JP2017011286A - 半導体装置の作製方法 - Google Patents
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Abstract
Description
置全般を指し、電気光学装置、半導体回路および電子機器は全て半導体装置である。
いて薄膜トランジスタ(TFT)を構成する技術が注目されている。薄膜トランジスタは
ICや電気光学装置のような電子デバイスに広く応用され、特に画像表示装置のスイッチ
ング素子として開発が急がれている。金属酸化物は多様に存在しさまざまな用途に用いら
れている。
、例えば、酸化タングステン、酸化錫、酸化インジウム、酸化亜鉛などがあり、このよう
な半導体特性を示す金属酸化物をチャネル形成領域とする薄膜トランジスタが既に知られ
ている(特許文献1及び特許文献2)。
からのずれや、電子供与体を形成する水素や水分の混入などが生じると、その電気伝導度
が変化してしまう。このような現象は、酸化物半導体を用いたトランジスタにとって電気
的特性の変動要因となる。
材料と比べて十分大きいと、酸化物半導体層と絶縁層の界面に電荷がたまりやすい。
いと、酸化物半導体層のバックチャネル側に電荷がたまり、寄生チャネルが発生する恐れ
がある。寄生チャネルが発生すると、しきい値変動などを引き起こし、信頼性を低下させ
る恐れがある。
し、信頼性の高い半導体装置を作製することを課題の一とする。
層と、ゲート絶縁層と接し、ゲート電極と重なる酸化物半導体層と、酸化物半導体層と接
するソース電極及びドレイン電極とを有することを特徴とする半導体装置である。金属酸
化物膜からなるゲート絶縁層としてガリウム元素を含む絶縁材料を用い、具体的には膜厚
3nm以上300nm以下の酸化ガリウム膜を用いる。
部においては使用する液晶のモードにもよるが5V〜10Vの駆動電圧が用いられるため
、画素部に配置されるトランジスタには5V〜10Vの駆動電圧で動作するに適した構造
とすることが望ましいとされている。従って、液晶パネルにおいて、ガリウム元素を含む
絶縁層をゲート絶縁層とする場合、膜厚は50nm以上500nm以下、好ましくは60
nm以上300nm以下とする。
載する場合、高速動作を行うため、膜厚は3nm以上50nm以下、好ましくは5nm以
上20nm以下とする。また、パワーデバイスなどの高耐圧のトランジスタに用いる場合
、50nm以上500nm以下、好ましくは100nm以上300nm以下のガリウム元
素を含むゲート絶縁層とする。
層としてもよい。積層とする場合には、酸化物半導体層に接する層をガリウム元素を含む
絶縁層とし、その膜厚は3nm以上30nm以下、好ましくは3nm以上10nm以下と
する。また、積層とする場合、ハフニウムを含む絶縁層の膜厚は、3nm以上100nm
以下、好ましくは10nm以上20nm以下とする。
からのずれや、電子供与体を形成する水素や水分の混入などが生じると、その電気伝導度
が変化してしまう。このような現象は、酸化物半導体を用いたトランジスタにとって電気
的特性の変動要因となる。したがって、水素、水分、水酸基または水素化物(水素化合物
ともいう)などの不純物を酸化物半導体より意図的に排除し、かつ不純物の排除工程によ
って同時に減少してしまう酸化物半導体を構成する主成分材料である酸素を供給すること
によって、酸化物半導体層を高純度化および電気的にI型(真性)化する。
水素化合物ともいう)などの不純物を意図的に排除し、酸化ガリウムからなるゲート絶縁
層を高純度化させる。
、しきい値電圧やオン電流などの電気的特性に温度依存性がほとんど見られない。また、
光劣化によるトランジスタ特性の変動も少ない。
としてもよく、その構成は、ゲート電極と、第1の金属酸化物膜からなるゲート絶縁層と
、ゲート絶縁層と接し、ゲート電極と重なる酸化物半導体層と、酸化物半導体層と接する
第2の金属酸化物膜と、酸化物半導体層と接するソース電極及びドレイン電極とを有する
ことを特徴とする半導体装置である。
絶縁層を用い、さらに酸化物半導体層上にガリウム元素を含む絶縁層を配置する場合には
、酸化物半導体層上に接する絶縁層として用いる。即ち、ガリウム元素を含む絶縁層で酸
化物半導体層の上下を挟む構成となる。
縁層を用い、さらに酸化物半導体層の下にガリウム元素を含む絶縁層を配置する場合には
、基板と接する下地絶縁層として用いる。即ち、ガリウム元素を含む絶縁層で酸化物半導
体層の上下を挟む構成となり、その構成は、基板上に第1の金属酸化物膜と、第1の金属
酸化物膜上にソース電極及びドレイン電極と、第1の金属酸化物膜、ソース電極、及びド
レイン電極上に酸化物半導体層と、酸化物半導体層上に第2の金属酸化物膜からなるゲー
ト絶縁層と、ゲート絶縁層を介して酸化物半導体層と重なるゲート電極とを有し、第1の
金属酸化物膜及び第2の金属酸化物膜は酸化ガリウム膜であることを特徴とする半導体装
置である。
とガリウム元素を含む第2のゲート絶縁層で酸化物半導体層の上下を挟む構成となり、そ
の構成は、基板上に第1のゲート電極と、第1のゲート電極上に第1の金属酸化物膜から
なる第1のゲート絶縁層と、第1のゲート絶縁層上に第1のゲート電極と重なる酸化物半
導体層と、酸化物半導体層上に接するソース電極及びドレイン電極と、酸化物半導体層、
ソース電極、及びドレイン電極上に第2の金属酸化物膜からなる第2のゲート絶縁層と、
第2のゲート絶縁層上に第2のゲート電極とを有し、第1の金属酸化物膜及び第2の金属
酸化物膜は酸化ガリウム膜であることを特徴とする半導体装置である。デュアルゲート型
のトランジスタの場合、第1のゲート電極と第2のゲート電極とで酸化物半導体層の上下
を挟む構成となり、外部からの光の入射を効果的に遮光することができる。従って、酸化
物半導体層に光が照射されることによるトランジスタの電気特性変動を抑制することがで
きる。
定されるトランジスタのチャネル長Lは、10nm以上10μm以下、例えば、0.1μ
m〜0.5μmとすることができる。もちろん、チャネル長Lは、1μm以上であっても
構わない。また、チャネル幅Wについても、10nm以上とすることができる。
導体装置が提供される。
以下の説明に限定されず、その形態および詳細を様々に変更し得ることは、当業者であれ
ば容易に理解される。また、本発明は以下に示す実施の形態の記載内容に限定して解釈さ
れるものではない。
本実施の形態では、本明細書に開示する半導体装置に適用できるトランジスタの例を示す
。本明細書に開示する半導体装置に適用できるトランジスタの構造は特に限定されず、例
えばゲート電極が、ゲート絶縁層を介して、酸化物半導体層の上側に配置されるトップゲ
ート構造、又はゲート電極が、ゲート絶縁層を介して、酸化物半導体層の下側に配置され
るボトムゲート構造のスタガ型及びプレーナ型などを用いることができる。また、トラン
ジスタはチャネル形成領域が一つ形成されるシングルゲート構造でも、二つ形成されるダ
ブルゲート構造もしくは三つ形成されるトリプルゲート構造であっても良い。また、チャ
ネル領域の上下にゲート絶縁層を介して配置された2つのゲート電極を有する、デュアル
ゲート型でもよい。
乃至(D)に示すトランジスタは、半導体として酸化物半導体を用いるものである。酸化
物半導体を用いることのメリットは、トランジスタのオン状態における電界効果移動度の
最大値(5cm2/Vsec以上、好ましくは10cm2/Vsec以上150cm2/
Vsec以下)が比較的優れていることである。
、逆スタガ型トランジスタともいう。
ウム膜からなるゲート絶縁層402、酸化物半導体層403、ソース電極405a、及び
ドレイン電極405bを含む。また、トランジスタ410を覆い、酸化物半導体層403
に接する絶縁膜407が設けられている。絶縁膜407上にはさらに保護絶縁層409が
形成されている。
、酸素が化学量論比よりも過剰となるようxの値を設定するのが好ましい。例えば、xの
値を1.4以上2.0以下とするのが好ましく、xの値を1.5以上1.8以下とするの
がより好ましい。ただし、酸化ガリウム膜中に、イットリウムなどの3族元素、ハフニウ
ムなどの4族元素、アルミニウムなどの13族元素、シリコンなどの14族元素、窒素、
などの水素以外の不純物元素を含ませることで、酸化ガリウムのエネルギーギャップを拡
大させて絶縁性を高めても良い。不純物を含まない酸化ガリウム膜のエネルギーギャップ
は4.9eVであるが、上述の不純物を、例えば0を超えて20原子%以下程度含ませる
ことで、そのエネルギーギャップを6eV程度まで拡大することができる。
を有する基板である基板400上に、ゲート電極401、酸化ガリウム膜からなるゲート
絶縁層402、ソース電極405a、ドレイン電極405b、及び酸化物半導体層403
を含む。また、トランジスタ430を覆い、酸化物半導体層403に接する絶縁膜407
が設けられている。絶縁膜407上にはさらに保護絶縁層409が形成されている。
上に接して設けられ、ソース電極405a、ドレイン電極405bは、ゲート絶縁層40
2上に接して設けられている。そして、ゲート絶縁層402、及びソース電極405a、
ドレイン電極405b上に酸化物半導体層403が設けられている。
。トランジスタ440は、絶縁表面を有する基板400上に、絶縁膜437、酸化物半導
体層403、ソース電極405a、及びドレイン電極405b、酸化ガリウム膜からなる
ゲート絶縁層402、ゲート電極401を含み、ソース電極405a、ドレイン電極40
5bにそれぞれ配線層436a、配線層436bが接して設けられ電気的に接続している
。
る。トランジスタ420は、絶縁表面を有する基板400上に、ゲート電極401、酸化
ハフニウム膜(比誘電率ε=15)からなる第1のゲート絶縁層507a、酸化ガリウム
膜(比誘電率ε=10.2)からなる第2のゲート絶縁層507b、酸化物半導体層40
3、ソース電極405a、及びドレイン電極405bを含む。また、トランジスタ420
を覆い、酸化物半導体層403に接する酸化ガリウムからなる第1の絶縁膜516が設け
られている。第1の絶縁膜516上にはさらに酸化ハフニウム膜からなる第2の絶縁膜5
26が形成されている。
装置の製造工程によっては、トランジスタのしきい値電圧がマイナス側、或いはプラス側
にシフトすることがある。そのため、チャネル形成領域を含む半導体層に酸化物半導体を
用いたトランジスタでは、トランジスタ420のように、第2の絶縁膜526上に第2の
ゲート電極508を設けてデュアルゲート型の構造とし、しきい値電圧の制御を行うこと
のできる構成が好適であり、ゲート電極401または第2のゲート電極508の電位を制
御することにより所望の値のしきい値電圧に制御することができる。また、ゲート電極4
01及び第2のゲート電極508は、外部からの光の照射を遮断し、酸化物半導体層40
3に光が照射されることによるトランジスタの電気特性変動を抑制することができる。
高い電界効果移動度が得られるため、高速駆動が可能である。
−Zn−O系酸化物半導体や、三元系金属酸化物であるIn−Ga−Zn−O系酸化物半
導体、In−Sn−Zn−O系酸化物半導体、In−Al−Zn−O系酸化物半導体、S
n−Ga−Zn−O系酸化物半導体、Al−Ga−Zn−O系酸化物半導体、Sn−Al
−Zn−O系酸化物半導体や、二元系金属酸化物であるIn−Zn−O系酸化物半導体、
Sn−Zn−O系酸化物半導体、Al−Zn−O系酸化物半導体、Zn−Mg−O系酸化
物半導体、Sn−Mg−O系酸化物半導体、In−Ga−O系酸化物半導体や、In−M
g−O系酸化物半導体や、In−O系酸化物半導体、Sn−O系酸化物半導体、Zn−O
系酸化物半導体などを用いることができる。また、上記酸化物半導体にSiO2を含んで
もよい。ここで、例えば、In−Ga−Zn−O系酸化物半導体とは、インジウム(In
)、ガリウム(Ga)、亜鉛(Zn)を有する酸化物膜、という意味であり、その組成比
はとくに問わない。また、InとGaとZn以外の元素を含んでもよい。
用いることができる。ここで、Mは、Zn、Ga、Al、Mn及びCoから選ばれた一ま
たは複数の金属元素を示す。例えばMとして、Ga、Ga及びAl、Ga及びMn、また
はGa及びCoなどがある。
成比は、原子数比で、In:Zn=50:1〜1:2(モル数比に換算するとIn2O3
:ZnO=25:1〜1:4)、好ましくはIn:Zn=20:1〜1:1(モル数比に
換算するとIn2O3:ZnO=10:1〜1:2)、さらに好ましくはIn:Zn=1
5:1〜1.5:1(モル数比に換算するとIn2O3:ZnO=15:2〜3:4)と
する。例えば、In−Zn−O系酸化物半導体の形成に用いるターゲットは、原子数比が
In:Zn:O=X:Y:Zのとき、Z>1.5X+Yとする。
ムホウケイ酸ガラスやアルミノホウケイ酸ガラスなどのガラス基板を用いる。
料は、Mo、Ti、Cr、Ta、W、Al、Cu、Nd、Sc等の金属材料またはこれら
を主成分とする合金材料を用いて、単層でまたは積層して形成することができる。
r、Cu、Ta、Ti、Mo、Wからから選ばれた元素を含む金属膜、または上述した元
