CN103348450B - 用于在衬底中形成孔径的装置和方法 - Google Patents

Abstract

一种在具有第一侧和与所述第一侧相对的第二侧的衬底中形成孔径的方法包括用激光束照射所述衬底以在所述衬底内形成激光加工特征件并具有侧壁。用蚀刻剂蚀刻所述侧壁以改变所述激光加工特征件的至少一个特性。所述蚀刻可包括将所述蚀刻剂从所述衬底的所述第一侧和所述第二侧引入所述激光加工特征件。还公开了一种用于形成孔径的装置和系统。

Description

用于在衬底中形成孔径的装置和方法

相关申请案的交叉引用

本申请案要求于2011年1月5日提交的美国临时申请序列号61/430,045的权益。

背景技术

如本文示例性地描述的本发明的实施方案一般涉及用于在衬底中形成孔径的装置和方法。更具体而言，本发明的实施方案涉及能够通过处理激光加工特征件而有效地形成孔径的装置和方法。

众所周知，许多半导体制造应用需要使用“硅通孔”。通常，硅通孔或（TSV）是延伸通过硅衬底的垂直通道，其可被涂层或用导电材料填充以允许电流或热从衬底的一侧流到另一侧。可通过各种方法形成TSV。例如，可在干法蚀刻工艺期间形成TSV，其中在真空条件下活性气体蚀刻衬底。然而，干法蚀刻工艺可产生具有侧壁的TSV，该侧壁具有不良的扇形表面轮廓。为了避免扇形表面轮廓，干法蚀刻工艺通常显著减缓或TSV经受额外的处理（例如，涂层工艺和蚀刻工艺）。还可使用激光器来形成TSV，其中激光束加热和烧蚀衬底。然而，激光打孔通常产生具有侧壁的TSV，该侧壁具有不均匀的成分和晶体结构，以及不良的粗糙表面轮廓。已提出大量工艺（包括干法蚀刻工艺和湿法蚀刻工艺）来解决由激光打孔引起的有害影响。然而，此类工艺已限制了效益，因为它们不产生具有许多期待特性（例如，足够平滑的侧壁和可控的纵横比、锥度、入口直径、出口直径和横截面轮廓）的TSV。

发明内容

在一个实施方案中，一种在衬底中形成孔径的方法包括提供具有第一侧和与第一侧相对的第二侧的衬底；用激光束照射衬底以在衬底内形成激光加工特征件，其中激光加工特征件具有侧壁；以及用蚀刻剂蚀刻侧壁以改变激光加工特征件的至少一个特性，其中蚀刻包括将蚀刻剂从衬底的第一侧和第二侧引入激光加工特征件。

在另一个实施方案中，一种用于在具有第一侧和与第一侧相对的第二侧的衬底内形成孔径的系统包括：激光器，其被构造来用激光束照射衬底以在衬底内形成激光加工特征件；和蚀刻处理系统，其具有被构造来容纳衬底的蚀刻室，蚀刻处理系统被构造来将蚀刻剂从衬底的第一侧和第二侧引入激光加工特征件，蚀刻剂被构造来移除邻近于激光加工特征件的至少一部分衬底。

附图说明

图1是示意性地图示根据一个实施方案的衬底的横截面图。

图2是示意性地图示在图1所示的衬底中形成激光加工特征件的方法的一个实施方案的横截面图。

图3是示意性地图示处理在图2所示的激光加工特征件以形成孔径的方法的一个实施方案的横截面图。

图4至图8是示意性地图示可根据一些实施方案形成的孔径的横截面图。

图9是示意性地图示被构造来在衬底中形成孔径的装置的一个实施方案。

具体实施方式

以下结合附图更全面地描述本发明，其中示出本发明的示例性实施方案。然而，本发明可以许多不同形式体现且不应被理解为限制本文所阐述的实施方案。而是提供这些实施方案使得本公开将是全面的和完整的，以及将更全面地向本领域技术人员传达了本发明的范围。在附图中，为了清楚起见，可扩大图层和区域的尺寸和相对尺寸。

