JP2016535441A5 - - Google Patents
Download PDFInfo
- Publication number
- JP2016535441A5 JP2016535441A5 JP2016525580A JP2016525580A JP2016535441A5 JP 2016535441 A5 JP2016535441 A5 JP 2016535441A5 JP 2016525580 A JP2016525580 A JP 2016525580A JP 2016525580 A JP2016525580 A JP 2016525580A JP 2016535441 A5 JP2016535441 A5 JP 2016535441A5
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- metal
- layer
- insulator
- pores
- capacitor structure
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims 52
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims 52
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 claims 29
- 239000011148 porous material Substances 0.000 claims 19
- 238000005530 etching Methods 0.000 claims 12
- 238000000151 deposition Methods 0.000 claims 6
- 239000011810 insulating material Substances 0.000 claims 6
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 claims 6
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 claims 6
- 238000010292 electrical insulation Methods 0.000 claims 5
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims 4
- PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N AI2O3 Inorganic materials [O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Al+3] PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 2
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 claims 2
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminum Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 2
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 claims 1
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N Silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- 238000007743 anodising Methods 0.000 claims 1
- 238000000034 method Methods 0.000 claims 1
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims 1
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 claims 1
Claims (15)
- 基板(2)と、
前記基板(2)上に配置された第１電気絶縁層(14)と、
前記第１電気絶縁層(14)上に配置された下部電極(6)と、
前記下部電極(6)上に配置された金属層(12)であって、該金属層内に複数の細孔を設けることによって構造化された金属層と、
金属−絶縁体−金属型コンデンサ(4; 41)と、
前記金属−絶縁体−金属型コンデンサ(4)上に配置された上部電極(8)と、
前記上部電極(8)上に配置された第２電気絶縁層(16)とを備えた金属−絶縁体−金属型コンデンサ構造(1)であって、
前記細孔は、前記構造化された金属層の前記下部電極とは反対側の表面に開口し、前記細孔は、当該細孔の周囲に配置された電気絶縁層によって、前記構造化された金属層(12)における当該細孔を作製した部分以外の部分から電気絶縁され、前記電気絶縁層が絶縁された細孔のマトリクス(121)を構成し、該絶縁された細孔のマトリクス(121)は陽極エッチングまたは陽極酸化処理によって得られるマトリクスであり、
前記金属−絶縁体−金属型コンデンサは、前記構造化された金属層(12)上、及び当該構造化された金属層(12)の前記細孔の内側に配置された第１導電層(18)、該第１導電層(18)を覆う誘電体層(20)、該誘電体層(20)を覆う第２導電層(24)を備え、関連する前記細孔の各々が、前記誘電体層(20)によって分離された前記第１導電層(18)及び前記第２導電層(24)を備えている金属−絶縁体−金属型コンデンサ構造において、
前記構造化された金属層(12)の前記細孔の内側に位置する前記第１導電層(18)は、前記下部電極(6)に接触し、
前記構造化された金属層(12)の前記細孔の内側に位置する前記第２導電層(24)は、前記上部電極(8)に接触し、
前記下部電極(6)が金属層(28)及びエッチング障壁層(10)を備え、該エッチング障壁層(10)は陽極エッチングに対する耐性があることを特徴とする金属−絶縁体−金属型コンデンサ構造(1)。 - 前記下部電極(6)内に配置されて前記下部電極(6)を電気的に分離された２つの領域に分割する少なくとも１つの横方向絶縁ストリップと、
前記上部電極(8)内に配置されて前記上部電極(8)を電気的に分離された２つの領域に分割する少なくとも１つの横方向絶縁ストリップとを備え、
追加的な電気接点が、前記構造化された金属層(12)によって前記下部電極(6)から前記上部電極(8)のレベルまで配置されている、請求項１に記載の金属−絶縁体−金属型コンデンサ構造(1)。 - 前記横方向絶縁ストリップが、酸化シリコン及び窒化シリコンを含むグループから選択した絶縁材料で構成されることを特徴とする請求項２に記載の金属−絶縁体−金属型コンデンサ構造(1)。
