動幅以上のサイズの廃液受けが必要となる。
前述したように、研磨装置では、複数の種類の研磨剤等の溶液が用いられる。例えば、ウェーハ研磨時は、研磨剤と親水剤が用いられる。また、例えば、ドレッシング時は研磨剤、専用のドレッシング剤、又は純水が使用される。このため、研磨布上には、研磨剤、親水剤、ドレッシング剤、純水が供給されることになる。これら全ての溶液を掛捨てで使用する場合は問題がないが、いずれかを再利用するためには、これらの異なる溶液は、別々に回収しなければならない。そのため、廃液受けの末端に切り換え機構(以下、セパレータ―とも呼称する)を設け、回収する溶液に応じて回収ラインを切り換えて溶液を回収している。
セパレーターの断面図の一例を図10に示す。図10に示すセパレーター300は、上部の配管301、又は下部のBOX302が、エアシリンダーなどにより左右に動くようになっている。配管301は定盤側の回収ラインに繋がっており、ここから廃液受けに回収された溶液が流れる。この例では、研磨剤を回収する際はBOX302の右側の回収ラインへ、排水する際はBOX302の左側の排水ラインへ溶液の流れを切り換える。なお、図10では、研磨剤回収ラインと排水ラインの2種類のラインを有する例を記載しているが、研磨剤回収ライン、ドレッシング剤回収ライン、排水ラインのように、2種類以上の回収ラインを設けることも可能である。
特開平10−324865号公報 特開平11−277434号公報
前述のように、複数の溶液を使用する場合、研磨布に供給する溶液の種類の切り換え直後、廃液受け内で複数の溶液が混合されてしまう。混合された溶液を回収して再使用すると、研磨レートやウェーハの品質が変動してしまう。よって、溶液同士の混合を避けるため、溶液の種類の切り替え後、セパレーターによって回収ラインと排水ラインの切り換えを早めに行う必要がある。しかし、従来の廃液受けでは、廃液受けの面積が大きいため、混合量が多くなり、回収効率が悪化するという問題があった。回収効率が悪いと、再利用する研磨剤の調整コストが増加してしまう。
研磨溶液の混合を抑制し、回収効率を上げるため、廃液受けの角度を急にしたり、廃液受けからセパレーターまでの距離を短くしたりといった対策が行われているが、研磨対象のウェーハが大きくなると、定盤サイズも大きくなり、廃液受けの面積も増えるため、対策の効果は限定的であった。
また、定盤が揺動するため、定盤の位置によって廃液受けは定盤の下側になるため、限られた空間で廃液受けの角度を急にすると、ウェーハの割れが発生した場合の清掃などのメンテナンスが困難となるという問題もあった。
本発明は前述のような問題に鑑みてなされたもので、研磨剤を回収する際に、他の溶液との混合を抑制し、回収効率悪化を抑制することが可能であり、メンテナンスも容易な研磨装置を提供することを目的とする。
上記目的を達成するために、本発明は、研磨布が貼り付けられた定盤と、ウェーハを保持するための研磨ヘッドと、研磨剤を貯蔵するためのタンクと、該タンク内に貯蔵された研磨剤を前記研磨布に供給する研磨剤供給機構と、前記定盤上から流下する研磨剤を回収する廃液受けと、該廃液受けに接続され、前記廃液受けで回収した研磨剤を前記タンク内に供給する循環機構を具備し、前記研磨剤供給機構で前記タンク内から前記研磨剤を前記研磨布に供給し、前記定盤上から流下する使用済みの研磨剤を前記廃液受けで回収し、該回収した研磨剤を前記タンク内に供給することで前記研磨剤を循環させながら、前記研磨ヘッドで保持した前記ウェーハの表面を前記研磨布に摺接させて研磨を行う研磨装置であって、前記廃液受けが、前記定盤に固定されたものであることを特徴とする研磨装置を提供する。
このように、廃液受けが、定盤に固定された研磨装置は、定盤と共に廃液受けも揺動するため、従来のように揺動幅の分だけ廃液受けを大きくする必要が無い。従って、廃液受けの面積をより小さくすることが可能となり、研磨剤を回収する際に、他の溶液との混合を抑制し、研磨剤の回収効率悪化を抑制することができる。また、定盤の揺動により、廃液受けと定盤との相対的な位置が変化することが無いため、定盤の位置によって廃液受けの清掃などのメンテナンス作業がしづらくなるといったことが無い。さらに、廃液受けの取り外しが可能となり、破損などによる交換が容易となる。
このとき、前記廃液受けが、前記定盤の側面を囲むリング状のものであることが好ましい。
このように、廃液受けが定盤の側面を囲むようなリング状であれば、定盤の上面の全周から流下する廃液を、少ない面積で効率よく回収することができる。
またこのとき、前記廃液受けが、底板及び側板から成るものであり、前記側板が取り外し可能なものであることが好ましい。