素を成分とする金属窒化物膜(窒化チタン膜、窒化モリブデン膜、窒化タングステン膜)
等を用いることができる。また、Al、Cuなどの金属膜の下側又は上側の一方または双
方にTi、Mo、Wなどの高融点金属膜またはそれらの金属窒化物膜(窒化チタン膜、窒
化モリブデン膜、窒化タングステン膜)を積層させた構成としても良い。
表的には酸化ガリウム膜、酸化シリコン膜、酸化窒化シリコン膜、酸化アルミニウム膜、
または酸化窒化アルミニウム膜などの無機絶縁膜を用いることができる。また、酸化物半
導体層の下方に接して設けられる絶縁膜437、ゲート絶縁層402、及び第2ゲート絶
縁層507bは、代表的には酸化ガリウム膜、酸化シリコン膜、酸化窒化シリコン膜、酸
化アルミニウム膜、または酸化窒化アルミニウム膜などの無機絶縁膜を用いることができ
る。
、酸化シリコン膜、酸化窒化シリコン膜、窒化シリコン膜、窒化アルミニウム膜、酸化窒
化アルミニウム膜、ハフニウムを含むhigh−k膜などを用いることができる。ハフニ
ウムを含むhigh−k膜としては、例えば酸化ハフニウム膜、珪酸ハフニウム膜、珪酸
ハフニウムオキシナイトライド膜、ハフニウムアルミネート膜などを用いることができる
。
すトランジスタ410の作製工程の一例について説明する。
熱性を有していることが必要となる。例えば、ガラス基板、セラミック基板、石英基板、
サファイア基板などを、基板400として用いることができる。また、シリコンや炭化シ
リコンなどの単結晶半導体基板、多結晶半導体基板、シリコンゲルマニウムなどの化合物
半導体基板、SOI基板などを適用することも可能であり、これらの基板上に半導体素子
が設けられたものを、基板400として用いてもよい。
ける場合、可撓性基板上に直接的にトランジスタを作り込んでもよいし、他の基板にトラ
ンジスタを形成した後、これを剥離し、可撓性基板に転置しても良い。なお、トランジス
タを剥離し、可撓性基板に転置するためには、上記他の基板とトランジスタとの間に剥離
層を形成すると良い。
を用いて成膜する。ゲート絶縁層402は、水素や水などが混入しにくい方法で作製する
のが望ましい。ゲート絶縁層402の膜厚は50nm以上500nm以下、好ましくは6
0nm以上300nm以下とする。
(A)参照)。本実施の形態では、酸化物半導体膜を、In−Ga−Zn−O系の酸化物
ターゲットを用いたスパッタリング法により形成する。In−Ga−Zn−O系の酸化物
ターゲットとしては、例えば、組成比として、In2O3:Ga2O3:ZnO=1:1
:1[mol数比]の酸化物ターゲットを用いることができる。なお、ターゲットの材料
および組成を上述に限定する必要はない。例えば、In2O3:Ga2O3:ZnO=1
:1:2[mol数比]の組成比の酸化物ターゲットを用いることもできる。酸化物ター
ゲットの充填率は、90%以上100%以下、好ましくは95%以上99.9%以下とす
る。充填率の高い金属酸化物ターゲットを用いることにより、成膜した酸化物半導体膜は
緻密な膜とすることができるためである。
膜の雰囲気は、希ガス(代表的にはアルゴン)雰囲気下、酸素雰囲気下、または、希ガス
と酸素の混合雰囲気下などとすればよい。また、酸化物半導体膜への水素、水、水酸基、
水素化物などの混入を防ぐために、水素、水、水酸基、水素化物などの不純物が十分に除
去された高純度ガスを用いた雰囲気とすることが望ましい。例えば、スパッタリング法な
どを用いて作製することができる。また、酸化物半導体膜の厚さは、3nm以上30nm
以下とするのが望ましい。酸化物半導体膜を厚くしすぎると(例えば、膜厚を50nm以
上)、トランジスタがノーマリーオンとなってしまうおそれがあるためである。なお、ゲ
ート絶縁層402、及び酸化物半導体膜530は、大気に触れさせることなく連続して成
膜するのが好ましい。
酸基、水素化物などの混入を防ぐことができる。
00℃以下好ましくは200℃以上400℃以下とする。基板400が加熱された状態で
成膜を行うことで、酸化物半導体膜に含まれる不純物濃度を低減することができるためで
ある。また、スパッタリングによる損傷を軽減することができるためである。
た高純度ガスを導入し、上記ターゲットを用いて基板400上に酸化物半導体膜を成膜す
る。成膜室内の残留水分を除去するためには、排気手段として、クライオポンプ、イオン
ポンプ、チタンサブリメーションポンプなどの吸着型の真空ポンプを用いることが望まし
い。また、排気手段は、ターボポンプにコールドトラップを加えたものであってもよい。
クライオポンプを用いて排気した成膜室は、例えば、水素分子や、水(H2O)などの水
素原子を含む化合物などが(より好ましくは炭素原子を含む化合物とともに)除去されて
いるため、当該成膜室で成膜した酸化物半導体膜に含まれる不純物の濃度を低減できる。
、直流(DC)電源を0.5kW、成膜雰囲気を酸素(酸素流量比率100%)雰囲気と
することができる。なお、パルス直流電源を用いると、成膜時に発生する粉状物質(パー
ティクル、ごみともいう)が軽減でき、膜厚分布も均一となるため好ましい。
酸化物半導体膜上に形成した後、当該酸化物半導体膜をエッチングすることによって行う
。上述のマスクは、フォトリソグラフィなどの方法を用いて形成することができる。また
は、インクジェット法などの方法を用いてマスクを形成しても良い。本実施の形態では、
酸化物半導体膜としてIn−Ga−Zn−O膜を用い、ゲート絶縁層としてGaOx膜を
用いており、どちらもGaを含んでいるため、酸化物半導体膜の加工の際に、マスクで覆
われていない領域のゲート絶縁層が薄くなる。なお、図2(B)では簡略化のため、ゲー
ト絶縁層の厚さが領域によって僅かに異なる様子を図示しない。
い。もちろん、これらを組み合わせて用いてもよい。
第1の熱処理によって酸化物半導体膜中の、過剰な水素(水や水酸基を含む)を除去し、
酸化物半導体層の構造を整え、エネルギーギャップ中の欠陥準位を低減することができる
。ここまでの断面図を図2(B)に示す。第1の熱処理の温度は、250℃以上650℃
以下、好ましくは450℃以上600℃以下、または基板の歪み点未満とする。
含む)を除去することも可能である。
450℃、1時間の条件で行うことができる。この間、酸化物半導体層は大気に触れさせ
ず、水や水素の混入が生じないようにする。
によって、被処理物を加熱する装置を用いても良い。例えば、GRTA(Gas Rap
id Thermal Anneal)装置、LRTA(Lamp Rapid The
rmal Anneal)装置等のRTA(Rapid Thermal Anneal
)装置を用いることができる。LRTA装置は、ハロゲンランプ、メタルハライドランプ
、キセノンアークランプ、カーボンアークランプ、高圧ナトリウムランプ、高圧水銀ラン
プなどのランプから発する光(電磁波)の輻射により、被処理物を加熱する装置である。
GRTA装置は、高温のガスを用いて熱処理を行う装置である。ガスとしては、アルゴン
などの希ガス、または窒素のような、熱処理によって被処理物と反応しない不活性気体が
用いられる。
間熱した後、当該不活性ガス雰囲気から被処理物を取り出すGRTA処理を行ってもよい
。GRTA処理を用いると短時間での高温熱処理が可能となる。また、被処理物の耐熱温
度を超える温度条件であっても適用が可能となる。なお、処理中に、不活性ガスを、酸素
を含むガスに切り替えても良い。酸素を含む雰囲気において第1の熱処理を行うことで、
酸素欠損に起因するエネルギーギャップ中の欠陥準位を低減することができるためである
。
)を主成分とする雰囲気であって、水、水素などが含まれない雰囲気を適用するのが望ま
しい。例えば、熱処理装置に導入する窒素や、ヘリウム、ネオン、アルゴン等の希ガスの
純度を、6N(99.9999%)以上、好ましくは7N(99.99999%)以上(
すなわち、不純物濃度が1ppm以下、好ましくは0.1ppm以下)とする。
に限りなく近い酸化物半導体層を形成することで、極めて優れた特性のトランジスタを実
現することができる。
当該熱処理を、脱水化処理や、脱水素化処理などと呼ぶこともできる。当該脱水化処理や
、脱水素化処理は、例えば、酸化物半導体膜を島状に加工した後などのタイミングにおい
て行うことも可能である。また、このような脱水化処理、脱水素化処理は、一回に限らず
複数回行っても良い。
て説明したが、開示する発明の一態様はこれに限定して解釈されない。第1の熱処理を行
った後に、酸化物半導体膜を加工しても良い。
成される配線を含む)を形成するための導電膜をスパッタ法などを用いて形成し、当該導
電膜を加工して、ソース電極405aおよびドレイン電極405bを形成する(図2(C
)参照)。
を行ってもよい。多階調マスクを用いて形成されたレジストマスクは、複数の膜厚を有す
る形状となり、アッシングによってさらに形状を変形させることができるため、異なるパ
ターンに加工する複数のエッチング工程に用いることが可能である。このため、一枚の多
階調マスクによって、少なくとも二種類以上の異なるパターンに対応するレジストマスク
を形成することができる。つまり、工程の簡略化が可能となる。
(凹部)を有する酸化物半導体層となることもある。
る酸化物半導体層の表面に付着した吸着水などを除去してもよい。プラズマ処理を行った
場合、当該プラズマ処理に続けて大気に触れさせることなく、酸化物半導体層403の一
部に接する絶縁膜407を形成することが望ましい。
化アルミニウム膜、または酸化窒化アルミニウム膜などの無機絶縁膜を用いる。本実施の
形態では、絶縁膜407として酸化ガリウム膜を用いる。絶縁膜407として酸化ガリウ
ム膜を用い、酸化物半導体層と接触させると、酸化物半導体層界面における電荷捕獲を十
分に抑制することができる。
後には、第2の熱処理を行うのが望ましい。第2の熱処理の温度は、250℃以上700
℃以下、好ましくは450℃以上600℃以下、または基板の歪み点未満とする。
ppm以下、好ましくは10ppb以下の空気)、または希ガス(アルゴン、ヘリウムな
ど)の雰囲気下で行えばよいが、上記窒素、酸素、超乾燥空気、または希ガス等の雰囲気
に水、水素などが含まれないことが好ましい。また、熱処理装置に導入する窒素、酸素、
または希ガスの純度を、6N以上好ましくは7N以上(即ち不純物濃度を1ppm以下、
好ましくは0.1ppm以下)とすることが好ましい。
絶縁層402と酸化物半導体層403とが接した状態で加熱される。したがって、上述の
脱水化(または脱水素化)処理によって減少してしまう可能性のある酸化物半導体を構成
する主成分材料の一つである酸素を、絶縁膜407及びゲート絶縁層402の両方より酸
化物半導体層へ供給することができる。これによって、酸化物半導体層中の電荷捕獲中心
を低減することができる。
同時に除去され、高純度化されうる。
半導体層403を、その主成分以外の不純物が極力含まれないように高純度化することが
できる。高純度化された酸化物半導体層403中にはドナーに由来するキャリアが極めて
少なく(ゼロに近い)、キャリア濃度は1×1014/cm3未満、好ましくは1×10
12/cm3未満、さらに好ましくは1×1011/cm3未満である。
さらに絶縁膜407上に保護絶縁層409を形成してもよい。なお、第2の熱処理のタイ
ミングは、酸化物半導体膜530の形成後であれば特に限定されない。例えば、保護絶縁
層409の形成後に第2の熱処理を行っても良い。または、第1の熱処理に続けて第2の
熱処理を行っても良いし、第1の熱処理に第2の熱処理を兼ねさせても良いし、第2の熱
処理に第1の熱処理を兼ねさせても良い。
体層と同種の成分、即ちガリウムを含む酸化ガリウム膜が設けられる。このように酸化物
半導体層と相性の良い材料(即ち、お互いに悪い影響を与えない材料)によって構成され
た金属酸化物膜を酸化物半導体層と接する態様で存在させることは、トランジスタの電気
特性を安定させるために良い構成である。
水酸基又は水素化物(水素化合物ともいう)などの不純物を酸化物半導体より排除し、か
つ不純物の排除工程によって同時に減少してしまう酸化物半導体を構成する主成分材料で
ある酸素を供給することによって、酸化物半導体層を高純度化及び電気的にI型(真性)
化されたものである。このように高純度化された酸化物半導体層を含むトランジスタは、
電気的特性変動が抑制されており、電気的に安定である。
ることができる。よって、信頼性の高い半導体装置を提供することができる。
図3(A)乃至図3(E)を用いて、図1(C)に示すトランジスタ440の作製工程の
一例について説明する。
導体膜413を形成する(図3(A)参照)。
た後、当該酸化物半導体膜をエッチングすることによって酸化物半導体層を形成すること
ができる。上述のマスクは、フォトリソグラフィなどの方法を用いて形成することができ
る。または、インクジェット法などの方法を用いてマスクを形成しても良い。
第1の熱処理によって酸化物半導体層中の、過剰な水素(水や水酸基を含む)を除去し、
酸化物半導体層の構造を整え、エネルギーギャップ中の欠陥準位を低減することができる
。第1の熱処理の温度は、250℃以上650℃以下、好ましくは450℃以上600℃