应理解，虽然在本文可使用术语第一、第二、第三等来描述各种元件、组件、区域、集合、端、路径等，但是这些元件、组件、区域、集合不应被这些术语限制。这些术语仅用来将一个元件、组件、区域、集合、端、路径等与另一元件、组件、区域、集合、端、路径等区分开来。因此，在不脱离本文提供的教导的前提下，以下论述的第一元件、组件、区域、集合、端、路径等均可被称为第二元件、组件、区域、集合、端、路径等。

本文所使用的术语是仅为描述特定示例性实施方案的目的且不旨在限制本发明。如本文所使用，单数形式“一个（a，an）”和“所述”也旨在包括复数形式，除非文中另有明确规定。还应理解，术语“包括（comprises和/或comprising）”用于该说明书时指明存在所阐述的特征件、整数、步骤、操作、元件和/或组件，但不排除存在或增加一个或多个其它特征件、整数、步骤、操作、元件、组件、端、路径和/或其群组。

图1是示意性地图示根据一个实施方案的衬底的横截面图。

参考图1，可提供具有上侧（也称为“第一侧”）12和下侧（也称为“第二侧”）14的衬底10。衬底10可由诸如硅的材料形成。在一个实施方案中，衬底10作为掺杂硅衬底或无掺杂硅衬底（例如，单晶硅衬底、多晶硅衬底等）被提供。在一个实施方案中，衬底10作为插入式衬底被提供。如在本领域中已知，插入式衬底使（例如，在电子封装件中）两个设备或芯片之间能够进行（例如，电的、光学的等或其组合的）通信。然而，在其它实施方案中，衬底10可作为衬底、半导体管芯、工件等被提供。还在其它实施方案中，衬底10可由一个或多个诸如玻璃、蓝宝石、SiC、GaN、GaAs、InP等的材料形成。位于第一侧12和第二侧14的衬底10的厚度可在约15到约1500μm的范围内。在所图示的实施方案中，第一侧12和第二侧14是空的（即，诸如设备、导电线等的组件没有出现在每一侧上）。在其它实施方案中，一个或多个组件（例如，设备，导电线等）可形成于第一侧12、第二侧14或其组合上。

在所图示的实施方案中，蚀刻掩模层16在第一侧12上、第二侧14上和在第一侧12和第二侧14之间延伸的边缘侧上形成。形成蚀刻掩模层16以允许衬底10在随后的蚀刻工艺期间于所选择的位置处被蚀刻，这将在以下进行更详细的论述。在一个实施方案中，蚀刻掩模层16由可在随后的蚀刻工艺期间以慢于衬底10被蚀刻的速率而被蚀刻或完全不被蚀刻的材料形成。例如，蚀刻掩模层16可通过任何适合工艺由以下项形成：氮化物材料（例如，氮化硅、氮化硼、氮氧化硅等）、氧化物材料（例如，氧化硅等）、含有掺杂材料（例如，P、As、Sb、B、Ga、In、Al等）的衬底10的区域、聚合物材料（例如，光刻胶、聚乙烯醇、涂漆、清漆、蜡、胶、油墨、染料、颜料、捲尺、聚（异丁烯酸甲酯）、聚苯乙烯、表面活性剂等）或其任何组合。然而，在其它实施方案中，可省略蚀刻掩模层16。

图2是示意性地图示在图1中示出的衬底中形成激光加工特征件的方法的一个实施方案的横截面图。

参考图2，在激光打孔工艺（例如，钻孔机机激光打孔工艺、冲击激光打孔工艺等或其组合）期间，用激光束20照射衬底10以形成激光加工特征件22。如示例性图示，激光加工特征件22是通孔。然而，将认识到，激光加工特征件22还可作为对准特征件等来被提供。在图示的实施方案中，执行激光打孔工艺，使得用激光束20依次照射衬底10的第一侧12上的蚀刻掩模层16的一部分、衬底10和衬底10的第二侧14上的蚀刻掩模层16的一部分以形成激光加工特征件22。在一个实施方案中，激光打孔工艺可使用一种或多种辅助气体（例如，氧气、氮气等或其组合）和/或水以在激光打孔工艺期间提高对衬底10的材料移除和/或在激光打孔工艺期间冷却衬底10。

