JPH05102114A - 半導体ウエハの仮置台 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 （修正有） 【目的】 平面自動研削加工前の半導体ウエハの下面を
水流によって洗浄すると同時に位置合わせをする仮置台
の改良。 【構成】 給水管１へ基盤２を嵌着させ、基盤へは円盤
部２ｂと外縁部２ｃと内環状２ｄリブと段部２ｌと内室
底部２ｆとを形成すると共に、内部を貯溜室とする水量
制御盤へは複数の流通孔３ｂと側壁３ｃと円形天板部３
ｄとを形成し、円形天板部と内環状リブとの間に環状間
隙を設け、外側環状部材５へは外環状リブ５ａと環状リ
ブの任意の直径で切断される半円周側の頂部へ複数のス
トッパー５ｂとテーパー部５ｃと平坦環状部５ｄを形成
させて、外径が相違する複数の外側環状部材を基盤の外
縁部へ着脱自在に嵌着させる。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】本発明は平面自動研削盤等の半導
体ウエハを研削加工するチャック機構の上面へ移送する
前段階での仮置台であって、詳しくは研削加工前の半導
体ウエハの下面を水流によって洗浄すると同時に位置合
わせをする仮置台に関するものである。

【０００２】

【従来技術とその問題点】近年、この種の半導体ウエハ
は製品の歩留まりの関係から、仕上面の高精度化に加え
て、極薄化、拡径化が要求されており、其れに伴って半
導体ウエハを研削加工する平面研削盤も仕上面の高精度
化、極薄化、拡径化に対応できる機構が求められてお
り、そのため対応が急務である。

【０００３】この種の平面自動研削盤は、半導体ウエハ
をバキューム吸着する機能を有したチャック機構の平坦
面へ吸着させ、上方から先端に研削砥石を備えたスピン
ドル軸を降下させて研削加工を施し、研削加工後はエア
を逆送してバキューム吸着を開放し、吸着パットを先端
に備えた移送アームで吸着させて搬送し洗浄、格納して
いるものであり、研削加工時の半導体ウエハの位置合わ
せは、チャック機構上で行うか、或いは、チャック機構
へ移送する前段階での仮置台で行なっているものであ
る。

【０００４】然し乍ら、平坦なチャック機構上で位置合
わせを行う場合には、チャック機構の上面の全面へ涌水
で適宜な水層を形成し、該水層の表面張力によって中心
位置へセンタリングをしていたが、適宜な水層を形成す
るために水量を絶えず管理しなければならず、その上、
水層を形成してセンタリングを行いバキューム吸着させ
るのに時間の係る工程と成っていた。

【０００５】又、仮置台で位置合わせをする場合には、
円盤状の基体の外周縁へ縁部を有したもので、予め、周
縁部の内周壁上方へテーパーを形成させる等の位置合わ
せガイドを設けて、該ガイドに沿って位置合わせを行な
い、移送アームの先端に備えた吸着パットで吸着させる
と共に基体の底面の下方から水を給水して、半導体ウエ
ハの下面を洗浄させ乍ら浮上させると共に移送アームを
上昇させて、半導体ウエハを基体の上面より上方へ剥が
して、移送アームの正確に設定された移送工程によっ
て、半導体ウエハを正確にチャック機構の上面の中心へ
移送するものであったが、昨今要求されている極薄化、
拡径化される半導体ウエハでは基体に滞留させた液体特
性による吸着作用によって、半導体ウエハを損傷する事
故が頻繁に発生してしまう等の問題があった。

【０００６】又、サイズの異なる半導体ウエハを研削加
工する場合、外径が４インチの半導体ウエハには４イン
チ用の仮置台を用い、５インチの場合では５インチ用の
仮置台を、又、８インチの場合では８インチ用の仮置台
をと、その都度、半導体ウエハの外径のサイズに合わせ
て仮置台を交換しなければより確実に位置合わせと洗浄
ができる仮置台はなかった。

【０００７】

【発明の目的】本発明は上記の事由に鑑みて鋭意研鑽の
結果、研削加工する半導体ウエハの外径が異なっても、
仮置台の基盤を交換することなく外側環状部材を着脱自
在としたことによって、該外側環状部材のみを交換する
ことよって直ぐに対処でき、拡径化、極薄化する半導体
ウエハにも対応できる仮置台を創作し、これを供せんと
するものである。

