JP2016192575A - 半導体装置 - Google Patents
半導体装置 Download PDFInfo
- Publication number
- JP2016192575A JP2016192575A JP2016148064A JP2016148064A JP2016192575A JP 2016192575 A JP2016192575 A JP 2016192575A JP 2016148064 A JP2016148064 A JP 2016148064A JP 2016148064 A JP2016148064 A JP 2016148064A JP 2016192575 A JP2016192575 A JP 2016192575A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- film
- oxide semiconductor
- semiconductor film
- transistor
- region
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims abstract description 312
- 239000013078 crystal Substances 0.000 claims abstract description 68
- 239000011701 zinc Substances 0.000 claims description 36
- 239000011135 tin Substances 0.000 claims description 17
- 229910052733 gallium Inorganic materials 0.000 claims description 13
- 229910052738 indium Inorganic materials 0.000 claims description 12
- 229910052725 zinc Inorganic materials 0.000 claims description 11
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 claims description 9
- 229910052718 tin Inorganic materials 0.000 claims description 7
- 239000010936 titanium Substances 0.000 claims description 7
- HCHKCACWOHOZIP-UHFFFAOYSA-N Zinc Chemical compound [Zn] HCHKCACWOHOZIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 claims description 6
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 5
- GYHNNYVSQQEPJS-UHFFFAOYSA-N Gallium Chemical compound [Ga] GYHNNYVSQQEPJS-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N Tin Chemical compound [Sn] ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N indium atom Chemical compound [In] APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- 239000012528 membrane Substances 0.000 claims description 4
- 238000000151 deposition Methods 0.000 abstract description 13
- 230000002349 favourable effect Effects 0.000 abstract description 6
- 229910002076 stabilized zirconia Inorganic materials 0.000 abstract description 5
- 239000002585 base Substances 0.000 description 87
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 78
- 238000000034 method Methods 0.000 description 70
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 67
- 229910007541 Zn O Inorganic materials 0.000 description 65
- 125000004429 atom Chemical group 0.000 description 47
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 42
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 40
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 40
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 description 39
- 230000005669 field effect Effects 0.000 description 35
- 229910001233 yttria-stabilized zirconia Inorganic materials 0.000 description 35
- 230000015654 memory Effects 0.000 description 34
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 32
- 125000004430 oxygen atom Chemical group O* 0.000 description 32
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 27
- 230000002829 reductive effect Effects 0.000 description 26
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 24
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 24
- XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N Zinc monoxide Chemical compound [Zn]=O XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 23
- 239000000463 material Substances 0.000 description 22
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 description 20
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 20
- RVTZCBVAJQQJTK-UHFFFAOYSA-N oxygen(2-);zirconium(4+) Chemical compound [O-2].[O-2].[Zr+4] RVTZCBVAJQQJTK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 20
- 229910001928 zirconium oxide Inorganic materials 0.000 description 20
- 150000002500 ions Chemical group 0.000 description 19
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 19
- 239000012298 atmosphere Substances 0.000 description 18
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 18
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 17
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 15
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N nitrogen Substances N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 15
- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 description 13
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 12
- 239000011787 zinc oxide Substances 0.000 description 12
- 238000004364 calculation method Methods 0.000 description 11
- 238000004458 analytical method Methods 0.000 description 10
- 239000001257 hydrogen Substances 0.000 description 10
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 description 10
- 230000008569 process Effects 0.000 description 10
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 9
- SIWVEOZUMHYXCS-UHFFFAOYSA-N oxo(oxoyttriooxy)yttrium Chemical compound O=[Y]O[Y]=O SIWVEOZUMHYXCS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 9
- 238000000231 atomic layer deposition Methods 0.000 description 8
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 8
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 description 8
- 230000001590 oxidative effect Effects 0.000 description 8
- 238000004549 pulsed laser deposition Methods 0.000 description 8
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 7
- 229910052796 boron Inorganic materials 0.000 description 7
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 description 7
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 7
- 229910019092 Mg-O Inorganic materials 0.000 description 6
- 229910019395 Mg—O Inorganic materials 0.000 description 6
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 230000006870 function Effects 0.000 description 6
- 150000002431 hydrogen Chemical class 0.000 description 6
- 238000003860 storage Methods 0.000 description 6
- 238000001451 molecular beam epitaxy Methods 0.000 description 5
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 5
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 5
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 description 5
- 239000011734 sodium Substances 0.000 description 5
- 229910052727 yttrium Inorganic materials 0.000 description 5
- XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N Argon Chemical compound [Ar] XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N Boron Chemical compound [B] ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N Hydrogen Chemical compound [H][H] UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- GQPLMRYTRLFLPF-UHFFFAOYSA-N Nitrous Oxide Chemical compound [O-][N+]#N GQPLMRYTRLFLPF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N Phosphorus Chemical compound [P] OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 4
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 4
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 4
- 229910052698 phosphorus Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000011574 phosphorus Substances 0.000 description 4
- 238000005268 plasma chemical vapour deposition Methods 0.000 description 4
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 4
- VWQVUPCCIRVNHF-UHFFFAOYSA-N yttrium atom Chemical compound [Y] VWQVUPCCIRVNHF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 238000002441 X-ray diffraction Methods 0.000 description 3
- 229910052783 alkali metal Inorganic materials 0.000 description 3
- 150000001340 alkali metals Chemical class 0.000 description 3
- 230000008859 change Effects 0.000 description 3
- 230000005684 electric field Effects 0.000 description 3
- 229910052748 manganese Inorganic materials 0.000 description 3
- TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N oxo(oxoalumanyloxy)alumane Chemical compound O=[Al]O[Al]=O TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 238000005036 potential barrier Methods 0.000 description 3
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 3
- 230000002441 reversible effect Effects 0.000 description 3
- 239000002356 single layer Substances 0.000 description 3
- 238000004611 spectroscopical analysis Methods 0.000 description 3
- 230000000087 stabilizing effect Effects 0.000 description 3
- 102100040844 Dual specificity protein kinase CLK2 Human genes 0.000 description 2
- 101000749291 Homo sapiens Dual specificity protein kinase CLK2 Proteins 0.000 description 2
- CBENFWSGALASAD-UHFFFAOYSA-N Ozone Chemical compound [O-][O+]=O CBENFWSGALASAD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- MCMNRKCIXSYSNV-UHFFFAOYSA-N Zirconium dioxide Chemical compound O=[Zr]=O MCMNRKCIXSYSNV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052784 alkaline earth metal Inorganic materials 0.000 description 2
- 150000001342 alkaline earth metals Chemical class 0.000 description 2
- 229910021417 amorphous silicon Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910052786 argon Inorganic materials 0.000 description 2
- BRPQOXSCLDDYGP-UHFFFAOYSA-N calcium oxide Chemical compound [O-2].[Ca+2] BRPQOXSCLDDYGP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- ODINCKMPIJJUCX-UHFFFAOYSA-N calcium oxide Inorganic materials [Ca]=O ODINCKMPIJJUCX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000000292 calcium oxide Substances 0.000 description 2
- 239000000969 carrier Substances 0.000 description 2