一般而言，可通过调整激光打孔工艺的一个或多个参数来影响激光加工特征件22的特性，诸如纵横比、入口直径（即，在邻近于第一侧12的位置处的激光加工特征件22的直径d1）、出口直径（即，在邻近于第二侧12的位置处的激光加工特征件22的直径d2）、锥度（即，出口直径与入口直径的比率）、纵横比（即，特征件长度与特征件宽度的比率）和横截面轮廓。可调整的激光打孔工艺的参数的实例包括，例如，焦平面位置、激光脉冲能、激光脉冲宽度、激光脉冲时间波形、激光脉冲重复率、激光脉冲数量、激光光斑尺寸、波长等。入口直径d1和出口直径d2可在约1μm到约500μm的范围内。在所图示的实施方案中，出口直径d2小于入口直径d1。然而，在另一实施方案中，出口直径d2可等于入口直径d1。因此，激光加工特征件22的横截面轮廓可以是锥形的（如所图示）或垂直的。一般而言，激光加工特征件22的纵横比在约1:1到约50:1之间的范围内。例如，激光加工特征件22的纵横比可在2:1到50:1之间的范围内。在一个实施方案中，激光加工特征件22的纵横比是约20:1。

在激光打孔工艺期间，激光束20照射（例如，衬底10的或蚀刻掩模层16的）材料以气体、液体以及可能固体的形式从其原始位置排出。随着激光打孔工艺通过衬底10，排出的材料可冷却并且粘附到先前已通过激光打孔工艺形成的表面。因此，激光加工特征件22的侧壁24可以是不良的粗糙。也在激光打孔工艺期间，邻近于激光束20照射的区域的衬底10的部分可变热，从而创建由回流衬底材料、非晶衬底材料、多晶衬底材料、再结晶衬底材料等形成的“热影响区”或（HAZ）26。衬底10的HAZ26还可包括高应力区域、裂缝或其它热感应特征件。因此，HAZ26可从激光加工特征件22的侧壁24延伸一段距离进入衬底10。当衬底10由硅材料形成时，HAZ26可由硅材料、熔化硅、回流硅、重铸硅、再结晶硅、多晶硅、非晶硅等或其组合形成。

图3是示意性地图示处理在图2所示的激光加工特征件以形成孔径的方法的一个实施方案的横截面图。图4至图8是示意性地图示可根据一些实施方案形成的孔径的横截面图。

参考图3，在形成激光加工特征件22之后，侧壁24可在蚀刻工艺期间被蚀刻，使得HAZ26至少部分地被移除以形成诸如孔径30的孔径。然而，在另一实施方案中，HAZ26可在蚀刻工艺期间被完全移除。如以下将进行更详细的论述，在蚀刻工艺期间可改变激光加工特征件22的一个或多个特性（例如，侧壁24的表面粗糙度、入口直径d1、出口直径d2、锥度、纵横比、横截面轮廓等）以产生孔径30。

蚀刻工艺包括多个蚀刻工艺（例如，包括一个或多个干法蚀刻工艺、一个或多个湿法蚀刻工艺或其组合），其中蚀刻剂用于蚀刻激光加工特征件22的侧壁24。在一个实施方案中，使用第一蚀刻工艺和第二蚀刻工艺蚀刻激光加工特征件22的侧壁24。在第一蚀刻工艺中，将蚀刻剂从衬底10的第一侧12引入激光加工特征件22。在第二蚀刻工艺中，将蚀刻剂从衬底10的第二侧14引入激光加工特征件22。在第一和第二蚀刻工艺中使用的蚀刻剂可包括干蚀刻剂（例如，蚀刻剂气体）、湿蚀刻剂（例如，蚀刻剂溶液）或其组合。在第一蚀刻工艺中使用的蚀刻剂可与在第二蚀刻工艺中使用的蚀刻剂相同或不同。