【０００８】

【発明の構成】本発明の構成は、半導体ウエハを研削す
る研削盤の仮置台において、研削盤へ立設させた給水管
へ膨出部を設け、膨出部へ基盤を嵌着させ、基盤へは円
盤部を形成し、基盤へは外縁部を形成し、外縁部の内側
へは内環状リブを立設し、内環状リブの内側へは段部を
形成し、段部の内側へは内室底部を形成すると共に、内
部を貯溜室とする水量制御盤へは複数の流通孔を穿設し
た側壁と円形天板部とを形成し、円形天板部と内環状リ
ブとの間に環状間隙を設けると共に円形天板部は内環状
リブの頂部より下方へ位置させ、外側環状部材は外環状
リブを外縁に立設し、外環状リブの任意の直径で切断さ
れる半円周側の頂部へ複数のストッパーを延設すると共
にストッパーの間へはテーパー部を形成し、外環状部材
へは平坦環状部を形成させて、外径が相違する複数の外
側環状部材を基盤の外縁部へ着脱自在に嵌着させた構成
である。

【０００９】

【発明の実施例】斯る目的を達成した本発明の平面自動
研削盤の半導体ウエハの仮置台における位置合わせ及び
洗浄機構を実施例の図面をよって説明する。

【００１０】図１は本発明の実施例による平面自動研削
盤の仮置台の斜視図であり、図２は説明のための断面概
要断面図である。

【００１１】本発明は平面自動研削盤等の半導体ウエハ
Ｗを研削加工するチャック機構の上面へ移送する前段階
での仮置台であって、研削加工前の半導体ウエハＷの下
面を水流によって洗浄すると同時に位置合わせをする仮
置台に関するものであり、半導体ウエハＷの上面を研削
する研削盤のチャック機構に移送する前に半導体ウエハ
Ｗの下面を洗浄させると共に待機させるための仮置台に
おいて、前記研削盤の基台へ立設させた給水管１の上方
辺へ膨出する膨出部１ａを設け、該膨出部１ａへ合致す
る内径の貫通部２ａを有した基盤２を嵌着させ、該基盤
２へはフランジ状に拡径する円盤部２ｂを形成し、該基
盤２の上面外縁へは外側環状部材５を嵌着させる若干巾
の外縁部２ｃを形成し、該外縁部２ｃの内側へは内環状
リブ２ｄを立設し、該内環状リブ２ｄの内側へは段部２
ｅを形成し、該段部２ｅの内側へは水量制御盤３を嵌置
させる内室底部２ｆを前記給水管１の先端と連通させて
形成すると共に、内部を貯溜室３ａとする前記水量制御
盤３へは前記内室底部２ｆに嵌置させる複数の流通孔３
ｂを穿設した短管状の側壁３ｃと該側壁３ｃの上端を閉
蓋する円形天板部３ｄとを形成し、該円形天板部３ｄと
前記内環状リブ２ｄの内壁との間に環状隙間４を設ける
と共に前記円形天板部３ｄは前記内環状リブ２ｄの頂部
より下方へ位置させ、前記基盤２の外縁部２ｃへ嵌着さ
せる外側環状部材５は内環状リブ２ｄと同高の外環状リ
ブ５ａを外縁に立設し、該外環状リブ５ａの任意の直径
で切断される半円周側の頂部へ複数のストッパー５ｂを
延設すると共に夫々のストッパー５ｂの間の外環状リブ
５ａの頂部へは外方向に下がるテーパー部５ｃを形成
し、該外側環状部材５の内側へは若干巾の平坦環状部５
ｄを形成させて、夫々外径が相違する複数の外側環状部
材５を前記基盤２の外縁部２ｃへ着脱自在に嵌着させた
ものである。

【００１２】即ち、本発明は半導体ウエハＷを研削加工
する平面自動研削盤等のテーブルに配設されたチャック
機構の上面の中心位置へ正確に移送するために、予め、
位置合わせをすると共に、研削加工前の半導体ウエハＷ
の下面を水流によって洗浄し、加えて、一時的に待機さ
せるための仮置台に関するものである。

