JP7192761B2 - 研磨装置への半導体ウェーハの受け渡し方法および半導体ウェーハの製造方法 - Google Patents

研磨装置への半導体ウェーハの受け渡し方法および半導体ウェーハの製造方法 Download PDF

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Description

本発明は、研磨装置への半導体ウェーハの受け渡し方法および半導体ウェーハの製造方法に関する。
従来、半導体デバイスの基板として、シリコンウェーハが広く用いられている。シリコンウェーハは、単結晶シリコンインゴットに対してスライス処理、ラッピング処理、エッチング処理、両面研磨処理、片面研磨処理、洗浄処理などを順次行うことによって製造される。
上記処理のうち、片面研磨処理は、ウェーハ表面の凹凸やうねりを除去して平坦度を高める処理であり、化学機械研磨（Chemical Mechanical Polishing、ＣＭＰ）法による鏡面処理を施す。
上記片面研磨処理は、枚葉式の片面研磨装置を用いて行われる。この片面研磨装置は、研磨布が貼り付けられた回転定盤と、回転定盤上のシリコンウェーハを押圧しながら保持する研磨ヘッドとを備えており、スラリーを供給しながら回転定盤および研磨ヘッドをそれぞれ回転させることによりシリコンウェーハの研磨面を研磨する。
ところで、一般に、両面研磨処理後のシリコンウェーハを片面研磨装置に搬送する際、搬送アームなどの搬送手段によって半導体ウェーハの周縁部を保持して仮受台に一旦載置した後、片面研磨装置の研磨ヘッドにシリコンウェーハを受け渡すことが行われている。
上記仮受台として、例えば特許文献１には、ポリ塩化ビニル（ＰＶＣ）製のスポンジからなる昇降可能に構成された受台を備え、受台を上昇させて半導体ウェーハの研磨面を接触保持して、片面研磨装置の研磨ヘッドに受け渡すものが記載されている。
特開２０１６－１９７６９０号公報
特許文献１に記載された仮受台では、半導体ウェーハの表面（研磨面）にスポンジが接触するため、半導体ウェーハの表面に傷が形成される場合がある。
そこで、本発明の目的は、半導体ウェーハの表面に傷を形成させずに半導体ウェーハを片面研磨装置へ受け渡すことができる方法を提案することにある。
上記課題を解決する本発明は、以下の通りである。
［１］研磨対象の半導体ウェーハを仮受台に載置した後、前記仮受台によって前記半導体ウェーハを片面研磨装置の研磨ヘッドに受け渡す方法において、
前記仮受台は、
前記半導体ウェーハの周縁部を保持する保持部と、
昇降可能に構成された受台であって、該受台の表面に複数の環状の凸部を有し、各凸部の内壁には該内壁に沿って液体を噴射する噴射口が設けられており、前記噴射口から液体を噴射することによって前記半導体ウェーハを非接触で吸着保持する、受台と、
前記半導体ウェーハの外周に配置され、前記受台を上昇させて前記半導体ウェーハを上昇させる際に前記半導体ウェーハを位置決めするガイド部と、
を備えており、
前記噴射口から第１の流量で前記液体の噴射を開始し、次いで前記保持部に半導体ウェーハを載置して前記半導体ウェーハの研磨面を前記受台に非接触で吸着保持した後、前記受台を上昇させて前記半導体ウェーハを前記研磨ヘッドに貼り付ける際に、
前記半導体ウェーハを前記保持部に保持させてから前記半導体ウェーハの前記研磨ヘッドへの貼り付け終了までの時間を５秒以上とすることを特徴とする研磨装置への半導体ウェーハの受け渡し方法。
［２］研磨対象の半導体ウェーハを仮受台に載置した後、前記仮受台によって前記半導体ウェーハを片面研磨装置の研磨ヘッドに受け渡す方法において、
前記仮受台は、
前記半導体ウェーハの周縁部を保持する保持部と、
昇降可能に構成された受台であって、該受台の表面に複数の環状の凸部を有し、各凸部の内壁には該内壁に沿って液体を噴射する噴射口が設けられており、前記噴射口から液体を噴射することによって前記半導体ウェーハを非接触で吸着保持する、受台と、