在一个实施方案中，可在第二蚀刻工艺之前、期间或之后执行第一蚀刻工艺。因此，可在将干蚀刻剂从第二侧14引入激光加工特征件22之前、时或之后将干蚀刻剂从第一侧12引入激光加工特征件22。在一个实施方案中，当将干蚀刻剂从第一侧12和第二侧14的另一方引入激光加工特征件22时，将干蚀刻剂连续地或间歇地从第一侧12和第二侧14中的一个引入激光加工特征件22。

在所图示的实施方案中，通过将干蚀刻剂从第一侧12沿着箭头32指示的方向引入激光加工特征件22而执行第一蚀刻工艺，以及通过将干蚀刻剂从第一侧12沿着箭头34指示的方向引入激光加工特征件22而执行第二蚀刻工艺。然而，将认识到，可通过将干蚀刻剂分别从第一侧12和第二侧14但沿着相同的方向引入激光加工特征件22而执行第一和第二蚀刻工艺。例如，在执行第一蚀刻工艺（其中将干蚀刻剂从第一侧12沿着箭头32指示的方向引入激光加工特征件22）之后，可以任何适合的方式移动（例如，重定向）衬底10，使得在图3图示的第一侧12和第二侧14的部分可以被翻转或倒转。在翻转之后，可执行第二蚀刻工艺以将干蚀刻剂从第二侧14沿着箭头32指示的方向引入激光加工特征件22。

可通过调整所采用的第一和第二蚀刻工艺中的一个或两者的一个或多个参数来影响第一和第二蚀刻工艺的蚀刻速率以及对激光加工特征件22的影响和因此产生的孔径的特性。可调整的第一和第二蚀刻工艺的参数（在本文中也称为“干法蚀刻参数”）包括，例如，干蚀刻剂的成分、激光加工特征件22内的干蚀刻剂的流率、干蚀刻剂的温度、第一和/或第二蚀刻工艺的持续时间、在第一和/或第二蚀刻工艺期间衬底10和蚀刻剂源（例如，蚀刻剂气体喷头、蚀刻剂溶液喷嘴等）之间的距离等或其组合。

在第一和第二蚀刻工艺中使用的干蚀刻剂可包含，例如，碳氟化合物、氧气、氯气、四氯化二硼化合物等或其组合。在一个实施方案中，干蚀刻剂包括蚀刻剂气体，诸如二氟化氙（XeF₂）。可选地，载送气体（例如，氦气、氩气、氮气等或其组合）可用来夹带以帮助将干蚀刻剂输送至激光加工特征件22中。

在执行第一和第二蚀刻工艺之后，可从衬底10移除蚀刻掩模层16。在一个实施方案中，可在蚀刻工艺之前执行可选的预清洁工艺，以便移除在激光打孔工艺期间形成的激光加工特征件22内发现的碎屑。

通过蚀刻如上所描述的激光加工特征件22的侧壁24，可改变激光加工特征件22的一个或多个特性（例如，侧壁24的表面粗糙度、入口直径d1、出口直径d2、锥度、纵横比、横截面轮廓等）以形成具有一个或多个期待特性的孔径。可选择一个或多个干法蚀刻参数来影响通过蚀刻工艺产生的孔径的一个或多个特性（例如，锥度、入口直径、出口直径、横截面轮廓、纵横比、表面粗糙度等）。将认识到，激光加工特征件22的特性还可影响干法蚀刻参数如何影响通过蚀刻工艺产生的孔径的一个或多个特性。因此，可选择激光打孔工艺的参数来影响通过蚀刻工艺产生的孔径的一个或多个特性。

在一个实例中，可选择一个或多个干法蚀刻参数来影响孔径的入口直径、出口直径和/或表面粗糙度，而不显著影响孔径的横截面轮廓。因此，可改变激光加工特征件22的入口直径、出口直径和表面粗糙度以产生具有期望的入口直径、出口直径和/或表面粗糙度的孔径（诸如孔径30）且可在孔径30中保留激光加工特征件22的横截面轮廓。如本文所使用，如果激光加工特征件22和孔径两者均具有相同类型的横截面轮廓，那么在孔径中保留激光加工特征件22的横截面轮廓。当孔径的横截面轮廓与激光加工特征件22的横截面轮廓不是同一类型时，在孔径中不保留激光加工特征件22的横截面轮廓。将认识到，可根据需要来选择第一蚀刻工艺和第二蚀刻工艺的一个或多个干法蚀刻参数以确保孔径的横截面轮廓与激光加工特征件22的横截面轮廓类不是同一类型。

