JP2016208090A - 増幅器 - Google Patents

増幅器 Download PDF

Info

Publication number
JP2016208090A
JP2016208090A JP2015083582A JP2015083582A JP2016208090A JP 2016208090 A JP2016208090 A JP 2016208090A JP 2015083582 A JP2015083582 A JP 2015083582A JP 2015083582 A JP2015083582 A JP 2015083582A JP 2016208090 A JP2016208090 A JP 2016208090A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
wire
input
output
pattern
amplifying elements
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
JP2015083582A
Other languages
English (en)
Other versions
JP6418050B2 (ja
Inventor
尚希 小坂
Naoki Kosaka
尚希 小坂
宏昭 前原
Hiroaki Maehara
宏昭 前原
康 金谷
Yasushi Kanetani
康 金谷
宮下 美代
Miyo Miyashita
美代 宮下
山本 和也
Kazuya Yamamoto
和也 山本
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Mitsubishi Electric Corp
Original Assignee
Mitsubishi Electric Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Mitsubishi Electric Corp filed Critical Mitsubishi Electric Corp
Priority to JP2015083582A priority Critical patent/JP6418050B2/ja
Priority to US14/993,131 priority patent/US9806039B2/en
Priority to CN201610236702.9A priority patent/CN106059518B/zh
Publication of JP2016208090A publication Critical patent/JP2016208090A/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP6418050B2 publication Critical patent/JP6418050B2/ja
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/58Structural electrical arrangements for semiconductor devices not otherwise provided for, e.g. in combination with batteries
    • H01L23/64Impedance arrangements
    • H01L23/66High-frequency adaptations
    • HELECTRICITY
    • H03ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03FAMPLIFIERS
    • H03F3/00Amplifiers with only discharge tubes or only semiconductor devices as amplifying elements
    • H03F3/68Combinations of amplifiers, e.g. multi-channel amplifiers for stereophonics
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L25/00Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof
    • H01L25/03Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes
    • H01L25/04Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers
    • H01L25/07Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers the devices being of a type provided for in group H01L29/00
    • H01L25/072Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers the devices being of a type provided for in group H01L29/00 the devices being arranged next to each other
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/49Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of a plurality of wire connectors
    • H01L2224/491Disposition
    • H01L2224/4912Layout
    • H01L2224/49175Parallel arrangements

Abstract

【課題】本発明は、アンバランスを抑制でき、かつ小型化に好適な増幅器を提供することを目的とする。
【解決手段】第1ゲートパッドと第1ドレインパッドを有しパッケージの中に入力側分配回路に沿って設けられた複数の第1増幅素子と、第2ゲートパッドと第2ドレインパッドを有し該パッケージの中に出力側合成回路に沿って設けられた複数の第2増幅素子と、該入力側分配回路と該第1ゲートパッドを接続する第1入力ワイヤと、該入力側分配回路と該第2ゲートパッドを接続する第2入力ワイヤと、該第1ドレインパッドと該出力側合成回路を接続する第1出力ワイヤと、該第2ドレインパッドと該出力側合成回路を接続する第2出力ワイヤとを備え、該複数の第1増幅素子と該複数の第2増幅素子が千鳥状に設けられ、該第1入力ワイヤと該第2入力ワイヤの長さが等しく、該第1出力ワイヤと該第2出力ワイヤの長さが等しい。
【選択図】図1