【００１３】前記平面自動研削盤等のテーブルの近傍の
基台から仮置台の上面へ給水するための給水管１の上方
辺を膨出させた膨出部１ａを形成し、該膨出部１ａと合
致する内径状を形成した当該仮置台の基盤２を装着する
ものである。

【００１４】前記基盤２は中心へ貫通部２ａを備えフラ
ンジ状に拡径する円盤部２ｂと、該貫通部２ａを形成す
る下方へ延設された短管部と、上面へは後述する水量制
御盤３を嵌置させる内室底部２ｆと、該内室底部２ｆの
外周の後述する環状隙間４の底面となる段部２ｅと、該
段部２ｅの外周に立設させた内環状リブ２ｄと、該内環
状リブ２ｄの外周の後述する外側環状部材５を嵌着させ
るための若干巾の外縁部２ｃとから成るものである。

【００１５】そして、前記基盤２の内室底部２ｆへ嵌置
させる水量制御盤３は円形天板部３ｄと、該円形天板部
３ｄの下方に延設した短管状の側壁３ｃと、該側壁３ｃ
へ放射状に穿設した複数の流通孔３ｂと、前記円形天板
部３ｄと側壁３ｃとに囲まれた貯溜室３ａとから成り、
該貯溜室３ａの下方は給水管１と連通状態と成っている
ものである。

【００１６】次いで、前記基盤２の若干巾の外縁部２ｃ
へ嵌着させる外側環状部材５は該外縁部２ｃと合着する
環状底面と、上面は外側にフランジ状に拡がる若干巾の
平坦環状部５ｄと、該平坦環状部５ｄの外周へ形成した
外環状リブ５ａと、該外環状リブ５ａの頂部へ延設した
複数のストッパー５ｂと、該夫々のスットパーの間の外
環状リブ５ａの頂部へ形成した外方向に下がるテーパー
部５ｃとから成るものである。

【００１７】本発明は、前述の夫々の構成から成るもの
であり、前記給水管１の先端の膨出部１ａへ基盤２をＯ
リングを介設して貫通部２ａと合着嵌着させると、給水
管１の先端と基盤２の円盤部２ｂの上面の内室底部２ｆ
は同一平面と成るものであり、該内室底部２ｆへは水量
制御盤３の側壁３ｃを下方にして嵌置させると、基盤２
へ形成した内環状リブ２ｄと水量制御盤３の円形天板部
３ｄと間に環状隙間４が形成されるものである。

【００１８】更に、基盤２の外縁部２ｃに着脱自在な外
側環状部材５を嵌着するものであり、基盤２へ形成した
内環状リブ２ｄの頂部と外側環状部材５へ形成した外環
状リブ５ａの頂部とは同高とさせるものであり、内環状
リブ２ｄと外環状リブ５ａとに囲まれた平坦環状部５ｄ
は断面凹状に成るものである。

【００１９】前記給水管１から水が給水されると、先
ず、基盤２の内室底部２ｆと水量制御盤３の貯溜室３ａ
へ貯溜され、貯溜された水は水量制御盤３の側壁３ｃの
流通孔３ｂを通水して内環状リブ２ｄと円形天板部３ｄ
との間の環状隙間４から溢流すると共に、水量制御盤３
の円形天板部３ｄを上面へ流れ、更に、給水を続けると
内環状リブ２ｄの頂部を超えて外側環状部材５の外環状
リブ５ａと内環状リブ２ｄとの間の平坦環状部５ｄに流
水するものであり、そして、外環状リブ５ａの頂部に形
成した複数のストッパー５ｂの間の外方に下がるテーパ
ー部５ｃから下方へ流れ落ちるものである。