以下、または基板の歪み点未満とする。図3(B)に示すように、第1の熱処理によって
十分に水素が低減された酸化物半導体層403を得る。なお、第1の熱処理の条件は実施
の形態1に示した第1の熱処理条件と同一であるため、ここでは詳細な説明は省略する。
成される配線を含む)を形成するための導電膜を形成し、当該導電膜を加工して、ソース
電極405aおよびドレイン電極405bを形成する(図3(C)参照)。なお、ここで
形成されるソース電極405aの端部とドレイン電極405bの端部との間隔によって、
トランジスタのチャネル長Lが決定されることになる。
、Cr、Cu、Ta、Ti、Mo、Wから選ばれた元素を含む金属膜、または上述した元
素を成分とする金属窒化物膜(窒化チタン膜、窒化モリブデン膜、窒化タングステン膜)
等を用いることができる。また、Al、Cuなどの金属膜の下側または上側の一方または
双方にTi、Mo、Wなどの高融点金属膜またはそれらの金属窒化物膜(窒化チタン膜、
窒化モリブデン膜、窒化タングステン膜)を積層させた構成を用いても良い。
ッチングに用いるレジストマスク形成時の露光には、紫外線やKrFレーザ光やArFレ
ーザ光などを用いるとよい。
と極めて波長が短い超紫外線(Extreme Ultraviolet)を用いて、レ
ジストマスク形成時の露光を行うとよい。超紫外線による露光は、解像度が高く焦点深度
も大きい。したがって、後に形成されるトランジスタのチャネル長Lを微細化することが
可能であり、回路の動作速度を高めることができる。
(凹部)を有する酸化物半導体層となることもある。
る酸化物半導体層の表面に付着した吸着水などを除去してもよい。プラズマ処理を行った
場合、当該プラズマ処理に続けて大気に触れさせることなく、酸化物半導体層403の一
部に接するゲート絶縁層402を形成する(図3(D)参照)。本実施の形態では、ゲー
ト絶縁層402として、酸化ガリウム膜を用いる。
度は、250℃以上700℃以下、好ましくは450℃以上600℃以下、または基板の
歪み点未満とする。なお、第2の熱処理の条件は実施の形態1に示した第2の熱処理条件
と同一であるため、ここでは詳細な説明は省略する。
を、その主成分以外の不純物が極力含まれないように高純度化することができる。高純度
化された酸化物半導体層403中にはドナーに由来するキャリアが極めて少なく(ゼロに
近い)、キャリア濃度は1×1014/cm3未満、好ましくは1×1012/cm3未
満、さらに好ましくは1×1011/cm3未満である。
極405bに達するコンタクトホールの形成を行った後、導電膜を成膜する。この導電膜
を加工して、ゲート電極401、配線層436a、及び配線層436bを形成する(図3
(E)参照)。ゲート電極401、配線層436a、及び配線層436bは、モリブデン
、チタン、タンタル、タングステン、アルミニウム、銅、ネオジム、スカンジウム等の金
属材料またはこれらを主成分とする合金材料を用いて形成することができる。なお、ゲー
ト電極401、配線層436a、及び配線層436bは、単層構造としても良いし、積層
構造としても良い。
れない。例えば、ゲート電極401の形成後に第2の熱処理を行っても良い。または、第
1の熱処理に続けて第2の熱処理を行っても良いし、第1の熱処理に第2の熱処理を兼ね
させても良いし、第2の熱処理に第1の熱処理を兼ねさせても良い。
本実施の形態では、実施の形態2と一部工程が異なるトランジスタの作製例について図4
を用いて以下に説明する。実施の形態2のトランジスタとは、酸化物半導体層の下方に設
けられる絶縁膜が積層である点、ソース電極およびドレイン電極上に酸化物半導体層が形
成される点が主に異なっている。
物膜204を形成する(図4(A)参照)。絶縁膜202は、代表的には酸化シリコン膜
、酸化窒化シリコン膜、酸化アルミニウム膜、または酸化窒化アルミニウム膜などの無機
絶縁膜を用いることができる。また、金属酸化物膜204としては酸化ガリウム膜を用い
る。
れる配線を含む)を形成するための導電膜を形成し、当該導電膜を加工して、ソース電極
208aおよびドレイン電極208bを形成する(図4(B)参照)。詳細については、
トランジスタ440の作製工程に関する記載を参酌できる。
8bと接続する酸化物半導体膜を形成し、当該酸化物半導体膜を加工して島状の酸化物半
導体層206を形成する(図4(C)参照)。詳細については、トランジスタ440の作
製工程に関する記載を参酌できる。
06の一部と接するように、ゲート絶縁層212を形成する(図4(D)参照)。詳細に
ついては、トランジスタ440の作製工程に関する記載を参酌できる。
タ440の作製工程に関する記載を参酌できる。
体層と同種の成分でなる酸化ガリウム膜が設けられる。このように酸化物半導体層と相性
の良い材料によって構成された金属酸化物膜を酸化物半導体層と接する態様で存在させる
ことで、半導体装置の動作などに起因して生じうる電荷などが酸化物半導体層と金属酸化
物膜との界面に捕獲されることを抑制する。
ことができる。よって、信頼性の高い半導体装置を提供することができる。
宜組み合わせて用いることができる。
実施の形態1または実施の形態3で例示したトランジスタを用いて表示機能を有する半導
体装置(表示装置ともいう)を作製することができる。また、トランジスタを含む駆動回
路の一部または全体を、画素部と同じ基板上に一体形成し、システムオンパネルを形成す
ることができる。
て、シール材4005が設けられ、第2の基板4006によって封止されている。図5(
A)においては、第1の基板4001上のシール材4005によって囲まれている領域と
は異なる領域に、別途用意された基板上に単結晶半導体膜又は多結晶半導体膜で形成され
た走査線駆動回路4004、信号線駆動回路4003が実装されている。また別途形成さ
れた信号線駆動回路4003と、走査線駆動回路4004または画素部4002に与えら
れる各種信号及び電位は、FPC(Flexible printed circuit
)4018a、4018bから供給されている。
と、走査線駆動回路4004とを囲むようにして、シール材4005が設けられている。
また画素部4002と、走査線駆動回路4004の上に第2の基板4006が設けられて
いる。よって画素部4002と、走査線駆動回路4004とは、第1の基板4001とシ
ール材4005と第2の基板4006とによって、表示素子と共に封止されている。図5
(B)及び図5(C)においては、第1の基板4001上のシール材4005によって囲
まれている領域とは異なる領域に、別途用意された基板上に単結晶半導体膜又は多結晶半
導体膜で形成された信号線駆動回路4003が実装されている。図5(B)及び図5(C
)においては、別途形成された信号線駆動回路4003と、走査線駆動回路4004また
は画素部4002に与えられる各種信号及び電位は、FPC4018から供給されている
。
の基板4001に実装している例を示しているが、この構成に限定されない。走査線駆動
回路を別途形成して実装しても良いし、信号線駆動回路の一部または走査線駆動回路の一
部のみを別途形成して実装しても良い。
ip On Glass)方法、ワイヤボンディング方法、或いはTAB(Tape A
utomated Bonding)方法などを用いることができる。図5(A)は、C
OG方法により信号線駆動回路4003、走査線駆動回路4004を実装する例であり、
図5(B)は、COG方法により信号線駆動回路4003を実装する例であり、図5(C
)は、TAB方法により信号線駆動回路4003を実装する例である。
を含むIC等を実装した状態にあるモジュールとを含む。
源(照明装置含む)を指す。また、コネクター、例えばFPCもしくはTABテープもし
くはTCPが取り付けられたモジュール、TABテープやTCPの先にプリント配線板が
設けられたモジュール、または表示素子にCOG方式によりIC(集積回路)が直接実装
されたモジュールも全て表示装置に含むものとする。
おり、実施の形態1または3のいずれかで一例を示したトランジスタを適用することがで
きる。
発光表示素子ともいう)、を用いることができる。発光素子は、電流または電圧によって
輝度が制御される素子をその範疇に含んでおり、具体的には無機EL(Electro
Luminescence)、有機EL等が含まれる。また、電子インクなど、電気的作
用によりコントラストが変化する表示媒体も適用することができる。
B)のM−Nにおける断面図に相当する。
有しており、接続端子電極4015及び端子電極4016はFPC4018が有する端子
と異方性導電膜4019を介して、電気的に接続されている。
016は、トランジスタ4010、トランジスタ4011のソース電極及びドレイン電極
と同じ導電膜で形成されている。
トランジスタを複数有しており、図6乃至図8では、画素部4002に含まれるトランジ
スタ4010と、走査線駆動回路4004に含まれるトランジスタ4011とを例示して
いる。
で示したトランジスタを適用することができる。トランジスタ4010、トランジスタ4
011は、電気的特性変動が抑制されており、電気的に安定である。よって、図6乃至図
8で示す本実施の形態の半導体装置として信頼性の高い半導体装置を提供することができ
る。
ネルを構成する。表示素子は表示を行うことがでれば特に限定されず、様々な表示素子を
用いることができる。
子である液晶素子4013は、第1の電極層4030、第2の電極層4031、及び液晶
層4008を含む。なお、液晶層4008を挟持するように配向膜として機能する絶縁膜
4032、4033が設けられている。第2の電極層4031は第2の基板4006側に
設けられ、第1の電極層4030と第2の電極層4031とは液晶層4008を介して積
層する構成となっている。
液晶層4008の膜厚(セルギャップ)を制御するために設けられている。なお球状のス
ペーサを用いていても良い。
晶、高分子分散型液晶、強誘電性液晶、反強誘電性液晶等を用いることができる。これら
の液晶材料は、条件により、コレステリック相、スメクチック相、キュービック相、カイ
ラルネマチック相、等方相等を示す。
あり、コレステリック液晶を昇温していくと、コレステリック相から等方相へ転移する直
前に発現する相である。ブルー相は狭い温度範囲でしか発現しないため、温度範囲を改善
するために5重量%以上のカイラル剤を混合させた液晶組成物を用いて液晶層に用いる。
ブルー相を示す液晶とカイラル剤とを含む液晶組成物は、応答速度が1msec以下と短
く、光学的等方性であるため配向処理が不要であり、視野角依存性が小さい。また配向膜
を設けなくてもよいのでラビング処理も不要となるため、ラビング処理によって引き起こ
される静電破壊を防止することができ、作製工程中の液晶表示装置の不良や破損を軽減す
ることができる。よって液晶表示装置の生産性を向上させることが可能となる。
1Ω・cm以上であり、さらに好ましくは1×1012Ω・cm以上である。なお、本明
細書における固有抵抗率の値は、20℃で測定した値とする。
ク電流等を考慮して、所定の期間の間電荷を保持できるように設定される。
較的高い電界効果移動度が得られるため、高速駆動が可能である。よって、液晶表示装置
の画素部に上記トランジスタを用いることで、高画質な画像を提供することができる。ま
た、上記トランジスタは、同一基板上に駆動回路部または画素部に作り分けて作製するこ
とができるため、液晶表示装置の部品点数を削減することができる。
lane−Switching)モード、FFS(Fringe Field Swit
ching)モード、ASM(Axially Symmetric aligned
Micro−cell)モード、OCB(Optical Compensated B
irefringence)モード、FLC(Ferroelectric Liqui
d Crystal)モード、AFLC(AntiFerroelectric Liq
uid Crystal)モードなどを用いることができる。
透過型の液晶表示装置としてもよい。ここで、垂直配向モードとは、液晶表示パネルの液
晶分子の配列を制御する方式の一種であり、電圧が印加されていないときにパネル面に対
して液晶分子が垂直方向を向く方式である。垂直配向モードとしては、いくつか挙げられ
るが、例えば、MVA(Multi−Domain Vertical Alignme
nt)モード、PVA(Patterned Vertical Alignment)
モード、ASVモードなどを用いることができる。また、画素(ピクセル)をいくつかの
領域(サブピクセル)に分け、それぞれ別の方向に分子を倒すよう工夫されているマルチ
ドメイン化あるいはマルチドメイン設計といわれる方法を用いることができる。
防止部材などの光学部材(光学基板)などは適宜設ける。特にトランジスタの酸化物半導
体層に光が照射されないようにブラックマトリクスで遮光することは、信頼性を向上させ
る上で重要である。また、偏光基板及び位相差基板による円偏光を用いてもよい。また、
光源としてバックライト、サイドライトなどを用いてもよい。
(フィールドシーケンシャル駆動方式)を行うことも可能である。フィールドシーケンシ