- 前記構造化された金属層(12)がマイクロ構造化またはナノ構造化され、０．４μmより大きい厚さを有する金属で構成されることを特徴とする請求項１〜３のいずれかに記載の金属−絶縁体−金属型コンデンサ構造(1)。
- 前記構造化された金属層(12)がアルミニウムから作製され、前記絶縁された細孔のマトリクス(121)がアルミナから作製されることを特徴とする請求項１〜４のいずれかに記載の金属−絶縁体−金属型コンデンサ構造(1)。
- 前記誘電体層(20)が、４より大きい（ｋ＞４）、好適には１０より大きい高誘電率ｋを有する絶縁材料で構成されることを特徴とする請求項１〜５のいずれかに記載の金属−絶縁体−金属型コンデンサ構造(1)。
- 互いに重ねて積層された複数の前記金属−絶縁体−金属型コンデンサ(4)を備えていることを特徴とする請求項１〜６のいずれかに記載の金属−絶縁体−金属型コンデンサ構造(1)。
- 前記積層の２つの前記金属−絶縁体−金属型コンデンサが電気的に並列に結合されていることを特徴とする請求項７に記載の金属−絶縁体−金属型コンデンサ構造(1)。
- 前記積層の１つの前記金属−絶縁体−金属型コンデンサが、第１に、当該金属−絶縁体−金属型コンデンサの前記上部電極(8)によって他の前記金属−絶縁体−金属型コンデンサの前記上部電極(8)に電気接続され、第２に、当該金属−絶縁体−金属型コンデンサの前記下部電極(6)によって、当該金属−絶縁体−金属型コンデンサの上に位置する他の前記金属−絶縁体−金属型コンデンサの前記下部電極(6)に電気接続されていることを特徴とする請求項７または８に記載の金属−絶縁体−金属型コンデンサ構造(1)。
- 請求項１〜９のいずれかに記載の金属−絶縁体−金属型コンデンサ構造(1)を少なくとも１つ備えている受動型または能動型半導体デバイス。
- 金属−絶縁体−金属型コンデンサ構造(1)を製造する方法であって、
ａ．基板(2)を用意するステップと、
ｂ．絶縁材料製の第１電気絶縁層(14)を前記基板(2)上に堆積させるステップと、
ｃ．前記第１電気絶縁層(14)上に配置された下部電極(6)を作製するステップであって、前記下部電極(6)が、前記第１電気絶縁層(14)上に金属層(28)を堆積させることによって作製され、その後に前記金属層(28)が、陽極エッチングに対する耐性のあるエッチング障壁層(10)によって覆われるステップと、
ｄ．前記下部電極(6)の局所的なエッチングにおいて、電気絶縁材料を堆積させるステップと、
ｅ．前記下部電極(6)上に金属層を堆積させるステップと、
ｆ．陽極エッチングプロセスを用いて前記金属層内に細孔を構造化するステップであって、前記細孔は、当該細孔の周囲に配置された電気絶縁層(121)によって、前記構造化された金属層における当該細孔を作製した部分以外の部分から電気絶縁され、前記電気絶縁層が絶縁された細孔のマトリクス(121)を形成するステップと、
ｇ．前記構造化された金属層(12)上及び当該構造化された金属層(12)の前記細孔内に、第１導電層(18)、誘電体層(20)、及び第２導電層(24)を順次堆積させるステップと、
ｈ．前記第２導電層(24)上に配置された上部電極(8)を作製するステップと、
ｉ．前記上部電極(8)の局所的なエッチングにおいて、電気絶縁材料を堆積させるステップと、
ｊ．絶縁材料製の第２電気絶縁層を上部電極(8)上に堆積させるステップと
を含む金属−絶縁体−金属型コンデンサ構造の製造方法。 - 前記構造化された金属層(12)がアルミニウムから作製され、陽極エッチングによって作製された前記絶縁された細孔のマトリクス(121)がアルミナから作製されることを特徴とする請求項１１に記載の金属−絶縁体−金属型コンデンサ構造の製造方法。
- 前記方法が、
ｃ１．前記下部電極の作製後に、電気的に絶縁された２つの領域を前記下部電極内に規定する下部横方向絶縁ストリップを、前記下部電極の局所的なエッチングによって作製するステップと、
ｈ１．前記上部電極の作製後に、電気的に絶縁された２つの領域を前記上部電極内に規定する上部横方向絶縁ストリップを、前記上部電極の局所的なエッチングによって作製するステップと
をさらに含むことを特徴とする請求項１１または１２に記載の金属−絶縁体−金属型コンデンサ構造の製造方法。 - 前記方法のステップｃ．、ステップｃ１．、ステップｄ．〜ステップｈ．及びステップｈ１．をＮ回反復することを特徴とする請求項１３に記載の金属−絶縁体−金属型コンデンサ構造の製造方法。
- 前記方法のステップｈ１．の少なくとも１回の実行後に、平坦化層の堆積を行うことを特徴とする請求項１４に記載の金属−絶縁体−金属型コンデンサ構造の製造方法。
Applications Claiming Priority (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| FR1360555 | 2013-10-29 | ||
| FR1360555A FR3012664B1 (fr) | 2013-10-29 | 2013-10-29 | Structure a capacite amelioree |
| PCT/FR2014/052754 WO2015063420A1 (fr) | 2013-10-29 | 2014-10-29 | Structure à capacité améliorée |
Publications (3)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2016535441A JP2016535441A (ja) | 2016-11-10 |
| JP2016535441A5 true JP2016535441A5 (ja) | 2017-12-14 |
| JP6543622B2 JP6543622B2 (ja) | 2019-07-10 |
Family
ID=50543103
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2016525580A Active JP6543622B2 (ja) | 2013-10-29 | 2014-10-29 | 改良型コンデンサを有する構造 |
Country Status (7)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US10497582B2 (ja) |
| EP (1) | EP3063789B1 (ja) |
| JP (1) | JP6543622B2 (ja) |
| CN (1) | CN105706234B (ja) |
| FR (1) | FR3012664B1 (ja) |