このようなものであれば、清掃時に、側板を取り外して清掃作業が可能となるため、より一層メンテナンス性に優れる研磨装置となる。
本発明の研磨装置であれば、再利用する研磨剤を回収する際に、他の溶液との混合を抑制し、回収効率悪化を抑制することができる。また、定盤の位置によって廃液受けの清掃などのメンテナンス作業がしづらくなるといったことが無い。
本発明の研磨装置の一例を示した概略図である。 本発明の研磨装置の定盤の周辺部の一例を示した上面図及び側面図である。 本発明の研磨装置の定盤の側面の周辺部の拡大図である。 実施例、比較例の研磨レートを示すグラフである。 実施例、比較例の研磨剤の排水量を示すグラフである。 比較例で用いた研磨装置の定盤の周辺部の概略を示した上面図及び側面図である。 比較例で用いた研磨装置の定盤の側面の周辺部の拡大図である。 従来の片面研磨装置の一例を示した概略図である。 従来のインデックス方式の片面研磨装置の一例を示した概略図である。 セパレーターの一例を示した断面図である。
以下、本発明について実施の形態を説明するが、本発明はこれに限定されるものではない。
上記のように、従来の研磨装置では、廃液受けが定盤の下方に設置されており、これにより定盤の揺動幅に合わせて廃液受けのサイズを極めて大きくする必要が有った。その結果、廃液受けの面積が大きいため、溶液の混合量が多くなり、回収効率が悪化するという問題があった。また、定盤の位置によって廃液受けは定盤の下側等に位置するため、ウェーハの割れが発生した場合の清掃などのメンテナンスが困難となるという問題もあった。
そこで、本発明者らはこのような問題を解決すべく鋭意検討を重ねた。その結果、廃液受けを定盤に固定すれば、廃液受けのサイズを必要以上に大きくする必要が無く、研磨剤を回収する際に、ドレッシング剤や純水との混合や希釈を抑制し、研磨剤の品質の安定化と使用量削減ができ、かつ、装置の良好なメンテナンス性も得られることを知見し、本発明を完成させた。
以下、本発明の研磨装置を、図1〜3を参照して説明する。図1に示すように、本発明の研磨装置1は、研磨布2が貼り付けられた定盤3と、ウェーハWを保持するための研磨ヘッド4と、研磨剤を貯蔵するためのタンク5と、該タンク5内に貯蔵された研磨剤を研磨布2に供給する研磨剤供給機構6と、定盤3上から流下する研磨剤を回収する廃液受け7と、廃液受け7に接続され、廃液受け7で回収した研磨剤をタンク5内に供給する循環機構8を具備する。なお、図1では、1つの定盤上に2つの研磨ヘッド4を有する態様を図示したが、本発明の研磨装置はこれに限定されない。例えば、1つの定盤上に1つ又は3つ以上の研磨ヘッドを有していても良い。また、定盤の数も特に限定されず、複数の定盤を有していても良い。
ここで、本発明の研磨装置1においては、廃液受け7が定盤3に固定されている。これにより、定盤の揺動の有無や、定盤のサイズに関わらず、廃液受けの面積を小さくできるため、研磨溶液の混合を抑制し、回収効率を向上することができる。また、定盤の揺動などにより定盤との相対的な位置が変化することが無いため、定盤の位置によって廃液受けの清掃などのメンテナンス作業がしづらくなるといったことが無い。よって、メンテナンス作業にかかる時間を短縮でき、装置停止時間の短縮が可能となる。なお、廃液受け7を定盤3に固定するには、例えば図2の(B)、図3のように、定盤3の下部にステーを取り付け、廃液受け7を定盤3に固定できる。
また、図2の(A)に示すように、廃液受け7の形状は定盤3の側面を囲むリング状とすることができる。このようなものであれば、定盤3の上面の全周から流下する廃液を、少ない面積で効率よく回収することができる。
また、図1、図2の(B)、及び図3に示すように、廃液受け7が、底板7a及び側板7bから構成されていても良く、側板7bが取り外し可能となっていてもよい。このようなものであれば、清掃時に、側板を取り外して清掃作業をすることが可能となるため、より一層、メンテナンス時の作業性に優れる。なお、廃液受け7は、塩化ビニルなど合成樹脂が好ましい。
また、図2、図3に示す研磨装置には、廃液受け7の外側に廃液トレイ9が配設されている。この廃液トレイ9は、メンテナンス時に廃液受け7の側板7bを取り外した状態で定盤3のハンドシャワー等による清掃を行った場合に、定盤3の機械室への水の浸入を防止できる。なお、廃液トレイ9は、塩化ビニルなど合成樹脂が好ましい。
このような研磨装置1では、研磨剤供給機構6に付随するポンプ12などでタンク5内から研磨剤を研磨布2に供給し、定盤3上から流下する使用済みの研磨剤を廃液受け7で回収する。