横截面轮廓的类型的实例包括锥形（例如，其中孔径30具有基本上笔直的侧壁32和小于100%或大于100%的锥度，如图3中示例性示出）、垂直状（例如，其中孔径40具有基本上笔直的侧壁42和至少基本上为100%的锥度，如图4中示例性示出）、单扇形（例如，其中孔径50包括具有邻近于第一侧12或邻近于第二侧14的凹形部分的侧壁52，如图5中示例性示出）、双扇形（例如，其中孔径60包括具有邻近于第一侧12的凹形部分的侧壁52和邻近于第二侧14的侧壁62，如图6中示例性地示出）、凹槽状（例如，其中孔径70包括具有邻近于第一侧12或邻近于第二侧14的凹形部分的侧壁72，如图7中示例性示出）、沙漏状（例如，其中孔径80包括具有邻近于第一侧12的凹形部分的侧壁72和具有邻近于第二侧14的凹形部分的侧壁82，如图8中示例性示出）以及这些轮廓的组合（例如，具有诸如邻近于第一侧12的侧壁52的侧壁部分和诸如邻近于第二侧14的侧壁42的侧壁部分的孔径，如图5中示出）。将认识到，可根据需要选择第一蚀刻工艺和第二蚀刻工艺的一个或多个干法蚀刻参数以确保孔径的横截面轮廓与激光加工特征件22的横截面轮廓不是同一类型。

在另一实例中，可选择第一和第二蚀刻工艺中的每一个的上述干法蚀刻参数中的一个或多个以产生具有大于50%的锥度的孔径。例如，孔径的锥度可大于60%且小于100%。然而，在另一实例中，孔径的锥度可大于100%。

在另一实例中，可选择上述干法蚀刻参数中的一个或多个以产生具有大于激光加工特征件22的相应入口直径d1和出口直径d2的入口直径和出口直径的孔径。例如，通过第一和第二蚀刻工艺产生的孔径的入口直径和出口直径中的一个或两者可小于约25μm且大于激光加工特征件22的相应入口直径d1和出口直径d2。在一个实施方案中，通过第一和第二蚀刻工艺产生的孔径的入口直径和出口直径中的一个或两者可小于20μm且大于激光加工特征件22的相应入口直径d1和出口直径d2。在另一实施方案中，通过第一和第二蚀刻工艺产生的孔径的入口直径和出口直径中的一个或两者可小于4μm且大于激光加工特征件22的相应入口直径d1和出口直径d2。

在另一实例中，可选择上述干法蚀刻参数中的一个或多个以产生具有比激光加工特征件22的侧壁平滑的侧壁的孔径。

图9是被构造来在衬底中形成孔径的装置的一个实施方案的示意图。

参考图9，装置（诸如装置90）包括激光处理系统92和蚀刻处理系统94。虽然未示出，激光处理系统92一般可包括被构造来产生激光束的激光器、定义光学路径的光学和被构造来容纳和固定衬底10的夹盘。

蚀刻处理系统94可包括：一个或多个蚀刻室；一个或多个蚀刻剂引入系统（例如，放置于蚀刻室内且耦接至蚀刻室外的蚀刻剂气体源的蚀刻剂气体喷头）；一个或多个载送气体引入系统，其被构造来将载送气体引入蚀刻室中；衬底支撑系统（例如，夹盘），其被构造来在第一和第二蚀刻工艺期间支撑衬底；和用于监测和/或控制被引入蚀刻室中的干蚀刻剂和/或载送气体的温度、流速、成分等的其它组件或其组合。

在一个实施方案中，衬底10可以被翻转、旋转、重定向或如上所描述地被移到蚀刻室（例如，衬底搬运机械手等）外。在另一实施方案中，衬底10可被翻转、旋转、重定向或如上所描述地被移到蚀刻室内的上方。因此，在这样的实施方案中，衬底支撑系统可被构造来翻转、旋转、重定向或移动以适合翻转、旋转、重定向或移动蚀刻室内的衬底10的任何方式支撑衬底10的夹盘。在这样的实施方案中，可通过从相同的蚀刻剂引入系统引入干蚀刻剂来执行第一和第二蚀刻工艺。或者在这样的实施方案中，可通过从不同的蚀刻剂引入系统引入干蚀刻剂来执行第一和第二蚀刻工艺，其中不同的蚀刻剂引入系统中的每一个均被放置在位于衬底10的同一侧上的蚀刻室内（例如，衬底10的上方或衬底10的下方）。

在用第二蚀刻工艺的至少一部分（例如，使得衬底10不需要被翻转、旋转、重定向或在第一和第二蚀刻工艺之间移动）来同时执行第一蚀刻工艺的一部分的实施方案中，衬底支撑系统可被构造来支撑衬底10（例如，在其外围区域）使得干蚀刻剂可从衬底10的第一侧12和第二侧14（例如，分别从放置在第一侧12的上方的第一蚀刻剂引入系统和从放置在第二侧14的下方的第二蚀刻剂引入系统）流入激光加工特征件22中。

以上已对各种装置和方法进行描述，将认识到，本发明的实施方案可以不同形式被实现和实践。一般而言，随着与干蚀刻剂源（例如，喷头）的距离增加，干蚀刻剂的蚀刻速率减小。因此，通过将蚀刻剂（例如，干蚀刻剂）从衬底10的第一侧12和第二侧14引入激光加工特征件22来蚀刻激光加工特征件22（例如，经由以上描述的第一和第二蚀刻工艺），干蚀刻剂的每个蚀刻速率中的距离依赖降低可被最小化。因而，第一和第二蚀刻工艺可从激光加工特征件22形成孔径，第一和第二蚀刻工艺快于将干蚀刻剂仅从衬底10的一侧引入激光加工特征件22的常规蚀刻工艺。此外，第一和第二蚀刻工艺可用来移除在激光打孔工艺期间沉积在衬底10的第一侧12和/或第二侧14上的碎屑。将认识到，本文示例性地描述的装置和方法可并入衬底处理系统内，包括例如旋涂站、激光打孔站、自旋清洁站、干法蚀刻站、干法蚀刻室等或其组合。

以上已对各种装置和方法进行描述，将认识到，本发明的实施方案可以不同形式被实现和实践。在一个示例性实施方案中，可提供一种用于使用具有激光器的激光处理系统来在具有顶侧和底侧的衬底中形成孔径的改进方法，其中激光处理系统配备有具有干蚀刻剂的蚀刻室。可使用激光形成激光加工特征件并且可使用来自衬底的顶侧和底侧的蚀刻剂来蚀刻激光加工特征件，从而形成孔径。在该示例性实施方案中，蚀刻室可允许翻转衬底。

在另一示例性实施方案中，可提供一种用于使用具有激光器的激光处理系统来在具有顶侧和底侧的衬底中形成孔径的改进系统，其中蚀刻室具有干蚀刻剂并且蚀刻室可操作以允许使用干蚀刻剂激光加工衬底的顶侧和底侧以及蚀刻激光加工衬底的顶侧和底侧。在该示例性实施方案中，蚀刻室可允许翻转衬底。

在又一示例性实施方案中，可提供一种通过具有激光器和具有干蚀刻剂的蚀刻室的激光处理系统来在具有顶侧和底侧的衬底中形成孔径的改进工艺，其中使用激光在衬底中形成激光加工特征件并且可使用干蚀刻剂蚀刻激光加工特征件（例如，从衬底的顶侧和底侧）以形成孔径。在该示例性实施方案中，蚀刻室可允许翻转衬底。