- 229910000420 cerium oxide Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000003795 desorption Methods 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 239000011261 inert gas Substances 0.000 description 2
- 239000012212 insulator Substances 0.000 description 2
- CPLXHLVBOLITMK-UHFFFAOYSA-N magnesium oxide Inorganic materials [Mg]=O CPLXHLVBOLITMK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000000395 magnesium oxide Substances 0.000 description 2
- AXZKOIWUVFPNLO-UHFFFAOYSA-N magnesium;oxygen(2-) Chemical compound [O-2].[Mg+2] AXZKOIWUVFPNLO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 2
- 229910044991 metal oxide Inorganic materials 0.000 description 2
- 150000004706 metal oxides Chemical class 0.000 description 2
- 229910052750 molybdenum Inorganic materials 0.000 description 2
- 150000004767 nitrides Chemical class 0.000 description 2
- 239000012299 nitrogen atmosphere Substances 0.000 description 2
- 239000001272 nitrous oxide Substances 0.000 description 2
- BMMGVYCKOGBVEV-UHFFFAOYSA-N oxo(oxoceriooxy)cerium Chemical compound [Ce]=O.O=[Ce]=O BMMGVYCKOGBVEV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 2
- 238000000623 plasma-assisted chemical vapour deposition Methods 0.000 description 2
- 229910021420 polycrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 2
- 230000003068 static effect Effects 0.000 description 2
- 229910052720 vanadium Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 description 2
- 229910052726 zirconium Inorganic materials 0.000 description 2
- OYPRJOBELJOOCE-UHFFFAOYSA-N Calcium Chemical compound [Ca] OYPRJOBELJOOCE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052684 Cerium Inorganic materials 0.000 description 1
- 102100040862 Dual specificity protein kinase CLK1 Human genes 0.000 description 1
- 101000749294 Homo sapiens Dual specificity protein kinase CLK1 Proteins 0.000 description 1
- DGAQECJNVWCQMB-PUAWFVPOSA-M Ilexoside XXIX Chemical compound C[C@@H]1CC[C@@]2(CC[C@@]3(C(=CC[C@H]4[C@]3(CC[C@@H]5[C@@]4(CC[C@@H](C5(C)C)OS(=O)(=O)[O-])C)C)[C@@H]2[C@]1(C)O)C)C(=O)O[C@H]6[C@@H]([C@H]([C@@H]([C@H](O6)CO)O)O)O.[Na+] DGAQECJNVWCQMB-PUAWFVPOSA-M 0.000 description 1
- 240000002329 Inga feuillei Species 0.000 description 1
- WHXSMMKQMYFTQS-UHFFFAOYSA-N Lithium Chemical compound [Li] WHXSMMKQMYFTQS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- FYYHWMGAXLPEAU-UHFFFAOYSA-N Magnesium Chemical compound [Mg] FYYHWMGAXLPEAU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910018657 Mn—Al Inorganic materials 0.000 description 1
- ZLMJMSJWJFRBEC-UHFFFAOYSA-N Potassium Chemical compound [K] ZLMJMSJWJFRBEC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 description 1
- 241001591005 Siga Species 0.000 description 1
- 229910000577 Silicon-germanium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910020994 Sn-Zn Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910005728 SnZn Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910009069 Sn—Zn Inorganic materials 0.000 description 1
- NRTOMJZYCJJWKI-UHFFFAOYSA-N Titanium nitride Chemical compound [Ti]#N NRTOMJZYCJJWKI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- QCWXUUIWCKQGHC-UHFFFAOYSA-N Zirconium Chemical compound [Zr] QCWXUUIWCKQGHC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- LEVVHYCKPQWKOP-UHFFFAOYSA-N [Si].[Ge] Chemical compound [Si].[Ge] LEVVHYCKPQWKOP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000002159 abnormal effect Effects 0.000 description 1
- PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N aluminium oxide Inorganic materials [O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Al+3] PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052791 calcium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011575 calcium Substances 0.000 description 1
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 1
- CETPSERCERDGAM-UHFFFAOYSA-N ceric oxide Chemical compound O=[Ce]=O CETPSERCERDGAM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ZMIGMASIKSOYAM-UHFFFAOYSA-N cerium Chemical compound [Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce] ZMIGMASIKSOYAM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910000422 cerium(IV) oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 1
- 230000003247 decreasing effect Effects 0.000 description 1
- 238000009826 distribution Methods 0.000 description 1
- 238000001312 dry etching Methods 0.000 description 1
- 230000005611 electricity Effects 0.000 description 1
- 238000005401 electroluminescence Methods 0.000 description 1
- 238000000407 epitaxy Methods 0.000 description 1
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 1
- 238000011156 evaluation Methods 0.000 description 1
- 238000001704 evaporation Methods 0.000 description 1
- 238000007687 exposure technique Methods 0.000 description 1
- 229910052735 hafnium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910000449 hafnium oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- WIHZLLGSGQNAGK-UHFFFAOYSA-N hafnium(4+);oxygen(2-) Chemical compound [O-2].[O-2].[Hf+4] WIHZLLGSGQNAGK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000001307 helium Substances 0.000 description 1
- 229910052734 helium Inorganic materials 0.000 description 1
- SWQJXJOGLNCZEY-UHFFFAOYSA-N helium atom Chemical compound [He] SWQJXJOGLNCZEY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000004435 hydrogen atom Chemical group [H]* 0.000 description 1
- 230000010354 integration Effects 0.000 description 1
- 229910052743 krypton Inorganic materials 0.000 description 1
- DNNSSWSSYDEUBZ-UHFFFAOYSA-N krypton atom Chemical compound [Kr] DNNSSWSSYDEUBZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000003475 lamination Methods 0.000 description 1
- 229910052744 lithium Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000007774 longterm Effects 0.000 description 1
- 229910052749 magnesium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011777 magnesium Substances 0.000 description 1
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 description 1
- 230000005012 migration Effects 0.000 description 1
- 238000013508 migration Methods 0.000 description 1
- 229910052754 neon Inorganic materials 0.000 description 1
- GKAOGPIIYCISHV-UHFFFAOYSA-N neon atom Chemical compound [Ne] GKAOGPIIYCISHV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 1
- QJGQUHMNIGDVPM-UHFFFAOYSA-N nitrogen group Chemical group [N] QJGQUHMNIGDVPM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052756 noble gas Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 1
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 description 1
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 description 1
- 230000003071 parasitic effect Effects 0.000 description 1
- 230000036961 partial effect Effects 0.000 description 1
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 description 1
- 238000000206 photolithography Methods 0.000 description 1
- 238000005498 polishing Methods 0.000 description 1
- 229910052700 potassium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011591 potassium Substances 0.000 description 1
- 239000010453 quartz Substances 0.000 description 1
- 238000005546 reactive sputtering Methods 0.000 description 1
- 230000009467 reduction Effects 0.000 description 1
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 1
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 1
- 230000004044 response Effects 0.000 description 1
- 230000000717 retained effect Effects 0.000 description 1
- 238000004439 roughness measurement Methods 0.000 description 1
- 238000005001 rutherford backscattering spectroscopy Methods 0.000 description 1
- 229910052594 sapphire Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010980 sapphire Substances 0.000 description 1
- 238000001004 secondary ion mass spectrometry Methods 0.000 description 1
- 238000000926 separation method Methods 0.000 description 1
- HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N silicon carbide Chemical compound [Si+]#[C-] HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910010271 silicon carbide Inorganic materials 0.000 description 1
- LIVNPJMFVYWSIS-UHFFFAOYSA-N silicon monoxide Chemical compound [Si-]#[O+] LIVNPJMFVYWSIS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052708 sodium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000007787 solid Substances 0.000 description 1
- 238000005477 sputtering target Methods 0.000 description 1
- 230000003746 surface roughness Effects 0.000 description 1
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052724 xenon Inorganic materials 0.000 description 1
- FHNFHKCVQCLJFQ-UHFFFAOYSA-N xenon atom Chemical compound [Xe] FHNFHKCVQCLJFQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L29/00—Semiconductor devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching and having potential barriers; Capacitors or resistors having potential barriers, e.g. a PN-junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/66—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/68—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor controllable by only the electric current supplied, or only the electric potential applied, to an electrode which does not carry the current to be rectified, amplified or switched