Description

本発明は、複数の増幅素子の出力を合成して高出力を得る増幅器に関する。
特許文献1には、複数の増幅素子を備える高出力電力増幅器が開示されている。複数の増幅素子に異なる位相の信号を供給すると、信号に位相差が生じ、信号を合成する際の合成効率が低下する。これを回避するために特許文献1の増幅器では、短いワイヤを介して増幅素子に信号を送る伝送線路を長くし、長いワイヤを介して増幅素子に信号を送る伝送線路を短くする。
特開平10−327031号公報
上記のとおり、複数の増幅素子に同じ位相の信号を加えることが好ましい。しかし、特許文献1のように伝送線路の長さを調整する場合、ワイヤの高インピーダンス特性を基板上の伝送線路で実現するのは容易ではなく、位相差とインピーダンスの差を十分に小さくすることはできない。よって、特許文献1の増幅器ではアンバランスが生じる。アンバランスを抑制でき、かつ小型化に好適な増幅器が求められていた。
本発明は、上述のような課題を解決するためになされたもので、アンバランスを抑制でき、かつ小型化に好適な増幅器を提供することを目的とする。
本願の発明に係る増幅器は、パッケージと、該パッケージの中に設けられた入力側分配回路と、該パッケージの中に設けられた出力側合成回路と、第1ゲートパッドと第1ドレインパッドを有し、該パッケージの中に該入力側分配回路に沿って設けられた複数の第1増幅素子と、第2ゲートパッドと第2ドレインパッドを有し、該パッケージの中に該出力側合成回路に沿って設けられた、該第1増幅素子と同じ形状の複数の第2増幅素子と、該入力側分配回路と該第1ゲートパッドを接続する第1入力ワイヤと、該入力側分配回路と該第2ゲートパッドを接続する第2入力ワイヤと、該第1ドレインパッドと該出力側合成回路を接続する第1出力ワイヤと、該第2ドレインパッドと該出力側合成回路を接続する第2出力ワイヤと、を備え、該複数の第1増幅素子と該複数の第2増幅素子が千鳥状に設けられ、該第1入力ワイヤと該第2入力ワイヤの長さが等しく、該第1出力ワイヤと該第2出力ワイヤの長さが等しいことを特徴とする。
本願の発明に係る他の増幅器は、パッケージと、該パッケージの中に設けられた入力側分配回路と、該パッケージの中に設けられた出力側合成回路と、第1ゲートパッドと第1ドレインパッドを有し、該パッケージの中に該入力側分配回路に沿って設けられた複数の第1増幅素子と、第2ゲートパッドと第2ドレインパッドを有し、該パッケージの中に該出力側合成回路に沿って設けられた、該第1増幅素子と同じ形状の複数の第2増幅素子と、該複数の第1増幅素子と該複数の第2増幅素子の間に設けられた、第1パターンと第2パターンが形成された中間基板と、該入力側分配回路と該第1ゲートパッドを接続する入力ワイヤと、該入力側分配回路と第1パターンを接続する第1接続ワイヤと、該第1パターンと該第2ゲートパッドを接続する第2接続ワイヤと、該第2ドレインパッドと該出力側合成回路を接続する出力ワイヤと、該第1ドレインパッドと該第2パターンを接続する第3接続ワイヤと、該第2パターンと該出力側合成回路を接続する第4接続ワイヤと、を備え、該複数の第1増幅素子と該複数の第2増幅素子が千鳥状に設けられ、該入力ワイヤの長さは、該第1接続ワイヤの長さと、該第2接続ワイヤの長さと、該第1パターンの該第1接続ワイヤの固定点から該第2接続ワイヤの固定点までの長さと、の和に等しく、該出力ワイヤの長さは、該第3接続ワイヤの長さと、該第4接続ワイヤの長さと、該第2パターンの該第3接続ワイヤの固定点から該第4接続ワイヤの固定点までの長さと、の和に等しいことを特徴とする。
本発明によれば、複数の増幅素子を千鳥状に配置した上で、入力側分配回路から複数の増幅素子のゲートパッドへの信号経路長を統一し、複数の増幅素子のドレインパッドから出力側合成回路への信号経路長を統一したので、アンバランスを抑制でき、かつ小型化に好適な増幅器を提供できる。
実施の形態1に係る増幅器の平面図である。 図1の一部拡大図である。 比較例に係る増幅器の平面図である。 実施の形態2に係る増幅器の平面図である。 シミュレーション結果を示すグラフである。 実施の形態3に係る増幅器の平面図である。 図6の一部拡大図である。 実施の形態4に係る増幅器の平面図である。 比較例に係る増幅器の平面図である。 変形例に係る増幅器の平面図である。 他の変形例に係る増幅器の平面図である。 実施の形態5に係る増幅器の平面図である。 変形例に係る増幅器の平面図である。 実施の形態6に係る増幅器の平面図である。 図14の一部拡大図である。 変形例に係る増幅器の平面図である。
本発明の実施の形態に係る増幅器について図面を参照して説明する。同じ又は対応する構成要素には同じ符号を付し、説明の繰り返しを省略する場合がある。
実施の形態1.
図1は、本発明の実施の形態1に係る増幅器の平面図である。この増幅器はパッケージ10を備えている。パッケージ10には入力端子12が取り付けられている。パッケージ10の中には入力側分配回路16が設けられている。入力側分配回路16は、例えばアルミナ基板に金メッキを施して形成される。入力側分配回路16と入力端子12は入力端子ワイヤ14で接続されている。