ャル駆動方式を適用することで、カラーフィルタを用いることなく、カラー表示を行うこ
とができる。
ことができる。また、カラー表示する際に画素で制御する色要素としては、RGB(Rは
赤、Gは緑、Bは青を表す)の三色に限定されない。例えば、RGBW(Wは白を表す)
、又はRGBに、イエロー、シアン、マゼンタ等を一色以上追加したものがある。なお、
色要素のドット毎にその表示領域の大きさが異なっていてもよい。ただし、本発明はカラ
ー表示の表示装置に限定されるものではなく、モノクロ表示の表示装置に適用することも
できる。
子を適用することができる。エレクトロルミネッセンスを利用する発光素子は、発光材料
が有機化合物であるか、無機化合物であるかによって区別され、一般的に、前者は有機E
L素子、後者は無機EL素子と呼ばれている。
がそれぞれ発光性の有機化合物を含む層に注入され、電流が流れる。そして、それらキャ
リア(電子および正孔)が再結合することにより、発光性の有機化合物が励起状態を形成
し、その励起状態が基底状態に戻る際に発光する。このようなメカニズムから、このよう
な発光素子は、電流励起型の発光素子と呼ばれる。
類される。分散型無機EL素子は、発光材料の粒子をバインダ中に分散させた発光層を有
するものであり、発光メカニズムはドナー準位とアクセプター準位を利用するドナー−ア
クセプター再結合型発光である。薄膜型無機EL素子は、発光層を誘電体層で挟み込み、
さらにそれを電極で挟んだ構造であり、発光メカニズムは金属イオンの内殻電子遷移を利
用する局在型発光である。なお、ここでは、発光素子として有機EL素子を用いて説明す
る。
て、基板上にトランジスタ及び発光素子を形成し、基板とは逆側の面から発光を取り出す
上面射出や、基板側の面から発光を取り出す下面射出や、基板側及び基板とは反対側の面
から発光を取り出す両面射出構造の発光素子があり、どの射出構造の発光素子も適用する
ことができる。
513は、画素部4002に設けられたトランジスタ4010と電気的に接続している。
なお発光素子4513の構成は、第1の電極層4030、電界発光層4511、第2の電
極層4031の積層構造であるが、示した構成に限定されない。発光素子4513から取
り出す光の方向などに合わせて、発光素子4513の構成は適宜変えることができる。
材料を用い、第1の電極層4030上に開口部を形成し、その開口部の側壁が連続した曲
率を持って形成される傾斜面となるように形成することが好ましい。
されていてもどちらでも良い。
4031及び隔壁4510上に保護膜を形成してもよい。保護膜としては、窒化シリコン
膜、窒化酸化シリコン膜、DLC膜等を形成することができる。また、第1の基板400
1、第2の基板4006、及びシール材4005によって封止された空間には充填材45
14が設けられ密封されている。このように外気に曝されないように気密性が高く、脱ガ
スの少ない保護フィルム(貼り合わせフィルム、紫外線硬化樹脂フィルム等)やカバー材
でパッケージング(封入)することが好ましい。
は熱硬化樹脂を用いることができ、PVC(ポリビニルクロライド)、アクリル、ポリイ
ミド、エポキシ樹脂、シリコーン樹脂、PVB(ポリビニルブチラル)またはEVA(エ
チレンビニルアセテート)を用いることができる。例えば充填材として窒素を用いればよ
い。
位相差板(λ/4板、λ/2板)、カラーフィルタなどの光学フィルムを適宜設けてもよ
い。また、偏光板又は円偏光板に反射防止膜を設けてもよい。例えば、表面の凹凸により
反射光を拡散し、映り込みを低減できるアンチグレア処理を施すことができる。
る。電子ペーパーは、電気泳動表示装置(電気泳動ディスプレイ)とも呼ばれており、紙
と同じ読みやすさ、他の表示装置に比べ低消費電力、薄くて軽い形状とすることが可能と
いう利点を有している。
、マイナスの電荷を有する第2の粒子とを含むマイクロカプセルが溶媒または溶質に複数
分散されたものであり、マイクロカプセルに電界を印加することによって、マイクロカプ
セル中の粒子を互いに反対方向に移動させて一方側に集合した粒子の色のみを表示するも
のである。なお、第1の粒子または第2の粒子は染料を含み、電界がない場合において移
動しないものである。また、第1の粒子の色と第2の粒子の色は異なるもの(無色を含む
)とする。
ゆる誘電泳動的効果を利用したディスプレイである。
の電子インクはガラス、プラスチック、布、紙などの表面に印刷することができる。また
、カラーフィルタや色素を有する粒子を用いることによってカラー表示も可能である。
半導体材料、磁性材料、液晶材料、強誘電性材料、エレクトロルミネセント材料、エレク
トロクロミック材料、磁気泳動材料から選ばれた一種の材料、またはこれらの複合材料を
用いればよい。
できる。ツイストボール表示方式とは、白と黒に塗り分けられた球形粒子を表示素子に用
いる電極層である第1の電極層及び第2の電極層の間に配置し、第1の電極層及び第2の
電極層に電位差を生じさせての球形粒子の向きを制御することにより、表示を行う方法で
ある。
の電子ペーパーは、ツイストボール表示方式を用いた表示装置の例である。ツイストボー
ル表示方式とは、白と黒に塗り分けられた球形粒子を表示素子に用いる電極層間に配置し
、電極層間に電位差を生じさせて球形粒子の向きを制御することにより、表示を行う方法
である。
れた第2の電極層4031との間には黒色領域4615a及び白色領域4615bを有し
、球形粒子4613が設けられており、球形粒子4613の周囲は樹脂等の充填材461
4で充填されている。第2の電極層4031が共通電極(対向電極)に相当する。第2の
電極層4031は、共通電位線と電気的に接続される。
ス基板の他、可撓性を有する基板も用いることができ、例えば透光性を有するプラスチッ
ク基板などを用いることができる。プラスチックとしては、FRP(Fiberglas
s−Reinforced Plastics)板、PVF(ポリビニルフルオライド)
フィルム、ポリエステルフィルムまたはアクリル樹脂フィルムを用いることができる。ま
た、アルミニウムホイルをPVFフィルムやポリエステルフィルムで挟んだ構造のシート
を用いることもできる。
、アクリル樹脂、ポリイミド、ベンゾシクロブテン樹脂、ポリアミド、エポキシ樹脂等の
、耐熱性を有する有機絶縁材料を用いると、平坦化絶縁膜として好適である。また上記有
機絶縁材料の他に、低誘電率材料(low−k材料)、シロキサン系樹脂、PSG(リン
ガラス)、BPSG(リンボロンガラス)等を用いることができる。なお、これらの材料
で形成される絶縁膜を複数積層させることで、絶縁層を形成してもよい。
ピンコート法、ディッピング法、スプレー塗布、液滴吐出法(インクジェット法、スクリ
ーン印刷、オフセット印刷等)、ロールコーティング、カーテンコーティング、ナイフコ
ーティング等を用いることができる。
部に設けられる基板、絶縁膜、導電膜などの薄膜はすべて可視光の波長領域の光に対して
透光性とする。
向電極層などともいう)においては、取り出す光の方向、電極層が設けられる場所、及び
電極層のパターン構造によって透光性、反射性を選択すればよい。
化物、酸化タングステンを含むインジウム亜鉛酸化物、酸化チタンを含むインジウム酸化
物、酸化チタンを含むインジウム錫酸化物、インジウム錫酸化物(以下、ITOと示す。
)、インジウム亜鉛酸化物、酸化ケイ素を添加したインジウム錫酸化物などの透光性を有
する導電性材料を用いることができる。
(Mo)、ジルコニウム(Zr)、ハフニウム(Hf)、バナジウム(V)、ニオブ(N
b)、タンタル(Ta)、クロム(Cr)、コバルト(Co)、ニッケル(Ni)、チタ
ン(Ti)、白金(Pt)、アルミニウム(Al)、銅(Cu)、銀(Ag)等の金属、
又はその合金、若しくはその窒化物から一つ、又は複数種を用いて形成することができる
。
マーともいう)を含む導電性組成物を用いて形成することができる。導電性高分子として
は、いわゆるπ電子共役系導電性高分子を用いることができる。例えば、ポリアニリンま
たはその誘導体、ポリピロールまたはその誘導体、ポリチオフェンまたはその誘導体、若
しくはアニリン、ピロールおよびチオフェンの2種以上からなる共重合体若しくはその誘
導体などがあげられる。
を設けることが好ましい。保護回路は、非線形素子を用いて構成することが好ましい。
体装置を提供することができる。なお、実施の形態1で例示したトランジスタは上述の表
示機能を有する半導体装置のみでなく、電源回路に搭載されるパワーデバイス、LSI等
の半導体集積回路、対象物の情報を読み取るイメージセンサ機能を有する半導体装置など
様々な機能を有する半導体装置に適用することが可能である。
宜組み合わせて用いることができる。
本明細書に開示する半導体装置は、さまざまな電子機器(遊技機も含む)に適用すること
ができる。電子機器としては、例えば、テレビジョン装置(テレビ、またはテレビジョン
受信機ともいう)、コンピュータ用などのモニタ、デジタルカメラ、デジタルビデオカメ
ラ等のカメラ、デジタルフォトフレーム、携帯電話機(携帯電話、携帯電話装置ともいう
)、携帯型ゲーム機、携帯情報端末、音響再生装置、パチンコ機などの大型ゲーム機など
が挙げられる。上記実施の形態で説明した液晶表示装置を具備する電子機器の例について
説明する。
、表示部3003、キーボード3004などによって構成されている。実施の形態1また
は3で示した半導体装置を適用することにより、信頼性の高いノート型のパーソナルコン
ピュータとすることができる。
部インターフェイス3025と、操作ボタン3024等が設けられている。また操作用の
付属品としてスタイラス3022がある。実施の形態1または3で示した半導体装置を適
用することにより、より信頼性の高い携帯情報端末(PDA)とすることができる。
1および筐体2703の2つの筐体で構成されている。筐体2701および筐体2703
は、軸部2711により一体とされており、該軸部2711を軸として開閉動作を行うこ
とができる。このような構成により、紙の書籍のような動作を行うことが可能となる。
込まれている。表示部2705および表示部2707は、続き画面を表示する構成として
もよいし、異なる画面を表示する構成としてもよい。異なる画面を表示する構成とするこ
とで、例えば右側の表示部(図9(C)では表示部2705)に文章を表示し、左側の表
示部(図9(C)では表示部2707)に画像を表示することができる。実施の形態1ま
たは3で示した半導体装置を適用することにより、信頼性の高い電子書籍2700とする
ことができる。
体2701において、電源2721、操作キー2723、スピーカー2725などを備え
ている。操作キー2723により、頁を送ることができる。なお、筐体の表示部と同一面
にキーボードやポインティングデバイスなどを備える構成としてもよい。また、筐体の裏
面や側面に、外部接続用端子(イヤホン端子、USB端子など)、記録媒体挿入部などを
備える構成としてもよい。さらに、電子書籍2700は、電子辞書としての機能を持たせ
た構成としてもよい。
電子書籍サーバから、所望の書籍データなどを購入し、ダウンロードする構成とすること
も可能である。
ている。筐体2801には、表示パネル2802、スピーカー2803、マイクロフォン
2804、ポインティングデバイス2806、カメラ用レンズ2807、外部接続端子2
808などを備えている。また、筐体2800には、携帯型情報端末の充電を行う太陽電
池セル2810、外部メモリスロット2811などを備えている。また、アンテナは筐体
2801内部に内蔵されている。実施の形態1または3で示した半導体装置を適用するこ
とにより、信頼性の高い携帯電話とすることができる。
いる複数の操作キー2805を点線で示している。なお、太陽電池セル2810で出力さ
れる電圧を各回路に必要な電圧に昇圧するための昇圧回路も実装している。
2802と同一面上にカメラ用レンズ2807を備えているため、テレビ電話が可能であ
る。スピーカー2803及びマイクロフォン2804は音声通話に限らず、テレビ電話、
録音、再生などが可能である。さらに、筐体2800と筐体2801は、スライドし、図
9(D)のように展開している状態から重なり合った状態とすることができ、携帯に適し
た小型化が可能である。
であり、充電及びパーソナルコンピュータなどとのデータ通信が可能である。また、外部
メモリスロット2811に記録媒体を挿入し、より大量のデータ保存及び移動に対応でき
る。
よい。
眼部3053、操作スイッチ3054、表示部(B)3055、バッテリー3056など
によって構成されている。実施の形態1または3で示した半導体装置を適用することによ
り、信頼性の高いデジタルビデオカメラとすることができる。
体9601に表示部9603が組み込まれている。表示部9603により、映像を表示す
ることが可能である。また、ここでは、スタンド9605により筐体9601を支持した
構成を示している。実施の形態1または3で示した半導体装置を適用することにより、信
頼性の高いテレビジョン装置9600とすることができる。
コン操作機により行うことができる。また、リモコン操作機に、当該リモコン操作機から
