JPH10324865A - 研磨剤生成方法及び研磨方法 - Google Patents
研磨剤生成方法及び研磨方法Info
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- JPH10324865A JPH10324865A JP15025597A JP15025597A JPH10324865A JP H10324865 A JPH10324865 A JP H10324865A JP 15025597 A JP15025597 A JP 15025597A JP 15025597 A JP15025597 A JP 15025597A JP H10324865 A JPH10324865 A JP H10324865A
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- polishing
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- Finish Polishing, Edge Sharpening, And Grinding By Specific Grinding Devices (AREA)
- Cleaning And De-Greasing Of Metallic Materials By Chemical Methods (AREA)
- Mechanical Treatment Of Semiconductor (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 半導体ウェハの研磨等に用いるに好適な所望
のpHの研磨剤を低コストで生成する。 【解決手段】 研磨剤生成装置10は、電解槽12及び
混合槽20を備えている。電解槽12では、水を電気分
解することにより陽極16a側に酸性イオン水Waを生
成すると共に陰極16k側にアルカリ性イオン水Wkを
生成する。混合槽20では、シリカ等の砥粒に所望のp
Hのアルカリ性イオン水Wkを混合して研磨剤を生成す
る。他の研磨剤生成方法としては、高濃度の研磨剤を所
望のpHのアルカリ性イオン水Wkで希釈して低濃度の
研磨剤を生成してもよい。研磨装置30では、生成され
た研磨剤を用いて半導体ウェハを化学機械研磨する。研
磨廃液を廃液槽50に供給して電解槽12からの酸性イ
オン水で中和する。
のpHの研磨剤を低コストで生成する。 【解決手段】 研磨剤生成装置10は、電解槽12及び
混合槽20を備えている。電解槽12では、水を電気分
解することにより陽極16a側に酸性イオン水Waを生
成すると共に陰極16k側にアルカリ性イオン水Wkを
生成する。混合槽20では、シリカ等の砥粒に所望のp
Hのアルカリ性イオン水Wkを混合して研磨剤を生成す
る。他の研磨剤生成方法としては、高濃度の研磨剤を所
望のpHのアルカリ性イオン水Wkで希釈して低濃度の
研磨剤を生成してもよい。研磨装置30では、生成され
た研磨剤を用いて半導体ウェハを化学機械研磨する。研
磨廃液を廃液槽50に供給して電解槽12からの酸性イ
オン水で中和する。
Description
【0001】
【発明の属する技術分野】この発明は、半導体ウェハの
研磨等に用いるに好適な所望の水素指数(以下pHと略
記する)の研磨剤を生成する方法及び該研磨剤を用いる
研磨方法に関し、特に研磨砥粒の溶媒又は研磨剤の希釈
液として電解イオン水を用いたことにより低コストで所
望のpHの研磨剤が得られるようにしたものである。
研磨等に用いるに好適な所望の水素指数(以下pHと略
記する)の研磨剤を生成する方法及び該研磨剤を用いる
研磨方法に関し、特に研磨砥粒の溶媒又は研磨剤の希釈
液として電解イオン水を用いたことにより低コストで所
望のpHの研磨剤が得られるようにしたものである。
【0002】
【従来の技術】従来、シリコンウェハ等の半導体ウェハ
を研磨するために用いられる研磨剤としては、シリカ等
の研磨砥粒を水等の溶媒中に分散させると共にKOH等
のpH調整液を加えてpHを10より大きくした(例え
ば11とした)研磨剤が知られている(例えば、特公平