- H01L29/76—Unipolar devices, e.g. field effect transistors
- H01L29/772—Field effect transistors
- H01L29/78—Field effect transistors with field effect produced by an insulated gate
- H01L29/786—Thin film transistors, i.e. transistors with a channel being at least partly a thin film
- H01L29/78603—Thin film transistors, i.e. transistors with a channel being at least partly a thin film characterised by the insulating substrate or support
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L29/00—Semiconductor devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching and having potential barriers; Capacitors or resistors having potential barriers, e.g. a PN-junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/66—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/68—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor controllable by only the electric current supplied, or only the electric potential applied, to an electrode which does not carry the current to be rectified, amplified or switched
- H01L29/76—Unipolar devices, e.g. field effect transistors
- H01L29/772—Field effect transistors
- H01L29/78—Field effect transistors with field effect produced by an insulated gate
- H01L29/786—Thin film transistors, i.e. transistors with a channel being at least partly a thin film
- H01L29/7869—Thin film transistors, i.e. transistors with a channel being at least partly a thin film having a semiconductor body comprising an oxide semiconductor material, e.g. zinc oxide, copper aluminium oxide, cadmium stannate
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/02—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers
- H01L27/12—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body
- H01L27/1214—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body comprising a plurality of TFTs formed on a non-semiconducting substrate, e.g. driving circuits for AMLCDs
- H01L27/1222—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body comprising a plurality of TFTs formed on a non-semiconducting substrate, e.g. driving circuits for AMLCDs with a particular composition, shape or crystalline structure of the active layer
- H01L27/1225—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body comprising a plurality of TFTs formed on a non-semiconducting substrate, e.g. driving circuits for AMLCDs with a particular composition, shape or crystalline structure of the active layer with semiconductor materials not belonging to the group IV of the periodic table, e.g. InGaZnO
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L29/00—Semiconductor devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching and having potential barriers; Capacitors or resistors having potential barriers, e.g. a PN-junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/02—Semiconductor bodies ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/04—Semiconductor bodies ; Multistep manufacturing processes therefor characterised by their crystalline structure, e.g. polycrystalline, cubic or particular orientation of crystalline planes
- H01L29/045—Semiconductor bodies ; Multistep manufacturing processes therefor characterised by their crystalline structure, e.g. polycrystalline, cubic or particular orientation of crystalline planes by their particular orientation of crystalline planes
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L29/00—Semiconductor devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching and having potential barriers; Capacitors or resistors having potential barriers, e.g. a PN-junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/40—Electrodes ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/43—Electrodes ; Multistep manufacturing processes therefor characterised by the materials of which they are formed
- H01L29/49—Metal-insulator-semiconductor electrodes, e.g. gates of MOSFET
- H01L29/4908—Metal-insulator-semiconductor electrodes, e.g. gates of MOSFET for thin film semiconductor, e.g. gate of TFT
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L29/00—Semiconductor devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching and having potential barriers; Capacitors or resistors having potential barriers, e.g. a PN-junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/66—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/66007—Multistep manufacturing processes
- H01L29/66075—Multistep manufacturing processes of devices having semiconductor bodies comprising group 14 or group 13/15 materials
- H01L29/66227—Multistep manufacturing processes of devices having semiconductor bodies comprising group 14 or group 13/15 materials the devices being controllable only by the electric current supplied or the electric potential applied, to an electrode which does not carry the current to be rectified, amplified or switched, e.g. three-terminal devices
- H01L29/66409—Unipolar field-effect transistors
- H01L29/66477—Unipolar field-effect transistors with an insulated gate, i.e. MISFET
- H01L29/66742—Thin film unipolar transistors
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L29/00—Semiconductor devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching and having potential barriers; Capacitors or resistors having potential barriers, e.g. a PN-junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/66—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/66007—Multistep manufacturing processes
- H01L29/66969—Multistep manufacturing processes of devices having semiconductor bodies not comprising group 14 or group 13/15 materials
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Ceramic Engineering (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Thin Film Transistor (AREA)
- Physical Vapour Deposition (AREA)
- Semiconductor Memories (AREA)
- Liquid Crystal (AREA)
Abstract
Description
路に搭載されるパワーデバイス、メモリ、サイリスタ、コンバータ、イメージセンサなど
を含む半導体集積回路、液晶表示パネルに代表される電気光学装置、発光素子を有する発
光表示装置等を部品として搭載した電子機器に関する。
般を指し、電気光学装置、発光表示装置、半導体回路および電子機器は全て半導体装置で
ある。
質シリコン、多結晶シリコンなどによって構成されている。非晶質シリコンを用いたトラ
ンジスタは、電界効果移動度が低いもののガラス基板の大面積化に対応することができる
。また、多結晶シリコンを用いたトランジスタは、電界効果移動度が高いもののガラス基
板の大面積化には適していないという欠点を有している。
製し、電子デバイスや光デバイスに応用する技術が注目されている。例えば、酸化物半導
体として、酸化亜鉛、In−Ga−Zn−O系酸化物を用いてトランジスタを作製し、表
示装置の画素のスイッチング素子などに用いる技術が特許文献1および特許文献2で開示
されている。
1に開示されている。
はゲート絶縁膜との界面の電子状態に影響される。トランジスタの作製中または作製後に
おいて、酸化物半導体膜と該酸化物半導体膜と接する下地膜またはゲート絶縁膜との界面
が乱雑であると、界面の欠陥状態密度が大きく、トランジスタの電気的特性が不安定とな
りやすい。
下地膜またはゲート絶縁膜との界面の電子状態が良好なトランジスタを有する半導体装置
を提供することを課題の一とする。
信頼性の高い半導体装置を作製することを課題の一とする。
向し、ab面、上面または界面に垂直の方向から見て少なくとも三角形状または六角形状
の原子配列を有する、a軸の向きが異なる二カ所以上の結晶部分を含む酸化物半導体膜を
有する。
率は0.15以下、好ましくは0.12以下、さらに好ましくは0.10以下、さらに好
ましくは0.08以下とする。なお、原子配列の不整合率は、下層と上層とが接している
面において、面内の最隣接原子間距離の差を、下層の同面内における最隣接原子間距離で
除した値である。
形状の原子配列を有し、それぞれの原子間隔(原子の形成する三角形状の辺の長さに対応
)が前述の不整合率の範囲とすればよい。
ウムなどの安定化材料を含むと、立方晶系の結晶構造を有し(111)面に配向する。な
お、安定化材料を含む酸化ジルコニウムを以下では安定化ジルコニアと呼ぶ。
とで、下地膜の直上においても結晶化度の高い結晶領域を有する酸化物半導体膜が得られ
る。
対してc軸配向し、ab面、上面または界面に垂直な方向から見て少なくとも三角形状ま
たは六角形状の原子配列を有する、a軸の向きが異なる二カ所以上の結晶部分を含む酸化
物半導体膜を形成しやすくなる。
ミニウムから選ばれた二種以上の元素を含む材料からなる。
ular Beam Epitaxy)法、原子層堆積(ALD:Atomic Lay
er Deposition)法またはパルスレーザー堆積(PLD:Pulse La
ser Deposition)法によって形成することができる。
こと、または酸化物半導体膜を加熱処理しつつ成膜することで、下地膜直上においても結
晶領域を有する酸化物半導体膜を形成することができる。なお、酸化物半導体膜を加熱処
理しつつ成膜し、かつ成膜後に加熱処理を行うと好ましい。
以下の説明に限定されず、その形態および詳細を様々に変更し得ることは、当業者であれ
ば容易に理解される。また、本発明は以下に示す実施の形態の記載内容に限定して解釈さ
れるものではない。なお、図面を用いて発明の構成を説明するにあたり、同じものを指す
符号は異なる図面間でも共通して用いる。なお、同様のものを指す際にはハッチパターン
を同じくし、特に符号を付さない場合がある。
ランジスタのソースおよびドレインについては、本明細書においては、一方をドレインと
呼ぶとき他方をソースと呼ぶ。即ち、電位の高低によって、それらを区別しない。したが
って、本明細書において、ソースとされている部分をドレインと読み替えることもできる
。また、単にソースと記載する場合、ソース電極およびソース領域のいずれかを示す。ま
た、単にドレインと記載する場合、ドレイン電極およびドレイン領域のいずれかを示す。
す場合が多い。よって、電圧と電位とを言い換えることが可能である。
、物理的な接続部分がなく、配線が延在しているだけの場合もある。
を示すものではない。また、本明細書において発明を特定するための事項として固有の名
称を示すものではない。
本実施の形態では、本発明の一態様の半導体装置であるトランジスタの一例について図8
を用いて説明する。
点鎖線C−Dにおける断面は、それぞれ図8(B)に示すA−B断面および図8(C)に
示すC−D断面に対応する。
2上の酸化物半導体膜106と、酸化物半導体膜106上にあり、酸化物半導体膜106
と少なくとも一部が接する一対の電極116と、酸化物半導体膜106および一対の電極
116上のゲート絶縁膜112と、ゲート絶縁膜112を介して酸化物半導体膜106と
重畳するゲート電極104と、を有する。
gned Crystalline Oxide Semiconductor)である
。
ら見て少なくとも三角形状または六角形状の原子配列を有する、a軸の向きが異なる二カ
所以上の結晶部分を含む酸化物半導体のことである。
状または六角形状の原子配列を有し、かつc軸に垂直な方向から見て金属原子が層状また
は金属原子と酸素原子が層状に配列した相を含む材料をいう。
、CAAC−OSは結晶部分を含むが、1つの結晶部分と他の結晶部分の境界を明確に判
別できないこともある。
を構成する個々の結晶部分のc軸は一定の方向(例えば、CAAC−OSが形成される基
板面やCAAC−OSの上面、界面などに垂直な方向)に揃っていてもよい。または、C
AAC−OSを構成する個々の結晶部分のab面の法線は一定の方向(例えば、基板面、
上面、界面などに垂直な方向)を向いていてもよい。
できる。また、その組成などに応じて、可視光に対して透明であったり不透明であったり
する。
する。なお、特に断りがない限り、図21乃至図24は上方向をc軸方向とし、c軸方向
と直交する面をab面とする。なお、単に上半分、下半分という場合、ab面を境にした
場合の上半分、下半分をいう。また、図21において、丸で囲まれたOは4配位のOを示
し、二重丸で囲まれたOは3配位のOを示す。
配位のO)と、を有する構造を示す。ここでは、金属原子が1個に対して、近接の酸素原
子のみ示した構造を小グループと呼ぶ。図21(A)の構造は、八面体構造をとるが、簡
単のため平面構造で示している。なお、図21(A)の上半分および下半分にはそれぞれ
3個ずつ4配位のOがある。図21(A)に示す小グループの総電荷が0である。
配位のO)と、Gaに近接の2個の4配位のOと、を有する構造を示す。3配位のOは、
いずれもab面に存在する。図21(B)の上半分および下半分にはそれぞれ1個ずつ4
配位のOがある。また、Inも5配位をとるため、図21(B)に示す構造をとりうる。
図21(B)に示す小グループの総電荷が0である。
造を示す。図21(C)の上半分には1個の4配位のOがあり、下半分には3個の4配位
のOがある。または、図21(C)の上半分に3個の4配位のOがあり、下半分に1個の
4配位のOがあってもよい。図21(C)に示す小グループの総電荷が0である。
造を示す。図21(D)の上半分には3個の4配位のOがあり、下半分には3個の4配位
のOがある。図21(D)に示す小グループの総電荷が+1となる。
4配位のOがあり、下半分には1個の4配位のOがある。図21(E)に示す小グループ
の総電荷が−1となる。
大グループと呼ぶ。
