WO2016163063A1 - 研磨装置 - Google Patents

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wafer
cleaning
polishing head
head
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淳一 上野
三千登 佐藤
薫 石井
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信越半導体株式会社
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    • B24B37/00Lapping machines or devices; Accessories
    • B24B37/04Lapping machines or devices; Accessories designed for working plane surfaces
    • BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B24GRINDING; POLISHING
    • B24BMACHINES, DEVICES, OR PROCESSES FOR GRINDING OR POLISHING; DRESSING OR CONDITIONING OF ABRADING SURFACES; FEEDING OF GRINDING, POLISHING, OR LAPPING AGENTS
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    • H01L21/302Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to change their surface-physical characteristics or shape, e.g. etching, polishing, cutting
    • H01L21/304Mechanical treatment, e.g. grinding, polishing, cutting
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/677Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations

Definitions

  • the present invention relates to a polishing apparatus for polishing the surface of a wafer.
  • a polishing apparatus having a polishing head for holding the wafer, a polishing cloth for polishing the surface of the wafer in contact with the wafer held by the polishing head, and the like is used. ing.
  • the surface of the wafer is often polished while supplying a polishing slurry comprising abrasive grains such as silica and an alkaline solution to the surface of the polishing cloth.
  • a general rotary type polishing apparatus includes a polishing head, a surface plate (hereinafter also referred to as a polishing stage) to which a polishing cloth is attached, and a loading / unloading stage for detaching a wafer from the polishing head. Have. At this time, a plurality of polishing stages may be provided.
  • the loading / unloading stage may have a load table for loading (loading) the wafer on the polishing head and an unloading table for removing the wafer from the polishing head.
  • polishing slurry is supplied onto the polishing cloth affixed to the surface plate, and polishing is performed by sliding the surface of the wafer held by the polishing head and the polishing cloth.
  • the wafer contained in the storage box is taken out, and the taken-out wafer is placed on the load table on the loading / unloading stage. Then, the load table on which the wafer is placed waits under the polishing head, and then the polishing head descends to attach the wafer to the polishing head.
  • polishing head holding the wafer moves to the polishing stage where the polishing cloth is disposed, and after the polishing for the predetermined polishing amount in the polishing stage is completed, moves away from the surface plate and moves to the next polishing stage. . After the movement, polishing of the wafer is continued. In this way, polishing is performed while switching each polishing stage used for polishing.
  • the polishing head holding the polished wafer moves onto the loading / unloading stage, and the wafer is peeled off (unloaded) from the polishing head by the unload table.
  • the rotary polishing apparatus performs polishing while sequentially changing the position of the polishing head holding the wafer between the polishing stages or between the polishing stage and the loading / unloading stage.
  • Measures to satisfy this requirement are to increase the removal efficiency by washing and to bring silica and alkali solution adhering during polishing to the washing machine as much as possible.
  • the cleaning apparatus itself is improved or the cleaning conditions are changed to a higher removal effect.
  • cleaning liquid, cleaning temperature, time, and the like For example, cleaning liquid, cleaning temperature, time, and the like.
  • SOD average total number
  • DW-Haze which is a parameter representing the smoothness of the wafer surface, is greatly deteriorated.
  • the present invention has been made in view of the above-described problems.
  • a polishing apparatus capable of improving the cleaning effect on the wafer surface while suppressing deterioration in the smoothness and productivity of the wafer surface.
  • the purpose is to provide.
  • the present invention comprises a polishing head for holding a wafer and feeding the wafer downward, and a surface of the wafer in contact with the surface of the wafer sent downward by the polishing head.
  • a polishing apparatus comprising a polishing cloth for polishing, further comprising a cleaning unit that contacts the surface of the wafer sent downward by the polishing head and cleans the surface of the wafer; During polishing, the polishing head, the polishing cloth, or both are moved to position the polishing head above the polishing cloth, and after polishing the wafer, the polishing head, the cleaning unit, or both
  • a polishing apparatus is provided that includes a position control unit that moves the polishing head to position the polishing head above the cleaning unit.
  • the polishing apparatus removes foreign matter generated from the polishing slurry and the like with the cleaning apparatus by removing the wafer after polishing from the polishing head and rubbing the wafer surface in contact with the cleaning unit.
  • the polishing apparatus of the present invention further includes a cleaning water supply unit that supplies cleaning water to the cleaning unit.
  • the polishing apparatus of the present invention further includes a loading / unloading stage for mounting the wafer on the polishing head or detaching the wafer from the polishing head, and a plurality of polishing cloths,
  • a cleaning unit is disposed on the loading / unloading stage, and the position control unit switches the polishing cloth used for polishing the wafer by moving the polishing head, and the position control The unit may move the polishing head, the loading / unloading stage, or both after polishing the wafer to position the polishing head above the cleaning unit.
  • the cleaning unit is provided on the loading / unloading stage, it can be quickly pre-cleaned while the wafer is held by the polishing head after polishing.
  • the cleaning part may be a polyvinyl alcohol sponge (hereinafter also referred to as PVA sponge).
  • a sponge of such a material as the cleaning portion and scrub with this sponge. Further, by providing the sponge on the loading / unloading stage, it is possible to prevent the generation of scratches accompanying the wafer transfer.
  • the polishing apparatus of the present invention can improve the cleaning effect of the wafer surface while suppressing the deterioration of the smoothness and productivity of the wafer surface.