廃液受け7で回収された使用済みの研磨剤は、図1に示すように、廃液回収ライン10、セパレーター11等から構成される循環機構8によって、タンク5内に供給される。なお、セパレーター11により、回収ラインと排水ラインの切り換えを行うことができる。セパレーター11は、例えば、図10に示すような従来のセパレーターと同様の物を使用することができる。
そして、タンク5内に回収した研磨剤を、研磨布2に供給する。このように研磨剤を循環させながら、研磨ヘッド4で保持したウェーハWの表面を研磨布2に摺接させて研磨を行う。
本発明の研磨装置1で研磨を行えば、研磨剤を循環させ再使用しても、研磨剤が他の溶液と混合し難い。従って、研磨剤の希釈などが起こり難く研磨レートの変動を抑制することができる。また、他の溶液と混合してしまい再利用ができなくなる研磨剤の量を低減できるため、研磨剤に掛かるコストを低減できる。
以下、本発明の実施例及び比較例を示して本発明をより具体的に説明するが、本発明は実施例に限定されるものではない。
(実施例)
本発明の研磨装置を用いて研磨剤を循環させ再使用しながら、直径300mmのシリコンウェーハの研磨を行った。また、研磨装置は、3つの定盤を有し、1定盤当たり2つの研磨ヘッドを持つインデックス方式の研磨装置を用いた。定盤の直径は800mmであった。
実施例では、図3に示すように、定盤3の下部にステーを取り付け、塩化ビニル製の廃液受け7を定盤3に固定した。廃液受けは定盤と一緒に揺動するため、廃液受けの面積は、最大研磨流量時にオーバーフローしないサイズまで低減することができた。その結果、廃液受けの面積(平面占有面積)は68.3mmとなり、後述する比較例の約1/5まで削減することができた。なお、実施例では、研磨液の混合を抑制し、回収効率を改善するため、廃液受け内部に傾斜を設けた。
廃液受けの面積を低減したことによる効果を確認するため、以下のセパレーターの切り替え条件1、2で、それぞれ10バッチ連続でウェーハの研磨を行った。なお、この研磨では、ウェーハの研磨を行い、純水による研磨布のブラッシングを行うまでを1バッチとし、これを10回繰り返した。
(条件1)
条件1では、タンク内の研磨剤量が低下しないようなタイミングで、セパレーターのライン切り換えを行った。この条件では、研磨剤に純水が混合し、研磨剤が希釈され、研磨レートが低下しやすい。研磨レートの変動を調べたところ、図4に示すように、実施例では、研磨レートの低下は7%に抑制された。なお、図4では、各バッチの研磨レートは、1バッチ目の研磨レートに対する相対値としている。
(条件2)
また、条件2では、研磨剤に純水が混合しないタイミングでセパレーターの切り換えを行った。この条件では、研磨剤の排出量が増加しやすい。10バッチの連続研磨後のスラリータンクの残量から、排出量を求めた。その結果、図5に示すように、実施例の研磨剤の排出量は38%となった。
(比較例)
廃液受けを定盤に固定していない従来の研磨装置を用いたこと以外、実施例と同様な条件で実施例と同様に研磨レート及び研磨剤の排出量を評価した。比較例で用いた研磨装置は、図6、7に示すように、廃液受け107が、定盤103に固定されていないため、定盤103の揺動により廃液受け107と定盤103の相対位置が変化する。よって、定盤位置に関わらず研磨剤を回収するためには、廃液受けの面積を大きくすることが必須である。比較例における定盤サイズと揺動幅の場合を考慮した結果、廃液受けの面積(平面占有面積)は307.3mmとなった。揺動幅の問題で、これ以上面積を小さくすることはできなかった。なお、実施例と同様に、研磨液の混合を抑制し、回収効率を改善するため、廃液受け内部に傾斜を設けている。
上記条件1で10バッチ連続研磨を行った結果、比較例では研磨レートが24%低下した。このように、実施例に比べ大幅に研磨レートが低下してしまった。
上記条件2で10バッチ連続研磨を行った結果、比較例では63%の研磨剤が排出された。このように、実施例に比べ大幅に排出量が増加してしまった。
なお、本発明は、上記実施形態に限定されるものではない。上記実施形態は例示であり、本発明の特許請求の範囲に記載された技術的思想と実質的に同一な構成を有し、同様な作用効果を奏するものは、いかなるものであっても本発明の技術的範囲に包含される。
1…研磨装置、 2…研磨布、 3…定盤、
4…研磨ヘッド、 5…タンク、 6…研磨剤供給機構、
7…廃液受け、 7a…底板、7b…側板、
8…循環機構、 9…廃液トレイ、 10…廃液回収ライン、
11…セパレーター、 12…ポンプ、
W…ウェーハ。