6配位のInの上半分の3個のOは下方向にそれぞれ3個の近接Inを有し、下半分の3
個のOは、上方向にそれぞれ3個の近接Inを有する。図21(B)に示す5配位のGa
の上半分の1個のOは下方向に1個の近接Gaを有し、下半分の1個のOは上方向に1個
の近接Gaを有する。図21(C)に示す4配位のZnの上半分の1個のOは下方向に1
個の近接Znを有し、下半分の3個のOは、上方向にそれぞれ3個の近接Znを有する。
この様に、金属原子の上方向の4配位のOの数と、そのOの下方向にある近接金属原子の
数は等しく、同様に金属原子の下方向の4配位のOの数と、そのOの上方向にある近接金
属原子の数は等しい。Oは4配位なので、下方向にある近接金属原子の数と、上方向にあ
る近接金属原子の数の和は4になる。したがって、金属原子の上方向にある4配位のOの
数と、別の金属原子の下方向にある4配位のOの数との和が4個のとき、金属原子を有す
る二種の小グループ同士は結合することができる。例えば、6配位の金属原子(Inまた
はSn)が下半分の4配位のOを介して結合する場合、4配位のOが3個であるため、5
配位の金属原子(GaまたはIn)、4配位の金属原子(Zn)のいずれかと結合するこ
とになる。
また、このほかにも、層構造の合計の電荷が0となるように複数の小グループが結合して
中グループを構成する。
図を示す。図22(B)に、3つの中グループで構成される大グループを示す。なお、図
22(C)は、図22(B)の層構造をc軸方向から観察した場合の原子配列を示す。
、例えば、Snの上半分および下半分にはそれぞれ3個ずつ4配位のOがあることを丸枠
の3として示している。同様に、図22(A)において、Inの上半分および下半分には
それぞれ1個ずつ4配位のOがあり、丸枠の1として示している。また、同様に、図22
(A)において、下半分には1個の4配位のOがあり、上半分には3個の4配位のOがあ
るZnと、上半分には1個の4配位のOがあり、下半分には3個の4配位のOがあるZn
とを示している。
、上から順に4配位のOが3個ずつ上半分および下半分にあるSnが、4配位のOが1個
ずつ上半分および下半分にあるInと結合し、そのInが、上半分に3個の4配位のOが
あるZnと結合し、そのZnの下半分の1個の4配位のOを介して4配位のOが3個ずつ
上半分および下半分にあるInと結合し、そのInが、上半分に1個の4配位のOがある
Zn2個からなる小グループと結合し、この小グループの下半分の1個の4配位のOを介
して4配位のOが3個ずつ上半分および下半分にあるSnと結合している構成である。こ
の中グループが複数結合して大グループを構成する。
67、−0.5と考えることができる。例えば、In(6配位または5配位)、Zn(4
配位)、Sn(5配位または6配位)の電荷は、それぞれ+3、+2、+4である。した
がって、Snを含む小グループの総電荷が+1となる。そのため、Snを含む層構造を形
成するためには、電荷+1を打ち消す電荷−1が必要となる。電荷−1をとる構造として
、図21(E)に示すように、2個のZnを含む小グループが挙げられる。例えば、Sn
を含む小グループが1個に対し、2個のZnを含む小グループが1個あれば、電荷が打ち
消されるため、層構造の合計の電荷を0とすることができる。
−O系化合物の結晶(In2SnZn3O8)を得ることができる。なお、得られるIn
−Sn−Zn−O系化合物の層構造は、In2SnZnO6(ZnO)m(mは自然数。
)とする組成式で表すことができる。
合物、In−Al−Zn−O系化合物、Sn−Ga−Zn−O系化合物、Al−Ga−Z
n−O系化合物、Sn−Al−Zn−O系化合物や、In−Hf−Zn−O系化合物、I
n−La−Zn−O系化合物、In−Ce−Zn−O系化合物、In−Pr−Zn−O系
化合物、In−Nd−Zn−O系化合物、In−Sm−Zn−O系化合物、In−Eu−
Zn−O系化合物、In−Gd−Zn−O系化合物、In−Tb−Zn−O系化合物、I
n−Dy−Zn−O系化合物、In−Ho−Zn−O系化合物、In−Er−Zn−O系
化合物、In−Tm−Zn−O系化合物、In−Yb−Zn−O系化合物、In−Lu−
Zn−O系化合物や、In−Zn−O系化合物、Sn−Zn−O系化合物、Al−Zn−
O系化合物、Zn−Mg−O系化合物、Sn−Mg−O系化合物、In−Mg−O系化合
物や、In−Ga−O系化合物などを用いた場合も同様である。
のモデル図を示す。
、上から順に4配位のOが3個ずつ上半分および下半分にあるInが、4配位のOが1個
上半分にあるZnと結合し、そのZnの下半分の3個の4配位のOを介して、4配位のO
が1個ずつ上半分および下半分にあるGaと結合し、そのGaの下半分の1個の4配位の
Oを介して、4配位のOが3個ずつ上半分および下半分にあるInと結合している構成で
ある。この中グループが複数結合して大グループを構成する。
、図23(B)の層構造をc軸方向から観察した場合の原子配列を示している。
ぞれ+3、+2、+3であるため、In、ZnおよびGaのいずれかを含む小グループは
、電荷が0となる。そのため、これらの小グループの組み合わせであれば中グループの合
計の電荷は常に0となる。
示した中グループに限定されず、In、Ga、Znの配列が異なる中グループを組み合わ
せた大グループも取りうる。
−O系化合物の結晶を得ることができる。なお、得られるIn−Ga−Zn−O系化合物
の層構造は、InGaO3(ZnO)n(nは自然数。)とする組成式で表すことができ
る。
。なお、図24(A)に示す結晶構造において、図21(B)で説明したように、Gaお
よびInは5配位をとるため、GaがInに置き換わった構造も取りうる。
取りうる。なお、図24(B)に示す結晶構造において、図21(B)で説明したように
、GaおよびInは5配位をとるため、GaがInに置き換わった構造も取りうる。
度が十分でない場合がある。具体的には、下地となる膜と酸化物半導体膜との界面から3
nm〜15nmの範囲で非晶質領域が形成されてしまうことがある。
成長させるためには、下地膜102が酸化物半導体膜106と同様の原子配列を有すると
好ましい。
ウムを含むと、(111)面に配向する。このように酸化イットリウムを含む酸化ジルコ
ニウムのことを、イットリア安定化ジルコニア(YSZ:Yttria−Stabili
zed Zirconia)ともいう。YSZは、例えば、酸化ジルコニウムと酸化イッ
トリウムは、mol数比(ここでは合計1とする。)で酸化ジルコニウムが0.57以上
0.99以下、酸化イットリウムが0.01以上0.43以下とすればよい。好ましくは
、mol数比(ここでは合計1とする。)で酸化ジルコニウムが0.85以上0.98以
下、酸化イットリウムが0.02以上0.15以下とすればよい。下地膜102は、例え
ば、スパッタリング法、蒸着法、プラズマ化学気相成長法(PCVD法)、パルスレーザ
ー堆積法(PLD法)、原子層堆積法(ALD法)または分子線エピタキシー法(MBE
法)などで形成すればよい。
配向する。また、スパッタリング法は、大面積への成膜が比較的容易であるため好ましい
。なお、酸化イットリウムに代えて、酸化カルシウム、酸化マグネシウム、酸化セリウム
(セリア)、または酸化アルミニウム(アルミナ)によって安定化ジルコニアを形成して
も構わないが、本細書では、簡単のため前述したYSZについてのみ記載する。ただし、
YSZに限定されるものではなく、適宜、酸化ジルコニウムに、酸化カルシウム、酸化マ
グネシウム、酸化セリウムまたは酸化アルミニウムを添加した安定化ジルコニアに置き換
えることができる。
配向しており、X線回折(XRD:X−Ray Diffraction)法によって得
られる29°から31°の間にあるピークにおいて、半値全幅(FWHM:Full W
idth at Half Maximum)が1°以下、好ましくは0.6°以下、さ
らに好ましくは0.4°以下のYSZ膜である。
06との界面からの酸化物半導体膜106の結晶成長を起こりやすくすることができる。
これは、立方晶系の結晶構造を有する酸化ジルコニウムを(111)面側から見ると、正
三角形状の原子配列を有するためであり、同様の原子配列を有するCAAC−OSの結晶
領域と整合性をとることが可能となるためである。ただし、原子配列の不整合率(下層と
上層とが接している面において、面内の上層の最隣接原子間距離をA、下層の最隣接原子
間距離をBとしたとき、BとAとの差をBで除した値|B−A|/B)が大きくなると下
地との界面からの結晶成長が困難となる。一般的に、原子配列の不整合率が高いと、結晶
成長する厚さが薄くなり、原子配列の不整合率が低いと結晶成長する厚さが厚くなる傾向
となる。そのため、下地膜102と、酸化物半導体膜106の原子配列の不整合率が低い
ほど好ましい。具体的には、原子配列の不整合率が、0.15以下、好ましくは0.12
以下、さらに好ましくは0.10以下、さらに好ましくは0.08以下となるように材料
を選択すればよい。
ッタリング法で加熱しながら成膜することで、YSZ膜との界面近傍から六方晶系であり
c軸配向したInGaO3(ZnO)m(m>0)の結晶領域を形成することができる。
ら見た最隣接原子間距離は、最小のもので0.36nm程度となる。また、InGaO3
(ZnO)の格子定数aは0.3295nmであり、InGa(ZnO)2の格子定数a
は0.3292nmであり、InGaZn3O6の格子定数aは0.3288nmである
(非特許文献1参照。)。そのため、原子配列の不整合率が0.09程度となり、YSZ
上に酸化物半導体であるInGaO3(ZnO)m(m>0)を結晶成長させることが可
能となる。ただし、YSZの格子定数aは組成比によって変化することが知られており、
前述の値に限定されるものではない。
ある原子7001同士を破線7010で結ぶと、(111)面と平行であり、一辺(最隣
接原子間距離)が格子定数aの2分のルート2倍である正三角形状を形成することがわか
る。
20°のひし形であるため、原子7002を3個抽出したときの配列は一辺が格子定数a
の正三角形状を形成する。
(B)に示す六方晶系でありc軸配向する膜(ここではIn−Ga−Zn−O膜)を積層
すると、破線7010で示した原子配列と原子7002を3個抽出したときの配列が整合
する場合、(111)面に配向する膜上に、六方晶系でありc軸配向する膜が結晶成長し
やすいといえる。
長させるためには、下地膜102が十分な平坦性を有することが好ましい。
下地膜102を設ける。なお、Raとは、JIS B0601:2001(ISO428
7:1997)で定義されている算術平均粗さ(arithmetic mean su
rface roughness)を曲面に対して適用できるよう三次元に拡張したもの
であり、「基準面から指定面までの偏差の絶対値を平均した値」で表現でき、数式1にて
定義される。
1)),(x1,y2,f(x1,y2)),(x2,y1,f(x2,y1)),(x
2,y2,f(x2,y2))の4点で表される四角形の領域とし、指定面をxy平面に
投影した長方形の面積をS0、基準面の高さ(指定面の平均の高さ)をZ0とする。Ra
は原子間力顕微鏡(AFM:Atomic Force Microscope)にて測
定可能である。
の結晶状態がどのようになるか、図1を用いて説明する。
る原子配列と不整合率の高い原子配列を有する下地膜901と、下地膜901上に設けら
れた、第1の領域902と第2の領域903を含む酸化物半導体膜と、を有する断面図で
ある。
であり、第1の領域902は第2の領域903と比べて非晶質の割合が多い領域である。
なお、第1の領域902は、厚さが3nm〜15nm程度となるが、第2の領域903と
明瞭に区別できないこともある。
903は結晶化度が0.1以上、好ましくは0.3以上、さらに好ましくは0.5以上、
さらに好ましくは0.7以上の領域である。
晶が形成する原子配列と不整合率の低い原子配列を有する下地膜911と、下地膜911
上に設けられた、第3の領域913を含む酸化物半導体膜と、を有する断面図である。
度の高い領域を含む酸化物半導体膜を得ることができる。
列を有することにより、下地となる膜の直上においても結晶化度の高い領域を含む酸化物
半導体膜を得ることができる。
物、Al−Zn−O系化合物、Zn−Mg−O系化合物、Sn−Mg−O系化合物、In
−Mg−O系化合物、In−Ga−O系化合物、In−Ga−Zn−O系化合物、In−
Al−Zn−O系化合物、In−Sn−Zn−O系化合物、Sn−Ga−Zn−O系化合
物、Al−Ga−Zn−O系化合物、Sn−Al−Zn−O系化合物、In−Hf−Zn
−O系化合物、In−La−Zn−O系化合物、In−Ce−Zn−O系化合物、In−
Pr−Zn−O系化合物、In−Nd−Zn−O系化合物、In−Sm−Zn−O系化合
物、In−Eu−Zn−O系化合物、In−Gd−Zn−O系化合物、In−Tb−Zn
−O系化合物、In−Dy−Zn−O系化合物、In−Ho−Zn−O系化合物、In−
Er−Zn−O系化合物、In−Tm−Zn−O系化合物、In−Yb−Zn−O系化合
物、In−Lu−Zn−O系化合物、In−Sn−Ga−Zn−O系化合物、In−Hf
−Ga−Zn−O系化合物、In−Al−Ga−Zn−O系化合物、In−Sn−Al−
Zn−O系化合物、In−Sn−Hf−Zn−O系化合物、In−Hf−Al−Zn−O
系化合物を用いることができる。
る酸化物という意味であり、In、GaおよびZnの比率は問わない。
比較的容易に得られる。具体的には、トランジスタの電界効果移動度を31cm2/Vs
以上、40cm2/Vs以上、60cm2/Vs以上、80cm2/Vs以上または10
0cm2/Vs以上とすることができる。なお、In−Sn−Zn−O系化合物以外(例
えばIn−Ga−Zn−O系化合物)でも、欠陥密度を低減することにより電界効果移動
度を高めることができる。
られるはずの電界効果移動度よりも低く測定される。電界効果移動度を低下させる要因と
しては半導体内部の欠陥や半導体と絶縁膜との界面における欠陥がある。ここでは、Le
vinsonモデルを用い、半導体内部に欠陥がないと仮定した場合の電界効果移動度を
理論的に導き出す。
(粒界等)が存在すると仮定したときに測定される電界効果移動度μは数式2で表される
。
。なお、Levinsonモデルでは、ポテンシャル障壁の高さEが欠陥に由来すると仮
定し、数式3で表される。
誘電率、nはチャネルの単位面積あたりのキャリア密度、Coxは単位面積当たりのゲー
ト絶縁膜容量、Vgsはゲート電圧、tはチャネルの厚さである。なお、厚さが30nm
以下の半導体層であれば、チャネルの厚さは半導体層の厚さと同一として差し支えない。
る。また、Vdsはドレイン電圧である。
gsとする直線の傾きから欠陥密度Nが求められる。即ち、トランジスタのVgs−Id
s特性から半導体中の欠陥密度Nが得られる。
、SnおよびZnの比率が、In:Sn:Zn=1:1:1[原子数比]のIn−Sn−
Zn−Oターゲットを用いて成膜した酸化物半導体を用いた場合、酸化物半導体中の欠陥
密度Nは1×1012/cm2程度となる。
、本来のトランジスタの電界効果移動度μ0は120cm2/Vsとなる。したがって、
酸化物半導体中および酸化物半導体と接するゲート絶縁膜との界面に欠陥がない、理想的
なトランジスタの電界効果移動度μ0は120cm2/Vsとわかる。ところが、欠陥の
多い酸化物半導体では、トランジスタの電界効果移動度μは30cm2/Vs程度である
。
ンジスタの輸送特性は影響を受ける。ゲート絶縁膜界面からxだけ離れた場所における電
界効果移動度μ1は、数式6で表される。
ある。Bおよびlは、トランジスタの電気的特性の実測より求めることができ、上記酸化
物半導体を用いたトランジスタの電気的特性の実測からは、B=4.75×107cm/
s、l=10nmが得られる。Dが増加すると、即ちVgsが高くなると、数式6の第2
項が増加するため、電界効果移動度μ1は低下することがわかる。
なトランジスタの電界効果移動度μ2を計算した結果を図25に示す。なお、計算にはシ
ノプシス社製Sentaurus Deviceを使用し、酸化物半導体のバンドギャッ
プを2.8eV、電子親和力を4.7eV、比誘電率を15、厚さを15nmとした。さ
らに、ゲートの仕事関数を5.5eV、ソースおよびドレインの仕事関数を4.6eVと
した。また、ゲート絶縁膜の厚さは100nm、比誘電率を4.1とした。また、チャネ
ル長およびチャネル幅はともに10μm、Vdsは0.1Vとした。
以上のピークを有するが、Vgsがさらに高くなると、界面散乱の影響が大きくなり、電
界効果移動度μ2が低下することがわかる。
図28に示す。なお、計算には図29に示した構造のトランジスタを仮定している。
の上面図である。図29(A)に示す一点鎖線A−Bに対応する断面図が図29(B)で
ある。
膜3002と、下地絶縁膜3002の周辺に設けられた保護膜3020と、下地絶縁膜3
002および保護膜3020上に設けられた、高抵抗領域3006aおよび低抵抗領域3
006bを含む酸化物半導体膜3006と、酸化物半導体膜3006上に設けられたゲー
ト絶縁膜3012と、ゲート絶縁膜3012を介して酸化物半導体膜3006に重畳して
設けられたゲート電極3004と、ゲート電極3004の側面に接して設けられた側壁絶
縁膜3024と、酸化物半導体膜3006上にあり、少なくとも酸化物半導体膜3006
と一部を接して設けられた一対の電極3016と、ゲート電極3004、側壁絶縁膜30
24および一対の電極3016を覆って設けられた保護絶縁膜3018と、保護絶縁膜3
018に設けられた開口部を介して一対の電極3016と接して設けられた配線3022
と、を有する。
を33nm、側壁絶縁膜3024の幅を5nm、チャネル幅を40nmとする。なお、チ
ャネル領域を便宜上高抵抗領域3006aという名称で記載しているが、ここではチャネ
ル領域を真性半導体と仮定している。
9(B)に示される構造のトランジスタのIds(実線)および電界効果移動度μ(点線
)のVgs依存性である。なお、IdsはVdsを1Vとし、電界効果移動度μはVds
を0.1Vとして計算している。ここで、ゲート絶縁膜の厚さが15nmとした場合を図
26(A)に、10nmとした場合を図26(B)に、5nmとした場合を図26(C)
にそれぞれ示す。
の範囲を指す。)でのドレイン電流Idsが低下する。一方、電界効果移動度μのピーク
値やオン状態(ここではVgsが0Vから3Vの範囲を指す。)でのドレイン電流Ids
には目立った変化がない。図26より、Vgsが1V近傍でIdsは半導体装置であるメ
モリなどに必要とされる10μAを超えることがわかる。
で示されるトランジスタは、高抵抗領域3007aおよび低抵抗領域3007bを有する
酸化物半導体膜3007を有する点で、図29(B)で示されるトランジスタとは異なる
。具体的には、図29(C)で示されるトランジスタは、側壁絶縁膜3024と重畳する
酸化物半導体膜3007の領域が高抵抗領域3007aに含まれる。即ち、該トランジス
タは側壁絶縁膜3024の幅だけオフセット領域を有するトランジスタである。なお、オ
フセット領域の幅をオフセット長(Loff)ともいう(図29(A)参照。)。なお、
Loffは便宜上左右で同じ幅としている。
ds(実線)および電界効果移動度μ(点線)のVgs依存性を図27に示す。なお、I
dsは、Vdsを1Vとし、電界効果移動度μはVdsを0.1Vとして計算している。
ここで、ゲート絶縁膜の厚さが15nmとした場合を図27(A)に、10nmとした場
合を図27(B)に、5nmとした場合を図27(C)にそれぞれ示す。
としたもののドレイン電流Ids(実線)および電界効果移動度μ(点線)のVgs依存
性である。なお、Idsは、Vdsを1Vとし、電界効果移動度μはVdsを0.1Vと
して計算している。ここで、ゲート絶縁膜の厚さが15nmとした場合を図28(A)に
、10nmとした場合を図28(B)に、5nmとした場合を図28(C)にそれぞれ示
す。
くなるほどオフ状態(ここではVgsが−3Vから0Vの範囲を指す。)でのドレイン電
流Idsが低下する。一方、電界効果移動度μのピーク値やオン状態(ここではVgsが
0Vから3Vの範囲を指す。)でのドレイン電流Idsには目立った変化がないとわかる
。
では60cm2/Vs程度、図28では40cm2/Vsと程度、Loffが増加するほ
ど低下することがわかる。また、オフ状態でのIdsも同様の傾向となることがわかる。
一方、オン状態のIdsはオフセット長Loffの増加に伴って減少するが、オフ状態の
Idsの低下に比べるとはるかに緩やかである。また、いずれの計算結果からもVgsが
1V近傍で、Idsはメモリなどに必要とされる10μAを超えることがわかる。
Zn=0.5以上50以下、好ましくはIn/Zn=1以上20以下、さらに好ましくは
In/Zn=1.5以上15以下とする。Znの原子数比を前述の範囲とすることで、ト