  • the present inventors have conducted intensive studies to solve such problems. As a result, by providing a mechanism capable of pre-cleaning while holding the wafer on the polishing head, the polishing effect in the cleaning process, which is a subsequent process, is suppressed after suppressing an increase in production tact and deterioration of haze.
  • the present invention has been completed.
  • a polishing apparatus 1 of the present invention is in contact with a polishing head 2 that feeds the wafer downward while holding the wafer, and a surface of the wafer sent downward by the polishing head 2, And a polishing stage 3 for polishing the surface of the wafer.
  • the polishing head 2 may rotate the wafer while holding the wafer so that the wafer is brought into contact with the polishing cloth while moving relatively, and the wafer surface can be polished with the polishing cloth.
  • the polishing apparatus of the present invention may include a plurality of polishing stages 3 and a plurality of polishing cloths.
  • the polishing apparatus is not particularly limited thereto, and the polishing stage 3 and the polishing stage are not limited thereto.
  • One cloth may be sufficient.
  • the plurality of polishing stages 3 are arranged concentrically with respect to the central axis 13, but the arrangement position of the polishing stage 3 is not limited to this.
  • the polishing stage 3 mainly includes a polishing cloth 4 and a surface plate 5.
  • the surface plate 5 may be rotatable.
  • a polishing agent supply mechanism 6 is provided for supplying polishing slurry onto the polishing cloth 4 when polishing the wafer W held by the polishing head 2.
  • the polishing apparatus 1 of the present invention may include a loading / unloading stage 7 for mounting a wafer on the polishing head 2 or detaching the wafer from the polishing head 2.
  • the loading / unloading stage 7 may include a load table 8 for mounting a wafer taken out from a storage box (not shown) on the polishing head 2.
  • the loading / unloading stage 7 may include an unload table 9 for detaching the wafer from the polishing head 2.
  • the polishing apparatus 1 of the present invention includes a cleaning unit that contacts the surface of the wafer sent downward by the polishing head 2 and cleans the surface of the wafer.
  • the polishing apparatus 1 includes a cleaning unit 10 on a load table 8 as shown in FIG. 3.
  • the cleaning unit 10 having a plurality of projections having a diameter of 3 mm or more.
  • FIG. 4 shows a schematic top view of the cleaning unit 10.
  • the cleaning unit 10 includes the above-described protrusions on the surface that comes into contact with the wafer.
  • a polyvinyl alcohol sponge (PVA sponge) can be used as the cleaning unit 10. If the surface of the wafer is scrubbed with a PVA sponge having such protrusions, the polishing slurry can be effectively removed from the wafer.
  • PVA sponge polyvinyl alcohol sponge
  • the polishing apparatus of the present invention preferably includes a cleaning water supply unit 11 capable of supplying cleaning water to the cleaning unit 10 as shown in FIG.
  • a cleaning water supply unit 11 capable of supplying cleaning water to the cleaning unit 10 as shown in FIG.
  • the cleaning water supplied to the cleaning unit for example, pure water or functional water can be used.
  • Functional water here refers to a liquid in which other substances are mixed or dissolved in pure water for the purpose of improving the cleaning power to such an extent that the smoothness of the wafer surface is not impaired.
  • functional water for example, hydrogen water in which hydrogen is dissolved in pure water, ozone water in which ozone is dissolved in pure water, or the like can be used.
  • the polishing apparatus 1 of the present invention includes position control units 12a and 12b as shown in FIG.
  • the position control unit 12b can position the polishing head 2 above the polishing pad 4 or above the loading / unloading stage 7 by turning the polishing head 2 around the central axis 13 of the position control unit 12b.
  • the position control unit 12a can control the load / unloading stage 7 to rotate so that either the load table 8 or the unload table 9 provided with the cleaning unit 10 is positioned immediately below the polishing head 2. That is, the relative positions of the polishing head 2 and the polishing pad 4 and the relative positions of the polishing head 2 and the cleaning unit 10 can be controlled to desired positions by the position control units 12a and 12b.
  • the number of position control units is not limited to this. Moreover, you may have a position control part which moves the polishing cloth 4 (or the surface plate 5 with which the polishing cloth was affixed, ie, the polishing stage 3).
  • the position control unit 12b rotates the polishing head 2 to switch the polishing cloth used for polishing the wafer. Further, after the polishing of the wafer is completed, the position control unit 12b pivots the polishing head 2 above the loading / unloading stage 7, and the position control unit 12a moves above the load table 8, that is, the cleaning unit 10.
  • the loading / unloading stage can be rotated so that the polishing head 2 is positioned above the surface.
  • press club cleaning can be performed by bringing the cleaning unit into contact with the surface of the wafer while holding the polished wafer on the polishing head.
  • the pre-cleaning in the polishing apparatus of the present invention reduces the amount of foreign matter brought into the cleaning device used in the subsequent process, can improve the cleaning efficiency of the cleaning process which is the subsequent process, and the cleaning apparatus and the cleaning agent Can improve the service life.
  • pre-cleaning it is possible to effectively remove foreign matters such as particles that are concentrated on the outer periphery of the wafer.
  • the polishing apparatus since the polishing apparatus includes the cleaning unit and the position control unit, it is possible to eliminate factors that significantly increase production tasks such as an operation of removing a wafer from the polishing head for pre-cleaning. Therefore, an increase in production tasks due to pre-cleaning can be minimized. Furthermore, since it is not necessary to increase the cleaning capability of the cleaning device in the cleaning process, it is possible to suppress the deterioration of the smoothness of the wafer surface, specifically, the deterioration of Haze.
  • the wafer in the storage box is taken out, and the taken-out wafer is placed on the load table 8 on the loading / unloading stage 7 (S1 in FIG. 5).
  • the cleaning unit 10 is disposed on the load table 8.
  • the load table 8 and the polishing head 2 on which the wafer is placed are moved to a load position where the wafer is loaded.
  • the load table 8 is moved to the load position by rotating the loading / unloading stage 7 by the position controller 12a, and the polishing head 2 is swung by the position controller 12b.