| TW (1) | TWI689071B (ja) |
| WO (1) | WO2015063420A1 (ja) |
Families Citing this family (50)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US9818689B1 (en) * | 2016-04-25 | 2017-11-14 | Globalfoundries Inc. | Metal-insulator-metal capacitor and methods of fabrication |
| EP3296727B1 (en) * | 2016-09-19 | 2019-04-17 | Murata Integrated Passive Solutions | Electrical stimulation and monitoring device |
| EP3327806B1 (en) * | 2016-11-24 | 2021-07-21 | Murata Integrated Passive Solutions | Integrated electronic component suitable for broadband biasing |
| RU2629364C1 (ru) * | 2016-12-07 | 2017-08-29 | Федеральное государственное автономное образовательное учреждение высшего образования "Национальный исследовательский университет "Московский институт электронной техники" | Суперконденсатор на основе кмоп-технологии |
| JP6802536B2 (ja) | 2017-03-24 | 2020-12-16 | 株式会社村田製作所 | キャパシタ |
| EP3428955A1 (en) * | 2017-07-10 | 2019-01-16 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | Substrates employing surface-area amplification, for use in fabricating capacitive elements and other devices |
| JP2019114595A (ja) | 2017-12-21 | 2019-07-11 | ソニーセミコンダクタソリューションズ株式会社 | 半導体装置およびその製造方法 |
| EP3556910B1 (en) | 2018-04-20 | 2023-10-04 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | Semiconductor device having porous region embedded structure and method of manufacture thereof |
| CN112119512A (zh) * | 2018-05-11 | 2020-12-22 | 株式会社村田制作所 | 多孔区域结构及其制造方法 |
| EP3567645A1 (en) | 2018-05-11 | 2019-11-13 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | Porous region structure and method of manufacture thereof |
| JP7178187B2 (ja) | 2018-06-27 | 2022-11-25 | 太陽誘電株式会社 | トレンチキャパシタ |
| WO2020080993A1 (en) * | 2018-10-18 | 2020-04-23 | Smoltek Ab | Discrete metal-insulator-metal (mim) energy storage component and manufacturing method |
| EP3656734A1 (en) | 2018-11-23 | 2020-05-27 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | Nanowire structure enhanced for stack deposition |
| EP3675166A1 (en) * | 2018-12-26 | 2020-07-01 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | Rc components, and methods of fabrication thereof |
| EP3680934A1 (en) * | 2019-01-08 | 2020-07-15 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | Rc architectures, and methods of fabrication thereof |
| EP3680931B1 (en) * | 2019-01-08 | 2022-11-16 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | Method for forming product structure having porous regions and lateral encapsulation |
| WO2020162459A1 (en) * | 2019-02-04 | 2020-08-13 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | Capacitor |
| FR3093592B1 (fr) * | 2019-03-04 | 2021-05-07 | St Microelectronics Tours Sas | Circuit intégré comportant un condensateur tridimensionnel |
| EP3723148A1 (en) | 2019-04-08 | 2020-10-14 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | Three-dimensional capacitive structures and their manufacturing methods |