ランジスタの電界効果移動度を向上させることができる。ここで、化合物の原子数比がI
n:Zn:O=X:Y:Zのとき、Z>1.5X+Yとすると好ましい。
料を用いてもよい。ここで、Mは、Zn、Ga、Al、Mn、Sn、HfおよびCoから
選ばれた一または複数の金属元素を示す。例えば、Mとして、Ga、GaおよびAl、G
aおよびMnまたはGaおよびCoなどを用いてもよい。
.5eV以上、好ましくは2.8eV以上、さらに好ましくは3.0eV以上の材料を選
択する。ただし、酸化物半導体膜に代えて、バンドギャップが前述の範囲である半導体性
を示す材料を用いても構わない。
半導体膜106中の水素濃度は、5×1018atoms/cm3未満、好ましくは1×
1018atoms/cm3以下、より好ましくは5×1017atoms/cm3以下
、さらに好ましくは1×1016atoms/cm3以下とする。
金属も、酸化物半導体を構成する元素ではない場合において、不純物となる。特に、アル
カリ金属のうちナトリウム(Na)は、酸化物半導体膜に接する絶縁膜中に拡散してNa
+となる。また、Naは、酸化物半導体膜内において、酸化物半導体を構成する金属と酸
素の結合を分断する、または、その結合中に割り込む。その結果、例えば、しきい値電圧
がマイナス方向にシフトすることによるノーマリーオン化、電界効果移動度の低下などの
、トランジスタ特性の劣化が起こり、加えて、特性のばらつきも生じる。したがって、酸
化物半導体膜中の上記不純物の濃度を低減することが望ましい。具体的に、Na濃度は、
二次イオン質量分析(SIMS:Secondary Ion Mass Spectr
ometry)において、5×1016atoms/cm3以下、好ましくは1×101
6atoms/cm3以下、さらに好ましくは1×1015atoms/cm3以下とす
る。同様に、リチウム(Li)濃度の測定値は、5×1015atoms/cm3以下、
好ましくは1×1015atoms/cm3以下とする。同様に、カリウム(K)濃度の
測定値は、5×1015atoms/cm3以下、好ましくは1×1015atoms/
cm3以下とする。
極めて不純物濃度の低い酸化物半導体膜である。そのため、酸化物半導体膜106をチャ
ネル領域に用いたトランジスタはオフ電流を小さくできる。
る。例えば、チャネル長が3μm、チャネル幅が1μmのときのトランジスタのオフ電流
を1×10−18A以下、または1×10−21A以下、または1×10−24A以下と
することができる。
処理により酸素を放出する膜を用いることで、酸化物半導体膜106に生じる欠陥を修復
することができ、トランジスタの電気的特性の劣化を抑制できる。ただし、YSZ膜を酸
化物半導体膜106と接する側に設けるものとする。例えば、加熱処理により酸素を放出
する酸化シリコン膜を50nm以上600nm以下、好ましくは200nm以上500n
m以下の厚さで形成し、次にYSZ膜を1nm以上50nm以下、好ましくは2nm以上
10nm以下の厚さで形成すればよい。加熱処理により酸素を放出する膜は、厚さが厚い
ほど酸素の放出量が増加する。ただし、厚さを厚くしすぎると、成膜の時間が長くなり生
産性の低下を招くことになるため、最適な厚さを有する。また、YSZ膜は、上面の結晶
性が十分高ければ厚さは問わない。ただし、酸化シリコン膜から放出された酸素の少なく
とも一部が透過する程度に薄いことが好ましい。
n Spectroscopy:昇温脱離ガス分光法)分析にて放出される酸素が、酸素
原子に換算して1.0×1018atoms/cm3以上、または1.0×1020at
oms/cm3以上であることをいう。
してこの積分値と、標準試料との比較により、気体の全放出量を計算することができる。
び絶縁膜のTDS分析結果から、絶縁膜の酸素分子の放出量(NO2)は、数式7で求め
ることができる。ここで、TDS分析で得られる質量数32で検出されるガスの全てが酸
素分子由来と仮定する。質量数32のものとしてほかにCH3OHがあるが、存在する可
能性が低いものとしてここでは考慮しない。また、酸素原子の同位体である質量数17の
酸素原子および質量数18の酸素原子を含む酸素分子についても、自然界における存在比
率が極微量であるため考慮しない。
料をTDS分析したときのイオン強度の積分値である。ここで、標準試料の基準値を、N
H2/SH2とする。SO2は、絶縁膜をTDS分析したときのイオン強度の積分値であ
る。αは、TDS分析におけるイオン強度に影響する係数である。数式7の詳細に関して
は、特開平6−275697公報を参照する。なお、上記絶縁膜の酸素の放出量は、電子
科学株式会社製の昇温脱離分析装置EMD−WA1000S/Wを用い、標準試料として
1×1016atoms/cm3の水素原子を含むシリコンウェハを用いて測定した。
子の比率は、酸素分子のイオン化率から算出することができる。なお、上述のαは酸素分
子のイオン化率を含むため、酸素分子の放出量を評価することで、酸素原子の放出量につ
いても見積もることができる。
の放出量の2倍となる。
iOX(X>2))であってもよい。酸素が過剰な酸化シリコン(SiOX(X>2))
は、シリコン原子数の2倍より多い酸素原子を単位体積当たりに含むものである。単位体
積当たりのシリコン原子数および酸素原子数は、ラザフォード後方散乱法(RBS:Ru
therford Backscattering Spectrometry)により
測定した値である。
6と下地膜102との界面準位密度を低減できる。この結果、トランジスタの動作などに
起因して、酸化物半導体膜106と下地膜102との界面にキャリアが捕獲されることを
抑制することができ、電気的特性の劣化の少ないトランジスタを得ることができる。
導体膜の酸素欠損は、一部がドナーとなりキャリアである電子を放出する。この結果、ト
ランジスタのしきい値電圧がマイナス方向にシフトしてしまう。下地膜102から酸化物
半導体膜106に酸素が十分に供給されることにより、しきい値電圧がマイナス方向へシ
フトする要因である、酸化物半導体膜の酸素欠損を低減することができる。
膜106と下地膜102との界面準位密度、および酸化物半導体膜106の酸素欠損を低
減し、酸化物半導体膜106と下地膜102との界面におけるキャリア捕獲の影響を小さ
くすることができる。
nm以下、好ましくは0.3nm以下とする。材料に大きな制限はないが、少なくとも、
後の加熱処理に耐えうる程度の耐熱性を有している必要がある。例えば、ガラス基板、セ
ラミック基板、石英基板、サファイア基板などを、基板100として用いてもよい。また
、シリコンや炭化シリコンなどの単結晶半導体基板、多結晶半導体基板、シリコンゲルマ
ニウムなどの化合物半導体基板、SOI(Silicon On Insulator)
基板などを適用することも可能であり、これらの基板上に半導体素子が設けられたものを
、基板100として用いてもよい。
ランジスタを作製すればよい。なお、可とう性基板上にトランジスタを設ける方法として
は、非可とう性の基板上にトランジスタを作製した後、トランジスタを剥離し、可とう性
基板である基板100に転置する方法もある。その場合には、非可とう性基板とトランジ
スタとの間に剥離層を設けるとよい。
aおよびW、それらの窒化物、酸化物ならびに合金から一種以上選択し、単層でまたは積
層で用いればよい。
ゲート電極104が酸化物半導体膜106を完全に覆う形状とすることで酸化物半導体膜
106の光による劣化、電荷の発生を抑制しても構わない。
能する。
たは合金膜などを単層でまたは積層で用いればよい。
でも配線遅延等の発生を低減することができる。一対の電極116にCuを用いる場合、
基板100の材質によっては密着性が悪くなるため、基板100と密着性のよい膜との積
層構造にすることが好ましい。基板100と密着性のよい膜として、Ti、Mo、Mn、
CuまたはAlなどを含む膜を用いればよい。例えば、Ti膜、窒化チタン膜、Ti−M
o合金膜またはCu−Mn−Al合金膜を用いてもよい。
リウム、酸化ジルコニウムまたはYSZなどを、単層で、または積層して用いればよい。
例えば、プラズマCVD法およびスパッタリング法などで形成すればよい。また、ゲート
絶縁膜112は、加熱処理により酸素を放出する膜を用いると好ましい。加熱処理により
酸素を放出する膜を用いることで、酸化物半導体膜106に生じる欠陥を修復することが
でき、トランジスタの電気的特性の劣化を抑制できる。
酸化物半導体膜106上にYSZ膜を結晶成長させて形成することで、酸化物半導体膜1
06とゲート絶縁膜112との界面の電子状態を良好にすることができる。ゲート絶縁膜
112を積層して設ける場合、YSZ膜を酸化物半導体膜106側に設ければよい。
を用い、下地膜102と原子配列の不整合率が低い酸化物半導体膜106を下地膜102
上に設けることで、下地膜102直上においても結晶化度の高い結晶領域を有するCAA
C−OSである酸化物半導体膜106を形成させることができる。そのため、トランジス
タに安定した電気的特性を付与し、信頼性の高い半導体装置を作製することができる。
好ましい。そのため、基板100は、あらかじめ平坦化処理を行っておくと好ましい。平
坦化処理として、化学機械研磨(CMP:Chemical Mechanical P
olishing)または逆スパッタリング法などがある。
ンを衝突させるところを、逆に、被処理面にイオンを衝突させることによって被処理面を
改質する方法のことをいう。被処理面にイオンを衝突させる方法としては、希ガス(ヘリ
ウム、ネオン、アルゴン、クリプトン、キセノンなど)雰囲気下で被処理面側に高周波電
圧を印加して、被処理面付近にプラズマを生成する方法などがある。なお、希ガス雰囲気
に代えて窒素または酸素などによる雰囲気を適用してもよい。逆スパッタリング法で用い
る装置は、スパッタリング装置に限定されず、プラズマCVD装置、ドライエッチング装
置などで同様の処理を行うことができる。
膜すればよい。好ましくは、スパッタリング法を用いる。
ットは、金属ジルコニウムを含むターゲットを用い、成膜ガスに酸素を含ませた反応性ス
パッタリング法によって成膜できる。または、酸化ジルコニウムを含むターゲットを用い
、成膜ガスに、希ガスおよび酸素のいずれか一種以上を含ませて成膜しても構わない。こ
こで、ターゲット中にイットリウムまたは酸化イットリウムを含ませることで、YSZ膜
を成膜することができる。また、イットリウムに代えて、カルシウム、マグネシウム、セ
リウムまたはアルミニウムを含ませても構わないが、本実施の形態では便宜上イットリウ
ムを含ませたターゲットを用いて成膜したYSZ膜についてのみ説明する。
ルコニウムは、単独では熱的安定性が低く、イットリウムなどの安定化材料を含ませるこ
とで結晶状態を安定させることができる。
くすること、成膜圧力を低くすること、ターゲット−基板間距離(T−S間距離)を短く
することおよび成膜時の基板表面温度(Tsub)を高くすることが重要である。これら
は、スパッタリング現象によりターゲットから基板表面に飛来したスパッタリング粒子の
持つエネルギーを高くするために行う。即ち、高エネルギーであるスパッタリング粒子が
基板表面に到達した後、マイグレーションを起こすことで、得られる膜の結晶性を高める
ことができる。
成膜電力は、高いほど膜の結晶性を高める傾向であるが、高すぎると異常放電を起こし、
ターゲットの割れが生じることがある。なお、スパッタリング用電源は、DC電源、AC
電源またはRF電源を用いればよく、好ましくはRF電源を用いる。RF電源を用いるこ
とで、絶縁性の高いターゲット(金属酸化物ターゲットなど)を用いることができるほか
、基板面内における膜質の均一性を高め、さらに膜表面の平坦性を高めることができる。
Pa以下とする。成膜圧力は、低いほど膜の結晶性を高める傾向であるが、低すぎるとス
パッタリングするために必要なプラズマを形成できない。また、成膜圧力が低すぎると、
反跳イオンによって膜へダメージが入ることがある。
下とする。T−S間距離は、短いほど膜の結晶性を高める傾向であるが、短すぎるとスパ
ッタリングするために必要なプラズマを形成できない。また、T−S間距離が短すぎると
基板面内の膜質および膜厚分布が均一にできなくなることがある。
る。Tsubは、高いほど膜の結晶性を高める傾向であるが、高すぎると酸化ジルコニウ
ムの結晶系および結晶方位が変動してしまう。また、Tsubが高すぎる(例えば500
℃より高い)と、かえって結晶状態が崩れ、立方晶系の結晶構造を有する酸化ジルコニウ
ムを含む膜が得られなくなる。
行うと好ましい。第1の加熱処理は、酸化性雰囲気、不活性雰囲気、減圧雰囲気または乾
燥空気雰囲気において、150℃以上650℃以下、好ましくは250℃以上500℃以
下、さらに好ましくは300℃以上450℃以下の温度で行えばよい。第1の加熱処理は
、抵抗加熱方式、ランプヒータ方式、加熱ガス方式などを適用すればよい。ただし、加熱
処理の温度が高すぎる(例えば650℃より高い)と、かえって結晶状態が崩れ、立方晶
系の結晶構造を有する酸化ジルコニウムを含む膜が得られなくなる。
は亜酸化窒素などであって、水、水素などが含まれないことが好ましい。例えば、加熱処
理装置に導入する酸素、オゾン、亜酸化窒素の純度を、8N(99.999999%)以
上、好ましくは9N(99.9999999%)以上とする。酸化性雰囲気には、酸化性
ガスと不活性ガスが混合されていてもよい。その場合、酸化性ガスが少なくとも10pp
m以上含まれる雰囲気とする。
には、酸化性ガスなどの反応性ガスが10ppm未満である雰囲気とする。
を行っても構わない。
、スパッタリング法、MBE法、PLD法またはALD法などを用いて成膜すればよい。
好ましくは、スパッタリング法を用いる。
。例えば、酸化物半導体膜106に適用できる前述の材料を含むターゲットを用い、成膜
ガスに、希ガス、窒素および酸素のいずれか一種以上を含ませて成膜する。
CAAC−OSとするためには、下地膜102の結晶性が十分高く、かつ下地膜102の
平坦性が十分高いうえで、下地膜102の結晶性を高める方法と同様の方法で成膜すれば
よい。即ち、成膜電力を高くすること、成膜圧力を低くすること、T−S間距離を短くす
ることおよびTsubを高くすることが重要である。
力を0.01Pa以上0.4Pa以下、好ましくは0.05Pa以上0.3Pa以下、T
−S間距離を10mm以上200mm以下、好ましくは20mm以上80mm以下、Ts
ubを100℃以上500℃以下、好ましくは150℃以上450℃以下とする。
化度が高まり好ましい。第2の加熱処理は第1の加熱処理と同様の方法で行うことができ
る。
することができる。
C)参照。)。なお、「加工する」とは、例えば、フォトリソグラフィ法によって形成し
たレジストマスクを用い、エッチング処理を行って、所望の形状の膜を得ることをいう。
なくとも一部が接する一対の電極116を形成する。次に、酸化物半導体膜106および
一対の電極116上にゲート絶縁膜112を成膜する。一対の電極116となる導電膜お
よびゲート絶縁膜112は、前述の材料を用い、スパッタリング法、プラズマCVD法、
PLD法、ALD法、蒸着法または印刷法などを用いて成膜すればよい。なお、ゲート絶
縁膜112にYSZ膜を用いる場合、酸化物半導体膜106とゲート絶縁膜112との界
面から結晶成長させるために、下地膜102と同様の方法で形成すると好ましい。
るゲート電極104を形成する(図2(D)参照。)。ゲート電極104となる導電膜は
、前述の材料を用い、スパッタリング法、プラズマCVD法、PLD法、ALD法、蒸着
法または印刷法などを用いて成膜すればよい。
導体膜106を形成することができる。そのため、下地膜102と酸化物半導体膜106
との界面の電子状態が良好になり、安定した電気的特性を有する信頼性の高い半導体装置
を作製することができる。
説明する。
よび一点鎖線C−Dにおける断面は、それぞれ図9(B)に示すA−B断面および図9(
C)に示すC−D断面に対応する。
2上の一対の電極216と、一対の電極216上にあり、一対の電極216と少なくとも
一部が接する酸化物半導体膜206と、酸化物半導体膜206および一対の電極216上
のゲート絶縁膜212と、ゲート絶縁膜212を介して酸化物半導体膜206と重畳する
ゲート電極204と、を有する。
204は、それぞれ一対の電極116、酸化物半導体膜106、ゲート絶縁膜112およ
びゲート電極104と同様の方法および同様の材料により形成すればよい。
ゲート電極204が酸化物半導体膜206を完全に覆う形状とすることで酸化物半導体膜
206の光による劣化、電荷の発生を抑制しても構わない。
16を形成する(図3(A)参照。)。
導体膜206を形成する(図3(B)参照。)。
図3(C)参照。)。
形成する(図3(D)参照。)。
導体膜206を形成することができる。そのため、下地膜102と酸化物半導体膜206
との界面の電子状態が良好になり、安定した電気的特性を有する信頼性の高い半導体装置
を作製することができる。
10を用いて説明する。
Bおよび一点鎖線C−Dにおける断面は、それぞれ図10(B)に示すA−B断面および
図10(C)に示すC−D断面に対応する。
02上のチャネル領域305、ソース領域307aおよびドレイン領域307bを有する
酸化物半導体膜306と、酸化物半導体膜306および下地膜102上のゲート絶縁膜3
12と、ゲート絶縁膜312を介して酸化物半導体膜306と重畳するゲート電極304
と、ゲート電極304およびゲート絶縁膜312上の保護膜318と、保護膜318上に
あり、ゲート絶縁膜312および保護膜318に設けられた開口部を介して、ソース領域
307aおよびドレイン領域307bと接する一対の電極316と、を有する。
312は、それぞれ一対の電極116、酸化物半導体膜106、ゲート電極104および
ゲート絶縁膜112と同様の方法および同様の材料により形成すればよい。
は円形であるが、これに限定されるものではない。該開口部は、ソース領域307aおよ
びドレイン領域307bを露出するものであれば、形状は問わない。
ース領域307aおよびドレイン領域307bは、窒素、リン、ホウ素、水素または希ガ
スなどを含む。
、トランジスタが動作していない場合は、チャネル領域305は高抵抗領域であり、ソー
ス領域307aおよびドレイン領域307bは低抵抗領域である。
ドレイン電極が直接チャネル領域と接する構造と比べ、電界集中が緩和されるため、ホッ
トキャリア劣化などのトランジスタの劣化を低減することができる。
からソース側への電界の広がりの影響を低減することができる。そのため、チャネル長が
短くなるに伴ってしきい値電圧がマイナス方向へシフトする、いわゆる短チャネル効果を
抑制できる。
306を形成する。次に、酸化物半導体膜306および下地膜102上に、ゲート絶縁膜
312を成膜する(図4(A)参照。)。
形成する。次に、ゲート電極304をマスクとし、酸化物半導体膜306の一部に窒素、
リン、ホウ素、水素または希ガスのイオンを添加する。イオンの添加、またはイオンの添
加に加えて加熱処理を行うことにより、酸化物半導体膜306のイオンの添加された領域
を低抵抗とし、チャネル領域305、ソース領域307aおよびドレイン領域307bを
形成する。なお、チャネル領域305は、イオンの添加により低抵抗化されていない領域
である(図4(B)参照。)。
C)参照。)、ソース領域307aおよびドレイン領域307bをそれぞれ露出する開口
部をゲート絶縁膜312および保護膜318に形成する。次に、酸化物半導体膜306と
接する一対の電極316を形成する(図4(D)参照。)。なお、ソース領域307aお
よびドレイン領域307bを形成するための加熱処理に代えて、保護膜318または一対
の電極316の形成後に加熱処理を行っても構わない。
導体膜306を形成することができる。そのため、下地膜102と酸化物半導体膜306
との界面の電子状態が良好になり、安定した電気的特性を有する信頼性の高い半導体装置
を作製することができる。なお、酸化物半導体膜306において、ソース領域307aお
よびドレイン領域307bは、イオンの添加のダメージで結晶が崩れることがある。本発
明の一態様に係るトランジスタは、少なくともチャネル領域305がCAAC−OSであ
ればよい。結晶が崩れるとは、結晶性が低下すること、または非晶質化することをいう。
11を用いて説明する。
Bおよび一点鎖線C−Dにおける断面は、それぞれ図11(B)に示すA−B断面および
図11(C)に示すC−D断面に対応する。
ト電極404を覆うゲート絶縁膜412と、ゲート絶縁膜412を介してゲート電極40
4と重畳する酸化物半導体膜406と、酸化物半導体膜406上にあり、酸化物半導体膜
406と少なくとも一部が接する一対の電極416と、酸化物半導体膜406および一対
の電極416上の保護膜418と、を有する。
ート電極104、酸化物半導体膜106および一対の電極116と同様の方法および同様