パッケージ10には入力端子12と対向するように出力端子36が取り付けられている。パッケージ10の中には出力側合成回路34が設けられている。出力側合成回路34は、例えばアルミナ基板に金メッキを施して形成される。出力側合成回路34と出力端子36は出力端子ワイヤ38で接続されている。
入力側分配回路16に沿って第1増幅素子18、20が設けられている。第1増幅素子18、20は例えばFETチップである。第1増幅素子18、20は平面視で長方形である。第1増幅素子18、20の横に、出力側合成回路34に沿って第2増幅素子22、24が設けられている。第2増幅素子22、24は、第1増幅素子18、20と同じ形状を有している。
第1増幅素子18、20はそれらの長手方向に1列に並んでいる。第2増幅素子22、24はそれらの長手方向に1列に並んでいる。言い換えれば、素子幅方向に2列に増幅素子が並んでいる。3個以上の第1増幅素子を入力側分配回路16に沿って並べ、3個以上の第2増幅素子を出力側合成回路34に沿って並べても良い。
第1増幅素子18、20と第2増幅素子22、24は千鳥状に設けられている。つまり、1つの第1増幅素子の横に1つの第2増幅素子が重ねて設けられるが、それらは素子の長手方向位置をずらして設けられる。
図2は、図1の一部拡大図である。第1増幅素子18は2つの第1ゲートパッド18aと、第1ドレインパッド18bを備えている。第1増幅素子20は2つの第1ゲートパッド20aと第1ドレインパッド20bを備えている。第1ゲートパッド18a、20aが入力側分配回路16側にあり、第1ドレインパッド18b、20bが出力側合成回路34側にある。
第2増幅素子22は2つの第2ゲートパッド22aと、第2ドレインパッド22bを備えている。第2増幅素子24は2つの第2ゲートパッド24aと、第2ドレインパッド24bを備えている。第2ゲートパッド22a、24aが入力側分配回路16側にあり、第2ドレインパッド22b、24bが出力側合成回路34側にある。
入力側分配回路16と第1ゲートパッド18a、20aは第1入力ワイヤ30Aで接続されている。第1入力ワイヤ30Aは複数(4本)設けられている。入力側分配回路16と第2ゲートパッド22a、24aは第2入力ワイヤ30Bで接続されている。第2入力ワイヤ30Bは複数(4本)設けられている。第1入力ワイヤ30Aと第2入力ワイヤ30Bの長さは等しい。
第1ドレインパッド18b、20bと出力側合成回路34は第1出力ワイヤ32Aで接続されている。第1出力ワイヤ32Aは複数(4本)設けられている。第2ドレインパッド22b、24bと出力側合成回路34は第2出力ワイヤ32Bで接続されている。第2出力ワイヤ32Bは複数(4本)設けられている。第1出力ワイヤ32Aと第2出力ワイヤ32Bの長さは等しい。上述の各ワイヤは例えば金ワイヤである。
高周波信号は、入力端子12から入力端子ワイヤ14を経由して入力側分配回路16に伝送される。そして高周波信号は、第1入力ワイヤ30Aと第2入力ワイヤ30Bに分配され、増幅素子で増幅される。増幅された高周波信号を第1出力ワイヤ32Aと第2出力ワイヤ32Bを通って出力側合成回路34にて合成される。合成された信号は出力端子ワイヤ38を経由して出力端子36に至る。このように、この増幅器は分配合成型の高出力増幅器を構成している。
図3は、比較例に係る増幅器の平面図である。比較例の増幅器では、複数の増幅素子50が入力側分配回路16に沿って一列に並んでいる。この場合、増幅素子の長手方向に大きなスペースが必要となり、増幅器の小型化が困難である。
これに対し、本発明の実施の形態1に係る増幅器では複数の増幅素子を千鳥形に設けたので、増幅素子の長手方向に大きなスペースを必要とせず小型化に好適である。図1の増幅器に増幅素子を追加する場合は、第2増幅素子22、24と出力側合成回路34の間に千鳥形になるように新たな増幅素子を設ける。したがって、増幅素子の数を増やしても、増幅素子の長手方向に大きなスペースが必要となることはなく、増幅素子の幅方向に多少のスペースが必要となるだけである。また、増幅素子の幅方向に多数の増幅素子を並べる場合は、入力側分配回路16あるいは出力側合成回路34を曲げる(変形する)ことで増幅素子の占有スペースの増大分を吸収することができる。さらに、複数の増幅素子を千鳥形に設けることで、例えば第1入力ワイヤ30Aと第2入力ワイヤ30Bが接触するなどの、ワイヤ干渉を避けることができる。
本発明の実施の形態1に係る増幅器では、第1入力ワイヤ30Aと第2入力ワイヤ30Bの長さを等しくしたので、第1増幅素子18、20と第2増幅素子22、24に対し同位相の信号を伝送することができる。さらに、第1出力ワイヤ32Aと第2出力ワイヤ32Bの長さを等しくしたので、各増幅素子の出力電力が出力側合成回路34で同位相にて合成される。そのため、異なる位相の出力電力を合成することによる合成効率の低下を防止できる。こうして、アンバランスを抑制できる。
ところで、増幅器を高出力化するために、増幅素子を増幅素子の幅方向に長くすることがある。このように増幅素子が大きくなると、高周波数帯域では、増幅素子内で位相差が生じることで増幅素子が均一動作しなくなり増幅素子の出力及び効率の低下を招く。しかしながら、本発明の実施の形態1に係る増幅器によれば、増幅素子の数を増やしても小型化に好適な構成であるので、増幅素子を幅方向に大きくする必要がない。よって、増幅素子の幅を大きくせずに増幅素子の数を増やすだけで増幅器を高出力化することができる。そのため、高周波数帯域における増幅素子内位相差を維持することで上記弊害を回避し、増幅器を高出力化できる。