  • the polishing head 2 holding the wafer is pivotally moved above the polishing pad 4 by the position controller 12b (S3 in FIG. 5).
  • the polishing apparatus 1 includes three surface plates 5 to which a polishing cloth 4 is attached, and rotates on one of the polishing cloths. Then, by lowering the polishing head 2, the surface of the wafer sent downward is brought into contact with the polishing cloth 4 (S4 in FIG. 5). Thereby, polishing is started (S5 in FIG. 5). At this time, as described above, the polishing head 2 may be rotated so that the polishing cloth 4 is brought into sliding contact with the wafer for polishing.
  • the wafer is polished for a predetermined polishing amount, and then the polishing head 2 is separated from the polishing pad 4 and the polishing is temporarily stopped. Then, the polishing head 2 is swung onto another polishing cloth 4 by the position control unit 12b, and polishing is resumed in the same manner as described above (S6 in FIG. 5). In this manner, the polishing is advanced while the polishing cloth 4 used for polishing is switched while the polishing head 2 is swung by the position controller 12b.
  • the polishing head 2 holding the polished wafer is moved onto the loading / unloading stage 7 by the position controller 12b.
  • the position control unit 12a moves the load table 8 including the cleaning unit 10 below the polishing head (S8 in FIG. 5).
  • the polishing head 2 is lowered, and the surface of the wafer sent downward by the polishing head 2 is brought into contact with the cleaning unit 10 (S9 in FIG. 5). Thereby, pre-cleaning of the wafer surface is performed (S10 in FIG. 5).
  • the pre-cleaning may be performed by rotating the polishing head 2 so that the wafer and the cleaning unit 10 are in sliding contact.
  • pre-cleaning may be performed while supplying cleaning water from the cleaning water supply unit 11 to the cleaning unit 10.
  • the height position of the polishing head at the time of pre-cleaning can be set to a position that is 0 mm or more and 3 mm or less below the height position at which the wafer starts to contact the cleaning unit 10 such as PVA sponge. In particular, it is preferable that the height position is about 0.1 mm below.
  • the rotational speed of the polishing head during pre-cleaning can be set to 0.1 rpm or more and 50 rpm or less, and particularly preferably about 30 rpm.
  • the supply amount of the cleaning water can be set to 1 L / min or more and 7 L / min or less, and particularly preferably about 3 L / min.
  • the cleaning time can be 20 seconds to 120 seconds, and particularly preferably about 20 seconds.
  • the physical pressing force when the cleaning part is brought into contact with the wafer surface for pre-cleaning can be adjusted by changing the vertical position of the polishing head (height position with respect to the cleaning part).
  • a pressing force control unit that automatically controls the pressing force according to conditions such as the material of the cleaning unit to be used and the diameter of the wafer may be provided.
  • the polishing head 2 After completion of pre-cleaning, the polishing head 2 is raised and separated from the cleaning unit 10. Thereafter, the position controller 12a moves the unload table 9 below the polishing head 2 (that is, the unload position). Subsequently, the polishing head 2 is lowered, and the wafer is unloaded from the polishing head 2 by the unload table 9 (S11 in FIG. 5).
  • the wafer can be polished using the polishing apparatus of the present invention. Then, the wafer unloaded from the polishing head 2 is sent to a subsequent process such as a cleaning process (S12 in FIG. 5).
  • polishing apparatus of the present invention is a rotary type
  • present invention is not limited to this.
  • the polishing apparatus of the present invention only needs to move the wafer after polishing to a cleaning unit in the polishing apparatus and perform pre-cleaning.
  • the polishing apparatus of the present invention may be a polishing apparatus provided with a load table, a polishing stage, a cleaning unit, and an unload table independently.
  • the load table and the cleaning unit are independent from each other, not the structure having the cleaning unit on the load table as in the example of the rotary type polishing apparatus described above.
  • the wafer is first loaded onto the polishing head by the load table, and then the wafer is polished. After the polishing is completed, pre-cleaning is performed while the wafer is held by the polishing head in a cleaning unit provided independently from the load table. After pre-cleaning is completed, the wafer can be polished by a procedure such as unloading the wafer from the polishing head.
  • Example 1 Using a polishing apparatus 1 of the present invention as shown in FIG. 1, a plurality of silicon wafers having a diameter of 300 mm were polished according to the flow shown in FIG.
  • the pre-cleaning conditions in the polishing apparatus 1 at this time were as follows.
  • a PVA sponge provided with a plurality of protrusions having a diameter of 3 mm or more as shown in FIGS.
  • the polishing head 2 was rotated while being in contact with the PVA sponge, and the rotation speed was 30 rpm.
  • the height position of the polishing head at the time of pre-cleaning was set to a height position 0.1 mm below from the height position at which the wafer starts to contact the PVA sponge. Pure water was used as the washing water.
  • the cleaning time was 20 seconds.
  • Comparative Example 1 A plurality of wafers having a diameter of 300 mm were polished by using a conventional polishing apparatus excluding the cleaning unit 10 and the cleaning water supply unit 11 from the polishing apparatus of the present invention shown in FIG. That is, in Comparative Example 1, the wafer was basically polished under the same polishing conditions as in Example 1, but no pre-cleaning was performed in the polishing apparatus.
  • Example 1 and Comparative Example 1 were each put into a cleaning apparatus different from the polishing apparatus and cleaned, and then the SOD (total number of defects) and Haze of the wafer were evaluated. SOD was measured using a particle measuring machine (SP-3 manufactured by KLA-Tencor) with the narrow mode and wide mode enabled.
  • FIG. 6 and Table 1 summarize the measurement results of SOD in Example 1 and Comparative Example 1.
  • FIG. 7 and Table 2 summarize the measurement results of Haze in Example 1 and Comparative Example 1.
  • the present invention is not limited to the above embodiment.
  • the above-described embodiment is an exemplification, and the present invention has any configuration that has substantially the same configuration as the technical idea described in the claims of the present invention and that exhibits the same effects. Are included in the technical scope.