出力する情報を表示する表示部を設ける構成としてもよい。
より一般のテレビ放送の受信を行うことができ、さらにモデムを介して有線または無線に
よる通信ネットワークに接続することにより、一方向(送信者から受信者)または双方向
(送信者と受信者間、あるいは受信者間同士など)の情報通信を行うことも可能である。
宜組み合わせて用いることができる。
202 絶縁膜
204 金属酸化物膜
206 酸化物半導体層
208a ソース電極
208b ドレイン電極
212 ゲート絶縁層
214 ゲート電極
220 トランジスタ
400 基板
401 ゲート電極
402 ゲート絶縁層
403 酸化物半導体層
405a ソース電極
405b ドレイン電極
407 絶縁膜
409 保護絶縁層
410 トランジスタ
420 トランジスタ
430 トランジスタ
436a 配線層
436b 配線層
437 絶縁膜
440 トランジスタ
507a 第1のゲート絶縁層
507b 第2のゲート絶縁層
508 第2のゲート電極
516 第1の絶縁膜
526 第2の絶縁膜
530 酸化物半導体膜
Claims (2)
- 基板上に第1のゲート電極を形成する工程と、
前記第1のゲート電極上に第1の絶縁膜を形成する工程と、
前記第1の絶縁膜上にガリウムを含む第1の金属酸化物膜を形成する工程と、
前記第1の金属酸化物膜上に前記第1のゲート電極と重なりガリウムを含む酸化物半導体層を形成する工程と、
前記酸化物半導体層上に接するソース電極及びドレイン電極を形成する工程と、
前記酸化物半導体層、前記ソース電極、及び前記ドレイン電極上にガリウムを含む第2の金属酸化物膜を形成する工程と、
前記第2の金属酸化物膜上に第2の絶縁膜を形成する工程と、
前記第2の絶縁膜上に第2のゲート電極を形成する工程と、を有し、
前記第2の金属酸化物膜の成膜後に、前記酸化物半導体層と、前記第1の金属酸化物膜と、前記第2の金属酸化物膜とに対して同時に、水素、水分、水酸基又は水素化合物を低減する工程を有することを特徴とする半導体装置の作製方法。 - 請求項1において、前記水素、水分、水酸基又は水素化合物を低減する工程後、前記酸化物半導体層のキャリア濃度は1×1014/cm3未満であることを特徴とする半導体装置の作製方法。
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Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2022238805A1 (ja) * | 2021-05-13 | 2022-11-17 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体装置、表示装置、及び半導体装置の作製方法 |
Families Citing this family (43)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US8884282B2 (en) | 2010-04-02 | 2014-11-11 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device |
US8653514B2 (en) | 2010-04-09 | 2014-02-18 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device and method for manufacturing the same |
WO2011158703A1 (en) * | 2010-06-18 | 2011-12-22 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device |
KR102115344B1 (ko) | 2010-08-27 | 2020-05-26 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 기억 장치, 반도체 장치 |
TW202414842A (zh) | 2011-05-05 | 2024-04-01 | 日商半導體能源研究所股份有限公司 | 半導體裝置及其製造方法 |
US9385238B2 (en) | 2011-07-08 | 2016-07-05 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Transistor using oxide semiconductor |
JP6116149B2 (ja) | 2011-08-24 | 2017-04-19 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体装置 |
US8698137B2 (en) | 2011-09-14 | 2014-04-15 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device |
CN102832226B (zh) | 2011-10-06 | 2016-06-01 | 友达光电股份有限公司 | 主动元件阵列基板及其制造方法 |
US8829528B2 (en) * | 2011-11-25 | 2014-09-09 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device including groove portion extending beyond pixel electrode |
JP6033071B2 (ja) * | 2011-12-23 | 2016-11-30 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体装置 |
TWI584383B (zh) * | 2011-12-27 | 2017-05-21 | 半導體能源研究所股份有限公司 | 半導體裝置及其製造方法 |
KR101901251B1 (ko) * | 2011-12-27 | 2018-09-27 | 엘지디스플레이 주식회사 | 산화물 반도체 박막트랜지스터 및 그의 제조 방법 |
KR102103913B1 (ko) * | 2012-01-10 | 2020-04-23 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 반도체 장치 및 반도체 장치의 제작 방법 |
TWI562361B (en) | 2012-02-02 | 2016-12-11 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | Semiconductor device |
US20130207102A1 (en) * | 2012-02-15 | 2013-08-15 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device |
US20150146125A1 (en) * | 2012-04-24 | 2015-05-28 | Sharp Kabushiki Kaisha | Liquid crystal display panel, liquid crystal display apparatus, and thin film transistor array substrate |
JP6243136B2 (ja) * | 2012-05-02 | 2017-12-06 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | スイッチングコンバータ |
KR102551443B1 (ko) * | 2012-05-10 | 2023-07-06 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 반도체 장치 |
JP2014045175A (ja) | 2012-08-02 | 2014-03-13 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 半導体装置 |
US9018624B2 (en) | 2012-09-13 | 2015-04-28 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Display device and electronic appliance |
JP6300489B2 (ja) | 2012-10-24 | 2018-03-28 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体装置の作製方法 |
DE112013006219T5 (de) | 2012-12-25 | 2015-09-24 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Halbleitervorrichtung und deren Herstellungsverfahren |
JP6077978B2 (ja) * | 2012-12-28 | 2017-02-08 | 株式会社神戸製鋼所 | 薄膜トランジスタおよびその製造方法 |
KR101795194B1 (ko) * | 2012-12-28 | 2017-11-07 | 가부시키가이샤 고베 세이코쇼 | 박막 트랜지스터 및 그의 제조 방법 |
US8835236B2 (en) * | 2013-02-08 | 2014-09-16 | Chunghwa Picture Tubes, Ltd. | Oxide semiconductor thin film transistor and method for manufacturing the same |
TWI664731B (zh) * | 2013-05-20 | 2019-07-01 | 半導體能源研究所股份有限公司 | 半導體裝置 |
KR102304824B1 (ko) | 2013-08-09 | 2021-09-23 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 반도체 장치 |
US9601591B2 (en) | 2013-08-09 | 2017-03-21 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Method for manufacturing semiconductor device |
KR102232133B1 (ko) * | 2013-08-22 | 2021-03-24 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 반도체 장치 |
US9443987B2 (en) * | 2013-08-23 | 2016-09-13 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device |
US9397153B2 (en) * | 2013-09-23 | 2016-07-19 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device |
US9455349B2 (en) * | 2013-10-22 | 2016-09-27 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Oxide semiconductor thin film transistor with reduced impurity diffusion |
WO2015181679A1 (en) * | 2014-05-27 | 2015-12-03 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device and method for manufacturing the same |
US9722090B2 (en) * | 2014-06-23 | 2017-08-01 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device including first gate oxide semiconductor film, and second gate |
DE102014111140B4 (de) * | 2014-08-05 | 2019-08-14 | Infineon Technologies Austria Ag | Halbleitervorrichtung mit Feldeffektstrukturen mit verschiedenen Gatematerialien und Verfahren zur Herstellung davon |
DE102016206922A1 (de) * | 2015-05-08 | 2016-11-10 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Touchscreen |