5−15302号公報参照)。
を研磨するために用いられる研磨剤としては、シリカ等
の研磨砥粒を水等の溶媒中に分散させると共にKOH等
のpH調整液を加えてpHを10より大きくした(例え
ば11とした)研磨剤が知られている(例えば、特公平
5−15302号公報参照)。
【0003】
【発明が解決しようとする課題】上記した研磨剤による
と、pHを調整するためにKOH、NH4 OH等の薬液
が必要であり、コストが高くなるという問題点がある。
と、pHを調整するためにKOH、NH4 OH等の薬液
が必要であり、コストが高くなるという問題点がある。
【0004】その上、半導体デバイスに悪影響を与える
不純物(例えばKイオン)を含むこと、NH4 OHにつ
いては臭気があり、排気設備が必要で扱いにくいこと、
研磨廃液の処理が複雑で高価になるなどの問題点もあ
る。
不純物(例えばKイオン)を含むこと、NH4 OHにつ
いては臭気があり、排気設備が必要で扱いにくいこと、
研磨廃液の処理が複雑で高価になるなどの問題点もあ
る。
【0005】この発明の目的は、所望のpHの研磨剤を
低コストで生成することができる新規な研磨剤生成方法
を提供することにある。
低コストで生成することができる新規な研磨剤生成方法
を提供することにある。
【0006】この発明の他の目的は、生成した研磨剤を
用いて安定した研磨をなしうる新規な研磨方法を提供す
ることにある。
用いて安定した研磨をなしうる新規な研磨方法を提供す
ることにある。
【0007】
【課題を解決するための手段】この発明に係る第1の研
磨剤生成方法は、水を電気分解して所望のpHのイオン
水を生成する工程と、研磨砥粒に前記イオン水を溶媒と
して混合してその混合物を含む研磨剤を生成する工程と
を含むものである。
磨剤生成方法は、水を電気分解して所望のpHのイオン
水を生成する工程と、研磨砥粒に前記イオン水を溶媒と
して混合してその混合物を含む研磨剤を生成する工程と
を含むものである。
【0008】また、この発明に係る第2の研磨剤生成方
法は、水を電気分解して所望のpHのイオン水を生成す
る工程と、所定濃度の第1の研磨剤を前記イオン水で希
釈して該第1の研磨剤より低濃度の第2の研磨剤を生成
する工程とを含むものである。
法は、水を電気分解して所望のpHのイオン水を生成す
る工程と、所定濃度の第1の研磨剤を前記イオン水で希
釈して該第1の研磨剤より低濃度の第2の研磨剤を生成
する工程とを含むものである。
【0009】上記した第1又は第2の研磨剤生成方法に
よれば、研磨砥粒の溶媒又は研磨剤の希釈液として所望
のpHの電解イオン水を用いるようにしたので、KO
H、NH4 OH等のpH調整液を用いることなく所望の
pHの研磨剤を生成することができる。例えば、研磨砥
粒としてシリカ粒子を含む研磨剤を生成する場合、シリ
カ粒子は、中性の水の中では凝集し、pH10あたりで
分散し、安定するので、pH10程度のアルカリ性イオ
ン水を用いればよい。
よれば、研磨砥粒の溶媒又は研磨剤の希釈液として所望
のpHの電解イオン水を用いるようにしたので、KO
H、NH4 OH等のpH調整液を用いることなく所望の
pHの研磨剤を生成することができる。例えば、研磨砥
粒としてシリカ粒子を含む研磨剤を生成する場合、シリ
カ粒子は、中性の水の中では凝集し、pH10あたりで
分散し、安定するので、pH10程度のアルカリ性イオ
ン水を用いればよい。
【0010】この発明に係る第1の研磨方法は、水を電
気分解して酸性及びアルカリ性の2種類のイオン水を生
成する工程と、研磨砥粒に前記2種類のイオン水のうち
の1種類のイオン水を溶媒として混合してその混合物を
含む研磨剤を生成する工程と、前記研磨剤を生成するの
に並行して前記研磨剤を用いて被研磨物を研磨する工程
とを含むものである。
気分解して酸性及びアルカリ性の2種類のイオン水を生
成する工程と、研磨砥粒に前記2種類のイオン水のうち
の1種類のイオン水を溶媒として混合してその混合物を
含む研磨剤を生成する工程と、前記研磨剤を生成するの
に並行して前記研磨剤を用いて被研磨物を研磨する工程
とを含むものである。