の材料により形成すればよい。
ため、ゲート絶縁膜412は、下地膜102と同様の方法および同様の材料により形成す
る。こうすることで、ゲート絶縁膜412の直上においても結晶化度の高い結晶領域を有
するCAAC−OSである酸化物半導体膜406を形成することができる。
率が3.8である酸化シリコン膜を用い、300nm以上1000nm以下の厚さとすれ
ばよい。保護膜418の表面は、大気成分などの影響でわずかに固定電荷を有し、その影
響により、トランジスタのしきい値電圧が変動することがある。そのため、保護膜418
は、表面にある固定電荷の影響が十分に小さくなるような範囲の比誘電率および厚さとす
ることが好ましい。同様の理由で、保護膜418上に樹脂膜を形成することで、固定電荷
の影響を低減しても構わない。
、ゲート電極404が酸化物半導体膜406を完全に覆う形状とすることで酸化物半導体
膜406の光による劣化、電荷の発生を抑制しても構わない。
ート絶縁膜412を成膜する(図5(A)参照。)。
形成する(図5(B)参照。)。
一対の電極416を形成する(図5(C)参照。)。
(D)参照。)。
化物半導体膜406を形成することができる。そのため、ゲート絶縁膜412と酸化物半
導体膜406との界面の電子状態が良好になり、安定した電気的特性を有する信頼性の高
い半導体装置を作製することができる。
12を用いて説明する。
図12(A)に示した一点鎖線A−Bおよび一点鎖線C−Dにおける断面は、それぞれ図
12(B)に示すA−B断面および図12(C)に示すC−D断面に対応する。
ト電極404を覆うゲート絶縁膜412と、ゲート絶縁膜412上の一対の電極516と
、一対の電極516と少なくとも一部が接し、かつゲート絶縁膜412を介してゲート電
極404と重畳する酸化物半導体膜506と、酸化物半導体膜506および一対の電極5
16上の保護膜518と、を有する。
体膜106、一対の電極116および保護膜418と同様の方法および同様の材料により
形成すればよい。
、ゲート電極404が酸化物半導体膜506を完全に覆う形状とすることで酸化物半導体
膜506の光による劣化、電荷の発生を抑制しても構わない。
ート絶縁膜412を成膜する。次に、ゲート絶縁膜412上に一対の電極516を形成す
る(図6(A)参照。)。
くとも一部が接する酸化物半導体膜506を形成する(図6(B)参照。)。
(C)参照。)。
化物半導体膜506を形成することができる。そのため、ゲート絶縁膜412と酸化物半
導体膜506との界面の電子状態が良好になり、安定した電気的特性を有する信頼性の高
い半導体装置を作製することができる。
13を用いて説明する。
Bおよび一点鎖線C−Dにおける断面は、それぞれ図13(B)に示すA−B断面および
図13(C)に示すC−D断面に対応する。
ト電極404を覆うゲート絶縁膜412と、ゲート絶縁膜412を介してゲート電極40
4上にあり、チャネル領域605、ソース領域607aおよびドレイン領域607bを有
する酸化物半導体膜606と、該酸化物半導体膜606およびゲート絶縁膜412上の保
護膜618と、保護膜618上にあり、ゲート絶縁膜412および保護膜618に設けら
れた開口部を介して、ソース領域607aおよびドレイン領域607bと接する一対の電
極616と、を有する。
一対の電極116、酸化物半導体膜106および保護膜418と同様の方法および同様の
材料により形成すればよい。
ているが、これに限定されない。ゲート電極404とチャネル領域605の形状が異なっ
ていても構わない。
たは希ガスなどを含む。
、トランジスタが動作していない場合は、チャネル領域605は高抵抗領域であり、ソー
ス領域607aおよびドレイン領域607bは低抵抗領域である。
ート絶縁膜412を形成する。次に、ゲート絶縁膜412を介してゲート電極404と重
畳する酸化物半導体膜606を形成する(図7(A)参照。)。
、水素または希ガスのイオンを添加する。イオンの添加、またはイオンの添加に加えて加
熱処理を行うことにより、酸化物半導体膜606のイオンの添加された領域を低抵抗とし
、チャネル領域605、ソース領域607aおよびドレイン領域607bを形成する(図
7(B)参照。)。なお、レジストマスクなどは、ゲート電極404をマスクとして裏面
露光技術によって形成しても構わない。その場合、ソース領域607aおよびドレイン領
域607bと、ゲート電極404との重畳する面積が小さくできるため寄生容量が低減さ
れ、トランジスタの動作速度を高めることができる。また、レジストマスクを形成するた
めのフォトマスク数が低減できるため、トランジスタの作製コストを低減することができ
るため好ましい。
7(C)参照。)。なお、前述のイオンの添加を、保護膜638の形成後に行っても構わ
ない。保護膜638が形成されていることによって、前述の添加による酸化物半導体膜6
06へのダメージを低減することができる。
る開口部を形成し、次に導電膜を成膜し、該導電膜を加工することで、保護膜618およ
び酸化物半導体膜606と接する一対の電極616を形成する(図7(D)参照。)。
化物半導体膜606を形成することができる。そのため、ゲート絶縁膜412と酸化物半
導体膜606との界面の電子状態が良好になり、安定した電気的特性を有する信頼性の高
い半導体装置を作製することができる。なお、酸化物半導体膜606において、ソース領
域607aおよびドレイン領域607bは、イオンの添加のダメージで結晶が崩れること
がある。本発明の一態様は、少なくともチャネル領域605がCAAC−OSであればよ
い。
本実施の形態では実施の形態1に示したトランジスタを用いて作製した液晶表示装置につ
いて説明する。なお、本実施の形態では液晶表示装置に本発明の一形態を適用した例につ
いて説明するが、これに限定されるものではない。例えば、発光装置の一つであるEL(
Electro Luminescence)表示装置に本発明の一形態を適用すること
も、当業者であれば容易に想到しうるものである。
、ソース線SL_1乃至SL_a、ゲート線GL_1乃至GL_bおよび複数の画素22
00を有する。画素2200は、トランジスタ2230と、キャパシタ2220と、液晶
素子2210と、を含む。こうした画素2200が複数集まって液晶表示装置の画素部を
構成する。なお、単にソース線またはゲート線を指す場合には、ソース線SLまたはゲー
ト線GLと記載することもある。
いる。実施の形態1で示したトランジスタは電気的特性が良好な酸化物半導体を用いたト
ランジスタであるため、表示品位の高い表示装置を得ることができる。
230のソースと接続し、トランジスタ2230のドレインは、キャパシタ2220の一
方の容量電極および液晶素子2210の一方の画素電極と接続する。キャパシタ2220
の他方の容量電極および液晶素子2210の他方の画素電極は、共通電極と接続する。な
お、共通電極はゲート線GLと同一層かつ同一材料で設けてもよい。
で示したトランジスタを含んでもよい。
で示したトランジスタを含んでもよい。
板上に形成し、COG(Chip On Glass)、ワイヤボンディング、またはT
AB(Tape Automated Bonding)などの方法を用いて接続しても
よい。
ましい。保護回路は、非線形素子を用いて構成することが好ましい。
、ソース線SLから供給された電荷がトランジスタ2230のドレイン電流となってキャ
パシタ2220に蓄積される。1行分の充電後、該行にあるトランジスタ2230はオフ
状態となり、ソース線SLから電圧が掛からなくなるが、キャパシタ2220に蓄積され
た電荷によって必要な電圧を維持することができる。その後、次の行のキャパシタ222
0の充電に移る。このようにして、1行からb行の充電を行う。ドレイン電流は、トラン
ジスタにおいてドレインからチャネルを介してソースに流れる電流のことである。ドレイ
ン電流はゲート電圧がしきい値電圧よりも大きいときに流れる。
する期間を長くすることができる。この効果によって、動きの少ない画像(静止画を含む
。)では、表示の書き換え周波数を低減でき、さらなる消費電力の低減が可能となる。ま
た、キャパシタ2220の容量をさらに小さくすることが可能となるため、充電に必要な
消費電力を低減することができる。
置を提供することができる。
本実施の形態では、実施の形態1で示したトランジスタを用いて、半導体記憶装置を作製
する例について説明する。
てキャパシタに電荷を蓄積することで、情報を記憶するDRAM(Dynamic Ra
ndom Access Memory)、フリップフロップなどの回路を用いて記憶内
容を保持するSRAM(Static Random Access Memory)が
ある。
にノードを有し、当該ノードに電荷を保持することで記憶を行うフラッシュメモリがある
。
スタを適用することができる。
セルについて図15を用いて説明する。
タTrと、キャパシタCと、を有する(図15(A)参照。)。
て図15(B)に示すように徐々に低減していくことが知られている。当初V0からV1
まで充電された電圧は、時間が経過するとdata1を読み出す限界点であるVAまで低
減する。この期間を保持期間T_1とする。即ち、2値メモリセルの場合、保持期間T_
1の間にリフレッシュをする必要がある。
が小さいため、保持期間T_1を長くすることができる。即ち、リフレッシュの頻度を少
なくすることが可能となるため、消費電力を低減することができる。例えば、高純度化さ
れオフ電流が1×10−21A以下、好ましくは1×10−24A以下となった酸化物半
導体膜を用いたトランジスタでメモリセルを構成すると、電力を供給せずに数日間から数
十年間に渡ってデータを保持することが可能となる。
ることができる。
いて説明する。
トランジスタTr_1と、トランジスタTr_1のゲートと接続するゲート線GL_1と
、トランジスタTr_1のソースと接続するソース線SL_1と、トランジスタTr_2
と、トランジスタTr_2のソースと接続するソース線SL_2と、トランジスタTr_
2のドレインと接続するドレイン線DL_2と、キャパシタCと、キャパシタCの一端と
接続する容量線CLと、キャパシタCの他端、トランジスタTr_1のドレインおよびト
ランジスタTr_2のゲートと接続するノードNと、を有する。
トランジスタTr_2のしきい値電圧が変動することを利用したものである。例えば、図
16(B)は容量線CLの電圧VCLと、トランジスタTr_2を流れるドレイン電流I
ds_2との関係を説明する図である。
ば、ソース線SL_1の電位をVDDとする。このとき、ゲート線GL_1の電位をトラ
ンジスタTr_1のしきい値電圧VthにVDDを加えた電位以上とすることで、ノード
Nの電圧をHIGHにすることができる。また、ゲート線GL_1の電位をトランジスタ
Tr_1のしきい値電圧Vth以下とすることで、ノードNの電位をLOWにすることが
できる。
L−Ids_2カーブのいずれかを得ることができる。即ち、N=LOWでは、VCL=
0VにてIds_2が小さいため、データ0となる。また、N=HIGHでは、VCL=
0VにてIds_2が大きいため、データ1となる。このようにして、データを記憶する
ことができる。
ランジスタはオフ電流を極めて小さくすることができるため、ノードNに蓄積された電荷
がトランジスタTr_1のソースおよびドレイン間を意図せずにリークすることを抑制で
きる。そのため、長期間に渡ってデータを保持することができる。また、本発明の一態様
を用いることでトランジスタTr_1のしきい値電圧が調整されるため、書き込みに必要
な電圧を低減することが可能となり、フラッシュメモリなどと比較して消費電力を低減す
ることができる。
い。
積度の高い半導体記憶装置を得ることができる。
実施の形態1で示したトランジスタまたは実施の形態3に示した半導体記憶装置を少なく
とも一部に用いてCPU(Central Processing Unit)を構成す
ることができる。
PUは、基板1190上に、演算回路(ALU:Arithmetic logic u
nit)1191、ALUコントローラ1192、インストラクションデコーダ1193
、インタラプトコントローラ1194、タイミングコントローラ1195、レジスタ11
96、レジスタコントローラ1197、バスインターフェース(Bus I/F)119
8、書き換え可能なROM1199、およびROMインターフェース(ROM I/F)
1189を有している。基板1190は、半導体基板、SOI基板、ガラス基板などを用
いる。ROM1199およびROMインターフェース1189は、別チップに設けてもよ
い。もちろん、図17(A)に示すCPUは、その構成を簡略化して示した一例にすぎず
、実際のCPUはその用途によって多種多様な構成を有している。
デコーダ1193に入力され、デコードされた後、ALUコントローラ1192、インタ
ラプトコントローラ1194、レジスタコントローラ1197、タイミングコントローラ
1195に入力される。
ラ1197、タイミングコントローラ1195は、デコードされた命令に基づき、各種制
御を行う。具体的にALUコントローラ1192は、ALU1191の動作を制御するた
めの信号を生成する。また、インタラプトコントローラ1194は、CPUのプログラム
実行中に、外部の入出力装置や、周辺回路からの割り込み要求を、その優先度やマスク状
態から判断し、処理する。レジスタコントローラ1197は、レジスタ1196のアドレ
スを生成し、CPUの状態に応じてレジスタ1196の読み出しや書き込みを行う。
2、インストラクションデコーダ1193、インタラプトコントローラ1194、および
レジスタコントローラ1197の動作のタイミングを制御する信号を生成する。例えばタ
イミングコントローラ1195は、基準クロック信号CLK1を元に、内部クロック信号
CLK2を生成する内部クロック生成部を備えており、クロック信号CLK2を上記各種
回路に供給する。
スタ1196の記憶素子には、実施の形態3に示す半導体記憶装置を用いることができる
。
からの指示に従い、レジスタ1196における保持動作を行う。即ち、レジスタ1196
が有する記憶素子において、フリップフロップによるデータの保持を行うか、キャパシタ
によるデータの保持を行う。フリップフロップによってデータが保持されている場合、レ
ジスタ1196内の記憶素子への、電源電圧の供給が行われる。キャパシタによってデー
タが保持されている場合、キャパシタへのデータの書き換えが行われ、レジスタ1196
内の記憶素子への電源電圧の供給を停止することができる。
源電位VDDまたは電源電位VSSの与えられているノード間に、スイッチング素子を設
けることにより行うことができる。以下に図17(B)および図17(C)の回路の説明
を行う。
ング素子に実施の形態1に示したトランジスタ用いた構成の一例を示す。
有する記憶素子群1143とを有している。具体的に、それぞれの記憶素子1142には
、実施の形態3に示す記憶素子を用いることができる。記憶素子群1143が有するそれ
ぞれの記憶素子1142には、スイッチング素子1141を介して、ハイレベルの電源電
位VDDが供給されている。さらに、記憶素子群1143が有するそれぞれの記憶素子1
142には、信号INの電位と、ローレベルの電源電位VSSの電位が与えられている。
プの大きい半導体を活性層に有するトランジスタを用いており、該トランジスタは、その
ゲートに与えられる信号SigAによりスイッチングが制御される。
成を示しているが、これに限定されず、トランジスタを複数有していてもよい。スイッチ
ング素子1141が、スイッチング素子として機能するトランジスタを複数有している場
合、上記複数のトランジスタは並列に接続されていてもよいし、直列に接続されていても
よいし、直列と並列が組み合わされて接続されていてもよい。
スイッチング素子1141を介して、ローレベルの電源電位VSSが供給されている、記
憶装置の一例を示す。スイッチング素子1141により、記憶素子群1143が有するそ
れぞれの記憶素子1142への、ローレベルの電源電位VSSの供給を制御することがで
きる。
ッチング素子を設け、一時的にCPUの動作を停止し、電源電圧の供給を停止した場合に
おいてもデータを保持することが可能であり、消費電力の低減を行うことができる。例え
ば、パーソナルコンピュータのユーザーが、キーボードなどの入力装置への情報の入力を
停止している間でも、CPUの動作を停止することができ、それにより消費電力を低減す
ることができる。
rocessor)、カスタムLSI、FPGA(Field Programmabl
e Gate Array)などのLSIにも応用可能である。
本実施の形態では、実施の形態1乃至実施の形態4を適用した電子機器の例について説明
する。
00と、ボタン9301と、マイクロフォン9302と、表示部9303と、スピーカ9
304と、カメラ9305と、を具備し、携帯型電話機としての機能を有する。本発明の
一態様は、表示部9303およびカメラ9305に適用することができる。また、図示し
ないが、本体内部にある演算装置、無線回路または記憶回路に本発明の一態様を適用する
こともできる。
0と、表示部9311と、を具備する。本発明の一態様は、表示部9311に適用するこ
とができる。本発明の一態様を適用することで、表示部9311のサイズを大きくしたと
きにも表示品位の高いディスプレイとすることができる。
ラは、筐体9320と、ボタン9321と、マイクロフォン9322と、表示部9323
と、を具備する。本発明の一態様は、表示部9323に適用することができる。また、図
示しないが、記憶回路またはイメージセンサに本発明の一態様を適用することもできる。
る。
。
、Out−of−Plane法で測定した。
ものを用いた。YSZ膜は、スパッタリング法により、直径6インチ丸形YSZターゲッ
ト(ZrO2:Y2O3=92:8[mol数比])を用い、成膜電力を500W(RF
)、成膜圧力を0.4Pa、成膜ガスをアルゴン20sccmおよび酸素20sccm、
T−S間距離を135mmとして成膜した。
00℃としたものである。
よび試料5はYSZ膜の成膜後に窒素雰囲気にて350℃の温度で1時間の加熱処理を行
ったもの、試料3および試料6はYSZ膜の成膜後に窒素雰囲気にて600℃の温度で1
時間の加熱処理を行ったものである。
が見られた。
を行えば結晶性が高まるわけではないとわかった。これにより、YSZ膜の結晶構造が高
い温度での加熱処理により崩れている可能性が示唆される。
算出した最隣接原子間距離を表2に示す。ここで、最隣接原子間距離とは、図19(A)
で示した、破線7010の一辺の長さに相当する。
SZ膜上にCAAC−OSである酸化物半導体膜の結晶成長が起こりやすいことがわかる
。
くは0.33nm以上0.40nm以下、さらに好ましくは0.34nm以上0.38n
m以下の酸化物半導体膜の場合、本実施例で示したYSZ膜の直上においても結晶化度の
高い結晶領域を有しやすいとわかる。
102 下地膜
104 ゲート電極
106 酸化物半導体膜
112 ゲート絶縁膜
116 一対の電極
136 酸化物半導体膜
204 ゲート電極
206 酸化物半導体膜
212 ゲート絶縁膜
216 一対の電極
304 ゲート電極
305 チャネル領域
306 酸化物半導体膜
307a ソース領域
307b ドレイン領域
312 ゲート絶縁膜
316 一対の電極
318 保護膜
404 ゲート電極
406 酸化物半導体膜
412 ゲート絶縁膜
416 一対の電極
418 保護膜
506 酸化物半導体膜
516 一対の電極
518 保護膜
605 チャネル領域
606 酸化物半導体膜
607a ソース領域
607b ドレイン領域
616 一対の電極
618 保護膜
638 保護膜
901 下地膜
902 第1の領域
903 第2の領域
911 下地膜
913 第3の領域
1141 スイッチング素子
1142 記憶素子
1143 記憶素子群
1189 ROMインターフェース
1190 基板
1191 ALU
1192 ALUコントローラ
1193 インストラクションデコーダ
1194 インタラプトコントローラ
1195 タイミングコントローラ
1196 レジスタ
1197 レジスタコントローラ
1198 バスインターフェース
1199 ROM
2200 画素
2210 液晶素子
2220 キャパシタ
2230 トランジスタ
3002 下地絶縁膜
3004 ゲート電極
3006 酸化物半導体膜
3007 酸化物半導体膜
3012 ゲート絶縁膜
3016 一対の電極
3018 保護絶縁膜
3020 保護膜
3022 配線
3024 側壁絶縁膜
7001 原子
7002 原子
7010 破線
9300 筐体
9301 ボタン
9302 マイクロフォン
9303 表示部
9304 スピーカ
9305 カメラ
9310 筐体
9311 表示部
9320 筐体
9321 ボタン
9322 マイクロフォン