Claims (3)

  1. 研磨布が貼り付けられた定盤と、ウェーハを保持するための研磨ヘッドと、研磨剤を貯蔵するためのタンクと、該タンク内に貯蔵された研磨剤を前記研磨布に供給する研磨剤供給機構と、前記定盤上から流下する研磨剤を回収する廃液受けと、該廃液受けに接続され、前記廃液受けで回収した研磨剤を前記タンク内に供給する循環機構を具備し、前記研磨剤供給機構で前記タンク内から前記研磨剤を前記研磨布に供給し、前記定盤上から流下する使用済みの研磨剤を前記廃液受けで回収し、該回収した研磨剤を前記タンク内に供給することで前記研磨剤を循環させながら、前記研磨ヘッドで保持した前記ウェーハの表面を前記研磨布に摺接させて研磨を行う研磨装置であって、
    前記廃液受けが、前記定盤に固定されたものであることを特徴とする研磨装置。
  2. 前記廃液受けが、前記定盤の側面を囲むリング状のものであることを特徴とする請求項1に記載の研磨装置。
  3. 前記廃液受けが、底板及び側板から成るものであり、前記側板が取り外し可能なものであることを特徴とする請求項1又は請求項2に記載の研磨装置。
JP2015163908A 2015-08-21 2015-08-21 研磨装置 Active JP6389449B2 (ja)