| EP3795721B1 (en) | 2019-09-19 | 2023-07-19 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | Nanowire structure to form an array of isolated capacitors, and associated manufacturing methods |
| EP3799084B1 (en) | 2019-09-30 | 2023-05-03 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | Nanomagnetic inductor cores, inductors and devices incorporating such cores, and associated manufacturing methods |
| JPWO2021079566A1 (ja) * | 2019-10-24 | 2021-04-29 | ||
| TWI737087B (zh) * | 2019-12-19 | 2021-08-21 | 力晶積成電子製造股份有限公司 | 半導體結構及其製造方法 |
| EP3849286A1 (en) | 2020-01-09 | 2021-07-14 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | Electronic device with differential transmission lines equipped with 3d capacitors supported by a base, and corresponding manufacturing method |
| EP3886162A1 (en) | 2020-03-26 | 2021-09-29 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | Contact structures in rc-network components |
| EP3886163A1 (en) | 2020-03-26 | 2021-09-29 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | Contact structures in rc-network components |
| TW202141805A (zh) * | 2020-04-17 | 2021-11-01 | 瑞典商斯莫勒科技公司 | 具有分層堆疊的金屬-絕緣體-金屬(mim)能量儲存裝置及製造方法 |
| EP3901997A1 (en) | 2020-04-22 | 2021-10-27 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | Electrical device for characterizing a deposition step such as atomic layer deposition (ald), and corresponding methods of fabricating and characterizing |
| EP3929981A1 (en) | 2020-06-25 | 2021-12-29 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | Semiconductor structure with selective bottom terminal contacting |
| EP3929947A1 (en) | 2020-06-26 | 2021-12-29 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | Method of fabricating a device comprising an electrical component with sub components connected using a plate to control an electrical parameter |
| EP3940804A1 (en) | 2020-07-13 | 2022-01-19 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | A device comprising an anodic porous region surrounded by a trench having an electrical isolation barrier, and corresponding method |
| CN112151536B (zh) * | 2020-08-17 | 2022-04-12 | 复旦大学 | 一种纳米电容三维集成结构及其制备方法 |
| KR20220033130A (ko) * | 2020-09-09 | 2022-03-16 | 삼성전자주식회사 | 이미지 센서 |
| CN112151539B (zh) * | 2020-09-10 | 2022-04-26 | 复旦大学 | 一种高存储容量纳米电容三维集成结构及其制备方法 |
| CN112201655B (zh) * | 2020-09-10 | 2022-04-29 | 复旦大学 | 一种纳米电容三维集成结构及其制作方法 |
| EP3992999A1 (en) | 2020-10-30 | 2022-05-04 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | An electrical device comprising a capacitor wherein the dielectric comprises anodic porous oxide, and the corresponding manufacturing method |
| EP4009340B1 (en) | 2020-12-02 | 2023-06-28 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | Capacitor structure with via embedded in porous medium |
| CN112908993A (zh) * | 2021-01-26 | 2021-06-04 | 复旦大学 | 三维集成结构及其制造方法 |
| US11854959B2 (en) | 2021-03-26 | 2023-12-26 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. | Metal-insulator-metal device with improved performance |