9323 表示部
Claims (3)
- 第1の膜と、
前記第1の膜上の酸化物半導体膜と、
前記酸化物半導体膜と重なる領域を有するゲート電極と、
前記酸化物半導体膜と電気的に接続されたソース電極と、
前記酸化物半導体膜と電気的に接続されたドレイン電極と、を有し、
前記第1の膜は、結晶領域を有し、
前記酸化物半導体膜は、結晶領域を有し、
前記酸化物半導体膜は、インジウム、ガリウム、亜鉛、錫、チタンおよびアルミニウムから選ばれた二種以上の元素を含み、
前記第1の膜と前記酸化物半導体膜とが接している面で、前記面内における前記第1の膜の最隣接原子間距離と前記酸化物半導体膜の格子定数の差を、前記面内における前記第1の膜の最隣接原子間距離で除した値が0.15以下であることを特徴する半導体装置。 - 第1の膜と、
前記第1の膜上の酸化物半導体膜と、
前記酸化物半導体膜上のゲート絶縁膜と、
前記ゲート絶縁膜を介して前記酸化物半導体膜に重畳するゲート電極と、
前記酸化物半導体膜と電気的に接続されたソース電極と、
前記酸化物半導体膜と電気的に接続されたドレイン電極と、を有し、
前記第1の膜は、結晶領域を有し、
前記酸化物半導体膜は、結晶領域を有し、
前記酸化物半導体膜は、インジウム、ガリウム、亜鉛、錫、チタンおよびアルミニウムから選ばれた二種以上の元素を含み、
前記第1の膜と前記酸化物半導体膜とが接している面で、前記面内における前記第1の膜の最隣接原子間距離と前記酸化物半導体膜の格子定数の差を、前記面内における前記第1の膜の最隣接原子間距離で除した値が0.15以下であることを特徴する半導体装置。 - ゲート電極と、
前記ゲート電極を覆う第1の膜と、
前記第1の膜を介して前記ゲート電極と重畳した酸化物半導体膜と、
前記酸化物半導体膜と電気的に接続されたソース電極と、
前記酸化物半導体膜と電気的に接続されたドレイン電極と、を有し、
前記第1の膜は、結晶領域を有し、
前記酸化物半導体膜は、結晶領域を有し、
前記酸化物半導体膜は、インジウム、ガリウム、亜鉛、錫、チタンおよびアルミニウムから選ばれた二種以上の元素を含み、
前記第1の膜と前記酸化物半導体膜とが接している面で、前記面内における前記第1の膜の最隣接原子間距離と前記酸化物半導体膜の格子定数の差を、前記面内における前記第1の膜の最隣接原子間距離で除した値0.15以下であることを特徴する半導体装置。
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2011134056 | 2011-06-16 | ||
JP2011134056 | 2011-06-16 |
Related Parent Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2012133995A Division JP5981236B2 (ja) | 2011-06-16 | 2012-06-13 | 半導体装置 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2016192575A true JP2016192575A (ja) | 2016-11-10 |
JP6259499B2 JP6259499B2 (ja) | 2018-01-10 |
Family
ID=47353000
Family Applications (2)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2012133995A Active JP5981236B2 (ja) | 2011-06-16 | 2012-06-13 | 半導体装置 |
JP2016148064A Expired - Fee Related JP6259499B2 (ja) | 2011-06-16 | 2016-07-28 | 半導体装置 |
Family Applications Before (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2012133995A Active JP5981236B2 (ja) | 2011-06-16 | 2012-06-13 | 半導体装置 |
Country Status (4)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US8766329B2 (ja) |
JP (2) | JP5981236B2 (ja) |
KR (1) | KR20120139560A (ja) |
TW (2) | TWI557910B (ja) |
Families Citing this family (11)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2013061895A1 (en) * | 2011-10-28 | 2013-05-02 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device and manufacturing method thereof |
US8981370B2 (en) | 2012-03-08 | 2015-03-17 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device |
TWI614813B (zh) | 2013-01-21 | 2018-02-11 | 半導體能源研究所股份有限公司 | 半導體裝置的製造方法 |
JP2016001712A (ja) * | 2013-11-29 | 2016-01-07 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体装置の作製方法 |
KR20160126991A (ko) | 2014-02-28 | 2016-11-02 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 반도체 장치 및 상기 반도체 장치를 포함하는 표시 장치 |
TWI629791B (zh) | 2015-04-13 | 2018-07-11 | 友達光電股份有限公司 | 主動元件結構及其製作方法 |
JP6930885B2 (ja) * | 2017-09-21 | 2021-09-01 | 株式会社東芝 | 半導体装置 |
KR20200090760A (ko) | 2017-12-07 | 2020-07-29 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 반도체 장치, 및 반도체 장치의 제작 방법 |
JP2019121634A (ja) * | 2017-12-28 | 2019-07-22 | 日本放送協会 | 薄膜トランジスタおよびその製造方法 |
KR20210009000A (ko) | 2019-07-16 | 2021-01-26 | 삼성전자주식회사 | 반도체 장치 |
JP2022097013A (ja) * | 2020-12-18 | 2022-06-30 | 日新電機株式会社 | 酸化物半導体の成膜方法及び薄膜トランジスタの製造方法 |
Citations (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2003273400A (ja) * | 2002-03-14 | 2003-09-26 | Japan Science & Technology Corp | 半導体発光素子 |
JP2004103957A (ja) * | 2002-09-11 | 2004-04-02 | Japan Science & Technology Corp | ホモロガス薄膜を活性層として用いる透明薄膜電界効果型トランジスタ |
US20050039670A1 (en) * | 2001-11-05 | 2005-02-24 | Hideo Hosono | Natural-superlattice homologous single crystal thin film, method for preparation thereof, and device using said single crystal thin film |
US20060145182A1 (en) * | 2003-07-15 | 2006-07-06 | Hiroshi Fujioka | Nitride semiconductor element and method for manufacturing thereof |
US20090152550A1 (en) * | 2007-12-18 | 2009-06-18 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device and method for manufacturing semiconductor device |
JP2009170896A (ja) * | 2007-12-18 | 2009-07-30 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 半導体装置、および半導体装置の作製方法 |
US20100320459A1 (en) * | 2009-06-22 | 2010-12-23 | Fujifilm Corporation | Thin film transistor and method of producing thin film transistor |
JP2011003775A (ja) * | 2009-06-19 | 2011-01-06 | Fujifilm Corp | 薄膜トランジスタ製造装置、酸化物半導体薄膜の製造方法、薄膜トランジスタの製造方法、酸化物半導体薄膜、薄膜トランジスタ及び発光デバイス |
Family Cites Families (98)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP3298974B2 (ja) | 1993-03-23 | 2002-07-08 | 電子科学株式会社 | 昇温脱離ガス分析装置 |
DE69635107D1 (de) | 1995-08-03 | 2005-09-29 | Koninkl Philips Electronics Nv | Halbleiteranordnung mit einem transparenten schaltungselement |
JP3625598B2 (ja) | 1995-12-30 | 2005-03-02 | 三星電子株式会社 | 液晶表示装置の製造方法 |
JP4170454B2 (ja) | 1998-07-24 | 2008-10-22 | Hoya株式会社 | 透明導電性酸化物薄膜を有する物品及びその製造方法 |
JP2000150861A (ja) | 1998-11-16 | 2000-05-30 | Tdk Corp | 酸化物薄膜 |
JP3276930B2 (ja) | 1998-11-17 | 2002-04-22 | 科学技術振興事業団 | トランジスタ及び半導体装置 |
JP3423896B2 (ja) * | 1999-03-25 | 2003-07-07 | 科学技術振興事業団 | 半導体デバイス |
JP3424814B2 (ja) * | 1999-08-31 | 2003-07-07 | スタンレー電気株式会社 | ZnO結晶構造及びそれを用いた半導体装置 |
TW460731B (en) | 1999-09-03 | 2001-10-21 | Ind Tech Res Inst | Electrode structure and production method of wide viewing angle LCD |
JP4089858B2 (ja) | 2000-09-01 | 2008-05-28 | 国立大学法人東北大学 | 半導体デバイス |
KR20020038482A (ko) | 2000-11-15 | 2002-05-23 | 모리시타 요이찌 | 박막 트랜지스터 어레이, 그 제조방법 및 그것을 이용한표시패널 |
JP3997731B2 (ja) | 2001-03-19 | 2007-10-24 | 富士ゼロックス株式会社 | 基材上に結晶性半導体薄膜を形成する方法 |
JP2002289859A (ja) | 2001-03-23 | 2002-10-04 | Minolta Co Ltd | 薄膜トランジスタ |
JP3925839B2 (ja) | 2001-09-10 | 2007-06-06 | シャープ株式会社 | 半導体記憶装置およびその試験方法 |
JP4090716B2 (ja) * | 2001-09-10 | 2008-05-28 | 雅司 川崎 | 薄膜トランジスタおよびマトリクス表示装置 |
JP4083486B2 (ja) | 2002-02-21 | 2008-04-30 | 独立行政法人科学技術振興機構 | LnCuO(S,Se,Te)単結晶薄膜の製造方法 |
CN1445821A (zh) | 2002-03-15 | 2003-10-01 | 三洋电机株式会社 | ZnO膜和ZnO半导体层的形成方法、半导体元件及其制造方法 |
JP3933591B2 (ja) | 2002-03-26 | 2007-06-20 | 淳二 城戸 | 有機エレクトロルミネッセント素子 |
US7339187B2 (en) | 2002-05-21 | 2008-03-04 | State Of Oregon Acting By And Through The Oregon State Board Of Higher Education On Behalf Of Oregon State University | Transistor structures |
JP2004022625A (ja) | 2002-06-13 | 2004-01-22 | Murata Mfg Co Ltd | 半導体デバイス及び該半導体デバイスの製造方法 |
US7105868B2 (en) | 2002-06-24 | 2006-09-12 | Cermet, Inc. | High-electron mobility transistor with zinc oxide |
US7067843B2 (en) | 2002-10-11 | 2006-06-27 | E. I. Du Pont De Nemours And Company | Transparent oxide semiconductor thin film transistors |
JP4166105B2 (ja) | 2003-03-06 | 2008-10-15 | シャープ株式会社 | 半導体装置およびその製造方法 |
JP2004273732A (ja) | 2003-03-07 | 2004-09-30 | Sharp Corp | アクティブマトリクス基板およびその製造方法 |
JP4108633B2 (ja) | 2003-06-20 | 2008-06-25 | シャープ株式会社 | 薄膜トランジスタおよびその製造方法ならびに電子デバイス |
US7262463B2 (en) | 2003-07-25 | 2007-08-28 | Hewlett-Packard Development Company, L.P. | Transistor including a deposited channel region having a doped portion |
US7145174B2 (en) | 2004-03-12 | 2006-12-05 | Hewlett-Packard Development Company, Lp. | Semiconductor device |
US7282782B2 (en) | 2004-03-12 | 2007-10-16 | Hewlett-Packard Development Company, L.P. | Combined binary oxide semiconductor device |
KR101019337B1 (ko) | 2004-03-12 | 2011-03-07 | 도꾸리쯔교세이호징 가가꾸 기쥬쯔 신꼬 기꼬 | 아몰퍼스 산화물 및 박막 트랜지스터 |
US7297977B2 (en) | 2004-03-12 | 2007-11-20 | Hewlett-Packard Development Company, L.P. | Semiconductor device |
US7211825B2 (en) | 2004-06-14 | 2007-05-01 | Yi-Chi Shih | Indium oxide-based thin film transistors and circuits |
JP2006100760A (ja) | 2004-09-02 | 2006-04-13 | Casio Comput Co Ltd | 薄膜トランジスタおよびその製造方法 |
US7285501B2 (en) | 2004-09-17 | 2007-10-23 | Hewlett-Packard Development Company, L.P. | Method of forming a solution processed device |
US7298084B2 (en) | 2004-11-02 | 2007-11-20 | 3M Innovative Properties Company | Methods and displays utilizing integrated zinc oxide row and column drivers in conjunction with organic light emitting diodes |
CA2585071A1 (en) | 2004-11-10 | 2006-05-18 | Canon Kabushiki Kaisha | Field effect transistor employing an amorphous oxide |
US7863611B2 (en) | 2004-11-10 | 2011-01-04 | Canon Kabushiki Kaisha | Integrated circuits utilizing amorphous oxides |
US7791072B2 (en) | 2004-11-10 | 2010-09-07 | Canon Kabushiki Kaisha | Display |
US7453065B2 (en) | 2004-11-10 | 2008-11-18 | Canon Kabushiki Kaisha | Sensor and image pickup device |
CA2585063C (en) | 2004-11-10 | 2013-01-15 | Canon Kabushiki Kaisha | Light-emitting device |
US7829444B2 (en) | 2004-11-10 | 2010-11-09 | Canon Kabushiki Kaisha | Field effect transistor manufacturing method |
EP1812969B1 (en) | 2004-11-10 | 2015-05-06 | Canon Kabushiki Kaisha | Field effect transistor comprising an amorphous oxide |
US7579224B2 (en) | 2005-01-21 | 2009-08-25 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Method for manufacturing a thin film semiconductor device |
TWI505473B (zh) | 2005-01-28 | 2015-10-21 | Semiconductor Energy Lab | 半導體裝置,電子裝置,和半導體裝置的製造方法 |
TWI445178B (zh) | 2005-01-28 | 2014-07-11 | Semiconductor Energy Lab | 半導體裝置,電子裝置,和半導體裝置的製造方法 |
US7858451B2 (en) | 2005-02-03 | 2010-12-28 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Electronic device, semiconductor device and manufacturing method thereof |