前記半導体ウェーハの外周に配置され、前記受台を上昇させて前記半導体ウェーハを上昇させる際に前記半導体ウェーハを位置決めするガイド部と、
を備えており、
前記半導体ウェーハの面積に対する前記複数の環状の凸部の面積の割合が１５％以上であり、
前記噴射口から第１の流量で前記液体の噴射を開始し、次いで前記保持部に半導体ウェーハを載置して前記半導体ウェーハの研磨面を前記受台に非接触で吸着保持させた後、前記受台を上昇させて前記半導体ウェーハを前記研磨ヘッドに貼り付けることを特徴とする研磨装置への半導体ウェーハの受け渡し方法。
［３］前記受台を上昇させて前記半導体ウェーハを前記研磨ヘッドに貼り付けるまでの前記液体の流量を前記第１の流量よりも多い第２の流量とする、前記［１］または［２］に記載の研磨装置への半導体ウェーハの受け渡し方法。
［４］前記半導体ウェーハを前記研磨ヘッドに受け渡した後、前記片面研磨装置によって前記半導体ウェーハの研磨面を研磨し、次いで前記半導体ウェーハを前記研磨ヘッドから取り外した後、再度、前記噴射口から前記第１の流量で液体の噴射を開始し、次いで前記保持部に研磨後の前記半導体ウェーハを載置して前記半導体ウェーハの研磨面を前記受台に非接触で吸着保持させた後、前記受台を上昇させて前記半導体ウェーハを前記研磨ヘッドに貼り付ける、前記［１］または［２］に記載の研磨装置への半導体ウェーハの受け渡し方法。
［５］所定の方法によって育成された単結晶インゴットをスライスし、得られた半導体ウェーハに対してラッピング処理、エッチング処理および両面研磨処理を施した後、前記［１］～［４］のいずれか一項に記載の研磨装置への半導体ウェーハの受け渡し方法によって片面研磨装置に前記半導体ウェーハを受け渡し、前記片面研磨処理によって前記半導体ウェーハの表面を研磨することを特徴とする半導体ウェーハの製造方法。
［６］前記半導体ウェーハはシリコンウェーハである、前記［５］に記載の半導体ウェーハの製造方法。
本発明によれば、半導体ウェーハの表面に傷を形成させずに半導体ウェーハを片面研磨装置へ受け渡すことができる。
特許文献１に記載された仮受台を示す図である。 本発明において用いることができる仮受台の一例を示す図である。 複数の環状の凸部が設けられた受皿の一例を示す図である。
（研磨装置への半導体ウェーハの受け渡し方法）
以下、図面を参照して、本発明の実施形態について説明する。図１は、特許文献１に記載された仮受台を示している。図１に示した仮受台１００は、半導体ウェーハＷの周縁部を保持する保持部１１と、ＰＶＣ製のスポンジからなり、昇降可能に構成された受台１２と、半導体ウェーハＷの外周に配置され、受台１２を上昇させて半導体ウェーハＷを上昇させる際に半導体ウェーハＷを位置決めするガイド部１３とを備える。
このような仮受台１００において、半導体ウェーハＷを保持部１１に載置し、昇降機構（図示せず）によって受台１２を上昇させると、受台１２は半導体ウェーハＷの研磨面を接触保持して半導体ウェーハＷを上昇させ、半導体ウェーハＷを片面研磨装置の研磨ヘッドに受け渡す。そのため、半導体ウェーハＷの表面（研磨面）に傷が形成される場合がある。
本発明者は、半導体ウェーハＷの表面を傷つけることなく、半導体ウェーハＷを研磨ヘッドに受け渡すためには、図１に示した仮受台１００のような接触方式のものではなく、非接触方式のものを用いることが最適と考え、ベルヌーイ方式の仮受台を用いることに想到した。
図２は、ベルヌーイ方式の仮受台の一例を示している。なお、図１に示した構成と同じ構成には、同じ符号が付されている。図２に示した仮受台１においては、図３に示すように、受台２２が、その表面に複数の環状の凸部２３を有している。そして、各凸部２３の内壁２３ａには内壁２３ａに沿って液体Ｌを噴射する噴射口２３ｂが設けられており、噴射口２３ｂは、受台２２の内部に配された液体供給配管２４に接続されている。こうした噴射口２３ｂから純水などの液体Ｌを噴射すると、凸部２３の内部で旋回流が生じ、半導体ウェーハＷを非接触で吸着保持することが可能となる。