複数の増幅素子を千鳥形に設ける場合、ワイヤが増幅素子に接触しないようにすべきである。ワイヤが意図しない場所で増幅素子に接触しないようにするためには、入力側分配回路16と出力側合成回路34を、増幅素子よりも十分厚くすることが好ましい。そうすることで、例えば第2入力ワイヤ30Bを第1増幅素子18、20の十分上に設けることができ、第1出力ワイヤ32Aを第2増幅素子22、24の十分上に設けることができる。一般的な増幅素子のチップ厚さは100μm以下である。そのため、入力側分配回路16と出力側合成回路34は、例えば、0.2mm、0.254mm、0.635mm、又は1mmのいずれかの厚みを有するアルミナ基板に金メッキを施したものとすることでワイヤと増幅素子の接触を防止することが好ましい。あるいは、入力側分配回路16と出力側合成回路34を、例えば0.18mm、0.2mm、0.25mm、0.3mm、0.38mm、又は0.4mmのいずれかの厚みを有し比誘電率が38、89、又は150のいずれかである高誘電率基板に、金メッキを施したものとしてもよい。
本発明の実施の形態1に係る増幅器は、その特徴を失わない範囲で様々な変形をなし得る。例えば、増幅素子の長手方向にスペースがある場合は、増幅素子の長手方向に3つ以上の増幅素子を並べても良い。以下の実施の形態でも同様である。なお、以下の実施の形態に係る増幅器は実施の形態1との共通点が多いので実施の形態1との相違点を中心に説明する。
実施の形態2.
図4は、実施の形態2に係る増幅器の平面図である。第1増幅素子18、20と第2増幅素子22、24の間隔(X1)は2mm以上4mm以下である。第1増幅素子18、20と第2増幅素子22、24の間隔を十分とることで、動作時に高温になった複数の増幅素子が互いに温度を高めあい増幅素子の出力を低下させることを防止できる。
図5は、増幅素子間距離と増幅素子温度の関係のシミュレーション結果を示すグラフである。横軸は、増幅素子の短手方向の増幅素子間距離である。このシミュレーションでは、熱源となる増幅素子の幅が1mm、長さが4mm、厚みが0.1mmであり、素子幅方向に2個の増幅素子を並べ、素子長手方向に3個の増幅素子を0.1mmの間隔で実装する増幅器をモデルとした。増幅素子は銅ベースの上に実装することとした。図5から分かるように、増幅素子間距離が2mm以上で増幅素子温度の変化量が飽和し始め、当該距離が4mm以上となると増幅素子温度と増幅素子間距離の相関がほとんどなくなる。したがって、増幅素子間距離を2mm以上4mm以下とすることで、増幅素子が互いに温度を高めあうことを抑制できる。
実施の形態3.
図6は、実施の形態3に係る増幅器の平面図である。第1増幅素子18、20と第2増幅素子22、24の間に中間基板100(スルー線路基板)が設けられている。図7は、図6の一部拡大図である。中間基板100は、例えば0.2mm、0.254mm、0.635mm、又は1mmのいずれかの厚みを有するアルミナ基板を備えている。そのアルミナ基板の上に第1パターン100aと第2パターン100bが形成されている。第1パターン100aと第2パターン100bは例えば幅が0.1mmの細長い形状を有している。
入力側分配回路16と第1ゲートパッド18a、20aは入力ワイヤ30Eによって接続されている。入力側分配回路16と第1パターン100aは第1接続ワイヤ102で接続されている。第1パターン100aと第2ゲートパッド22a、24aは第2接続ワイヤ104で接続されている。
第2ドレインパッド22b、24bと出力側合成回路34は出力ワイヤ32Eで接続されている。第1ドレインパッド18b、20bと第2パターン100bは第3接続ワイヤ106で接続されている。第2パターン100bと出力側合成回路34は第4接続ワイヤ108で接続されている。
入力ワイヤ30Eの長さは、第1接続ワイヤ102の長さと、第2接続ワイヤ104の長さと、第1パターン100aの第1接続ワイヤ102の固定点から第2接続ワイヤ104の固定点までの長さと、の和に等しい。つまり、入力側分配回路16から第1ゲートパッド18a、20aまでの信号経路長は、入力側分配回路16から第2ゲートパッド22a、24aまでの信号経路長と等しい。
出力ワイヤ32Eの長さは、第3接続ワイヤ106の長さと、第4接続ワイヤ108の長さと、第2パターン100bの第3接続ワイヤ106の固定点から第4接続ワイヤ108の固定点までの長さと、の和に等しい。つまり、第1ドレインパッド18b、20bから出力側合成回路34までの信号経路長は、第2ドレインパッド22b、24bから出力側合成回路34までの信号経路長と等しい。
本発明の実施の形態3に係る増幅器によれば、第1増幅素子18、20と第2増幅素子22、24の距離を十分離すことで、増幅素子同士が温度を高めあうことを防止できる。しかし、増幅素子の間隔を大きくすると、その分だけ第1、第2入力ワイヤと第1、第2出力ワイヤを長くしなければならない。ワイヤを長くすると、ワイヤ長の製造ばらつきが大きくなり、増幅素子間で不均一動作を生じ出力又は効率の低下といった特性劣化を招く恐れがある。