【００２０】本発明の当該仮置台は絶えず水を供給して
ストッパー５ｂの方向へ流しており、水量制御盤３は給
水管１からの水の水圧が半導体ウエハＷの中心近傍のみ
に集中させないようにするものであり、該仮置台の上面
に半導体ウエハＷを乗載した場合も流水によってストッ
パー５ｂの方向に絶えず流されるものであり、ストッパ
ー５ｂは外環状リブ５ａの任意の直径で切断される半円
周側へ形成されたもので、ストッパー５ｂによって位置
合わせされると同時に半導体ウエハＷの下面も洗浄され
るものであり、半導体ウエハＷのサイズが変わっても外
径のサイズの相違する、つまり、外環状リブ５ａ及びス
トッパー５ｂのサイズの相違する外側環状部材５を取り
替えるのみで簡易に行えるものである。

【００２１】そして、位置合わせ及び洗浄された後に半
導体ウエハＷを取り外す場合、昨今要求される拡径化、
極薄化された半導体ウエハＷは水による吸着作用を受け
易く、ストッパー５ｂは外環状リブ５ａの任意の直径で
切断される半円周側のみへ形成されているので、ストッ
パー５ｂが形成されない側の半円周側へ水平方向へスラ
イドさせて取り外すものであって、拡径化、極薄化され
た半導体ウエハＷも破壊させることなく取り外せるもの
である。

【００２２】

【発明の効果】以上の如く、本発明は極薄化、拡径化す
る半導体ウエハであっても何等水の吸着作用の影響を受
けることなく取外しができるだけでなく、外径の異なる
半導体ウエハにあっても仮置台本体を交換することなく
外環状部材を取り替えるだけで対応できるものであり、
加えて、位置合わせが適確に行われ、水量を増加させる
ことによってより迅速に位置合わせすることができ、そ
の貢献性計り知れないものが有り、極めて有意義な効果
を有した発明である。

【００２３】

【図面の簡単な説明】

【図１】図１は本発明の実施例による平面自動研削盤の
仮置台の斜視図である。

【図２】図２は説明のための断面概要断面図である。

【００２４】

【符号の説明】

Ｗ 半導体ウエハ １ 給水管 １ａ 膨出部 ２ 基盤 ２ａ 貫通部 ２ｂ 円盤部 ２ｃ 外縁部 ２ｄ 内環状リブ ２ｅ 段部 ２ｆ 内室底部 ３ 水量制御盤 ３ａ 貯溜室 ３ｂ 流通孔 ３ｃ 側壁 ３ｄ 円形天板部 ４ 環状隙間 ５ 外側環状部材 ５ａ 外環状リブ ５ｂ ストッパー ５ｃ テーパー部 ５ｄ 平坦環状部

Claims (1)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】半導体ウエハの上面を研削する研削盤のチ
   ャック機構に移送する前に半導体ウエハの下面を洗浄さ
   せると共に待機させるための仮置台において、 前記研削盤の基台へ立設させた給水管の上方辺へ膨出す
   る膨出部を設け、該膨出部へ合致する内径の貫通部を有
   した基盤を嵌着させ、該基盤へはフランジ状に拡径する
   円盤部を形成し、該基盤の上面外縁へは外側環状部材を
   嵌着させる若干巾の外縁部を形成し、該外縁部の内側へ
   は内環状リブを立設し、該内環状リブの内側へは段部を
   形成し、該段部の内側へは水量制御盤を嵌置させる内室
   底部を前記給水管の先端と連通させて形成すると共に、
   内部を貯溜室とする前記水量制御盤へは前記内室底部に
   嵌置させる複数の流通孔を穿設した短管状の側壁と該側
   壁の上端を閉蓋する円形天板部とを形成し、該円形天板
   部と前記内環状リブの内壁との間に環状間隙を設けると
   共に前記円形天板部は前記内環状リブの頂部より下方へ
   位置させ、前記基盤の外縁部へ嵌着させる外側環状部材
   は内環状リブと同高の外環状リブを外縁に立設し、該外
   環状リブの任意の直径で切断される半円周側の頂部へ複
   数のストッパーを延設すると共に夫々のストッパーの間
   の外環状リブの頂部へは外方向に下がるテーパー部を形
   成し、該外環状部材の内側へは若干巾の平坦環状部を形
   成させて、夫々外径が相違する複数の外側環状部材を前
   記基盤の外縁部へ着脱自在に嵌着させたことを特徴とす
   る半導体ウエハの仮置台。