【0011】また、この発明に係る第2の研磨方法は、
水を電気分解して酸性及びアルカリ性の2種類のイオン
水を生成する工程と、所定濃度の第1の研磨剤を前記2
種類のイオン水のうちの1種類のイオン水で希釈して該
第1の研磨剤より低濃度の第2の研磨剤を生成する工程
と、前記第2の研磨剤を生成するのに並行して前記第2
の研磨剤を用いて被研磨物を研磨する工程とを含むもの
である。
水を電気分解して酸性及びアルカリ性の2種類のイオン
水を生成する工程と、所定濃度の第1の研磨剤を前記2
種類のイオン水のうちの1種類のイオン水で希釈して該
第1の研磨剤より低濃度の第2の研磨剤を生成する工程
と、前記第2の研磨剤を生成するのに並行して前記第2
の研磨剤を用いて被研磨物を研磨する工程とを含むもの
である。
【0012】上記した第1又は第2の研磨方法によれ
ば、研磨剤を生成しながら該研磨剤を用いて被研磨物を
研磨するようにしたので、研磨剤のpHが経時的に変動
しないうちに安定した研磨を行なうことができる。
ば、研磨剤を生成しながら該研磨剤を用いて被研磨物を
研磨するようにしたので、研磨剤のpHが経時的に変動
しないうちに安定した研磨を行なうことができる。
【0013】上記した第1又は第2の研磨方法にあって
は、前記被研磨物の研磨により生じた研磨廃液を前記2
種類のイオン水のうちの他種類のイオン水で中和するよ
うにしてもよい。このようにすると、水以外に塩が発生
することがなく、他の中和用薬液を用いる必要もなくな
る。
は、前記被研磨物の研磨により生じた研磨廃液を前記2
種類のイオン水のうちの他種類のイオン水で中和するよ
うにしてもよい。このようにすると、水以外に塩が発生
することがなく、他の中和用薬液を用いる必要もなくな
る。
【0014】
【発明の実施の形態】図1は、この発明の一実施形態に
係る研磨システムを示すものであり、この研磨システム
は、研磨剤生成装置10と、研磨装置30と、廃液槽5
0とを備えている。
係る研磨システムを示すものであり、この研磨システム
は、研磨剤生成装置10と、研磨装置30と、廃液槽5
0とを備えている。
【0015】研磨剤生成装置10の本体10A内には、
電解槽12と混合槽20とが設けられている。電解槽1
2の内部は、多孔質膜14で2分割されており、一方の
分割部分には陽極16aが、他方の分割部分には陰極1
6kがそれぞれ配置されている。陽極16a及び陰極1
6kは、多孔質膜14を介して対向するように配置され
ている。
電解槽12と混合槽20とが設けられている。電解槽1
2の内部は、多孔質膜14で2分割されており、一方の
分割部分には陽極16aが、他方の分割部分には陰極1
6kがそれぞれ配置されている。陽極16a及び陰極1
6kは、多孔質膜14を介して対向するように配置され
ている。
【0016】電解槽12内には純水を入れる。純水の電
気分解効率を高めるため、半導体デバイスに悪影響を及
ぼさない支持電解塩を微量(2mmol/l)添加して
もよい(「電解イオン水を用いたウェハープロセス」
H.Aoki et.al.,1993年12月3日,
SEMIテクノロジーシンポジウム93講演予稿集第4
90頁)。
気分解効率を高めるため、半導体デバイスに悪影響を及
ぼさない支持電解塩を微量(2mmol/l)添加して
もよい(「電解イオン水を用いたウェハープロセス」
H.Aoki et.al.,1993年12月3日,
SEMIテクノロジーシンポジウム93講演予稿集第4
90頁)。
【0017】陽極16a及び陰極16kの間に所定の直
流電圧を印加することにより純水を電気分解する。この
とき、陽極16a側及び陰極16k側では、次の化1の
反応によりそれぞれ酸性のイオン水(酸化水)Wa及び
アルカリ性のイオン水(還元水)Wkが生成される。
流電圧を印加することにより純水を電気分解する。この
とき、陽極16a側及び陰極16k側では、次の化1の
反応によりそれぞれ酸性のイオン水(酸化水)Wa及び
アルカリ性のイオン水(還元水)Wkが生成される。
【0018】
【化1】 電解時間と生成されるイオン水Wa,WkのpHとの関
係は、図2に示すようになる(前掲の講演予稿集第49
5頁)。一例として、pH11のアルカリ性イオン水
は、約60分かかって陰極16k側で生成される。
係は、図2に示すようになる(前掲の講演予稿集第49
5頁)。一例として、pH11のアルカリ性イオン水
は、約60分かかって陰極16k側で生成される。
【0019】送水系18は、ポンプ、送水管等を含むも
ので、電解槽12内のアルカリ性イオン水Wkを電解槽
12の隣の混合槽20に供給する。混合槽20には、図
示しない供給口を介して研磨砥粒又は研磨剤を供給す
る。混合槽20の内部には、混合槽20の上部に設けた
モータ22で駆動される撹拌具24が設けられており、
供給されたアルカリ性イオン水Wkと供給された研磨砥
粒又は研磨剤とを撹拌し、混合する。この結果、所望の
pHの研磨剤が生成される。
ので、電解槽12内のアルカリ性イオン水Wkを電解槽
12の隣の混合槽20に供給する。混合槽20には、図
示しない供給口を介して研磨砥粒又は研磨剤を供給す
る。混合槽20の内部には、混合槽20の上部に設けた
モータ22で駆動される撹拌具24が設けられており、
供給されたアルカリ性イオン水Wkと供給された研磨砥
粒又は研磨剤とを撹拌し、混合する。この結果、所望の
pHの研磨剤が生成される。
【0020】一例として、市販のヒュームドシリカ(F
umed Silica)を用いて研磨剤を作る場合、
1kgのシリカ粉末とpH10の9kgのアルカリ性イ
オン水とを混合する。この結果、pH10で10wt%
のシリカ研磨剤が生成される。このシリカ研磨剤には、
目的に応じて所望の添加剤を加えてもよい。
umed Silica)を用いて研磨剤を作る場合、
1kgのシリカ粉末とpH10の9kgのアルカリ性イ
オン水とを混合する。この結果、pH10で10wt%
のシリカ研磨剤が生成される。このシリカ研磨剤には、
目的に応じて所望の添加剤を加えてもよい。
【0021】他の例として、市販の高濃度の研磨剤を希
釈して低濃度の研磨剤を作る場合、30wt%のシリカ
研磨剤(例えばCabot社製のシリカ研磨剤SC1)
をpH10のアルカリ性イオン水で1/3に希釈する。
この結果、pH10で10wt%のシリカ研磨剤が生成
される。
釈して低濃度の研磨剤を作る場合、30wt%のシリカ
研磨剤(例えばCabot社製のシリカ研磨剤SC1)
をpH10のアルカリ性イオン水で1/3に希釈する。
この結果、pH10で10wt%のシリカ研磨剤が生成
される。
【0022】上記した2つの例において、従来法を用い
るものとすると、溶媒として水を用意する他に、pH調
整液としてKOHを用意する必要がある。しかし、この
発明によれば、所望のpHのアルカリ性イオン水を用意
するだけでよい。
るものとすると、溶媒として水を用意する他に、pH調
整液としてKOHを用意する必要がある。しかし、この
発明によれば、所望のpHのアルカリ性イオン水を用意
するだけでよい。
【0023】送液系26は、ポンプ、送液管等を含むも
ので、混合槽20から研磨装置30の滴下ノズル40に
研磨剤を供給する。通常、電解イオン水の寿命は数時間
程度であるので、混合槽20で生成した研磨剤は、生成
後できるだけ早く使用するのが望ましい。そこで、この
実施形態では、混合槽20で研磨剤を生成しながら研磨
装置30でCMP(化学機械研磨)を行なうようにして
いる。
ので、混合槽20から研磨装置30の滴下ノズル40に
研磨剤を供給する。通常、電解イオン水の寿命は数時間
程度であるので、混合槽20で生成した研磨剤は、生成
後できるだけ早く使用するのが望ましい。そこで、この
実施形態では、混合槽20で研磨剤を生成しながら研磨
装置30でCMP(化学機械研磨)を行なうようにして
いる。
【0024】研磨装置30の本体30Aには、図1,3
に示すように盤面に研磨布34が固着された定盤32が
設けられている。定盤32は、図3に例示するように回
転軸31を介して矢印a方向に回転駆動される。本体3
0Aには、半導体ウェハ等の被研磨ウェハ38を真空吸
着等により保持するウェハ保持部36が移動自在に設け
られている。ウェハ保持部36は、図3に例示するよう
に回転軸35を介して矢印b方向に回転駆動される。