JP2017022377A (ja) | 2015-07-14 | 2017-01-26 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体装置 |
SG10201701689UA (en) | 2016-03-18 | 2017-10-30 | Semiconductor Energy Lab | Semiconductor device, semiconductor wafer, and electronic device |
WO2018053707A1 (en) * | 2016-09-21 | 2018-03-29 | Boe Technology Group Co., Ltd. | Thin film transistor, display substrate and display panel having the same, and fabricating method thereof |
US10263107B2 (en) * | 2017-05-01 | 2019-04-16 | The Regents Of The University Of California | Strain gated transistors and method |
US11476340B2 (en) * | 2019-10-25 | 2022-10-18 | Ohio State Innovation Foundation | Dielectric heterojunction device |
US11848389B2 (en) | 2020-03-19 | 2023-12-19 | Ohio State Innovation Foundation | Low turn on and high breakdown voltage lateral diode |
Citations (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2007073698A (ja) * | 2005-09-06 | 2007-03-22 | Canon Inc | トランジスタ |
JP2007529119A (ja) * | 2004-03-12 | 2007-10-18 | ヒューレット−パッカード デベロップメント カンパニー エル.ピー. | 複合金属酸化物を含むチャネルを有する半導体デバイス |
WO2008117739A1 (ja) * | 2007-03-23 | 2008-10-02 | Idemitsu Kosan Co., Ltd. | 半導体デバイス、多結晶半導体薄膜、多結晶半導体薄膜の製造方法、電界効果型トランジスタ、及び、電界効果型トランジスタの製造方法 |
JP2008281988A (ja) * | 2007-04-09 | 2008-11-20 | Canon Inc | 発光装置とその作製方法 |
JP2009176865A (ja) * | 2008-01-23 | 2009-08-06 | Canon Inc | 薄膜トランジスタ及びその製造方法 |
JP2009283554A (ja) * | 2008-05-20 | 2009-12-03 | Sharp Corp | 半導体装置およびその製造方法 |
JP2010016348A (ja) * | 2008-06-30 | 2010-01-21 | Samsung Mobile Display Co Ltd | 薄膜トランジスタ、その製造方法及び薄膜トランジスタを備える平板表示装置 |
JP2010067954A (ja) * | 2008-08-14 | 2010-03-25 | Fujifilm Corp | 薄膜電界効果型トランジスタ |
Family Cites Families (127)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS60198861A (ja) | 1984-03-23 | 1985-10-08 | Fujitsu Ltd | 薄膜トランジスタ |
JPH0244256B2 (ja) | 1987-01-28 | 1990-10-03 | Kagaku Gijutsucho Mukizaishitsu Kenkyushocho | Ingazn2o5deshimesarerurotsuhoshokeinosojokozoojusurukagobutsuoyobisonoseizoho |
JPH0244258B2 (ja) | 1987-02-24 | 1990-10-03 | Kagaku Gijutsucho Mukizaishitsu Kenkyushocho | Ingazn3o6deshimesarerurotsuhoshokeinosojokozoojusurukagobutsuoyobisonoseizoho |
JPH0244260B2 (ja) | 1987-02-24 | 1990-10-03 | Kagaku Gijutsucho Mukizaishitsu Kenkyushocho | Ingazn5o8deshimesarerurotsuhoshokeinosojokozoojusurukagobutsuoyobisonoseizoho |
JPS63210023A (ja) | 1987-02-24 | 1988-08-31 | Natl Inst For Res In Inorg Mater | InGaZn↓4O↓7で示される六方晶系の層状構造を有する化合物およびその製造法 |
JPH0244262B2 (ja) | 1987-02-27 | 1990-10-03 | Kagaku Gijutsucho Mukizaishitsu Kenkyushocho | Ingazn6o9deshimesarerurotsuhoshokeinosojokozoojusurukagobutsuoyobisonoseizoho |
JPH0244263B2 (ja) | 1987-04-22 | 1990-10-03 | Kagaku Gijutsucho Mukizaishitsu Kenkyushocho | Ingazn7o10deshimesarerurotsuhoshokeinosojokozoojusurukagobutsuoyobisonoseizoho |
JPH05251705A (ja) | 1992-03-04 | 1993-09-28 | Fuji Xerox Co Ltd | 薄膜トランジスタ |
JP3479375B2 (ja) | 1995-03-27 | 2003-12-15 | 科学技術振興事業団 | 亜酸化銅等の金属酸化物半導体による薄膜トランジスタとpn接合を形成した金属酸化物半導体装置およびそれらの製造方法 |
JPH11505377A (ja) | 1995-08-03 | 1999-05-18 | フィリップス エレクトロニクス ネムローゼ フェンノートシャップ | 半導体装置 |
JP3625598B2 (ja) | 1995-12-30 | 2005-03-02 | 三星電子株式会社 | 液晶表示装置の製造方法 |
JP4170454B2 (ja) | 1998-07-24 | 2008-10-22 | Hoya株式会社 | 透明導電性酸化物薄膜を有する物品及びその製造方法 |
JP2000150861A (ja) | 1998-11-16 | 2000-05-30 | Tdk Corp | 酸化物薄膜 |
JP3276930B2 (ja) | 1998-11-17 | 2002-04-22 | 科学技術振興事業団 | トランジスタ及び半導体装置 |
TW460731B (en) | 1999-09-03 | 2001-10-21 | Ind Tech Res Inst | Electrode structure and production method of wide viewing angle LCD |
JP4089858B2 (ja) | 2000-09-01 | 2008-05-28 | 国立大学法人東北大学 | 半導体デバイス |
KR20020038482A (ko) | 2000-11-15 | 2002-05-23 | 모리시타 요이찌 | 박막 트랜지스터 어레이, 그 제조방법 및 그것을 이용한표시패널 |
JP3997731B2 (ja) | 2001-03-19 | 2007-10-24 | 富士ゼロックス株式会社 | 基材上に結晶性半導体薄膜を形成する方法 |
JP2002289859A (ja) | 2001-03-23 | 2002-10-04 | Minolta Co Ltd | 薄膜トランジスタ |
JP3925839B2 (ja) | 2001-09-10 | 2007-06-06 | シャープ株式会社 | 半導体記憶装置およびその試験方法 |
JP4090716B2 (ja) | 2001-09-10 | 2008-05-28 | 雅司 川崎 | 薄膜トランジスタおよびマトリクス表示装置 |
JP4164562B2 (ja) | 2002-09-11 | 2008-10-15 | 独立行政法人科学技術振興機構 | ホモロガス薄膜を活性層として用いる透明薄膜電界効果型トランジスタ |
EP1443130B1 (en) | 2001-11-05 | 2011-09-28 | Japan Science and Technology Agency | Natural superlattice homologous single crystal thin film, method for preparation thereof, and device using said single crystal thin film |
JP4083486B2 (ja) | 2002-02-21 | 2008-04-30 | 独立行政法人科学技術振興機構 | LnCuO(S,Se,Te)単結晶薄膜の製造方法 |
CN1445821A (zh) | 2002-03-15 | 2003-10-01 | 三洋电机株式会社 | ZnO膜和ZnO半导体层的形成方法、半导体元件及其制造方法 |
JP3933591B2 (ja) | 2002-03-26 | 2007-06-20 | 淳二 城戸 | 有機エレクトロルミネッセント素子 |
US7339187B2 (en) | 2002-05-21 | 2008-03-04 | State Of Oregon Acting By And Through The Oregon State Board Of Higher Education On Behalf Of Oregon State University | Transistor structures |
US6989556B2 (en) * | 2002-06-06 | 2006-01-24 | Osemi, Inc. | Metal oxide compound semiconductor integrated transistor devices with a gate insulator structure |
JP2004022625A (ja) | 2002-06-13 | 2004-01-22 | Murata Mfg Co Ltd | 半導体デバイス及び該半導体デバイスの製造方法 |
US7105868B2 (en) | 2002-06-24 | 2006-09-12 | Cermet, Inc. | High-electron mobility transistor with zinc oxide |
US7067843B2 (en) | 2002-10-11 | 2006-06-27 | E. I. Du Pont De Nemours And Company | Transparent oxide semiconductor thin film transistors |
JP4166105B2 (ja) | 2003-03-06 | 2008-10-15 | シャープ株式会社 | 半導体装置およびその製造方法 |
JP2004273732A (ja) | 2003-03-07 | 2004-09-30 | Sharp Corp | アクティブマトリクス基板およびその製造方法 |
JP4108633B2 (ja) | 2003-06-20 | 2008-06-25 | シャープ株式会社 | 薄膜トランジスタおよびその製造方法ならびに電子デバイス |
US7262463B2 (en) | 2003-07-25 | 2007-08-28 | Hewlett-Packard Development Company, L.P. | Transistor including a deposited channel region having a doped portion |
US7145174B2 (en) | 2004-03-12 | 2006-12-05 | Hewlett-Packard Development Company, Lp. | Semiconductor device |
US7282782B2 (en) | 2004-03-12 | 2007-10-16 | Hewlett-Packard Development Company, L.P. | Combined binary oxide semiconductor device |
WO2005088726A1 (ja) | 2004-03-12 | 2005-09-22 | Japan Science And Technology Agency | アモルファス酸化物及び薄膜トランジスタ |
US7211825B2 (en) | 2004-06-14 | 2007-05-01 | Yi-Chi Shih | Indium oxide-based thin film transistors and circuits |
JP2006100760A (ja) | 2004-09-02 | 2006-04-13 | Casio Comput Co Ltd | 薄膜トランジスタおよびその製造方法 |
US7285501B2 (en) | 2004-09-17 | 2007-10-23 | Hewlett-Packard Development Company, L.P. | Method of forming a solution processed device |
US7298084B2 (en) | 2004-11-02 | 2007-11-20 | 3M Innovative Properties Company | Methods and displays utilizing integrated zinc oxide row and column drivers in conjunction with organic light emitting diodes |
KR100998527B1 (ko) | 2004-11-10 | 2010-12-07 | 고쿠리츠다이가쿠호진 토쿄고교 다이가꾸 | 비정질 산화물 및 전계 효과 트랜지스터 |
US7829444B2 (en) | 2004-11-10 | 2010-11-09 | Canon Kabushiki Kaisha | Field effect transistor manufacturing method |
CN101057338B (zh) | 2004-11-10 | 2011-03-16 | 佳能株式会社 | 采用无定形氧化物的场效应晶体管 |
US7791072B2 (en) | 2004-11-10 | 2010-09-07 | Canon Kabushiki Kaisha | Display |
JP5126729B2 (ja) | 2004-11-10 | 2013-01-23 | キヤノン株式会社 | 画像表示装置 |
CN101057333B (zh) | 2004-11-10 | 2011-11-16 | 佳能株式会社 | 发光器件 |
US7453065B2 (en) | 2004-11-10 | 2008-11-18 | Canon Kabushiki Kaisha | Sensor and image pickup device |
US7863611B2 (en) | 2004-11-10 | 2011-01-04 | Canon Kabushiki Kaisha | Integrated circuits utilizing amorphous oxides |
US7579224B2 (en) | 2005-01-21 | 2009-08-25 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Method for manufacturing a thin film semiconductor device |
US7608531B2 (en) | 2005-01-28 | 2009-10-27 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device, electronic device, and method of manufacturing semiconductor device |
TWI505473B (zh) | 2005-01-28 | 2015-10-21 | Semiconductor Energy Lab | 半導體裝置,電子裝置,和半導體裝置的製造方法 |
US7858451B2 (en) | 2005-02-03 | 2010-12-28 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Electronic device, semiconductor device and manufacturing method thereof |
US7948171B2 (en) | 2005-02-18 | 2011-05-24 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Light emitting device |
US20060197092A1 (en) | 2005-03-03 | 2006-09-07 | Randy Hoffman | System and method for forming conductive material on a substrate |
US8681077B2 (en) | 2005-03-18 | 2014-03-25 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device, and display device, driving method and electronic apparatus thereof |
WO2006105077A2 (en) | 2005-03-28 | 2006-10-05 | Massachusetts Institute Of Technology | Low voltage thin film transistor with high-k dielectric material |
US7645478B2 (en) | 2005-03-31 | 2010-01-12 | 3M Innovative Properties Company | Methods of making displays |
US8300031B2 (en) | 2005-04-20 | 2012-10-30 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device comprising transistor having gate and drain connected through a current-voltage conversion element |
JP2006344849A (ja) | 2005-06-10 | 2006-12-21 | Casio Comput Co Ltd | 薄膜トランジスタ |
US7691666B2 (en) | 2005-06-16 | 2010-04-06 | Eastman Kodak Company | Methods of making thin film transistors comprising zinc-oxide-based semiconductor materials and transistors made thereby |
US7402506B2 (en) | 2005-06-16 | 2008-07-22 | Eastman Kodak Company | Methods of making thin film transistors comprising zinc-oxide-based semiconductor materials and transistors made thereby |
US7507618B2 (en) | 2005-06-27 | 2009-03-24 | 3M Innovative Properties Company | Method for making electronic devices using metal oxide nanoparticles |
KR100711890B1 (ko) | 2005-07-28 | 2007-04-25 | 삼성에스디아이 주식회사 | 유기 발광표시장치 및 그의 제조방법 |
JP2007059128A (ja) | 2005-08-23 | 2007-03-08 | Canon Inc | 有機el表示装置およびその製造方法 |
US20070044714A1 (en) | 2005-08-31 | 2007-03-01 | Applied Materials, Inc. | Method and apparatus for maintaining a cross sectional shape of a diffuser during processing |
JP2007073705A (ja) | 2005-09-06 | 2007-03-22 | Canon Inc | 酸化物半導体チャネル薄膜トランジスタおよびその製造方法 |
JP4850457B2 (ja) | 2005-09-06 | 2012-01-11 | キヤノン株式会社 | 薄膜トランジスタ及び薄膜ダイオード |
JP5116225B2 (ja) | 2005-09-06 | 2013-01-09 | キヤノン株式会社 | 酸化物半導体デバイスの製造方法 |
JP4280736B2 (ja) | 2005-09-06 | 2009-06-17 | キヤノン株式会社 | 半導体素子 |
EP1770788A3 (en) | 2005-09-29 | 2011-09-21 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device having oxide semiconductor layer and manufacturing method thereof |
JP5064747B2 (ja) | 2005-09-29 | 2012-10-31 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体装置、電気泳動表示装置、表示モジュール、電子機器、及び半導体装置の作製方法 |
JP5078246B2 (ja) | 2005-09-29 | 2012-11-21 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体装置、及び半導体装置の作製方法 |
JP5037808B2 (ja) | 2005-10-20 | 2012-10-03 | キヤノン株式会社 | アモルファス酸化物を用いた電界効果型トランジスタ、及び該トランジスタを用いた表示装置 |
KR101103374B1 (ko) | 2005-11-15 | 2012-01-05 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 반도체장치 |
KR100690925B1 (ko) | 2005-12-01 | 2007-03-09 | 삼성전자주식회사 | 나노 크리스탈 비휘발성 반도체 집적 회로 장치 및 그 제조방법 |
TWI292281B (en) | 2005-12-29 | 2008-01-01 | Ind Tech Res Inst | Pixel structure of active organic light emitting diode and method of fabricating the same |
US7867636B2 (en) | 2006-01-11 | 2011-01-11 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | Transparent conductive film and method for manufacturing the same |
JP4977478B2 (ja) | 2006-01-21 | 2012-07-18 | 三星電子株式会社 | ZnOフィルム及びこれを用いたTFTの製造方法 |
US7576394B2 (en) | 2006-02-02 | 2009-08-18 | Kochi Industrial Promotion Center | Thin film transistor including low resistance conductive thin films and manufacturing method thereof |
US7977169B2 (en) | 2006-02-15 | 2011-07-12 | Kochi Industrial Promotion Center | Semiconductor device including active layer made of zinc oxide with controlled orientations and manufacturing method thereof |