以上是对本发明的实施方案的说明且不应被理解为限制本发明的实施方案。虽然已对本发明的一些示例性实施方案进行描述，但是本领域技术人员将容易认识到，在不实质上脱离本发明的新颖教导和优点的前提下，在示例性实施方案中可能存在许多修改。因此，所有的此类修改均旨在包括于如权利要求书中所定义的本发明的范围内。因此，应理解，以上是对本发明的说明且不应被理解为限制所公开的本发明的特定示例性实施方案，以及对所公开的示例性实施方案和其它实施方案所进行的修改均旨在包括于随附权利要求的范围内。本发明由以下权利要求书（其中将包括权利要求书的等同物）定义。

Claims (15)

1.一种在衬底内形成孔径的方法，所述方法包括：

提供具有第一侧和与所述第一侧相对的第二侧的衬底；

使用激光束照射所述衬底以形成孔径穿透所述衬底，所述孔径具有侧壁；以及

使用蚀刻剂蚀刻所述侧壁以改变所述孔径的至少一个特性，其中所述蚀刻包括将所述蚀刻剂从所述衬底的所述第一侧和所述第二侧引入所述孔径中，其中所述蚀刻包括：

执行包括将所述蚀刻剂从所述衬底的所述第一侧引入所述孔径中的第一蚀刻工艺；以及

执行包括将所述蚀刻剂从所述衬底的所述第二侧引入所述孔径中的第二蚀刻工艺，其中所述第一蚀刻工艺和所述第二蚀刻工艺是不同的步骤在不同时间执行。

2.根据权利要求1所述的方法，其中所述蚀刻剂包括干蚀刻剂；以及其中所述衬底是在未掩膜状态下被蚀刻。

3.根据权利要求2所述的方法，其中所述干蚀刻剂是碳氟化合物、氧气、氯气或四氯化二硼化合物中的一个。

4.根据权利要求2所述的方法，其中所述干蚀刻剂包括二氟化氙。

5.根据权利要求1所述的方法，其中所述蚀刻包括在所述第一蚀刻工艺和所述第二蚀刻工艺之间移动所述衬底。

6.根据权利要求5所述的方法，其中移动所述衬底包括翻转所述衬底。

7.根据权利要求1所述的方法，其中所述至少一个特性包括所述侧壁的表面粗糙度。

8.根据权利要求1所述的方法，其中所述孔径具有纵横比，以及其中所述蚀刻改变可定义的锥度。

9.根据权利要求1所述的方法，其中所述至少一个特性包括所述孔径的横截面轮廓。

10.根据权利要求1所述的方法，其中所述孔径具有纵横比，以及其中所述蚀刻改变所述纵横比。

11.根据权利要求2所述的方法，其中所述衬底是玻璃、蓝宝石或半导体衬底，其中所述激光束和所述衬底的交互作用造成碎屑被沉积在所述衬底的所述第一侧或第二侧上；并且其中蚀刻步骤从所述衬底的所述第一侧或第二侧移除所述碎屑。

12.根据权利要求11所述的方法，其中所述半导体衬底为SiC、GaN、GaAs或InP。

13.一种用于在具有第一侧和第二侧的衬底内形成孔径的系统，所述系统包括：

激光器，其被构造来使用激光束照射所述衬底以形成孔径穿透所述衬底；以及

蚀刻处理系统，其具有被构造来容纳所述衬底的蚀刻室，所述蚀刻处理系统被构造来将蚀刻剂从所述衬底的所述第一侧和所述第二侧引入所述孔径中，所述蚀刻剂被构造来移除邻近于所述孔径的至少一部分所述衬底，其中所述蚀刻处理系统被构造来：

执行包括将所述蚀刻剂从所述衬底的所述第一侧引入所述孔径中的第一蚀刻工艺；以及

执行包括将所述蚀刻剂从所述衬底的所述第二侧引入所述孔径中的第二蚀刻工艺，其中所述第一蚀刻工艺和所述第二蚀刻工艺是不同的步骤在不同时间执行。

14.根据权利要求13所述的系统，其中所述蚀刻剂包括干蚀刻剂。

15.根据权利要求13所述的系统，其中所述蚀刻处理系统还被构造来在所述第一蚀刻工艺和所述第二蚀刻工艺之间的所述蚀刻室内翻转所述衬底。