に示すように盤面に研磨布34が固着された定盤32が
設けられている。定盤32は、図3に例示するように回
転軸31を介して矢印a方向に回転駆動される。本体3
0Aには、半導体ウェハ等の被研磨ウェハ38を真空吸
着等により保持するウェハ保持部36が移動自在に設け
られている。ウェハ保持部36は、図3に例示するよう
に回転軸35を介して矢印b方向に回転駆動される。
【0025】CMP処理に際しては、ウェハ保持部36
が定盤32の近傍のウェハ授受位置で被研磨ウェハ38
を保持した後、その保持状態のまま定盤32の上方まで
移動してくる。そして、ウェハ保持部36が降下してウ
ェハ38を定盤32上の研磨布34に圧接する。このよ
うな圧接状態において滴下ノズル40から研磨布34に
研磨剤を滴下しながら定盤32及びウェハ保持部36を
図3の矢印a及びbのようにそれぞれ回転させることに
よりウェハ38の研磨を行なう。ウェハ保持部36は、
回転中に定盤32の盤面に沿って揺動させることもでき
る。
が定盤32の近傍のウェハ授受位置で被研磨ウェハ38
を保持した後、その保持状態のまま定盤32の上方まで
移動してくる。そして、ウェハ保持部36が降下してウ
ェハ38を定盤32上の研磨布34に圧接する。このよ
うな圧接状態において滴下ノズル40から研磨布34に
研磨剤を滴下しながら定盤32及びウェハ保持部36を
図3の矢印a及びbのようにそれぞれ回転させることに
よりウェハ38の研磨を行なう。ウェハ保持部36は、
回転中に定盤32の盤面に沿って揺動させることもでき
る。
【0026】本体30Aの内部には、定盤32を取囲む
ように廃液受け42が設けられており、廃液受け42の
上端は定盤32の盤面のレベルよりやや高くなってい
る。研磨により生じた研磨廃液は、廃液受け42で集め
られる。廃液受け42で集められた研磨廃液は、本体3
0Aの下部に設けた廃液管44を介して廃液槽50に供
給される。
ように廃液受け42が設けられており、廃液受け42の
上端は定盤32の盤面のレベルよりやや高くなってい
る。研磨により生じた研磨廃液は、廃液受け42で集め
られる。廃液受け42で集められた研磨廃液は、本体3
0Aの下部に設けた廃液管44を介して廃液槽50に供
給される。
【0027】送水系46は、ポンプ、送水管等を含むも
ので、電解槽12から廃液槽50に酸性イオン水Waを
供給する。廃液槽50では、研磨装置30からのアルカ
リ性の研磨廃液が電解槽12からの酸性イオン水Wkに
より中和される。
ので、電解槽12から廃液槽50に酸性イオン水Waを
供給する。廃液槽50では、研磨装置30からのアルカ
リ性の研磨廃液が電解槽12からの酸性イオン水Wkに
より中和される。
【0028】研磨装置30からのアルカリ性研磨廃液が
研磨砥粒としてシリカ粒子を含んでいる場合、研磨廃液
に酸性イオン水Waを加えると、研磨廃液は塩を生ずる
ことなく瞬時に中性化されると共に、シリカ粒子は凝集
する。従って、廃液処理が簡単となる。これに対し、従
来法では、アルカリ性の研磨廃液に酸性の中和用薬液を
加えるので、水以外に塩が発生し、処理が面倒になる。
また、薬液のコストもかかる。
研磨砥粒としてシリカ粒子を含んでいる場合、研磨廃液
に酸性イオン水Waを加えると、研磨廃液は塩を生ずる
ことなく瞬時に中性化されると共に、シリカ粒子は凝集
する。従って、廃液処理が簡単となる。これに対し、従
来法では、アルカリ性の研磨廃液に酸性の中和用薬液を
加えるので、水以外に塩が発生し、処理が面倒になる。
また、薬液のコストもかかる。
【0029】前述したように電解イオン水の寿命は数時
間程度であるので、酸性のイオン水Waも効力が低下し
ないうちに使用する必要がある。廃液槽50には、研磨
中に連続的にイオン水Waを供給するか、あるいは研磨
中又は研磨終了後に所定量のイオン水Waを供給すれば
よい。
間程度であるので、酸性のイオン水Waも効力が低下し
ないうちに使用する必要がある。廃液槽50には、研磨
中に連続的にイオン水Waを供給するか、あるいは研磨
中又は研磨終了後に所定量のイオン水Waを供給すれば
よい。
【0030】図4〜6は、この発明の一応用例として配
