JP2014502061A5

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Publication number: JP2014502061A5
Application number: JP2013548538A
Authority: JP
Filing date: 2012-01-05
Publication date: 2015-02-12
Anticipated expiration: 2032-01-05

Description

図示された実施形態においては、第１の面１２上、第２の面１４上、及び第１の面１２と第２の面１４との間に延びるエッジ面上にエッチマスク層１６が形成される。後段のエッチプロセス中に選択された場所で基板１０をエッチングできるようにエッチマスク層１６が形成される。この詳細については後述する。一実施形態において、エッチマスク層１６は、後段のエッチプロセス中に基板１０よりも遅い速度でエッチングされ得る材料又は全くエッチングされない材料から形成される。例えば、エッチマスク層１６は、窒化物材料（例えば、窒化ケイ素、窒化ホウ素、オキシ窒化ケイ素など）、酸化物材料（例えば、酸化ケイ素など）、ドーパント材料（例えば、Ｐ、Ａｓ、Ｓｂ、Ｂ、Ｇａ、Ｉｎ、Ａｌなど）を含む基板１０の一部の領域、ポリマー材料（例えば、フォトレジスト、ポリビニルアルコール、ラッカー、ワニス、ワックス、にかわ、インク、染料、顔料、テープ、ポリメタクリル酸メチル、ポリスチレン、界面活性剤など）など、あるいはこれらの任意の組み合わせから任意の好適なプロセスにより形成することができる。しかしながら、他の実施形態においては、エッチマスク層１６を省略することができる。

図示された実施形態においては、第１の面１２から矢印３２により示される方向に沿ってレーザ加工特徴部２２にドライエッチャントを導入することにより第１のエッチプロセスが行われ、第２の面１４から矢印３４により示される方向に沿ってレーザ加工特徴部２２にドライエッチャントを導入することにより第２のエッチプロセスが行われる。しかしながら、第１の面１２及び第２の面１４それぞれから同じ方向に沿ってレーザ加工特徴部２２にドライエッチャントを導入することにより、第１及び第２のエッチプロセスを行うことは理解できよう。例えば、第１の面１２から矢印３２により示される方向に沿ってレーザ加工特徴部２２にドライエッチャントが導入される第１のエッチプロセスを行った後、図３に示される第１の面１２及び第２の面１４の位置が裏返されるか反転されるように任意の好適な方法により基板１０を移動（例えば再配置）することができる。裏返された後、第２の面１４から矢印３２により示される方向に沿ってレーザ加工特徴部２２にドライエッチャントを導入することにより第２のエッチプロセスを行うことができる。

Claims

基板内に開口を形成する方法であって、
第１の面と、該第１の面と反対側の第２の面とを有する基板を用意し、
前記基板にレーザビームを照射して前記基板を貫通し側壁を有する開口を形成し、
前記基板の前記第１の面及び前記第２の面から前記開口にエッチャントを導入し、前記側壁を前記エッチャントでエッチングして前記開口の少なくとも１つの特性を変化させる、
方法。
前記エッチャントはドライエッチャントを含む、請求項１の方法。
前記ドライエッチャントは、フルオロカーボン化合物、酸素化合物、塩素化合物、又は四塩化ホウ素化合物のいずれかである、請求項２の方法。
前記ドライエッチャントは、二フッ化キセノンを含む、請求項３のシステム。
前記エッチングの際に、
前記エッチャントを前記基板の前記第１の面から前記開口に導入する第１のエッチプロセスを行い、
前記エッチャントを前記基板の前記第２の面から前記開口に導入する第２のエッチプロセスを行う、
請求項１の方法。
前記エッチングの際に、前記第１のエッチプロセスの少なくとも一部と前記第２のエッチプロセスの少なくとも一部を同時に行う、請求項５の方法。
前記エッチングの際に、前記第１のエッチプロセスの少なくとも一部と前記第２のエッチプロセスの少なくとも一部を異なる時点で行う、請求項５の方法。
前記エッチングの際に、前記第１のエッチプロセスと前記第２のエッチプロセスとの間に前記基板を移動させる、請求項５の方法。
前記基板を移動させる際に、前記基板を裏返す、請求項８の方法。
前記少なくとも１つの特性は前記側壁の表面粗さである、請求項１の方法。
前記開口は定義可能なテーパを有し、前記エッチャントは前記定義可能なテーパを変化させる、請求項１の方法。
前記少なくとも１つの特性は前記開口の断面プロファイルである、請求項１の方法。
前記開口はアスペクト比を有し、前記エッチャントは前記アスペクト比を変化させる、請求項１の方法。
前記基板は半導体基板である、請求項１の方法。
前記基板は、ガラス、サファイア、ＳｉＣ、ＧａＮ、ＧａＡｓ、又はＩｎＰを含む、請求項１の方法。
前記開口は、前記レーザビームの前記基板との相互作用により堆積したデブリを含み、
エッチ加工システムは、前記開口から前記デブリを除去可能である、
請求項１の方法。
前記レーザビームの前記基板との相互作用によりデブリが前記基板の前記第１の面又は前記第２の面に堆積し、
エッチ加工システムは、前記基板の前記第１の面又は前記第２の面から前記デブリを除去可能である、
請求項１の方法。
前記レーザビームの前記基板との相互作用によりデブリが前記基板の前記第１の面及び前記第２の面に堆積し、
エッチ加工システムは、前記基板の前記第１の面及び前記第２の面から前記デブリを除去可能である、
請求項１の方法。
前記基板は、マスクされていない状態でエッチングされる、請求項１の方法。
前記レーザは、トレパンにより前記開口を形成可能である、請求項１の方法。
前記エッチングは、エッチチャンバ内で行われ、
前記第１のエッチプロセスと前記第２のエッチプロセスとの間で前記基板が前記エッチチャンバ内で裏返される、
請求項５の方法。
第１の面と第２の面とを有する基板内に開口を形成するためのシステムであって、
前記基板にレーザビームを照射して前記基板を貫通する開口を形成するレーザと、
前記基板を収容するように構成されたエッチチャンバを有するエッチ加工システムであって、前記基板の前記第１の面及び前記第２の面から前記開口に、前記開口に隣接する基板の少なくとも一部を除去するように構成されたエッチャントを導入するように構成されたエッチ加工システムと、
を備えたシステム。
前記エッチャントはドライエッチャントを含む、請求項２２のシステム。
前記エッチ加工システムは、
前記エッチャントを前記基板の前記第１の面から前記開口に導入する第１のエッチプロセスを行い、
前記エッチャントを前記基板の前記第２の面から前記開口に導入する第２のエッチプロセスを行う
ように構成されている、請求項２２のシステム。
前記エッチ加工システムは、さらに、前記第１のエッチプロセスの少なくとも一部と前記第２のエッチプロセスの少なくとも一部を同時に行うように構成される、請求項２４のシステム。
前記エッチ加工システムは、さらに、前記第１のエッチプロセスの少なくとも一部と前記第２のエッチプロセスの少なくとも一部を異なる時点で行うように構成される、請求項２４のシステム。
前記エッチ加工システムは、前記第１のエッチプロセスと前記第２のエッチプロセスとの間に前記基板を前記エッチチャンバ内で裏返すように構成される、請求項２４のシステム。