Priority Applications (8)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2015163908A JP6389449B2 (ja) 2015-08-21 2015-08-21 研磨装置
CN201680047958.3A CN107921605A (zh) 2015-08-21 2016-08-03 研磨装置
DE112016003354.0T DE112016003354T5 (de) 2015-08-21 2016-08-03 Poliervorrichtung
SG11201800897PA SG11201800897PA (en) 2015-08-21 2016-08-03 Polishing apparatus
PCT/JP2016/003575 WO2017033409A1 (ja) 2015-08-21 2016-08-03 研磨装置
KR1020187004634A KR102550998B1 (ko) 2015-08-21 2016-08-03 연마 장치
US15/750,329 US10850365B2 (en) 2015-08-21 2016-08-03 Polishing apparatus with a waste liquid receiver
TW105125238A TWI715606B (zh) 2015-08-21 2016-08-09 研磨裝置

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2015163908A JP6389449B2 (ja) 2015-08-21 2015-08-21 研磨装置

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JP2017039193A true JP2017039193A (ja) 2017-02-23
JP6389449B2 JP6389449B2 (ja) 2018-09-12

Family

ID=58099645

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2015163908A Active JP6389449B2 (ja) 2015-08-21 2015-08-21 研磨装置

Country Status (8)

Country Link
US (1) US10850365B2 (ja)
JP (1) JP6389449B2 (ja)
KR (1) KR102550998B1 (ja)
CN (1) CN107921605A (ja)
DE (1) DE112016003354T5 (ja)
SG (1) SG11201800897PA (ja)
TW (1) TWI715606B (ja)
WO (1) WO2017033409A1 (ja)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20210112922A (ko) * 2020-03-06 2021-09-15 넥센타이어 주식회사 타이어의 마모 측정 장치

Families Citing this family (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP7019184B2 (ja) * 2018-07-17 2022-02-15 スピードファム株式会社 処理液切換装置

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
GB1261131A (en) * 1969-06-06 1972-01-19 Burmah Oil Trading Ltd Improvements in or relating to lapping machines
JPH0732263A (ja) * 1993-07-20 1995-02-03 Speedfam Co Ltd 研磨液飛散防止機構付き平面研磨装置
JPH11254298A (ja) * 1998-03-06 1999-09-21 Speedfam Co Ltd スラリー循環供給式平面研磨装置
JP2009248269A (ja) * 2008-04-09 2009-10-29 Nikon Corp 研磨装置

Family Cites Families (22)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3500591A (en) * 1966-11-21 1970-03-17 Owens Illinois Inc Glass grinding method and apparatus
US4869779A (en) * 1987-07-27 1989-09-26 Acheson Robert E Hydroplane polishing device and method
JP2606156B2 (ja) * 1994-10-14 1997-04-30 栗田工業株式会社 研磨剤粒子の回収方法
US5658185A (en) * 1995-10-25 1997-08-19 International Business Machines Corporation Chemical-mechanical polishing apparatus with slurry removal system and method
US5664990A (en) * 1996-07-29 1997-09-09 Integrated Process Equipment Corp. Slurry recycling in CMP apparatus
US5791970A (en) * 1997-04-07 1998-08-11 Yueh; William Slurry recycling system for chemical-mechanical polishing apparatus
JPH10324865A (ja) 1997-05-23 1998-12-08 Yamaha Corp 研磨剤生成方法及び研磨方法
JP3902724B2 (ja) * 1997-12-26 2007-04-11 株式会社荏原製作所 研磨装置
JPH11277434A (ja) * 1998-03-30 1999-10-12 Speedfam Co Ltd Cmp装置のスラリリサイクルシステム及びその方法
JPH11320406A (ja) * 1998-05-06 1999-11-24 Speedfam-Ipec Co Ltd 研磨装置における排液・排気の処理方法及び装置
TW504776B (en) * 1999-09-09 2002-10-01 Mimasu Semiconductor Ind Co Wafer rotary holding apparatus and wafer surface treatment apparatus with waste liquid recovery mechanism
JP4657412B2 (ja) 1999-12-10 2011-03-23 エルエスアイ コーポレーション 半導体ウェハを研磨する装置及び方法
US6705930B2 (en) * 2000-01-28 2004-03-16 Lam Research Corporation System and method for polishing and planarizing semiconductor wafers using reduced surface area polishing pads and variable partial pad-wafer overlapping techniques
US6558238B1 (en) * 2000-09-19 2003-05-06 Agere Systems Inc. Apparatus and method for reclamation of used polishing slurry
JP3852758B2 (ja) * 2002-03-01 2006-12-06 インターナショナル・ビジネス・マシーンズ・コーポレーション スラリー回収装置及びその方法
US7584760B2 (en) * 2002-09-13 2009-09-08 Dainippon Screen Mfg. Co., Ltd. Substrate processing apparatus
JP3889744B2 (ja) * 2003-12-05 2007-03-07 株式会社東芝 研磨ヘッドおよび研磨装置
JP2007088398A (ja) * 2004-12-14 2007-04-05 Realize Advanced Technology Ltd 洗浄装置、この洗浄装置を用いた洗浄システム、及び被洗浄基板の洗浄方法
EP2372749B1 (de) * 2010-03-31 2021-09-29 Levitronix GmbH Behandlungsvorrichtung zur Behandlung einer Oberfläche eines Körpers
US9339914B2 (en) 2012-09-10 2016-05-17 Applied Materials, Inc. Substrate polishing and fluid recycling system
CN204094614U (zh) 2014-09-24 2015-01-14 江苏中科晶元信息材料有限公司 一种晶片研磨机中环形防护筒的安装结构
JP6792363B2 (ja) * 2016-07-22 2020-11-25 株式会社ディスコ 研削装置