線形成法を示すものである。
線形成法を示すものである。
【0031】図4の工程では、例えばシリコンからなる
半導体基板60の表面にシリコンオキサイド等の絶縁膜
62を形成した後、絶縁膜62の上にAl又はAl合金
等の配線材を約0.5μmの厚さにスパッタ法で堆積す
る。そして、堆積膜をホトリソグラフィ及びドライエッ
チング処理によりパターニングして配線層64を形成す
る。
半導体基板60の表面にシリコンオキサイド等の絶縁膜
62を形成した後、絶縁膜62の上にAl又はAl合金
等の配線材を約0.5μmの厚さにスパッタ法で堆積す
る。そして、堆積膜をホトリソグラフィ及びドライエッ
チング処理によりパターニングして配線層64を形成す
る。
【0032】次に、図5の工程では、絶縁膜62の上に
配線層64を覆って層間絶縁膜66を形成する。絶縁膜
66としては、TEOS(Tetra Ethyl Ortho Silicat
e) を原料とするプラズマCVD(ケミカル・ベーパー
・デポジション)により約1μmの厚さのシリコンオキ
サイド膜を形成することができる。
配線層64を覆って層間絶縁膜66を形成する。絶縁膜
66としては、TEOS(Tetra Ethyl Ortho Silicat
e) を原料とするプラズマCVD(ケミカル・ベーパー
・デポジション)により約1μmの厚さのシリコンオキ
サイド膜を形成することができる。
【0033】次に、図6の工程では、図1の研磨装置3
0において被研磨ウェハ38として半導体基板60をセ
ットすることにより絶縁膜66を約0.5μmの厚さで
平坦状に研磨・除去し、絶縁膜66を平坦な表面を有す
る形で残存させる。このときの研磨条件は、一例とし
て、 使用研磨剤:pH10で10wt%のシリカ研磨剤 研磨布34:発泡ウレタン製の研磨布 定盤32の回転数:30rpm ウェハ保持部36のヘッド回転数:30rpm 滴下ノズル40からの研磨剤の滴下流量:100cc/
min ウェハ38への荷重:300g/cm2 ウェハ保持部36の揺動:速さ0.1m/min、幅5
cm[6インチウェハの場合] とすることができる。pH10で10wt%のシリカ研
磨剤としては、先に例示した2種類のもの(シリカ粉末
にアルカリ性イオン水を混合するもの及び高濃度のシリ
カ研磨剤をアルカリ性イオン水で希釈するもの)のいず
れを用いてもよい。
0において被研磨ウェハ38として半導体基板60をセ
ットすることにより絶縁膜66を約0.5μmの厚さで
平坦状に研磨・除去し、絶縁膜66を平坦な表面を有す
る形で残存させる。このときの研磨条件は、一例とし
て、 使用研磨剤:pH10で10wt%のシリカ研磨剤 研磨布34:発泡ウレタン製の研磨布 定盤32の回転数:30rpm ウェハ保持部36のヘッド回転数:30rpm 滴下ノズル40からの研磨剤の滴下流量:100cc/
min ウェハ38への荷重:300g/cm2 ウェハ保持部36の揺動:速さ0.1m/min、幅5
cm[6インチウェハの場合] とすることができる。pH10で10wt%のシリカ研
磨剤としては、先に例示した2種類のもの(シリカ粉末
にアルカリ性イオン水を混合するもの及び高濃度のシリ
カ研磨剤をアルカリ性イオン水で希釈するもの)のいず
れを用いてもよい。
【0034】図6に示すように平坦な表面を有する絶縁
膜66の上には、図4に関して前述したと同様にして所
望の配線層を形成することができる。
膜66の上には、図4に関して前述したと同様にして所
望の配線層を形成することができる。
【0035】この発明は、上記した実施形態に限定され
るものではなく、種々の改変形態で実施可能なものであ
る。例えば、研磨砥粒としては、シリカ(SiO2 )に
限らず、Al2 O3 、CeO2 、ZrO2 、MgO等を
用いることもできる。
るものではなく、種々の改変形態で実施可能なものであ
る。例えば、研磨砥粒としては、シリカ(SiO2 )に
限らず、Al2 O3 、CeO2 、ZrO2 、MgO等を
用いることもできる。
【0036】
【発明の効果】以上のように、この発明によれば、研磨
砥粒の溶媒又は研磨剤の希釈液として所望のpHの電解