そこで、本発明の実施の形態3では、ワイヤ接続に比べてばらつきの小さい中間基板100を増幅素子間に設けた。中間基板100を設けた分だけワイヤ長が短くなり、ワイヤ長のばらつきを抑えることが可能になる。
実施の形態4.
図8は、実施の形態4に係る増幅器の平面図である。第1増幅素子18、20及び第2増幅素子22、24は、図1の増幅素子を90度回転させた位置にある。したがって、第1増幅素子18、20への信号入力方向、第1増幅素子18、20の信号出力方向、第2増幅素子22、24への信号入力方向、及び第2増幅素子22、24の信号出力方向は、入力端子12と出力端子36を結ぶ線に交差する方向となっている。入力端子12と出力端子36を結ぶ線と平行方向を伝送方向と称する。
入力側分配回路は2つ設けられている。入力側分配回路16aは入力端子ワイヤ14に接続されている。入力側分配回路16aの形状は伝送方向と垂直方向に長い長方形である。入力側分配回路16bはワイヤ110を介して入力側分配回路16aに接続されている。入力側分配回路16bの形状は伝送方向に長い長方形である。第1入力ワイヤ30Aと第2入力ワイヤ30Bは伝送方向と垂直方向に伸び、入力側分配回路16bと増幅素子を接続している。
出力側合成回路は2つ設けられている。出力側合成回路34bは出力端子ワイヤ38に接続されている。出力側合成回路34bの形状は伝送方向と垂直方向に長い長方形である。出力側合成回路34aはワイヤ112を介して出力側合成回路34bに接続されている。出力側合成回路34aの形状は伝送方向に長い長方形である。第1出力ワイヤ32Aと第2出力ワイヤ32Bは伝送方向と垂直方向に伸び、増幅素子と出力側合成回路34aを接続している。
図9は、比較例に係る増幅器の平面図である。比較例の増幅器では、高周波信号は入力側分配回路16Aから入力側分配回路16Bに伝送され、伝送方向と垂直方向(図9では上下方向)に進み、増幅素子で増幅される。増幅素子150で増幅された信号は出力側合成回路34Aを経由して出力側合成回路34Cに至る。増幅素子152で増幅された信号は出力側合成回路34Bを経由して出力側合成回路34Cに至る。したがって、3枚の出力側合成回路34A、34B、34Cが必要となる。
この比較例のように、増幅素子150のゲートパッドからドレインパッドに向かう向きと、増幅素子152のゲートパッドからドレインパッドに向かう向きが逆方向であると、増幅素子150、152のそれぞれに別々の整合回路基板(出力側合成回路)を用意する必要がある。
これに対し、本発明の実施の形態4に係る増幅器では、全ての増幅素子について、ゲートパッドからドレインパッドに向かう方向が同じであるであるので、出力側合成回路を1つに集約できる。よって、比較例の増幅器に比べて、基板数を減らすことが可能となる。
図10は、変形例に係る増幅器の平面図である。第1増幅素子18、20と第2増幅素子22、24の間隔は2mm以上4mm以下である。これにより、増幅素子同士が温度を高めあうことを防止できる。
図11は、他の変形例に係る増幅器の平面図である。第1増幅素子18、20と第2増幅素子22、24の間に中間基板100が設けられている。増幅素子のゲートパッドとドレインパッドにつながるワイヤの長さは、実施の形態3で説明したようにアンバランスが生じないように調整されている。したがって、第1増幅素子18、20と第2増幅素子22、24の間隔を十分設けて熱特性を改善でき、かつ中間基板100でワイヤ長のばらつきを抑制できる。なお、本発明の実施の形態4に係る増幅器はその特徴を失わない範囲で上記の変形の他にも様々な変形が可能である。
実施の形態5.
実施の形態1−4の増幅素子は、1つの増幅素子(FETチップ)に複数の単位セルのトランジスタが敷き詰められたマルチセル構造となっている。これに対し、実施の形態5の増幅素子は、1つの増幅素子(FETチップ)に1つの単位セルのトランジスタがもうけられた単位セル構造で形成する。
図12は、実施の形態5に係る増幅器の平面図である。増幅素子150、152、154はそれぞれ単位セルで構成されている。第2増幅素子160、162、164もそれぞれ単位セルで構成されている。単位セル構造の増幅素子は、マルチセル構造の増幅素子に比べてチップサイズが小さい。このため、増幅素子間の間隔を大きくすることができるので、増幅素子の温度上昇を抑制しやすい。例えば、マルチセル構造の増幅素子を採用した場合には、素子温度が高くなり増幅素子の出力が低下する場合がある。そのような場合には、図12のように単位セル構造の増幅素子を採用することで、素子温度の上昇を抑制できる。
図13は、変形例に係る増幅器の平面図である。図13の単位セル構造の増幅素子は、図12の増幅素子を90度回転させた位置にある。このように増幅素子を配置することで、増幅器を構成する部品のレイアウトの自由度を高めることができる。
実施の形態6.
図14は、実施の形態6に係る増幅器の平面図である。分配パターン16Pが形成された入力側分配回路16が設けられている。入力端子ワイヤ14が入力端子12と分配パターン16Pを接続している。さらに、この増幅器は合成パターン34Pが形成された出力側合成回路34を備えている。出力端子ワイヤ38が出力端子36と合成パターン34Pを接続している。入力側分配回路16と出力側合成回路34の間に、ゲートパッド200aとドレインパッド200bを有する第1増幅素子200と、ゲートパッド202aとドレインパッド202bを有する第2増幅素子202が設けられている。
図15は、図14の一部拡大図である。分配パターン16Pのうち、入力端子ワイヤ14が打たれた場所を入力点P1と称する。第1増幅素子200のゲートパッド200aと分配パターン16Pは第1入力ワイヤ30a、30bで接続されている。分配パターン16Pのうち、第1入力ワイヤ30a、30bが接続された場所は、出力点P2、P3である。
第2増幅素子202のゲートパッド202aと分配パターン16Pは第2入力ワイヤ30c、30dで接続されている。分配パターン16Pのうち、第2入力ワイヤ30c、30dが接続された場所は、出力点P4、P5である。そして、分配パターン16Pは、入力点P1から、出力点P2、P3、P4、P5までの信号経路長を均一にするように形成されている。
合成パターン34Pのうち、出力端子ワイヤ38が打たれた場所を出力点P10と称する。第1増幅素子200のドレインパッド200bと合成パターン34Pは第1出力ワイヤ32a、32bで接続されている。合成パターン34Pのうち、第1出力ワイヤ32a、32bが接続された場所は、入力点P11、P12である。
第2増幅素子202のドレインパッド202bと合成パターン34Pは第2出力ワイヤ32c、32dで接続されている。合成パターン34Pのうち、第2出力ワイヤ32c、32dが接続された場所は、入力点P13、P14である。そして、合成パターン34Pは、出力点P10から、入力点P11、P12、P13、P14までの信号経路長を均一にするように形成されている。
全ての増幅素子の動作ばらつきを抑え、均一動作させることが好ましい。そこで、本発明の実施の形態6では、第1入力ワイヤ30a、30bと第2入力ワイヤ30c、30dのワイヤ長を統一した。さらに、分配パターン16Pの形状を調整することで、入力点P1から出力点P2、P3、P4、P5までの信号経路長を均一にした。さらに、第1出力ワイヤ32a、32bと第2出力ワイヤ32c、32dのワイヤ長を統一した。そして、合成パターン34Pの形状を調整することで、出力点P10から、入力点P11、P12、P13、P14までの信号経路長を均一にした。したがって、回路のアンバランスをなくし複数の増幅素子を均一動作させることができる。なお、図15の構成から増幅素子の数を増加させる場合は、それに応じて、分配パターンと合成パターンの数を増加させる。
このような分配パターンと合成パターンの調整方法を、中間基板を有する増幅器に応用することもできる。図16は、変形例に係る増幅器の平面図である。入力ワイヤ30Eと第1接続ワイヤ102は分配パターンに接続されている。2つの分配パターンは、どちらも、入力端子ワイヤ14が打たれた入力点から、入力ワイヤ30E又は第1接続ワイヤ102が接続された出力点までの信号経路長を均一にするように形成されている。
第4接続ワイヤ108と出力ワイヤ32Eは合成パターンに接続されている。2つの合成パターンは、どちらも、出力端子ワイヤ38が打たれた出力点から、第4接続ワイヤ108又は出力ワイヤ32Eが接続された入力点までの信号経路長を均一にするように形成されている。
若干のアンバランスを許容する場合は、図14−16の構成において、分配パターン又は合成パターンを省略してもよい。分配パターン又は合成パターンを省略することで、製造コストを低下させることができる。なお、ここまでに説明した各実施の形態に係る増幅器の特徴は適宜に組み合わせて用いてもよい。
10 パッケージ、 12 入力端子、 14 入力端子ワイヤ、 16 入力側分配回路、 16P 分配パターン、 18,20 第1増幅素子、 22,24 第2増幅素子、 34 出力側合成回路、 34P 合成パターン、 36 出力端子、 38 出力端子ワイヤ、 100 中間基板、 100a 第1パターン、 100b 第2パターン、 102 第1接続ワイヤ、 104 第2接続ワイヤ、 106 第3接続ワイヤ、 108 第4接続ワイヤ、 P1 入力点、 P2,P3,P4,P5 出力点、 P10 出力点、 P11,P12,P13,P14 入力点
このような分配パターンと合成パターンの調整方法を、中間基板を有する増幅器に応用することもできる。図16は、変形例に係る増幅器の平面図である。入力ワイヤ30Eと第1接続ワイヤ102は分配パターンに接続されている。2つの分配パターンは、どちらも、入力端子ワイヤ14が打たれた入力点から、入力ワイヤ30E及び第1接続ワイヤ102が接続された出力点までの信号経路長を均一にするように形成されている。
第4接続ワイヤ108と出力ワイヤ32Eは合成パターンに接続されている。2つの合成パターンは、どちらも、出力端子ワイヤ38が打たれた出力点から、第4接続ワイヤ108及び出力ワイヤ32Eが接続された入力点までの信号経路長を均一にするように形成されている。


Claims (11)

  1. パッケージと、
    前記パッケージの中に設けられた入力側分配回路と、
    前記パッケージの中に設けられた出力側合成回路と、
    第1ゲートパッドと第1ドレインパッドを有し、前記パッケージの中に前記入力側分配回路に沿って設けられた複数の第1増幅素子と、
    第2ゲートパッドと第2ドレインパッドを有し、前記パッケージの中に前記出力側合成回路に沿って設けられた、前記第1増幅素子と同じ形状の複数の第2増幅素子と、
    前記入力側分配回路と前記第1ゲートパッドを接続する第1入力ワイヤと、
    前記入力側分配回路と前記第2ゲートパッドを接続する第2入力ワイヤと、
    前記第1ドレインパッドと前記出力側合成回路を接続する第1出力ワイヤと、
    前記第2ドレインパッドと前記出力側合成回路を接続する第2出力ワイヤと、を備え、
    前記複数の第1増幅素子と前記複数の第2増幅素子が千鳥状に設けられ、
    前記第1入力ワイヤと前記第2入力ワイヤの長さが等しく、
    前記第1出力ワイヤと前記第2出力ワイヤの長さが等しいことを特徴とする増幅器。
  2. 前記パッケージに取り付けられた入力端子と、
    前記パッケージに取り付けられた出力端子と、
    前記入力側分配回路のパターンである分配パターンと、
    前記入力端子と前記分配パターンを接続する入力端子ワイヤと、を備え、
    前記第1入力ワイヤと前記第2入力ワイヤは前記分配パターンに接続され、
    前記分配パターンは、前記入力端子ワイヤが打たれた入力点から、前記第1入力ワイヤ又は前記第2入力ワイヤが接続された出力点までの信号経路長を均一にするように形成されたことを特徴とする請求項1に記載の増幅器。
  3. 前記パッケージに取り付けられた入力端子と、
    前記パッケージに取り付けられた出力端子と、
    前記出力側合成回路のパターンである合成パターンと、
    前記出力端子と前記合成パターンを接続する出力端子ワイヤと、を備え、
    前記第1出力ワイヤと前記第2出力ワイヤは前記合成パターンに接続され、
    前記合成パターンは、前記出力端子ワイヤが打たれた出力点から、前記第1出力ワイヤ又は前記第2出力ワイヤが接続された入力点までの信号経路長を均一にするように形成されたことを特徴とする請求項1に記載の増幅器。
  4. パッケージと、
    前記パッケージの中に設けられた入力側分配回路と、
    前記パッケージの中に設けられた出力側合成回路と、
    第1ゲートパッドと第1ドレインパッドを有し、前記パッケージの中に前記入力側分配回路に沿って設けられた複数の第1増幅素子と、
    第2ゲートパッドと第2ドレインパッドを有し、前記パッケージの中に前記出力側合成回路に沿って設けられた、前記第1増幅素子と同じ形状の複数の第2増幅素子と、
    前記複数の第1増幅素子と前記複数の第2増幅素子の間に設けられた、第1パターンと第2パターンが形成された中間基板と、
    前記入力側分配回路と前記第1ゲートパッドを接続する入力ワイヤと、
    前記入力側分配回路と第1パターンを接続する第1接続ワイヤと、
    前記第1パターンと前記第2ゲートパッドを接続する第2接続ワイヤと、
    前記第2ドレインパッドと前記出力側合成回路を接続する出力ワイヤと、
    前記第1ドレインパッドと前記第2パターンを接続する第3接続ワイヤと、
    前記第2パターンと前記出力側合成回路を接続する第4接続ワイヤと、を備え、
    前記複数の第1増幅素子と前記複数の第2増幅素子が千鳥状に設けられ、
    前記入力ワイヤの長さは、前記第1接続ワイヤの長さと、前記第2接続ワイヤの長さと、前記第1パターンの前記第1接続ワイヤの固定点から前記第2接続ワイヤの固定点までの長さと、の和に等しく、
    前記出力ワイヤの長さは、前記第3接続ワイヤの長さと、前記第4接続ワイヤの長さと、前記第2パターンの前記第3接続ワイヤの固定点から前記第4接続ワイヤの固定点までの長さと、の和に等しいことを特徴とする増幅器。
  5. 前記中間基板は、0.2mm、0.254mm、0.635mm、又は1mmのいずれかの厚みを有するアルミナ基板を備え、
    前記第1パターンと前記第2パターンが前記アルミナ基板上に設けられ、
    前記第1パターンと前記第2パターンの幅が0.1mmであることを特徴とする請求項4に記載の増幅器。
  6. 前記パッケージに取り付けられた入力端子と、
    前記パッケージに取り付けられた出力端子と、
    前記入力側分配回路のパターンである分配パターンと、
    前記入力端子と前記分配パターンを接続する入力端子ワイヤと、を備え、
    前記入力ワイヤと前記第1接続ワイヤは前記分配パターンに接続され、
    前記分配パターンは、前記入力端子ワイヤが打たれた入力点から、前記入力ワイヤ又は前記第1接続ワイヤが接続された出力点までの信号経路長を均一にするように形成されたことを特徴とする請求項4又は5に記載の増幅器。
  7. 前記パッケージに取り付けられた入力端子と、
    前記パッケージに取り付けられた出力端子と、
    前記出力側合成回路のパターンである合成パターンと、
    前記出力端子と前記合成パターンを接続する出力端子ワイヤと、を備え、
    前記第4接続ワイヤと前記出力ワイヤは前記合成パターンに接続され、
    前記合成パターンは、前記出力端子ワイヤが打たれた出力点から、前記第4接続ワイヤ又は前記出力ワイヤが接続された入力点までの信号経路長を均一にするように形成されたことを特徴とする請求項4又は5に記載の増幅器。
  8. 前記入力側分配回路と前記出力側合成回路は、0.2mm、0.254mm、0.635mm、又は1mmのいずれかの厚みを有するアルミナ基板、又は0.18mm、0.2mm、0.25mm、0.3mm、0.38mm、又は0.4mmのいずれかの厚みを有し比誘電率が38、89、又は150のいずれかの高誘電率基板に、金メッキを施したものであることを特徴とする請求項1〜7のいずれか1項に記載の増幅器。
  9. 前記複数の第1増幅素子と前記複数の第2増幅素子の間隔は2mm以上4mm以下であることを特徴とする請求項1〜8のいずれか1項に記載の増幅器。
  10. 前記複数の第1増幅素子のそれぞれと、前記複数の第2増幅素子のそれぞれは単位セルで構成されたことを特徴とする請求項1〜9のいずれか1項に記載の増幅器。
  11. 前記パッケージに取り付けられた入力端子と、
    前記パッケージに取り付けられた出力端子と、
    前記複数の第1増幅素子への信号入力方向、前記複数の第1増幅素子の信号出力方向、前記複数の第2増幅素子への信号入力方向、及び前記複数の第2増幅素子の信号出力方向は、前記入力端子と前記出力端子を結ぶ線に交差する方向であることを特徴とする請求項1、4、5のいずれか1項に記載の増幅器。
JP2015083582A 2015-04-15 2015-04-15 増幅器 Active JP6418050B2 (ja)