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Abstract

 本発明は、ウェーハを保持しながら該ウェーハを下方に送る研磨ヘッドと、研磨ヘッドによって下方に送られたウェーハの表面と接触して、ウェーハの表面を研磨する研磨布とを具備する研磨装置であって、さらに、研磨ヘッドによって下方に送られたウェーハの表面と接触して、ウェーハの表面を洗浄する洗浄部を具備し、ウェーハの研磨時には、研磨ヘッド、研磨布、又はその両方を移動させることで研磨ヘッドを研磨布の上方に位置させ、ウェーハの研磨後には、研磨ヘッド、洗浄部、又はその両方を移動させることで研磨ヘッドを洗浄部の上方に位置させる位置制御部を具備するものであることを特徴とする研磨装置である。これにより、ウェーハの表面の平滑性の悪化及び生産性の悪化を抑制したうえで、ウェーハ表面の洗浄効果を向上させることが可能な研磨装置が提供される。

Description

研磨装置
 本発明は、ウェーハの表面を研磨するための研磨装置に関する。
 従来、シリコンウェーハ等のウェーハを研磨するために、ウェーハを保持するための研磨ヘッド、研磨ヘッドに保持されたウェーハに接触してウェーハの表面を研磨する研磨布等を具備する研磨装置が使用されている。また、一般的に、このような研磨装置を使用する場合には、シリカ等の砥粒及びアルカリ溶液から成る研磨スラリーを研磨布の表面に供給しながらウェーハの表面を研磨することが多い。
 ここで、一般的なロータリー方式の研磨装置について説明する。一般的なロータリー方式の研磨装置は、研磨ヘッド、研磨布を貼り付けた定盤(以下、研磨ステージと呼称する場合もある)、及び研磨ヘッドにウェーハを脱着するためのローディング/アンローディングステージを有している。このとき、研磨ステージを複数具備していても良い。また、ローディング/アンローディングステージは、研磨ヘッドにウェーハを装着(ロード)するためのロードテーブル、研磨ヘッドからウェーハを脱離させるためのアンロードテーブルを有していても良い。この研磨装置では、各研磨ステージで、定盤に貼り付けられた研磨布上に研磨スラリーを供給し、研磨ヘッドに保持されたウェーハの表面と研磨布を摺動させて研磨を行う。
 上記のような研磨装置を使用する場合、まず、収納ボックスに入っているウェーハを取り出し、取り出したウェーハをローディング/アンローディングステージ上のロードテーブルに置く。そして、ウェーハの置かれたロードテーブルが研磨ヘッドの下に待機し、その後研磨ヘッドが下降して研磨ヘッドにウェーハが貼り付く。
 続いて、ウェーハを保持した研磨ヘッドは研磨布が配設されている研磨ステージへ移動し、この研磨ステージにおける所定の研磨代分の研磨完了後に定盤から離れて、次の研磨ステージへ移動する。移動後、当該ウェーハの研磨の続きを行う。このようにして研磨に使用する各研磨ステージを切り替えながら研磨を進めていく。
 上記のような研磨の完了後、研磨後のウェーハを保持した研磨ヘッドはローディング/アンローディングステージ上に移動し、アンロードテーブルにて研磨ヘッドからウェーハが剥離(アンロード)される。以上のように、ロータリー方式の研磨装置は、ウェーハを保持した研磨ヘッドの位置を、研磨ステージ間、又は研磨ステージとローディング/アンローディングステージ間で順に交換しながら研磨を行う。
 研磨装置で研磨した後のウェーハの表面には、研磨スラリーに含まれているシリカ等の砥粒やアルカリ溶液等が付着している。そのため、研磨完了後に、ウェーハを研磨ヘッドから取り外し、洗浄装置に投入して洗浄を行うことが多い(例えば、特許文献1、2参照)。特に、半導体ウェーハをロータリー方式で搬送する研磨装置を使用する場合には、研磨ヘッドからウェーハを取り外した後、スクラブ洗浄や薬液ディップ洗浄が行われる。
特開2005-074574号公報 特開2014-167996号公報
 近年の半導体素子の高集積度化に伴い、表面のパーティクル等の欠陥の総数(Sum Of Defects:SOD)がより少ないウェーハが必要とされている。そのため、SODレベルの改善が要求されている。
 その要求を満たすための対応として、洗浄による除去効率を上げることと、研磨中に付着するシリカやアルカリ溶液をできる限り洗浄機へ持ち込まないことが必要となる。例えば、除去効率を上げるためには洗浄装置自体の改善や、除去効果のより高い洗浄条件に変更する。例えば、洗浄液や洗浄温度、時間等である。この場合、図8に示すように、洗浄後のウェーハの表面の欠陥の平均総数(SOD)は減少する。しかし、一方で、図9に示すようにウェーハの表面の平滑性を表すパラメーターであるDW-Hazeが大きく悪化してしまう。
 一方で、洗浄装置へのシリカ等の持ち込みを軽減し、洗浄工程における洗浄効果を向上させるためには、洗浄工程の前に取り外したウェーハのプレ洗浄を行うことが考えられる。しかしながら、この方法は、プレ洗浄のための新たな洗浄装置を追加する必要が有り、生産コストが増大してしまうので実用的ではない。また、研磨完了後に研磨ヘッドからウェーハを外し、プレ洗浄装置で処理すると、生産性が悪化してしまう。
 本発明は前述のような問題に鑑みてなされたもので、ウェーハの表面の平滑性の悪化及び生産性の悪化を抑制したうえで、ウェーハ表面の洗浄効果を向上させることが可能な研磨装置を提供することを目的とする。
 上記目的を達成するために、本発明は、ウェーハを保持しながら該ウェーハを下方に送る研磨ヘッドと、該研磨ヘッドによって下方に送られた前記ウェーハの表面と接触して、該ウェーハの表面を研磨する研磨布とを具備する研磨装置であって、さらに、該研磨ヘッドによって下方に送られた前記ウェーハの表面と接触して、該ウェーハの表面を洗浄する洗浄部を具備し、前記ウェーハの研磨時には、前記研磨ヘッド、前記研磨布、又はその両方を移動させることで前記研磨ヘッドを前記研磨布の上方に位置させ、前記ウェーハの研磨後には、前記研磨ヘッド、前記洗浄部、又はその両方を移動させることで前記研磨ヘッドを前記洗浄部の上方に位置させる位置制御部を具備するものであることを特徴とする研磨装置を提供する。