| US20230085846A1 (en) * | 2021-09-21 | 2023-03-23 | Qualcomm Incorporated | Three-dimensional (3d) metal-insulator-metal capacitor (mimcap) including stacked vertical metal studs for increased capacitance density and related fabrication methods |
| EP4174219A1 (en) | 2021-11-02 | 2023-05-03 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | Nanowire array structures for integration, products incorporating the structures, and methods of manufacture thereof |
| EP4194591A1 (en) | 2021-12-13 | 2023-06-14 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | A method for manufacturing an electrical device with an anodic porous oxide region delimited by planarizing a stack of materials |
| EP4254449A1 (en) | 2022-03-31 | 2023-10-04 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | An electrical device comprising a 2d planar capacitor and a 3d mim capacitor formed in anodic porous oxide on a substrate |
| EP4376064A1 (en) | 2022-11-25 | 2024-05-29 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | A method for obtaining an integrated device comprising using an etching mask to define dicing lines |
| FR3142602A1 (fr) | 2022-11-30 | 2024-05-31 | Commissariat A L'energie Atomique Et Aux Energies Alternatives | Dispositif électronique |
| EP4383324A1 (en) | 2022-12-08 | 2024-06-12 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | Semiconductor structure and manufacturing method thereof |
| KR20240086344A (ko) * | 2022-12-09 | 2024-06-18 | (주)포인트엔지니어링 | 커패시터 부품 및 이를 구비하는 집적회로 칩 패키지 |
| KR20240086333A (ko) * | 2022-12-09 | 2024-06-18 | (주)포인트엔지니어링 | 커패시터 부품, 이의 제조 방법 및 이를 구비하는 집적회로 칩 패키지 |
| FR3143851A1 (fr) * | 2022-12-19 | 2024-06-21 | Commissariat A L'energie Atomique Et Aux Energies Alternatives | Dispositif électronique |
| EP4389942A1 (en) | 2022-12-22 | 2024-06-26 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | A method of manufacturing an integrated device comprising anodic porous oxide with limited roughness |
Family Cites Families (16)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7642465B2 (en) * | 1994-06-20 | 2010-01-05 | Cooper Technologies Company | Visual latching indicator arrangement for an electrical bushing and terminator |
| US6057571A (en) * | 1998-03-31 | 2000-05-02 | Lsi Logic Corporation | High aspect ratio, metal-to-metal, linear capacitor for an integrated circuit |
| EP1250798A4 (en) * | 1999-12-24 | 2004-11-17 | Siemens Ltd | PORTABLE SYMBOL |
| JP2002299555A (ja) * | 2001-03-30 | 2002-10-11 | Seiko Epson Corp | 集積回路およびその製造方法 |
| DE10126434A1 (de) * | 2001-05-31 | 2002-12-05 | Bayer Ag | Thiochromenone |
| FR2839811A1 (fr) * | 2002-05-15 | 2003-11-21 | St Microelectronics Sa | Condensateur en tranchees dans un substrat avec deux electrodes flottantes et independantes du substrat |
| US7462774B2 (en) * | 2003-05-21 | 2008-12-09 | Nanosolar, Inc. | Photovoltaic devices fabricated from insulating nanostructured template |
| KR100587686B1 (ko) * | 2004-07-15 | 2006-06-08 | 삼성전자주식회사 | 질화 티타늄막 형성방법 및 이를 이용한 커패시터 제조방법 |
| KR100568306B1 (ko) | 2004-07-23 | 2006-04-05 | 삼성전기주식회사 | 박막형 다층 세라믹 캐패시터 및 그 제조방법 |
| US20070232014A1 (en) * | 2006-04-03 | 2007-10-04 | Honeywell International Inc. | Method of fabricating a planar MIM capacitor |
| JP4972502B2 (ja) * | 2006-11-24 | 2012-07-11 | 太陽誘電株式会社 | コンデンサ及びコンデンサの製造方法 |
| US8027145B2 (en) * | 2007-07-30 | 2011-09-27 | Taiyo Yuden Co., Ltd | Capacitor element and method of manufacturing capacitor element |
| US8624105B2 (en) * | 2009-05-01 | 2014-01-07 | Synkera Technologies, Inc. | Energy conversion device with support member having pore channels |
| US8270065B2 (en) * | 2009-07-09 | 2012-09-18 | Shanghai Lexvu Opto Microelectronics Technology Co., Ltd. | Colored electrophoretic display |
| US8912522B2 (en) * | 2009-08-26 | 2014-12-16 | University Of Maryland | Nanodevice arrays for electrical energy storage, capture and management and method for their formation |
| US9076594B2 (en) * | 2013-03-12 | 2015-07-07 | Invensas Corporation | Capacitors using porous alumina structures |
-
2013
- 2013-10-29 FR FR1360555A patent/FR3012664B1/fr active Active
-
2014
- 2014-10-29 JP JP2016525580A patent/JP6543622B2/ja active Active
- 2014-10-29 CN CN201480059035.0A patent/CN105706234B/zh active Active
- 2014-10-29 US US15/033,348 patent/US10497582B2/en active Active
- 2014-10-29 EP EP14825391.7A patent/EP3063789B1/fr active Active
- 2014-10-29 WO PCT/FR2014/052754 patent/WO2015063420A1/fr active Application Filing
- 2014-10-29 TW TW103137386A patent/TWI689071B/zh active
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP2016535441A5 (ja) | ||
| US10497582B2 (en) | Capacitor formed in insulated pores of an anodized metal layer | |
| TWI297951B (en) | Improved interdigitated capacitive structure for an integrated circuit | |
| US10811193B2 (en) | Capacitor component | |
| CN105826166B (zh) | 金属-绝缘体-金属(mim)电容器和形成方法 | |
| US10490356B2 (en) | Capacitor and method of manufacturing the same | |
| GB2567363A (en) | Air gap spacer formation for nano-scale semiconductor devices | |
| RU2015122434A (ru) | Изготовление электродов с сильно развитой трехмерной поверхностью | |
| JP2014057067A5 (ja) | ||
| JP2015170692A (ja) | 半導体装置及びその製造方法 | |
| JP2019527925A5 (ja) | ||
| RU2014134901A (ru) | Емкостной преобразователь, полученный микрообработкой, и способ его изготовления | |
| TWI654781B (zh) | 壓電式層裝置的製造方法以及相關的壓電式層裝置 | |
| CN110164851B (zh) | 三维固态电容器的制造方法、三维固态电容器及电子设备 | |
| US20160064149A1 (en) | Method of producing a super-capacitor | |
| JP2019536274A5 (ja) | ||
| EP3203501A3 (en) | Nonvolatile memory device and method for manufacturing the same | |
| JP2012019205A5 (ja) | ||
| JP2016039215A5 (ja) | ||
| CN115172338A (zh) | 一种图案化衬底、一种电容器 | |
| US11903182B2 (en) | Capacitor and manufacturing method therefor | |
| CN103700645A (zh) | Mom电容及其制作方法 | |
| TWI514448B (zh) | 金屬－絕緣體－金屬電容器及其形成之方法 | |
| JP2017130620A5 (ja) | ||
| CN111987075A (zh) | 三维电容器结构及其制作方法 |