Priority Applications (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2015083582A JP6418050B2 (ja) 2015-04-15 2015-04-15 増幅器
US14/993,131 US9806039B2 (en) 2015-04-15 2016-01-12 Amplifier
CN201610236702.9A CN106059518B (zh) 2015-04-15 2016-04-15 放大器

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2015083582A JP6418050B2 (ja) 2015-04-15 2015-04-15 増幅器

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JP2016208090A true JP2016208090A (ja) 2016-12-08
JP6418050B2 JP6418050B2 (ja) 2018-11-07

Family

ID=57128481

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2015083582A Active JP6418050B2 (ja) 2015-04-15 2015-04-15 増幅器

Country Status (3)

Country Link
US (1) US9806039B2 (ja)
JP (1) JP6418050B2 (ja)
CN (1) CN106059518B (ja)

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN111836796A (zh) * 2018-03-27 2020-10-27 株式会社艾迪科 化合物、自由基聚合引发剂、组合物、固化物及固化物的制造方法
JP7031792B1 (ja) * 2021-04-07 2022-03-08 三菱電機株式会社 ドハティ増幅器

Families Citing this family (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP6665759B2 (ja) * 2016-11-10 2020-03-13 三菱電機株式会社 高周波回路
DE102017100532A1 (de) * 2017-01-12 2018-07-12 Danfoss Silicon Power Gmbh Leistungsmodul mit verbesserter Stromverteilung
DE112018006918T5 (de) * 2018-01-22 2020-10-01 Mitsubishi Electric Corporation Verstärker

Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20030164738A1 (en) * 2002-03-04 2003-09-04 Kang Wu Radio frequency monolithic power amplifier layout techniques
JP2007274181A (ja) * 2006-03-30 2007-10-18 Toshiba Corp 半導体装置
US20100045385A1 (en) * 2008-08-19 2010-02-25 Cree, Inc. Integrated circuit with parallel sets of transistor amplifiers having different turn on power levels
US20140145791A1 (en) * 2012-05-17 2014-05-29 Nxp B.V. Amplifier circuit
JP2014222836A (ja) * 2013-05-14 2014-11-27 三菱電機株式会社 電力増幅器

Family Cites Families (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2980001B2 (ja) 1995-06-27 1999-11-22 日本電気株式会社 電界効果型トランジスタ
JP3097601B2 (ja) 1997-05-23 2000-10-10 日本電気株式会社 高出力電力増幅器
JPH11346130A (ja) * 1998-06-02 1999-12-14 Mitsubishi Electric Corp 半導体装置
US6798295B2 (en) * 2002-12-13 2004-09-28 Cree Microwave, Inc. Single package multi-chip RF power amplifier
US6734728B1 (en) * 2002-12-19 2004-05-11 Infineon Technologies North America Corp. RF power transistor with internal bias feed
JP4012840B2 (ja) * 2003-03-14 2007-11-21 三菱電機株式会社 半導体装置
JP2006086329A (ja) * 2004-09-16 2006-03-30 Matsushita Electric Ind Co Ltd 電力増幅器モジュール
JP5239905B2 (ja) * 2009-01-28 2013-07-17 富士通株式会社 高周波増幅器
JP5361694B2 (ja) 2009-12-15 2013-12-04 株式会社東芝 高周波モジュール
JP5611110B2 (ja) 2011-04-26 2014-10-22 三菱電機株式会社 高周波増幅器

Patent Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20030164738A1 (en) * 2002-03-04 2003-09-04 Kang Wu Radio frequency monolithic power amplifier layout techniques
JP2007274181A (ja) * 2006-03-30 2007-10-18 Toshiba Corp 半導体装置
US20100045385A1 (en) * 2008-08-19 2010-02-25 Cree, Inc. Integrated circuit with parallel sets of transistor amplifiers having different turn on power levels
US20140145791A1 (en) * 2012-05-17 2014-05-29 Nxp B.V. Amplifier circuit
JP2014222836A (ja) * 2013-05-14 2014-11-27 三菱電機株式会社 電力増幅器

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN111836796A (zh) * 2018-03-27 2020-10-27 株式会社艾迪科 化合物、自由基聚合引发剂、组合物、固化物及固化物的制造方法
JP7031792B1 (ja) * 2021-04-07 2022-03-08 三菱電機株式会社 ドハティ増幅器

Also Published As

Publication number Publication date
CN106059518B (zh) 2018-11-13
CN106059518A (zh) 2016-10-26
US9806039B2 (en) 2017-10-31
JP6418050B2 (ja) 2018-11-07
US20160308499A1 (en) 2016-10-20

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP6418050B2 (ja) 増幅器
SeyyedEsfahlan et al. 77-GHz four-element phased-array radar receiver front end
TWI556358B (zh) 半導體裝置及包含其之通訊系統
US20150280650A1 (en) Modular spatially combined ehf power amplifier
JP2008294423A (ja) 半導体装置
JP2007095970A (ja) 半導体パッケージの製造方法及び半導体パッケージ
JP4408082B2 (ja) 集積回路パッケージの設計方法および製造方法
JP2014222836A (ja) 電力増幅器
JPH11238851A (ja) 集積回路装置およびそれを用いた通信機
JP3728393B2 (ja) 半導体装置
JPH05191177A (ja) 奇数のトランジスタチップからマイクロ波電力を分割/結合する装置及び方法
JPWO2011016157A1 (ja) 半導体装置および電子装置
JP2001185576A (ja) 半導体装置
JP2006156902A (ja) 高周波用半導体装置
WO2018211643A1 (ja) 増幅器
JP2007294768A (ja) 半導体装置
JP2022104789A (ja) 前面インターポーザ端子とモジュールを通じる熱散逸構造とを有する回路モジュール
KR102252718B1 (ko) 고주파 모듈
JP2004296719A (ja) 半導体装置
JP6289355B2 (ja) 高周波回路及びアンテナ装置
US11496102B2 (en) Amplifier
JP2015177171A (ja) 半導体装置
JP2014120501A (ja) 半導体装置及び半導体装置の製造方法
KR20140092018A (ko) 역방향 스택 인터포저를 갖는 스택 패키지 및 제조방법
JP2008148099A (ja) 差動増幅器

Legal Events

Date Code Title Description
A621 Written request for application examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

Effective date: 20170621

A977 Report on retrieval

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007

Effective date: 20180517

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20180529

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20180720

TRDD Decision of grant or rejection written
A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 20180911

A61 First payment of annual fees (during grant procedure)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61

Effective date: 20180924

R150 Certificate of patent or registration of utility model

Ref document number: 6418050

Country of ref document: JP

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250