イオン水を用いるようにしたので、KOH、NH4 OH
等のpH調整液を用いることなく低コストで所望のpH
の研磨剤を生成可能となる効果が得られる。また、KO
H等のpH調整液を用いないので、研磨剤中にはKイオ
ン等の有害不純物が極めて少ないこと、NH4 OH等の
pH調整液を用いないので、排気設備が不要であること
などの効果もある。
砥粒の溶媒又は研磨剤の希釈液として所望のpHの電解
イオン水を用いるようにしたので、KOH、NH4 OH
等のpH調整液を用いることなく低コストで所望のpH
の研磨剤を生成可能となる効果が得られる。また、KO
H等のpH調整液を用いないので、研磨剤中にはKイオ
ン等の有害不純物が極めて少ないこと、NH4 OH等の
pH調整液を用いないので、排気設備が不要であること
などの効果もある。
【0037】その上、所望のpHの研磨剤を生成しなが
ら該研磨剤を用いて被研磨物を研磨するようにしたの
で、研磨剤のpH変動なしに安定した研磨を行なえる効
果もある。
ら該研磨剤を用いて被研磨物を研磨するようにしたの
で、研磨剤のpH変動なしに安定した研磨を行なえる効
果もある。
【0038】さらに、例えばアルカリ性の研磨廃液を酸
性のイオン水で中和すると、塩の発生がなく、他の中和
用薬液も不要であるので、廃液処理が簡単となり、コス
ト低減が可能となる効果もある。
性のイオン水で中和すると、塩の発生がなく、他の中和
用薬液も不要であるので、廃液処理が簡単となり、コス
ト低減が可能となる効果もある。
【図1】 この発明の一実施形態に係る研磨システムを
示す構成図である。
示す構成図である。
【図2】 pHの電解時間依存性を示すグラフである。
【図3】 図1の研磨装置の要部を示す斜視図である。
【図4】 この発明の一応用例としての配線形成法にお
ける配線形成工程を示す基板断面図である。
ける配線形成工程を示す基板断面図である。
【図5】 図4の工程に続く絶縁膜形成工程を示す基板
断面図である。
断面図である。
【図6】 図5の工程に続くCMP工程を示す基板断面
図である。
図である。
10:研磨剤生成装置、12:電解槽、20:混合槽、
30:研磨装置、32:定盤、34:研磨布、36:ウ
ェハ保持部、38:被研磨ウェハ、40:滴下ノズル、
42:廃液受け、44:廃液管、50:廃液槽。
30:研磨装置、32:定盤、34:研磨布、36:ウ
ェハ保持部、38:被研磨ウェハ、40:滴下ノズル、
42:廃液受け、44:廃液管、50:廃液槽。
Claims (6)
- 【請求項1】水を電気分解して所望の水素指数のイオン
水を生成する工程と、 研磨砥粒に前記イオン水を溶媒として混合してその混合
物を含む研磨剤を生成する工程とを含む研磨剤生成方
法。 - 【請求項2】水を電気分解して所望の水素指数のイオン
水を生成する工程と、 所定濃度の第1の研磨剤を前記イオン水で希釈して該第
1の研磨剤より低濃度の第2の研磨剤を生成する工程と
を含む研磨剤生成方法。 - 【請求項3】水を電気分解して酸性及びアルカリ性の2
種類のイオン水を生成する工程と、 研磨砥粒に前記2種類のイオン水のうちの1種類のイオ
ン水を溶媒として混合してその混合物を含む研磨剤を生
成する工程と、 前記研磨剤を生成するのに並行して前記研磨剤を用いて
被研磨物を研磨する工程とを含む研磨方法。 - 【請求項4】 前記被研磨物の研磨により生じた研磨廃
液を前記2種類のイオン水のうちの他種類のイオン水で
中和する工程を更に含む請求項3記載の研磨方法。 - 【請求項5】水を電気分解して酸性及びアルカリ性の2
種類のイオン水を生成する工程と、 所定濃度の第1の研磨剤を前記2種類のイオン水のうち
の1種類のイオン水で希釈して該第1の研磨剤より低濃
度の第2の研磨剤を生成する工程と、 前記第2の研磨剤を生成するのに並行して前記第2の研
磨剤を用いて被研磨物を研磨する工程とを含む研磨方
法。 - 【請求項6】 前記被研磨物の研磨により生じた研磨廃
液を前記2種類のイオン水のうちの他種類のイオン水で