KR20070101595A (ko) | 2006-04-11 | 2007-10-17 | 삼성전자주식회사 | ZnO TFT |
US20070252928A1 (en) | 2006-04-28 | 2007-11-01 | Toppan Printing Co., Ltd. | Structure, transmission type liquid crystal display, reflection type display and manufacturing method thereof |
JP5028033B2 (ja) | 2006-06-13 | 2012-09-19 | キヤノン株式会社 | 酸化物半導体膜のドライエッチング方法 |
JP4609797B2 (ja) | 2006-08-09 | 2011-01-12 | Nec液晶テクノロジー株式会社 | 薄膜デバイス及びその製造方法 |
JP4999400B2 (ja) | 2006-08-09 | 2012-08-15 | キヤノン株式会社 | 酸化物半導体膜のドライエッチング方法 |
JP4332545B2 (ja) | 2006-09-15 | 2009-09-16 | キヤノン株式会社 | 電界効果型トランジスタ及びその製造方法 |
JP5164357B2 (ja) | 2006-09-27 | 2013-03-21 | キヤノン株式会社 | 半導体装置及び半導体装置の製造方法 |
JP4274219B2 (ja) | 2006-09-27 | 2009-06-03 | セイコーエプソン株式会社 | 電子デバイス、有機エレクトロルミネッセンス装置、有機薄膜半導体装置 |
US7622371B2 (en) | 2006-10-10 | 2009-11-24 | Hewlett-Packard Development Company, L.P. | Fused nanocrystal thin film semiconductor and method |
US7772021B2 (en) | 2006-11-29 | 2010-08-10 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Flat panel displays comprising a thin-film transistor having a semiconductive oxide in its channel and methods of fabricating the same for use in flat panel displays |
JP2008140684A (ja) | 2006-12-04 | 2008-06-19 | Toppan Printing Co Ltd | カラーelディスプレイおよびその製造方法 |
KR101146574B1 (ko) | 2006-12-05 | 2012-05-16 | 캐논 가부시끼가이샤 | 산화물 반도체를 이용한 박막 트랜지스터의 제조방법 및 표시장치 |
KR101303578B1 (ko) | 2007-01-05 | 2013-09-09 | 삼성전자주식회사 | 박막 식각 방법 |
US8207063B2 (en) | 2007-01-26 | 2012-06-26 | Eastman Kodak Company | Process for atomic layer deposition |
JP5121254B2 (ja) | 2007-02-28 | 2013-01-16 | キヤノン株式会社 | 薄膜トランジスタおよび表示装置 |
KR100851215B1 (ko) | 2007-03-14 | 2008-08-07 | 삼성에스디아이 주식회사 | 박막 트랜지스터 및 이를 이용한 유기 전계 발광표시장치 |
US7795613B2 (en) | 2007-04-17 | 2010-09-14 | Toppan Printing Co., Ltd. | Structure with transistor |
KR101325053B1 (ko) | 2007-04-18 | 2013-11-05 | 삼성디스플레이 주식회사 | 박막 트랜지스터 기판 및 이의 제조 방법 |
KR20080094300A (ko) | 2007-04-19 | 2008-10-23 | 삼성전자주식회사 | 박막 트랜지스터 및 그 제조 방법과 박막 트랜지스터를포함하는 평판 디스플레이 |
KR101334181B1 (ko) | 2007-04-20 | 2013-11-28 | 삼성전자주식회사 | 선택적으로 결정화된 채널층을 갖는 박막 트랜지스터 및 그제조 방법 |
WO2008133345A1 (en) | 2007-04-25 | 2008-11-06 | Canon Kabushiki Kaisha | Oxynitride semiconductor |
KR101345376B1 (ko) | 2007-05-29 | 2013-12-24 | 삼성전자주식회사 | ZnO 계 박막 트랜지스터 및 그 제조방법 |
JP5215158B2 (ja) | 2007-12-17 | 2013-06-19 | 富士フイルム株式会社 | 無機結晶性配向膜及びその製造方法、半導体デバイス |
JP4555358B2 (ja) | 2008-03-24 | 2010-09-29 | 富士フイルム株式会社 | 薄膜電界効果型トランジスタおよび表示装置 |
KR100941850B1 (ko) | 2008-04-03 | 2010-02-11 | 삼성모바일디스플레이주식회사 | 박막 트랜지스터, 그의 제조 방법 및 박막 트랜지스터를구비하는 평판 표시 장치 |
US20090278120A1 (en) | 2008-05-09 | 2009-11-12 | Korea Institute Of Science And Technology | Thin Film Transistor |
KR100963026B1 (ko) | 2008-06-30 | 2010-06-10 | 삼성모바일디스플레이주식회사 | 박막 트랜지스터, 그의 제조 방법 및 박막 트랜지스터를구비하는 평판 표시 장치 |
JP5480554B2 (ja) | 2008-08-08 | 2014-04-23 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体装置 |
TWI424506B (zh) | 2008-08-08 | 2014-01-21 | Semiconductor Energy Lab | 半導體裝置的製造方法 |
JP5627071B2 (ja) | 2008-09-01 | 2014-11-19 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体装置の作製方法 |
JP4623179B2 (ja) | 2008-09-18 | 2011-02-02 | ソニー株式会社 | 薄膜トランジスタおよびその製造方法 |
EP2172804B1 (en) * | 2008-10-03 | 2016-05-11 | Semiconductor Energy Laboratory Co, Ltd. | Display device |
JP5451280B2 (ja) | 2008-10-09 | 2014-03-26 | キヤノン株式会社 | ウルツ鉱型結晶成長用基板およびその製造方法ならびに半導体装置 |
JP4752927B2 (ja) | 2009-02-09 | 2011-08-17 | ソニー株式会社 | 薄膜トランジスタおよび表示装置 |
TWI476917B (zh) | 2009-04-16 | 2015-03-11 | Semiconductor Energy Lab | 半導體裝置和其製造方法 |
JP2011138934A (ja) | 2009-12-28 | 2011-07-14 | Sony Corp | 薄膜トランジスタ、表示装置および電子機器 |
WO2011122364A1 (en) | 2010-04-02 | 2011-10-06 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device |
US9190522B2 (en) | 2010-04-02 | 2015-11-17 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device having an oxide semiconductor |
US8884282B2 (en) | 2010-04-02 | 2014-11-11 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device |
US9196739B2 (en) | 2010-04-02 | 2015-11-24 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device including oxide semiconductor film and metal oxide film |
CN106098788B (zh) | 2010-04-02 | 2020-10-16 | 株式会社半导体能源研究所 | 半导体装置 |
US9147768B2 (en) | 2010-04-02 | 2015-09-29 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device having an oxide semiconductor and a metal oxide film |
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US8653514B2 (en) * | 2010-04-09 | 2014-02-18 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device and method for manufacturing the same |
CN102844847B (zh) | 2010-04-16 | 2015-09-23 | 株式会社半导体能源研究所 | 沉积方法及半导体装置的制造方法 |
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Patent Citations (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2007529119A (ja) * | 2004-03-12 | 2007-10-18 | ヒューレット−パッカード デベロップメント カンパニー エル.ピー. | 複合金属酸化物を含むチャネルを有する半導体デバイス |
JP2007073698A (ja) * | 2005-09-06 | 2007-03-22 | Canon Inc | トランジスタ |
WO2008117739A1 (ja) * | 2007-03-23 | 2008-10-02 | Idemitsu Kosan Co., Ltd. | 半導体デバイス、多結晶半導体薄膜、多結晶半導体薄膜の製造方法、電界効果型トランジスタ、及び、電界効果型トランジスタの製造方法 |
JP2008281988A (ja) * | 2007-04-09 | 2008-11-20 | Canon Inc | 発光装置とその作製方法 |
JP2009176865A (ja) * | 2008-01-23 | 2009-08-06 | Canon Inc | 薄膜トランジスタ及びその製造方法 |
JP2009283554A (ja) * | 2008-05-20 | 2009-12-03 | Sharp Corp | 半導体装置およびその製造方法 |
JP2010016348A (ja) * | 2008-06-30 | 2010-01-21 | Samsung Mobile Display Co Ltd | 薄膜トランジスタ、その製造方法及び薄膜トランジスタを備える平板表示装置 |
JP2010067954A (ja) * | 2008-08-14 | 2010-03-25 | Fujifilm Corp | 薄膜電界効果型トランジスタ |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2022238805A1 (ja) * | 2021-05-13 | 2022-11-17 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体装置、表示装置、及び半導体装置の作製方法 |
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