このような仮受台１において、受台２２の環状凸部２３に設けられた噴射口２３ｂから液体Ｌの噴射を開始し、半導体ウェーハＷを保持部１１に載置すると、昇降機構（図示せず）によって受台２２が半導体ウェーハＷの研磨面を非接触で吸着保持して上昇し、片面研磨装置の研磨ヘッドに受け渡される。こうして、半導体ウェーハＷを研磨ヘッドに受け渡す際に、半導体ウェーハＷの表面に傷が付くのを防止することができる。
ところで、本発明者が、図２に示した仮受台１を用いて半導体ウェーハＷを研磨ヘッドに受け渡す条件について検討する過程で、所定の条件の下で研磨ヘッドに受け渡した半導体ウェーハＷの表面を片面研磨装置を用いて研磨し、洗浄後の検査工程において、表面検査装置により半導体ウェーハＷの表面の品質を評価したところ、輝点欠陥（Light Point Defect、ＬＰＤ）の個数が他の条件で受け渡した半導体ウェーハＷに比べて少ないことが判明した。
具体的には、後述する実施例に示すように、仮受台１において半導体ウェーハＷを保持する時間（以下、「保持時間」とも言う。）が５秒以上である場合、または受台２２の表面に設けられた環状の凸部２３の占有率が１５％以上である場合に、検査工程において計測されたＬＰＤの個数が少ないことが分かった。
上記ＬＰＤの個数が少なかった理由は、ベルヌーイ方式の仮受台１においては、噴射口２３ｂから噴射された液体Ｌの旋回流によって半導体ウェーハＷの研磨面が洗浄されたためと考えられる。このように、本発明者は、図２に示したベルヌーイ方式の仮受台１を用いることによって、半導体ウェーハＷの表面に傷を形成させずに研磨ヘッドに受け渡すだけでなく、半導体ウェーハＷの表面を洗浄してＬＰＤの個数も低減できることを見出し、本発明を完成させたのである。
なお、上記「保持時間」は、受皿２２の表面に設けられた環状の凸部２３の噴射口２３ｂから液体Ｌを所定の流量（第１の流量）で噴射した状態で、半導体ウェーハＷを保持部１１に載置した時点から、受皿２２により半導体ウェーハＷを非接触で吸着保持した状態で研磨ヘッドに受け渡し、受皿を下降または流体Ｌの噴射を停止するまでの時間を意味している。
また、「環状の凸部の占有率」とは、半導体ウェーハＷの面積に対する複数の環状の凸部２３の合計面積の割合（パーセント）を意味しており、環状の凸部２３の面積は、凸部２３の内径部分の面積である。
なお、受台２２を上昇させて半導体ウェーハＷを研磨ヘッドに貼り付けるまでの液体Ｌの流量（第２の流量）を第１の流量よりも多くすることが好ましい。これにより、後述する実施例に示すように、半導体ウェーハＷの表面の洗浄効果を高めることができる。
また、半導体ウェーハＷの研磨面の洗浄効果を高めるために、仮受台１によって半導体ウェーハＷを研磨ヘッドに受け渡し、受台２２を下降させた後、片面研磨装置によって半導体ウェーハＷの表面を研磨し、次いで半導体ウェーハＷを研磨ヘッドから取り外した後、再度、噴射口２３ｂから第１の流量で液体Ｌの噴射を開始し、次いで保持部１１に研磨後の半導体ウェーハＷを載置して半導体ウェーハＷの研磨面を受台２２に非接触で吸着保持させた後、受台２２を上昇させて半導体ウェーハＷを研磨ヘッドに貼り付けてもよい。
こうして、本発明により、半導体ウェーハＷの研磨面に傷を付けるのを防止するとともに半導体ウェーハＷの研磨面を洗浄しながら、半導体ウェーハＷを研磨ヘッドに受け渡すことができる。
（半導体ウェーハの製造方法）
本発明による半導体ウェーハの製造方法は、所定の方法によって育成された単結晶シリコンインゴットをスライスし、得られた半導体ウェーハに対してラッピング処理、エッチング処理および両面研磨処理を施した後、上述した本発明による研磨装置への半導体ウェーハの受け渡し方法によって片面研磨装置に半導体ウェーハを受け渡し、片面研磨処理によって半導体ウェーハの表面を研磨することを特徴とする。