US7948171B2 (en) | 2005-02-18 | 2011-05-24 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Light emitting device |
US20060197092A1 (en) | 2005-03-03 | 2006-09-07 | Randy Hoffman | System and method for forming conductive material on a substrate |
US8681077B2 (en) | 2005-03-18 | 2014-03-25 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device, and display device, driving method and electronic apparatus thereof |
WO2006105077A2 (en) | 2005-03-28 | 2006-10-05 | Massachusetts Institute Of Technology | Low voltage thin film transistor with high-k dielectric material |
US7645478B2 (en) | 2005-03-31 | 2010-01-12 | 3M Innovative Properties Company | Methods of making displays |
US8300031B2 (en) | 2005-04-20 | 2012-10-30 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device comprising transistor having gate and drain connected through a current-voltage conversion element |
JP2006344849A (ja) | 2005-06-10 | 2006-12-21 | Casio Comput Co Ltd | 薄膜トランジスタ |
US7691666B2 (en) | 2005-06-16 | 2010-04-06 | Eastman Kodak Company | Methods of making thin film transistors comprising zinc-oxide-based semiconductor materials and transistors made thereby |
US7402506B2 (en) | 2005-06-16 | 2008-07-22 | Eastman Kodak Company | Methods of making thin film transistors comprising zinc-oxide-based semiconductor materials and transistors made thereby |
US7507618B2 (en) | 2005-06-27 | 2009-03-24 | 3M Innovative Properties Company | Method for making electronic devices using metal oxide nanoparticles |
KR100711890B1 (ko) | 2005-07-28 | 2007-04-25 | 삼성에스디아이 주식회사 | 유기 발광표시장치 및 그의 제조방법 |
JP2007059128A (ja) | 2005-08-23 | 2007-03-08 | Canon Inc | 有機el表示装置およびその製造方法 |
JP5116225B2 (ja) | 2005-09-06 | 2013-01-09 | キヤノン株式会社 | 酸化物半導体デバイスの製造方法 |
JP2007073705A (ja) | 2005-09-06 | 2007-03-22 | Canon Inc | 酸化物半導体チャネル薄膜トランジスタおよびその製造方法 |
JP4850457B2 (ja) | 2005-09-06 | 2012-01-11 | キヤノン株式会社 | 薄膜トランジスタ及び薄膜ダイオード |
JP4280736B2 (ja) | 2005-09-06 | 2009-06-17 | キヤノン株式会社 | 半導体素子 |
EP1770788A3 (en) | 2005-09-29 | 2011-09-21 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device having oxide semiconductor layer and manufacturing method thereof |
JP5064747B2 (ja) | 2005-09-29 | 2012-10-31 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体装置、電気泳動表示装置、表示モジュール、電子機器、及び半導体装置の作製方法 |
JP5037808B2 (ja) | 2005-10-20 | 2012-10-03 | キヤノン株式会社 | アモルファス酸化物を用いた電界効果型トランジスタ、及び該トランジスタを用いた表示装置 |
CN101577231B (zh) | 2005-11-15 | 2013-01-02 | 株式会社半导体能源研究所 | 半导体器件及其制造方法 |
TWI292281B (en) | 2005-12-29 | 2008-01-01 | Ind Tech Res Inst | Pixel structure of active organic light emitting diode and method of fabricating the same |
US7867636B2 (en) | 2006-01-11 | 2011-01-11 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | Transparent conductive film and method for manufacturing the same |
JP4977478B2 (ja) | 2006-01-21 | 2012-07-18 | 三星電子株式会社 | ZnOフィルム及びこれを用いたTFTの製造方法 |
US7576394B2 (en) | 2006-02-02 | 2009-08-18 | Kochi Industrial Promotion Center | Thin film transistor including low resistance conductive thin films and manufacturing method thereof |
US7977169B2 (en) | 2006-02-15 | 2011-07-12 | Kochi Industrial Promotion Center | Semiconductor device including active layer made of zinc oxide with controlled orientations and manufacturing method thereof |
KR20070101595A (ko) * | 2006-04-11 | 2007-10-17 | 삼성전자주식회사 | ZnO TFT |
US20070252928A1 (en) | 2006-04-28 | 2007-11-01 | Toppan Printing Co., Ltd. | Structure, transmission type liquid crystal display, reflection type display and manufacturing method thereof |
JP5028033B2 (ja) | 2006-06-13 | 2012-09-19 | キヤノン株式会社 | 酸化物半導体膜のドライエッチング方法 |
JP4609797B2 (ja) | 2006-08-09 | 2011-01-12 | Nec液晶テクノロジー株式会社 | 薄膜デバイス及びその製造方法 |
JP4999400B2 (ja) | 2006-08-09 | 2012-08-15 | キヤノン株式会社 | 酸化物半導体膜のドライエッチング方法 |
JP4332545B2 (ja) | 2006-09-15 | 2009-09-16 | キヤノン株式会社 | 電界効果型トランジスタ及びその製造方法 |
JP5164357B2 (ja) | 2006-09-27 | 2013-03-21 | キヤノン株式会社 | 半導体装置及び半導体装置の製造方法 |
JP4274219B2 (ja) | 2006-09-27 | 2009-06-03 | セイコーエプソン株式会社 | 電子デバイス、有機エレクトロルミネッセンス装置、有機薄膜半導体装置 |
US7622371B2 (en) | 2006-10-10 | 2009-11-24 | Hewlett-Packard Development Company, L.P. | Fused nanocrystal thin film semiconductor and method |
US7772021B2 (en) | 2006-11-29 | 2010-08-10 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Flat panel displays comprising a thin-film transistor having a semiconductive oxide in its channel and methods of fabricating the same for use in flat panel displays |
JP2008140684A (ja) | 2006-12-04 | 2008-06-19 | Toppan Printing Co Ltd | カラーelディスプレイおよびその製造方法 |
KR101303578B1 (ko) | 2007-01-05 | 2013-09-09 | 삼성전자주식회사 | 박막 식각 방법 |
US8207063B2 (en) | 2007-01-26 | 2012-06-26 | Eastman Kodak Company | Process for atomic layer deposition |
KR100851215B1 (ko) | 2007-03-14 | 2008-08-07 | 삼성에스디아이 주식회사 | 박막 트랜지스터 및 이를 이용한 유기 전계 발광표시장치 |
US7795613B2 (en) | 2007-04-17 | 2010-09-14 | Toppan Printing Co., Ltd. | Structure with transistor |
KR101325053B1 (ko) | 2007-04-18 | 2013-11-05 | 삼성디스플레이 주식회사 | 박막 트랜지스터 기판 및 이의 제조 방법 |
KR20080094300A (ko) | 2007-04-19 | 2008-10-23 | 삼성전자주식회사 | 박막 트랜지스터 및 그 제조 방법과 박막 트랜지스터를포함하는 평판 디스플레이 |
KR101334181B1 (ko) | 2007-04-20 | 2013-11-28 | 삼성전자주식회사 | 선택적으로 결정화된 채널층을 갖는 박막 트랜지스터 및 그제조 방법 |
WO2008133345A1 (en) | 2007-04-25 | 2008-11-06 | Canon Kabushiki Kaisha | Oxynitride semiconductor |
KR101345376B1 (ko) | 2007-05-29 | 2013-12-24 | 삼성전자주식회사 | ZnO 계 박막 트랜지스터 및 그 제조방법 |
JP5215158B2 (ja) | 2007-12-17 | 2013-06-19 | 富士フイルム株式会社 | 無機結晶性配向膜及びその製造方法、半導体デバイス |
KR100963104B1 (ko) * | 2008-07-08 | 2010-06-14 | 삼성모바일디스플레이주식회사 | 박막 트랜지스터, 그의 제조 방법 및 박막 트랜지스터를구비하는 평판 표시 장치 |
JP4623179B2 (ja) | 2008-09-18 | 2011-02-02 | ソニー株式会社 | 薄膜トランジスタおよびその製造方法 |
JP5451280B2 (ja) | 2008-10-09 | 2014-03-26 | キヤノン株式会社 | ウルツ鉱型結晶成長用基板およびその製造方法ならびに半導体装置 |
JP2011029238A (ja) * | 2009-07-21 | 2011-02-10 | Fujifilm Corp | 結晶性ホモロガス化合物層を含む積層体の製造方法及び電界効果型トランジスタ |
JP2011066375A (ja) * | 2009-08-18 | 2011-03-31 | Fujifilm Corp | 非晶質酸化物半導体材料、電界効果型トランジスタ及び表示装置 |
KR20170100065A (ko) * | 2009-12-04 | 2017-09-01 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 반도체 장치 및 그 제작 방법 |
KR101878206B1 (ko) | 2010-03-05 | 2018-07-16 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 산화물 반도체막의 제작 방법 및 트랜지스터의 제작 방법 |
-
2012
- 2012-06-05 TW TW101120144A patent/TWI557910B/zh not_active IP Right Cessation
- 2012-06-05 TW TW105126594A patent/TWI575751B/zh not_active IP Right Cessation
- 2012-06-12 KR KR1020120062912A patent/KR20120139560A/ko active Search and Examination
- 2012-06-13 JP JP2012133995A patent/JP5981236B2/ja active Active
- 2012-06-14 US US13/523,262 patent/US8766329B2/en not_active Expired - Fee Related
-
2016
- 2016-07-28 JP JP2016148064A patent/JP6259499B2/ja not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (9)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US20050039670A1 (en) * | 2001-11-05 | 2005-02-24 | Hideo Hosono | Natural-superlattice homologous single crystal thin film, method for preparation thereof, and device using said single crystal thin film |
JP2003273400A (ja) * | 2002-03-14 | 2003-09-26 | Japan Science & Technology Corp | 半導体発光素子 |
JP2004103957A (ja) * | 2002-09-11 | 2004-04-02 | Japan Science & Technology Corp | ホモロガス薄膜を活性層として用いる透明薄膜電界効果型トランジスタ |
US20060145182A1 (en) * | 2003-07-15 | 2006-07-06 | Hiroshi Fujioka | Nitride semiconductor element and method for manufacturing thereof |
US20090152550A1 (en) * | 2007-12-18 | 2009-06-18 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device and method for manufacturing semiconductor device |
JP2009170896A (ja) * | 2007-12-18 | 2009-07-30 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 半導体装置、および半導体装置の作製方法 |
JP2011003775A (ja) * | 2009-06-19 | 2011-01-06 | Fujifilm Corp | 薄膜トランジスタ製造装置、酸化物半導体薄膜の製造方法、薄膜トランジスタの製造方法、酸化物半導体薄膜、薄膜トランジスタ及び発光デバイス |
US20100320459A1 (en) * | 2009-06-22 | 2010-12-23 | Fujifilm Corporation | Thin film transistor and method of producing thin film transistor |
JP2011003856A (ja) * | 2009-06-22 | 2011-01-06 | Fujifilm Corp | 薄膜トランジスタ及び薄膜トランジスタの製造方法 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
KR20120139560A (ko) | 2012-12-27 |
JP6259499B2 (ja) | 2018-01-10 |
JP2013021308A (ja) | 2013-01-31 |
TW201304145A (zh) | 2013-01-16 |
US8766329B2 (en) | 2014-07-01 |
JP5981236B2 (ja) | 2016-08-31 |
TW201701482A (zh) | 2017-01-01 |
TWI557910B (zh) | 2016-11-11 |
US20120319175A1 (en) | 2012-12-20 |
TWI575751B (zh) | 2017-03-21 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP6259499B2 (ja) | 半導体装置 | |
JP6438999B2 (ja) | 半導体装置 | |
JP6283397B2 (ja) | 半導体装置 | |
JP6127180B2 (ja) | 半導体装置 | |
JP6014362B2 (ja) | 半導体装置の作製方法 | |
TWI553860B (zh) | 半導體裝置 | |
JP6027792B2 (ja) | 半導体装置およびその作製方法 | |
JP2017162538A (ja) | 半導体記憶装置 | |
JP5964090B2 (ja) | 半導体装置 | |
JP5986392B2 (ja) | 半導体装置 | |
JP6045176B2 (ja) | 半導体装置 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20160822 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20170515 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20170523 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20170711 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20171114 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20171208 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 6259499 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |