JPH0831898A - 半導体ウエハの酸化膜評価方法 - Google Patents
半導体ウエハの酸化膜評価方法Info
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- JPH0831898A JPH0831898A JP16496794A JP16496794A JPH0831898A JP H0831898 A JPH0831898 A JP H0831898A JP 16496794 A JP16496794 A JP 16496794A JP 16496794 A JP16496794 A JP 16496794A JP H0831898 A JPH0831898 A JP H0831898A
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 半導体ウエハの酸化膜欠陥を評価するのに有
効な酸化膜評価方法を提供する。 【構成】 半導体ウエハの表面の全体に酸化膜を形成す
る第１の工程Ｓ２と、酸化膜をアルカリ溶液を用いて所
定の厚さだけエッチングする第２の工程Ｓ３と、残りの
酸化膜をフッ酸水溶液を用いてエッチングする第３の工
程Ｓ４と、酸化膜が除去された半導体ウエハを洗浄する
第４の工程Ｓ５と、酸化膜除去後の半導体ウエハの表面
に形成されるエッチピットを検出する第５の工程Ｓ６よ
りなるものである。そして、エッチピットの検出から半
導体ウエハに形成される酸化膜の欠陥を評価する。
効な酸化膜評価方法を提供する。 【構成】 半導体ウエハの表面の全体に酸化膜を形成す
る第１の工程Ｓ２と、酸化膜をアルカリ溶液を用いて所
定の厚さだけエッチングする第２の工程Ｓ３と、残りの
酸化膜をフッ酸水溶液を用いてエッチングする第３の工
程Ｓ４と、酸化膜が除去された半導体ウエハを洗浄する
第４の工程Ｓ５と、酸化膜除去後の半導体ウエハの表面
に形成されるエッチピットを検出する第５の工程Ｓ６よ
りなるものである。そして、エッチピットの検出から半
導体ウエハに形成される酸化膜の欠陥を評価する。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、半導体ウエハに形成さ
れる酸化膜の評価方法に関し、特に該酸化膜の耐圧特性
の劣化を引き起こす酸化膜欠陥の評価に有効な技術に関
する。
れる酸化膜の評価方法に関し、特に該酸化膜の耐圧特性
の劣化を引き起こす酸化膜欠陥の評価に有効な技術に関
する。
【０００２】
【従来の技術】半導体ウエハ上に育成された絶縁性を有
する酸化膜は、回路素子には欠くことのできないもので
あると同時に、その耐圧特性はこの回路素子の品質に大
きな影響を与えるものである。すなわち、酸化膜の耐圧
特性が一定の値以下の場合には印加された電圧によって
破壊され、その結果、回路素子が所定の動作をすること
ができなくなるからである。したがって、半導体ウエハ
上の酸化膜は、規定の耐圧特性を有していることが要求
される。
する酸化膜は、回路素子には欠くことのできないもので
あると同時に、その耐圧特性はこの回路素子の品質に大
きな影響を与えるものである。すなわち、酸化膜の耐圧
特性が一定の値以下の場合には印加された電圧によって
破壊され、その結果、回路素子が所定の動作をすること
ができなくなるからである。したがって、半導体ウエハ
上の酸化膜は、規定の耐圧特性を有していることが要求
される。
【０００３】このような酸化膜の耐圧特性の評価技術と
して、たとえば、株式会社オーム社発行、「ＬＳＩハン
ドブック」（昭和５９年１１月３０日発行）Ｐ６８１〜
Ｐ６８２に記載されているように、ＴＥＧ（Ｔｅｓｔ
Ｅｌｅｍｅｎｔ Ｇｒｏｕｐ）を用いる手段が知られて
いる。これは、半導体ウエハ上に試験用回路素子を形成
して所定の電圧を印加することによって耐圧特性を評価
するものである。
して、たとえば、株式会社オーム社発行、「ＬＳＩハン
ドブック」（昭和５９年１１月３０日発行）Ｐ６８１〜
Ｐ６８２に記載されているように、ＴＥＧ（Ｔｅｓｔ
Ｅｌｅｍｅｎｔ Ｇｒｏｕｐ）を用いる手段が知られて
いる。これは、半導体ウエハ上に試験用回路素子を形成
して所定の電圧を印加することによって耐圧特性を評価
するものである。
【０００４】一般に、酸化膜の耐圧特性不良は、傷など
により局所的に酸化膜の膜厚が薄くなったことに起因す
るもの、酸化膜中に形成された欠陥であるピンホールに
起因するものがある。これら酸化膜欠陥に関しては有効
な評価手段がなく、ＴＥＧを用いた酸化膜耐圧測定結果
から酸化膜欠陥を評価している。
により局所的に酸化膜の膜厚が薄くなったことに起因す
るもの、酸化膜中に形成された欠陥であるピンホールに
起因するものがある。これら酸化膜欠陥に関しては有効
な評価手段がなく、ＴＥＧを用いた酸化膜耐圧測定結果
から酸化膜欠陥を評価している。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】ＴＥＧは半導体ウエハ
上に試験用回路素子を形成するものであるために、デバ
イス作成工程を取り入れたデバイス実装評価をすること
になる。
上に試験用回路素子を形成するものであるために、デバ
イス作成工程を取り入れたデバイス実装評価をすること
になる。
【０００６】したがって、デバイス製造装置の導入が必
要となって多大の費用がかかるのみならず、評価データ
を得るのに長い時間がかかる問題がある。
要となって多大の費用がかかるのみならず、評価データ
を得るのに長い時間がかかる問題がある。
【０００７】そこで、本発明の目的は、半導体ウエハの
酸化膜耐圧劣化要因となる酸化膜欠陥をＴＥＧデバイス
構造を形成せずに評価することのできる技術を提供する
ことにある。
酸化膜耐圧劣化要因となる酸化膜欠陥をＴＥＧデバイス
構造を形成せずに評価することのできる技術を提供する
ことにある。
【０００８】本発明の前記ならびにその他の目的と新規
な特徴は、本明細書の記述及び添付図面から明らかにな
るであろう。
な特徴は、本明細書の記述及び添付図面から明らかにな
るであろう。
【０００９】
【課題を解決するための手段】本願において開示される
発明のうち、代表的なものの概要を説明すれば、次の通
りである。
発明のうち、代表的なものの概要を説明すれば、次の通
りである。
【００１０】すなわち、本発明による半導体ウエハの酸
化膜評価方法は、半導体ウエハの表面の全体に酸化膜を
形成する第１の工程と、酸化膜をアルカリ溶液を用いて
所定の厚さだけエッチングする第２の工程と、残りの酸
化膜をフッ酸水溶液を用いてエッチングする第３の工程
と、酸化膜が除去された半導体ウエハを洗浄する第４の
工程と、酸化膜除去後の半導体ウエハの表面に形成され
るエッチピットを検出する第５の工程よりなるもので、
エッチピットにより半導体ウエハに形成される酸化膜欠
陥を評価することを特徴とするものである。
化膜評価方法は、半導体ウエハの表面の全体に酸化膜を
形成する第１の工程と、酸化膜をアルカリ溶液を用いて
所定の厚さだけエッチングする第２の工程と、残りの酸
化膜をフッ酸水溶液を用いてエッチングする第３の工程
と、酸化膜が除去された半導体ウエハを洗浄する第４の
工程と、酸化膜除去後の半導体ウエハの表面に形成され
るエッチピットを検出する第５の工程よりなるもので、
エッチピットにより半導体ウエハに形成される酸化膜欠
陥を評価することを特徴とするものである。
【００１１】この場合、前記した第２の工程では、酸化
膜を約９０％の厚さエッチングすることが望ましい。
膜を約９０％の厚さエッチングすることが望ましい。
【００１２】また、前記したアルカリ溶液は、水酸化カ
リウム溶液とすることができ、このときには、濃度が約
５０％で、液温が約６０℃として酸化膜をエッチングす
るのがよい。
リウム溶液とすることができ、このときには、濃度が約
５０％で、液温が約６０℃として酸化膜をエッチングす
るのがよい。
【００１３】そして、前記したアルカリ溶液は、水酸化
ナトリウム溶液とすることも可能である。
ナトリウム溶液とすることも可能である。
【００１４】
【作用】上記した手段によれば、半導体ウエハ上に形成
された酸化膜をアルカリエッチングすることにより、酸
化膜のピンホール直下のウエハ表面にエッチピットを形
成し、これを検出することによって、デバイス工程にお
いて育成される酸化膜欠陥の評価が可能になる。
された酸化膜をアルカリエッチングすることにより、酸
化膜のピンホール直下のウエハ表面にエッチピットを形
成し、これを検出することによって、デバイス工程にお
いて育成される酸化膜欠陥の評価が可能になる。
【００１５】したがって、デバイス製造装置を用いて半
導体ウエハ上に回路素子を形成しデバイス実装評価をす
ることなく、酸化膜欠陥の評価ができる。
導体ウエハ上に回路素子を形成しデバイス実装評価をす
ることなく、酸化膜欠陥の評価ができる。
【００１６】
【実施例】以下、本発明の実施例を、図面に基づいて詳
細に説明する。
細に説明する。
【００１７】図１は本発明の一実施例である酸化膜評価
工程を示す工程図、図２（ａ）〜（ｃ）は図１の酸化膜
評価工程における半導体ウエハを示す断面図、図３は図
１の酸化膜評価工程において用いられる水酸化カリウム
溶液による酸化膜のエッチング状態を示すグラフ図、図
４は図１の酸化膜評価工程において用いられる水酸化カ
リウム溶液による酸化膜と半導体ウエハとのエッチレー
トを示す図である。
工程を示す工程図、図２（ａ）〜（ｃ）は図１の酸化膜
評価工程における半導体ウエハを示す断面図、図３は図
１の酸化膜評価工程において用いられる水酸化カリウム
溶液による酸化膜のエッチング状態を示すグラフ図、図
４は図１の酸化膜評価工程において用いられる水酸化カ
リウム溶液による酸化膜と半導体ウエハとのエッチレー
トを示す図である。
【００１８】酸化膜評価工程Ｓ１は、図１に示すような
第１〜第５の工程Ｓ２〜Ｓ６によって構成される。この
酸化膜評価工程Ｓ１を、図２、図３および図４を参照し
つつ説明すると次のようなものである。
第１〜第５の工程Ｓ２〜Ｓ６によって構成される。この
酸化膜評価工程Ｓ１を、図２、図３および図４を参照し
つつ説明すると次のようなものである。
【００１９】すなわち、第１の工程Ｓ２では、酸素雰囲
気中で高温熱処理して半導体ウエハ２１の表面の全体
に、たとえば約２０nmの厚さで酸化膜２２を形成する。
このとき時、図２（ａ）に示すように、酸化膜２２中に
はピンホール欠陥２３が発生する場合がある。半導体ウ
エハ２１の結晶欠陥がピンホール欠陥２３という形で酸
化膜２２に現れる。このピンホール欠陥２３が酸化膜２
２の膜厚を実質的に薄くして耐圧特性を劣化させるもの
である。
気中で高温熱処理して半導体ウエハ２１の表面の全体
に、たとえば約２０nmの厚さで酸化膜２２を形成する。
このとき時、図２（ａ）に示すように、酸化膜２２中に
はピンホール欠陥２３が発生する場合がある。半導体ウ
エハ２１の結晶欠陥がピンホール欠陥２３という形で酸
化膜２２に現れる。このピンホール欠陥２３が酸化膜２
２の膜厚を実質的に薄くして耐圧特性を劣化させるもの
である。
【００２０】次の第２の工程Ｓ３では、半導体ウエハ２
１の表面に形成された酸化膜２２を、たとえば水酸化カ
リウム溶液などのアルカリ溶液を用いて所定の膜厚だけ
エッチングする（図２（ｂ））。この第２の工程Ｓ３で
は、アルカリエッチングの特性である面方位依存性によ
ってピンホール欠陥２３の部分のエッチングが進んで半
導体ウエハ２１に達し、酸化膜２２に対するエッチレー
トの数百倍以上のレートで半導体ウエハ２１をもエッチ
ングし、エッチピット２４が形成される。ここで、酸化
膜２２を所定の膜厚だけエッチングするにとどめ、全て
を除去してしまわないのは、水酸化カリウム溶液による
エッチングで半導体ウエハ２１が面荒れ状態となり、形
成されるエッチピット２４の確認が困難になるからであ
る。したがって、第２の工程Ｓ３においては、酸化膜２
２がわずかに残る程度、具体的には膜厚の約９０％、す
なわち表面から１８nm程度をエッチングすることが望ま
しい。
１の表面に形成された酸化膜２２を、たとえば水酸化カ
リウム溶液などのアルカリ溶液を用いて所定の膜厚だけ
エッチングする（図２（ｂ））。この第２の工程Ｓ３で
は、アルカリエッチングの特性である面方位依存性によ
ってピンホール欠陥２３の部分のエッチングが進んで半
導体ウエハ２１に達し、酸化膜２２に対するエッチレー
トの数百倍以上のレートで半導体ウエハ２１をもエッチ
ングし、エッチピット２４が形成される。ここで、酸化
膜２２を所定の膜厚だけエッチングするにとどめ、全て
を除去してしまわないのは、水酸化カリウム溶液による
エッチングで半導体ウエハ２１が面荒れ状態となり、形
成されるエッチピット２４の確認が困難になるからであ
る。したがって、第２の工程Ｓ３においては、酸化膜２
２がわずかに残る程度、具体的には膜厚の約９０％、す
なわち表面から１８nm程度をエッチングすることが望ま
しい。
【００２１】さらに、図３および図４に示すように、濃
度が５０％の水酸化カリウム溶液における酸化膜２２の
エッチレートは液温が６０℃のときに1.11nm/minであ
り、１８nmエッチングするための所要時間が約１６分１
０秒となるので、第２の工程Ｓ３では、この条件でエッ
チングするのが好ましい。すなわち、液温を上げるとエ
ッチレートが高くなり、１８nmエッチングするための所
要時間は、たとえば７０℃（2.79nm/min）では約６分３
０秒、９０℃（11.44nm/min ）では約１分３０秒となっ
てエッチング量のコントロールが困難になるからであ
り、一方、液温を下げるとエッチレートが低くなり、た
とえば５０℃（0.35nm/min）では約５１分３０秒、４０
℃（0.17nm/min）では１０５分５０秒となってエッチン
グ時間が長くなるとともに液温をこのような長時間にわ
たって一定に保つのが困難になるからである。但し、正
確な時間管理や液温管理が可能ならば、６０℃以外の液
温でエッチングしてもよい。
度が５０％の水酸化カリウム溶液における酸化膜２２の
エッチレートは液温が６０℃のときに1.11nm/minであ
り、１８nmエッチングするための所要時間が約１６分１
０秒となるので、第２の工程Ｓ３では、この条件でエッ
チングするのが好ましい。すなわち、液温を上げるとエ
ッチレートが高くなり、１８nmエッチングするための所
要時間は、たとえば７０℃（2.79nm/min）では約６分３
０秒、９０℃（11.44nm/min ）では約１分３０秒となっ
てエッチング量のコントロールが困難になるからであ
り、一方、液温を下げるとエッチレートが低くなり、た
とえば５０℃（0.35nm/min）では約５１分３０秒、４０
℃（0.17nm/min）では１０５分５０秒となってエッチン
グ時間が長くなるとともに液温をこのような長時間にわ
たって一定に保つのが困難になるからである。但し、正
確な時間管理や液温管理が可能ならば、６０℃以外の液
温でエッチングしてもよい。
【００２２】なお、図４に示すように、濃度が５０％の
水酸化カリウム溶液による半導体ウエハ２１および酸化
膜２２に対するエッチレート比率は、液温が低くなるほ
ど高くなっている。したがって、エッチピット２４をよ
りはっきりと形成したい場合には、水酸化カリウム溶液
の液温を下げればよい。
水酸化カリウム溶液による半導体ウエハ２１および酸化
膜２２に対するエッチレート比率は、液温が低くなるほ
ど高くなっている。したがって、エッチピット２４をよ
りはっきりと形成したい場合には、水酸化カリウム溶液
の液温を下げればよい。
【００２３】第３の工程Ｓ４では、残りの酸化膜２２
を、たとえば濃度１％のフッ酸水溶液を用いて除去し、
半導体ウエハ２１の表面を露出させる（図２（ｃ））。
半導体ウエハ２１に対してはエッチング作用を及ぼさな
いフッ酸水溶液によって、半導体ウエハ２１の表面に
は、第２の工程Ｓ３で形成されたエッチピット２４が出
現する。
を、たとえば濃度１％のフッ酸水溶液を用いて除去し、
半導体ウエハ２１の表面を露出させる（図２（ｃ））。
半導体ウエハ２１に対してはエッチング作用を及ぼさな
いフッ酸水溶液によって、半導体ウエハ２１の表面に
は、第２の工程Ｓ３で形成されたエッチピット２４が出
現する。
【００２４】そして、第４の工程Ｓ５により、半導体ウ
エハ２１をたとえばＲＣＡ洗浄によって洗浄する。ここ
で、ＲＣＡ洗浄とは、先ず、アンモニア：過酸化水素：
水＝１：１〜２：５〜７の組成で液温７５〜８５℃の溶
液により１０〜２０分、次に、室温のフッ酸水溶液（１
％）で数十秒、そして、塩酸：過酸化水素：水＝１：１
〜２：５〜７の組成で液温７５〜８５℃の溶液により１
０〜２０分、それぞれ洗浄するものである。これを数回
繰り返すことにより、半導体ウエハ２１の表面に残存し
ているフッ酸水溶液や酸化膜２２、さらには有機性の汚
れや金属不純物などが除去され、前記したエッチピット
２４がはっきりと確認できるようになる。
エハ２１をたとえばＲＣＡ洗浄によって洗浄する。ここ
で、ＲＣＡ洗浄とは、先ず、アンモニア：過酸化水素：
水＝１：１〜２：５〜７の組成で液温７５〜８５℃の溶
液により１０〜２０分、次に、室温のフッ酸水溶液（１
％）で数十秒、そして、塩酸：過酸化水素：水＝１：１
〜２：５〜７の組成で液温７５〜８５℃の溶液により１
０〜２０分、それぞれ洗浄するものである。これを数回
繰り返すことにより、半導体ウエハ２１の表面に残存し
ているフッ酸水溶液や酸化膜２２、さらには有機性の汚
れや金属不純物などが除去され、前記したエッチピット
２４がはっきりと確認できるようになる。
【００２５】最後に、第５の工程Ｓ６により、異物検査
装置などの表面状態検査装置によって形成されたエッチ
ピット２４を検出する。すなわち、半導体ウエハ２１上
に形成されたエッチピット２４の位置および数の確認を
行う。なお、異物検査装置を用いた場合には、エッチピ
ット２４とともに微小な付着異物も検出されることが考
えられるが、エッチピット２４はエッチング進行痕でそ
の径は 1.5〜 2.0μｍ以上であり、付着異物の径は 0.1
〜 1.0μｍであることから、両者を区別して検出するこ
とが可能である。このエッチピット２４の確認は、異物
検査装置以外にも、たとえば表面粗度評価装置、高感度
摩鏡装置などの他の表面状態検査装置によっても可能で
ある。
装置などの表面状態検査装置によって形成されたエッチ
ピット２４を検出する。すなわち、半導体ウエハ２１上
に形成されたエッチピット２４の位置および数の確認を
行う。なお、異物検査装置を用いた場合には、エッチピ
ット２４とともに微小な付着異物も検出されることが考
えられるが、エッチピット２４はエッチング進行痕でそ
の径は 1.5〜 2.0μｍ以上であり、付着異物の径は 0.1
〜 1.0μｍであることから、両者を区別して検出するこ
とが可能である。このエッチピット２４の確認は、異物
検査装置以外にも、たとえば表面粗度評価装置、高感度
摩鏡装置などの他の表面状態検査装置によっても可能で
ある。
【００２６】このように、本実施例による半導体ウエハ
２１の酸化膜評価方法によれば、半導体ウエハ２１上に
形成された酸化膜２２のピンホール欠陥２３部分にエッ
チピット２４を形成し、これを検出することによって、
デバイス工程において育成される酸化膜２２の欠陥の評
価が可能になる。
２１の酸化膜評価方法によれば、半導体ウエハ２１上に
形成された酸化膜２２のピンホール欠陥２３部分にエッ
チピット２４を形成し、これを検出することによって、
デバイス工程において育成される酸化膜２２の欠陥の評
価が可能になる。
【００２７】したがって、デバイス製造装置を用いて半
導体ウエハ上に回路素子を形成してデバイス実装評価を
することなく、酸化膜２２の欠陥の評価ができることに
なるので、費用の削減や作業効率の向上を図ることがで
きる。
導体ウエハ上に回路素子を形成してデバイス実装評価を
することなく、酸化膜２２の欠陥の評価ができることに
なるので、費用の削減や作業効率の向上を図ることがで
きる。
【００２８】以上、本発明者によってなされた発明を実
施例に基づき具体的に説明したが、本発明は前記実施例
に限定されるものではなく、その要旨を逸脱しない範囲
で種々変更可能であることは言うまでもない。
施例に基づき具体的に説明したが、本発明は前記実施例
に限定されるものではなく、その要旨を逸脱しない範囲
で種々変更可能であることは言うまでもない。
【００２９】たとえば、本実施例における第２の工程Ｓ
３では、水酸化カリウム溶液を用いて酸化膜２２のエッ
チングを行っているが、たとえば水酸化ナトリウム溶液
など他の種々のアルカリ溶液を適用することが可能であ
る。
３では、水酸化カリウム溶液を用いて酸化膜２２のエッ
チングを行っているが、たとえば水酸化ナトリウム溶液
など他の種々のアルカリ溶液を適用することが可能であ
る。
【００３０】また、第４の工程Ｓ５における半導体ウエ
ハ２１の洗浄はＲＣＡ洗浄に限定されるものではなく、
他の洗浄方法を採用することができる。
ハ２１の洗浄はＲＣＡ洗浄に限定されるものではなく、
他の洗浄方法を採用することができる。
【００３１】
【発明の効果】本願において開示される発明のうち、代
表的なものによって得られる効果を簡単に説明すれば以
下の通りである。
表的なものによって得られる効果を簡単に説明すれば以
下の通りである。
【００３２】(1).本発明の半導体ウエハの酸化膜評価方
法によれば、半導体ウエハ上に形成された酸化膜をアル
カリエッチングすることにより酸化膜欠陥位置にエッチ
ピットを形成し、これを検出することによって、酸化膜
欠陥の評価が可能になる。
法によれば、半導体ウエハ上に形成された酸化膜をアル
カリエッチングすることにより酸化膜欠陥位置にエッチ
ピットを形成し、これを検出することによって、酸化膜
欠陥の評価が可能になる。
【００３３】(2).デバイス製造装置を用いて半導体ウエ
ハ上に回路素子を形成しデバイス実装評価をする必要が
ないため、費用の削減や評価時間の短縮を図ることがで
きる。
ハ上に回路素子を形成しデバイス実装評価をする必要が
ないため、費用の削減や評価時間の短縮を図ることがで
きる。
【図１】本発明の一実施例である酸化膜評価工程を示す
工程図である。
工程図である。
【図２】（ａ）は図１の酸化膜評価工程における半導体
ウエハの酸化膜に形成されたピンホールを示す断面図、
（ｂ）は酸化膜を所定の厚さだけエッチングした状態を
示す断面図、（ｃ）は半導体ウエハに形成されたエッチ
ピットを示す断面図である。
ウエハの酸化膜に形成されたピンホールを示す断面図、
（ｂ）は酸化膜を所定の厚さだけエッチングした状態を
示す断面図、（ｃ）は半導体ウエハに形成されたエッチ
ピットを示す断面図である。
【図３】図１の酸化膜評価工程において用いられる水酸
化カリウム溶液による酸化膜のエッチング状態を示すグ
ラフ図である。
化カリウム溶液による酸化膜のエッチング状態を示すグ
ラフ図である。
【図４】図１の酸化膜評価工程において用いられる水酸
化カリウム溶液による酸化膜と半導体ウエハとのエッチ
レートを示す図である。
化カリウム溶液による酸化膜と半導体ウエハとのエッチ
レートを示す図である。
２１ 半導体ウエハ ２２ 酸化膜 ２３ ピンホール欠陥 ２４ エッチピット Ｓ１ 酸化膜評価工程 Ｓ２ 第１の工程 Ｓ３ 第２の工程 Ｓ４ 第３の工程 Ｓ５ 第４の工程 Ｓ６ 第５の工程
Claims (5)
- 【請求項１】 半導体ウエハの表面の全体に酸化膜を形
成する第１の工程と、前記酸化膜をアルカリ溶液を用い
て所定の厚さだけエッチングする第２の工程と、残りの
前記酸化膜をフッ酸水溶液を用いてエッチングする第３
の工程と、前記酸化膜が除去された前記半導体ウエハを
洗浄する第４の工程と、前記酸化膜除去後の前記半導体
ウエハの表面に形成されるエッチピットを検出する第５
の工程よりなり、前記エッチピットにより前記半導体ウ
エハに形成される前記酸化膜の耐圧特性を評価すること
を特徴とする半導体ウエハの酸化膜評価方法。 - 【請求項２】 前記第２の工程は、前記酸化膜を約９０
％の厚さエッチングすることを特徴とする請求項１記載
の半導体ウエハの酸化膜評価方法。 - 【請求項３】 前記アルカリ溶液は、水酸化カリウム溶
液であることを特徴とする請求項１または２記載の半導
体ウエハの酸化膜評価方法。 - 【請求項４】 前記第２の工程で用いられる前記水酸化
カリウム溶液は、その濃度が約５０％で、液温が約６０
℃であることを特徴とする請求項３記載の半導体ウエハ
の酸化膜評価方法。 - 【請求項５】 前記アルカリ溶液は、水酸化ナトリウム
溶液であることを特徴とする請求項１または２記載の半
導体ウエハの酸化膜評価方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP16496794A JPH0831898A (ja) | 1994-07-18 | 1994-07-18 | 半導体ウエハの酸化膜評価方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP16496794A JPH0831898A (ja) | 1994-07-18 | 1994-07-18 | 半導体ウエハの酸化膜評価方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0831898A true JPH0831898A (ja) | 1996-02-02 |
Family
ID=15803282
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP16496794A Pending JPH0831898A (ja) | 1994-07-18 | 1994-07-18 | 半導体ウエハの酸化膜評価方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0831898A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH10107402A (ja) * | 1996-09-30 | 1998-04-24 | Nec Corp | 絶縁膜のピンホール検査方法及びその装置 |
| JP2001267385A (ja) * | 2000-03-21 | 2001-09-28 | Oki Electric Ind Co Ltd | 半導体ウエハの評価方法 |
| US20140273312A1 (en) * | 2013-03-12 | 2014-09-18 | Applied Materials, Inc. | Pin hole evaluation method of dielectric films for metal oxide semiconductor tft |
-
1994
- 1994-07-18 JP JP16496794A patent/JPH0831898A/ja active Pending
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH10107402A (ja) * | 1996-09-30 | 1998-04-24 | Nec Corp | 絶縁膜のピンホール検査方法及びその装置 |
| JP2001267385A (ja) * | 2000-03-21 | 2001-09-28 | Oki Electric Ind Co Ltd | 半導体ウエハの評価方法 |
| US20140273312A1 (en) * | 2013-03-12 | 2014-09-18 | Applied Materials, Inc. | Pin hole evaluation method of dielectric films for metal oxide semiconductor tft |
| CN105009297A (zh) * | 2013-03-12 | 2015-10-28 | 应用材料公司 | 用于金属氧化物半导体薄膜晶体管的介电薄膜的针孔评估方法 |
| US9245809B2 (en) * | 2013-03-12 | 2016-01-26 | Applied Materials, Inc. | Pin hole evaluation method of dielectric films for metal oxide semiconductor TFT |
| JP2016514372A (ja) * | 2013-03-12 | 2016-05-19 | アプライド マテリアルズ インコーポレイテッドＡｐｐｌｉｅｄ Ｍａｔｅｒｉａｌｓ，Ｉｎｃｏｒｐｏｒａｔｅｄ | 金属酸化物半導体ｔｆｔ用誘電体膜のピンホール評価方法 |
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