JP2016514372A5 - - Google Patents

Claims (13)

1. デバイスを分析する方法であって、
   基板の堆積面上に活性層を形成する工程と、
   活性層の上に誘電体層を形成する工程と、
   少なくとも誘電体層をエッチングして、誘電体層の少なくとも４０％を除去してエッチングされた誘電体層を生成する工程であって、エッチャントは、誘電体層よりも速く活性層をエッチングする工程と、
   活性層を用いてエッチングされた誘電体層のピンホール密度を光学的に測定する工程を含む方法。
2. デバイスを分析する方法であって、
   基板の堆積面上に活性層を形成する工程であって、活性層はＩＧＺＯを含む工程と、
   活性層の上に誘電体層を形成する工程と、
   少なくとも誘電体層をエッチングして、誘電体層の少なくとも４０％を除去してエッチングされた誘電体層を生成する工程と、
   活性層を用いてエッチングされた誘電体層のピンホール密度を光学的に測定する工程を含む方法。
3. ピンホールを検出する方法であって、
   処理チャンバ内に基板を位置決めする工程であって、基板は、
   活性層と、
   厚さを有する誘電体層を含む工程と、
   ハロゲン含有エッチャントを誘電体層へ送り、誘電体層の厚さを活性層の厚さとほぼ等しくなるようにエッチングする工程であって、活性層の一部が、ハロゲン含有エッチャントによって露出される工程と、
   活性層の露出された部分をエッチングして、１以上のボイド領域を生成する工程と、
   活性層内にボイド領域が無いか基板を検査する工程であって、ボイド領域の各々は、誘電体層内のピンホールに対応する工程を連続して含む方法。
4. 形成時の誘電体層は、活性層の約２倍の厚さを有する、請求項３記載の方法。
5. ハロゲン含有エッチャントは、フッ化水素酸である、請求項３記載の方法。
6. エッチャントは、誘電体層よりも速く活性層をエッチングする、請求項３記載の方法。
7. 検査は、光学的測定である、請求項３記載の方法。
8. 誘電体層は、ＳｉＯ_２、Ａｌ_２Ｏ_３、窒化ケイ素、酸化ハフニウム（ＨｆＯ_ｘ）、酸化チタン（ＴｉＯ_ｘ）、酸化タンタル（ＴａＯ_ｘ）、酸化ジルコニウム（ＺｒＯ_ｘ）、又はそれらの組み合わせを含む、請求項３記載の方法。
9. 活性層は、ＩＧＺＯを含む、請求項３記載の方法。
10. デバイスを分析する方法であって、
    処理チャンバ内に堆積面を有する基板を位置決めする工程と、
    堆積面上にＩＧＺＯ活性層を形成する工程であって、ＩＧＺＯ層は、第１の厚さまで堆積される工程と、
    ＩＧＺＯ活性層の上に酸化ケイ素層を第２の厚さまで形成する工程と、
    ＨＦを含むエッチャントを酸化ケイ素層へ送る工程であって、エッチャントは、酸化ケイ素層の第２の厚さの約５０％を除去し、ＩＧＺＯ活性層の一部が、エッチャントに曝露される工程と、
    ＩＧＺＯ活性層の曝露された部分をエッチングして、１以上のボイド領域を生成する工程と、
    ＩＧＺＯ活性層内でエッチャントによって形成されたボイド領域が無いか基板を検査する工程であって、ボイド領域の各々は、酸化ケイ素層内のピンホールに対応する工程を含む方法。
11. 第１の厚さは、約５００Å〜２０００Åの厚さである、請求項１０記載の方法。
12. 形成時の酸化ケイ素層は、１０００Å〜４０００Åの厚さである、請求項１０記載の方法。
13. ボイド領域は、光学顕微鏡を用いて見ることができる、請求項１０記載の方法。