中和する工程を更に含む請求項5記載の研磨方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP15025597A JPH10324865A (ja) | 1997-05-23 | 1997-05-23 | 研磨剤生成方法及び研磨方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP15025597A JPH10324865A (ja) | 1997-05-23 | 1997-05-23 | 研磨剤生成方法及び研磨方法 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH10324865A true JPH10324865A (ja) | 1998-12-08 |
Family
ID=15492954
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP15025597A Pending JPH10324865A (ja) | 1997-05-23 | 1997-05-23 | 研磨剤生成方法及び研磨方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH10324865A (ja) |
Cited By (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2002167594A (ja) * | 2000-09-21 | 2002-06-11 | Takahashi Kinzoku Kk | 電解イオン水を混合した水溶性クーラント液及び製造装置 |
JP2007160496A (ja) * | 2005-11-15 | 2007-06-28 | Shinshu Univ | ワーク研磨装置およびワーク研磨方法 |
KR101082698B1 (ko) * | 2004-05-21 | 2011-11-16 | 다카하시 긴조쿠 가부시키가이샤 | 금속의 산화피막 또는 녹 제거수, 상기 산화피막 또는 녹제거수를 사용하는 금속의 산화피막 또는 녹 제거법 |
KR20180042250A (ko) | 2015-08-21 | 2018-04-25 | 신에쯔 한도타이 가부시키가이샤 | 연마 장치 |
US20190131148A1 (en) * | 2017-10-30 | 2019-05-02 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company Ltd. | Planarization apparatus and planarization method thereof |
-
1997
- 1997-05-23 JP JP15025597A patent/JPH10324865A/ja active Pending
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US10850365B2 (en) | 2015-08-21 | 2020-12-01 | Shin-Etsu Handotai Co., Ltd. | Polishing apparatus with a waste liquid receiver |
US20190131148A1 (en) * | 2017-10-30 | 2019-05-02 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company Ltd. | Planarization apparatus and planarization method thereof |
US10879077B2 (en) * | 2017-10-30 | 2020-12-29 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company Ltd. | Planarization apparatus and planarization method thereof |
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