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
GB1261131A (en) * 1969-06-06 1972-01-19 Burmah Oil Trading Ltd Improvements in or relating to lapping machines
JPH0732263A (ja) * 1993-07-20 1995-02-03 Speedfam Co Ltd 研磨液飛散防止機構付き平面研磨装置
JPH11254298A (ja) * 1998-03-06 1999-09-21 Speedfam Co Ltd スラリー循環供給式平面研磨装置
JP2009248269A (ja) * 2008-04-09 2009-10-29 Nikon Corp 研磨装置

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20210112922A (ko) * 2020-03-06 2021-09-15 넥센타이어 주식회사 타이어의 마모 측정 장치
KR102308092B1 (ko) 2020-03-06 2021-10-05 넥센타이어 주식회사 타이어의 마모 측정 장치

Also Published As

Publication number Publication date
DE112016003354T5 (de) 2018-04-05
KR20180042250A (ko) 2018-04-25
KR102550998B1 (ko) 2023-07-04
US20180222008A1 (en) 2018-08-09
JP6389449B2 (ja) 2018-09-12
TW201713461A (zh) 2017-04-16
CN107921605A (zh) 2018-04-17
US10850365B2 (en) 2020-12-01
WO2017033409A1 (ja) 2017-03-02
TWI715606B (zh) 2021-01-11
SG11201800897PA (en) 2018-03-28

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR102182910B1 (ko) 웨이퍼의 엣지 연마 장치 및 방법
JP3594357B2 (ja) ポリッシング方法及び装置
TWI536439B (zh) 晶圓拋光製程、晶圓拋光工具與積體電路裝置製程
CN101121247A (zh) 研磨头的清洗装置
JP6389449B2 (ja) 研磨装置
JP2018186118A (ja) シリコンウエーハの研磨方法
CN105817991A (zh) 化学机械研磨方法
WO2016163063A1 (ja) 研磨装置
JP6747599B2 (ja) シリコンウェーハの両面研磨方法
CN209831364U (zh) 组合式晶片研磨盘
JP6197752B2 (ja) ウェーハの研磨方法
JP2019029562A (ja) 基板処理装置
JP2007180309A (ja) 研磨装置および研磨方法
JP2013219133A (ja) ウエーハの研磨方法
WO2015049829A1 (ja) 研磨布の洗浄方法及びウェーハの研磨方法
JP2001018161A (ja) 研磨装置
CN101279435B (zh) 一种改进型抛光垫调节器工艺
JP4803167B2 (ja) 研磨装置
KR20100052028A (ko) 양면 연마기의 패드 드레싱 방법
JP2005153141A (ja) 研磨装置
CN111326448A (zh) 半导体清洁装置
KR20100044988A (ko) 화학적 기계적 연마 장비의 폴리싱 패드 이물질 제거장치
CN109734099B (zh) 一种硅料的除杂方法
CN117359472A (zh) 边缘抛光设备及边缘抛光方法
CN210524837U (zh) 一种抛光垫修整器

Legal Events

Date Code Title Description
A621 Written request for application examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

Effective date: 20170727

A871 Explanation of circumstances concerning accelerated examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A871

Effective date: 20180328

A975 Report on accelerated examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971005

Effective date: 20180423

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20180501

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20180611

TRDD Decision of grant or rejection written
A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 20180807

A61 First payment of annual fees (during grant procedure)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61

Effective date: 20180817

R150 Certificate of patent or registration of utility model

Ref document number: 6389449

Country of ref document: JP

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250