 このように、本発明の研磨装置は、研磨完了後のウェーハを研磨ヘッドから外す前に、ウェーハの表面を洗浄部に接触させて擦り、研磨スラリー等から生じる異物の除去を洗浄装置での洗浄前に実施することができる。すなわち、洗浄装置による本洗浄の前に、研磨装置内でプレ洗浄を行うことで、洗浄装置に持ち込む異物の量を低減でき、洗浄効果を向上させることができる。また、洗浄装置の洗浄能力を必要以上に上げる必要が無いのでウェーハ表面の平滑性の悪化を抑制できる。また、このプレ洗浄は研磨ヘッドからウェーハを取り外すことなく、研磨完了後に連続して実施できるため、生産タクトの増大を最小限に抑制できる。
 このとき、本発明の研磨装置は、さらに、前記洗浄部に洗浄水を供給する洗浄水供給部を具備することが好ましい。
 このような洗浄水供給部を具備していれば、洗浄水を供給しつつウェーハのプレ洗浄をすることができるため、一層ウェーハ表面の洗浄効果を向上させることができる。
 またこのとき、本発明の研磨装置は、さらに、前記研磨ヘッドに前記ウェーハを装着又は前記研磨ヘッドから前記ウェーハを脱離するためのローディング/アンローディングステージと、複数の研磨布を具備し、前記洗浄部が前記ローディング/アンローディングステージ上に配設されたものであり、前記位置制御部が、前記研磨ヘッドを移動させることで前記ウェーハの研磨に用いる前記研磨布を切り替え、かつ、前記位置制御部が、前記ウェーハの研磨後、前記研磨ヘッド、前記ローディング/アンローディングステージ、又はその両方を移動させることで前記研磨ヘッドを前記洗浄部の上方に位置させるものとすることができる。
 このように、ローディング/アンローディングステージ上に洗浄部を具備するものであれば、研磨終了後に研磨ヘッドでウェーハを保持したままの状態で速やかにプレ洗浄可能である。
 このとき、前記洗浄部はポリビニルアルコール製スポンジ(以下、PVAスポンジとも呼称する)とすることができる。
 本発明において、洗浄部としては、このような材質のスポンジを使用し、このスポンジによりスクラブ洗浄することが好適な態様である。また、このスポンジをローディング/アンローディングステージ上に設けることでウェーハの移送に伴うキズの発生を防止できる。
 本発明の研磨装置であれば、ウェーハの表面の平滑性の悪化及び生産性の悪化を抑制したうえで、ウェーハ表面の洗浄効果を向上させることができる。
本発明の研磨装置の一例を示した上面図である。 本発明の研磨装置における、研磨ステージの一例を示す概略側面図である。 本発明の研磨装置における、洗浄部を配設したロードテーブルの一例を表す概略側面図である。 図3に示した洗浄部の概略上面図である。 本発明の研磨装置を用いた研磨の手順を説明するフロー図である。 実施例1、比較例1にて測定したSODを示すグラフである。 実施例1、比較例1にて測定したHazeを示すグラフである。 洗浄工程における洗浄能力の増加前後のSODを示すグラフである。 洗浄工程における洗浄能力の増加前後のHazeを示すグラフである。 実験例において測定したウェーハ表面のSODマップである。
 以下、本発明について実施の形態を説明するが、本発明はこれに限定されるものではない。
 上記のように、従来、研磨後のウェーハの洗浄において、洗浄装置への異物の持ち込みの増加により洗浄効果が低下し、ウェーハの表面のパーティクル等の異物を十分に除去できないという問題があった。さらに、洗浄装置による洗浄効果を十分に得るために新規の洗浄装置を導入してプレ洗浄を行ったり、洗浄装置の洗浄能力を増加させたりすると、生産タクトの増加やウェーハ表面のHazeの悪化が起こってしまうという問題があった。
 そこで、本発明者等はこのような問題を解決すべく鋭意検討を重ねた。その結果、研磨装置に、ウェーハを研磨ヘッドに保持したままプレ洗浄可能な機構を配設することで、生産タクトの増加やHazeの悪化を抑制したうえで、後工程である洗浄工程における洗浄効果を向上させることを見出し、本発明を完成させた。
 以下、本発明の研磨装置の一態様を具体的に説明する。なお、以下の説明ではロータリー方式の研磨装置の場合を例に挙げて説明する。
 図1に示すように、本発明の研磨装置1はウェーハを保持しながら該ウェーハを下方に送る研磨ヘッド2と、該研磨ヘッド2によって下方に送られた前記ウェーハの表面と接触して、該ウェーハの表面を研磨する研磨ステージ3とを具備する。
 研磨ヘッド2は、ウェーハを保持したまま自転することで、研磨布に対してウェーハを相対的に動かしながら接触させ、ウェーハ表面を研磨布で研磨できるものとしても良い。
 また、本発明の研磨装置は図1のように、研磨ステージ3を複数具備することで、研磨布を複数備える構成としても良いが、特にこれに限定されることは無く、研磨ステージ3及び研磨布は1つでも良い。また、図1において、複数の研磨ステージ3は中心軸13に対して同心円状に配設されているが、研磨ステージ3の配設位置もこれに限定されない。
 ここで、図2に研磨ステージ3の概略側面図を示す。図2のように研磨ステージ3は、主に研磨布4、定盤5から成る。この定盤5は回転可能なものとしても良い。また、研磨ヘッド2で保持したウェーハWを研磨する際に、研磨布4上に研磨スラリーを供給する研磨剤供給機構6を備えている。
 また、図1に示すように、本発明の研磨装置1は、研磨ヘッド2にウェーハを装着又は研磨ヘッド2からウェーハを脱離するためのローディング/アンローディングステージ7を具備しても良い。このローディング/アンローディングステージ7は、収納ボックス(不図示)から取り出したウェーハを研磨ヘッド2に装着するためのロードテーブル8を備えていても良い。また、ローディング/アンローディングステージ7は、ウェーハを研磨ヘッド2から脱離するためのアンロードテーブル9を備えていても良い。
 また、本発明の研磨装置1は、研磨ヘッド2によって下方に送られたウェーハの表面と接触して、ウェーハの表面を洗浄する洗浄部を具備する。図1に示す態様では、図3に示すように、研磨装置1はロードテーブル8上に洗浄部10を備えている。また、図3に示すように、洗浄部10として、直径3mm以上の突起が複数付いているものを使用することが好ましい。図4に洗浄部10の上面概略図を示す。このように、洗浄部10はウェーハと接触する面に上述の突起を備えている。さらに、洗浄部10としてはポリビニルアルコール製スポンジ(PVAスポンジ)を使用することができる。このような突起を備えたPVAスポンジによって、ウェーハの表面をスクラブ洗浄すれば、ウェーハから研磨スラリーを効果的に除去できる。
 また、本発明の研磨装置は、図1に示すように、洗浄部10に洗浄水を供給することが可能な洗浄水供給部11を具備することが好ましい。洗浄部に供給する洗浄水としては例えば、純水や機能水を使用することができる。ここでいう機能水とは、ウェーハの表面の平滑性を損なわない程度に洗浄力を向上させる目的で、純水に他の物質を混合又は溶解させた液体のことを言う。機能水としては、例えば、純水に水素を溶解させた水素水、純水にオゾンを溶解させたオゾン水などを使用できる。
 また、本発明の研磨装置1は、図1に示すように、位置制御部12a、12bを具備している。位置制御部12bは、研磨ヘッド2を位置制御部12bの中心軸13周りに旋回移動させることで研磨ヘッド2を研磨布4の上方又はローディング/アンローディングステージ7の上方に位置させることができる。位置制御部12aはローディング/アンローディングステージ7を自転させることで、研磨ヘッド2の直下に洗浄部10を備えたロードテーブル8とアンロードテーブル9のどちらかが位置するように制御できる。すなわち、位置制御部12a、12bによって研磨ヘッド2と研磨布4の相対位置及び研磨ヘッド2と洗浄部10の相対位置を所望の位置に制御することができる。なお、図1に示す位置制御部は、研磨ヘッド2を移動させるものと、ローディング/アンローディングステージ7を回転させることで、洗浄部10を移動させるものの2つの位置制御部を備える場合を示しているが、位置制御部の配設数はこれに限定されない。また、研磨布4(又は、研磨布が貼り付けられた定盤5、すなわち研磨ステージ3)を移動させるような位置制御部を有していても良い。
 図1に示すようなロータリー方式の研磨装置1においては、位置制御部12bが研磨ヘッド2を旋回移動させることでウェーハの研磨に用いる研磨布を切り替える。さらに、位置制御部12bが、ウェーハの研磨完了後に、研磨ヘッド2をローディング/アンローディングステージ7の上方に旋回移動させ、かつ、位置制御部12aが、ロードテーブル8の上方、すなわち、洗浄部10の上方に研磨ヘッド2が位置するようにローディング/アンローディングステージを自転させることができる。
 以上のような、本発明の研磨装置であれば、研磨完了後のウェーハを研磨ヘッドに保持したまま、洗浄部をウェーハの表面に接触させることでプレスクラブ洗浄を実施することができる。本発明の研磨装置におけるプレ洗浄により、後工程で使用する洗浄装置内への異物の持ち込み量が減少し、後工程である洗浄工程の洗浄効率を向上させることができるとともに、洗浄装置と洗浄剤の寿命を向上できる。また、プレ洗浄を行うことで、特に、ウェーハの外周部に密集したパーティクル等の異物も効果的に除去することが可能になる。
 また、研磨装置が洗浄部と位置制御部を具備していることで、プレ洗浄のために研磨ヘッドからのウェーハを外す作業などといった生産タスクを大幅に増加させる要因を排除できる。そのため、プレ洗浄による生産タスクの増加を最小限に抑えることができる。さらに、洗浄工程において洗浄装置の洗浄能力を上げる必要もないため、ウェーハ表面の平滑性の悪化、具体的には、Hazeの悪化を抑制することが可能である。
 続いて、図1~図4に示した本発明の研磨装置1において研磨を実施する場合の手順を、図5に示すフロー図を参照して説明する。
 図5に示すように、まず、収納ボックスに入っているウェーハを取り出し、取り出したウェーハをローディング/アンローディングステージ7上のロードテーブル8に載置する(図5のS1)。この時、図3に示すように、ロードテーブル8上には洗浄部10が配置されている。そして、ウェーハが載置されたロードテーブル8及び研磨ヘッド2をウェーハのロードを行うロードポジションに移動させる。ロードテーブル8は位置制御部12aによりローディング/アンローディングステージ7を回転させることで、研磨ヘッド2は位置制御部12bにより旋回移動させることでロードポジションに移動させる。
 その後、研磨ヘッド2の下方にロードテーブル8が待機した状態から、研磨ヘッド2が下降することで研磨ヘッド2にウェーハが貼り付く(図5のS2)。ここで、洗浄部10として弾性体であるPVAスポンジを使用していれば、研磨ヘッド2にウェーハを押しつけて貼り付ける時のキズ防止効果が得られる。
 続いて、ウェーハを保持した研磨ヘッド2を、位置制御部12bによって研磨布4の上方へ旋回移動させる(図5のS3)。図1に示すように、研磨装置1は研磨布4が貼り付けられた定盤5を3つ備えているが、そのうちの1つの研磨布上に旋回移動する。そして、研磨ヘッド2を下降させることで、下方に送られたウェーハの表面と研磨布4を接触させる(図5のS4)。これにより、研磨が開始される(図5のS5)。この際に、上記したように研磨ヘッド2を自転させることで、ウェーハに研磨布4を摺接させて研磨を実施しても良い。
 そして一定時間経過して、ウェーハを所定の研磨代分研磨した後に、研磨ヘッド2を研磨布4から離し研磨を一旦停止する。そして、位置制御部12bにより研磨ヘッド2を、別の研磨布4上へ旋回移動させ上記と同様に研磨を再開する(図5のS6)。このようにして、位置制御部12bによって研磨ヘッド2を旋回移動させながら、研磨に使用する研磨布4を切り替えつつ研磨を進めていく。
 上記のようにして、ウェーハを最終目標厚さまで研磨した後(図5のS7)、研磨後のウェーハを保持した研磨ヘッド2を、位置制御部12bによってローディング/アンローディングステージ7上に移動させる。この際に、位置制御部12aによって、洗浄部10を備えたロードテーブル8を研磨ヘッドの下方に移動させる(図5のS8)。続いて、研磨ヘッド2を下降させ、研磨ヘッド2によって下方に送られたウェーハの表面と洗浄部10を接触させる(図5のS9)。これにより、ウェーハ表面のプレ洗浄を行う(図5のS10)。
 また、プレ洗浄の際に、研磨ヘッド2を自転させることで、ウェーハと洗浄部10を摺接させてプレ洗浄を実施しても良い。また、洗浄水供給部11から洗浄部10に洗浄水を供給しながらプレ洗浄を実施しても良い。これらによりプレ洗浄の効果を向上させることができる。
 なお、プレ洗浄時の研磨ヘッドの高さ位置は、ウェーハがPVAスポンジ等の洗浄部10に接触し始める高さ位置から0mm以上3mm以下下方の高さ位置となるような位置とすることができ、特に0.1mm程度下方の高さ位置とすることが好ましい。また、プレ洗浄時の研磨ヘッドの回転数は0.1rpm以上50rpm以下とすることができ、特に30rpm程度とすることが好ましい。また、洗浄水の供給量は、純水を使用する場合、1L/min以上7L/min以下とすることができ、特に3L/min程度とすることが好ましい。また、洗浄時間は20秒~120秒とすることができ、特に20秒程度とすることが好ましい。
 また、洗浄部をウェーハ表面と接触させてプレ洗浄する際の物理的な押圧力は研磨ヘッドの上下位置(洗浄部に対する高さ位置)を変えることで調整できる。この場合、使用する洗浄部の材質やウェーハの直径などの条件に応じて、この押圧力を自動で制御する押圧力制御部を有していても良い。
 プレ洗浄終了後、研磨ヘッド2を上昇させ、洗浄部10から離す。その後、位置制御部12aによりアンロードテーブル9を研磨ヘッド2の下方(すなわち、アンロードポジション)に移動させる。続いて、研磨ヘッド2を下降させ、アンロードテーブル9にて研磨ヘッド2からウェーハをアンロードする(図5のS11)。
 以上のようにして、本発明の研磨装置を用いて、ウェーハの研磨を実施できる。そして、研磨ヘッド2からアンロードしたウェーハを、洗浄工程等の後工程に送る(図5のS12)。
 なお、上記の説明では、本発明の研磨装置がロータリー方式である場合の態様を例に挙げたが、これに限定されることは無い。本発明の研磨装置は、研磨終了後のウェーハを研磨装置内の洗浄部へ移動させ、プレ洗浄できるものであればよい。
 例えば、本発明の研磨装置は、ロードテーブル、研磨ステージ、洗浄部、アンロードテーブルを1つずつ独立して備える研磨装置でもよい。この場合、上述のロータリー方式の研磨装置の例のようにロードテーブル上に洗浄部を有する構造ではなく、ロードテーブルと洗浄部が互いに独立している。このような構造の研磨装置では、まず、ロードテーブルでウェーハを研磨ヘッドにロードし、その後、ウェーハを研磨する。研磨終了後、ロードテーブルから独立して配設されている洗浄部にて、研磨ヘッドでウェーハを保持したままプレ洗浄する。プレ洗浄終了後、ウェーハを研磨ヘッドからアンロードするというような手順でウェーハを研磨できる。
(実験例)
 本発明のプレ洗浄自体の洗浄効果を確認するために以下の実験を行った。図1に示した研磨装置1を使用して、2枚の直径300mmのシリコンウェーハ(ウェーハ1、ウェーハ2)に研磨を行わず、洗浄部によるプレ洗浄のみ行った。プレ洗浄後、本洗浄前のウェーハ表面のSODを測定した。続いて、洗浄装置でウェーハ1、2を本洗浄し、本洗浄後のウェーハ表面のSODを測定した。
 一方で、上記と同様の2枚のシリコンウェーハ(ウェーハ1、ウェーハ2)に研磨を行わず、プレ洗浄も行うことなく洗浄装置による洗浄のみ実施した。この洗浄の条件は、上記の本洗浄と同一条件とした。これらのウェーハ1、2についても、洗浄前後のウェーハ表面のSODを測定した。
 その結果を図10に示す。プレ洗浄を行うことで特に外周部の汚れが除去されている。また、プレ洗浄による汚れや傷の発生も無く、SODも低減されていた。
 以下、本発明の実施例及び比較例を示して本発明をより具体的に説明するが、本発明はこの実施例に限定されるものではない。
(実施例1)
 図1に示すような本発明の研磨装置1を使用して、図5に示したフローに従い、複数枚の直径300mmのシリコンウェーハの研磨を実施した。
 このときの研磨装置1におけるプレ洗浄条件は以下のようにした。洗浄部10としては、図3、4に示したような直径3mm以上の突起を複数備えるPVAスポンジを使用した。また、プレ洗浄時に研磨ヘッド2をPVAスポンジと接触させた状態で回転させ、その回転数を30rpmとした。また、プレ洗浄時の研磨ヘッドの高さ位置は、ウェーハがPVAスポンジに接触し始める高さ位置から0.1mm下方の高さ位置とした。洗浄水としては純水を使用した。また、洗浄時間は20秒とした。
(比較例1)
 図1の本発明の研磨装置から、洗浄部10及び洗浄水供給部11を除いた従来の研磨装置を使用して複数枚の直径300mmのウェーハの研磨を実施した。すなわち、比較例1では基本的に上記実施例1と同様の研磨条件でウェーハの研磨を実施したが、研磨装置内でのプレ洗浄を実施しなかった。
 実施例1及び比較例1において研磨したウェーハをそれぞれ研磨装置とは別の洗浄装置に投入し、洗浄した後、ウェーハのSOD(欠陥総数)及びHazeを評価した。なお、SODは、パーティクル測定機(KLA-Tencor社製 SP-3)を使用し、ナローモードとワイドモードを有効にして測定した。
 図6及び表1に、実施例1、比較例1におけるSODの測定結果をまとめたものを示す。
Figure JPOXMLDOC01-appb-T000001
 図7及び表2に、実施例1、比較例1におけるHazeの測定結果をまとめたものを示す。
Figure JPOXMLDOC01-appb-T000002
 その結果、実施例1のように研磨終了後、研磨ヘッドからウェーハを外さずにプレ洗浄を行うことで、SODを低減でき、またSODのバラツキを小さく抑えることができた。また、Hazeを従来方式(比較例1)の同等以下に抑えることができた。また、研磨ヘッドからウェーハを外さずにプレ洗浄を行えるので生産タスクの増加も最小限に抑えることができた。以上の結果から、本発明の研磨装置によって、ウェーハの表面の平滑性の悪化及び生産性の悪化を抑制したうえで、ウェーハ表面の洗浄効果を向上させることができることが確認された。
 なお、本発明は、上記実施形態に限定されるものではない。上記実施形態は例示であり、本発明の特許請求の範囲に記載された技術的思想と実質的に同一な構成を有し、同様な作用効果を奏するものは、いかなるものであっても本発明の技術的範囲に包含される。

Claims (4)

  1.  ウェーハを保持しながら該ウェーハを下方に送る研磨ヘッドと、該研磨ヘッドによって下方に送られた前記ウェーハの表面と接触して、該ウェーハの表面を研磨する研磨布とを具備する研磨装置であって、
     さらに、該研磨ヘッドによって下方に送られた前記ウェーハの表面と接触して、該ウェーハの表面を洗浄する洗浄部を具備し、前記ウェーハの研磨時には、前記研磨ヘッド、前記研磨布、又はその両方を移動させることで前記研磨ヘッドを前記研磨布の上方に位置させ、前記ウェーハの研磨後には、前記研磨ヘッド、前記洗浄部、又はその両方を移動させることで前記研磨ヘッドを前記洗浄部の上方に位置させる位置制御部を具備するものであることを特徴とする研磨装置。
  2.  さらに、前記洗浄部に洗浄水を供給する洗浄水供給部を具備することを特徴とする請求項1に記載の研磨装置。
  3.  さらに、前記研磨ヘッドに前記ウェーハを装着又は前記研磨ヘッドから前記ウェーハを脱離するためのローディング/アンローディングステージと、複数の研磨布を具備し、前記洗浄部が前記ローディング/アンローディングステージ上に配設されたものであり、前記位置制御部が、前記研磨ヘッドを移動させることで前記ウェーハの研磨に用いる前記研磨布を切り替え、かつ、前記位置制御部が、前記ウェーハの研磨後、前記研磨ヘッド、前記ローディング/アンローディングステージ、又はその両方を移動させることで前記研磨ヘッドを前記洗浄部の上方に位置させるものであることを特徴とする請求項1又は請求項2に記載の研磨装置。
  4.  前記洗浄部はポリビニルアルコール製スポンジであることを特徴とする請求項1から請求項3のいずれか1項に記載の研磨装置。
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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN111037457A (zh) * 2018-10-11 2020-04-21 株式会社V技术 晶圆的研磨装置及研磨方法

Families Citing this family (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR102415299B1 (ko) * 2018-01-30 2022-06-30 주식회사 케이씨텍 기판 처리 시스템
JP6947135B2 (ja) * 2018-04-25 2021-10-13 信越半導体株式会社 研磨装置、ウェーハの研磨方法、及び、ウェーハの製造方法
WO2019208042A1 (ja) * 2018-04-25 2019-10-31 信越半導体株式会社 研磨装置、ウェーハの研磨方法、及び、ウェーハの製造方法
JP7192761B2 (ja) 2019-12-25 2022-12-20 株式会社Sumco 研磨装置への半導体ウェーハの受け渡し方法および半導体ウェーハの製造方法

Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH10264011A (ja) * 1997-03-24 1998-10-06 Canon Inc 精密研磨装置及び方法
JPH11277404A (ja) * 1998-03-27 1999-10-12 Sumitomo Metal Ind Ltd 研磨方法及び研磨装置
JP2000317827A (ja) * 1999-03-05 2000-11-21 Ebara Corp ポリッシング装置
JP2002025956A (ja) * 2000-07-12 2002-01-25 Ebara Corp 平坦化方法及び平坦化装置
JP3143684U (ja) * 2008-05-22 2008-07-31 哲夫 榊 半導体ウエハの裏面研磨装置

Family Cites Families (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2000127027A (ja) * 1998-10-19 2000-05-09 Tokyo Seimitsu Co Ltd ウェーハ加工装置
JP3048142B2 (ja) * 1998-10-19 2000-06-05 株式会社東京精密 ウェーハ加工装置
JP2008036775A (ja) * 2006-08-07 2008-02-21 Lapmaster Sft Corp 全自動16軸研削研磨装置
JP5583503B2 (ja) * 2010-07-14 2014-09-03 東京エレクトロン株式会社 基板洗浄装置、およびこれを備える塗布現像装置
JP6055648B2 (ja) * 2012-10-26 2016-12-27 株式会社荏原製作所 研磨装置及び研磨方法
JP6213977B2 (ja) * 2013-01-08 2017-10-18 国立研究開発法人産業技術総合研究所 ポリイミド仮固定剤、仮固定剤膜成膜基板の製造方法、二層仮固定剤膜成膜基板の製造方法、半導体複合基板の製造方法及び半導体電子部品の製造方法

Patent Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH10264011A (ja) * 1997-03-24 1998-10-06 Canon Inc 精密研磨装置及び方法
JPH11277404A (ja) * 1998-03-27 1999-10-12 Sumitomo Metal Ind Ltd 研磨方法及び研磨装置
JP2000317827A (ja) * 1999-03-05 2000-11-21 Ebara Corp ポリッシング装置
JP2002025956A (ja) * 2000-07-12 2002-01-25 Ebara Corp 平坦化方法及び平坦化装置
JP3143684U (ja) * 2008-05-22 2008-07-31 哲夫 榊 半導体ウエハの裏面研磨装置

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN111037457A (zh) * 2018-10-11 2020-04-21 株式会社V技术 晶圆的研磨装置及研磨方法

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