上述のように、本発明による研磨装置への半導体ウェーハの受け渡し方法によって、半導体ウェーハＷの研磨面に傷を付けるのを防止するとともに半導体ウェーハＷの研磨面を洗浄しながら、半導体ウェーハＷを研磨ヘッドに受け渡すことができる。これにより、ＬＰＤの個数が少ないシリコンウェーハを製造することができる。
上記半導体ウェーハは、特に限定されないが、ＬＰＤの個数が少ないシリコンウェーハを好適に製造することができる。
以下、本発明の実施例について説明するが、本発明は実施例に限定されない。
（発明例１）
表面に内径が３０ｍｍの環状の凸部が５個設けられた受台（占有率５％）を用意し、図２に示した仮受台１に配置した。次いで、環状の凸部２３の内壁２３ａに設けられた噴射口２３ｂから純水を流量１Ｌ／分で供給し、直径３００ｍｍのシリコンウェーハを保持部１１に載置した。続いて、受台２２によってシリコンウェーハの表面を非接触で吸着保持した状態で受台２２を上昇させ、シリコンウェーハを研磨ヘッドに受け渡した。その際、シリコンウェーハの保持時間は２秒とした。シリコンウェーハの受け渡し条件を表１に示す。
Figure 0007192761000001
（発明例２）
発明例１と同様に、シリコンウェーハを研磨ヘッドに受け渡した。ただし、受台２２に設けた環状凸部２３の個数を１５個とした（占有率１５％）。その他の条件は、発明例１と全て同じである。シリコンウェーハの受け渡し条件を表１に示す。
（発明例３）
発明例１と同様に、シリコンウェーハを研磨ヘッドに受け渡した。ただし、受台２２に設けた環状凸部２３の個数を２８個とした（占有率２８％）。その他の条件は、発明例１と全て同じである。シリコンウェーハの受け渡し条件を表１に示す。
（発明例４）
発明例１と同様に、シリコンウェーハを研磨ヘッドに受け渡した。ただし、受台２２に設けた環状凸部２３の個数を６５個とした（占有率６５％）。その他の条件は、発明例１と全て同じである。シリコンウェーハの受け渡し条件を表１に示す。
（発明例５）
発明例１と同様に、シリコンウェーハを研磨ヘッドに受け渡した。ただし、シリコンウェーハの保持時間を５秒とした。その他の条件は、発明例１と全て同じである。シリコンウェーハの受け渡し条件を表１に示す。
（発明例６）
発明例１と同様に、シリコンウェーハを研磨ヘッドに受け渡した。ただし、シリコンウェーハの保持時間を１０秒とした。その他の条件は、発明例１と全て同じである。シリコンウェーハの受け渡し条件を表１に示す。
（発明例７）
発明例１と同様に、シリコンウェーハを研磨ヘッドに受け渡した。ただし、シリコンウェーハの保持時間を６０秒とした。その他の条件は、発明例１と全て同じである。シリコンウェーハの受け渡し条件を表１に示す。
（発明例８）
発明例１と同様に、シリコンウェーハを研磨ヘッドに受け渡した。ただし、受台２２の上昇を開始してからシリコンウェーハを研磨ヘッドに受け渡すまでの間、純水の流量を２Ｌ／分に変更した。その他の条件は、発明例１と全て同じである。シリコンウェーハの受け渡し条件を表１に示す。
（発明例９）
発明例１と同様に、シリコンウェーハを研磨ヘッドに受け渡した。ただし、シリコンウェーハを研磨ヘッドに受け渡した後に、片面研磨装置によってシリコンウェーハの研磨面を研磨し、次いでシリコンウェーハを研磨ヘッドから取り外した後、再度、噴射口２３ｂから流量１Ｌ／分で純水の噴射を開始し、次いで保持部１１に研磨後のシリコンウェーハを載置してシリコンウェーハの研磨面を受台に非接触で吸着保持させた後、受台２２を上昇させてシリコンウェーハを研磨ヘッドに貼り付けた。その他の条件は、発明例１と全て同じである。シリコンウェーハの受け渡し条件を表１に示す。
（発明例１０）
発明例１と同様に、シリコンウェーハを研磨ヘッドに受け渡した。ただし、受台２２に設けた環状凸部２３の内径を８０ｍｍとし、個数を１個とした（占有率７．１％）。その他の条件は、発明例１と全て同じである。シリコンウェーハの受け渡し条件を表１に示す。
（発明例１１）
発明例１と同様に、シリコンウェーハを研磨ヘッドに受け渡した。ただし、受台２２に設けた環状凸部２３の内径を８０ｍｍとし、個数を２個とした（占有率１４．２％）。その他の条件は、発明例１と全て同じである。シリコンウェーハの受け渡し条件を表１に示す。
（発明例１２）
発明例１と同様に、シリコンウェーハを研磨ヘッドに受け渡した。ただし、受台２２に設けた環状凸部２３の内径を８０ｍｍとし、個数を４個とした（占有率２８．４％）。その他の条件は、発明例１と全て同じである。シリコンウェーハの受け渡し条件を表１に示す。
（発明例１３）
発明例１と同様に、シリコンウェーハを研磨ヘッドに受け渡した。ただし、受台２２に設けた環状凸部２３の内径を８０ｍｍとし、個数を５個とした（占有率３５．６％）。その他の条件は、発明例１と全て同じである。シリコンウェーハの受け渡し条件を表１に示す。
（発明例１４）
発明例１と同様に、シリコンウェーハを研磨ヘッドに受け渡した。ただし、受台２２に設けた環状凸部２３の内径を８０ｍｍとし、個数を９個とした（占有率６４％）。その他の条件は、発明例１と全て同じである。シリコンウェーハの受け渡し条件を表１に示す。
（発明例１５）
発明例１と同様に、シリコンウェーハを研磨ヘッドに受け渡した。ただし、受台２２に設けた環状凸部２３の内径を１２０ｍｍとし、個数を１個とした（占有率１６％）。その他の条件は、発明例１と全て同じである。シリコンウェーハの受け渡し条件を表１に示す。
（発明例１６）
発明例１と同様に、シリコンウェーハを研磨ヘッドに受け渡した。ただし、受台２２に設けた環状凸部２３の内径を１２０ｍｍとし、個数を２個とした（占有率３２％）。その他の条件は、発明例１と全て同じである。シリコンウェーハの受け渡し条件を表１に示す。
（発明例１７）
発明例１と同様に、シリコンウェーハを研磨ヘッドに受け渡した。ただし、受台２２に設けた環状凸部２３の内径を１２０ｍｍとし、個数を４個とした（占有率６４％）。その他の条件は、発明例１と全て同じである。シリコンウェーハの受け渡し条件を表１に示す。
上記発明例１～１７について、研磨ヘッドに受け渡したシリコンウェーハについて、片面研磨装置により片面研磨処理を施し、次いでシリコンウェーハを洗浄した後、表面検査装置（KLA Tencor社製、Surfscan SP5）を用いて、ＬＰＤの個数を計測した。その際、測定モードはＤＣＯ（Darkfield Composite Oblique）モードとし、１９ｎｍ以上のＬＰＤの個数を計測した。得られた結果を表１に示す。なお、表１において、ＬＰＤの個数が２５個以下の場合には、ＬＰＤの個数がほぼ収束しており、良品と判定することができ、２５個を超える場合には、付着物が存在すると判断して不良品と判定することができる。
発明例１～４を比較すると、環状凹部２３の個数が増えて占有率が増えると、ＬＰＤの個数が低減されることが分かる。ただし、占有率が１５％以上であれば、ＬＰＤの個数はほぼ同じであることも分かる。これらの結果は、環状凸部２３の内径を変更した発明例１０～１４、発明例１５～１７についても同様であった。
また、発明例１、発明例５～７を比較すると、シリコンウェーハの保持時間が増加すると、ＬＰＤの個数が低減されることが分かる。ただし、保持時間が５秒以上であれば、ＬＰＤの個数はほぼ同じであることも分かる。
さらに、発明例１と発明例８とを比較すると、受台２２を上昇させてシリコンウェーハを研磨ヘッドに受け渡すまでの間に純水の流量を増加させることにより、ＬＰＤの個数が低減されることが分かる。また、発明例１と発明例９とを比較すると、シリコンウェーハの研磨ヘッドへの受け渡しを繰り返すことによっても、ＬＰＤの個数が低減されることが分かる。
本発明によれば、半導体ウェーハの表面に傷を形成させずに半導体ウェーハを片面研磨装置へ受け渡すことができるため、半導体ウェーハ製造業に有用である。
１，１００ 仮受台
１１ 保持部
１２，２２ 受台
１３ ガイド部
２３ 環状の凸部
２３ａ 内壁
２３ｂ 噴射口
２４ 液体供給配管
Ｌ 液体
Ｗ 半導体ウェーハ

Claims (6)

  1. 研磨対象の半導体ウェーハを仮受台に載置した後、前記仮受台によって前記半導体ウェーハを片面研磨装置の研磨ヘッドに受け渡す方法において、
    前記仮受台は、
    前記半導体ウェーハの周縁部を保持する保持部と、
    昇降可能に構成された受台であって、該受台の表面に複数の環状の凸部を有し、各凸部の内壁には該内壁に沿って液体を噴射する噴射口が設けられており、前記噴射口から液体を噴射することによって前記半導体ウェーハを非接触で吸着保持する、受台と、
    前記半導体ウェーハの外周に配置され、前記受台を上昇させて前記半導体ウェーハを上昇させる際に前記半導体ウェーハを位置決めするガイド部と、
    を備えており、
    前記噴射口から第１の流量で前記液体の噴射を開始し、次いで前記保持部に半導体ウェーハを載置して前記半導体ウェーハの研磨面を前記受台に非接触で吸着保持した後、前記受台を上昇させて前記半導体ウェーハを前記研磨ヘッドに貼り付ける際に、
    前記半導体ウェーハを前記保持部に保持させてから前記半導体ウェーハの前記研磨ヘッドへの貼り付け終了までの時間を５秒以上とすることを特徴とする研磨装置への半導体ウェーハの受け渡し方法。
  2. 研磨対象の半導体ウェーハを仮受台に載置した後、前記仮受台によって前記半導体ウェーハを片面研磨装置の研磨ヘッドに受け渡す方法において、
    前記仮受台は、
    前記半導体ウェーハの周縁部を保持する保持部と、
    昇降可能に構成された受台であって、該受台の表面に複数の環状の凸部を有し、各凸部の内壁には該内壁に沿って液体を噴射する噴射口が設けられており、前記噴射口から液体を噴射することによって前記半導体ウェーハを非接触で吸着保持する、受台と、
    前記半導体ウェーハの外周に配置され、前記受台を上昇させて前記半導体ウェーハを上昇させる際に前記半導体ウェーハを位置決めするガイド部と、
    を備えており、
    前記半導体ウェーハの面積に対する前記複数の環状の凸部の面積の割合が１５％以上であり、
    前記噴射口から第１の流量で前記液体の噴射を開始し、次いで前記保持部に半導体ウェーハを載置して前記半導体ウェーハの研磨面を前記受台に非接触で吸着保持させた後、前記受台を上昇させて前記半導体ウェーハを前記研磨ヘッドに貼り付けることを特徴とする研磨装置への半導体ウェーハの受け渡し方法。
  3. 前記受台を上昇させて前記半導体ウェーハを前記研磨ヘッドに貼り付けるまでの前記液体の流量を前記第１の流量よりも多い第２の流量とする、請求項１または２に記載の研磨装置への半導体ウェーハの受け渡し方法。
  4. 前記半導体ウェーハを前記研磨ヘッドに受け渡した後、前記片面研磨装置によって前記半導体ウェーハの研磨面を研磨し、次いで前記半導体ウェーハを前記研磨ヘッドから取り外した後、再度、前記噴射口から前記第１の流量で液体の噴射を開始し、次いで前記保持部に研磨後の前記半導体ウェーハを載置して前記半導体ウェーハの研磨面を前記受台に非接触で吸着保持させた後、前記受台を上昇させて前記半導体ウェーハを前記研磨ヘッドに貼り付ける、請求項１または２に記載の研磨装置への半導体ウェーハの受け渡し方法。
  5. 所定の方法によって育成された単結晶インゴットをスライスし、得られた半導体ウェーハに対してラッピング処理、エッチング処理および両面研磨処理を施した後、請求項１～４のいずれか一項に記載の研磨装置への半導体ウェーハの受け渡し方法によって片面研磨装置に前記半導体ウェーハを受け渡し、前記片面研磨装置によって前記半導体ウェーハの表面を研磨することを特徴とする半導体ウェーハの製造方法。
  6. 前記半導体ウェーハはシリコンウェーハである、請求項５に記載の半導体ウェーハの製造方法。
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